TWI434336B - 半導體晶圓切割用黏著帶及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

半導體晶圓切割用黏著帶及半導體裝置之製造方法
本發明係有關半導體晶圓切割用黏著帶及半導體裝置之製造方法，尤其有關在採用所謂串列式製程(in-line process)化步驟時，實現降低晶片的拾取(pick-up)步驟中之拾取不良的半導體晶圓切割用黏著帶以及使用該黏著帶之半導體裝置的製造方法。
近年來，IC卡漸漸普及，且期望進一步地薄型化。因此，產生令以往厚度為350μm左右的半導體晶片，薄化為厚度50至100μm或其以下的必要。背面研磨時，於電路面貼附表面保護片，進行電路面的保護以及晶圓的固定，並進行背面研磨。之後，經過切割、拾取(pick up)、黏晶(die bond)、樹脂密封等各種步驟，可製造出半導體裝置。
在將半導體晶圓切割並晶片化時，於半導體晶圓的背面(研磨面)貼附半導體晶圓切割用黏著帶，將半導體晶圓維持在半導體晶圓切割用黏著帶上，並同時進行晶圓的切割。就半導體晶圓切割用黏著帶而言，有各種商品上市，尤其適合使用被稱為UV膠帶的紫外線硬化型黏著帶。UV膠帶係具有，藉由紫外線照射令黏著層硬化，而使黏著力消失或驟減之性質。因此，在切割晶圓時，可以充分的黏著力固定晶圓，而在切割結束後以紫外線使黏著劑層硬化的方式，能夠容易地拾取晶片。
為了貼附半導體晶圓切割用黏著帶，結束背面研磨之 晶圓，係於之後移送至半導體晶圓切割用黏著帶貼附裝置(貼片機，mounter)。此時，晶圓收納於被稱為晶圓盒(wafer cassette)的收納裝置，並移送至貼片機。
可是，若將晶圓研磨至極薄，晶圓本身會失去自我支撐性，就連本身重量都會有造成破損的可能性。因此，要將研磨至極薄的晶圓，以其本身收容至晶圓盒係為困難的。
為了給予強度降低之半導體晶圓支撐功能，提案有一種製程的串列化(in-line)，亦即，背面研磨結束後，立刻於研磨面貼附半導體晶圓切割用黏著帶，之後再移送至切割步驟。例如，在專利文獻1，記載有如此串列式製程之一例。根據如此製程，即使是研磨至極薄而使強度下降的晶圓，亦由於其背面因半導體晶圓切割用黏著帶而被補強，使支撐供能提升，變得能由上述之晶圓盒移送。
可是，如此串列化的結果，產生了所謂晶片拾取不良增加之沒有預測到的問題。這是晶片背面與黏著劑層的黏著力增大，而使晶片拾取變困難的問題，即使在使用UV膠帶作為半導體晶圓切割用黏著帶的情形，拾取不良依然增加。
就此原因而言，在專利文獻2中，指出晶圓背面的氧化物層之形成不足。亦即，背面研磨剛結束的晶圓背面係為氧化物層被去除之活性化狀態。若在此狀態於背面貼附半導體晶圓切割用黏著帶，由於背面與黏著劑層之間的親和性強，故晶圓與黏著劑層過度地密合，這被認為是造成拾取不良的原因。在專利文獻2中，為了消除這樣的問題， 提案在背面研磨結束後，於晶圓背面形成氧化物層，令晶圓背面的活性降低。
可是，在專利文獻2的方法中，由於新增用以形成氧化物層的步驟，使步驟變得複雜，此外亦需要用以形成氧化物層的裝置。
此外，由於近年來為了提升生產性，拾取速度正高速化中。亦即，在晶片拾取時，以舉起針將晶片往上推起，並以吸引筒夾(collet)維持晶片並進行剝離，此時舉起針之往上推起速度變快。結果，晶片與半導體晶圓切割用黏著帶的剝離變得不充分，使晶片拾取變得困難，或使晶片的損傷經常發生。
[專利文獻1]日本特開2002-343756號公報
[專利文獻2]日本特開2005-72140號公報
因此，被要求在包含如上述於背面研磨結束後立刻將半導體晶圓切割用黏著帶貼附至研磨面之串列式步驟的半導體裝置之製造方法中，以更簡便的手段消除拾取不良。本發明係有鑑於上述之光前技術所研創者，除了檢討使用於半導體晶圓切割用黏著帶之黏著劑的成分之外，並以對應上述要求為目的。
以解決如此課題為目的之本發明的主旨係如以下所述。
(1)一種半導體晶圓切割用黏著帶，係將包含黏著成分與游離之含環氧基之化合物，而不包含環氧硬化劑之黏著劑層，無法剝離地層積於基材上所構成。
