JPS6057642A - ダイシングフイルムおよび方法 - Google Patents
ダイシングフイルムおよび方法Info
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- JPS6057642A JPS6057642A JP59159480A JP15948084A JPS6057642A JP S6057642 A JPS6057642 A JP S6057642A JP 59159480 A JP59159480 A JP 59159480A JP 15948084 A JP15948084 A JP 15948084A JP S6057642 A JPS6057642 A JP S6057642A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
竜業上の利用分野
本発明は半導体チップの製作に重用な製品に係る。
従来の技術
現在、多数の印刷回路を有するシリコンウェハは個々の
回路にダイシング(ソーイング)する場合、先ずウェハ
をダイシングフィルム(粘着性の表面を有する支持重合
体フィルム)上に置き、ダイシング操作中このダイシン
グフィルムによってウェハを所定の位置に保持する。次
いで、ダイシング工具(例えば、ダイヤモンド埋込工具
)でウェハをその厚みの一部を切削する。それから、ウ
ェハをクラッキング処理によって個々のチップに割9、
支持フィルムを引張ることによってチ、7″を分離する
。それから、チップを真空チャックで個々に捨い上げて
適当なチップキャリヤに配する。
回路にダイシング(ソーイング)する場合、先ずウェハ
をダイシングフィルム(粘着性の表面を有する支持重合
体フィルム)上に置き、ダイシング操作中このダイシン
グフィルムによってウェハを所定の位置に保持する。次
いで、ダイシング工具(例えば、ダイヤモンド埋込工具
)でウェハをその厚みの一部を切削する。それから、ウ
ェハをクラッキング処理によって個々のチップに割9、
支持フィルムを引張ることによってチ、7″を分離する
。それから、チップを真空チャックで個々に捨い上げて
適当なチップキャリヤに配する。
チップを配すべきチップキャリヤ上に導電性接着剤を滴
下する。それから、接着剤を硬化してチップを所定の位
置に固定し、チップに細線をポンディングする工程の間
のチップの基礎を提供する。
下する。それから、接着剤を硬化してチップを所定の位
置に固定し、チップに細線をポンディングする工程の間
のチップの基礎を提供する。
チップキャリヤへの導電性接着剤の適用を省略スルコと
によって実際の半導体製品の製造においてコストの低減
および収率の改善の両方を達成することができることも
既に提案されている。これはダイシングフィルム自体に
導電性接着剤を適用して、ダイシング工程よシ以前に接
着剤とテップを相互に付着することによって達成される
。この接着剤はダイシングの間ウェハを支持フィルムに
保持するであろう。ダイシング工具はウェハの厚みの全
部および接着剤を切断し、そして支持フィルムのご妻く
一部を切シ込んで、ウェハの必要な支持を保持する。ダ
イシング後、テップを導電性接着剤と共に支持フィルム
から取り上げ、チップキャリヤ上に置く。それから接着
剤を適当な温度で硬化してチップ/キャリヤ間の結合と
所望の導電性を発現させる。
によって実際の半導体製品の製造においてコストの低減
および収率の改善の両方を達成することができることも
既に提案されている。これはダイシングフィルム自体に
導電性接着剤を適用して、ダイシング工程よシ以前に接
着剤とテップを相互に付着することによって達成される
。この接着剤はダイシングの間ウェハを支持フィルムに
保持するであろう。ダイシング工具はウェハの厚みの全
部および接着剤を切断し、そして支持フィルムのご妻く
一部を切シ込んで、ウェハの必要な支持を保持する。ダ
イシング後、テップを導電性接着剤と共に支持フィルム
から取り上げ、チップキャリヤ上に置く。それから接着
剤を適当な温度で硬化してチップ/キャリヤ間の結合と
所望の導電性を発現させる。
このような導電性接着′@1/ダイシングフィルム結合
体は単なる表面に粘着性を有するダイシングフィルムの
使用よりも理論的には改良されているが、ウェハと接着
剤を相互に接触させた後ウェハ/接着剤結合体を支持フ
ィルムからきれいに(清浄に)除去する上で問題がある
。
体は単なる表面に粘着性を有するダイシングフィルムの
使用よりも理論的には改良されているが、ウェハと接着
剤を相互に接触させた後ウェハ/接着剤結合体を支持フ
ィルムからきれいに(清浄に)除去する上で問題がある
。
発明の概要
本発明は導電性接着剤とそれを支持するフィルムの間に
剥離層を有する改良せる導電性接着剤/ダイシングフィ
ルム製品に係る。剥離層の使用は、接着剤の一体性を損
うことなしで、接着剤をそれに付着したチップと共に簡
単に除去するのを促進し、先行技術で提案された導電性
接着剤/ダイシングフィルム製品について先に述べた重
大な問題を克服する。接着剤の露出表面も適当な剥離ラ
イナーで覆って接着剤に対する汚染や損傷を防止するこ
とは好ましい。
剥離層を有する改良せる導電性接着剤/ダイシングフィ
ルム製品に係る。剥離層の使用は、接着剤の一体性を損
うことなしで、接着剤をそれに付着したチップと共に簡
単に除去するのを促進し、先行技術で提案された導電性
接着剤/ダイシングフィルム製品について先に述べた重
大な問題を克服する。接着剤の露出表面も適当な剥離ラ
イナーで覆って接着剤に対する汚染や損傷を防止するこ
とは好ましい。
具体的説明
本発明のダイシングフィルムllは支持フィルム12と
、粘着性剥離層13と、剥離層に接着された、後のダイ
シングのために半導体ウエノ・15(図示せず)を受理
する適当なノ?ターンの導電性接着剤14とからなる。
、粘着性剥離層13と、剥離層に接着された、後のダイ
シングのために半導体ウエノ・15(図示せず)を受理
する適当なノ?ターンの導電性接着剤14とからなる。
支持フィルム12は選択したパターン状接着剤のための
十分な支持金成しかつ炉内乾燥のような操作全許容しな
ければならない。それは、例えば、ダイシング操作後に
分割チップ全支持する必要がある。剥離層13はダイシ
ング操作後に接着剤を損傷せずに導電性接着剤/テップ
結合体を分離することを許容しなければならな(/A。
十分な支持金成しかつ炉内乾燥のような操作全許容しな
ければならない。それは、例えば、ダイシング操作後に
分割チップ全支持する必要がある。剥離層13はダイシ
ング操作後に接着剤を損傷せずに導電性接着剤/テップ
結合体を分離することを許容しなければならな(/A。
導電性接着剤14は、充分なレベルの導電性を有さなけ
ればならず、良好な平滑さを有してウェハとの間の完全
な表面接触を許容しなければならず、かつ、乾燥あるい
