JP4839520B2 - 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着シート、それを使用した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子と半導体素子塔載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などの種々の問題があった。これらの問題を解決するために、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。フィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式使おいて使用されている。
【０００３】
個片貼付け方式は、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付き支持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て、半導体素子を完成する。しかし、個片貼付け方式は、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であり、組立コストは、銀ペーストを使用する方法に比べて高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、ウェハ裏面貼付け方式は、半導体ウェハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り合わせた後、ダイシング工程によって個片化する。個片化された接着剤付き半導体素子を支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て、半導体装置を完成する。ウェハ裏面貼付け方式は、接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できるため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００５】
このウェハ裏面貼付け方式における半導体素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼り合わせた後、ダイシング工程にて行われる。その際、用いられるダイシングテープには、感圧型とＵＶ型とに大別される。感圧型テープは、通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。このダイシングテープは、切断時には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しないような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子を傷つけないようにするために、ピックアップできる程度の低い粘着力が必要である。すなわち、切断時には十分な粘着力、ピックアップ時には低い粘着力という相反する性能を満たす必要がある。そのため、感圧型のダイシングテープの場合は、粘着力の公差を小さくした、素子のサイズや加工条件にあった各種の粘着力を有する多くの品種の接着シートを揃え、工程毎に切替えていた。このため、多くの品種を在庫する必要があり、在庫管理を複雑化していた。また工程毎に、接着シートを切替える作業が必要であった。最近は、ＵＶ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力を有し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘着力にし、相反する要求に応えるダイシングテープも広く採用されている。
【０００６】
近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリは、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化する傾向にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリカードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、感圧型では、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピックアップ時の剥離性（低粘着力）という相反する要求を満足できなくなりつつある。
【０００７】
一方、ＵＶ型を使用したウェハ裏面貼付け方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートを提供することを目的とする。また、この接着シートは、半導体素子搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作業性に優れる接着シートである。本発明は、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の接着シートは、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、および（Ｃ）放射線重合性化合物を含有してなる粘接着層と、表面張力が４０mN/mを超える基材層と、を有してなる、熱重合性および放射線重合性を有する接着シートである。
【００１０】
本発明はまた、前記粘接着層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜４００重量部含有する接着シートである。
【００１１】
さらに本発明は、上記の（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である接着シートである。
【００１２】
本発明はまた、粘接着層が、２５℃で１０〜２０００MPa、および２６０℃で３〜５０MPaの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する接着シートである。
【００１３】
本発明はさらに、（１）上記の粘接着層と基材を有してなる接着シートを、前記粘接着層を介して半導体ウェハに貼り付ける工程と、（２）ダイシング前またはダイシング後のいずれかにおいて、前記接着シートに放射線を照射して前記粘接着層を硬化させ、その後前記基材を剥離する工程と、（３）前記半導体ウェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を形成する工程と、（４）前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記接着シートを介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の接着シートは、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、および（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体を５〜４００重量部含有する粘接着層と、基材層とを有する。これにより、熱重合性および放射線重合性の両方の性質を備える接着シートを得ることができる。
【００１５】
この接着シートは、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、ピックアップ時には各素子を傷つけることがないような低い粘着力を有する、という相反する要求を満足するものであり、ダイボンドおよびダイシングの各工程を、一枚のフィルムで完了することを可能とする。
【００１６】
本発明に使用する、（Ａ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００１７】
このようなエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、および東都化成（株）製、商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、およびダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、および東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、およびナガセ化成（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート６０４、東都化成（株）製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、および住友化学（株）製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０などが、脂環式エポキシ樹脂としては、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００１８】
本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂のようなフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。
【００１９】
好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０などが挙げられる。
【００２０】
本発明に使用する（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００２１】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、たとえば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
【００２２】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどを使用するのが好ましい。このような重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、帝国化学産業（株）製ＨＴＲ―８６０Ｐ−３などが挙げられる。
【００２３】
グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有反復単位の量は、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
【００２４】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートのほかに、たとえば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。
【００２５】
上記モノマーを重合させて、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００２６】
