JP2003147300A - ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents
ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 いわゆる先ダイシング法において、裏面研削
中あるいは後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥
離用テープの取り付けが容易な表面保護シートおよびそ
の使用方法を提供すること。 【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保
護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそ
のウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その
後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚
みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分
割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウ
エハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成
された粘着剤層とからなり、該基材が、２層以上の構成
層を有し、第１の構成層の厚みが、１０〜３００μｍで
あり、かつそのヤング率が３０００〜３００００N/m2で
あり、第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラス転移点
が７０℃以下であり、前記第２の構成層が最外層として
形成されてなることを特徴としている。
中あるいは後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥
離用テープの取り付けが容易な表面保護シートおよびそ
の使用方法を提供すること。 【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保
護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそ
のウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その
後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚
みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分
割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウ
エハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成
された粘着剤層とからなり、該基材が、２層以上の構成
層を有し、第１の構成層の厚みが、１０〜３００μｍで
あり、かつそのヤング率が３０００〜３００００N/m2で
あり、第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラス転移点
が７０℃以下であり、前記第２の構成層が最外層として
形成されてなることを特徴としている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ裏面研削時
に回路表面の保護に用いられる表面保護シートに関し、
特に裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとと
もに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ
加工方法に用いられる表面保護シートに関する。また、
本発明は該表面保護シートを用いた半導体チップの製造
方法に関する。
に回路表面の保護に用いられる表面保護シートに関し、
特に裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとと
もに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ
加工方法に用いられる表面保護シートに関する。また、
本発明は該表面保護シートを用いた半導体チップの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードの普及が進み、さらな
る薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５
０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００
μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
このようなチップの薄厚化を達成する方法として、特開
平５−３３５４１１号公報には、ウエハの表面側から所
定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削する半導
体チップの製造方法が開示されている。このようなプロ
セスは、「先ダイシング法」とも呼ばれている。ウエハ
の裏面研削時には、ウエハ表面の回路を保護し、またウ
エハ(チップ）を固定しておくために、溝が形成されて
いるウエハ表面に表面保護シートが貼着されている。
る薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５
０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００
μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
このようなチップの薄厚化を達成する方法として、特開
平５−３３５４１１号公報には、ウエハの表面側から所
定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削する半導
体チップの製造方法が開示されている。このようなプロ
セスは、「先ダイシング法」とも呼ばれている。ウエハ
の裏面研削時には、ウエハ表面の回路を保護し、またウ
エハ(チップ）を固定しておくために、溝が形成されて
いるウエハ表面に表面保護シートが貼着されている。
【０００３】このような方法で製造された半導体チップ
は、ウエハ形状のまま、表面保護シートに固定された状
態で、ウエハ（チップ）の位置及び方向を認識した上
で、次工程に移される。この際、ウエハの方向性はチッ
プ間の溝によって認識される。本来、チップ間の溝の幅
は、溝を形成するためのダイシングのブレード幅に依存
するが、使用する表面保護シートに内部ひずみが存在す
ると、ウエハをチップに分割する際に内部ひずみが開放
され、チップ間隔が狭小化し、ウエハの方向性の認識が
できなくなる。表面保護シートの内部ひずみは、基材の
製膜時や、ウエハ貼付時のテンションによる残留応力に
よって発生し、これをゼロとすることは事実上不可能で
ある。
は、ウエハ形状のまま、表面保護シートに固定された状
態で、ウエハ（チップ）の位置及び方向を認識した上
で、次工程に移される。この際、ウエハの方向性はチッ
プ間の溝によって認識される。本来、チップ間の溝の幅
は、溝を形成するためのダイシングのブレード幅に依存
するが、使用する表面保護シートに内部ひずみが存在す
ると、ウエハをチップに分割する際に内部ひずみが開放
され、チップ間隔が狭小化し、ウエハの方向性の認識が
できなくなる。表面保護シートの内部ひずみは、基材の
製膜時や、ウエハ貼付時のテンションによる残留応力に
よって発生し、これをゼロとすることは事実上不可能で
ある。
【０００４】また、内部ひずみが大き過ぎる場合は、隣
接するチップ間の幅（カーフ幅）がほとんど無くなり、
チップをピックアップする際に、隣接するチップが接触
し、チップが破損するおそれもあった。このため、表面
保護シートの基材として、応力緩和性の高いフィルムを
用いることが提案されている（特開２０００−２１２５
３０号公報参照）。このような応力緩和性の高い基材を
用いると残留応力が速やかに減少するので、内部ひずみ
に起因する上記問題を解消できる。しかし、応力緩和性
フィルムは一般に軟質であり、裏面研削時に受けるグラ
インダーからの圧力や、後工程（たとえばピックアップ
用粘着シートへの転写工程）において受ける各種の負荷
によって、微妙に変形し、結局隣接するカーフ幅に変動
をきたすことがある。カーフ幅が変動すると、ピックア
ップ操作時にピックアップ装置の認識不良や誤作動を起
こす虞がある。
接するチップ間の幅（カーフ幅）がほとんど無くなり、
チップをピックアップする際に、隣接するチップが接触
し、チップが破損するおそれもあった。このため、表面
保護シートの基材として、応力緩和性の高いフィルムを
用いることが提案されている（特開２０００−２１２５
３０号公報参照）。このような応力緩和性の高い基材を
用いると残留応力が速やかに減少するので、内部ひずみ
に起因する上記問題を解消できる。しかし、応力緩和性
フィルムは一般に軟質であり、裏面研削時に受けるグラ
インダーからの圧力や、後工程（たとえばピックアップ
用粘着シートへの転写工程）において受ける各種の負荷
によって、微妙に変形し、結局隣接するカーフ幅に変動
をきたすことがある。カーフ幅が変動すると、ピックア
ップ操作時にピックアップ装置の認識不良や誤作動を起
こす虞がある。
【０００５】カーフ幅を一定に保つために、ポリエチレ
ンテレフタレートのような剛性の高いフィルムを表面保
護シートの基材として用いることも検討されている。し
かし、ポリエチレンテレフタレートのような剛性フィル
ムを基材として用いた場合には、次のような問題があ
