NO172716B - Delefilm for understoettelse av halvlederskiver, samt fremgangsmaate for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive - Google Patents

Delefilm for understoettelse av halvlederskiver, samt fremgangsmaate for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive Download PDF

Info

Publication number
NO172716B
NO172716B NO843113A NO843113A NO172716B NO 172716 B NO172716 B NO 172716B NO 843113 A NO843113 A NO 843113A NO 843113 A NO843113 A NO 843113A NO 172716 B NO172716 B NO 172716B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
adhesive
film
release layer
conductive adhesive
carrier
Prior art date
Application number
NO843113A
Other languages
English (en)
Other versions
NO843113L (no
NO172716C (no
Inventor
Joseph Anthony Aurichio
Original Assignee
Nat Starch Chem Invest
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Starch Chem Invest filed Critical Nat Starch Chem Invest
Publication of NO843113L publication Critical patent/NO843113L/no
Publication of NO172716B publication Critical patent/NO172716B/no
Publication of NO172716C publication Critical patent/NO172716C/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

Foreliggende oppfinnelse angår en delefilm for under-støttelse av halvlederskiver når de blir kuttet i enkelte brikker. Oppfinnelsen angår også en fremgangsmåte for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive ved bruk av en slik delefilm.
Det er kjent at silisiumskiver med flere trykte kretser blir kuttet (eller saget) i enkelte kretser (brikker) ved først å plassere skiven på en delefilm (en polymerisk bærefilm som har en klebende overflate) som holder skiven på plass under kutteoperasjonen. Skiven blir så delvis skåret gjennom sin tykkelse ved hjelp av et kutteverktøy (f.eks. et diamant-innsatt hjul). Skiven blir så knekket i enkelte brikker under en knekke-prosedyre, og brikkene blir adskilt ved å strekke bærefilmen. Brikkene blir så plukket opp enkeltvis ved hjelp av en vakuum-klo for å bli plassert i en passende brikkebaerer. En dråpe med ledende klebemiddel blir anbrakt på brikkebæreren hvor brikken skal plasseres. Klebemiddelet blir så herdet for å feste brikken på plass og tilveiebringe jord for brikken under det trinn hvor ledninger blir loddet til brikken.
Fra japanske patentsøknader nr. 56-107563, 57-145339 og 57-68053 er det kjent beslektet teknikk innen samme tekniske område, men det dreier seg da om prosesser i flere trinn, mens foreliggende oppfinnelse tillater oppkutting og påføring av et klebemiddel på brikken i ett eneste trinn. Derved tillates en mye mer effektiv fremstilling av brikker som deretter kan monteres på et substrat.
Det er også blitt foreslått at både omkostningsreduksjon og forbedret yte-evne kan oppnås ved den aktuelle fremstilling av halvlederprodukter ved å eliminere anvendelsen av ledende klebemiddel på brikkebæreren. Dette kan oppnås ved å anvende ledende klebemiddel på selve delefilmen slik at klebemiddelet og brikken er festet til hverandre før kuttetrinnet. Under kuttingen ville klebemiddelet holde skiven på bærefilmen. Kutteanordningen ville skjære gjennom hele tykkelsen av
skiven, gjennom klebemiddelet og bare delvis inn i selve bærefilmen for fremdeles å tilveiebringe den nødvendige understøttelse for skiven. Etter kuttingen ville brikkene bli
plukket opp fra bærefilmen sammen med det ledende klebemiddel og bli plassert på brikkebæreren. Klebemiddelet ville så bli herdet ved den riktige temperatur for å frembringe binding mellom brikke og bærer og den ønskede konduktivitet.
Selv om slike kombinasjoner av ledende klebemiddel og kuttefilm representerer en teoretisk forbedring i forhold til bruken av en delefilm som bare har en klebrig overflate, oppstår det problemer ved ren fjerning av skive/klebemiddel-kombinasjonen fra bærefilmen etter at skiven og klebemiddelet er blitt brakt i kontakt med hverandre.
Foreliggende oppfinnelse defineres nøyaktig i de vedføyde patentkravene.
I hovedsak angår foreliggende oppfinnelse et forbedret ledende klebemiddel/delefilm-produkt som har et løsgjørings-lag mellom det ledende klebemiddel og filmen som bærer det. Bruken av løsgj©ringslaget letter fjerningen av klebemiddelet med den festede brikke uten å ødeligge klebemiddelets integritet, og overvinner et alvorlig problem som oppstår med det ledende klebemiddel/delefilm-produkt som er foreslått ifølge teknikkens stand. I en foretrukket utførelsesform er den frilagte overflaten av klebemiddelet også dekket med et egnet løsgjøringsoverlegg for å forhindre forurensning og/eller skade på klebemiddelet.
