JP2002226800A - 接着シート、その使用方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング工程ではダイシングテープとし
て、半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に
優れる接着剤として使用することができ、また、半導体
搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を
実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、作業性に
優れる接着シートを提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬
化剤１００質量部、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量
が１０万以上である高分子量成分１０〜４００質量部、
（Ｃ）（ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（II） 【化２】 で表されるイソシアネート化合物及び（ｃ）一般式（II
I） 【化３】 で表される化合物からなる放射線重合性化合物５〜４０
０質量部を含有してなる粘接着層と、基材層とを有して
なる熱重合性及び放射線重合性の接着シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着シート、その
使用方法及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子と支持部材の接合には
銀ペーストが主に使用されているが、近年の半導体素子
の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小
型化・細密化が要求されるようになってきている。その
要求に対し銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾
きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発
生、接着剤層の膜厚の制御困難性、接着剤層のボイド発
生等の問題があった。これらの問題を解決するために、
近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってき
た。フィルム状接着剤は個片貼付け方式あるいはウェハ
裏面貼付け方式にて使用されている。

【０００３】個片貼付け方式はリール状の接着フィルム
をカッティングあるいはパンチングによって個片に切り
出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付きの支
持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素
子を接合し半導体素子付きの支持部材が作製され、その
後、ワイヤボンド工程、封止工程等を経て半導体素子が
完成される。しかし、個片貼付け方式は接着フィルムを
切り出して支持部材に接着する専用の組立装置の導入が
必要であり、組立コストが銀ペーストを使用するに比べ
高くなってしまうという問題があった。

【０００４】一方、ウェハ裏面貼付け方式は半導体ウェ
ハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り合
わせた後ダイシング工程によって個片化する。個片化さ
れた接着剤付きの半導体素子を支持部材に接合し、その
後の加熱後硬化、ワイヤボンド等の工程を経て半導体装
置が完成する。ウェハ裏面貼付け方式は接着剤付きの半
導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個
片化する装置が不用であり、従来の銀ペースト用の組立
装置をそのまま使用、あるいは熱盤の付加等の一部改良
することにより使用できるため、フィルム状接着剤を用
いた組立方法の中で組立コストが比較的安く抑えられる
方法として注目されている。

【０００５】このウェハ裏面貼付け方式の半導体素子の
個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼
り合わせた後ダイシング工程にて行われる。その際、用
いられるダイシングテープには大別して感圧型とＵＶ型
がある。感圧型は通常、塩化ビニルやポリオレフィン系
のベースフィルムに粘着剤が塗布されたものである。こ
のダイシングテープは切断時にはダイシングソウによる
回転で各素子が飛散しない十分な粘着力が必要である一
方、ピックアップ時には各素子に負担がかからない程度
の低い粘着力であるといった相反する要求を満足する必
要がある。そのため感圧型のダイシングテープの場合は
粘着力の公差を小さくし、素子のサイズや加工条件にあ
った各種粘着力のものを多品種揃え、工程毎に切替える
ため品種を多く在庫しなければならず在庫管理が必要で
あり、また工程毎に切替え作業が必要となる。最近はＵ
Ｖ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力で、ピックア
ップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘着力にして相
反する要求に応えるダイシングテープも広く採用されて
いる。

【０００６】近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリは
大容量化が進み、その結果半導体素子が大型化する傾向
にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリーカード等
の製品では使用されるメモリの薄型化が進んでいる。こ
れらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、感圧型では
ダイシング時の固定力（高粘着力）とピックアップ時の
剥離性（低粘着力）という相反する要求を満足できなく
なってきている。