は部分的な硬化によって適当な粘着状態になってウェハ
付着工程で使用する状態に保たれる必要がある。導電性
接着剤は物理的一体性f:損わずに支持フィルムから分
離することを許容し、また任意に設けるカバーフィルム
をそれから剥離するの?許容するように、充分な凝集性
を有する必要がおる。導電性接着剤は接着剤付着チップ
を研摩するのに適当な電気的要件を研摩面に具備せしめ
るために適当な厚み、例えば、約0.25〜1.5ミル
(約6.35〜38,1μm)を有すべきである。本発
明はチップ/接着剤結合体をチップキャリヤに置いて、
接着剤はチップを支持するがその支持領域よυ外の領域
を実り゛【的に全く覆わないようにすることを可能にす
る。
ればならず、良好な平滑さを有してウェハとの間の完全
な表面接触を許容しなければならず、かつ、乾燥あるい
は部分的な硬化によって適当な粘着状態になってウェハ
付着工程で使用する状態に保たれる必要がある。導電性
接着剤は物理的一体性f:損わずに支持フィルムから分
離することを許容し、また任意に設けるカバーフィルム
をそれから剥離するの?許容するように、充分な凝集性
を有する必要がおる。導電性接着剤は接着剤付着チップ
を研摩するのに適当な電気的要件を研摩面に具備せしめ
るために適当な厚み、例えば、約0.25〜1.5ミル
(約6.35〜38,1μm)を有すべきである。本発
明はチップ/接着剤結合体をチップキャリヤに置いて、
接着剤はチップを支持するがその支持領域よυ外の領域
を実り゛【的に全く覆わないようにすることを可能にす
る。
これは、細線(ワイヤ)と導電性接着剤が密に接近して
起きるショート(回路の短絡)の可能性を増加すること
なく、チップをキャリヤにボンディングする上で必要な
細線(ワイヤ)のためのよシコンパクトな形態を許容す
る。
起きるショート(回路の短絡)の可能性を増加すること
なく、チップをキャリヤにボンディングする上で必要な
細線(ワイヤ)のためのよシコンパクトな形態を許容す
る。
本発明のダイシングフィルム製品11に使用し得る代表
的な支持フィルムには紙、ならびにオレフィン重合体(
例えばポリエチレンまたはポリプロピレン)、ハロダン
化ビニル重合体、およびポリエステルのようなよく知ら
れた熱可塑性重合体で作成したものがある。支持フィル
ムの厚みは約1〜6ミル(約25.4〜152.4μm
)の範囲内にあることができ、3〜6ミ# (76,2
〜152.4μm)の厚みが好ましい。好ましい3〜6
ミルの大きい厚みを有するフィルムはダイソング操作に
おける実際の製造の許容度を変更していくらか安全性の
程度を高めることが可能である。フィルムが薄すぎると
、製造工程に固有な誤差のためにそれが全部切断されて
、ウェハに必要な支持が折供されないであろう。
的な支持フィルムには紙、ならびにオレフィン重合体(
例えばポリエチレンまたはポリプロピレン)、ハロダン
化ビニル重合体、およびポリエステルのようなよく知ら
れた熱可塑性重合体で作成したものがある。支持フィル
ムの厚みは約1〜6ミル(約25.4〜152.4μm
)の範囲内にあることができ、3〜6ミ# (76,2
〜152.4μm)の厚みが好ましい。好ましい3〜6
ミルの大きい厚みを有するフィルムはダイソング操作に
おける実際の製造の許容度を変更していくらか安全性の
程度を高めることが可能である。フィルムが薄すぎると
、製造工程に固有な誤差のためにそれが全部切断されて
、ウェハに必要な支持が折供されないであろう。
支持フィルムの一面に、後で述べるように、ダイ7ング
後に支持フィルム12から導電性接着剤/チップ結合体
の容易な分離を許容する適当な剥離層13をコートする
。用いる剥離層は付着(貼付)とダイシング操作中導電
性接着剤に許容し得る強さの結着を許容するために充分
「堅固(tight)Jでなければならない。にもがか
わらず、それはチップキャリヤに再び適用されなければ
ならない接着剤に損傷を与えることなくダイシング工程
後にチップ/接着剤結合体を剥離することを許容するよ
う充分「軽< (light ) Jなければならない
。
後に支持フィルム12から導電性接着剤/チップ結合体
の容易な分離を許容する適当な剥離層13をコートする
。用いる剥離層は付着(貼付)とダイシング操作中導電
性接着剤に許容し得る強さの結着を許容するために充分
「堅固(tight)Jでなければならない。にもがか
わらず、それはチップキャリヤに再び適用されなければ
ならない接着剤に損傷を与えることなくダイシング工程
後にチップ/接着剤結合体を剥離することを許容するよ
う充分「軽< (light ) Jなければならない
。
代表的な剥離層は従来技術(A、M、Kapralへの
米国特許第3.575,917号および第3.912,
569号)に記載のようにシリコーン組成物およびフル
オロカーボン組成物からなることができる。これらの剥
離層はB1望の剥離特性を与えるのに充分に厚いこと(
例えば、迫(beam)当シ約0.5〜2ポンド)が必
殺なだけである。支持フィルムの表面が固有の剥離層動
性を有する場合(ポリフルオロカーボン)、その表面の
固有剥離特性は本発明における「剥離層」として利用す
ることが可能である。遍尚なシリコーン剥離塗装重合体
フィルム(例えば、sIr、ox(商品名)剥離塗膜伺
ポリプロピレン)はAkroI!i1社(ウィンスコン
シン州、メナシャ)から供給されている。
米国特許第3.575,917号および第3.912,
569号)に記載のようにシリコーン組成物およびフル
オロカーボン組成物からなることができる。これらの剥
離層はB1望の剥離特性を与えるのに充分に厚いこと(
例えば、迫(beam)当シ約0.5〜2ポンド)が必
殺なだけである。支持フィルムの表面が固有の剥離層動
性を有する場合(ポリフルオロカーボン)、その表面の
固有剥離特性は本発明における「剥離層」として利用す
ることが可能である。遍尚なシリコーン剥離塗装重合体
フィルム(例えば、sIr、ox(商品名)剥離塗膜伺
ポリプロピレン)はAkroI!i1社(ウィンスコン
シン州、メナシャ)から供給されている。
剥離層の露出表面に適渦なパターンの導電性接着剤14
を付着してダイシングすべき半導体ウーハ15の取付位
置を形成する。一般に、導電性接着剤パターンはその上
に搭載すべきウェハの直径に近い適当な寸法(例えば、
1〜6インチ)の円形接着剤パターンの列からなる。接
着剤の厚みは約0.2〜1.5ミル(約5.08〜38
.1μm)の範囲にあることができる。使用することが
できる適当な導電性接着剤組成物には導電性の要件を満
たずための充填材を添加した接着剤物質がある。(例え
ば、約2〜75重量%の適当な導電性材料)代表的な導
電性材料には微粉砕した導電性物質(例えば、アルミニ
ウム、銅、銀、金、パラジウム)あるいはカーがンブラ
ックがある。導電性材料のマトリックスを成すことが可
能である代表的な接着剤物質にはポリイミド、アクリル