Den foreliggende oppfinnelse vil bli forklart i den følg-ende beskrivelse sammen med de vedføyde tegninger, der: Figur 1 er en perspektivskisse som viser delefilmen og dens påklebede ledende klebemiddelmønstre for kontakt med den trykte skive; Figur 2 er et forstørret tverrsnitt av en seksjon av den foretrukne, utførelsesform av delefilmen ifølge oppfinnelsen; Figur 3 er et oppriss av en utførelsesform av delefilmen i samsvar med oppfinnelsen; Figur 4 viser en utførelsesform hvor en skive er i ferd med å bli plukket opp for overføring til delefilmen; Figur 5 illustrerer innretting av skiven og klebemiddel-mønsteret som forberedelse til anbringelse av skiven på klebemiddelet; og Figur 6 viser fremgangsmåten for festing av skiven til klebemiddelet .
Delefilmen 11 ifølge den foreliggende oppfinnelse omfatter en bærefilm 12, et påklebet løsgjøringslag 13 og, festet til løsgj©ringslaget, et passende mønster av ledende klebemiddel 14 for å motta halvlederskiver 15 for senere kutting (ikke vist). Bærefilmen 12 må ha tilstrekkelig understøttelse for de valgte klebemiddelmønstre mens den tillater slike operasjoner som ovns-tørking. Den må f.eks. tilveiebringe understøttelse for den kuttede brikke etter kutteoperasjonen. Løsgjøringslaget 13 må tillate opptagning av kombinasjonen av det ledende klebemiddel og brikken etter kutteoperasjonen uten å påføre klebemiddelet skade. Det ledende klebemiddel 14 må ha et tilstrekkelig kon-duktivitetsnivå, bør ha god glatthet for å sørge for full over-flatekontakt mellom det og skiven og må enten tørkes eller delvis herdes til en passende klebrig tilstand og holdes i en slik tilstand for bruk ved festing av skiven. Det må ha en tilstrekkelig grad av kohesjon til å tillate at den rives av bærefilmen uten å ødelegge sin fysiske integritet og også for å tillate avrivning av en dekkfilm. Det ledende klebemiddel bør ha en passende tykkelse, f.eks. fra omkring 0,006 mm til 0,04 mm for å tilveiebringe riktige elektriske krav for jording av brikken som er montert på klebemiddelet til jordplanet. Den foreliggende oppfinnelse muliggjør anbringelse av brikke/klebemiddel-kombinasjonen i en brikkebærer slik at klebemiddelet under-støtter brikken men ikke dekker noe vesentlig område utenfor bærearealet. Dette tillater en mer kompakt konstruksjon for de nødvendige tråder som forbinder brikken med bæreren, uten å øke muligheten for kortslutninger som oppstår på grunn av liten av-stand mellom tråd og ledende klebemiddel.
Representative bærefilmer som kan brukes i delefilmproduktet 11 ifølge den foreliggende oppfinnelse, omfatter papir såvel som filmer laget av slike velkjente termoplastiske polymerer som olefin-polymerer (f.eks. polyetylen eller polypropylen), vinyl-halid-polymerer, og polyester. Tykkelsen av bærefilmen kan ligge i området fra omkring 0,025 mm til omkring 0,15 mm, idet en tykkelse på 0,075 mm til 0,15 mm blir foretrukket. Filmer som har den foretrukne større tykkelse på fra 0,075 mm til 0,15 mm opp-viser en noe større grad av sikkerhet i betraktning av mulige variasjoner i de aktuelle fremstillingstoleranser i kutteoperasjonen. En meget tynn film som kuttes fullstendig gjennom på grunn av iboende variasjoner i fremstillingsprosessen, ville ikke oppvise den nødvendige understøttelse for skiven.
En side av bærefilmen er belagt med et passende løsgjørings-lag 13 som, som vil fremgå av det nedenstående, muliggjør lett adskillelse av det ledende klebemiddel og brikken fra bærefilmen 12 etter kutting. Det løsgjøringslag som velges for produktet må være "fast" nok til å sørge for en akseptabel grad av binding av det ledende klebemiddel under feste- og kutte-operasjonene. Det må ikke desto mindre være "løst" nok til å muliggjøre fri-gjøring av brikke/klebemiddel-kombinasjonen etter kuttetrinnet uten å påføre klebemiddelet skade, idet dette igjen må påføres brikkebæreren. Representative løsgjøringslag kan omfatte silikon- og fluorkarbon-sammensetninger slik som de som er: beskrevet i teknikkens stand, f.eks. i U.S. patent nr. 3.912.569 og 3.575.917. Disse løsgjøringslag behøver bare å være tykke
nok til å tilveiebringe de ønskede løsgjøringsegenskaper, f.eks. fra omkring 0,22 til omkring 0,87 kg/ris. Hvis over-
flaten av bærefilmen har en iboende løsgjøringslag-funksjon (polyfluorkarbon), kan de iboende løsgjøringsegenskapene til dens overflate benyttes i samsvar med den foreliggende oppfinnelse som "løsgjøringslag".
Til den frilagte overflate av løsgjøringslaget er festet et passende mønster med ledende klebemiddel 14 for å danne et punktfeste for halvlederskivene 15 som skal deles. Generelt kan det ledende klebemiddel-mønster omfatte en rekke sirkulære klebemiddel-mønstre av en passende størrelse (f.eks. 25 til 150 mm) slik at de er tilnærmet lik diameteren av skiven som skal monteres. Tykkelsen av klebemiddelet kan ligge i området fra omkring 0,005 mm til omkring 0,04 mm. Egnede ledende klebemiddel-sammensetninger som kan benyttes, omfatter de klebe-middelmaterialer som er blandet med fyllstoff for å besørge konduktivitetskravene (f.eks. fra 2 til omkring 75 vekt% av et passende ledende materiale). Representative ledende materialer omfatter findelte ledende metaller (f.eks. aluminium, kobber, sølv, gull, palladium), eller kjønrøk. Representative klebende materialer som kan danne en matrise for de ledende materialer omfatter polyimid, akryl, epoxy, silikoner og for-skjellige modifiserte polymere materialer for å oppfylle ønskede termiske og konduktivitetsmessige krav.