【０００７】一方、ＵＶ型を使用したウェハ裏面貼付け
方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工
程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという
問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】請求項１記載の発明
は、ダイシング工程ではダイシングテープとして、半導
体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れる接
着剤として使用することができ、また、半導体搭載用支
持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する
場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、作業性に優れる接
着シートを提供するものである。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の発明の効果を奏し、より耐熱性に優
れる接着シートを提供するものである。請求項３記載の
発明は、請求項１又は２記載の発明の効果を奏し、より
耐熱性及び耐湿性に優れる接着シートを提供するもので
ある。請求項４記載の発明は、請求項１〜３記載の発明
の効果を奏し、さらに耐温度サイクル試験性に優れる接
着シートを提供するものである。請求項５記載の発明
は、、請求項１〜４記載の発明の効果を奏し、より作業
性に優れる接着シートを提供するものである。請求項６
記載の発明は、半導体装置の製造工程を簡略化できる接
着シートの使用方法を提供するものである。請求項７記
載の発明は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が
大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿
性及び作業性を有する半導体装置を提供するものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、次のものに関
する。 （１） （Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤１
００質量部、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０
万以上である高分子量成分１０〜４００質量部、（Ｃ）
（ａ）一般式（Ｉ）

【００１０】

【化４】 （式中、Ｒ₁は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を
示す）

【００１１】で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（I
I）

【００１２】

【化５】 （式中、ｎは０〜１の整数であり、R₂は炭素原子数が１
〜３０の２価又は３価の有機性基である）

【００１３】で表されるイソシアネート化合物及び
（ｃ）一般式（III）

【００１４】

【化６】 （式中、ｎは０〜１の整数である）

【００１５】で表される化合物からなる放射線重合性化
合物５〜４００質量部を含有してなる粘接着層と、基材
層とを有してなる熱重合性及び放射線重合性の接着シー
ト。 （２） （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以
上である高分子量成分が、エポキシ樹脂と非相溶である
（１）記載の接着シート。 （３） （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以
上である高分子量成分が、グリシジルアクリレート又は
グリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含有し、
かつ重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アク
リル共重合体である（１）又は（２）記載の接着シー
ト。 （４） 粘接着層が、加熱硬化した後の段階で、動的粘
弾性測定装置を用いて測定した貯蔵弾性率が、２５℃で
１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃で３〜５０ＭＰａで
ある（１）〜（３）いずれかに記載の接着シート。 （５） 放射線照射することで粘接着層と基材との間の
接着力を制御することを特徴とする（１）〜（４）いず
れかに記載の接着シート。 （６） （Ｉ）（１）〜（５）のいずれかに記載の接着
シートを、線接着層を介して半導体ウエハに貼り付ける
工程、（ＩＩ）ダイシング前又はダイシング後のいずれ
かにおいて、該接着シートに放射線を照射して粘接着層
を硬化させ、基材を剥離する工程、（ＩＩＩ）半導体ウ
ェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を得る
工程、（ＩＶ）粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭
載用の支持部材とを、該接着シートを介して接着する工
程を含むことを特徴とする接着シートの使用方法に関す
る。 （７） （１）〜（５）のいずれかに記載の接着シート
を用いて又は（６）記載の接着シートの使用方法によっ
て、半導体素子と支持部材とを接着した構造を含有して
なる半導体装置。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の接着シートは、（Ａ）エ
ポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部（Ｂ）
官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子
量成分１０〜４００質量部（Ｃ）（ａ）一般式（Ｉ）

【００１７】

【化７】 （式中、Ｒ₁は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を
示す）

【００１８】で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（I
I）

【００１９】

【化８】 （式中、ｎは０〜１の整数であり、R₂は炭素原子数が１
〜３０の２価又は３価の有機性基である）

【００２０】で表されるイソシアネート化合物及び
（ｃ）一般式（III）

【００２１】

【化９】 （式中、ｎは０〜１の整数である）

【００２２】で表される化合物からなる放射線重合性化
合物５〜４００質量部を含有してなる粘接着層と、基材
層とを有してなるものであり、上記構成にすることで熱
重合性及び放射線重合性の両方の性質を備える接着シー
トとなる。上記構成の接着シートは、ダイシング時には
半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、ピックア
ップ時には各素子に負担がかからない程度の低い粘着力
であるといった相反する要求を満足するもので、ダイボ
ンド、ダイシングの各工程を一枚のフィルムで完了する
ことが可能である。