、エポキシ。
を付着してダイシングすべき半導体ウーハ15の取付位
置を形成する。一般に、導電性接着剤パターンはその上
に搭載すべきウェハの直径に近い適当な寸法(例えば、
1〜6インチ)の円形接着剤パターンの列からなる。接
着剤の厚みは約0.2〜1.5ミル(約5.08〜38
.1μm)の範囲にあることができる。使用することが
できる適当な導電性接着剤組成物には導電性の要件を満
たずための充填材を添加した接着剤物質がある。(例え
ば、約2〜75重量%の適当な導電性材料)代表的な導
電性材料には微粉砕した導電性物質(例えば、アルミニ
ウム、銅、銀、金、パラジウム)あるいはカーがンブラ
ックがある。導電性材料のマトリックスを成すことが可
能である代表的な接着剤物質にはポリイミド、アクリル
、エポキシ。
シリコーン、そして所望の熱的および導電性の要件を満
たすいろいろの改質重合体材料がおる。
たすいろいろの改質重合体材料がおる。
好ましい態様では、本発明のダイシングフィルム製品1
1は接着剤の露出表面上に適当な剥離ライナーを設けて
汚染および(または)損傷(例えば、好ましい実質的に
平坦な上方表面の偶発的破損)から保護する。例えば、
剥離被膜紙を剥離ライナー材料として用い得る。剥離ラ
イナーは剥離層とは異なる剥離特性を有することができ
る。
1は接着剤の露出表面上に適当な剥離ライナーを設けて
汚染および(または)損傷(例えば、好ましい実質的に
平坦な上方表面の偶発的破損)から保護する。例えば、
剥離被膜紙を剥離ライナー材料として用い得る。剥離ラ
イナーは剥離層とは異なる剥離特性を有することができ
る。
第4〜6図は本発明のダイシングフィルムラ使用する仕
方を説明するための図である。第4図は積層した半導体
ウェハ15のアレイ15から半導体ウェハを取シ出すピ
ポ、ト式真空吸着板装置を示す。第5図は電子的検知器
(エレクトリックアイ)20で案内される真空吸着板2
Iがフィルム12上の記録マーク22に応答してウェハ
と接着剤を整合する態様を示す。第6図はウェハ貼付工
程を示し、また導電性接着剤14/ダイシングフイルム
に結合体から剥離ライナーを予め分離するところも示し
ている。
方を説明するための図である。第4図は積層した半導体
ウェハ15のアレイ15から半導体ウェハを取シ出すピ
ポ、ト式真空吸着板装置を示す。第5図は電子的検知器
(エレクトリックアイ)20で案内される真空吸着板2
Iがフィルム12上の記録マーク22に応答してウェハ
と接着剤を整合する態様を示す。第6図はウェハ貼付工
程を示し、また導電性接着剤14/ダイシングフイルム
に結合体から剥離ライナーを予め分離するところも示し
ている。
本発明のダイシングフィルムは慣用的な積層および印刷
操作を用いて作製し得る。例えば、支持フィルム上に剥
離層を慣用技法で塗布した後、層を乾燥することができ
る。次いで、適当な印刷手法(例えば、ロータリ一式ま
たは平坦床式スクリーン印刷法)で乾燥した剥離層表面
に導電性接着剤のパターンを適用し、それから積層法で
接着剤を支持フィルム12に移す。接着剤の露出表面上
に剥離ライナーを望む場合には、それも慣用の積層手法
で適用し得る。
操作を用いて作製し得る。例えば、支持フィルム上に剥
離層を慣用技法で塗布した後、層を乾燥することができ
る。次いで、適当な印刷手法(例えば、ロータリ一式ま
たは平坦床式スクリーン印刷法)で乾燥した剥離層表面
に導電性接着剤のパターンを適用し、それから積層法で
接着剤を支持フィルム12に移す。接着剤の露出表面上
に剥離ライナーを望む場合には、それも慣用の積層手法
で適用し得る。
以下、本発明を例によって説明する。
例1〜6
すべての試料を作成するために用いた一般的手法は剥離
塗装紙上への適当な接着剤・千ターン(即ち、直径3〜
4インチ、厚み約0.001インチの一連の円)のスク
リーン印刷からなっていた。剥離塗装紙は42番重量半
漂白クラフト紙であった。
塗装紙上への適当な接着剤・千ターン(即ち、直径3〜
4インチ、厚み約0.001インチの一連の円)のスク
リーン印刷からなっていた。剥離塗装紙は42番重量半
漂白クラフト紙であった。
接着剤は銀変性ポリイミド(Epoxy Techno
logy社の商品P−1011)であった。それから得
られる積層体を153℃、30分間の炉内乾燥した。
logy社の商品P−1011)であった。それから得
られる積層体を153℃、30分間の炉内乾燥した。
上記手順で作成した積層体を選択した支持フィルムと共
に加圧ニップを通過させ、その際接着剤パターンを支持
体と向い合わせて接着剤・やターンをその上に積層した
。充分な圧力を用いてこのような転写を行なった。接着
剤パターンを支持フィルムに転写したとき、得られる積
層体を153°下で5分間加熱して新しく露出した面を
乾燥した。
に加圧ニップを通過させ、その際接着剤パターンを支持
体と向い合わせて接着剤・やターンをその上に積層した
。充分な圧力を用いてこのような転写を行なった。接着
剤パターンを支持フィルムに転写したとき、得られる積
層体を153°下で5分間加熱して新しく露出した面を
乾燥した。
これらの例では多くのポリプロピレン支持フィルムを選
んで用いた。対照として例1に用いたフィルムはHer
cules社の5.0ミル(0,127+mn)厚ポリ
グロビレンで、剥離塗装なしであった。例2〜6では、
Akroai1社のシリコーン剥離塗装ポリプロピレン
で下記のよりに1〜3ミル(約25.4〜76.2μm
)の厚さを有するものを用いた。
んで用いた。対照として例1に用いたフィルムはHer
cules社の5.0ミル(0,127+mn)厚ポリ
グロビレンで、剥離塗装なしであった。例2〜6では、
Akroai1社のシリコーン剥離塗装ポリプロピレン
で下記のよりに1〜3ミル(約25.4〜76.2μm
)の厚さを有するものを用いた。
例 厚さ〔ミル(μm):] 軽さΔ堅固さ相対比82
3(76,2) 4 3 2(50,8) 8 4 1(25,4) 8 5 3(76,2) 3 *)軽さ/堅固さ相対比は剥離がどの程度軽いかまたは
堅固からの粗い評価である。最も軽い剥離を「1」とし
、最も竪固な剥離を「lO」とする。
3(76,2) 4 3 2(50,8) 8 4 1(25,4) 8 5 3(76,2) 3 *)軽さ/堅固さ相対比は剥離がどの程度軽いかまたは
堅固からの粗い評価である。最も軽い剥離を「1」とし
、最も竪固な剥離を「lO」とする。
接着剤パターンを支]寺体フィルムに転写後、接着剤の
スクリーン印刷に当初用いたと同じタイプの紙を接着剤
パターンの露出表面のカバーシートとして用いた。この
カバーシートは2つの加圧ニップを通して接着剤/支持
フィルム積層体に供給したので、接着剤パターンの露出
表面と剥離塗膜が充分な圧力下で一緒にされ、剥離紙と
積層体が結合された。選択的に、薄いポリエステルフィ
ルムまたはその他の適当な剥離塗装ポリオレフィン(例
