JP2004349649A - ウエハーの薄加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄加工するウエハーが薄くなっても薄加工時のウエハー周辺部のめくれを防止でき、それによりウエハー周辺部の割れの発生を防止できるウエハー薄加工方法を提供すること。
【解決手段】チップ回路を製作した表面側に保護テープ14を貼付したウエハー10を、保護テープ14がウエハー10と加工ステージ16との間に介在するようにして加工ステージ16上に載置し、そしてウエハー裏面側を研削して薄加工する方法であって、研削による薄加工の前に、ウエハー10の表面側のベベル部(エッジ部)と保護テープ14とを接着性材料12で接着する工程を含む方法とする。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハーの薄加工方法に関する。より詳しく言えば、本発明は、パターニング等の工程を経て所定のチップ回路の製作を終えたウエハーをチップにダイシングする前に、最終的なチップ製品の厚さとなるようウエハーを薄加工する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
チップ回路の製作を終えたウエハーの薄加工には、通常バックサイドグラインダーが使用される。バックサイドグラインダーは、ダイヤモンド等の砥粒を用いて製作された砥石であり、ウエハーはこの砥石の回転により所定の厚さに加工される(バックサイドグラインディングあるいは裏面研削と呼ばれる)。
【0003】
ウエハーの通常のバックサイドグラインディング加工は、以下のようにして行われる。図2に示したように、枠部102aの内側に多孔質の吸着部102bを有する吸着ステージ102の上に、チップ回路を製作した面(表面)に感圧タイプの保護テープ106を貼付したウエハー104を、保護テープ106を介して吸着部102bにより吸着されるように吸着ステージ102上に載置する。ウエハー104の周辺部は端面処理によりそれ以外の部分より一般に薄くなっており、この周辺部は図示のように保護テープ106に接着しない。
【0004】
次に、ウエハー104の裏面(チップ回路を形成した表面を下にして吸着ステージ102に吸着された図2の状態では上側の面)に回転する砥石108を当てて、荒研削を行う。このときの研削条件は、6インチ(約15cm)及び8インチ(約20cm)のシリコンウエハーの場合に、例えば、砥石送り速度3μm/s、砥石回転速度2400rpm、ステージ回転速度200rpmである。続いて、例えば砥石送り速度1μm/s、砥石回転速度2400rpm、ステージ回転速度200rpmの条件で仕上げ研削を行い、更にポリッシュを行う。ポリッシュの条件は、例えば、圧力150g/cm(14.7kPa)、バフ回転速度280rpm、ステージ回転速度240rpmである。その後ウエハー102を吸着ステージから取り外し、保護テープ106を剥離する。
【0005】
このような薄加工において、薄加工しようとするウエハーが厚い場合にはウエハー自体に剛性があるので問題にならないが、薄くなってくると研削時にウエハーが周辺部でめくれ上がり、割れやすくなってくる。これは、最終製品のチップの生産性を低下させる原因となり、好ましくない。
【0006】
関連技術として、特許文献1には、ウエハー外周部の保護部材及びウエハーの研磨方法が記載されており、ウエハー外周部に取り外し可能に取り付けられて外周部を保護する保護部材を使ってウエハーを研磨する方法が示されている。保護部材は、保護層と接着剤層を有し、ウエハー外周部(外周端面とその近傍)にウエハーの直径方向に剥離可能に接着される。
【0007】
特許文献2には、研磨終了後のウエハー外周部の厚さが薄くなること(「周辺ダレ」)を防止する方法として、保持プレートに貼着する際のウエハーに塗布する接着剤の厚さを、ウエハーの外周部においてその内側部より薄くなるようにする方法が記載されている。
【0008】
特許文献3には、やはり研磨終了後のウエハーの周辺ダレを防止する方法が記載されており、この方法では、ウエハーに塗布するワックスの厚さを、外周部においてその内側部より薄くなるようにする方法が記載されている。
【0009】
特許文献4にも、研磨終了後のウエハーの周辺ダレを防止する技術が記載されており、それによれば、研磨時にウエハーの外周部周辺にその内側部分に加わる以上の研磨圧が加わったときに、ウエハーの外周部が研磨圧の大きさに応じて湾曲変形するようにすることにより、ウエハーの周辺ダレを防止している。
【0010】
【特許文献1】
特開2001−93867号公報
【特許文献2】
特開2001−189292号公報
【特許文献3】
特開2002−110601号公報
【特許文献4】
特開2002−264008号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、薄加工するウエハーが薄くなっても薄加工時のウエハー周辺部のめくれを防止でき、それによりウエハー周辺部の割れの発生を防止できるウエハー薄加工方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエハー薄加工方法は、チップ回路を製作した表面側に保護テープを貼付したウエハーを、該保護テープがウエハーと加工ステージとの間に介在するようにして加工ステージ上に載置し、そしてウエハー裏面側を研削して薄加工する方法であって、研削による薄加工の前に、ウエハーの表面側のベベル部(エッジ部)と保護テープとを接着する工程を含むことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のウエハー薄加工方法では、研削によるウエハーの薄加工の前に、チップ回路を形成したウエハーの表面側のベベル部を、この表面側に貼付する保護テープと接着させる。これにより、加工するウエハーが薄い場合においても、回転砥石による研削時のウエハー周縁部のめくれを防止でき、その部分におけるウエハーの割れを防止できる。
【0014】
ウエハーベベル部の保護テープへの接着は、接着性材料を用いて行うことができる。接着性材料としては、任意の材料が使用可能であるが、ベベル部と保護テープとを接着した状態において0.1〜100MPa程度、好ましくは10MPa程度の弾性率を示す材料を使用するのが好適である。弾性率が0.1MPaより低くなると、加工時にウエハーが動き易くなってウエハーにダメージが加り、100MPaより高くなると、加工時の応力を吸収できず、ウエハーにダメージが入り易くなるため好ましくない。
【0015】
本発明の方法において使用するのに好適な接着性材料の一例は、アクリル系UV硬化タイプの樹脂材料である。アクリル系の熱硬化タイプの接着性材料も使用可能であるが、UV硬化タイプの方が硬化するのが簡単である。
【0016】
接着性材料は、ウエハーベベル部又は保護テープの対応部分のいずれに塗布してもよい。とは言え、保護テープは場合により寸法変化を起こすことがあり、ウエハーベベル部との関係において接着性材料の位置がずれてしまう可能性があるので、接着性材料は一般にはウエハーベベル部に塗布する方が好ましい。
【0017】
接着性材料は、利用可能な任意の方法で塗布することができる。例えばアクリル系材料のような有機の接着性材料を使用する場合、インクジェット印刷法、あるいはディスペンサーによる塗布方法などを利用することができる。
【0018】
ウエハーの研削とポリッシュの終了後、保護テープを剥離する。このときに、接着性材料は保護テープとともにウエハーから除去されてもよく、あるいは一部分又は実質的に全部がウエハー側に残ってもよい。
【0019】