【００２３】本発明に使用するエポキシ樹脂は、硬化し
て接着作用を呈するものであれば特に制限は無く、例え
ば、油化シェルエポキシ（株）製エピコート８０７、エ
ピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２
７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート
１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、
エピコート１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３
０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、東都化成（株）
製ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等のビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製エピコー
ト１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製ＥＰＰ
Ｎ−２０１、ダウケミカル社製ＤＥＮ−４３８等のフェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬（株）製Ｅ
ＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１
０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、Ｅ
ＯＣＮ−１０２７、東都化成（株）製ＹＤＣＮ７０１、
ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等の
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、油化シェル
エポキシ（株）製Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャ
リティーケミカルズ社製アラルダイト０１６３、ナガセ
化成（株）製デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、
ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−
５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等
の多官能エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製エ
ピコート６０４、東都化成（株）製ＹＨ−４３４、三菱
ガス化学（株）製ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−
Ｃ、住友化学（株）製ＥＬＭ−１２０等のアミン型エポ
キシ樹脂、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラル
ダイトＰＴ８１０等の複素環含有エポキシ樹脂、ＵＣＣ
社製ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２
１、ＥＲＬ４２０６等の脂環式エポキシ樹脂などが挙げ
られ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使
用することができる。

【００２４】エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用い
られているものを特に制限なく使用することができ、例
えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィ
ド、三フッ化ホウ素、フェノール性水酸基を１分子中に
２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＳ及びフェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾー
ルノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられ、
特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラ
ック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾ
ールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。

【００２５】このような好ましいフェノール樹脂硬化剤
としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製フェ
ノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フ
ェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４
９、フェノライトＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１
７０等が挙げられる。

【００２６】（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０
万以上である高分子量成分としては、グリシジルアクリ
レート又はグリシジルメタクリレート等の官能基モノマ
ーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエ
ポキシ基含有アクリル共重合体等が好ましく、さらにエ
ポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。

【００２７】グリシジルアクリレート又はグリシジルメ
タクリレート等の官能基モノマーを含有し、かつ重量平
均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有アクリル共
重合体としては、例えば、帝国化学産業（株）製 ＨＴ
Ｒ―８６０Ｐ−３等が挙げられる。官能基モノマーが、
カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒド
ロキシメチル（メタ）アクリレートを用いると、架橋反
応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、Ｂステージ
状態での硬化度の上昇による接着力の低下等の問題があ
るため好ましくない。

【００２８】グリシジルアクリレート又はグリシジルメ
タクリレート等の官能基モノマーの含有量は、０．５〜
６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより
好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。０．
５質量％以下であると接着力が低下する傾向があり、
６．０質量％以上であるとゲル化する傾向がある。

【００２９】グリシジルアクリレート、グリシジルメタ
クリレート以外の官能基モノマーとしては、例えば、エ
チル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレー
ト等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み
合わせて使用することができる。なお、本発明におい
て、例えば、エチル（メタ）アクリレートとはエチルア
クリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。混合
比率は、共重合体のガラス転移温度（以下Ｔｇと表す）
を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好
ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態で
の接着剤層のタック性が大きくなり取り扱い性が悪化す
る傾向がある。

【００３０】上記モノマーを重合させて（Ｂ）官能基を
含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を
製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、
例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用すること
ができる。

【００３１】本発明において（Ｂ）官能基を含む高分子
量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万
〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万で
あることがより好ましい。重量平均分子量が１０万未満
であると、シート状、フィルム状としたときの強度低
下、可とう性低下、タック性増大等の問題が起こり、３
００万を超えると、フロー性が小さくなり配線の回路充
填性が低下する傾向がある。なお、本発明において、重
量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算
した値を示す。

【００３２】また、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量
が１０万以上である高分子量成分の使用量は、（Ａ）エ
ポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し
て、１０〜４００質量部であるが、中でも１５〜３５０
重量部が好ましく、２０〜３００重量部がより好まし
い。使用量が１０質量部未満であると、弾性率の低減及
び成形時のフロー性抑制効果が得られず、４００質量部
を超えると、高温での取り扱い性が低下する。

