JP2003041208A - 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング工程ではダイシングテープとして
作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信
頼性に優れる接着シートを提供し、さらに、半導体装置
の製造工程を簡略化できる製造方法を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、芳香族ポリイソシアネー
ト、酸無水物基を有する３価のポリカルボン酸及び下記
一般式（Ｉ）又は（ＩＩ） 【化１】 【化２】 で表されるジカルボン酸の混合物を非含窒素系極性溶媒
を含有する溶媒中で反応させることを特徴とする変性ポ
リアミドイミド樹脂、放射線重合性化合物を含む粘接着
剤層と、基材層とを備えたことを特徴とする熱重合性及
び放射線重合性接着シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着シート、それ
を使用した半導体装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子と半導体素子搭載用支
持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。
しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、
使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるよ
うになってきている。こうした要求に対して、銀ペース
トでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤ
ボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚
の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などの種々
の問題があった。これらの問題を解決するために、近
年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってき
た。フィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウエ
ハ裏面貼付け方式において使用されている。

【０００３】個片貼付け方式は、リール状の接着フィル
ムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切
り出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付き支
持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体
素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その
後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て、半導体素
子を完成する。しかし。個片貼付け方式は、接着フィル
ムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必
要であり、組立コストは、銀ペーストを使用する方法に
比べて高くなるという問題があった。

【０００４】一方、ウエハ裏面貼付け方式は、半導体ウ
エハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り
合わせた後、ダイシング工程によって個片化する。個片
化された接着剤付き半導体素子を支持部材に接合し、そ
の後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て、半
導体装置を完成する。ウエハ裏面貼付け方式は、接着剤
付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィル
ムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用
の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなど
の装置の一部を改良することにより使用できるため、フ
ィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが
比較的安く抑えられる方法として注目されている。

【０００５】このウエハ裏面貼付け方式における半導体
素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテー
プを貼り合わせた後、ダイシング工程にて行われる。そ
の際、用いられるダイシングテープには、感圧型とＵＶ
型とに大別される。感圧型テープは、通常、ポリ塩化ビ
ニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を
塗布したものである。このダイシングテープは、切断時
には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しない
ような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ
時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子
を傷つけないようにするために、ピックアップできる程
度の低い粘着力という相反する性能を満たす必要があ
る。そのため、感圧型のダイシングテープの場合は、粘
着力の公差を小さくした、素子のサイズや加工条件にあ
った各種の粘着力を有する多くの品種の接着シートを揃
え、工程毎に切替えていた。このため、多くの品種を在
庫する必要があり、在庫管理を複雑化していた。また工
程毎に、接着シートを切替える作業が必要であった。最
近は、ＵＶ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力を有
し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘
着力にし、相反する要求に応えるダイシングテープも広
く採用されている。

【０００６】近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリ
は、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化す
る傾向にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリーカ
ードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進ん
でいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、
感圧型では、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピッ
クアップ時の剥離力（低粘着力）という相反する要求を
満足できなくなりつつある。

【０００７】一方、ＵＶ型を使用したウエハ裏面貼付け
方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工
程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという
問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテ
ープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程
では接続信頼性に優れる接着シートを提供することを目
的とする。また、この接着シートは、半導体素子搭載用
支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装す
る場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作
業性に優れる接着シートである。本発明は、さらに、半
導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、次のものに関
する。 １．（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）（ａ）芳香族ポリイソシ
アネート（ｂ）酸無水物基を有する３価のポリカルボン
酸及び（ｃ）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）