本発明において、（Ｂ）官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可撓性、およびタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００２７】
また、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、１０〜４００重量部が好ましい。この範囲にあると、弾性率および成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性も十分に得られる。高分子量成分の使用量は、１５〜３５０重量部がより好ましく、２０〜３００重量部が特に好ましい。
【００２８】
本発明に使用する（Ｃ）放射線重合性化合物は、特に限定されない。たとえば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、および下記一般式（Ｉ）：
【００２９】
【化１】
【００３０】
（式中、Ｒ7は水素またはメチル基を示し、ｑおよびｒは１以上の整数である）で表される化合物、ジオール類、および下記一般式（II）：
【００３１】
【化２】
（式中、ｎは０〜１の整数であり、Ｒ1は炭素原子数が１〜３０の２価または３価の有機基である）
で表されるイソシアネート化合物と下記一般式（III）：
【００３２】
【化３】
【００３３】
（式中、Ｒ2は水素またはメチル基であり、Ｒ3はエチレン基またはプロピレン基である）
で表される化合物を反応して得られるウレタンアクリレートまたはウレタンメタクリレート、および下記一般式（IV）：
【００３４】
【化４】
【００３５】
（式中、Ｒ1は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を示す）
で表されるジアミンと下記一般式（Ｖ）：
【００３６】
【化５】
【００３７】
（式中、ｎは０〜１の整数である）
で表されるイソシアネート化合物を反応して得られる尿素メタクリレート、ならびにビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環基、イソシアナト基、水酸基、カルボキシル基などの１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、オキシラン環基、酸無水物等の官能基を有し、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体などが挙げられる。これらの放射線重合化合物は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて、使用することができる。
【００３８】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤は、特に限定されず、各種イミダゾール類を用いることができる。たとえば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートなどが挙げられ、これらは単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３９】
硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．１〜５重量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好ましい。添加量がこの範囲にあると、硬化性と保存安定性が両立することができる。
【００４０】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、たとえば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトン；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル類；メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン類；ベンジルジメチルケタールなどのベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などの２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタンなどのアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。上記光重合開始剤の使用量としては、特に限定されないが、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体１００重量部に対して、０．０１〜３０重量部である。
【００４１】
本発明の接着シートを形成する粘接着層は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が、２５℃で１０〜２０００MPaであり、２６０℃で３〜５０MPaであることが好ましい。２５℃での弾性率は、２０〜１９００MPaがより好ましく、５０〜１８００MPaが特に好ましい。また、２６０℃での弾性率は、５〜５０MPaがより好ましく、７〜５０MPaが特に好ましい。貯蔵弾性率がこの範囲にあると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、接着剤の取り扱い性、接着剤層の厚み精度、リフロークラックの発生を抑制できる。
【００４２】
この貯蔵弾性率は、たとえば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Hz、昇温速度５〜１０℃／minの条件で−５０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって行うことができる。
【００４３】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、可撓性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４４】
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、４０重量部以下とするのが好ましい。この範囲であると、エポキシ樹脂層のＴｇを確保できる。
【００４５】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に限定されず、たとえば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが挙げられる。フィラーの形状は特に限定されるものではない。これらのフィラーは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４６】
なかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
【００４７】
無機フィラーの使用量は、粘接着層１００体積部に対して、１〜２０体積部が好ましい。この範囲にあると、接着剤層の貯蔵弾性、接着性、ボイド残存による電気特性のいずれもが確保できる。
【００４８】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、たとえば、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、なかでも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００４９】
シラン系カップリング剤としては、特に限定されず、たとえば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス−（２−メトキシエトキシ）シランなどのビニル基含有シラン類；３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのメタクリロイル基含有シラン類；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランなどのエポキシ基含有シラン類；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル（メチル）ジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル）プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シラン類；３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピル（メチル）ジメトキシシランなどのメルカプト基含有シラン類；３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどのウレイド基含有シラン類；トリメチルシリルイソシアネート、メチルトリイソシアナトシラン、ビニルトリイソシアナトシラン、フェニルトリイソシアナトシラン、テトライソシアナトシランなどのイソシアナト基含有シラン類；３−クロロプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピル（メチル）ジエトキシシランのような炭素官能性クロロ含有シラン類；３−シアノプロピルトリエトキシシランのようなシアノ基含有シラン類；オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロリドのような第四級アンモニウム基含有シラン類などを使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することができる。
【００５０】
また、チタン系カップリング剤としては、たとえば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネートダイマー、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピルビス（トリエタノールアミノ）チタネート、オクチレングリコールチタネート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
アルミニウム系カップリング剤としては、たとえば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウムモノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウムジイソプロポキシドモノエチルアセトアセテートなどのアルミニウムキレート化合物；アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓ−ブチレート、アルミニウムエチレートなどのアルミニウムアルコレートなどが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性およびコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し、０．１〜１０重量部とするのが好ましい。
