JPS61152358A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法Info
- Publication number
- JPS61152358A JPS61152358A JP59272306A JP27230684A JPS61152358A JP S61152358 A JPS61152358 A JP S61152358A JP 59272306 A JP59272306 A JP 59272306A JP 27230684 A JP27230684 A JP 27230684A JP S61152358 A JPS61152358 A JP S61152358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resin layer
- grinding
- semiconductor wafer
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハの研削方法、特に表面をチャック
で固定し、裏面を研削する半導体ウェハの研削方法に関
する。
で固定し、裏面を研削する半導体ウェハの研削方法に関
する。
半導体ウェハの表面に素子を形成した後、ダイシング工
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするためウェハ裏
面の研削が行なわれる。一般に行なわれているラッピン
グと呼ばれる工程は、ウェハ表面を吸引あるいは粘着テ
ープで固定し、裏面を砥石で研削する方法である。第２
図に従来の研削方法の一例を示す。半導体ウェハ１の表
面には、一般に凸部２が形成され、これに粘着テープ３
を粘着し、ウェハ１をチャック４に固定する。ウェハ１
の裏面の研削部５は、回転する砥石６によって研削−さ
れる。
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするためウェハ裏
面の研削が行なわれる。一般に行なわれているラッピン
グと呼ばれる工程は、ウェハ表面を吸引あるいは粘着テ
ープで固定し、裏面を砥石で研削する方法である。第２
図に従来の研削方法の一例を示す。半導体ウェハ１の表
面には、一般に凸部２が形成され、これに粘着テープ３
を粘着し、ウェハ１をチャック４に固定する。ウェハ１
の裏面の研削部５は、回転する砥石６によって研削−さ
れる。
従来の研削方法では、ウェハ１の表面の凹凸部に、研削
時の削りかすや汚れが付着し、ウェハ上の素子に悪影響
を与えるという欠点があった。また、チャック４に固定
する場合、凹凸による段差が生じ、研削中にウェハ１が
割れたり欠けたりして、損傷が発生することもあった。
時の削りかすや汚れが付着し、ウェハ上の素子に悪影響
を与えるという欠点があった。また、チャック４に固定
する場合、凹凸による段差が生じ、研削中にウェハ１が
割れたり欠けたりして、損傷が発生することもあった。
（発明の目的）
そこで本発明は、研削中にウェハ表面に汚れが付着する
ことなく、また、ウェハに損傷が発生することのない半
導体ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
ことなく、また、ウェハに損傷が発生することのない半
導体ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、半導体ウェハの裏面を研削する場合に
、半導体ウェハの表面に、上面が平面状になるように樹
脂層を形成し、この樹脂層をチャックで固定して研削を
行なうようにし、研削中にウェハ表面に汚れが付着する
ことなく、また、ウェハに損傷が発生することのないよ
うにした点にある。
、半導体ウェハの表面に、上面が平面状になるように樹
脂層を形成し、この樹脂層をチャックで固定して研削を
行なうようにし、研削中にウェハ表面に汚れが付着する
ことなく、また、ウェハに損傷が発生することのないよ
うにした点にある。
以下本発明を第１図に示す実施例に基づいて説明する。
半導体ウェハ１は研削前に、上面（図では下側の面）に
樹脂層７が形成される。この樹脂層７はパラフィンろう
のようなワックス類や、通常のレジストに用いられる樹
脂でよい。この樹脂層７は凸部２を覆うように、しかも
上面が平面状になるように形成させる。この樹脂層７に
粘着テープ３を粘着してチャック４にウェハ１を固定す
る。ウェハ１の裏面の研削部５は、回転する砥石６によ
って研削される。ウェハ１の表面は樹脂層７で覆われて
おり、研削中に汚れが付着することがなく、またチャッ
ク７への固定面は平面状となっているため、ウェハ１が
損傷することもない。
樹脂層７が形成される。この樹脂層７はパラフィンろう
のようなワックス類や、通常のレジストに用いられる樹
脂でよい。この樹脂層７は凸部２を覆うように、しかも
上面が平面状になるように形成させる。この樹脂層７に
粘着テープ３を粘着してチャック４にウェハ１を固定す
る。ウェハ１の裏面の研削部５は、回転する砥石６によ
って研削される。ウェハ１の表面は樹脂層７で覆われて
おり、研削中に汚れが付着することがなく、またチャッ
ク７への固定面は平面状となっているため、ウェハ１が
損傷することもない。
以上のとおり本発明によれば、半導体ウェハの研削の際
に、ウェハ表面の凹凸部を樹脂で覆うようにしたため、
研削中にウェハ表面に汚れが付着することがなくなり、
また、ウェハが損傷することもなくなる。
に、ウェハ表面の凹凸部を樹脂で覆うようにしたため、
研削中にウェハ表面に汚れが付着することがなくなり、
また、ウェハが損傷することもなくなる。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は従来の方
法の一例の説明図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・凸部、３・・・粘着テ
ープ、４・・・チャック、５・・・研削部、６・・・砥
石、７・・・樹脂層。
法の一例の説明図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・凸部、３・・・粘着テ
ープ、４・・・チャック、５・・・研削部、６・・・砥
石、７・・・樹脂層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハの表面に、上面が平面状になるように
樹脂層を形成し、この樹脂層をチャックで固定し、前記
半導体ウェハの裏面を研削することを特徴とする半導体
ウェハの研削方法。 ２、樹脂層がパラフィンろうから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272306A JPS61152358A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272306A JPS61152358A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体ウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152358A true JPS61152358A (ja) | 1986-07-11 |
Family
ID=17512036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59272306A Pending JPS61152358A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152358A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246837A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2001070454A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Wafer Solutions, Inc. | Cluster tool systems and methods for processing wafers |
| JP2002334855A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| JP2004349649A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ウエハーの薄加工方法 |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7037758B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board and electronic apparatus |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59272306A patent/JPS61152358A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246837A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7064047B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US7556985B2 (en) | 1998-02-27 | 2009-07-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| WO2001070454A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Wafer Solutions, Inc. | Cluster tool systems and methods for processing wafers |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| JP2002334855A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7037758B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board and electronic apparatus |
| JP2004349649A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ウエハーの薄加工方法 |
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