JP4356730B2 - ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4356730B2 JP4356730B2 JP2006286555A JP2006286555A JP4356730B2 JP 4356730 B2 JP4356730 B2 JP 4356730B2 JP 2006286555 A JP2006286555 A JP 2006286555A JP 2006286555 A JP2006286555 A JP 2006286555A JP 4356730 B2 JP4356730 B2 JP 4356730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- adhesive
- die
- die bonding
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導
体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着
シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディ
ング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあ
るいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移
送される。
着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置
が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要からウエハーの薄型化が進
んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペーストだと適量の接着剤を塗布するこ
とが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、硬化後のチップの反りのためパッケ
ージに組込み時の信頼性が低下するという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑
でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
ッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている(例えば、特許文
献1,2参照)。しかし、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を
実装するのに必要な耐熱性や耐湿性が不足するという問題が生じている。
ダイボンディング材に起因するリフロークラックのメカニズムはダイボンディング材が
吸湿しこの水分がリフローはんだ付け実装時に加熱により水蒸気化し、この時の水蒸気に
よりダイボンディング材が破壊もしくは剥離が生じリフロークラックが生じるという問題
が発生していた。
機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができるダイアタッチフィル
ム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、ク
ラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できるダイボンディング用材料
であり、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等
または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
[1] ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム用のダイボンディング用フィルム状接着剤であって、当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がアクリル酸共重合体とエポキシ樹脂とを含むものであり、当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を、吸湿率測定前に180℃/1hで処理した後の、フィルム状接着剤の85℃/85%/48時間の吸湿率が1.5%以下であり、透湿度測定前に180℃/1hで処理した後の、フィルム状接着剤の85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤、
[2] 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である[1]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[3] 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がガラス転移温度−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる[1]又は[2]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[4] アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である[1]ないし[3]項のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[5] アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である[1]ないし[4]項のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[6] [1]〜[5]項のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム、
[7] (A)[6]項記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウエハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる工程、
(B)該シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(C)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
(D)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
(E)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
[8] [1]〜[5]項のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置
である。
.5%以下であり、また、85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h
以上であるフィルム状接着剤である。
本発明のフィルム状接着剤の吸湿率が1.5%を超えるとリフロー中に発泡しクラック
が生じやすくなり、好ましくない。また透湿度が6000g/m2・24h以上であると
水分がフィルムから抜けやすくなりリフロー中の耐クラック性に優れるため好ましい。
℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が60℃を超えると60℃以下での貼り付
け性が難しくなり、−30℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−30℃以上6
0℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−30℃以上60℃
以下であることが好ましい。ガラス転移温度が−30℃を下回るとタック性が強すぎハン
ドリングが難しくなり、60℃を超えると60℃以下での貼り付け性が悪くなる。
ル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも1つをモノマー成分とした共重合体が
挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有
するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を有するカルボキシメタクリレートを含
む共重合体が好ましい。
15万から100万であることがより好ましい。
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものであることが好
ましい。
えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキ
シ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
い。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベ
ン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである
。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では
急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差
走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点
の温度を示す。
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体100重量部に対しエポ
キシ樹脂10〜100重量部、好ましくは30〜70重量部である。
を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノールAジシアネ
ート、ビスフェノールFジシアネート、ビス(4−シアネートフェニル)エーテル、ビス
フェノールEジシアネート シアネートノボラック樹脂などが挙げられる。
い。この場合,フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノー
ル及び、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロ
キシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタン及びこれらの内ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル
)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)・製
、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−
ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4
−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン
等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフ
ェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物(C−1)が好ましい。例えばアクリル酸
もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレン
グリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸1,6−ヘキサンジオール
、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸
グリセリン、ジアクリル酸1,10−デカンジオール、ジメタクリル酸1,10−デカン
ジオール等の2官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタク
リル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペ
ンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジ
ペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキル
エステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が1〜15のアクリル酸、メ
タクリル酸アルキルエステルである。
導される成分単位の含有量は、アクリル樹脂100重量部に対して、通常20〜55重量