【００５３】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、イオン性不純物を吸着して吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤をさらに添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に限定されず、たとえば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などの、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物；ジルコニウム系、アンチモン系、ビスマス系、マグネシウム系、またはアルミニウム系などの無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００５４】
イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コストなどの点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、１〜１０重量部とするのが好ましい。
【００５５】
本発明の接着シートは、接着シートを形成する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布、加熱し、溶剤を除去することによって得ることができる。
【００５６】
本発明の接着シートに用いる基材としては、４０mN/mを超える表面張力を有するものであれば特に限定されない。たとえば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポイエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリイミドなどのプラスチックフィルムを使用することができる。
【００５７】
本発明の接着シートに用いる基材は、その表面張力が４０mN/mを超えるものである。好ましくは４０mN/mを超え８０mN/m以下であり、さらに好ましくは４０mN/mを超え６０mN/m以下である。接着シートに用いる基材の表面張力が４０mN/mを超えるものであると、接着シートにダイシング加工すべき半導体ウエハを圧着してダイシングする際、接着シートと基材の接着強度が充分にあり、接着シートと基材間で界面剥離してダイシング加工した半導体素子の陥落を引き起こすおそれがないからである。
【００５８】
本発明の接着シートは、ダイシング工程終了後、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着シートを重合硬化せしめ、接着シートと基材界面の接着力を低下させて、半導体素子のピックアップを可能にするものである。従来の接着シートの場合、基材の表面張力が４０mN/mを超えると、接着シートと基材界面の接着力の低下が充分でなく、ピックアップ性に劣る傾向があった。しかし、本発明の接着シートは、基材の表面張力が４０mN/mを超えていても、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線照射後に、接着シートと基材界面の接着力が充分に低下し、半導体素子のピックアップ性が良好になる。したがって、従来は、基材の表面張力を４０mN/m以下にするために、使用する基材フィルムに表面処理をしていたが、本発明の接着シートでは、基材フィルムを表面処理する必要がなく、コスト的にも有利になる。
【００５９】
また、上記のワニス化するための溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、たとえば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６０】
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、三本ロール、ボールミル、またはビーズミルなどを使用するのが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニス化した後、真空脱気などによってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００６１】
基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができる。たとえば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法などが挙げられる。
【００６２】
接着シートの厚みは、特に限定されないが、粘接着層、基材ともに５〜２５０μmが好ましい。この範囲にあると、応力緩和効果を十分に発揮できるともに、経済的であり、さらに、半導体装置の小型化の要求に応えることができるからである。
【００６３】
また、本発明の接着シートは、所望の厚さを得るために、接着シートの粘接着層側に、別途作成した粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。
【００６４】
以上、説明した本発明の接着シートに放射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は大きく低下し、半導体素子に接着層を保持したまま、接着シートを基材フィルムから容易にピックアップすることができる。
【００６５】
次に、本発明に係る接着シートを使用した半導体装置の製造方法について説明する。接着シート上にダイシング加工すべき半導体ウェハを室温または加熱しながら圧着し、ダイシング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体素子は、接着シートに充分に接着保持されているので、各工程の間に半導体素子が脱落することはない。
【００６６】
次いで、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着シートを重合硬化させる。その結果、放射線重合性を有する接着シートと接着シートの基材フィルムとの間の粘着力は、半導体素子をピックアップできる程度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせることによって、所望の半導体素子間隔が容易に得られ、ピックアップが容易になる。
【００６７】
接着シートへの放射線照射は、放射線重合性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを用いる場合には、接着シートの基材フィルムは光透過性である必要はない。しかし、放射線としてＵＶを用いる場合には、接着シートの基材フィルムは光透過性である必要がある。
【００６８】
エキスパンディング工程後、半導体素子を放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支持部材に室温または加熱しながら圧着し、そして加熱する。加熱によって、接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半導体素子と支持部材の接着が完了する。
【００６９】
【実施例】
以下、本発明を実施例用いてより詳細に説明する。本発明は、これらに限定されるものではない。
【００７０】
（合成例１）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテル９０．０重量部およびトルエン６０．０重量部を仕込み、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８０℃±２℃に保ちながら、メタクリル酸エチル４５．０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル３５．０重量部、メタクリル酸２０．０重量部、および２，２′−アゾビスイソブチロニトリル１．０重量部の混合液を、４時間かけて均一に滴下した。滴下後、８０℃±２℃で６時間攪拌を続けた後、ヒドロキノン０．０５重量部を添加した。ヒドロキノン添加後、反応系を１００℃に昇温し、メタクリル酸グリシジル３３．０重量部、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド０．１重量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル３０．０重量部、およびトルエン２０．０重量部の混合液を、０．５時間かけて滴下した。滴下後、１００℃で２０時間攪拌を続けた後、室温に冷却して、重量平均分子量が２８，０００、ガラス転移温度が約５℃の、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性化合物（Ａ−１）を得た。
【００７１】
（合成例２）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、イソホロンジイソシアネート（ダイセル・ヒュルス（株）製、商品名：ＶＥＳＴＡＮＡＴ ＩＰＤＩ）８８８重量部および酢酸エチル７８９重量部を仕込み、７０℃に昇温後７０〜７５℃に保温し、２−ヒドロキシエチルアクリレート２３２重量部、数平均分子量約６５０のポリオキシテトラメチレングリコール（保土ヶ谷化学（株）製、商品名：ＰＴＧ６５０ＳＮ）１９５０重量部、ヒドロキノンモノメチルエーテル１．５３重量部、ジブチルスズジラウレート（東京ファインケミカル（株）製、商品名：Ｌ１０１）１．５３重量部、および酢酸エチル５２６重量部の混合液体を、３時間かけて均一に滴下し、反応を行った。滴下完了後、約５時間反応させ、ＩＲ測定によってイソシアネート基が消失したことを確認して反応を終了し、放射線重合性化合物（Ａ−２）を得た。
【００７２】
（合成例３）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン１９７．０６ｇ（０．４８モル）およびγ−ブチロラクトン３１８．１４ｇを仕込んだ後、３０℃に昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート５０．４ｇ（０．２４モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃で１時間反応を続けた後、イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工（株）製、商品名：カレンズＭＯＩ）７０．６８ｇ（０．４５６モル）およびヒドロキノンモノメチルエーテル０．３１８ｇを、３０℃に保ちながら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間反応を続け、放射線重合化合物（Ａ−３）を得た。