【００１０】

【化３】

【００１１】（式中、ａ及びｂはそれぞれ０〜８０の整
数で、ａ＋ｂは１〜８０であり、ａ／ｂの比は１／０〜
０／１である）

【００１２】

【化４】

【００１３】（式中、ｃ及びｄはそれぞれ０〜８０の整
数で、ｃ＋ｄは１〜８０であり、ｃ／ｄの比は１／０〜
０／１である）で表されるジカルボン酸の混合物を非含
窒素系極性溶媒を含有する溶媒中で反応させることを特
徴とする変性ポリアミドイミド樹脂、（Ｃ）放射線重合
性化合物を含む粘接着剤層と、基材層とを備えたことを
特徴とする熱重合性及び放射線重合性接着シート。 ２．（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）変性ポリアミドイミド
樹脂が５／９５〜９０／１０（重量部）であり、（Ｃ）
放射線重合性化合物が前記（Ａ）エポキシ樹脂及び
（Ｂ）変性ポリアミドイミド樹脂の総量１００重量部に
対して１〜４００重量部であることを特徴とする項１記
載の接着シート。 ３．変性ポリアミドイミド樹脂をフィルム化した場合の
引張試験における引張弾性率が２５℃で２ＧＰａ以下で
あることを特徴とする項１又は項２記載の接着シート。 ４．変性ポリアミドイミド樹脂のガラス転移温度が３０
０℃以下であることを特徴とする項１〜３のいずれかに
記載の接着シート。 ５．粘接着剤組成物の硬化物の弾性率が−６０℃で２０
００ＭＰａ以下である項１〜４のいずれかに記載の接着
シート。 ６．放射線を照射して、前記粘接着層と基材の間の接着
力を制御する項１〜５のいずれかに記載の接着シート。 ７．項１〜４のいずれかに記載の接着シートを用いて、
半導体素子半導体と素子搭載用支持部材とを接着した半
導体装置。 ８．（１）項１〜４のいずれかに記載の粘接着剤層と基
材を有してなる接着シートを、前記粘接着剤層を介して
半導体ウエハに貼り付ける工程と、（２）ダイシング前
またはダイシング後のいずれかにおいて、前記接着シー
トに放射線を照射して前記粘接着層を硬化させ半導体素
子を形成、その後前記基材を剥離する工程と、（３）前
記半導体ウエハをダイシングして、粘接着剤層付きする
工程と、（４）前記粘接着層付き半導体素子と半導体素
子搭載用の支持部材とを、前記接着シートを介して接着
する工程と、を含む半導体装置の製造方法。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の接着シートは、（Ａ）エ
ポキシ樹脂と（Ｂ）変性ポリアミドイミド樹脂が５／９
５〜９０／１０（重量部）であり、（Ｃ）放射線重合性
化合物が前記（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）変性ポリア
ミドイミド樹脂の総量１００重量部に対して１〜４００
重量部である粘接着剤層と、基材層とを有する。これに
より、熱重合性および放射線重合性の両方の性質を備え
る接着シートを得ることができる。

【００１５】この接着シートは、ダイシング時には半導
体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、ピックアップ
時には各素子を傷つけることがないような低い粘着力を
有する、という相反する要求を満足するものであり、ダ
イボンドおよびダイシングの各工程を、一枚のフィルム
で完了することができる。

【００１６】本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂は、
硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限は無
く、例えば、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート
８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１
００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル
社製 ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成
（株）製 ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０等のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製
エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰ
ＰＮ−２０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８等の
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬（株）
製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１
２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製 ＹＤＣＮ
７０１，７０２，７０３，７０４等のｏ−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製
Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカ
ルズ社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製
デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，
５１２，５２１，４２１，４１１，３２１等の多官能エ
ポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート
６０４、東都化成（株）製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化
学（株）製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住
友化学（株）製 ＥＬＭ−１２０等のアミン型エポキシ
樹脂、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダ
イトＰＴ８１０等の複素環含有エポキシ樹脂、ＵＣＣ社
製 ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６等
の脂環式エポキシ樹脂などを使用することができ、これ
らの１種又は２種以上を併用することもできる。