【００３３】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（Ｉ）で表される（ａ）ジアミン類としては、
特に制限がなく、例えば、４，４’−（又は３，４’
−、３，３’−、２，４’−、２，２’−）ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４’−（又は３，４’−、３，
３’−、２，４’−、２，２’−）ジアミノジフェニル
メタン、４，４’−（又は３，４’−、３，３’−、
２，４’−、２，２’−）ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４’−（又は３，４’−、３，３’−、２，
４’−、２，２’−）ジアミノジフェニルスルフィド、
パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ｐ
−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｏ−トリ
ジン、ｏ−トリジンスルホン、４，４’−メチレン−ビ
ス（２，６−ジエチレアニリン）、４，４’−メチレン
−ビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）、２，４−
ジアミノメシチレン、１，５−ジアミノナフタレン、
４，４’−ベンゾフェノンジアミン、ビス〔４−（４’
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス〔４−
（４’−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジ
アミノジｆニルメタン、ビス〔４−（３’−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）プロパン、３，５−ジアミノ安息香酸等の
芳香族ジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式
（IV）

【００３４】

【化１０】 （式中、R₃及びR₄は炭素原子数１〜３０の二価の炭化水
素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R₅
及びR₆は一価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異
なっていてもよく、ｍは１以上の整数である）

【００３５】で表されるジアミノポリシロキサン、１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サン テク
ノケミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ
−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６０
０，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８等
のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等
が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わ
せて使用される。

【００３６】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（II）で表される（ｂ）イソシアネート化合物
としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェ
ニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネー
ト、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニ
ルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビ
ス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネ
ート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレン
ジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、
４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等
が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わ
せて使用される。また、これらのジイソシアネートの二
量体、三量体を用いても良く、経日変化を避けるために
適当なブロック剤で安定化したものを使用しても良い。

【００３７】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（III）で表される（ｃ）化合物としては、特
に制限がなく、例えば、イソシアネートエチルメタクリ
レート、メタクリロイルイソシアネート等を使用でき、
これらを単独で又は２種以上組み合わせて使用すること
もできる。

【００３８】本発明の（Ｃ）放射線重合性化合物の合成
は、有機溶媒の存在下で行うことができる。溶媒として
は、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ア
セトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトン
等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ブ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶
媒、トルエン、キシレン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水
素系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド等を使用することができ
る。

【００３９】反応温度は、０〜１００℃とすることが好
ましく、１０〜８０℃とすることがより好ましく、２０
〜７０℃とすることが特に好ましい。反応時間は、バッ
チの規模、採用される反応条件等により適宜選択でき
る。

【００４０】本発明の粘接着剤層を構成する組成物に
は、（Ｃ）放射線重合性化合物以外の他の重合性化合物
を併用することもできる。重合性化合物としては特に制
限はなく、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリ
ル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチ
ルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテ
ニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレ
ングリコールジアクリレート、トリエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレ
ート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエ
チレングリコールジメタクリレート、テトラエチレング
リコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメ
チロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタン
ジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
アクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメ
タクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレ
ート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエ
ン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒ
ドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２
−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシア
ヌレートのトリアクリレート、下記一般式（V）

【００４１】

【化１１】 （式中、R₇は水素又はメチル基を示し、ｑ及びｒは１以
上の整数である）

【００４２】で表される化合物、トリレンジイソシアネ
ートと２−ヒドロキシエチルアクリレート又は２−ヒド
ロキシエチルメタクリレートとの反応物やトリメチルヘ
キサメチレンジイソシアネートトシクロヘキサンジメタ
ノールと２−ヒドロキシエチルアクリレート又は２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレートとの反応物等のウレタン
アクリレート又はウレタンメタクリレート等が挙げられ
る。これらは単独又は２種類以上を組み合わせて使用す
ることができる。

【００４３】これら重合性化合物の使用量は、（Ｃ）放
射線重合性化合物の１００質量％以下であることが好ま
しく、９０質量％以下であることがより好ましく、８０
質量％以下であることが特に好ましい。この使用量が１
００質量％を超えると、得られる接着シートの耐熱性が
劣る傾向がある。

【００４４】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。
硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダ
ゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリ
テート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を
組み合わせて使用することができる。

【００４５】硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹
脂及びエポキシ硬化剤１００質量部に対して０．１〜５
質量部が好ましく、０．２〜３質量部がより好ましい。
添加量が０．１質量部未満であると硬化性が劣る傾向が
あり、５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向が
ある。