【００７３】
（実施例１）
エポキシ当量２１０のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）４２．３重量部、ビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２）２３．９重量部、分子量１００万、Ｔｇ−７℃を有するエポキシ基含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）４４．１重量部、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．４重量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＵＣＡ−１８７）０．７重量部、合成例１で得られた側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性化合物（Ａ−１）２２．０５重量部、および１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．５重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、表面張力５０mN/mを有する厚さ５０μmのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名：Ｇ２−５０）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（接着シート１）を作製した。
【００７４】
この接着シート１を１７０℃で１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定した結果、２５℃で３６０MPa、２６０℃で４MPaであった。なお、サンプルサイズは、長さ２０mm、幅４mm、膜厚５０μm、測定条件は、昇温速度５℃／min、引張りモード、１０Hz、自動静荷重であった。
【００７５】
得られた接着シート１を用いて、半導体チップと、厚み２５μmのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板と、を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性および耐湿性を調べた。
【００７６】
耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃で、この温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温に放置することにより冷却する処理を２回繰り返し、サンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生していないものを○とし、発生していたものを×とした。耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において、超音波顕微鏡を用いて剥離やクラックなどの破壊が発生していないものを○、発生したものを×とした。
【００７７】
また、耐湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×１０5Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察することにより行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離のあったものを×とした。
【００７８】
一方、接着シート１を厚さ１５０μmのシリコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェハをダイシング装置上に固定して５mm×５mmにダイシングした後、露光機（（株）オーク製作所製、商品名：ＵＶ−３３０、ＨＱＰ−２型）を使用して、５００mJ/cm2の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、ピックアップ装置にてダイシングしたチップをピックアップし、ダイシング時のチップ飛びおよびピックアップ性を評価した。
【００７９】
さらに、上記接着シート付きシリコンウェハに、５００mJ/cm2の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、露光前後の接着シート／基材界面の接着強度を、引張り速度５０m/minの条件で、９０℃ピール強度で測定した。これらの評価結果をまとめて表１に示す。
【００８０】
（実施例２）
放射線重合性化合物として、実施例１の放射線重合性化合物（Ａ−１）の代わりに、合成例２で得られた放射線重合性化合物（Ａ−２）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが５０μmの接着シート２）を作製した。
【００８１】
接着シート２を上記と同様にして、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を測定したところ、２５℃で３５０MPa、２６０℃で２MPaであった。また、接着シート２を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８２】
（実施例３）
放射線重合性化合物として、実施例１の放射線重合性化合物（Ａ−１）の代わりに、合成例３で得られた放射線重合性化合物（Ａ−３）を使用した以外は実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが５０μmの接着シート３）を作製した。
【００８３】
接着シート３を上記と同様にして、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を測定したところ、２５℃で３８０MPa、２６０℃で５MPaであった。また、接着シート３を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８４】
（比較例１）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例１のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（テイジン（株）製、商品名：ピュ−レックスＳ−３１）を使用し、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例１と同様にして、接着シート４を得た。得られた接着シート４を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８５】
（比較例２）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例２のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレート（テイジン（株）製、ピュ−レックスＳ−３１）にし、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例２と同様にして、接着シート５を得た。得られた接着シート５を実施例２と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８６】
（比較例３）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例３のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレート（テイジン（株）製、商品名：ピュ−レックスＳ−３１）を使用し、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例３と同様にして、接着シート６を得た。得られた接着シート６を実施例３と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８７】
（比較例４）
実施例１に使用した、放射線重合性化合物（Ａ−１）および１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含まない組成物で接着シートを作製した以外は実施例１と同様にして、接着シート７を作製した。接着シート７は、１７０℃で１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率は、２５℃で３８０MPa、２６０℃で５MPaであった。得られた接着シート７を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
【００８９】
表１から、本発明の接着シートは耐熱性および耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピックアップ性も良好である。さらに、露光前後の接着強度差が大きいため、作業条件の許容度が大きく、作業性に優れるものである。
【００９０】
【発明の効果】
本発明の接着シートは、ダイシング工程ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用することができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。また、本発明の接着シートの使用した半導体装置の製造方法は、製造工程を簡略化でき、しかも製造した半導体装置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性および作業性を兼ね備える有ものである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着シート、それを使用した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子と半導体素子塔載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などの種々の問題があった。これらの問題を解決するために、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。フィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式使おいて使用されている。
【０００３】