I en foretrukket utførelsesform omfatter delefilmproduktet 11 ifølge oppfinnelsen også et egnet løsgjøringsoverlegg 16 over den frilagte overflate av klebemiddelet for å beskytte det fra forurensning og/eller skade (f.eks. uaktsom ødeleggelse av den fortrinnsvis hovedsakelig flate øvre overflate). F.eks. kan løsgjøringsbelagt papir benyttes som løsgjøringsoverlegg. Løsgjøringsoverlegget kan ha en annen løsgjøringskarakteristikk enn løsgjøringslaget. Figurene 4 til 6 illustrerer en måte på hvilken delefilmen ifølge den foreliggende oppfinnelse kan brukes. Figur 4 viser en svingbar vakumplate-anordning som er iferd med å plukke opp en halvlederskive fra en gruppe 19 av stablede skiver 15. Figur 5 illustrerer konstruksjonen av en vakumplate 21 som ledes av et elektrisk øye 20 for innretting av skive og klebemiddel som reaksjon på markeringen 22 på filmen 12. Figur 6 illustrerer trinnet med festing av skiven og illustrerer også den forutgående avrivning av løsgjøringsoverlegget 16 fra kombinasjonen av det ledende belegg 14 og delefilmen 12.
Delefilmen ifølge den foreliggende oppfinnelse kan frem-stilles ved å bruke konvensjonelle laminerings- og trykke-operasjoner. Løsgjøringslaget kan f.eks. legges på bærefilmen ved å bruke konvensjonelle beleggsteknikker fulgt av tørking av laget. Mønsteret av ledende klebemiddel blir så påført en tørket frigjøringslag-overflate ved hjelp av passende trykke-prosedyrer (f.eks. roterende trykk eller plantrykking) og så blir klebemiddelet overført til bærefilmen 12 ved laminering. Hvis et løsgjøringsoverlegg er ønsket over den frilagte overflate av klebemiddelet, kan det også påføres ved hjelp av konvensjonelle lamineringsprosedyrer.
Oppfinnelsen er ytterligere illustrert ved de følgende eksempler.
Eksempler 1- 6.
Den generelle fremgangsmåte som brukes til å danne alle prøvene omfattet raster-trykking av et passende klebemiddel-mønster,(f.eks. en rekke sirkler med en diameter på 75 - 100 mm og en tykkelse på omkring 0,025 mm) på løsgjøringsbelagt papir. Det løsgjøringsbelagte papir var 42 #weight halvbleket kraft-papir. Klebemiddelet var et sølvmodifisert polyimid (P-1011 fra Epoxy Technology, Inc.). Det resulterende laminat ble så ovnstørket i 30 minutter ved 67,2°C (153°F).
Laminatet som ble fremstilt ved hjelp av den nevnte fremgangsmåte, ble ført gjennom en klemanordning med den valgte bærefilm slik at klebemiddelmønsteret vendte mot bærefilmen for å laminere klebemiddelmønsteret på denne. Det ble brukt tilstrekkelig trykk til å bevirke slik overføring. Når klebe-middelmønsteret var blitt overført til bærefilmen, ble det resulterende laminat oppvarmet i 5 minutter ved 67,2°C (153°F), for å tørke den nylig frilagte side av klebemiddelet. I disse eksempler ble det valgt et antall bærefilmer av polypropylen.
Den filmen som ble brukt i eksempel 1 som en kontroll, var 0,125 mm polypropylen fra Hercules og inneholdt intet løs-gjøringsbelegg. I eksemplene 2-6 ble det brukt løsgjørings-belagt polypropylen fra Akrosil Corporation med en tykkelse på 0,025 - 0,075 mm som beskrevet nedenfor:
<*->den relative løshet/fasthet gir et grovt overslag over hvor løs eller fast løsgjøringen er. Den letteste løsgjøring er gitt en verdi "1"; den fasteste en verdi "10".
Etter at klebemiddelmønsteret er blitt overført til bære-filmene, ble den samme type papir som opprinnelig ble brukt ved raster-trykkingen av klebemiddelet, brukt som et dekkark for den frilagte overflate av klebemiddelmønsteret. Dette dekkarket ble matet sammen med klebemiddelet/bærefilmlaminatet gjennom to trykkvalser slik at løsgjøringsbelegget og den frilagte overflate av klebemiddelmønsteret ble bragt sammen under tilstrekkelig trykk til å binde sammen løsgjøringspapiret og laminatet. Alternativt kan en tynn polyesterfilm eller en annen egnet løsgjøringsbelagt polyolefin (f.eks. omkring 0,025 mm i tykkelse) brukes som dekkark.
Eksempler 7- 12.
Hvert av laminatene som ble laget i eksemplene 1-6 ble testet (etter fjerning av dekkarket) for å bestemme om klebemiddelet skilte seg lett fra bærefilmen. Følgende prosedyre ble brukt. En silisiumskive ble festet til klebemiddelet ved hjelp av en gummislikk for å eliminere luftblærer. Etter at festingen var fullført, ble det for hånd gjort forsøk på å fjerne skiven og dens festede klebemiddel rent fra bærefilmen. Resultatene som ble oppnådd, er som følger:
De foregående eksempler bør ikke tas som en begrensning siden de bare illustrerer visse foretrukne utførelsesformer av den foreliggende oppfinnelse. Rammen for den søkte beskyttelse er fremsatt i de følgende patentkrav.

