JPS61276344A - ダイシングテ−プ - Google Patents
ダイシングテ−プInfo
- Publication number
- JPS61276344A JPS61276344A JP60117805A JP11780585A JPS61276344A JP S61276344 A JPS61276344 A JP S61276344A JP 60117805 A JP60117805 A JP 60117805A JP 11780585 A JP11780585 A JP 11780585A JP S61276344 A JPS61276344 A JP S61276344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- adhesive
- layer
- wafer
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウェーハにダイシング溝を形成して、
半導体ウェーハから各半導体チップを切断分離する際に
使用されるダイシングテープに係り、特に半導体ウェー
ハを全厚切断する、いわゆるフルカットダイシングに最
適なダイシングテープに′関する。
半導体ウェーハから各半導体チップを切断分離する際に
使用されるダイシングテープに係り、特に半導体ウェー
ハを全厚切断する、いわゆるフルカットダイシングに最
適なダイシングテープに′関する。
（発明の技術的背景とその問題点）
半導体ウェーハを各半導体チップに分割するに際しては
、半導体ウェーハ裏面にダイシングテープを貼着して、
その支持を行なっている。第３図はこの半導体ウェーハ
の切断に使用されるダイシングテープ３の従来例の新面
図である。このダイシングテープ３は樹脂系テープから
なる基材層１と、基材層１上面にｆａ層された接着剤層
２とからなり、接着剤層２は基材層１の全面に塗布され
ている。そして、この接着剤層２が半導体ウェーハ４の
裏面から貼着されて半導体ウェーハ４を支持しており、
図示しないダイシング装置のブレードにより半導体チッ
プに分割するダイシングライン５に沿ってダイシング溝
６が半導体ウェーハ４の厚さの略半分の深さまで形成さ
れる。そして、このダイシングの後、ダイシングテープ
３の裏面からローラをかけて各半導体チップ毎に分割す
るものである。
、半導体ウェーハ裏面にダイシングテープを貼着して、
その支持を行なっている。第３図はこの半導体ウェーハ
の切断に使用されるダイシングテープ３の従来例の新面
図である。このダイシングテープ３は樹脂系テープから
なる基材層１と、基材層１上面にｆａ層された接着剤層
２とからなり、接着剤層２は基材層１の全面に塗布され
ている。そして、この接着剤層２が半導体ウェーハ４の
裏面から貼着されて半導体ウェーハ４を支持しており、
図示しないダイシング装置のブレードにより半導体チッ
プに分割するダイシングライン５に沿ってダイシング溝
６が半導体ウェーハ４の厚さの略半分の深さまで形成さ
れる。そして、このダイシングの後、ダイシングテープ
３の裏面からローラをかけて各半導体チップ毎に分割す
るものである。
しかしながら、従来のダイシングテープは接着剤ｌ！２
１の全面に塗布されているため、半導体ウェーハ４をフ
ルカットダイシングした場合にはブレードが接着剤層２
に接触して接着剤層の付着でブレードが目詰まりを起こ
し、ブレードが早期に使用不可能となる。又、ブレード
に付着した接着剤が半導体ウェーハ上に落下して半導体
素子の不良も発生する。
１の全面に塗布されているため、半導体ウェーハ４をフ
ルカットダイシングした場合にはブレードが接着剤層２
に接触して接着剤層の付着でブレードが目詰まりを起こ
し、ブレードが早期に使用不可能となる。又、ブレード
に付着した接着剤が半導体ウェーハ上に落下して半導体
素子の不良も発生する。
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、半導
体ウェー八をフルカットダイシングした場合にも、ブレ
ードに接着剤層の接着剤が付着することのないダイシン
グテープを提供することを目的としている。
体ウェー八をフルカットダイシングした場合にも、ブレ
ードに接着剤層の接着剤が付着することのないダイシン
グテープを提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明によるダイシングテー
プは、半導体ウェーハに形成されたダイシングラインを
除く部分の基材層上に接着剤を形成して、ダイシングの
際にブレードが接着剤層と接触しないようにしたことを
特徴としている。
プは、半導体ウェーハに形成されたダイシングラインを
除く部分の基材層上に接着剤を形成して、ダイシングの
際にブレードが接着剤層と接触しないようにしたことを
特徴としている。
以下、本発明の一実施例によるダイシングテープを第１
図を参照して具体的に説明する。ダイシングテープ７は
基材層８と基材層８上に積層される接着剤層９とからな
り、基材層８は例えば、塩化ビニル樹脂あるいはアクリ
ル樹脂等の可撓性の樹脂系テープによって形成されてい
る。接着剤層９はこの基材層８上に塗布等によって形成
されるが、半導体ウェーハ４の上面に形成されたダイシ
ングライン５が位置する部分には塗布されることなく、
ダイシングライン５以外の部分の基材層８上に塗布され
ている。従って、半導体素子がダイシングラインによっ
て基盤白状に分画されている場合には、接着剤層９も同
様に基盤目状に形成され、接着剤層９が形成されていな
い部分はクロス状の基材層８が露出している。このよう
に形成されたダイシングテープ７は半導体ウェーハ４の
ダイシングライン５に、露出した基材Ｊ１８を一致させ
て半導体ウェーハ４下面に貼着して使用する。
図を参照して具体的に説明する。ダイシングテープ７は
基材層８と基材層８上に積層される接着剤層９とからな
り、基材層８は例えば、塩化ビニル樹脂あるいはアクリ
ル樹脂等の可撓性の樹脂系テープによって形成されてい
る。接着剤層９はこの基材層８上に塗布等によって形成
されるが、半導体ウェーハ４の上面に形成されたダイシ
ングライン５が位置する部分には塗布されることなく、
ダイシングライン５以外の部分の基材層８上に塗布され
ている。従って、半導体素子がダイシングラインによっ
て基盤白状に分画されている場合には、接着剤層９も同
様に基盤目状に形成され、接着剤層９が形成されていな
い部分はクロス状の基材層８が露出している。このよう
に形成されたダイシングテープ７は半導体ウェーハ４の
ダイシングライン５に、露出した基材Ｊ１８を一致させ