個片貼付け方式は、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付き支持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て、半導体素子を完成する。しかし、個片貼付け方式は、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であり、組立コストは、銀ペーストを使用する方法に比べて高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、ウェハ裏面貼付け方式は、半導体ウェハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り合わせた後、ダイシング工程によって個片化する。個片化された接着剤付き半導体素子を支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て、半導体装置を完成する。ウェハ裏面貼付け方式は、接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できるため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００５】
このウェハ裏面貼付け方式における半導体素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼り合わせた後、ダイシング工程にて行われる。その際、用いられるダイシングテープには、感圧型とＵＶ型とに大別される。感圧型テープは、通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。このダイシングテープは、切断時には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しないような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子を傷つけないようにするために、ピックアップできる程度の低い粘着力が必要である。すなわち、切断時には十分な粘着力、ピックアップ時には低い粘着力という相反する性能を満たす必要がある。そのため、感圧型のダイシングテープの場合は、粘着力の公差を小さくした、素子のサイズや加工条件にあった各種の粘着力を有する多くの品種の接着シートを揃え、工程毎に切替えていた。このため、多くの品種を在庫する必要があり、在庫管理を複雑化していた。また工程毎に、接着シートを切替える作業が必要であった。最近は、ＵＶ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力を有し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘着力にし、相反する要求に応えるダイシングテープも広く採用されている。
【０００６】
近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリは、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化する傾向にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリカードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、感圧型では、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピックアップ時の剥離性（低粘着力）という相反する要求を満足できなくなりつつある。
【０００７】
一方、ＵＶ型を使用したウェハ裏面貼付け方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートを提供することを目的とする。また、この接着シートは、半導体素子搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作業性に優れる接着シートである。本発明は、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の接着シートは、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、および（Ｃ）放射線重合性化合物を含有してなる粘接着層と、表面張力が４０mN/mを超える基材層と、を有してなる、熱重合性および放射線重合性を有する接着シートである。
【００１０】
本発明はまた、前記粘接着層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜４００重量部含有する接着シートである。
【００１１】
さらに本発明は、上記の（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である接着シートである。
【００１２】
本発明はまた、粘接着層が、２５℃で１０〜２０００MPa、および２６０℃で３〜５０MPaの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する接着シートである。
【００１３】
本発明はさらに、（１）上記の粘接着層と基材を有してなる接着シートを、前記粘接着層を介して半導体ウェハに貼り付ける工程と、（２）ダイシング前またはダイシング後のいずれかにおいて、前記接着シートに放射線を照射して前記粘接着層を硬化させ、その後前記基材を剥離する工程と、（３）前記半導体ウェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を形成する工程と、（４）前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記接着シートを介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の接着シートは、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、および（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体を５〜４００重量部含有する粘接着層と、基材層とを有する。これにより、熱重合性および放射線重合性の両方の性質を備える接着シートを得ることができる。
【００１５】
この接着シートは、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、ピックアップ時には各素子を傷つけることがないような低い粘着力を有する、という相反する要求を満足するものであり、ダイボンドおよびダイシングの各工程を、一枚のフィルムで完了することを可能とする。
【００１６】
本発明に使用する、（Ａ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００１７】
このようなエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、および東都化成（株）製、商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、およびダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、および東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、およびナガセ化成（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製、商品名：エピコート６０４、東都化成（株）製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、および住友化学（株）製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０などが、脂環式エポキシ樹脂としては、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００１８】
本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂のようなフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。
【００１９】
好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０などが挙げられる。
【００２０】
本発明に使用する（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００２１】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、たとえば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
【００２２】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどを使用するのが好ましい。このような重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、帝国化学産業（株）製ＨＴＲ―８６０Ｐ−３などが挙げられる。
【００２３】
グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有反復単位の量は、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
【００２４】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートのほかに、たとえば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。
【００２５】
上記モノマーを重合させて、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００２６】
本発明において、（Ｂ）官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可撓性、およびタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００２７】
また、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、１０〜４００重量部が好ましい。この範囲にあると、弾性率および成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性も十分に得られる。高分子量成分の使用量は、１５〜３５０重量部がより好ましく、２０〜３００重量部が特に好ましい。
【００２８】
本発明に使用する（Ｃ）放射線重合性化合物は、特に限定されない。たとえば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、および下記一般式（Ｉ）：
【００２９】
【化１】
（式中、Ｒ7は水素またはメチル基を示し、ｑおよびｒは１以上の整数である）で表される化合物、ジオール類、および下記一般式（II）：
【００３１】
【化２】
で表されるイソシアネート化合物と下記一般式（III）：
【００３２】
【化３】
（式中、Ｒ2は水素またはメチル基であり、Ｒ3はエチレン基またはプロピレン基である）
で表される化合物を反応して得られるウレタンアクリレートまたはウレタンメタクリレート、および下記一般式（IV）：
【００３４】
【化４】
（式中、Ｒ1は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を示す）
で表されるジアミンと下記一般式（Ｖ）：
【００３６】
【化５】
（式中、ｎは０〜１の整数である）
で表されるイソシアネート化合物を反応して得られる尿素メタクリレート、ならびにビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環基、イソシアナト基、水酸基、カルボキシル基などの１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、オキシラン環基、酸無水物等の官能基を有し、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体などが挙げられる。これらの放射線重合化合物は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて、使用することができる。
【００３８】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤は、特に限定されず、各種イミダゾール類を用いることができる。たとえば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートなどが挙げられ、これらは単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３９】
硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．１〜５重量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好ましい。添加量がこの範囲にあると、硬化性と保存安定性が両立することができる。
【００４０】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、たとえば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトン；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル類；メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン類；ベンジルジメチルケタールなどのベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などの２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタンなどのアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。上記光重合開始剤の使用量としては、特に限定されないが、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体１００重量部に対して、０．０１〜３０重量部である。
【００４１】
本発明の接着シートを形成する粘接着層は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が、２５℃で１０〜２０００MPaであり、２６０℃で３〜５０MPaであることが好ましい。２５℃での弾性率は、２０〜１９００MPaがより好ましく、５０〜１８００MPaが特に好ましい。また、２６０℃での弾性率は、５〜５０MPaがより好ましく、７〜５０MPaが特に好ましい。貯蔵弾性率がこの範囲にあると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、接着剤の取り扱い性、接着剤層の厚み精度、リフロークラックの発生を抑制できる。
【００４２】
この貯蔵弾性率は、たとえば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Hz、昇温速度５〜１０℃／minの条件で−５０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって行うことができる。
【００４３】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、可撓性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４４】
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、４０重量部以下とするのが好ましい。この範囲であると、エポキシ樹脂層のＴｇを確保できる。
【００４５】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に限定されず、たとえば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが挙げられる。フィラーの形状は特に限定されるものではない。これらのフィラーは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４６】
なかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
【００４７】
無機フィラーの使用量は、粘接着層１００体積部に対して、１〜２０体積部が好ましい。この範囲にあると、接着剤層の貯蔵弾性、接着性、ボイド残存による電気特性のいずれもが確保できる。
【００４８】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、たとえば、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、なかでも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００４９】
シラン系カップリング剤としては、特に限定されず、たとえば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス−（２−メトキシエトキシ）シランなどのビニル基含有シラン類；３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのメタクリロイル基含有シラン類；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランなどのエポキシ基含有シラン類；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル（メチル）ジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル）プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シラン類；３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピル（メチル）ジメトキシシランなどのメルカプト基含有シラン類；３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどのウレイド基含有シラン類；トリメチルシリルイソシアネート、メチルトリイソシアナトシラン、ビニルトリイソシアナトシラン、フェニルトリイソシアナトシラン、テトライソシアナトシランなどのイソシアナト基含有シラン類；３−クロロプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピル（メチル）ジエトキシシランのような炭素官能性クロロ含有シラン類；３−シアノプロピルトリエトキシシランのようなシアノ基含有シラン類；オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロリドのような第四級アンモニウム基含有シラン類などを使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することができる。
【００５０】
また、チタン系カップリング剤としては、たとえば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネートダイマー、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピルビス（トリエタノールアミノ）チタネート、オクチレングリコールチタネート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
アルミニウム系カップリング剤としては、たとえば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウムモノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウムジイソプロポキシドモノエチルアセトアセテートなどのアルミニウムキレート化合物；アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓ−ブチレート、アルミニウムエチレートなどのアルミニウムアルコレートなどが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性およびコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し、０．１〜１０重量部とするのが好ましい。
【００５３】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、イオン性不純物を吸着して吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤をさらに添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に限定されず、たとえば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などの、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物；ジルコニウム系、アンチモン系、ビスマス系、マグネシウム系、またはアルミニウム系などの無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００５４】
イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コストなどの点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、１〜１０重量部とするのが好ましい。
【００５５】
本発明の接着シートは、接着シートを形成する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布、加熱し、溶剤を除去することによって得ることができる。
【００５６】
本発明の接着シートに用いる基材としては、４０mN/mを超える表面張力を有するものであれば特に限定されない。たとえば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポイエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリイミドなどのプラスチックフィルムを使用することができる。
【００５７】
本発明の接着シートに用いる基材は、その表面張力が４０mN/mを超えるものである。好ましくは４０mN/mを超え８０mN/m以下であり、さらに好ましくは４０mN/mを超え６０mN/m以下である。接着シートに用いる基材の表面張力が４０mN/mを超えるものであると、接着シートにダイシング加工すべき半導体ウエハを圧着してダイシングする際、接着シートと基材の接着強度が充分にあり、接着シートと基材間で界面剥離してダイシング加工した半導体素子の陥落を引き起こすおそれがないからである。
【００５８】
本発明の接着シートは、ダイシング工程終了後、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着シートを重合硬化せしめ、接着シートと基材界面の接着力を低下させて、半導体素子のピックアップを可能にするものである。従来の接着シートの場合、基材の表面張力が４０mN/mを超えると、接着シートと基材界面の接着力の低下が充分でなく、ピックアップ性に劣る傾向があった。しかし、本発明の接着シートは、基材の表面張力が４０mN/mを超えていても、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線照射後に、接着シートと基材界面の接着力が充分に低下し、半導体素子のピックアップ性が良好になる。したがって、従来は、基材の表面張力を４０mN/m以下にするために、使用する基材フィルムに表面処理をしていたが、本発明の接着シートでは、基材フィルムを表面処理する必要がなく、コスト的にも有利になる。
【００５９】
また、上記のワニス化するための溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、たとえば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６０】
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、三本ロール、ボールミル、またはビーズミルなどを使用するのが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニス化した後、真空脱気などによってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００６１】
基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができる。たとえば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法などが挙げられる。
【００６２】
接着シートの厚みは、特に限定されないが、粘接着層、基材ともに５〜２５０μmが好ましい。この範囲にあると、応力緩和効果を十分に発揮できるともに、経済的であり、さらに、半導体装置の小型化の要求に応えることができるからである。
【００６３】
また、本発明の接着シートは、所望の厚さを得るために、接着シートの粘接着層側に、別途作成した粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。
【００６４】
以上、説明した本発明の接着シートに放射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は大きく低下し、半導体素子に接着層を保持したまま、接着シートを基材フィルムから容易にピックアップすることができる。
【００６５】
次に、本発明に係る接着シートを使用した半導体装置の製造方法について説明する。接着シート上にダイシング加工すべき半導体ウェハを室温または加熱しながら圧着し、ダイシング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体素子は、接着シートに充分に接着保持されているので、各工程の間に半導体素子が脱落することはない。
【００６６】
次いで、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着シートを重合硬化させる。その結果、放射線重合性を有する接着シートと接着シートの基材フィルムとの間の粘着力は、半導体素子をピックアップできる程度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせることによって、所望の半導体素子間隔が容易に得られ、ピックアップが容易になる。
【００６７】
接着シートへの放射線照射は、放射線重合性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを用いる場合には、接着シートの基材フィルムは光透過性である必要はない。しかし、放射線としてＵＶを用いる場合には、接着シートの基材フィルムは光透過性である必要がある。
【００６８】
エキスパンディング工程後、半導体素子を放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支持部材に室温または加熱しながら圧着し、そして加熱する。加熱によって、接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半導体素子と支持部材の接着が完了する。
【００６９】
【実施例】
以下、本発明を実施例用いてより詳細に説明する。本発明は、これらに限定されるものではない。
【００７０】
（合成例１）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテル９０．０重量部およびトルエン６０．０重量部を仕込み、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８０℃±２℃に保ちながら、メタクリル酸エチル４５．０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル３５．０重量部、メタクリル酸２０．０重量部、および２，２′−アゾビスイソブチロニトリル１．０重量部の混合液を、４時間かけて均一に滴下した。滴下後、８０℃±２℃で６時間攪拌を続けた後、ヒドロキノン０．０５重量部を添加した。ヒドロキノン添加後、反応系を１００℃に昇温し、メタクリル酸グリシジル３３．０重量部、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド０．１重量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル３０．０重量部、およびトルエン２０．０重量部の混合液を、０．５時間かけて滴下した。滴下後、１００℃で２０時間攪拌を続けた後、室温に冷却して、重量平均分子量が２８，０００、ガラス転移温度が約５℃の、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性化合物（Ａ−１）を得た。
【００７１】
（合成例２）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、イソホロンジイソシアネート（ダイセル・ヒュルス（株）製、商品名：ＶＥＳＴＡＮＡＴ ＩＰＤＩ）８８８重量部および酢酸エチル７８９重量部を仕込み、７０℃に昇温後７０〜７５℃に保温し、２−ヒドロキシエチルアクリレート２３２重量部、数平均分子量約６５０のポリオキシテトラメチレングリコール（保土ヶ谷化学（株）製、商品名：ＰＴＧ６５０ＳＮ）１９５０重量部、ヒドロキノンモノメチルエーテル１．５３重量部、ジブチルスズジラウレート（東京ファインケミカル（株）製、商品名：Ｌ１０１）１．５３重量部、および酢酸エチル５２６重量部の混合液体を、３時間かけて均一に滴下し、反応を行った。滴下完了後、約５時間反応させ、ＩＲ測定によってイソシアネート基が消失したことを確認して反応を終了し、放射線重合性化合物（Ａ−２）を得た。
【００７２】
（合成例３）
攪拌機、滴下ロート、冷却管および窒素導入管を備えた四ツ口フラスコに、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン１９７．０６ｇ（０．４８モル）およびγ−ブチロラクトン３１８．１４ｇを仕込んだ後、３０℃に昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート５０．４ｇ（０．２４モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃で１時間反応を続けた後、イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工（株）製、商品名：カレンズＭＯＩ）７０．６８ｇ（０．４５６モル）およびヒドロキノンモノメチルエーテル０．３１８ｇを、３０℃に保ちながら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間反応を続け、放射線重合化合物（Ａ−３）を得た。
【００７３】
（実施例１）
エポキシ当量２１０のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）４２．３重量部、ビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２）２３．９重量部、分子量１００万、Ｔｇ−７℃を有するエポキシ基含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）４４．１重量部、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．４重量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＵＣＡ−１８７）０．７重量部、合成例１で得られた側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性化合物（Ａ−１）２２．０５重量部、および１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．５重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、表面張力５０mN/mを有する厚さ５０μmのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名：Ｇ２−５０）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（接着シート１）を作製した。