る。先ダイシング法において、表面保護シートを剥離す
るには、ヒートシールテープを保護シートの末端に接着
し、ヒートシールテープごと表面保護シートを剥離する
手段しか提案されていない（特開２０００−６８２９３
号公報）。ところが、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムは、融点が高いため、上記のようなスチレン・ブタ
ジエン共重合フィルムや、エチレン・オレフィン共重合
フィルムなどをヒートシールできず、自動化プロセスに
対応する上で不都合がある。
ンテレフタレートのような剛性の高いフィルムを表面保
護シートの基材として用いることも検討されている。し
かし、ポリエチレンテレフタレートのような剛性フィル
ムを基材として用いた場合には、次のような問題があ
る。先ダイシング法において、表面保護シートを剥離す
るには、ヒートシールテープを保護シートの末端に接着
し、ヒートシールテープごと表面保護シートを剥離する
手段しか提案されていない（特開２０００−６８２９３
号公報）。ところが、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムは、融点が高いため、上記のようなスチレン・ブタ
ジエン共重合フィルムや、エチレン・オレフィン共重合
フィルムなどをヒートシールできず、自動化プロセスに
対応する上で不都合がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、いわゆる先
ダイシング法において、裏面研削中あるいは後に、一定
のカーフ幅を維持でき、しかも剥離用テープの取り付け
が容易な表面保護シートおよびその使用方法を提供する
ことを目的としている。
な従来技術に鑑みてなされたものであって、いわゆる先
ダイシング法において、裏面研削中あるいは後に、一定
のカーフ幅を維持でき、しかも剥離用テープの取り付け
が容易な表面保護シートおよびその使用方法を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハ裏面
研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウ
エハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝
を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をするこ
とでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々
のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用い
られる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材
と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該基材
が、２層以上の構成層を有し、第１の構成層の厚みが、
10〜300μｍであり、かつそのヤング率が3,000〜30,000
N/m2であり、第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラ
ス転移点が７０℃以下であり、前記第２の構成層が最外
層として形成されてなることを特徴としている。
研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウ
エハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝
を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をするこ
とでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々
のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用い
られる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材
と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該基材
が、２層以上の構成層を有し、第１の構成層の厚みが、
10〜300μｍであり、かつそのヤング率が3,000〜30,000
N/m2であり、第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラ
ス転移点が７０℃以下であり、前記第２の構成層が最外
層として形成されてなることを特徴としている。
【０００８】本発明においては、前記第２の構成層の、
ＤＳＣ測定時の吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上であることが
好ましい。また、前記第２の構成層は、低密度ポリエチ
レンであることが好ましい。さらに、前記第１の構成層
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポ
リアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレン
オキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、
全芳香族ポリエステル、ポリエーテルケトンまたはポリ
イミドからなることが好ましい。
ＤＳＣ測定時の吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上であることが
好ましい。また、前記第２の構成層は、低密度ポリエチ
レンであることが好ましい。さらに、前記第１の構成層
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポ
リアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレン
オキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、
全芳香族ポリエステル、ポリエーテルケトンまたはポリ
イミドからなることが好ましい。
【０００９】本発明に係る半導体チップの製造方法は、
半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さ
よりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路形成面に、
前記表面保護シートを貼付し、その後上記半導体ウエハ
の裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするととも
に、最終的には個々のチップへの分割を行ない、チップ
の裏面にピックアップ用粘着シートを貼付し、前記第２
の構成層に、剥離用テープをヒートシールにより接着
し、該剥離用テープを起点として前記表面保護シートを
剥離することで、半導体チップをピックアップ用粘着シ
ートに転写することを特徴としている。
半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さ
よりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路形成面に、
前記表面保護シートを貼付し、その後上記半導体ウエハ
の裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするととも
に、最終的には個々のチップへの分割を行ない、チップ
の裏面にピックアップ用粘着シートを貼付し、前記第２
の構成層に、剥離用テープをヒートシールにより接着
し、該剥離用テープを起点として前記表面保護シートを
剥離することで、半導体チップをピックアップ用粘着シ
ートに転写することを特徴としている。
【００１０】このような本発明に係る表面保護シートに
よれば、いわゆる先ダイシング法において、裏面研削中
あるいは後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥離
用テープの取り付けを容易に行うことができる。
よれば、いわゆる先ダイシング法において、裏面研削中
あるいは後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥離
用テープの取り付けを容易に行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明についてさらに具体的に説明する。本発明に係る表面
保護シート１０は、図１に示すように、複数の構成層を
有する基材１１とその上に形成された粘着剤層１２とか
らなる。基材１１は、少なくとも２層以上の構成層を有
する。粘着剤層側の第１の構成層１とし、反対面の構成
層を第２の構成層２とし、以下説明する。
明についてさらに具体的に説明する。本発明に係る表面
保護シート１０は、図１に示すように、複数の構成層を
有する基材１１とその上に形成された粘着剤層１２とか
らなる。基材１１は、少なくとも２層以上の構成層を有
する。粘着剤層側の第１の構成層１とし、反対面の構成
層を第２の構成層２とし、以下説明する。
【００１２】第１の構成層１の厚みは、１０〜３００μ
ｍ、好ましくは２５〜２５０μｍであり、特に好ましく
は５０〜２００μｍである。また、第１の構成層１のヤ
ング率（ＪＩＳ Ｋ−７１２７準拠）は、3,000〜30,00
0N/m2、好ましくは5,000〜15,000N/m2である。第１の構
成層１のヤング率と厚さとの積が上記範囲にあれば、ウ
エハへ貼付する際の機械適性が良好であり、また剥離時
にウエハ（チップ）に負荷される応力も少なくできる。
ｍ、好ましくは２５〜２５０μｍであり、特に好ましく