【００１７】本発明で用いられる（ａ）成分の芳香族ポ
リイソシアネートとしては、例えば、４，４’−ジフェ
ニルメタンジイソシアネート、トリシレンジイソシアネ
ート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェ
ニルエーテルジイソシアネート、４，４’−［２，２−
ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン］ジイソシア
ネート、ビフェニル−４，４’−ジイソシアネート、ビ
フェニル−３，３’−ジイソシアネート、ビフェニル−
３，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメチルビフ
ェニル−４，４’−ジイソシアネート、２，２’−ジメ
チルビフェニル−４，４’−ジイソシアネート、３，
３’−ジエチルビフェニル−４，４’−ジイソシアネー
ト、２，２’−ジエチルビフェニル−４，４’−ジイソ
シアネート、３，３’−ジメトキシビフェニル−４，
４’−ジイソシアネート、２，２’−ジメトキシビフェ
ニル−４，４’−ジイソシアネート、ナフタレン−１，
５−ジイソシアネート、ナフタレン−２，６−ジイソシ
アネート等が挙げられる。これらは単独で、あるいは組
み合わせて使用することができる。必要に応じてこの一
部をヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−ト
リメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロン
ジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタン
ジイソシアネート、トランスシクロヘキサン−１，４−
ジイソシアネート、水添ｍ−キシレンジイソシアネー
ト、リジンジイソシアネート等の脂肪族、脂環式イソシ
アネート及び３官能以上のポリイソシアネートに置き換
えて使用してもよく、経日変化を避けるために適当なブ
ロック剤で安定化したものを使用してもよい。

【００１８】本発明で用いられる（ｂ）成分の酸無水物
基を有する３価のカルボン酸の誘導体としては、例え
ば、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で示される化合
物が好ましく用いられる。酸無水物基を有する３価のカ
ルボン酸の誘導体であれば特に制限はないが、耐熱性、
コスト面等を考慮すれば、トリメリット酸無水物が特に
好ましい。

【００１９】

【化５】

【００２０】

【化６】

【００２１】（ただし、両式中Ｒは水素、炭素数１〜１
０のアルキル基又はフェニル基を示し、Ｙは−ＣＨ
_２−、−ＣＯ−、−ＳＯ_２−又は−Ｏ−を示す）

【００２２】また、これらの他に必要に応じて、テトラ
カルボン酸二無水物（ピロメリット酸二無水物、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカ
ルボン酸二無水物、４，４’−スルホニルジフタル酸二
無水物、ｍ−ターフェニル−３，３’，４，４’−テト
ラカルボン酸二無水物、４，４−オキシジフタル酸二無
水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，
２−ビス（２，３−、又は３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−又は
３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス［４−（２，３−又は３，４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−
（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル］プロパン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水
物、ビシクロ−［２，２，２］−オクト−７−エン−
２：３：５：６−テトラカルボン酸二無水物）、脂肪族
ジカルボン酸（コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ア
ゼライン酸、スベリン酸、セバシン酸、デカン二酸、ド
デカン二酸、ダイマー酸）、芳香族ジカルボン酸（イソ
フタル酸、テレフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカル
ボン酸、オキシジ安息香酸）などを使用することができ
る。これらの使用量は、（ｂ）成分及び（ｃ）成分の総
量に対して５０モル％未満とすることが好ましい。

【００２３】本発明における（ｃ）上記一般式（Ｉ）又
は（ＩＩ）で表されるジカルボン酸としては、例えば、
日本曹達（株）製Ｎｉｓｓｏ ＰＢシリーズ、宇部興産
（株）製Ｈｙｃａｒ ＲＬＰシリーズ、Ｔｈｉｏｋｏｌ
社製 ＨＣ−ｐｏｌｙｍｅｒシリーズ、Ｇｅｎｅｒａｌ
Ｔｉｒｅ社製 Ｔｅｌａｇｅｎシリーズ、Ｐｈｉｌｌ
ｉｐｓ Ｐｅｔｒｏｌｅｕｍ社製Ｂｕｔａｒｅｔｚシリ
ーズ等が挙げられる。このジカルボン酸は数平均分子量
が１，０００〜７，０００のものが好ましく用いられ
る。またａ／ｂの比及びｃ／ｄの比は０．９／０．１〜
０．１／０．９のものが好ましく用いられ、特に有機溶
剤に対する溶解性の点で０．５／０．５〜０．１／０．
９のものを用いることが好ましい。上記一般式（Ｉ）又
は（ＩＩ）で表されるジカルボン酸において、ジカルボ
ン主鎖の各構造単位はランダムに存在している場合も含
んでいる。