【００７４】
この接着シート１を１７０℃で１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定した結果、２５℃で３６０MPa、２６０℃で４MPaであった。なお、サンプルサイズは、長さ２０mm、幅４mm、膜厚５０μm、測定条件は、昇温速度５℃／min、引張りモード、１０Hz、自動静荷重であった。
【００７５】
得られた接着シート１を用いて、半導体チップと、厚み２５μmのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板と、を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性および耐湿性を調べた。
【００７６】
耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃で、この温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温に放置することにより冷却する処理を２回繰り返し、サンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生していないものを○とし、発生していたものを×とした。耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において、超音波顕微鏡を用いて剥離やクラックなどの破壊が発生していないものを○、発生したものを×とした。
【００７７】
また、耐湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×１０5Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察することにより行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離のあったものを×とした。
【００７８】
一方、接着シート１を厚さ１５０μmのシリコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェハをダイシング装置上に固定して５mm×５mmにダイシングした後、露光機（（株）オーク製作所製、商品名：ＵＶ−３３０、ＨＱＰ−２型）を使用して、５００mJ/cm2の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、ピックアップ装置にてダイシングしたチップをピックアップし、ダイシング時のチップ飛びおよびピックアップ性を評価した。
【００７９】
さらに、上記接着シート付きシリコンウェハに、５００mJ/cm2の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、露光前後の接着シート／基材界面の接着強度を、引張り速度５０m/minの条件で、９０℃ピール強度で測定した。これらの評価結果をまとめて表１に示す。
【００８０】
（実施例２）
放射線重合性化合物として、実施例１の放射線重合性化合物（Ａ−１）の代わりに、合成例２で得られた放射線重合性化合物（Ａ−２）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが５０μmの接着シート２）を作製した。
【００８１】
接着シート２を上記と同様にして、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を測定したところ、２５℃で３５０MPa、２６０℃で２MPaであった。また、接着シート２を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８２】
（実施例３）
放射線重合性化合物として、実施例１の放射線重合性化合物（Ａ−１）の代わりに、合成例３で得られた放射線重合性化合物（Ａ−３）を使用した以外は実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材を備えた膜厚が５０μmの接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが５０μmの接着シート３）を作製した。
【００８３】
接着シート３を上記と同様にして、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を測定したところ、２５℃で３８０MPa、２６０℃で５MPaであった。また、接着シート３を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８４】
（比較例１）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例１のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（テイジン（株）製、商品名：ピュ−レックスＳ−３１）を使用し、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例１と同様にして、接着シート４を得た。得られた接着シート４を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８５】
（比較例２）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例２のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレート（テイジン（株）製、ピュ−レックスＳ−３１）にし、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例２と同様にして、接着シート５を得た。得られた接着シート５を実施例２と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８６】
（比較例３）
接着剤組成物を塗布する基材を、実施例３のポリエチレンテレフタレートフィルムの代わりに、表面張力２５mN/mを有する厚さ５０μmの片面離型処理ポリエチレンテレフタレート（テイジン（株）製、商品名：ピュ−レックスＳ−３１）を使用し、その離型処理面に接着剤ワニスを塗布した以外は実施例３と同様にして、接着シート６を得た。得られた接着シート６を実施例３と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８７】
（比較例４）
実施例１に使用した、放射線重合性化合物（Ａ−１）および１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含まない組成物で接着シートを作製した以外は実施例１と同様にして、接着シート７を作製した。接着シート７は、１７０℃で１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率は、２５℃で３８０MPa、２６０℃で５MPaであった。得られた接着シート７を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
表１から、本発明の接着シートは耐熱性および耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピックアップ性も良好である。さらに、露光前後の接着強度差が大きいため、作業条件の許容度が大きく、作業性に優れるものである。
【００９０】
【発明の効果】
本発明の接着シートは、ダイシング工程ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用することができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。また、本発明の接着シートの使用した半導体装置の製造方法は、製造工程を簡略化でき、しかも製造した半導体装置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性および作業性を兼ね備える有ものである。
Claims (7)
- （Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、
（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、
および
（Ｃ）放射線重合性化合物を含む粘接着層と、基材層と、を備えた熱重合性および放射線重合性接着シートであって、
前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であり、
前記基材層の表面張力が４０ｍＮ／ｍを超えることを特徴とする熱重合性および放射線重合性接着シート。 - 前記粘接着層が、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、および前記（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜４００重量部含有する、請求項１記載の接着シート。
- 前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項１または２記載の接着シート。
- 前記粘接着層が、２５℃で１０〜２０００ＭＰａ、および２６０℃で３〜５０ＭＰａの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する、請求項１〜３のいずれか１項記載の接着シート。
- 放射線を照射して、前記粘接着層と基材との間の接着力を制御する、請求項１〜４のいずれか１項記載の接着シート。
- 請求項１〜５のいずれか１項記載の接着シートを用いて、半導体素子と半導体素子塔載用支持部材とを接着した半導体装置。
- （１）請求項１〜５のいずれか１項記載の粘接着層と基材を有してなる接着シートを、前記粘接着層を介して半導体ウェハに貼り付ける工程と、
（２）ダイシング前またはダイシング後のいずれかにおいて、前記接着シートに放射線を照射して前記粘接着層を硬化させ、その後前記基材を剥離する工程と、
（３）前記半導体ウェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を形成する工程と、
（４）前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記接着シートを介して接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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