JP3282164B2 - ウエハ接着剤塗布方法 - Google Patents

ウエハ接着剤塗布方法

Info

Publication number
JP3282164B2
JP3282164B2 JP37101899A JP37101899A JP3282164B2 JP 3282164 B2 JP3282164 B2 JP 3282164B2 JP 37101899 A JP37101899 A JP 37101899A JP 37101899 A JP37101899 A JP 37101899A JP 3282164 B2 JP3282164 B2 JP 3282164B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive
outer peripheral
peripheral portion
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP37101899A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001189292A (ja
Inventor
実 松枝
Original Assignee
直江津電子工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 直江津電子工業株式会社 filed Critical 直江津電子工業株式会社
Priority to JP37101899A priority Critical patent/JP3282164B2/ja
Publication of JP2001189292A publication Critical patent/JP2001189292A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3282164B2 publication Critical patent/JP3282164B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン半導体ウ
エハの研磨方法に係わり、詳しくはウエハを研磨する時
にウエハを保持プレートに貼着する場合のウエハへの接
着剤の塗布方法に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、シリコン半導体ウエハの研磨は、
複数のウエハを接着剤にて保持プレートに貼着保持し、
研磨クロスが貼り付けられた回転する金属定盤に対し
て、研磨スラリーを流しながら保持プレートを押圧し、
このウエハをクロス上で摺動させて研磨する。この時の
ウエハへの接着剤の塗布については、研磨終了後のウエ
ハの平坦度を良好に保つため、塗布面もその平坦度が要
求される。具体的な塗布方法については、高速回転可能
な回転台にウエハを吸着保持し、中心部分に接着剤を滴
下した後、ウエハを回転させて、一様で薄い接着層のみ
が残るようにウエハ貼着面全面に接着剤を塗布する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、このよう
な従来のウエハ接着剤塗布方法での研磨においては、ウ
エハは押圧され、その結果ウエハと接触するクロス面は
その圧力によって変形(窪み)し、またウエハとクロス
は互いに摺動しているため、特にウエハ外周付近は一様
に面圧が高くなり、ウエハ内部以上に研磨され、結果的
に研磨終了後のウエハは外周部分の厚さが薄くなり
(「周辺ダレ」と呼称する)、ウエハ内部に比較して平
坦度が悪化してしまう。従来、この平坦度に問題のある
ウエハ外周部は、デバイス形成不可域として使用されず
にきたが、最近はウエハ1枚からできるだけ多くのIC
チップを得るためにウエハ外周部付近の平坦度の改善が
望まれていた。
【0004】本発明のうち請求項1記載の発明は、研磨
終了後のウエハ外周部の「周辺ダレ」を防止することを
目的としたものである。請求項2記載の発明は、請求項
1に記載の発明の目的に加えて、ウエハ外周部の所要領
域の接着剤を確実に除去可能にすることを目的としたも
のである。請求項3記載の発明は、請求項1に記載の発
明の目的に加えて、ウエハ外周部に直線部分があっても
所要領域の接着剤を確実に除去可能にすることを目的と
したものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明のうち請求項1記載の発明は、ウエハの
貼着面全面に一様の厚さで接着剤を塗布した後、溶剤を
用いた除去手段により、ウエハ外周部付近の接着剤を
周に亘ってウエハ内部の接着剤の塗布厚さより薄くな
るように部分的に除去し、その後、このウエハを保持プ
レートに貼着して、ウエハの外周部が保持プレート側に
撓んで接着され、その後、通常の研磨条件にて研磨する
ことにより、外周部が内部の研磨面と同等な研磨圧を得
る方法を採用する。請求項2記載の発明は、請求項1記
載の発明の構成に、前記接着剤が塗布されたウエハを回
転させることにより、その外周部の接着剤を、液状溶剤
にて部分的に除去する構成を加えた方法を採用する。請
求項3記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に、前
記接着剤が塗布されたウエハを回転して、その外周部表
面に、溶剤が染み込んだ接触体を接触させ、かつ該ウエ
ハの外形形状に追従させて外周部の接着剤を部分的に除
去する構成を加えた方法を採用する。
【0006】
【作用】そして請求項1の方法を採用することにより次
の作用を生じる。除去手段の溶剤にて、ウエハ外周部付
近の接着剤を内部の接着剤に比べ薄くなるように部分的
に除去することにより、ウエハを保持プレートに貼着し
た時にウエハの外周部が保持プレート側に撓んで接着さ
れるから、外周部が内部の研磨面と同等な研磨圧(接触
圧)を得て、これら両者の研磨量が等しくなって研磨終
了後のウエハ外周部の「周辺ダレ」を防止することがで
きる。次に請求項2の方法を採用することにより次の作
用を生じる。接着剤が塗布されたウエハを回転させなが
らその外周部の接着剤に液状溶剤を例えば滴下するなど
して供給することにより、この液状溶剤が遠心力で供給
位置からそれ以上ウエハ内部へ侵入することがなく、こ
の溶けた接着剤が外周部から振り切られて部分的に除去
される。次に請求項3の方法を採用することにより次の
作用を生じる。溶剤を染み込ませた例えばローラなどの
接触体を、回転移動するウエハの外周部表面に接触さ
せ、かつ外形形状に追従させて接着剤を除去するため、
ウエハの外周部に例えばオリエンテーション・フラット
などの直線部分があっても所要の領域の接着剤が確実に
除去可能となる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。この実施例は、図1及び図2に示す如
く、シリコン半導体ウエハWを回転する回転手段1が高
速回転可能なスピンナーであり、このスピンナー1の上
端面に、オリエンテーション・フラットが無い例えば20
0mm(8インチ)のウエハWを吸着保持し、更にその上
方には、接着剤AをウエハWの中心位置に滴下するため
のノズル2が設けられ、このノズル2から接着剤Aを滴
下した後にウエハWを回転させることにより、一様で薄
い接着層A1のみが残るように塗布されたものである。
【0008】上記ウエハWの外周部W2付近全周と対向
する位置には、ウエハWの内部W1の接着剤Aが塗布厚
さより薄くなるように溶剤Bにて部分的に除去する除去
手段3を設ける。本実施例の場合には、上記除去手段3
が、ウエハWの外周端から例えば6mm中央側へ寄った位
置に向けて液状溶剤Bを滴下する溶剤供給ノズル3aで
あり、接着層A1が形成された後に所要量を滴下するよ
うに作動制御される。
【0009】また、上記スピンナー1の回転駆動部(図
示せず)は、ノズル2から接着剤Aの滴下が終了した後
に、例えば3000r.p.mで高速回転させ、接着層A1が形
成された後は、例えば250r.p.mの低速回転に切り替え
る。溶剤供給ノズル3aから液状溶剤Bの滴下が終了し
た後は、再び高速回転に戻るように作動制御される。
【0010】更に、前記回転手段1のスピンナーにより
吸着保持されたウエハWの周囲には、カバー4が配設さ
れ、上記スピンナー1によってウエハWの回転から振り
切られた接着剤Aが周囲に飛び散らないように覆ってい
る。
【0011】次に、斯かるウエハ接着剤塗布方法につい
て説明する。先ず、ノズル2から接着剤AがウエハWの
中心位置に滴下された後、スピンナー1を高速回転す
る。それにより、ウエハW上の接着剤Aは遠心力によっ
て外周全面に行き渡り、ウエハW上には、一様な厚さ、
例えば1.5μm程度の接着層A1が形成される。その接着
層A1の厚さは、接着剤Aの粘度、ウエハWの回転速度
などにより決定される。
【0012】その後、ウエハWの回転速度が低速に落と
され、この状態で、ウエハWの外周端から例えば6mm中
央側へ寄った位置に、溶剤供給ノズル3aから液状溶剤
Bを所要量滴下させて供給する。
【0013】それにより、液状溶剤Bは、遠心力で供給
位置からその外側に向かって接着層Aの厚さが薄くなる
よう移動し、上記供給位置からそれ以上ウエハWの内部
へ侵入することがない。
【0014】そして、このウエハWが所定時間回転した
後に上記液状溶剤Bの滴下が停止され、再び高速回転に
切り替わり、ウエハWの高速回転に伴って溶けた接着剤
Aが外周部W2から振り切られて部分的に除去される。
【0015】液状溶剤Bの滴下時におけるウエハWの回
転数、回転時間を適宜設定することにより、一様に接着
剤Aが塗布されたウエハWの内部W1と、除去された外
周部W2との塗布厚の差が約1μmに調整された。この
後、ウエハWを保持プレートに貼着し、従来の通常の研
磨条件にて研磨した。この結果、研磨後のウエハWの平
坦度に関し、外周端から6mm幅の間で従来1.2μmの「周
辺ダレ」があったものが0.2μmに改善された。
【0016】一方、図3及び図4に示すものは、本発明
の他の実施例であり、このものは前記除去手段3が、溶
剤吐出ノズル3aに代えて、オリエンテーション・フラ
ットOFがあるウエハWの外周部W2表面に溶剤Bを供
給する接触体3bを、該ウエハWの外形形状に追従して
移動自在に設けた構成が、前記図1及び図2に示した実
施例とは異なり、それ以外の構成は図1及び図2に示し
た実施例と同じものである。
【0017】上記接触体3bは、図示例の場合、液体溶
剤Bを染み込ませたローラであり、このローラ3bが先
端に取り付られたアーム3cをスピンナー1の脇に設置
する。このアーム3cは、ウエハWの外周部W2表面に
沿って伸縮移動自在に支持され、前記カバー4に凹設し
た切欠部4aを貫通してローラ3bがウエハW上で調整
移動可能に配置されると共に、上下方向へも昇降自在に
支持されている。
【0018】このアーム3cの伸縮駆動源(図示せず)
は、接着層A1が形成された後に、ローラ3bの先端を
ウエハWの外周端から中心側へ例えば6mm寄った位置に
向けてアーム3cを伸長させ、オリエンテーション・フ
ラット部分OFについても、別に設置された位置センサ
ー及びアーム移動装置により、該オリエンテーション・
フラットOFから中心側へ例えば6mm寄った位置を維持
するようアーム3cが伸縮して追従するように作動制御
される。
【0019】この場合、前記スピンナー1の回転駆動部
(図示せず)を、ノズル1から接着剤Aの滴下が終了し
た後に、例えば3000r.p.mで高速回転させ、接着層A1
が形成された後は、例えば20r.p.mの超低速回転に切り
替えるように作動制御される。
【0020】この図3及び図4のものは、上述した実施
例と同様に接着層A1が形成され、その後、ウエハWの
回転速度が低速(20r.p.m)に保たれ、この状態で、ア
ーム3cが伸長して液状溶剤Bを染み込ませたローラ3
bの先端が例えば6mm中央側へ寄った位置に接触し、こ
のときローラ3bは回転移動するウエハW上を転動す
る。また、オリエンテーション・フラット部分OFが接
近すると、それから中心側へ例えば6mmに寄った位置に
接触する。
【0021】以上、ローラ3bのウエハWへの接触圧を
調整することにより、前記図1及び図2に示した実施例
と同様に、一様に接着剤Aが塗布されたウエハWの内部
W1と、除去された外周部W2との塗布厚の差が約1μ
mに調整された。この後、ウエハWを保持プレートに貼
着し、従来の通常の研磨条件にて研磨した。この結果、
研磨後のウエハWの平坦度に関し、外周端から6mm幅の
間で従来1.2μmの「周辺ダレ」があったものが0.2μmに
改善された。
【0022】尚、前示実施例では、除去手段3が溶剤供
給ノズル3aと接触体3bである場合を示したが、これ
に限定されず、同様の作用効果が得られれば、それ以外
の構成であっても良い。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項1記載の発明は、除去手段の溶剤にて、ウエハ外周部
付近の接着剤を内部の接着剤に比べ薄くなるように部分
的に除去することにより、ウエハを保持プレートに貼着
した時にウエハの外周部が保持プレート側に撓んで接着
されるから、外周部が内部の研磨面と同等な研磨圧(接
触圧)を得て、これら両者の研磨量が等しくなるので、
研磨終了後のウエハ外周部の「周辺ダレ」を防止でき
る。従って、外周部がデバイス形成不可域とならず、1
枚のウエハからより多くのICチップが得られる。更
に、ウエハの貼着面全面に接着剤を塗布して接着層を形
成した後に、溶剤により外周部表面の接着剤を部分的に
除去するので、研磨圧、研磨スラリー量、摺動速度等の
研磨諸条件を考慮して、「周辺ダレ」防止のため最適な
除去量の調整が容易に可能となる。
【0024】請求項2の発明は、請求項1の発明の効果
に加えて、接着剤が塗布されたウエハを回転させながら
その外周部の接着剤に液状溶剤を例えば滴下するなどし
て供給することにより、この液状溶剤が遠心力で供給位
置からそれ以上ウエハ内部へ侵入することがなく、この
溶けた接着剤が外周部から振り切られて部分的に除去さ
れるので、ウエハ外周部の所要領域の接着剤を確実に除
去可能となる。
【0025】請求項3の発明は、請求項1の発明の効果
に加えて、溶剤を染み込ませた例えばローラなどの接触
体を、回転移動するウエハの外周部表面に接触させ、か
つ外形形状に追従させて接着剤を除去するため、ウエハ
の外周部に例えばオリエンテーション・フラットなどの
直線部分があっても所要の領域の接着剤が確実に除去可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示すウエハ接着剤塗布方
法に係わる装置の縦断正面図である。
【図2】 図1の部分的な平面図である。
【図3】 本発明の他の実施例を示すウエハ接着剤塗布
方法に係わる装置の縦断正面図である。
【図4】 図3の部分的な平面図である。
【符号の説明】
W シリコン半導体ウエハ W1 ウエハ内部 W2 ウエハ外周部 A 接着剤 B 溶剤、液状溶剤 3 除去手段 3b 接触体
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 622 B05D 1/40 B05D 3/10 B05D 7/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シリコン半導体ウエハ(W)を保持プレ
    ートに貼着する際のウエハ(W)に塗布する接着剤の塗
    布方法において、前記ウエハ(W)の貼着面全面に一様
    の厚さで接着剤(A)を塗布した後、溶剤(B)を用い
    た除去手段(3)により、ウエハ(W)外周部(W2)
    付近の接着剤(A)を全周に亘ってウエハ(W)内部
    (W1)の接着剤(A)の塗布厚さより薄くなるように
    部分的に除去し、その後、このウエハ(W)を保持プレ
    ートに貼着して、ウエハ(W)の外周部(W2)が保持
    プレート側に撓んで接着され、その後、通常の研磨条件
    にて研磨することにより、外周部(W2)が内部(W
    1)の研磨面と同等な研磨圧を得ることを特徴としたウ
    エハ接着剤塗布方法。
  2. 【請求項2】 前記接着剤(A)が塗布されたウエハ
    (W)を回転させることにより、その外周部(W2)の
    接着剤(A)を、液状溶剤(B)にて部分的に除去する
    請求項1記載のウエハ接着剤塗布方法。
  3. 【請求項3】 前記接着剤(A)が塗布されたウエハ
    (W)を回転して、その外周部(W2)表面に、溶剤
    (B)が染み込んだ接触体(3b)を接触させ、かつ該
    ウエハ(W)の外形形状に追従させて外周部(W2)の
    接着剤(A)を部分的に除去する請求項1記載のウエハ
    接着剤塗布方法。
JP37101899A 1999-12-27 1999-12-27 ウエハ接着剤塗布方法 Expired - Lifetime JP3282164B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37101899A JP3282164B2 (ja) 1999-12-27 1999-12-27 ウエハ接着剤塗布方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37101899A JP3282164B2 (ja) 1999-12-27 1999-12-27 ウエハ接着剤塗布方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001189292A JP2001189292A (ja) 2001-07-10
JP3282164B2 true JP3282164B2 (ja) 2002-05-13

Family

ID=18497999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37101899A Expired - Lifetime JP3282164B2 (ja) 1999-12-27 1999-12-27 ウエハ接着剤塗布方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3282164B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349649A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Shinko Electric Ind Co Ltd ウエハーの薄加工方法
KR100872805B1 (ko) * 2007-08-29 2008-12-09 주식회사 실트론 왁스 마운팅 방법
DE102009052744B4 (de) * 2009-11-11 2013-08-29 Siltronic Ag Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
JP5528405B2 (ja) * 2011-09-07 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5421967B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5406257B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP2014124626A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 3M Innovative Properties Co 被膜形成方法、被膜形成装置及び半導体チップの作製方法
JP6046007B2 (ja) * 2013-08-29 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 接合システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001189292A (ja) 2001-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3342686B2 (ja) ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置
EP0650804B1 (en) Apparatus for polishing the notch of a wafer
JP2833305B2 (ja) 半導体基板の製造方法
KR20020060695A (ko) 금속 합성 연마재에 의한 마이크로일렉트로닉 기판의기계적 및 화학-기계적 평탄화를 위한 방법 및 장치
JP3282164B2 (ja) ウエハ接着剤塗布方法
JP2003234314A (ja) 基板処理装置
TW200305210A (en) Method for manufacturing semiconductor device and polishing apparatus
JP3663348B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
JPH09254024A (ja) 半導体ウェハの化学機械的研磨装置および化学機械的研磨方法
JP2004516665A (ja) 2つの保持リングを備えたベルト研磨装置
JP2007221030A (ja) 基板の加工方法
JP2021181157A (ja) Cmp装置及び方法
JP2018133510A (ja) ウェハ吸着装置及びcmp装置
JP2006237085A (ja) 半導体ウェーハ接着方法およびその装置
JP2008153248A (ja) GaAsウエハへのワックス塗布方法
JP2793554B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001105307A (ja) ウェハー研磨装置
KR100494145B1 (ko) 화학기계적 연마장치 및 그를 이용한 웨이퍼 연마방법
KR200173174Y1 (ko) 웨이퍼 연마장치
JP2005021803A (ja) 回転塗布方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
KR200293787Y1 (ko) 화학기계적 연마장치의 콘디셔너
JPH10261578A (ja) レジスト塗布装置
JP2002110601A (ja) ウエハのワックス塗布方法
JPH1148124A (ja) 研磨布表面調整機構、研磨布表面調整方法および研磨装置
JPH09148282A (ja) 保護テープ貼り付け装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120301

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130301

Year of fee payment: 11