部、好ましくは30〜40重量部である。下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値
を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となり好ましくない。
メタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御
することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤(C−2)を混在させることにより、基材
から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を硬化させ剥離しや
すくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である
。
ノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾ
イン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成
分(C−1)100重量部に対して、成分(C−2)は好ましくは1〜30重量部、より
好ましくは3〜15重量部程度で用いることが好ましい。1重量部未満であると光開始剤
の効果が弱く30重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。
径は0.1〜25μmであることが好ましい。平均粒径が0.1μm未満であるとフィラ
ー添加の効果が少なく、25μmを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可
能性がある。
ニウム、ステンレス、セラミック、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は0%〜30重量%が好ましく、30%を超えるとフィルムとしても
ろくなり接着性が低下する。
グ剤を添加する事もできる。
カップリング剤としてはシランカップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられ中
でも汎用性、コストの観点からもシランカップリング剤が好ましい。
能付きダイアタッチフィルムであり、フィルム状接着剤からなる粘接着層は25℃におい
てもタック性を有し50℃以下の低温でウエハーを貼り付けることができる。
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、30〜70
重量部、好ましくは40〜60重量部のポリプロピレン樹脂と70〜30重量部、好まし
くは60〜40重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重
合体との混合物であることが好ましい。
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、20〜200μmであることが好ましく、
特に好ましくは25〜150μmである。
を有し、370nm以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射
され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという
特徴を有することが好ましい。
型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、
ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて
粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去することによって粘接着剤フィルムとし
、これに光透過性基材に積層し、更に粘接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フ
ィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフ
ィルムを得ることができる。
又は、離型シート上に形成された粘接着剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィル
ム(離型シート)、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイ
アタッチフィルムを得ることができる。
法で塗工し、乾燥させて、フィルム状接着剤に保護フィルムを積層して保護フィルム、粘
接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得
ることができる。
5μmであることがより好ましい。厚さが3μm未満であると粘接着剤としての効果が少
なくなり、100μmを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。
グシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは60℃以下の温和な条
件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイアタッチフィルム
をダイシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切
断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断
して個片ダイとした半導体チップを得る。
透過性基材面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通常、照度は20〜5
00mJ/cm2、さらに照射時間は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外
線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
性基材のみを剥離する。
このようにして、ダイアタッチフィルムの粘接着層が固着されている半導体チップを、
そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイ
ボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、100〜300℃の
加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは100〜200℃の加熱、1〜5秒
の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキ
シ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導
体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ま
しくは150〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1〜240分間、好ましくは10
〜60分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴ
ム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有
する。
。
[(A−1)エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス(株)製、商品名:SG
80HDR、Tg:10℃、分子量Mw=350000)
(A−2)エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス(株)製、商品名:SGP
3DR、Tg:12℃、分子量Mw=850000)
(A−3)シリコーン変性ポリイミド樹脂
ジアミン成分として2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(0
.15モル)とα,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子
量837)(0.15モル)、酸成分として4,4’−オキシジフタル酸二無水物(0.
15モル)と3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを用いたアニ
ソールに可溶なポリイミド樹脂。分子量Mw=50000。
(B−1)クレゾールノボラックエポキシ樹脂(商品名:EOCN−1020−80、エ
ポキシ当量:200g/eq、メーカー:日本化薬(株))
(C)紫外線硬化型樹脂
〔(C−1)(メタ)アクリル酸エステルモノマー〕1,6−ヘキサンジオールジメタク
リレート(メーカー:共栄社化学(株))
〔(C−2)光重合開始剤〕2,2−ジメトキシキ−1,2−ジフェニルエタン−1−オ
ン(メーカー:チバガイギ(株))
(D)フィラー
(D−1)シリカフィラーSP−4B(平均粒径4μm)(メーカー:扶桑化学(株) )
(E)イミダゾール
(E−1)イミダゾール化合物(商品名:1B2MZ、メーカー:四国化成)
ハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなるクリアテックCT−H817(
クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成した。
表1に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチ
レンテレフタレート基材100μmに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィ
ルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム(ポリエチ
レンテレフタレート基材)、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシ
ート機能つきダイアタッチフィルムを作製した。
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウエハーを
貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数50,000rpm、
カッティングスピード50mm/secで、5×5mm角のチップサイズにカットした。次
いで、紫外線を20秒で250mJ/cm2の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの
残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム状
接着剤を介して、42−アロイ合金のリードフレームに、180℃−1MPa−1.0s
ecの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィル
ムとしての各項目の評価を行った。結果を表2、3に示す。
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は、実施例1と同様の操作を行っ
た。
《比較例1》
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は、実施例1と同様の操作を行っ
た。
(1)吸湿率測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバ
ーフィルムを剥離し5cm×5cmの大きさに切断したフィルムを120℃3時間で乾燥
させさらに180℃1時間で処理したフィルムをデシケータ内で放冷し乾燥重量(M1)
を測定し85℃/85%で48時間吸湿させ吸湿後重量(M2)を測定する。吸湿率は(
M2−M1)/M1×100=吸湿率として計算した。
(2)透湿度測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバ
ーフィルムを剥離し透過面積φ0.038mとなるように切断し120℃3時間で乾燥さ
せさらに180℃1時間で処理したフィルムをJIS Z0208 カップ法に準じて8
5℃/85%/24時間処理した時のフィルムを透過した水分の量を測定した。
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から
剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
(4)チッピング特性
○:チップのかけの幅が最大で30μm以下のもの。
△:チップのかけの幅が最大で30〜50μmのもの。
×:チップのかけの幅が最大で50μm以上のもの。
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チッ