は５０〜２００μｍである。また、第１の構成層１のヤ
ング率（ＪＩＳ Ｋ−７１２７準拠）は、3,000〜30,00
0N/m2、好ましくは5,000〜15,000N/m2である。第１の構
成層１のヤング率と厚さとの積が上記範囲にあれば、ウ
エハへ貼付する際の機械適性が良好であり、また剥離時
にウエハ（チップ）に負荷される応力も少なくできる。
【００１３】第１の構成層１としては、上記の物性を満
たすかぎり、特に限定されず、種々の薄層品が用いら
れ、耐水性、耐熱性、剛性等の点から、合成樹脂フィル
ムが好ましく用いられる。このような第１の構成層１と
しては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、
変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテ
ルケトンまたはポリイミドなどが用いられる。第１の構
成層１は、上記した各種フィルムの単層品であってもよ
く積層品であってもよい。
たすかぎり、特に限定されず、種々の薄層品が用いら
れ、耐水性、耐熱性、剛性等の点から、合成樹脂フィル
ムが好ましく用いられる。このような第１の構成層１と
しては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、
変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテ
ルケトンまたはポリイミドなどが用いられる。第１の構
成層１は、上記した各種フィルムの単層品であってもよ
く積層品であってもよい。
【００１４】上記のうちでも、第１の構成層１として
は、ウエハにイオン汚染等の悪影響を与えないものが好
ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアミドが特に好ましい。本発明で用いる基材１
１は、前記第１の構成層１の片面に第２の構成層２が積
層されてなり、かつ第２の構成層が最外層として形成さ
れている。この第２の構成層は、後述する剥離用テープ
にヒートシールされる面として用いられるため、最外層
となる。
は、ウエハにイオン汚染等の悪影響を与えないものが好
ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアミドが特に好ましい。本発明で用いる基材１
１は、前記第１の構成層１の片面に第２の構成層２が積
層されてなり、かつ第２の構成層が最外層として形成さ
れている。この第２の構成層は、後述する剥離用テープ
にヒートシールされる面として用いられるため、最外層
となる。
【００１５】第２の構成層２は、示差走査型熱量計（Di
fferential Scanning Calorimetry,ＤＳＣ）で測定した
ガラス転移点（Ｔｇ）が７０℃以下であり、好ましくは
１０〜７０℃であり、さらに好ましくは２０〜６０℃で
あり、特に好ましくは３０〜５０℃の樹脂からなる。本
発明においては、前記第２の構成層２を構成する樹脂と
して、ＤＳＣ測定時の吸熱量が好ましくは０．１Ｊ／ｇ
以上であり、さらに好ましくは０．１〜２．０Ｊ／ｇで
あり、特に好ましくは０．２〜１．０Ｊ／ｇの樹脂が好
ましく用いられる。
fferential Scanning Calorimetry,ＤＳＣ）で測定した
ガラス転移点（Ｔｇ）が７０℃以下であり、好ましくは
１０〜７０℃であり、さらに好ましくは２０〜６０℃で
あり、特に好ましくは３０〜５０℃の樹脂からなる。本
発明においては、前記第２の構成層２を構成する樹脂と
して、ＤＳＣ測定時の吸熱量が好ましくは０．１Ｊ／ｇ
以上であり、さらに好ましくは０．１〜２．０Ｊ／ｇで
あり、特に好ましくは０．２〜１．０Ｊ／ｇの樹脂が好
ましく用いられる。
【００１６】基材１１は、第１の構成層１を形成する樹
脂と、第２の構成層２を形成する樹脂からなるフィルム
をお互いに接着剤を用いて積層したり、あるいは第１の
構成層１上に、第２の構成層２を形成する樹脂を塗布
し、これを皮膜化させることで得られる。この場合、第
２の構成層２を形成する樹脂は、溶液やディスパージョ
ンであっても良いが、エクストルーダーで押し出しした
溶融状態であってもよい。この場合、第２の構成層２
は、ポリエチレンまたはエチレン系共重合体からなるこ
とが好ましく、特に低密度ポリエチレンからなることが
好ましい。低密度ポリエチレンの密度は、好ましくは
０．９１０〜０．９４０g/cm3、さらに好ましくは０．
９１５〜０．９３０g/cm3程度である。低密度ポリエチ
レンの密度がこの範囲であれば剥離用テープとのヒート
シール強度が強くなり、剥離が確実に行えるようにな
る。
脂と、第２の構成層２を形成する樹脂からなるフィルム
をお互いに接着剤を用いて積層したり、あるいは第１の
構成層１上に、第２の構成層２を形成する樹脂を塗布
し、これを皮膜化させることで得られる。この場合、第
２の構成層２を形成する樹脂は、溶液やディスパージョ
ンであっても良いが、エクストルーダーで押し出しした
溶融状態であってもよい。この場合、第２の構成層２
は、ポリエチレンまたはエチレン系共重合体からなるこ
とが好ましく、特に低密度ポリエチレンからなることが
好ましい。低密度ポリエチレンの密度は、好ましくは
０．９１０〜０．９４０g/cm3、さらに好ましくは０．
９１５〜０．９３０g/cm3程度である。低密度ポリエチ
レンの密度がこの範囲であれば剥離用テープとのヒート
シール強度が強くなり、剥離が確実に行えるようにな
る。
【００１７】接着剤を用いて第１の構成層１と第２の構
成層２とを接着する場合は、汎用のドライラミネート用
の接着剤を用いてもよいし、感圧接着剤を用いてもよ
い。塗布による積層の場合、第２の構成層２は、熱可塑
性エラストマーを主成分とし、さらに硬化性樹脂を含む
組成物からなることが好ましい。熱可塑性エラストマー
としては、たとえばスチレン・イソプレン・スチレン共
重合体、スチレン・ブタジエン・スチレン共重合体、ス
チレン・エチレンプロピレン・スチレン共重合体、天然
ゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、エチレンプロピ
レンゴム等が用いられ、硬化性樹脂としては、通常の熱
硬化性樹脂の他、紫外線等の光照射によって硬化する光
硬化性樹脂でもよい。光硬化性樹脂としては、分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有す
る低分子量化合物が好ましく用いられ、具体的には、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアク
リレート、ウレタンアクリレートなどが用いられる。該
樹脂組成物には、必要に応じ、光重合開始剤、溶剤など
が含まれていてもよい。
成層２とを接着する場合は、汎用のドライラミネート用
の接着剤を用いてもよいし、感圧接着剤を用いてもよ
い。塗布による積層の場合、第２の構成層２は、熱可塑
性エラストマーを主成分とし、さらに硬化性樹脂を含む
組成物からなることが好ましい。熱可塑性エラストマー
としては、たとえばスチレン・イソプレン・スチレン共
重合体、スチレン・ブタジエン・スチレン共重合体、ス
チレン・エチレンプロピレン・スチレン共重合体、天然
ゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、エチレンプロピ
レンゴム等が用いられ、硬化性樹脂としては、通常の熱
硬化性樹脂の他、紫外線等の光照射によって硬化する光
硬化性樹脂でもよい。光硬化性樹脂としては、分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有す
る低分子量化合物が好ましく用いられ、具体的には、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアク
リレート、ウレタンアクリレートなどが用いられる。該
樹脂組成物には、必要に応じ、光重合開始剤、溶剤など
が含まれていてもよい。
【００１８】上記光硬化性樹脂組成物は、一般的には、
熱可塑性エラストマー１００重量部に対し、硬化性樹脂
１０〜５０重量部であり、硬化性樹脂に光硬化性樹脂を
使用する場合はさらに、光重合開始剤０．１〜２重量部
からなり、塗布性を調整するための適宜量の溶剤からな
る。溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピ
ルアルコール、メチルエチルケトン等が用いられる。
熱可塑性エラストマー１００重量部に対し、硬化性樹脂
１０〜５０重量部であり、硬化性樹脂に光硬化性樹脂を
使用する場合はさらに、光重合開始剤０．１〜２重量部
からなり、塗布性を調整するための適宜量の溶剤からな
る。溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピ
ルアルコール、メチルエチルケトン等が用いられる。
【００１９】さらに、表面の静摩擦係数を調整するため
に、上記第２の構成層２を形成する樹脂組成物には、必
要に応じ、シリカ、炭酸カルシウム、酸化亜鉛等を、熱
可塑性エラストマー１００重量部に対し１０〜５０重量
部程度添加してもよい。本発明に係る表面保護シート１
０の基材１１は、上記のような第１の構成層１と第２の
構成層２とからなる。また構成層２／構成層１／構成層
２となるように３層の構造を有する基材を使用しても良
い。このような３層構造であれば基材がカールしにくく
なり、チップ製造に際しての作業性を妨げることがな
い。
に、上記第２の構成層２を形成する樹脂組成物には、必
要に応じ、シリカ、炭酸カルシウム、酸化亜鉛等を、熱
可塑性エラストマー１００重量部に対し１０〜５０重量
部程度添加してもよい。本発明に係る表面保護シート１
０の基材１１は、上記のような第１の構成層１と第２の
構成層２とからなる。また構成層２／構成層１／構成層