えば、約1ミルの厚さ)をカッ4−シートとして用いる
ことができる。
スクリーン印刷に当初用いたと同じタイプの紙を接着剤
パターンの露出表面のカバーシートとして用いた。この
カバーシートは2つの加圧ニップを通して接着剤/支持
フィルム積層体に供給したので、接着剤パターンの露出
表面と剥離塗膜が充分な圧力下で一緒にされ、剥離紙と
積層体が結合された。選択的に、薄いポリエステルフィ
ルムまたはその他の適当な剥離塗装ポリオレフィン(例
えば、約1ミルの厚さ)をカッ4−シートとして用いる
ことができる。
例7〜12
例1〜6で作成した各積層体をカバーシートを除去後接
着剤が支持フィルムから容易に分離するかどうかを試験
した。シリコンウェハをスキーノーの作用で接着剤に付
着して空気の連行を防いだ。
着剤が支持フィルムから容易に分離するかどうかを試験
した。シリコンウェハをスキーノーの作用で接着剤に付
着して空気の連行を防いだ。
付着が完了後、手で、ウェハおよび付着した接着剤を支
持フィルムからきれいに(清浄に)取υ外す試験をした
。
持フィルムからきれいに(清浄に)取υ外す試験をした
。
結果は次の通シであった。
以下余白
例で作成したフィルム 結 果
った。
つた0
6 優れ【ウニ・・に転移した。
上記の例は本発明の特定の好ましい態様を説明するだめ
のものであるから限定的に解釈されるべきではない。本
発明の保藤のだめの範囲は特許請求の範囲に記載されて
いる。
のものであるから限定的に解釈されるべきではない。本
発明の保藤のだめの範囲は特許請求の範囲に記載されて
いる。
第1図はダイシングフィルムおよび粘着性導電性接着剤
・リーンの斜視図、第2図は本発明のダイシングフィル
ムの好ましい態様の長手方向断面図、第3図は本発明に
よるダイシングフィルムの平面図、第4図はウェハを持
ち上げでダイシングフィルムへ移送する様子を説明する
図、第5図はウェハと接着剤の付着の予備にウェハと接
着剤パターンを整合する様子を説明する図、第6図はウ
ェハ/接着剤付着手法を説明する図である口11・・・
ダイシングフィルム、12・・・支持フィルム、13・
・・剥離フィルム、14・・・導電性接着剤、15・・
・半導体ウェハ、16・・・カバーシート。 特許出願人 ストラップ−ケミカル カンノぞニー 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 古 賀 哲 次 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
・リーンの斜視図、第2図は本発明のダイシングフィル
ムの好ましい態様の長手方向断面図、第3図は本発明に
よるダイシングフィルムの平面図、第4図はウェハを持
ち上げでダイシングフィルムへ移送する様子を説明する
図、第5図はウェハと接着剤の付着の予備にウェハと接
着剤パターンを整合する様子を説明する図、第6図はウ
ェハ/接着剤付着手法を説明する図である口11・・・
ダイシングフィルム、12・・・支持フィルム、13・
・・剥離フィルム、14・・・導電性接着剤、15・・
・半導体ウェハ、16・・・カバーシート。 特許出願人 ストラップ−ケミカル カンノぞニー 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 古 賀 哲 次 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)支持7 イルムト、<b>該支nフィルムの
一面上の剥離層と、(C)支持フィルム上の該剥離層に
付着され、少なくとも1個の半導体つ1ハをその上に支
持する寸法および形状を有するノfターンの導電性接着
剤とからなる、半導体ウェハを個々のチップにダイシン
グする場合に半導体ウェハを支持スルタイシングフイル
ム。 2、前記支持フィルムがポリオレフィン重合体製である
特許請求の範囲第1項記載のフィルム。 3、 前記支持フィルムがポリプロピレンである特許請
求の範囲第1項記載のフィルム。 4、前記支持フィルムが約1〜6ミル(約0.0254
〜0.1524mm)の厚さを有する特許請求の範囲第
1項記載のフィルム。 5、 前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求
の範囲第1項記載のフィルム。 6、 前記剥離層がフルオロカーボン組成物からなる特
許請求の範囲第1項記載のフィルム◇7、前記導電性接
着剤が約0.2〜1.5ミル(約5.08〜38.1μ
In)の厚さを有する特許請求の範囲第1項記載のフィ
ルム。 8、前記導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電性
付与に有効量の導電性金属を有する特許請求の範囲81
項記載のフィルム。 9、前記支持フィルムが約1〜6ミル(約0.0254
〜0.1524順)の厚さを有する特許請求の範囲第2
項記載のフィルム。 10、シリコーン組成物からなる剥離層を有する特許請
求の範囲第9項記載のフィルム。 11、約0.2〜1.5ミル(約5.08〜38.1
μm )の厚さを有し、かつ前記導電性接着剤が接着剤
マトリックス中に導電性付与に有効量の導電性金属を含
有する特許請求の範囲第10g4記載のフィルム。 12、前記導電性接着剤パターン上に剥離ライナーを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のフイルム。 13.前記4電性接着剤・やターン上に剥離ライナーを
特徴とする特許請求の範囲第11項記載のフイ ルム。 14、(a)支持フィルムと、(b)該支持フィルムの
一面上の剥離層と、(c)支持フィルム上の該剥離層に
付着され、少なくとも1個の半導体ウェハをその上に支
持する寸法および形状ヲ壱するツヤター/の導電性接着
剤とからなるグイ7ングフイルムの該導電性接着剤・?
ターンに半導体ウェハを付着し、ソシて該半導体ウェハ
を個々のチップにダイシングする工程を含んでいる、半
導体ウェハがら個々のチップを製造する方法。 15、前記ウーハを真空吸着板装置で前記導電性接着剤
上に置く特許請求の範囲第14項記載の方法0 16、前記真空吸着板装置を前記ダイ7ングフイルム上
の記録マークを用いて案内する特許請求の範囲第15項
記載の方法。 17、チッfを前記ダイシングフィルムから除去してチ
ップキャリヤに置く工8を更に含む特許請求の範囲第1
4項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US51993683A | 1983-08-03 | 1983-08-03 | |