【００４６】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成す
る光重合開始剤を添加することもできる。このような光
重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，
Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−
ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジ
メチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタ
ノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエ
タン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フ
ェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチ
オ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、
２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラ
キノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メ
チルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベ
ンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ
−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール
二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ
−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−
フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二
量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェ
ニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４
−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾ
ール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−
４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５
−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアク
リジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプ
タン等のアクリジン誘導体などが挙げられ、これらは単
独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はな
いが、（Ｃ）放射線重合性共重合体１００質量部に対し
て通常０．０１〜３０質量部である。

【００４７】本発明の接着シートを形成する粘接着層
は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が、２５℃で１０
〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で３〜５０ＭＰａで
あることが好ましい。２５℃での弾性率は２０〜１９０
０ＭＰａがより好ましく、５０〜１８００ＭＰａが特に
好ましい。また、２６０℃での弾性率は５〜５０ＭＰａ
がより好ましく、７〜５０ＭＰａが特に好ましい。貯蔵
弾性率が２５℃で２０００ＭＰａ、２６０℃で５０ＭＰ
ａを超えると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の
差によって発生する熱応力を緩和させる効果が小さくな
り、剥離やクラックを発生する傾向がある。また、貯蔵
弾性率が２５℃で１０ＭＰａ未満では、接着剤の取り扱
い性や接着剤層の厚み精度が悪くなる傾向があり、２６
０℃で３ＭＰａ未満では、リフロークラックを発生し易
くなる傾向がある。

【００４８】上記貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製 ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着
剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温
速度５〜１０℃／ｍｉｎで−５０℃から３００℃まで測
定する温度依存性測定モードで行うこと等によって測定
することができる。

【００４９】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的
で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加す
ることができる。このような高分子量樹脂としては、特
に制限はなく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポ
キシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂等が挙げられ、これ
らは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。

【００５０】エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂
の使用量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、４０
質量部以下とするのが好ましい。４０質量部を超える
と、エポキシ樹脂層のＴｇが低下する傾向がある。

【００５１】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘
度の調整及びチキソトロピック性付与等の目的のため、
無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーと
しては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、
結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの
形状は特に制限されるものではない。これらのフィラー
は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することが
できる。

【００５２】中でも、熱伝導性向上のためには、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シ
リカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調
整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アル
ミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

【００５３】無機フィラーの使用量は、粘接着層１００
体積部に対して１〜２０体積部が好ましい。１体積部未
満だと添加効果が得られない傾向があり、２０体積部を
超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低
下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす
傾向がある。

【００５４】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各
種カップリング剤を添加することもできる。カップリン
グ剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニ
ウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カ
ップリング剤が好ましい。

【００５５】上記シラン系カップリング剤としては、特
に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エト
キシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−
イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシ
ラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
メチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）
アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピ
ルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラ
ン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキ
シ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、
Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラ
ン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシ
リルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、
メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイ
ソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネ
ート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組
み合わせて使用することができる。

【００５６】また、チタン系カップリング剤としては、
例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネー
ト、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホス
ファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジア
リルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）
ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピル
チタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチル
チタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チ
タネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンア
エチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、
チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、
チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノー
ルアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソ
ブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレ
シルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマ
ー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネー
ト）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリ
エタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチ
タネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート等が挙げられ、
これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用する
ことができる。

【００５７】アルミニウム系カップリング剤としては、
例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテ
ート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソ
プロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビ
ス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプ
ロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アル
ミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテ
ート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノ
エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合
物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム
−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のア
ルミニウムアルコレートなどが挙げられ、これらは単独
で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。

【００５８】上記カップリング剤の使用量は、その効果
や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂及び
エポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対し、０．１〜１０
質量部とするのが好ましい。

【００５９】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を
よくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することも
できる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限は
なく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノ
ール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止
するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウ
ム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム
化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。

【００６０】上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による
効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂
及びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対し１〜１０質
量部が好ましい。