２となるように３層の構造を有する基材を使用しても良
い。このような３層構造であれば基材がカールしにくく
なり、チップ製造に際しての作業性を妨げることがな
い。
【００２０】また、基材１１の全厚は、好ましくは３０
〜１０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、
特に好ましくは８０〜５００μｍである。粘着剤層１２
が設けられる基材１１の表面には、粘着剤層１２との密
着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマ
ー等の他の層を設けてもよい。本発明に係る表面保護シ
ート１０は、上記のような基材１１上に粘着剤層１２を
設けることで製造される。なお、粘着剤層１２を紫外線
硬化型粘着剤により構成する場合には、基材１１として
全構成層が透明の基材を用いる。
〜１０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、
特に好ましくは８０〜５００μｍである。粘着剤層１２
が設けられる基材１１の表面には、粘着剤層１２との密
着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマ
ー等の他の層を設けてもよい。本発明に係る表面保護シ
ート１０は、上記のような基材１１上に粘着剤層１２を
設けることで製造される。なお、粘着剤層１２を紫外線
硬化型粘着剤により構成する場合には、基材１１として
全構成層が透明の基材を用いる。
【００２１】本発明において、前記粘着剤層１２を構成
する粘着剤の２３℃における弾性率は、好ましくは5.0
×104〜1.0×108Pa、さらに好ましくは6.0×104〜8.0×
107Pa、特に好ましくは7.0×104〜5.0×107Paの範囲に
ある。粘着剤の弾性率がこの範囲にあれば、表面保護シ
ートのウエハの固定が確実に行え、ウエハの研削適性が
向上する。なお、粘着剤層１２を、後述するエネルギー
線硬化型粘着剤で形成した場合には、上記弾性率は、エ
ネルギー線硬化を行う前の弾性率を意味する。
する粘着剤の２３℃における弾性率は、好ましくは5.0
×104〜1.0×108Pa、さらに好ましくは6.0×104〜8.0×
107Pa、特に好ましくは7.0×104〜5.0×107Paの範囲に
ある。粘着剤の弾性率がこの範囲にあれば、表面保護シ
ートのウエハの固定が確実に行え、ウエハの研削適性が
向上する。なお、粘着剤層１２を、後述するエネルギー
線硬化型粘着剤で形成した場合には、上記弾性率は、エ
ネルギー線硬化を行う前の弾性率を意味する。
【００２２】粘着剤層１２は、従来より公知の種々の感
圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤とし
ては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム
系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等
の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型、親
水性の粘着剤も用いることができる。特に本発明におい
てはエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤とし
ては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム
系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等
の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型、親
水性の粘着剤も用いることができる。特に本発明におい
てはエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
【００２３】エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的に
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用い
られるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特
開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２
３１３９号公報に開示されているような光照射によって
三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用
いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアク
リレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレ
ングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレ
ート系オリゴマーなどが用いられる。
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用い
られるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特
開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２
３１３９号公報に開示されているような光照射によって
三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用
いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアク
リレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレ
ングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレ
ート系オリゴマーなどが用いられる。
【００２４】エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
表面保護シートは初期の接着力が大きく、しかもエネル
ギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがっ
て、裏面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化
型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
表面保護シートは初期の接着力が大きく、しかもエネル
ギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがっ
て、裏面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化
型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
【００２５】また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖
にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共
重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギ
ー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性と
を兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性
基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、
特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号
公報等にその詳細が記載されている。
にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共
重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギ
ー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性と
を兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性
基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、
特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号
公報等にその詳細が記載されている。
【００２６】上記のようなアクリル系エネルギー線硬化
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充
分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著
しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、表
面保護シート１０とウエハとを充分な接着力で密着させ
表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削さ
れたウエハ（チップ）から容易に剥離することができ
る。
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充
分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著
しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、表
面保護シート１０とウエハとを充分な接着力で密着させ
表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削さ
れたウエハ（チップ）から容易に剥離することができ
る。
【００２７】また親水性粘着剤としては、例えば特開平
１０−２２６７７６号公報に記載の粘着剤が使用でき
る。このような粘着剤組成物は、カルボキシル基含有モ
ノマーと、該モノマーと共重合可能な他のモノマーから
なる共重合体と、中和剤及び架橋剤からなる。カルボキ
シル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸な
どが用いられる。また、該モノマーと共重合可能な他の
モノマーとしては、2-メトキシエチル（メタ）アクリレ
ート、2-エトキシエチル（メタ）アクリレート、3-メト
キシブチル（メタ）アクリレート、2-ブトキシエチル
（メタ）アクリレートなどのアルコキシ基含有（メタ）
アクリル酸エステルやアルキル基の炭素数が１〜１８で
ある（メタ）アクリル酸エステルが用いられる。
１０−２２６７７６号公報に記載の粘着剤が使用でき
る。このような粘着剤組成物は、カルボキシル基含有モ
ノマーと、該モノマーと共重合可能な他のモノマーから
なる共重合体と、中和剤及び架橋剤からなる。カルボキ
シル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸な
どが用いられる。また、該モノマーと共重合可能な他の
モノマーとしては、2-メトキシエチル（メタ）アクリレ
ート、2-エトキシエチル（メタ）アクリレート、3-メト
キシブチル（メタ）アクリレート、2-ブトキシエチル
（メタ）アクリレートなどのアルコキシ基含有（メタ）
アクリル酸エステルやアルキル基の炭素数が１〜１８で
ある（メタ）アクリル酸エステルが用いられる。
【００２８】中和剤は前記共重合体中のカルボキシル基
の一部または全部を中和して、粘着剤組成物に親水性を
付与するために用いられる。このような中和剤として
は、モノエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエチ
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、ト
リエタノールアミン、N,N,N'-トリメチルエチレンジア
ミンなどの有機アミノ化合物が用いられる。
の一部または全部を中和して、粘着剤組成物に親水性を
付与するために用いられる。このような中和剤として
は、モノエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエチ
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、ト
リエタノールアミン、N,N,N'-トリメチルエチレンジア
ミンなどの有機アミノ化合物が用いられる。
【００２９】架橋剤は、前記共重合体を部分架橋するた
めに用いられる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架
橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、
キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられ
る。上記のような親水性粘着剤は、表面保護シートの剥
離する際の糊残りが極めて少ないうえ、粘着ポリマー自
体に親水性を付与しているため、水洗浄性に優れ、ウエ
ハに粘着剤が付着したとしても、純水のみの洗浄が可能
となる。
めに用いられる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架
橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、
キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられ
る。上記のような親水性粘着剤は、表面保護シートの剥
離する際の糊残りが極めて少ないうえ、粘着ポリマー自
体に親水性を付与しているため、水洗浄性に優れ、ウエ
ハに粘着剤が付着したとしても、純水のみの洗浄が可能
となる。
【００３０】本発明の表面保護シート１０は、上記粘着
剤をナイフコーター、ロールコーター、グラビアコータ
ー、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の
方法にしたがって基材１１上に適宜の厚さで塗工して乾
燥させて粘着剤層１２を形成し、次いで必要に応じ粘着
剤層上に離型シートを貼り合わせることによって得られ
る。
剤をナイフコーター、ロールコーター、グラビアコータ
ー、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の
方法にしたがって基材１１上に適宜の厚さで塗工して乾
燥させて粘着剤層１２を形成し、次いで必要に応じ粘着
剤層上に離型シートを貼り合わせることによって得られ
る。
【００３１】粘着剤層１２の厚さは、粘着剤層自身の材
質、被着体となるウエハ表面の形状にもよるが、通常は
１０〜５００μｍ程度であり、好ましくは１０〜３００
μｍ程度である。ところで、近年増加しつつある、表面
の高低差の大きなチップ（高バンプチップ）に裏面研削
を平滑に行うために、表面の高低差を粘着剤層に埋め込
むことで解消している。すなわち、粘着剤をチップ表面
の凹部に埋め込むことで、凸部との高低差を解消し、裏
面を平滑に研削できるようにしている。したがって、こ
のような高バンプチップに対応する場合には、粘着剤層
１２の厚みを、バンプ高低差の１．０〜５．０倍、さら
には１．１〜３．０倍程度にすることが好ましい。この
場合、粘着剤層１２の厚みを厚くする代わりに基材１１
と粘着剤層１２の間に緩衝層を設けてもよい。緩衝層を
設けた場合の粘着剤層１２の厚みは、５〜３０μｍ程度
が好ましい。
質、被着体となるウエハ表面の形状にもよるが、通常は
１０〜５００μｍ程度であり、好ましくは１０〜３００
μｍ程度である。ところで、近年増加しつつある、表面
の高低差の大きなチップ（高バンプチップ）に裏面研削
を平滑に行うために、表面の高低差を粘着剤層に埋め込
むことで解消している。すなわち、粘着剤をチップ表面
の凹部に埋め込むことで、凸部との高低差を解消し、裏
面を平滑に研削できるようにしている。したがって、こ
のような高バンプチップに対応する場合には、粘着剤層
１２の厚みを、バンプ高低差の１．０〜５．０倍、さら
には１．１〜３．０倍程度にすることが好ましい。この
場合、粘着剤層１２の厚みを厚くする代わりに基材１１
と粘着剤層１２の間に緩衝層を設けてもよい。緩衝層を
設けた場合の粘着剤層１２の厚みは、５〜３０μｍ程度
が好ましい。
【００３２】緩衝層の２３℃における弾性率は、好まし
くは5.0×104〜1.0×107Paの範囲にある。また、そのta
nδ値が０．３以上であることが好ましい。この緩衝層
の厚さは、バンプ高さの１．０〜５．０倍、さらには
１．１〜３．０倍程度が好ましい。緩衝層は、このよう
な厚さ、物性を有していれば、どのような材質であって
も良いが、粘着剤として用いられる成分であっても良
い。緩衝層は前述の粘着剤層１２と同じ成分から選択さ
れても良いが、剥離性能を有する必要がないので、汎用
の粘着剤から形成されていてもよい。
くは5.0×104〜1.0×107Paの範囲にある。また、そのta
nδ値が０．３以上であることが好ましい。この緩衝層
の厚さは、バンプ高さの１．０〜５．０倍、さらには
１．１〜３．０倍程度が好ましい。緩衝層は、このよう
な厚さ、物性を有していれば、どのような材質であって
も良いが、粘着剤として用いられる成分であっても良
い。緩衝層は前述の粘着剤層１２と同じ成分から選択さ
れても良いが、剥離性能を有する必要がないので、汎用
の粘着剤から形成されていてもよい。
【００３３】なお、tanδは、損失正接とよばれ、損失
弾性率／貯蔵弾性率で定義される。具体的には、動的粘
弾性測定装置により対象物に与えた引張、ねじり等の応
力に対する応答によって測定される。このような、本発
明に係る表面保護シート１０は、半導体回路が形成され
たウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さ
の溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をす
ることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には
個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削方法にお
いて、ウエハ表面の保護およびウエハの一時的な固定手
段として用いられる。
弾性率／貯蔵弾性率で定義される。具体的には、動的粘
弾性測定装置により対象物に与えた引張、ねじり等の応
力に対する応答によって測定される。このような、本発
明に係る表面保護シート１０は、半導体回路が形成され
たウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さ
の溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をす
ることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には
個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削方法にお
いて、ウエハ表面の保護およびウエハの一時的な固定手
段として用いられる。
【００３４】より具体的には、以下のような工程からな
るウエハ裏面研削方法に用いられる。 第１工程：複数の回路を区画するウエハの切断位置に沿
って所定の深さの溝４をウエハ３表面から削成する（図
２参照）。 第２工程：前記ウエハ３の表面全体を覆う状態に本発明
の表面保護シート１０を接着する（図３参照）。
るウエハ裏面研削方法に用いられる。 第１工程：複数の回路を区画するウエハの切断位置に沿
って所定の深さの溝４をウエハ３表面から削成する（図
２参照）。 第２工程：前記ウエハ３の表面全体を覆う状態に本発明
の表面保護シート１０を接着する（図３参照）。
【００３５】第３工程：前記溝４の底部を除去し、所定
の厚さになるまでウエハの裏面を研削して個々のチップ
５に分割する（図４参照）。 その後、粘着剤層１２をエネルギー線硬化型粘着剤から
形成した場合には、エネルギー線照射して接着力を低減
させ、チップの位置及び方向を認識し、チップの研磨面
にピックアップ用粘着テープ２０（たとえば特開平５−
３３５４１１号公報におけるマウンティング用テープ）
を貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合
わせを行ってピックアップ用のリングフレームに固定す
る。
の厚さになるまでウエハの裏面を研削して個々のチップ
５に分割する（図４参照）。 その後、粘着剤層１２をエネルギー線硬化型粘着剤から
形成した場合には、エネルギー線照射して接着力を低減
させ、チップの位置及び方向を認識し、チップの研磨面
にピックアップ用粘着テープ２０（たとえば特開平５−
３３５４１１号公報におけるマウンティング用テープ）
を貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合
わせを行ってピックアップ用のリングフレームに固定す
る。
【００３６】次いで、表面保護シート１０の基材１１に
剥離用テープ２１をヒートシールにより接着する（図５
参照）。剥離用テープ２１は、一般にはポリエチレンテ
レフタレート等の基材上にスチレン・ブタジエン共重合
体樹脂や、エチレン／オレフィン共重合体樹脂等を主成
分とする接着層を有するヒートシール性テープからな
る。この剥離用テープ２１は、前記基材１１の最外層で
ある第２の構成層２にヒートシールされる。本発明にお
いては、前述したような特定の物性を有する樹脂により
第２の構成層２を形成しているので、容易に剥離用テー
プ２１をヒートシールできる。ヒートシール条件は、剥
離用テープ２１および第２の構成層２を形成している樹
脂の軟化点に応じて適宜に選択されるが、一般的には１
５０〜２５０℃程度の温度で、０．１〜１．０ＭＰａ程
度の加圧条件で行われる。
剥離用テープ２１をヒートシールにより接着する（図５
参照）。剥離用テープ２１は、一般にはポリエチレンテ
レフタレート等の基材上にスチレン・ブタジエン共重合
体樹脂や、エチレン／オレフィン共重合体樹脂等を主成
分とする接着層を有するヒートシール性テープからな
る。この剥離用テープ２１は、前記基材１１の最外層で
ある第２の構成層２にヒートシールされる。本発明にお
いては、前述したような特定の物性を有する樹脂により
第２の構成層２を形成しているので、容易に剥離用テー
プ２１をヒートシールできる。ヒートシール条件は、剥
離用テープ２１および第２の構成層２を形成している樹
脂の軟化点に応じて適宜に選択されるが、一般的には１
５０〜２５０℃程度の温度で、０．１〜１．０ＭＰａ程
度の加圧条件で行われる。
【００３７】次いで、上記剥離用テープ２１を起点とし
て、表面保護シート１０を剥離し、チップ５をピックア
ップ用粘着シート２０に転写する（図６参照）。その
後、常法によりピックアップ用粘着シート２０よりチッ
プをピックアップし所定の基体上にマウントする。この
ようなプロセスによれば、研削からピックアップ工程に
いたるまでカーフ幅に変動がなく、半導体チップの認識
性を向上でき、半導体チップを効率よく製造することが
できる。
て、表面保護シート１０を剥離し、チップ５をピックア
ップ用粘着シート２０に転写する（図６参照）。その
後、常法によりピックアップ用粘着シート２０よりチッ
プをピックアップし所定の基体上にマウントする。この
ようなプロセスによれば、研削からピックアップ工程に
いたるまでカーフ幅に変動がなく、半導体チップの認識
性を向上でき、半導体チップを効率よく製造することが
できる。
【００３８】
【発明の効果】本発明に係る表面保護シートによれば、
いわゆる先ダイシング法において、裏面研削中あるいは
後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥離用テープ
の取り付けを容易に行うことができる。
いわゆる先ダイシング法において、裏面研削中あるいは
後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥離用テープ
の取り付けを容易に行うことができる。
【００３９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以
下において「ヤング率」、「弾性率」、「tanδ」、
「カーフ幅の狭小化率」、「整列性」、「チップの認識
性」、「マシーン適性」および「研磨状態」は次の方法
で評価した。 「ヤング率」試験速度２００mm／分でＪＩＳ Ｋ−７１
２７ に準拠して測定した。 「弾性率」Ｇ’（捻り剪断法） 粘弾性測定装置（Rheometrics社製、装置名DYNAMIC ANA
LYZER RDA II）を用いて、８mmφ×３mmサイズのサンプ
ルを１Hzで２３℃の環境下で弾性率Ｇ’を捻り剪断法に
より測定した。 「tanδ」tanδは、動的粘弾性測定装置により１１Ｈｚ
の引張応力で測定される。具体的には、粘着剤などの樹
脂を所定のサイズにサンプリングして、オリエンテック
社製Rheovibron DDV-II-EPを用いて周波数１１Ｈｚで２
３℃におけるtanδを測定した。 「カーフ幅の狭小化率」リンテック社製ダイシングテー
プ（D-628）を、所定の模擬ウエハに貼付し、ハーフカ
ットダイシング装置（ディスコ社製 DFD-651）を用い、
３５μm厚ブレードで切込み深さ７０μm、チップサイズ
８mm角と１２mm角の条件で溝を形成した。実施例および
比較例で作成した表面保護シートを、テープマウンター
（リンテック社製Adwill RAD-3500F/8）を用いて、溝を
形成した面に貼付し、ダイシングテープを剥離後、研削
装置（ディスコ社製、DFG-850）を用いて厚さ５０μmに
なるまで研磨を行い、研磨面を上にして光学顕微鏡の吸
着ステージに乗せてカーフ幅を測定した。測定はシート
貼付方向に対して垂直のカーフ幅をウエハの上、下、
右、左、中央部から２５点において、それぞれオリエン
テーションフラットに平行方向および垂直方向で測定し
平均値を算出しカーフ幅とした。カーフ幅の狭小化率
は、｛（35μm−測定値の平均値）／35μm｝×１００で
算出した。
明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以
下において「ヤング率」、「弾性率」、「tanδ」、
「カーフ幅の狭小化率」、「整列性」、「チップの認識
性」、「マシーン適性」および「研磨状態」は次の方法
で評価した。 「ヤング率」試験速度２００mm／分でＪＩＳ Ｋ−７１
２７ に準拠して測定した。 「弾性率」Ｇ’（捻り剪断法） 粘弾性測定装置（Rheometrics社製、装置名DYNAMIC ANA
LYZER RDA II）を用いて、８mmφ×３mmサイズのサンプ
ルを１Hzで２３℃の環境下で弾性率Ｇ’を捻り剪断法に
より測定した。 「tanδ」tanδは、動的粘弾性測定装置により１１Ｈｚ
の引張応力で測定される。具体的には、粘着剤などの樹
脂を所定のサイズにサンプリングして、オリエンテック
社製Rheovibron DDV-II-EPを用いて周波数１１Ｈｚで２
３℃におけるtanδを測定した。 「カーフ幅の狭小化率」リンテック社製ダイシングテー
プ（D-628）を、所定の模擬ウエハに貼付し、ハーフカ
ットダイシング装置（ディスコ社製 DFD-651）を用い、
３５μm厚ブレードで切込み深さ７０μm、チップサイズ
８mm角と１２mm角の条件で溝を形成した。実施例および
比較例で作成した表面保護シートを、テープマウンター
（リンテック社製Adwill RAD-3500F/8）を用いて、溝を
形成した面に貼付し、ダイシングテープを剥離後、研削
装置（ディスコ社製、DFG-850）を用いて厚さ５０μmに
なるまで研磨を行い、研磨面を上にして光学顕微鏡の吸
着ステージに乗せてカーフ幅を測定した。測定はシート
貼付方向に対して垂直のカーフ幅をウエハの上、下、
右、左、中央部から２５点において、それぞれオリエン
テーションフラットに平行方向および垂直方向で測定し
平均値を算出しカーフ幅とした。カーフ幅の狭小化率
は、｛（35μm−測定値の平均値）／35μm｝×１００で
算出した。
【００４０】実施例１，３，４および比較例１，２で
は、模擬ウエハとして、直径６インチ、ウエハ厚み（ド
ット印刷されていない部分の厚み）６５０〜７００μ
ｍ、ドット径５００〜６００μｍ、ドット高さ１０５μ
ｍ、ドットピッチ２．０mm間隔（ウエハ外周部２０mmま
では印刷なし）のウエハを用いた。実施例２では、模擬
ウエハとして、直径６インチ、ウエハ厚み（ドット印刷
されていない部分の厚み）６５０〜７００μｍ、ドット
径１００〜２００μｍ、ドット高さ２５μｍ、ドットピ
ッチ２．０mm間隔（ウエハ外周部２０mmまでは印刷な
し）のウエハを用いた。「整列性」 上記方法で作成したチップ化されたウエハを目視で観察
してカーフ幅がウエハの各場所で極端に異なるものや、
チップズレが発生したものを「不良」とし、目視でカー
フ幅が揃っているものを「良好」とした。 「チップの認識性」上記方法で作成したチップ化された
ウエハをウエハ転写装置（リンテック社製、LTD-2500f/