(2)如上述(1)記載之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述基材的黏著層側之面的表面張力係為45mN/m以上。
(3)如上述(1)記載之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述黏著成分係為能量線硬化性。
(4)如上述(2)記載之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述黏著成分係為能量線硬化性。
(5)一種半導體裝置之製造方法，係包含：研磨於表面形成電路之半導體晶圓的背面之步驟；於該半導體晶圓之背面貼附如上述(1)至(4)中任一項之半導體晶圓切割用黏著帶，且將該晶圓切割並晶片化之步驟；以及拾取半導體晶片之步驟。
根據本發明，由於使用具有特殊組成之黏著劑層的半導體晶圓切割用黏著帶，所以黏著劑層對背面研磨剛結束的晶圓面不會過度地密合，切割後的晶片拾取變得可確實地進行。
以下更具體地說明關於本發明。首先，說明有關本發明之半導體晶圓切割用黏著帶。
有關本發明之半導體晶圓切割用黏著帶，係由黏著劑 層無法剝離地層積於基材上而構成。在此，無法剝離係指在一般的使用條件下，即使進行半導體晶圓切割用黏著帶的貼合或剝離，黏著劑層也不會轉印至被黏體，並與基材一體化地從被黏體剝離開的意思。
有關本發明之半導體晶圓切割用黏著帶的形狀，可為帶狀、標籤狀等各種形狀。
基材係無特別限定，適合耐水性以及耐熱性優良者，可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯‧丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‧氯乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、聚胺甲酸酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、離子聚合物(ionomer)等構成的膜等。此外，此等合成樹脂膜，亦可層積或組合2種以上來使用。再者，將此等膜著色者，或者是施以印刷者亦可使用。此外，膜只要為將熱可塑性樹脂藉由擠製成型而薄片化者即可，亦可使用將硬化性樹脂藉由預定手段薄膜化，並硬化而薄片(sheet)化者。
基材的厚度並無特別限定，通常為5至500μm，宜為10至300μm。此外，在與基材之黏著劑層接觸的面為了提升與黏著劑層的密合性，亦可設置施以電暈處理之底層等其他層。與黏著層之密合性良好的基材，通常顯示表面張 力較高的數值。使用於本發明之基材的黏著劑層側之面的表面張力，宜為45mN/m以上，較宜為50至80mN/m。
另外，在實施本發明之半導體裝置的製造方法時，有於晶片拾取時延展半導體晶圓切割用黏著帶，而使晶片的間隔錯開。在此情形下，就基材而言，適合使用延展性優良的乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯‧(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‧氯乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物等。
此外，就黏著成分而言，在使用藉由紫外線等能量線硬化之類型的黏著劑的情形下，使用相對於紫外線為透明的基材。
形成於基材上的黏著劑層，係包含黏著成分與含環氧基之化合物，而不包含環氧硬化劑。
黏著成分只要具有適當的再剝離性便不特定其種類，亦可從橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、胺甲酸酯系、乙烯醚系等泛用之黏著劑形成。其中尤以丙烯酸系黏著劑適合使用。
就丙烯酸黏著劑而言，可舉出例如以(甲基)丙烯酸酯單體以及含官能基之單體作為主原料而得之(甲基)丙烯酸酯共聚物為主成分者。在此就(甲基)丙烯酸酯單體而言，可使用例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙 烯酸異辛酯等。此外，就(甲基)丙烯酸酯單體而言，可使用(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯等具有脂環族基或芳族基的烷基酯。此等單體可單獨使用1種，亦可兩種以上組合使用。