本発明の方法で薄加工することができるウエハーの代表はシリコンウエハーであるが、この方法はそのほかの半導体ウエハーの薄加工に適用することも可能である。
【0020】
ウエハーの表面側のベベル部と保護テープとを接着すること以外は、本発明のウエハー薄加工方法は従来のものと同様に実施することができ、それらについてここで詳しく説明するには及ばない。また、本発明をより具体的に例示するため、下記の実施例が提示される。
【0021】
【実施例】
ここでは、6インチ(約15cm、厚さ625μm)又は8インチ(約20cm、厚さ750μm)のシリコンウエハーの薄加工の例を説明する。
【0022】
図1(a)に示したように、ウエハー10のチップ回路形成面のベベル部の全周に、硬化後の弾性率が約10MPaとなるアクリル系のUV硬化タイプの接着性樹脂材料12を、幅40μm、高さ20μm程度になるよう、インクジェット印刷法により塗布する。次に、図1(b)に示したように、ウエハー10のチップ回路形成面に感圧タイプの保護テープ14を貼付し、このときにベベル部の樹脂材料12を平らに延ばす。主波長365nmの紫外光を1200mJ/cmの照射量で照射して樹脂材料12を硬化させる。
【0023】
次いで、保護テープ14を貼付した側を下にしてウエハー10を吸着ステージ16上に配置し、砥石18により、砥石送り速度3μm/s、砥石回転速度2400rpm、ステージ回転速度200rpmの条件でウエハー10の裏面側を荒研削する。続いて、砥石送り速度0.5μm/s、砥石回転速度2400rpm、ステージ回転速度200rpmの条件で仕上げ研削する。研削終了後、圧力150g/cm(14.7kPa)、バフ回転速度280rpm、ステージ回転速度240rpmの条件でポリッシュを行う。次いで、ウエハー10をステージ16から取り外し、保護テープ14を剥離して、周辺部に割れのない、厚さ10μmに薄加工されたシリコンウエハーが得られる。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄いウエハーに対しても周辺部で割れの生じない薄加工を施すことが可能になり、ウエハーから製作されるチップの生産性の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるシリコンウエハーの薄加工を説明する図である。
【図2】シリコンウエハーの従来の薄加工を説明する図である。
【符号の説明】
10…シリコンウエハー
12…接着性樹脂材料
14…保護テープ
16…吸着ステージ
18…砥石
102…吸着ステージ
104…ウエハー
106…保護テープ
108…砥石

Claims (5)

  1. チップ回路を製作した表面側に保護テープを貼付したウエハーを、該保護テープがウエハーと加工ステージとの間に介在するようにして加工ステージ上に載置し、そしてウエハー裏面側を研削して薄加工する方法であって、研削による薄加工の前に、ウエハーの表面側のベベル部と保護テープとを接着する工程を含むことを特徴とするウエハー薄加工方法。
  2. 前記接着を、ベベル部と保護テープとを接着した状態において0.1〜100MPaの弾性率を示す材料により行う、請求項1記載のウエハー薄加工方法。
  3. 前記接着のための材料として、アクリル系UV硬化タイプの樹脂材料を使用する、請求項1又は2記載のウエハー薄加工方法。
  4. 前記接着のための材料を前記ウエハーのベベル部に塗布してから前記保護テープに接着させる、請求項1から3までのいずれか1つに記載の方法。
  5. 前記接着のための材料の塗布をインクジェット印刷又はディスペンサーを用いて行う、請求項4記載の方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194287A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品集合体の研削方法とこれを用いた電子部品集合体の分割方法並びにこれら方法に用いる接着性樹脂
JP2011023659A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US8124455B2 (en) * 2005-04-02 2012-02-28 Stats Chippac Ltd. Wafer strength reinforcement system for ultra thin wafer thinning
JP2012222026A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
JP2013243223A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ保護部材
JP2014167966A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
US9087873B2 (en) 2013-07-11 2015-07-21 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device manufacturing method
JP2015523737A (ja) * 2012-07-30 2015-08-13 エリッヒ・タールナー 基板アセンブリ、基板をボンディングする方法および装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3922255B2 (ja) * 2003-06-30 2007-05-30 ブラザー工業株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、装着方法
US20060162850A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for releasably attaching microfeature workpieces to support members
US7169248B1 (en) * 2005-07-19 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Methods for releasably attaching support members to microfeature workpieces and microfeature assemblies formed using such methods
US7786551B2 (en) * 2005-09-16 2010-08-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit system with wafer trimming
JP4395775B2 (ja) 2005-10-05 2010-01-13 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7749349B2 (en) * 2006-03-14 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Methods and systems for releasably attaching support members to microfeature workpieces
WO2012106191A2 (en) 2011-02-01 2012-08-09 Henkel Corporation Pre- cut wafer applied underfill film