8）にてチップ間の溝を認識してウエハのアライメント
処理を行い、チップ化されたウエハを表面保護シートか
らピックアップ用粘着テープに転写した。
は、模擬ウエハとして、直径６インチ、ウエハ厚み（ド
ット印刷されていない部分の厚み）６５０〜７００μ
ｍ、ドット径５００〜６００μｍ、ドット高さ１０５μ
ｍ、ドットピッチ２．０mm間隔（ウエハ外周部２０mmま
では印刷なし）のウエハを用いた。実施例２では、模擬
ウエハとして、直径６インチ、ウエハ厚み（ドット印刷
されていない部分の厚み）６５０〜７００μｍ、ドット
径１００〜２００μｍ、ドット高さ２５μｍ、ドットピ
ッチ２．０mm間隔（ウエハ外周部２０mmまでは印刷な
し）のウエハを用いた。「整列性」 上記方法で作成したチップ化されたウエハを目視で観察
してカーフ幅がウエハの各場所で極端に異なるものや、
チップズレが発生したものを「不良」とし、目視でカー
フ幅が揃っているものを「良好」とした。 「チップの認識性」上記方法で作成したチップ化された
ウエハをウエハ転写装置（リンテック社製、LTD-2500f/
8）にてチップ間の溝を認識してウエハのアライメント
処理を行い、チップ化されたウエハを表面保護シートか
らピックアップ用粘着テープに転写した。
【００４１】この際、表面保護シートを剥離するため
に、該表面保護シートの基材に、剥離用テープとして、
ポリエチレンテレフタレートフィルムにスチレン・ブタ
ジエン系ヒートシール接着剤を設けたヒートシールテー
プを用いて１８０℃でヒートシールし、この剥離用テー
プを起点として表面保護シートの剥離を行った。問題な
く処理できたものを「良好」とし、エラーが発生したも
のを「不良」とした。 「マシーン適性」上記一連の先ダイシングプロセスにお
いて、問題なく表面保護シートの剥離までの工程が終了
したシートは「良」とし、工程中に不具合が生じたもの
に関しては不具合の内容を示す。 「研磨状態」研磨されたチップ裏面を確認して割れ、２
μｍ以上の窪みが無いものを「良」、割れおよび／また
は２μｍ以上の窪みが発生しているものを「不良」とし
た。
に、該表面保護シートの基材に、剥離用テープとして、
ポリエチレンテレフタレートフィルムにスチレン・ブタ
ジエン系ヒートシール接着剤を設けたヒートシールテー
プを用いて１８０℃でヒートシールし、この剥離用テー
プを起点として表面保護シートの剥離を行った。問題な
く処理できたものを「良好」とし、エラーが発生したも
のを「不良」とした。 「マシーン適性」上記一連の先ダイシングプロセスにお
いて、問題なく表面保護シートの剥離までの工程が終了
したシートは「良」とし、工程中に不具合が生じたもの
に関しては不具合の内容を示す。 「研磨状態」研磨されたチップ裏面を確認して割れ、２
μｍ以上の窪みが無いものを「良」、割れおよび／また
は２μｍ以上の窪みが発生しているものを「不良」とし
た。
【００４２】
【実施例１】第１の構成層として、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：２５μｍ、ヤング
率：5.4kN/m2）を用い、第２の構成層として厚さ２５μ
ｍの低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム（厚さ：
２５μｍ、密度：0.923g/cm3、Ｔｇ：47.5℃、ＤＳＣ吸
熱量：0.515J/g）を用い、両フィルムをウレタン系ドラ
イラミネート用接着剤で貼り合せて基材とした。
タレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：２５μｍ、ヤング
率：5.4kN/m2）を用い、第２の構成層として厚さ２５μ
ｍの低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム（厚さ：
２５μｍ、密度：0.923g/cm3、Ｔｇ：47.5℃、ＤＳＣ吸
熱量：0.515J/g）を用い、両フィルムをウレタン系ドラ
イラミネート用接着剤で貼り合せて基材とした。
【００４３】この基材のＰＥＴフィルム上に、アクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート９０重量部とアクリル
酸１０重量部との共重合体）１００重量部と、分子量８
０００のオリゴマー系ウレタン樹脂５０重量部と、硬化
剤としてトリメチロールプロパンのトルイレンジイソシ
アナート付加物（以下、TM-TDIと略記）２重量部と希釈
溶剤（トルエン）とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥
し、厚さ２００μｍの緩衝層（弾性率：6.0×105Pa、ta
nδ：0.58）を形成した。さらに、緩衝層上にアクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート８４重量部とメチルメ
タアクリレート８重量部と2-ヒドロキシエチルアクリレ
ート５重量部とアクリル酸３重量部との共重合体）１０
０重量部と、硬化剤（TM-TDI）４重量部と希釈溶剤とを
混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ１０μｍのウ
エハ保持用粘着剤層を形成し、表面保護シートを得た。
系粘着剤（n-ブチルアクリレート９０重量部とアクリル
酸１０重量部との共重合体）１００重量部と、分子量８
０００のオリゴマー系ウレタン樹脂５０重量部と、硬化
剤としてトリメチロールプロパンのトルイレンジイソシ
アナート付加物（以下、TM-TDIと略記）２重量部と希釈
溶剤（トルエン）とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥
し、厚さ２００μｍの緩衝層（弾性率：6.0×105Pa、ta
nδ：0.58）を形成した。さらに、緩衝層上にアクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート８４重量部とメチルメ
タアクリレート８重量部と2-ヒドロキシエチルアクリレ
ート５重量部とアクリル酸３重量部との共重合体）１０
０重量部と、硬化剤（TM-TDI）４重量部と希釈溶剤とを
混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ１０μｍのウ
エハ保持用粘着剤層を形成し、表面保護シートを得た。
【００４４】「カーフ幅の狭小化率」、「整列性」、
「チップの認識性」、「マシーン適性」および「研磨状
態」の評価結果を表１にまとめた。
「チップの認識性」、「マシーン適性」および「研磨状
態」の評価結果を表１にまとめた。
【００４５】
【実施例２】第１の構成層として、厚さ５０μｍのＰＥ
Ｔフィルム（厚さ：５０μｍ、ヤング率：5.4kN/m2）を
用い、このＰＥＴフィルムの片面に、熱可塑性エラスト
マーとしてスチレン・イソプレン・スチレンブロック共
重合体１００重量部、紫外線硬化型樹脂としてジペンタ
エリスリトールヘキサアクリレート３０重量部、光重合
開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン０．９重量部、平均粒径1.5〜２μｍのシリカ５重量
部と希釈溶剤（トルエン）とを配合してなる塗布液を塗
布乾燥後、紫外線照射して第２の構成層（厚さ：２μ
ｍ、Ｔｇ：37.2℃、ＤＳＣ吸熱量：0.242J/g）を形成
し、基材を得た。
Ｔフィルム（厚さ：５０μｍ、ヤング率：5.4kN/m2）を
用い、このＰＥＴフィルムの片面に、熱可塑性エラスト
マーとしてスチレン・イソプレン・スチレンブロック共
重合体１００重量部、紫外線硬化型樹脂としてジペンタ
エリスリトールヘキサアクリレート３０重量部、光重合
開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン０．９重量部、平均粒径1.5〜２μｍのシリカ５重量
部と希釈溶剤（トルエン）とを配合してなる塗布液を塗
布乾燥後、紫外線照射して第２の構成層（厚さ：２μ
ｍ、Ｔｇ：37.2℃、ＤＳＣ吸熱量：0.242J/g）を形成
し、基材を得た。
【００４６】この基材のＰＥＴフィルム上に、アクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート９０重量部とアクリル
酸１０重量部との共重合体）１００重量部と、硬化剤
（TM-TDI）２重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾
燥し、厚さ４０μｍの緩衝層（弾性率：1.4×105Pa、ta
nδ：0.41）を形成した。さらに、緩衝層上にアクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート８４重量部とメチルメ
タアクリレート８重量部と2-ヒドロキシエチルアクリレ
ート５重量部とアクリル酸３重量部との共重合体）１０
０重量部と、硬化剤（TM-TDI）７重量部とを混合した粘
着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ１０μｍのウエハ保持用
粘着剤層を形成し、表面保護シートを得た。
系粘着剤（n-ブチルアクリレート９０重量部とアクリル
酸１０重量部との共重合体）１００重量部と、硬化剤
（TM-TDI）２重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾
燥し、厚さ４０μｍの緩衝層（弾性率：1.4×105Pa、ta
nδ：0.41）を形成した。さらに、緩衝層上にアクリル
系粘着剤（n-ブチルアクリレート８４重量部とメチルメ
タアクリレート８重量部と2-ヒドロキシエチルアクリレ
ート５重量部とアクリル酸３重量部との共重合体）１０
０重量部と、硬化剤（TM-TDI）７重量部とを混合した粘