て半導体ウェーハ４下面に貼着して使用する。
従って、ダイシングライン５下部には接着剤層９が位置
することがないらか、半導体ウェーハ４をフルカットダ
イシングしてもダイシング装置のブレードは接着剤層と
接触することがなく、ブレードに接着剤が付着しない。
することがないらか、半導体ウェーハ４をフルカットダ
イシングしてもダイシング装置のブレードは接着剤層と
接触することがなく、ブレードに接着剤が付着しない。
これにより、ブレードが目詰まりすることがないと共に
、半導体ウェーハ上に接着剤が落下することなく半導体
素子の不良の発生が防止される。
、半導体ウェーハ上に接着剤が落下することなく半導体
素子の不良の発生が防止される。
第２図は本発明の他の実施例によるダイシングテープを
示しており、接着剤ＪＩ９がダイシングライン５を除く
部分の基材層８上に形成されるが、この接着剤１ｌＷ９
はスポット状となっており、接着剤の使用聞の低減が可
能となっている。
示しており、接着剤ＪＩ９がダイシングライン５を除く
部分の基材層８上に形成されるが、この接着剤１ｌＷ９
はスポット状となっており、接着剤の使用聞の低減が可
能となっている。
以上のとおり本発明によれば、半導体ウェーハのダイシ
ングラインを除く部分の基材層上に接着剤層を形成した
から、半導体ウェー八をフルカットダイシングしてもブ
レードに接着剤が付着せず、ブレードの目詰まりを防止
できると共に、半導体ウェーハ上に接着剤が落下するこ
とがない。又、接着剤の塗布面積を任意に変更できるか
ら、塗布面積を小さくして接着強度を必要最小限とする
ことでマウント工程での大型の半導体素子のピックアッ
プを容易に行なうことができる。
ングラインを除く部分の基材層上に接着剤層を形成した
から、半導体ウェー八をフルカットダイシングしてもブ
レードに接着剤が付着せず、ブレードの目詰まりを防止
できると共に、半導体ウェーハ上に接着剤が落下するこ
とがない。又、接着剤の塗布面積を任意に変更できるか
ら、塗布面積を小さくして接着強度を必要最小限とする
ことでマウント工程での大型の半導体素子のピックアッ
プを容易に行なうことができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例によるダイシ
ングテープの断面図および平面図、第２図（ａ）、（ｂ
）は本発明の他の実施例によるダイシングテープの断面
図および平面図、第３図は従来のダイシングテープの断
面図である。 １．８・・・基材層、２，９・・・接着剤層、３．７・
・・ダイシングテープ、４・・・半導体ウェーハ、５・
・・ダイシングライン。
ングテープの断面図および平面図、第２図（ａ）、（ｂ
）は本発明の他の実施例によるダイシングテープの断面
図および平面図、第３図は従来のダイシングテープの断
面図である。 １．８・・・基材層、２，９・・・接着剤層、３．７・
・・ダイシングテープ、４・・・半導体ウェーハ、５・
・・ダイシングライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基材層と、この基材層に積層される接着剤層とを備
え、半導体ウェーハの裏面に貼着されるダイシングテー
プにおいて、貼着される半導体ウェーハのダイシングラ
インが位置する部分を除く基材層上に前記接着剤層が形
成されていることを特徴とするダイシングテープ。 ２、特許請求の範囲第１項記載のダイシングテープにお
いて、前記接着剤層がスポット状に形成されていること
を特徴とするダイシングテープ。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項記載のダイシング
テープにおいて、前記基材層が塩化ビニル樹脂又はアク
リル樹脂からなる樹脂系テープであることを特徴とする
ダイシングテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117805A JPS61276344A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ダイシングテ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117805A JPS61276344A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ダイシングテ−プ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276344A true JPS61276344A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14720710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117805A Pending JPS61276344A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ダイシングテ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276344A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102975302A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-03-20 | 英利能源（中国）有限公司 | 硅块切割固定结构、硅块切割方法及硅片 |
| JP2013095842A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Lintec Corp | 接着シートおよびその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60117805A patent/JPS61276344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013095842A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Lintec Corp | 接着シートおよびその製造方法 |
| CN102975302A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-03-20 | 英利能源（中国）有限公司 | 硅块切割固定结构、硅块切割方法及硅片 |
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