【００６１】本発明の接着シートは、接着シートを形成
する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、
基材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによ
って得ることができる。

【００６２】本発明の接着シートに用いる基材として
は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィル
ム等が挙げられ、これらプラスチックフィルムは表面を
離型処理して使用することもできる。

【００６３】上記溶剤としては、特に制限は無いが、フ
ィルム作製時の揮発性等を考慮し、例えば、メチルエチ
ルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エ
トキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソ
ルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノー
ル等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、シクロヘキサノン等比較的高沸点の溶媒な
どを使用することもでき、これらの溶媒は単独で又は二
種類以上を組み合わせて使用することができる。

【００６４】無機フィラーを添加した際のワニスの製造
には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、
３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用する
のが好ましく、また、これらを組み合わせて使用するこ
ともできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあ
らかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することに
よって、混合する時間を短縮することもできる。また、
ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を
除去することもできる。

【００６５】基材フィルムへのワニスの塗布方法として
は、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコ
ート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビア
コート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げら
れる。

【００６６】接着シートの厚みは、特に制限はないが、
粘接着層、基材ともに５〜２５０μｍが好ましい。５μ
ｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２
５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置
の小型化の要求に応えられない。

【００６７】また、本発明の接着シートは、所望の厚さ
を得るために、接着シートの粘接着層側に、別途作成し
た粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この
場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼
り合わせ条件が必要である。

【００６８】以上、説明したような構成の接着シートに
放射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は
大きく低下し、容易に半導体素子に接着層を保持したま
ま該接着シートの基材フィルムからピックアップするこ
とができる。

【００６９】以下、本発明に係る接着シートの使用方法
について説明する。接着シート上にダイシング加工すべ
き半導体ウェハを室温又は加熱しながら圧着し、ダイシ
ング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体
素子は接着シートに充分に接着保持されているので、上
記各工程の間に半導体素子が脱落することはない。

【００７０】次に、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（Ｅ
Ｂ）等の放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を
有する接着シートを重合硬化せしめる。この結果、放射
線重合性を有する接着シートと該接着シートの基材フィ
ルムとの間の粘着力は、半導体素子をピックアップでき
る程度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせること
によって容易に所望の半導体素子間隔が得られピックア
ップが容易になる。

【００７１】接着シートへの放射線照射は、放射線重合
性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを
用いる場合には接着シートの基材フィルムは光透過性で
ある必要はないが、放射線としてＵＶを用いる場合には
接着シートの基材フィルムは光透過性である必要があ
る。

【００７２】エキスパンディング工程後、半導体素子を
放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支
持部材に室温又は加熱しながら圧着し加熱する。加熱に
よって接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半
導体素子と支持部材の接着が完了する。

【００７３】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００７４】（合成例１）攪拌機、温度計、乾燥空気導
入管、滴下ロート及び冷却管を備えた１ｌフラスコに、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン １９７．０６ｇ（０．４８モル）及びγ
−ブチロラクトン ３１８．１４ｇを仕込んだ後、３０
℃に昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−
トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート ５０．４
ｇ（０．２４モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０
℃で１時間反応を続けた後、カレンズＭＯＩ（昭和電工
（株）製商品名、イソシアネートエチルメタクリレー
ト）７０．６８ｇ（０．４５６モル）及びヒドロキノン
モノメチルエーテル ０．３１８ｇを、３０℃に保ちな
がら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間
反応を続け、放射線重合性組成物（Ａ−１）を得た。

【００７５】（合成例２）合成例１と同様のフラスコ
に、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン ３２８．４４ｇ（０．８モル）及びγ
−ブチロラクトン５５．０４ｇを仕込んだ後、３０℃に
昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−トリ
メチルヘキサメチレンジイソシアネート ４２．０ｇ
（０．２モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃で
１時間反応を続けた後、カレンズＭＯＩ（昭和電工
（株）製商品名、イソシアネートエチルメタクリレー
ト）１７９．８ｇ（１．１６モル）及びヒドロキノンモ
ノメチルエーテル ０．５５ｇを、３０℃以下に保ちな
がら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間
反応を続け、放射線重合性組成物（Ａ−２）を得た。

【００７６】（実施例１）ＹＤＣＮ−７０３（東都化成
（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、エポキシ当量２１０）４２．３質量部、プライオ
ーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製
商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９質
量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）帝国化学産業（株）製商
品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量１００万、
Ｔｇ−７℃）４４．１質量部、キュアゾール２ＰＺ−Ｃ
Ｎ（四国化成工業（株）製商品名、１−シアノエチル−
２−フェニルイミダゾール）０．４質量部、ＮＵＣ Ａ
−１８７（日本ユニカー（株）製商品名、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン）０．７質量部、合成
例１で得られた放射線重合性組成物（Ａ−１）２２．０
５質量部及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン ０．５質量部からなる組成物に、メチルエチルケ
トンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワ
ニスを、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、支
持体フィルムを備えた膜厚が５０μｍの接着シート（支
持体フィルムを除いた接着シートの厚みが５０μｍ）
（接着シート１）を作製した。

【００７７】この接着シート１の粘接着層を１７０℃１
時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置
（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプ
ルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇
温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静
荷重）した結果、２５℃で３８０ＭＰａ、２６０℃で５
ＭＰａであった。

【００７８】得られた接着シート１を用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板とを接着シートで貼り合せた半導体装置サン
プル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性及
び耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフロー
クラック性と温度サイクル試験を適用した。

【００７９】耐リフロークラック性の評価は、サンプル
表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持す
るように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通
し、室温で放置することにより冷却する処理を２回繰り
返したサンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で観
察した。クラックの発生していないものを○とし、発生
していたものを×とした。

【００８０】耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃
雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３
０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイ
クル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等
の破壊が発生していないものを○、発生したものを×と
した。

【００８１】耐湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００
％、２．０３×１０⁵Ｐａの雰囲気（プレッシャークッ
カ−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観
察することにより行った。剥離の認められなかったもの
を○とし、剥離のあったものを×とした。

【００８２】一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシ
リコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェ
ハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェ
ハをダイシング装置上に固定して５ｍｍ×５ｍｍにダイ
シングし、ピックアップ装置にてダイシングしたチップ
をピックアップした。ダイシング性及びピックアップ性
の評価結果を、上記耐熱性及び耐湿性評価結果とまとめ
て表１に示す。

【００８３】（実施例２）実施例１において、放射線重
合性組成物（Ａ−１）を（A−２）にした以外は実施例
１と全く同様の操作を行い、１７０℃１時間硬化させた
場合の貯蔵弾性率が、２５℃で３２０ＭＰａ、２６０℃
で１ＭＰａである（接着シート２）を得た。得られた接
着シートを実施例と同様の条件で評価した結果を表１に
示す。

【００８４】（比較例１）実施例１において、放射線重
合性組成物（Ａ−１）及び１−ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトンを除いた以外は実施例１と全く同様の
操作を行い、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性
率が、２５℃で３８０ＭＰａ、２６０℃で５ＭＰａであ
る（接着シート３）を得た。得られた接着シートを実施
例と同様の条件で評価した結果を表１に示す。

【００８５】（比較例２）実施例１において、放射線重
合性組成物（Ａ−１）４Ｇ（新中村化学（株）製商品
名、テトラエチレングリコールジメタクリレート）にし
た以外は実施例１と全く同様の操作を行い、１７０℃１
時間硬化させた場合の貯蔵弾性率が、２５℃で２５０Ｍ
Ｐａ、２６０℃で１ＭＰａである（接着シート４）を得
た。得られた接着シートを実施例と同様の条件で評価し
た結果を表１に示す。

【００８６】

【表１】 ピックアップ性：ピックアップダイボンダ−により、ダ
イシング後のチップをピックアップしたときのピックア
ップできた確率（％／１００チップ）を示した。

【００８７】表１から、本発明の接着シートは耐熱性及
び耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピ
ックアップ性も良好である。

【００８８】

【発明の効果】請求項１記載の接着シートは、ダイシン
グ工程ではダイシングテープとして、半導体素子と支持
部材の接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使
用することができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨
張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な
耐熱性、耐湿性を有し、作業性に優れるものである。請
求項２記載の接着シートは、請求項１記載の発明の効果
を奏し、より耐熱性に優れるものである。請求項３記載
の接着シートは、請求項１又は２記載の発明の効果を奏
し、より耐熱性及び耐湿性に優れるものである。請求項
４記載の接着シートは、請求項１〜３記載の発明の効果
を奏し、さらに耐温度サイクル試験性に優れるものであ
る。請求項５記載の接着シートは、請求項１〜４記載の
発明の効果を奏し、より作業性に優れるものである。請
求項６記載の接着シートの使用方法は、半導体装置の製
造工程を簡略化できるものである。請求項７記載の半導
体装置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大
きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性
及び作業性を有するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 175/04 Ｃ０９Ｊ 175/04 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J004 AA13 AA14 AB01 AB05 AB06 AB07 CA04 CA05 CA06 CC02 FA08 4J034 BA08 CA03 CA15 CB03 CC02 CC12 DA01 DA03 DA08 DB05 DB07 DC02 DC25 DC32 DG02 DG32 DK02 DK03 DK05 DK06 DP03 DP18 GA03 GA38 HA01 HA04 HA07 HA08 HA14 HA18 HC03 HC08 JA19 JA25 JA39 JA42 JA46 KA01 KB02 KB04 QB11 QB14 QB19 QC08 QD06 RA05 RA19 4J036 AA01 AA04 AD01 AF01 AF06 AF27 AH00 AJ00 AJ08 AK00 AK11 DA01 DA02 DA04 DB15 DC02 DC41 DD02 EA09 FA01 FB03 FB07 FB14 HA02 HA03 JA06 KA01 4J040 DF061 DF062 EC041 EC061 EC071 EC161 EF292 EF302 FA261 FA262 HC04 HC08 JA09 JB02 JB07 KA16 LA07 LA08 LA11 NA19 PA23 5F047 AA11 AA13 AA17 BA22 BA23 BA34 BB05 BB19

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬
   化剤１００質量部、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量
   が１０万以上である高分子量成分１０〜４００質量部、
   （Ｃ）（ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ₁は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を
   示す）で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（II） 【化２】 （式中、ｎは０〜１の整数であり、R₂は炭素原子数が１
   〜３０の２価又は３価の有機性基である）で表されるイ
   ソシアネート化合物及び（ｃ）一般式（III） 【化３】 （式中、ｎは０〜１の整数である）で表される化合物か
   らなる放射線重合性化合物５〜４００質量部を含有して
   なる粘接着層と、基材層とを有してなる熱重合性及び放
   射線重合性の接着シート。
2. 【請求項２】 （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１
   ０万以上である高分子量成分が、エポキシ樹脂と非相溶
   である請求項１記載の接着シート。
3. 【請求項３】 （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１
   ０万以上である高分子量成分が、グリシジルアクリレー
   ト又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含
   有し、かつ重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含
   有アクリル共重合体である請求項１又は２記載の接着シ
   ート。
4. 【請求項４】 粘接着層が、加熱硬化した後の段階で、
   動的粘弾性測定装置を用いて測定した貯蔵弾性率が、２
   ５℃で１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃で３〜５０Ｍ
   Ｐａである請求項１〜３いずれかに記載の接着シート。
5. 【請求項５】 放射線照射することで粘接着層と基材と
   の間の接着力を制御することを特徴とする請求項１〜４
   いずれかに記載の接着シート。
6. 【請求項６】 （Ｉ）請求項１〜５のいずれかに記載の
   接着シートを、線接着層を介して半導体ウエハに貼り付
   ける工程、（ＩＩ）ダイシング前又はダイシング後のい
   ずれかにおいて、該接着シートに放射線を照射して粘接
   着層を硬化させ、基材を剥離する工程、（ＩＩＩ）半導
   体ウェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を
   得る工程、（ＩＶ）粘接着層付き半導体素子と半導体素
   子搭載用の支持部材とを、該接着シートを介して接着す
   る工程を含むことを特徴とする接着シートの使用方法に
   関する。
7. 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかに記載の接着シ
   ートを用いて又は請求項６記載の接着シートの使用方法
   によって、半導体素子と支持部材とを接着した構造を含
   有してなる半導体装置。