着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ１０μｍのウエハ保持用
粘着剤層を形成し、表面保護シートを得た。
【００４７】評価結果を表１にまとめた。
【００４８】
【実施例３】実施例１において、基材の構成を、ＬＤＰ
Ｅ（２５μｍ）／ＰＥＴ（２５μｍ）／ＬＤＰＥ（２５
μｍ）[第２の構成層（ガラス転移点：47.5℃、ＤＳＣ
吸熱量：0.515J/g）／第１の構成層（ヤング率：5.4kN/
m2）／第２の構成層]と変えた以外は実施例１と同様に
した。
Ｅ（２５μｍ）／ＰＥＴ（２５μｍ）／ＬＤＰＥ（２５
μｍ）[第２の構成層（ガラス転移点：47.5℃、ＤＳＣ
吸熱量：0.515J/g）／第１の構成層（ヤング率：5.4kN/
m2）／第２の構成層]と変えた以外は実施例１と同様に
した。
【００４９】評価結果を表１にまとめた。
【００５０】
【実施例４】実施例１において、緩衝層を、アクリル系
粘着剤（2-エチルヘキシルアクリレート７０重量部と酢
酸ビニル２８重量部とアクリル酸２重量部との共重合体
の酢酸エチル溶液）１００重量部と、キレート系硬化剤
（アルミニウムトリスアセチルアセトナート）０．５重
量部とを混合した粘着剤剤組成物（弾性率：7.9×105P
a、tanδ:0.44）を用い、厚さ２００μｍとした以外は
実施例１と同様にした。
粘着剤（2-エチルヘキシルアクリレート７０重量部と酢
酸ビニル２８重量部とアクリル酸２重量部との共重合体
の酢酸エチル溶液）１００重量部と、キレート系硬化剤
（アルミニウムトリスアセチルアセトナート）０．５重
量部とを混合した粘着剤剤組成物（弾性率：7.9×105P
a、tanδ:0.44）を用い、厚さ２００μｍとした以外は
実施例１と同様にした。
【００５１】評価結果を表１にまとめた。
【００５２】
【比較例１】実施例１において、基材をＬＤＰＥ（厚
さ：２５μｍ、ヤング率：2.0kN/m2）単層とした以外は
実施例１と同様にした。評価結果を表１にまとめた。
さ：２５μｍ、ヤング率：2.0kN/m2）単層とした以外は
実施例１と同様にした。評価結果を表１にまとめた。
【００５３】
【比較例２】実施例１において、基材をＰＥＴ（厚さ：
２５μｍ、ガラス転移点：７７℃、ＤＳＣ吸熱量：0.01
J/g未満）単層とした以外は実施例１と同様にした。評
価結果を表１にまとめた。
２５μｍ、ガラス転移点：７７℃、ＤＳＣ吸熱量：0.01
J/g未満）単層とした以外は実施例１と同様にした。評
価結果を表１にまとめた。
【００５４】
【表１】
【図１】本発明に係る表面保護シートの断面図を示す。
【図２】本発明に係る表面保護シートを用いた薄型半導
体チップの製造工程を示す。
体チップの製造工程を示す。
【図３】本発明に係る表面保護シートを用いた薄型半導
体チップの製造工程を示す。
体チップの製造工程を示す。
【図４】本発明に係る表面保護シートを用いた薄型半導
体チップの製造工程を示す。
体チップの製造工程を示す。
【図５】本発明に係る表面保護シートを用いた薄型半導
体チップの製造工程を示す。
体チップの製造工程を示す。
【図６】本発明に係る表面保護シートを用いた薄型半導
体チップの製造工程を示す。
体チップの製造工程を示す。
１…第１の構成層
２…第２の構成層
３…ウエハ
４…溝
５…チップ
１０…表面保護シート
１１…基材
１２…粘着剤層
２０…ピックアップ用粘着テープ
２１…剥離用テープ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 江 部 和 義
埼玉県南埼玉郡白岡町下野田1375−19
Ｆターム(参考） 4F100 AK06B AK25G AK41A AK42A
AK45A AK46A AK49A AK51G
AK54A AK55A AK56A AK57A
AT00A AT00B BA03 BA07
BA10B BA10C GB41 JA05B
JK07A JL05 JL13C YY00A
YY00B
4J004 AA01 AA05 AA08 AA10 AA11
AB01 AB06 CA04 CA06 CC03
DB03 FA04 FA05
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体回路が形成されたウエハ表面から
そのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、そ
の後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの
厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの
分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体
ウエハの表面保護シートであって、 基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、 該基材が、２層以上の構成層を有し、 第１の構成層の厚みが、10〜300μｍであり、かつその
ヤング率が3,000〜30,000 N/m2であり、 第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラス転移点が７０
℃以下であり、 前記第２の構成層が最外層として形成されてなることを
特徴とする表面保護シート。 - 【請求項２】 前記第２の構成層の、ＤＳＣ測定時の吸
熱量が０．１Ｊ／ｇ以上であることを特徴とする請求項
１に記載の表面保護シート。 - 【請求項３】 前記第２の構成層が、低密度ポリエチレ
ンからなることを特徴とする請求項１または２に記載の
表面保護シート。 - 【請求項４】 前記第１の構成層が、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカ
ーボネート、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステ
ル、ポリエーテルケトンまたはポリイミドからなること
を特徴とする請求項１または２に記載の表面保護シー
ト。 - 【請求項５】 半導体回路が形成されたウエハ表面から
そのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、 該回路形成面に、基材と、その上に形成された粘着剤層
とからなり、 該基材が、２層以上の構成層を有し、 第１の構成層の厚みが、10〜300μｍであり、かつその
ヤング率が3,000〜30,000 N/m2であり、 第２の構成層の、ＤＳＣで測定したガラス転移点が７０
℃以下であり、 前記第２の構成層が最外層として形成されてなる表面保
護シートを貼付し、 その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハ
の厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへ
の分割を行ない、 チップの裏面にピックアップ用粘着シートを貼付し、 前記第２の構成層に、剥離用テープをヒートシールによ
り接着し、 該剥離用テープを起点として前記表面保護シートを剥離
することで、半導体チップをピックアップ用粘着シート
に転写することを特徴とする半導体チップの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346441A JP2003147300A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法 |
| PCT/JP2002/011566 WO2003043076A2 (en) | 2001-11-12 | 2002-11-06 | Surface protective sheet for use in wafer back grinding and process for producing semiconductor chip |
| TW91132991A TW200300275A (en) | 2001-11-12 | 2002-11-11 | Surface protective sheet for use in wafer back grinding and process for producing semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346441A JP2003147300A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003147300A true JP2003147300A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19159619
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001346441A Pending JP2003147300A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003147300A (ja) |
| TW (1) | TW200300275A (ja) |
| WO (1) | WO2003043076A2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004256595A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Lintec Corp | 粘着シートおよびその使用方法 |
| JP2004349649A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ウエハーの薄加工方法 |
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