就含有官能基之單體而言，可使用於分子內具有羥基、羧基、胺基、經取代之胺基、環氧基等官能基之單體，宜使用含有羥基之不飽和化合物與含有羧基之不飽和化合物。就如此之含有官能基之單體之具體例而言，可舉出(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯；(甲基)丙烯酸單甲基胺乙酯、(甲基)丙烯酸單乙基胺乙酯等(甲基)丙烯酸單烷基胺烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸、檸康酸等含有羧基之單體；(甲基)丙烯酸乙醯乙醯氧甲酯(acetoacetoxymethyl (meta)acrylate)等。此等單體可單獨使用1種，亦可2種以上組合使用。
就使用於(甲基)丙烯酸酯共聚物之(甲基)丙烯酸酯單體以及含有官能基之單體以外的共聚合性單體而言，可舉出丙烯腈、丙烯醯胺，乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等乙烯酯等。
另外，由於羧基或胺基等官能基係有與環氧基反應而消耗含有環氧基之化合物的可能性，故在調配含有此等官能基之單體作為(甲基)丙烯酸酯共聚物之原料的情形，以其比率少的一方為佳。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的分子量，宜為100000以上， 尤宜為150000至1000000。此外，丙烯酸系黏著劑的玻璃轉移溫度，通常在20℃以下，宜為-70至0℃左右，且在常溫(23℃)下具有黏著性。
此外，黏著劑層係以由含有藉由紫外線等能量線的照射而具有再剝離性之能量線硬化性黏著劑的組成物形成者為佳。能量線硬化性之黏著劑，一般而言，以上述(甲基)丙烯酸酯共聚物與能量線聚合性化合物為主成分。
就能量線聚合性化合物而言，廣泛使用例如在因光照射而三次元網狀化之分子內至少具有2個以上光聚合性碳-碳雙鍵結的低分子量化合物。具體而言，使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或二丙烯酸1, 4-丁二醇酯、二丙烯酸1, 6-己二醇酯、二丙烯酸聚乙二醇酯、丙烯酸寡酯、丙烯酸胺甲酸酯等。
能量線硬化性之黏著層中的(甲基)丙烯酸酯共聚物與能量線硬化性化合物的調配比，係相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100重量份使用能量線硬化性化合物10至1000重量份，宜使用20至500重量份，尤宜期望使用50至200重量份範圍的量。在此情形下，所得黏著薄片之初期的黏著力大，且在照射能量線後黏著力會大幅下降。因此在切割時可確實地保持晶圓、晶片，且由於拾取時因照射能量線使黏著力大幅下降，而能確實地拾取。
此外，能量線硬化性黏著劑亦可從側鏈具有能量線聚 合性基之能量線硬化型共聚物形成。如此之能量線硬化型共聚物係兼具有黏著性與能量性硬化性的性質。於側鏈具有能量線聚合性基之能量線硬化型共聚物，係可舉出在如上述之(甲基)丙烯酸酯共聚物設有具備能量線聚合性碳-碳雙鍵者，例如令能與(甲基)丙烯酸酯共聚物反應之取代基和含有能量線聚合性碳-碳雙鍵之化合物，與(甲基)丙烯酸酯共聚物進行反應而可藉此獲得。
在使用紫外線作為能量線的情形，以在黏著劑層中調配光聚合起始劑為佳。作為光聚合起始劑，具體而言可舉出，二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻(benzoin)、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2, 4-二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、苯甲基二苯基硫醚、四甲基甲硫碳醯單硫(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮雙異丁腈、苯偶醯、二苯偶醯、雙乙醯、β-氯蒽醌、或2, 4, 6-三甲基苯甲醯基二苯膦氧化物等。
光聚合起始劑之調配比例，係依據黏著劑層中之能量線聚合性化合物或能量線聚合性基的比例或反應性而有所不同，但一般而言相對於能量線硬化型黏著劑(能量線硬化型共聚物)100質量份，係使用0.1至10質量份，宜使用0.5至5質量份。
再者，黏著劑層係調配含環氧基之化合物而成。
就本發明使用之含環氧基之化合物而言，可舉出於分 子內至少具有1個環氧基，且能藉由環氧硬化劑加熱硬化的化合物，可舉出例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、聯苯型、酚酚醛清漆型(phenol novolac)、甲酚酚醛清漆型之環氧樹脂等。
含環氧基之化合物之分子量以相對性較低為佳，係為300至2000，宜為350至1000。只要分子量在此範圍，存在於貼合後之晶片與黏著劑之界面的含環氧基之化合物就變得容易轉印至晶片側，具有將晶片之拾取力降低的效果。
含環氧基之化合物，由於以與(甲基)丙烯酸酯共聚物之反應性為非活性為佳，故以不具備如胺基等令環氧基活性化之官能基的化合物為佳。
含環氧基之化合物的調配比例，係依據含環氧基之化合物的種類而無法一概地決定，但一般而言係在構成黏著劑層之總成分的合計100質量份中，使用0.5至50質量份，宜使用2.5至25質量份左右。
上述之含環氧基之化合物的調配比例，係顯示加入時的組成，但上述含環氧基之化合物以游離的狀態包含於黏著劑層中。亦即，黏著劑層係包含有“游離之含環氧基之化合物”。在此，所謂的游離狀態係為含環氧基之化合物與(甲基)丙烯酸酯共聚物為實質性未反應狀態，且含環氧基之化合物為未被捕捉至(甲基)丙烯酸酯共聚物之凝膠(gel)成分之基質(matrix)中的狀態。具體而言，藉由黏著劑溶膠(sol)成分之環氧基的滴定，可判斷是否有未反應之含環氧基之化合物。在本發明中，以環氧當量之逆數的 1000倍所表示的「環氧指數」進行評價。「環氧指數」係表示試料每1kg之環氧基的量，在本發明中，測定黏著劑之溶膠成分中之環氧基的量，將其設為黏著劑全體(包含溶膠成分與凝膠成分)之每1kg的值的換算值。環氧指數的值，宜為0.05eq/kg以上，較宜為0.1至2.0eq/kg。另外，此「環氧指數」的值，係為藉由後述之實施例的測定方法所得的值。
因此，在本發明之黏著劑層，實質性地不含具有令上述含環氧基之化合物聚合之作用的物質(環氧硬化劑)。若在黏著劑層中含有環氧硬化劑，在半導體晶圓之貼合後，含環氧基之化合物會硬化，有令半導體晶圓與黏著劑層黏著的情事，而成為拾取不良的原因。就實質上不含有的環氧硬化劑而言，可舉出胺類、有機酸、酸酐、酚樹脂、脲樹脂、聚醯胺。
在如上述之本發明中的黏著劑層，實質上僅由黏著成分以及含環氧基之化合物所構成。在此，黏著成分係如上述，可為能量線硬化性之黏著成分。
此外，在本發明之黏著劑層，除了黏著成分以及含環氧基之化合物以外，亦可在不損及本發明之主旨的範圍調配其他成分。就其他成分而言，除前述之光聚合起始劑外，可舉出交聯劑(上述黏著成分用之交聯劑)、無機填充材、可塑劑、帶電防止劑、抗氧化劑、抗老化劑、顏料、染料等。
就交聯劑而言，可使用多元異氰酸酯化合物、多元氮 丙啶化合物、螯合化合物等公知物。就多元異氰酸酯化合物而言，可使用二異氰酸伸甲苯酯、二苯甲烷二異氰酸酯、二異氰酸六亞甲基酯、異佛酮二異氰酸酯、以及此等化合物之多元異氰酸酯與多元醇之附加物等。就多元氮丙啶化合物而言，可使用參-2, 4, 6-(1-氮丙啶基)-1, 3, 5-三、參[1-(2-甲基)氮丙啶基]三磷三等。此外，就螯合化合物而言可使用乙醯乙酸乙酯二異丙酸鋁、參(乙基乙醯乙酸)鋁等。此等化合物可單獨使用，亦可混合使用。
交聯劑通常以相對於黏著成分100質量份為0.01至10質量份的比率使用，宜為0.1至5質量份，較宜為0.5至3質量份。
黏著劑層的厚度雖無特別限定，但通常為1至100μm，宜為5至40μm。
包含如上述之未反應含環氧基之化合物的黏著劑層，若貼合於半導體晶圓等被黏體，黏著劑層中之含環氧基之化合物會滲出，成為在與被黏體的界面形成油膜的狀態。結果，令黏著劑層不會過度地密合於被黏體，即使在剛結束研磨之晶圓背面被活性化的狀態，亦可獲得適度的剝離性。因此，使切割後之晶片的拾取不良被減低。
本發明之半導體晶圓切割用黏著帶的製造方法並未特別限定，可以於基材上將構成黏著劑層之各成分溶解或分散於適當溶劑而成之組成物塗佈的方式製造，此外亦可以於剝離膜上設置黏著劑層，並將此轉印於上述基材的方式製造。另外，在使用半導體晶圓切割用黏著帶前，為了保 護黏著劑層，亦可於黏著劑層的上面層積剝離膜。
接著，對有關本發明之半導體晶圓切割用黏著帶的製造方法進行說明。
有關本發明之半導體裝置的製造方法，首先研磨於表面形成電路之半導體晶圓的背面。半導體晶圓係可為矽晶圓，此外亦可為鎵‧砷等之化合物半導體晶圓。
於晶圓表面之電路的形成，係可藉由包含蝕刻法、掀舉(lift off)法等以往廣泛使用之各種方法進行。在半導體晶圓之電路形成步驟，形成預定的電路。如此之晶圓之研磨前的厚度並未特別限定，但通常為650至750μm左右。
此外，在研磨背面時，為了保護表面的電路，以於電路面貼合表面保護薄片為佳。就表面保護薄片而言，係無特別限制而可使用用於此用途之各種可再剝離的黏著薄片。
背面的研磨係藉由使用用以固定研磨機以及晶圓之吸附膠帶的公知手法進行。在背面研磨步驟之後，亦可進行去除研磨所產生之破碎層的處理。
背面研磨步驟後之晶圓的厚度並無特別限定，但根據本發明的目的，為了配合適用於極薄加工之串列處理，其背面研磨所完成之厚度，宜為20至100μm左右。可是，由於可適用於一般的步驟，故亦可適用於100至400μm左右之一般的完成厚度。
接著，在晶圓的背面貼合本發明之半導體晶圓切割用黏著帶，半導體晶圓切割用黏著帶的貼合，一般係藉由具 備輥子之被稱為貼片機的裝置來進行，但並無特別限定。
就半導體晶圓切割用黏著帶而言，由於上述之紫外線硬化型黏著帶可降低拾取力，故尤適合使用。依據本發明之半導體晶圓切割用黏著帶，由於藉由其貼合，包含於黏著劑層中之含環氧基之化合物會於晶圓的研磨面形成油膜，晶圓研磨面與黏著劑之相互作用會變少。因此，即使在剛結束研磨之研磨面為活性狀的晶圓，晶圓與黏著劑層也不會過度地黏著，而達成適當的剝離性，令切割後之拾取步驟的拾取性明顯地提升。
因此，本發明係尤適用於剛結束切割之研磨面為活性狀態之晶圓。亦即，本發明之效果，在使用研磨機與半導體晶圓切割用黏著帶貼合裝置成為一體之串列處理裝置的半導體裝置，對於解決其製造步驟之拾取不良的課題，有顯著的呈現。因此，依據本發明，在晶圓研磨步驟與半導體晶圓切割用黏著帶貼合步驟間，即使為0.5至3分鐘左右亦可達到期望之拾取性。
半導體晶圓之切割方法並無特別限定。舉例來說，在晶圓切割時，在半導體晶圓切割用黏著帶的週邊部，以環形框架(ring frame)固定後，以使用切片機(dicer)等旋轉圓刀等公知的手法，進行晶圓的晶片化。表面保護薄片係在半導體晶圓切割用黏著帶黏貼後，於任意的階段剝離。
接著，將所得的晶片，從半導體晶圓切割用黏著帶拾取。晶片的拾取，一般為從電路面側使用吸引筒夾進行，此外亦可在藉由吸引筒夾吸引的同時，從半導體晶圓切割 用黏著帶側以舉起針將晶片往上推起。此外，在使用能量線硬化型黏著帶作為半導體晶圓切割用黏著帶的情形，拾取晶片前，以於黏著劑層照射能量線，令黏著力降低的方式為佳。
在拾取步驟中，於舉起針之連續動作的頂部附近只要半導體晶圓切割用黏著帶的剝離充分，吸引筒夾便可夾持晶片，令拾取成為可能。在近年來之半導體的生產現場，多以提升生產性為目的而將拾取步驟中之舉起速度設定為高速。因此，使用習知的半導體晶圓切割用黏著帶會令半導體晶圓切割用黏著帶與晶片背面的密合性過高，而在舉起針之連續動作的頂部附近，晶片的剝離仍舊不充分。因此，吸引筒夾即使靠近晶片亦無法夾持住晶片而成為拾取不良。
依據本發明，藉由半導體晶圓切割用黏著帶的貼合，在半導體晶圓的背面形成含環氧基之化合物的油膜。藉此，由於晶圓背面與半導體晶圓切割用黏著帶間的相互作用變小，晶圓與半導體晶圓切割用黏著帶不會過度地黏著，而可令在切割後之晶片的拾取步驟中的拾取不良降低。
被拾取的晶片，之後以一般方法進行黏晶、樹脂密封而製造半導體裝置。在被拾取的晶片，於其背面雖然附著含環氧基之化合物的油膜，但在最終的半導體裝置，由於與使用於黏晶或樹脂密封之環氧樹脂成為一體而硬化，故不會產生殘留物帶來的不好影響。
[實施例]
以下依據實施例說明本發明，但本發明並非由此等實施例所限定者。
另外，在以下的實施例以及比較例中，「拾取時間」、「拾取力」之評估以以下方式進行。
將矽製之測試晶圓(dummy wafer，直徑125mm，厚度650μm)使用研磨裝置研磨至厚度350μm為止。在結束研磨裝置之研磨處理後的5分鐘內將實施例以及比較例的半導體晶圓切割用黏著帶貼合至晶圓研磨面。接著，在結束研磨處理後的1小時內將晶圓進行切割成10mm×10mm之晶片大小。並進一步在切割後6小時內於半導體晶圓切割用黏著帶將作為能量線之紫外線從基材面照射。在紫外線照射後12至24小時之期間將晶片拾取並測定其拾取時間(晶片從膠帶剝離的時間)與拾取力(舉起針所承擔之最大荷重)，並評估拾取性。
此外，為了比較，對於研磨後經過7天而被認為活性已消失的晶圓也同樣進行拾取性的評估。
各步驟的條件係如以下所述。
(研磨步驟)
研磨裝置：迪思科(DISCO)公司製DFG840
(半導體晶圓切割用黏著帶貼合步驟)
貼合裝置：琳得科(LINTEC)公司製RAD2500m/8
(切割步驟)
切割裝置：東京精密公司製A-WD-4000B
刀：迪思科公司製NBC-ZH2050 27HECC
切割深度：完全切斷(切入半導體晶圓切割用黏著帶30μm)
(紫外線照射步驟)
紫外線照射裝置：琳得科公司製RAD2000m/8
照度：330mW/cm2
光量：210mJ/cm2
(照度、光量的測定係使用EYE GRAPHICS公司製UV METER UVPF-36)
氮氣沖洗(purge)：有(流量30公升/分)
(拾取步驟)
舉起針數：4針
針位置：單邊長8mm之正方形的頂點
延展量：環形框架拉下2mm
針舉起量：1.5mm
舉起速度：0.3mm/秒
(環氧指數)
此外，在實施例以及比較例中，黏著劑之「環氧指數」的測定，係依據JIS K7236，以指示藥滴定法進行。就試料而言，將在半導體晶圓切割用黏著帶之製造過程中以基材上未層積狀態採取的黏著劑，於室溫老化(aging)一週再測定。將測定用之黏著劑0.1至1.0g藉由索司勒萃取器(soxhlet)以乙酸乙酯萃取而獲得溶膠成分。環氧指數的滴定，係以令乙酸乙酯溶劑揮發，並以氯仿約50ml溶解上述溶膠成分的狀態進行。另外，表1中的環氧指數係為萃取 前之黏著劑重量每1kg的換算值。
(分子量)
測定裝置：東槽(TOSOH)公司製HLC-8020、AS-8020、SD-8000、UV-8020
管柱：TSK gel GMH
流速：1.0ml/秒
溶劑：THF(四氫呋喃)
溫度：35至40℃(INLET:35℃，OVEN:40℃，RI:35℃)
樣品注入量：80μl
樣品濃度：固形物0.8至1.3%
校準曲線：聚苯乙烯換算
(實施例1)
就能量線硬化型黏著成分而言，使用下述之能量線硬化型聚合物。
於丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸羥乙酯=65/20/15(質量比)，重量平均分子量=約50萬)，令甲基丙烯醯氧基乙基丙烯酸酯反應80%當量(相對於丙烯酸聚合物100質量份為16質量份)之能量線硬化型聚合物。
在能量線硬化型聚合物100質量份，調配(皆為換算成固形份之調配比)光聚合起始劑(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製，IRGACURE(註冊商標)184)3.5質量份、含環氧基之化合物(大日本油墨化學工業(股) 製，商品名EPICRON(註冊商標)EXA-4850-150，分子量約900)10質量份，以及異氰酸酯化合物(東洋油墨製造公司製，BHS-8515)1.07質量份，成為黏著劑組成物。
將此黏著劑組成物以乾燥後之塗佈量成為10g/m2 的方式塗佈至剝離膜(琳得科公司製，SP-PET3811(S)，厚度38μm)並以100℃乾燥1分鐘後，作為基材，於單面層積施以電暈處理之乙烯‧甲基丙烯酸共聚物膜(厚度80μm，電暈處理面之表面張力為54mN/m)的電暈處理面，獲得半導體晶圓切割用黏著帶。
使用所得之半導體晶圓切割用黏著帶，以上述方法評估「拾取時間」、「拾取力」。將結果顯示於表1。
(實施例2)
除了令含環氧基之化合物之調配量為20質量份之外，以與實施例1相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
(實施例3)
就能量線硬化型黏著成分而言，使用下述之能量線硬化型聚合物，除了調配光聚合起始劑(汽巴精化公司製，IRGACURE(註冊商標)184)3.25質量份以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
於丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/丙烯酸羥乙酯=85/15(質量比)，重量平均分子量=約84萬)，令甲基丙烯醯氧基乙基丙烯酸酯反應80%當量(相對於丙烯酸聚合物100質 量份為16質量份)之能量線硬化型聚合物。
(實施例4)
就含環氧基之化合物而言，除了令日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resins)公司製，EPIKOTE(註冊商標)828(分子量370)為20質量份以外，以與實施例3相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
(實施例4)
就含環氧基之化合物而言，，除了令日本環氧樹脂公司製，EPIKOTE(註冊商標)806(分子量330)為20質量份以外，以與實施例3相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
(比較例1)
除了不使用含環氧基之化合物之外，以與實施例1以及實施例2相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
(比較例2)
除了不使用含環氧基之化合物之外，以與實施例3、實施例4、以及實施例5相同的方式獲得半導體晶圓切割用黏著帶。將結果顯示於表1。
依據表1，實施例之在剛結束研磨後的拾取性，係顯示與不使用含環氧基之化合物之比較例之研磨後7天後的拾取性相等或較其優良的數值。因此，實施例的半導體晶圓切割用黏著帶，即使在剛結束研磨晶圓背面後便貼合，亦可毫無問題地進行拾取步驟。
 (產業上的可利用性)
根據本發明，由於使用具有特殊組成的半導體晶圓切割用黏著帶，故在對於剛結束背面研磨後之晶圓面，黏著層不會過度密合，而可確實地進行在切割後的拾取。

Claims (5)

  1. 一種半導體晶圓切割用黏著帶，係將包含黏著成分與游離之含環氧基之化合物，而不包含環氧硬化劑之黏著劑層，無法剝離地層積於基材上所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述基材的黏著劑層側之面的表面張力係為45mN/m以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述黏著成分係為能量線硬化性。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓切割用黏著帶，其中，上述黏著成分係為能量線硬化性。
  5. 一種半導體裝置之製造方法，係包含：研磨於表面形成電路之半導體晶圓的背面之步驟；於該半導體晶圓之背面貼附如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體晶圓切割用黏著帶，且將該晶圓切割並晶片化之步驟；以及拾取半導體晶片之步驟。
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