Claims (13)

1. Delefilm for å understøtte halvlederskiver (15) når de blir kuttet i enkelte brikker, karakterisert ved: (a) en bærefilm (12); (b) et klebrig løsgjøringslag (13) anbrakt på én side av bærefilmen (12), hvilket løsgjøringslag (13) er istand til å ta opp en kombinasjon av et ledende klebemiddel (14) og en brikke etter kutte-operas jonen; og (c) et mønster av ledende klebemiddel (14) festet til løsgjøringslaget (13) på bærefilmen (12), hvor klebemiddelmønsteret (14) har en dimensjon og form innrettet til å understøtte minst én halvlederskive (15).
2. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at bærefilmen (12) er dannet av en polyolefin-polymer.
3. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at bærefilmen (12) er polypropylen.
4. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at bærefilmen (12) har en tykkelse på fra omkring 0,025 mm til omkring 0,15 mm.
5. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at løsgjøringslaget (13) omfatter en silikon-sammensetning.
6. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at løsgjøringslaget (13) omfatter en fluorkarbon-sammensetning.
7. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at det ledende klebemiddel (14) har en tykkelse på fra omkring 0,005 mm til 0,04 mm.
8. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at det ledende klebemiddel (14) inneholder en effektiv mengde av et ledende metall i en grunnmasse av klebemiddel for å tilveiebringe konduktivitet.
9. Film ifølge krav 1, karakterisert ved at den også har et løsgjøringsoverlegg (16) over mønsteret av ledende klebemiddel (14) .
10. Fremgangsmåte for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive (15) ved bruk av en delefilm ifølge krav 1, karakterisert ved: (a) at skiven (15) festes til en del av et ledende klebemiddelmønster (14) på delefilmen, hvilket klebemiddel (14) er festet til et klebrig løsgj©ringslag (13) på en bærefilm (12) som utgjør basiselementet av delefilmen, og (b) at skiven (15) kuttes for å danne brikkene, hvoretter det klebrige løsgjøringslaget (13) holder kombinasjonen av ledende klebemiddel (14) og brikke.
11. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at skiven (15) blir plassert på klebemiddelet (14) ved help av en vakuumplate-anordning (21) .
12. Fremgangsmåte ifølge krav 11, karakterisert ved at vakuumplate-anordningen (21) blir styrt ved hjelp av en markering (22) på delefilmen.
13. Fremgangmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at fremgangsmåten også
NO843113A 1983-08-03 1984-08-02 Delefilm for understoettelse av halvlederskiver, samt fremgangsmaate for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive NO172716C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51993683A 1983-08-03 1983-08-03

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO843113L NO843113L (no) 1985-02-04
NO172716B true NO172716B (no) 1993-05-18
NO172716C NO172716C (no) 1993-08-25

Family

ID=24070468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO843113A NO172716C (no) 1983-08-03 1984-08-02 Delefilm for understoettelse av halvlederskiver, samt fremgangsmaate for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive

Country Status (15)

Country Link
EP (1) EP0134606B1 (no)
JP (1) JPS6057642A (no)
KR (1) KR920006894B1 (no)
AU (1) AU559159B2 (no)
BR (1) BR8403579A (no)
CA (1) CA1244294A (no)
DE (1) DE3477311D1 (no)
HK (1) HK62789A (no)
IE (1) IE55238B1 (no)
IL (1) IL72141A (no)
MY (1) MY100982A (no)
NO (1) NO172716C (no)
NZ (1) NZ209093A (no)
PH (1) PH23587A (no)
SG (1) SG35489G (no)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049434A (en) * 1984-04-30 1991-09-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
US4853286A (en) * 1984-05-29 1989-08-01 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Wafer processing film
US4687693A (en) * 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
JPH0691057B2 (ja) * 1985-09-07 1994-11-14 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護部材
DE3787680T2 (de) * 1986-07-09 1994-03-10 Lintec Corp Klebestreifen zum Kleben von Plättchen.
US4793883A (en) * 1986-07-14 1988-12-27 National Starch And Chemical Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
US5030308A (en) * 1986-07-14 1991-07-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
JPH01143211A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Takatori Haitetsuku:Kk ウエハーに対する保護テープの貼付け切り抜き方法および装置
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
WO1994024704A1 (en) * 1993-04-12 1994-10-27 Bolger Justin C Area bonding conductive adhesive preforms
KR200174655Y1 (ko) * 1994-04-30 2000-03-02 유무성 반도체 일반 및 LOC(Lead On Chip) 리드프레임의 테이핑장치
JP4230080B2 (ja) 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
FR2815468B1 (fr) * 2000-10-12 2003-10-03 Gemplus Card Int Procede pour le report de microcircuit sur un support
FR2831148B1 (fr) 2001-10-22 2004-01-02 Gemplus Card Int Procede et dispositif de manipulation d'un wafer
US6620651B2 (en) * 2001-10-23 2003-09-16 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Adhesive wafers for die attach application
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2063460A4 (en) 2006-09-12 2011-08-03 Nitto Denko Corp Dicing / CHIP BOND FILM
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717051B2 (ja) 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717052B2 (ja) 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010056544A (ja) 2008-08-01 2010-03-11 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2151858A2 (en) 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4718629B2 (ja) 2008-08-04 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2151857A2 (en) 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP5519971B2 (ja) 2008-11-26 2014-06-11 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2012079936A (ja) 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5023225B1 (ja) 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体装置用フィルムの製造方法
JP5398083B2 (ja) 2011-03-11 2014-01-29 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム及びその用途
JP5036887B1 (ja) 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
JP5930625B2 (ja) * 2011-08-03 2016-06-08 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP5976326B2 (ja) 2012-01-25 2016-08-23 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置の製造方法に用いられる接着フィルム
JP6193663B2 (ja) 2013-07-26 2017-09-06 日東電工株式会社 ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR102675134B1 (ko) * 2020-03-31 2024-06-12 동우 화인켐 주식회사 도전성 필름 적층체 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061014B (de) * 1957-07-03 1959-07-09 Minnesota Mining & Mfg Klebkraeftige Klebfolie oder Klebband, insbesondere mit einem biegsamen Traeger aus einem nichtfaserigen Film mit einer klebrigen Vorderseite und einem Rueckseitenaufstrich niederer Adhaesion
FR1484458A (no) * 1965-06-25 1967-09-15
US3579105A (en) * 1969-03-03 1971-05-18 Perkin Elmer Corp Digital readout system having an automatic zero-setting circuit
US4285433A (en) * 1979-12-19 1981-08-25 Western Electric Co., Inc. Method and apparatus for removing dice from a severed wafer
JPS5695974A (en) * 1979-12-28 1981-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Releasable silicone type adhesive base
JPS6048104B2 (ja) * 1980-01-30 1985-10-25 三洋電機株式会社 半導体ウエハの分割方法
JPS56126937A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Toshiba Corp Cutting apparatus for semiconductor wafer
JPS57145339A (en) * 1981-03-04 1982-09-08 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5815248A (ja) * 1981-07-20 1983-01-28 Nec Corp 半導体素子の製造方法
JPS59930A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子のマウント方法
JPS596551A (ja) * 1982-07-05 1984-01-13 Nec Corp 半導体素子のダイボンデイング方法
JPS5957438A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Toshiba Corp 半導体装置の組立方法
AU565919B2 (en) * 1983-06-13 1987-10-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrically and thermally conductive adhesive transfer tape

Also Published As

Publication number Publication date
BR8403579A (pt) 1985-06-25
MY100982A (en) 1991-06-15
IE55238B1 (en) 1990-07-04
NZ209093A (en) 1986-10-08
IL72141A0 (en) 1984-10-31
NO843113L (no) 1985-02-04
PH23587A (en) 1989-09-11
AU559159B2 (en) 1987-02-26
NO172716C (no) 1993-08-25
EP0134606A3 (en) 1985-11-27
IE841466L (en) 1985-02-03
HK62789A (en) 1989-08-11
KR850002170A (ko) 1985-05-06
IL72141A (en) 1988-02-29
EP0134606B1 (en) 1989-03-15
SG35489G (en) 1989-10-13
EP0134606A2 (en) 1985-03-20
AU3120084A (en) 1985-02-07
DE3477311D1 (en) 1989-04-20
JPS6057642A (ja) 1985-04-03
CA1244294A (en) 1988-11-08
KR920006894B1 (ko) 1992-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO172716B (no) Delefilm for understoettelse av halvlederskiver, samt fremgangsmaate for fremstilling av enkelte brikker fra en halvlederskive
US4961804A (en) Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US5158818A (en) Conductive die attach tape
JPH0334853B2 (no)
US5882956A (en) Process for producing semiconductor device
US6007920A (en) Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6225194B1 (en) Process for producing chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
JP4728380B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
TWI614326B (zh) 半導體背面用薄膜
JP2000038556A (ja) 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
CN107922809A (zh) 粘合剂组合物及粘合片
JPS6372133A (ja) 基材に半導体チップを結着する方法
EP0150882B1 (en) Conductive die attach tape
CN101861369A (zh) 粘合剂、粘合片、多层粘合片以及用于电子部件的生产方法
KR20180048569A (ko) 점착 시트
US7262114B2 (en) Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material
JPH10233373A (ja) チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JP3819378B2 (ja) チップ体製造用の粘着シート
CN115376935A (zh) 封装芯片及加工方法
JP2005133048A (ja) 部品仮固定用シート
KR20210127093A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
CN107481965A (zh) 晶圆切割保护膜结构及其制造方法与使用其之切割晶圆
JP2019059612A (ja) 処理基板の製造方法
CN107922810A (zh) 粘合片
JPH08187930A (ja) 熱転写フィルムとその転写方法