KR101997293B1 (ko) * 2011-02-01 2019-07-05 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 다이싱 테이프 상에 사전 절단 웨이퍼가 도포된 언더필 필름
JP2013008915A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 基板加工方法及び基板加工装置
JP6061557B2 (ja) * 2012-08-01 2017-01-18 株式会社ミマキエンジニアリング 部材付着式装飾方法
EP2752871B1 (en) * 2013-01-08 2015-09-16 ams AG Method of application of a carrier to a device wafer
US9716010B2 (en) * 2013-11-12 2017-07-25 Globalfoundries Inc. Handle wafer
DE102015002542A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Disco Corporation Waferteilungsverfahren
CN105931997B (zh) * 2015-02-27 2019-02-05 胡迪群 暂时性复合式载板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61152358A (en) * 1984-12-24 1986-07-11 Toshiba Corp Grinding method for semiconductor wafer
JPS61292922A (en) * 1985-06-21 1986-12-23 Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH06252109A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003147300A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55164623A (en) 1979-06-07 1980-12-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd Preparation of plaster
JPH09115863A (ja) 1995-10-23 1997-05-02 Oki Electric Ind Co Ltd 表面保護テープ貼り付け方法およびその装置
JPH1031142A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Nikon Corp 極薄厚板状の光学素子を備えている光学部品、極薄厚板状の光学素子の接合方法
JP3387412B2 (ja) 1998-04-07 2003-03-17 松下電器産業株式会社 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP3423245B2 (ja) * 1999-04-09 2003-07-07 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその実装方法
JP3303294B2 (ja) 1999-06-11 2002-07-15 株式会社東京精密 半導体保護テープの切断方法
US6338980B1 (en) * 1999-08-13 2002-01-15 Citizen Watch Co., Ltd. Method for manufacturing chip-scale package and manufacturing IC chip
JP2001093867A (ja) 1999-09-21 2001-04-06 Rodel Nitta Kk ウエハ外周部の保護部材及びウエハの研磨方法
JP3282164B2 (ja) 1999-12-27 2002-05-13 直江津電子工業株式会社 ウエハ接着剤塗布方法
JP3410719B2 (ja) 2000-10-04 2003-05-26 直江津電子工業株式会社 ウエハのワックス塗布方法
JP2002264008A (ja) 2001-03-13 2002-09-18 Naoetsu Electronics Co Ltd ウエハ保持プレート及びウエハ吸着ホルダー
KR20040089438A (ko) * 2002-03-14 2004-10-21 가부시기가이샤 디스코 반도체 웨이퍼의 이면 연삭방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61152358A (en) * 1984-12-24 1986-07-11 Toshiba Corp Grinding method for semiconductor wafer
JPS61292922A (en) * 1985-06-21 1986-12-23 Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH06252109A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003147300A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8124455B2 (en) * 2005-04-02 2012-02-28 Stats Chippac Ltd. Wafer strength reinforcement system for ultra thin wafer thinning
JP2009194287A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品集合体の研削方法とこれを用いた電子部品集合体の分割方法並びにこれら方法に用いる接着性樹脂
JP2011023659A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2012222026A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
JP2013243223A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ保護部材
JP2015523737A (ja) * 2012-07-30 2015-08-13 エリッヒ・タールナー 基板アセンブリ、基板をボンディングする方法および装置
US9682539B2 (en) 2012-07-30 2017-06-20 Erich Thallner Substrate composite, method and device for bonding of substrates
JP2014167966A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
US9123717B2 (en) 2013-02-28 2015-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
US9087873B2 (en) 2013-07-11 2015-07-21 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device manufacturing method

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