US519936 | 2000-03-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6057642A true JPS6057642A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=24070468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59159480A Pending JPS6057642A (ja) | 1983-08-03 | 1984-07-31 | ダイシングフイルムおよび方法 |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0134606B1 (ja) |
JP (1) | JPS6057642A (ja) |
KR (1) | KR920006894B1 (ja) |
AU (1) | AU559159B2 (ja) |
BR (1) | BR8403579A (ja) |
CA (1) | CA1244294A (ja) |
DE (1) | DE3477311D1 (ja) |
HK (1) | HK62789A (ja) |
IE (1) | IE55238B1 (ja) |
IL (1) | IL72141A (ja) |
MY (1) | MY100982A (ja) |
NO (1) | NO172716C (ja) |
NZ (1) | NZ209093A (ja) |
PH (1) | PH23587A (ja) |
SG (1) | SG35489G (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1985005734A1 (en) * | 1984-05-29 | 1985-12-19 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Film for machining wafers |
JPS61289645A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-19 | ナショナル スターチ アンド ケミカル コーポレイション | 接着性の取付けが可能なダイアタツチフイルム |
JPS6258638A (ja) * | 1985-09-07 | 1987-03-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの保護部材 |
JP2005183855A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法 |
US7060339B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-06-13 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7309925B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-12-18 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
WO2008032367A1 (fr) | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
US7449226B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-11-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7508081B2 (en) | 2004-03-17 | 2009-03-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
WO2009090817A1 (ja) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | ダイシング・ダイボンドフィルム |
WO2009090838A1 (ja) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | ダイシング・ダイボンドフィルム |
EP2090633A1 (en) | 2008-02-18 | 2009-08-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing Die-Bonding Film |
EP2149900A2 (en) | 2008-08-01 | 2010-02-03 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151860A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151857A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151858A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
DE112008003005T5 (de) | 2007-11-08 | 2010-09-16 | Nitto Denko Corp., Ibaraki-shi | Klebefolie für das Schneiden von Chips |
DE112008003020T5 (de) | 2007-11-08 | 2010-10-07 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Klebefolie für das Schneiden von Chips |
US7880316B2 (en) | 2008-11-26 | 2011-02-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device |
US7998552B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-08-16 | Nittok Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
KR101168562B1 (ko) | 2011-03-11 | 2012-07-27 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 보호 필름이 부착된 다이싱 필름 |
KR20120104109A (ko) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이 본드 필름 및 그 용도 |
JP2013038097A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