プを光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下のもの
(6) ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを42−アロイ合金のリードフレームに180
℃−1MPa−1.0secの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチッ
プとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
上記(6)でダイボンディングした測定サンプルを85℃/85%RH/168時間吸
湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○:剪断強度が1MPa以上
△:剪断強度が0.5〜1.0MPa
×:剪断強度が0.5MPa未満
(8)リフロークラック発生率
厚み200μmのシリコンウエハーの裏面に表1に示す粘接着剤フィルムを貼り付けし9
mm×9mmにダイシングし粘接着層とともにピックアップし得られた粘接着層付き半導
体素子をBT基板の上に130℃、5N、1sでマウントし180℃、1時間でキュア処
理し封止材(住友ベークライト株式会社製G770)でモールドし半導体装置を製造した
。(BGAパッケージ16mm×16mm×1.06mm、チップサイズ9mm×9mm
、BT基板。)
封止後の半導体装置を85℃/85%RHの恒温恒湿層で168時間処理した後IRリ
フロー炉で260℃10秒加熱した。その後半導体装置をポリエステル樹脂で注型しダイ
アモンドカッターで切断し断面の観察を行った。(リフロークラック発生数)/(試験数
)×100=リフロークラック発生率(%)とし耐リフロークラック性を評価した。
Claims (8)
- ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム用のダイボンディング用フィルム状接着剤であって、
当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がアクリル酸共重合体とエポキシ樹脂とを含むものであり、
当該ダイボンディング用フィルム状接着剤を、吸湿率測定前に180℃/1hで処理した後の、フィルム状接着剤の85℃/85%/48時間の吸湿率が1.5%以下であり、透湿度測定前に180℃/1hで処理した後の、フィルム状接着剤の85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤。 - 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である請求項1記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- 前記ダイボンディング用フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物がガラス転移温度−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる請求項1又は2記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である請求項1ないし3のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である請求項1ないし4のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
- (A)請求項6記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウエハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる工程、
(B)該シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(C)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
(D)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
(E)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、
含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006286555A JP4356730B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006286555A JP4356730B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003081823A Division JP4004047B2 (ja) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059936A JP2007059936A (ja) | 2007-03-08 |
JP4356730B2 true JP4356730B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=37923079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006286555A Expired - Fee Related JP4356730B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4356730B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4939574B2 (ja) | 2008-08-28 | 2012-05-30 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
JP6892375B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2021-06-23 | 大倉工業株式会社 | 活性エネルギー線硬化樹脂フィルムの製造方法 |
JP7365772B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2023-10-20 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、光学積層体、および画像表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3498537B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2004-02-16 | 日立化成工業株式会社 | 絶縁層用接着フィルム |
JP2002226798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 粘接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4839520B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2003041206A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
JP4869517B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2012-02-08 | リンテック株式会社 | 粘接着テープ |
JP4062941B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-03-19 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4025223B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2007-12-19 | 住友ベークライト株式会社 | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4004047B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2007-11-07 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-10-20 JP JP2006286555A patent/JP4356730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007059936A (ja) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101843900B1 (ko) | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 | |
JP5157229B2 (ja) | 接着シート | |
KR101807807B1 (ko) | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 | |
JP5364991B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート及び半導体装置 | |
KR100850772B1 (ko) | 다이싱·다이 본딩용 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법 | |
WO2005112091A1 (ja) | 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法 | |
JP4766200B2 (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008074928A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2008101183A (ja) | 粘接着シート、これを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6557424B2 (ja) | 半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム | |
KR101483308B1 (ko) | 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP2007103954A (ja) | 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置 | |
JP5499516B2 (ja) | 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP4067308B2 (ja) | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP3617639B2 (ja) | 半導体加工用シート、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4025223B2 (ja) | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4004047B2 (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP3958297B2 (ja) | ダイシングシート機能付き半導体用接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4309710B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置 | |
JP5499772B2 (ja) | 半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法 | |
JP4356730B2 (ja) | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP3710457B2 (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6427791B2 (ja) | チップ用樹脂膜形成用シート及び半導体装置の製造方法 | |
KR20120061610A (ko) | 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름 | |
JP2006054437A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |