JPS596551A - 半導体素子のダイボンデイング方法 - Google Patents

半導体素子のダイボンデイング方法

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JPS596551A
JPS596551A JP11652782A JP11652782A JPS596551A JP S596551 A JPS596551 A JP S596551A JP 11652782 A JP11652782 A JP 11652782A JP 11652782 A JP11652782 A JP 11652782A JP S596551 A JPS596551 A JP S596551A
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JP
Japan
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plastic sheet
wafer
mounting material
die
type mounting
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JP11652782A
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Yasuo Kato
加藤　靖男
Teruki Togashi
富樫　輝記
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のダイボンディング方法にかかり、
特にダイボンディング工程を合理化した半導体素子のダ
イボンディング方法に関する。
従来、半導体素子は組立にあたってはパッケージの所定
の位置に共晶法、はんだ付性、又は樹脂接着法などによ
シダイボンディングされる。これらのうち樹脂接着法は
比較的低温で組込みが可能であシ、接続後の熱変化に対
しても、樹脂層でひずみが吸収されてチップにクラック
が入らないなどの特徴があるため、最近この方法が急速
に伸びて来ている。
従来の樹脂によるダイボンディング方法の主要工程は第
１図（ａ）〜Φ）に示すとおシである。すなわち沢山の
半導体素子の形成された半導体ウェーハ１に個々のダイ
に沿って縦横に溝２を形成し、該ウェーハをプラスチッ
クシート３に物理的に接着させ、次にプラスチックシー
ト３上に接着させたウェーハ１を別のシート５で被う。
次に溝に沿って縦横方向にローラ等で圧力を加え溝部で
個々の素子に分割する。６は分割部である。次にシート
を四方にひき伸しダイ間隔７を広げ、個々に分離され適
当間隔にシート上に整列したダイが得られる。
８は分離された１個のダイである。これらのダイは印刷
法によシ接着用樹脂の塗布されたパッケージに接着され
る。しかしながら印刷法による樹脂塗布では微小部分へ
の均一塗布が困難で厚さがまばらになシ勝で接着の信頼
性に問題がある。また印刷法に代りノズルより樹脂を接
着部に滴下する方法もあるが量のコントロールが困難で
あると共に樹脂が接着部分に均一に広がらないという問
題があり、印刷法と同様信頼性上問題がある。
また生産上から見てもこの工程は多くの工数を要すると
共に印刷塗布のための特別の設備を要するという問題が
ある。
従って本発明は以上の問題点に対処してなされたもので
その目的は半導体素子のダイボンディング工程を簡素化
すると共に均一で信頼性の優れたダイボンディング方法
を提供す多にある。
すなわち、本発明の要旨は、半導体ウェハーに個々のダ
イに沿って溝を入れる工程と、ウェーハ裏面をプラスチ
ックシートにペースト状マウント材料により貼付する工
程と、プラスチックシートに貼付したウェーハに別のシ
ートを被覆する工程と、さきに形成した溝に沿りてウェ
ーハをダイに分割する工程と、下になりたプラスチック
シートを引き伸すことによシダイとダイの間隔を広げ分
離する工程とを含むことを特徴とする半導体素子のダイ
ボンディング方法にある。
以下図面を参照し本発明の詳細な説明する。第２図（ａ
）〜（ｈ）は本発明の一実施例の工程駅明図、図におい
て半導体素子の形成されたウェーハ１を準備し、ウェー
ハ１の個々のダイに沿って縦横に溝２を形成する（第２
図（ｂ）Ｌ一方ペースト状マウント材料４を塗布したプ
ラスチックシート１０を準備する（第２図（Ｃ））。次
に溝２の形成されたウェーハｌをペースト状マウント材
料を塗布したプラスチックシートに貼付する（第２図（
ｄ））。しかる後ペースト状マウント材料の塗、布され
ていないプラスチックシート５でウェーハ１を覆う（第
２図（ｅ））。次に溝に沿って縦横方向に四−ラ等で圧
力を加え、さきに形成した溝部で個々の素子に分割する
。６は素子の分割部である。しかるのち覆ったプラスチ
ックシートを除去し下のプラスチックシートを引き伸し
ダイ間隔７をひろげるときは個々に分離され適当間隔に
プラスチックシート上に配列し、しかも下面に接着用の
樹脂が付着したダイか得られる。８′はペースト状マウ
ント材料４が付着した１個のダイである。このようなダ
イを利用すればダイボンディングにあたシ、予めペース
ト状マウント材料をスタンプや印刷又はノズルによシ塗
布する必要もなく迅速、確実なマウントを実施すること
ができる。
第３図（ａ）〜（ｈ）は本発明の他の実施例の工程説明
図である。３図における各部の符号は第２図（ａ）〜（
ｈ）と同じである。本実施例が第２図（ａ）〜Φ）の実
施例と異なる点は第３図（Ｃ）に示すとおシペースト状
マウント材料４をシートでなくウェーハの裏面に塗布し
た点である。次にマウント材料の塗布されたウェーハ１
０をプラスチックシートに貼付すると第２図Ｃｄ）と同
様な形のプラスチックシートにマウント材で貼付された
ウェーハが準備できる（第３図（ｄ））。以後の工程は
第２図（ｅ）〜０１）と同じである。
この場合はマウント材料が予めウェーハ側に塗布される
のでよシ均一なマウント材料の付着したダイ８　を得る
ことができる。
以上説明したとおり、本発明による半導体素子のダイボ
ンディング方法忙よれば、各々のダイにウェー八単位で
ペースト状マウント材料を付着さ゛せることができ、パ
ッケージ１個毎にペースト状マウント材料を塗る工程、
設備、工数が不用となると共に、個々の素子への塗布で
問題となったマウント材料塗膜の不均一による信頼性の
低下を改善する仁とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｈ）は従来のダイボンデインタ方法の
主要工程説明図、第２図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実
施例によるダイボンディング方法の主要工程説明図、第
３図（ａ）〜ω）は本発明の他の実施例によるダイボン
デインク方法の主要工程説明図。 １・・・・・・半導体ウェーハ、２・・・・・・溝、３
・・・・・・プラスチックシート、４・・・・・・マウ
ント材料、５・旧・・上部プラスチックシート、６・・
・・・・分割部、７・・・・・・ダイ間隔、８，８′、
８″・・・・・・個々のダイ、９・・・・・・マウント
材料の塗布されたプラスチックシート、１０・・・・・
・マウント材料の塗布されたウエーノ・。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハに個々のダイに沿って溝を入れる工程と
    、該ウェーハ裏面をグラスチックシートにペースト状マ
    ウント材料によシ貼付する工程と、プラスチックシート
    に貼付したウェーハを別のシートで覆う工程と、さきに
    形成した溝に沿ってウェーハをダイに分割する工程と、
    下になったプラスチックシートを引き伸すことによシダ
    イとダイの間隔を広げ分離する工程とを含むことを特徴
    とする半導体素子のダイボンディング方法。
JP11652782A 1982-07-05 1982-07-05 半導体素子のダイボンデイング方法 Pending JPS596551A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134606A2 (en) * 1983-08-03 1985-03-20 National Starch and Chemical Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134606A2 (en) * 1983-08-03 1985-03-20 National Starch and Chemical Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers

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