US8658515B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing film for semiconductor device |
KR20140116058A (ko) | 2012-01-25 | 2014-10-01 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름 |
KR20150013048A (ko) | 2013-07-26 | 2015-02-04 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9142457B2 (en) | 2010-10-01 | 2015-09-22 | Nitto Denko Corporation | Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5049434A (en) * | 1984-04-30 | 1991-09-17 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system |
DE3787680T2 (de) * | 1986-07-09 | 1994-03-10 | Lintec Corp | Klebestreifen zum Kleben von Plättchen. |
US4793883A (en) * | 1986-07-14 | 1988-12-27 | National Starch And Chemical Corporation | Method of bonding a semiconductor chip to a substrate |
US5030308A (en) * | 1986-07-14 | 1991-07-09 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Method of bonding a semiconductor chip to a substrate |
JPH01143211A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Takatori Haitetsuku:Kk | ウエハーに対する保護テープの貼付け切り抜き方法および装置 |
JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
WO1994024704A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-27 | Bolger Justin C | Area bonding conductive adhesive preforms |
KR200174655Y1 (ko) * | 1994-04-30 | 2000-03-02 | 유무성 | 반도체 일반 및 LOC(Lead On Chip) 리드프레임의 테이핑장치 |
JP4230080B2 (ja) | 2000-02-18 | 2009-02-25 | リンテック株式会社 | ウエハ貼着用粘着シート |
FR2815468B1 (fr) * | 2000-10-12 | 2003-10-03 | Gemplus Card Int | Procede pour le report de microcircuit sur un support |
FR2831148B1 (fr) | 2001-10-22 | 2004-01-02 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif de manipulation d'un wafer |
US6620651B2 (en) * | 2001-10-23 | 2003-09-16 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Adhesive wafers for die attach application |
US11912910B2 (en) | 2020-03-31 | 2024-02-27 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Conductive film laminate and method of fabricating the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5542326B1 (ja) * | 1969-03-03 | 1980-10-30 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1061014B (de) * | 1957-07-03 | 1959-07-09 | Minnesota Mining & Mfg | Klebkraeftige Klebfolie oder Klebband, insbesondere mit einem biegsamen Traeger aus einem nichtfaserigen Film mit einer klebrigen Vorderseite und einem Rueckseitenaufstrich niederer Adhaesion |
FR1484458A (ja) * | 1965-06-25 | 1967-09-15 | ||
US4285433A (en) * | 1979-12-19 | 1981-08-25 | Western Electric Co., Inc. | Method and apparatus for removing dice from a severed wafer |
JPS5695974A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Releasable silicone type adhesive base |
JPS6048104B2 (ja) * | 1980-01-30 | 1985-10-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体ウエハの分割方法 |
JPS56126937A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Cutting apparatus for semiconductor wafer |
JPS57145339A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS5815248A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPS59930A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のマウント方法 |
JPS596551A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Nec Corp | 半導体素子のダイボンデイング方法 |
JPS5957438A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の組立方法 |
IE55524B1 (en) * | 1983-06-13 | 1990-10-10 | Minnesota Mining & Mfg | Electrically and thermally conductive adhesive transfer tape |
-
1984
- 1984-06-12 IE IE1466/84A patent/IE55238B1/en not_active IP Right Cessation
- 1984-06-18 IL IL72141A patent/IL72141A/xx not_active IP Right Cessation
- 1984-06-25 CA CA000457372A patent/CA1244294A/en not_active Expired
- 1984-07-18 BR BR8403579A patent/BR8403579A/pt unknown
- 1984-07-26 AU AU31200/84A patent/AU559159B2/en not_active Ceased
- 1984-07-31 PH PH31048A patent/PH23587A/en unknown
- 1984-07-31 JP JP59159480A patent/JPS6057642A/ja active Pending
- 1984-08-02 NZ NZ209093A patent/NZ209093A/en unknown
- 1984-08-02 NO NO843113A patent/NO172716C/no unknown
- 1984-08-02 EP EP84201140A patent/EP0134606B1/en not_active Expired
- 1984-08-02 KR KR1019840004607A patent/KR920006894B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-08-02 DE DE8484201140T patent/DE3477311D1/de not_active Expired
-
1987
- 1987-10-01 MY MYPI87002810A patent/MY100982A/en unknown
-
1989
- 1989-06-02 SG SG35489A patent/SG35489G/en unknown
- 1989-08-03 HK HK627/89A patent/HK62789A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5542326B1 (ja) * | 1969-03-03 | 1980-10-30 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1985005734A1 (en) * | 1984-05-29 | 1985-12-19 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Film for machining wafers |
JPS61289645A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-19 | ナショナル スターチ アンド ケミカル コーポレイション | 接着性の取付けが可能なダイアタツチフイルム |
JPS6258638A (ja) * | 1985-09-07 | 1987-03-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの保護部材 |
US8586415B2 (en) | 2002-10-15 | 2013-11-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7060339B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-06-13 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7646103B2 (en) | 2002-10-15 | 2010-01-12 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US8178420B2 (en) | 2002-10-15 | 2012-05-15 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7449226B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-11-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
US7780811B2 (en) | 2003-05-29 | 2010-08-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
JP2005183855A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法 |
JP4536367B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-09-01 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法 |
US7309925B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-12-18 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US7429522B2 (en) | 2003-12-26 | 2008-09-30 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US7508081B2 (en) | 2004-03-17 | 2009-03-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US7863182B2 (en) | 2004-03-17 | 2011-01-04 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US8304341B2 (en) | 2004-03-17 | 2012-11-06 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
WO2008032367A1 (fr) | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
US7998552B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-08-16 | Nittok Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
DE112008003005T5 (de) | 2007-11-08 | 2010-09-16 | Nitto Denko Corp., Ibaraki-shi | Klebefolie für das Schneiden von Chips |
DE112008003020T5 (de) | 2007-11-08 | 2010-10-07 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Klebefolie für das Schneiden von Chips |
WO2009090817A1 (ja) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | ダイシング・ダイボンドフィルム |
US8617928B2 (en) | 2008-01-18 | 2013-12-31 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
WO2009090838A1 (ja) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | ダイシング・ダイボンドフィルム |
EP2090633A1 (en) | 2008-02-18 | 2009-08-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing Die-Bonding Film |
EP2149900A2 (en) | 2008-08-01 | 2010-02-03 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151858A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151860A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US8119236B2 (en) | 2008-08-04 | 2012-02-21 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
EP2151857A2 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
US7880316B2 (en) | 2008-11-26 | 2011-02-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device |
US9142457B2 (en) | 2010-10-01 | 2015-09-22 | Nitto Denko Corporation | Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device |
US8658515B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing film for semiconductor device |
US8614139B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-12-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing film with protecting film |
JP2012191048A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Nitto Denko Corp | 保護フィルム付きダイシングフィルム |
KR20120104109A (ko) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이 본드 필름 및 그 용도 |
KR101168562B1 (ko) | 2011-03-11 | 2012-07-27 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 보호 필름이 부착된 다이싱 필름 |
JP2013038097A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
KR20140116058A (ko) | 2012-01-25 | 2014-10-01 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름 |
KR20150013048A (ko) | 2013-07-26 | 2015-02-04 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL72141A0 (en) | 1984-10-31 |
MY100982A (en) | 1991-06-15 |
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IE55238B1 (en) | 1990-07-04 |
IL72141A (en) | 1988-02-29 |
BR8403579A (pt) | 1985-06-25 |
IE841466L (en) | 1985-02-03 |
EP0134606A2 (en) | 1985-03-20 |
EP0134606A3 (en) | 1985-11-27 |
AU559159B2 (en) | 1987-02-26 |
PH23587A (en) | 1989-09-11 |
NZ209093A (en) | 1986-10-08 |
NO172716C (no) | 1993-08-25 |
KR920006894B1 (ko) | 1992-08-21 |
EP0134606B1 (en) | 1989-03-15 |
NO172716B (no) | 1993-05-18 |
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