【００２４】本発明においては、また、必要に応じて前
記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）成分に加えて（ｄ）ダイマ
ー酸を反応させることができる。（ｄ）成分のダイマー
酸としては、例えば、下記一般式（Ｖ）で表される不飽
和脂肪酸の重合によってつくられる２量体及びその水素
化物を使用することができる。

【００２５】

【化７】

【００２６】これらは単独でも組み合わせても使用する
こともできる。また、ダイマー酸は、通常、トリマー酸
及びモノマー酸を少量含有しているが、そのまま変性ポ
リアミドイミド樹脂の原料として使用して特に問題は無
い。市販されているダイマー酸としては、例えば、ハリ
マ化成（株）製ハリダイマーシリーズ、白水ヘンケル
（株）製Ｅｍｐｏｌシリーズ等が挙げられる。

【００２７】本発明において（ｂ）成分の酸無水物基を
有する３価のカルボン酸の誘導体と（ｃ）成分の一般式
（Ｉ）又は（ＩＩ）で表されるジカルボン酸及び（ｄ）
成分ダイマー酸の反応割合は、（ｂ）成分／［（ｃ）＋
（ｄ）］成分（モル比）を０．１／０．９〜０．９／
０．１とすることが好ましく、０．２／０．８〜０．８
／０．２とすることがより好ましく、０．３／０．７〜
０．７／０．３とすることが特に好ましい。０．１／
０．９未満では耐熱性等が低下する傾向があり、０．９
／０．１を超えると、接着性が低下する傾向がある。

【００２８】本発明において（ｄ）成分を使用する場合
は、（ｃ）成分と（ｄ）成分の使用量は、（ｃ）成分／
（ｄ）成分（モル比）を０．１／０．９〜０．９／０．
１とすることが好ましく、０．２／０．８〜０．８／
０．２とすることがより好ましく、０．３／０．７〜
０．７／０．３とすることが特に好ましい。０．１／
０．９未満では、溶媒に対する変性ポリアミドイミド樹
脂の溶解性が低下するため作業性が低下する傾向があ
り、０．９／０．１を超えると、保存安定性が低下する
傾向がある。

【００２９】本発明における（ａ）成分と（ｂ）成分、
（ｃ）成分及び（ｄ）成分の使用量は、カルボキシル基
及び酸無水物基に対するイソシアネート基の比率を０．
７〜１．５とすることが好ましく、１．０付近とするこ
とがより好ましい。０．７未満又は１．５を超えると、
樹脂の分子量を高くすることが困難となる傾向がある。

【００３０】本発明の変性ポリアミドイミド樹脂の製造
法における反応は、非含窒素系極性溶媒中で、遊離発生
してくる炭酸ガスを反応系より除去しながら加熱縮合す
ることにより行われる。反応温度は、８０〜２００℃と
することが好ましく、１００〜１８０℃とすることがよ
り好ましい。反応時間は、バッチの規模、採用される反
応条件により適宜選択することができる。

【００３１】反応に使用される非含窒素系極性溶媒とし
ては、例えば、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチ
レングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクト
ン、スルホラン等が好ましく用いられるが、高揮発性で
あって低温硬化性を付与できるγ−ブチロラクトンが最
も好ましい。非含窒素系極性溶媒の使用量は、生成する
変性ポリアミドイミド樹脂の１．０〜５．０倍（重量
比）とすることが好ましい。１．０倍未満では、合成時
の粘度が高すぎて、撹拌不能により合成が困難となる傾
向があり、５．０倍を超えると、反応速度が低下する傾
向がある。

【００３２】本発明の変性ポリアミドイミド樹脂の数平
均分子量（ＧＰＣ法で測定し、標準ポリスチレンによる
検量線を用いて算出）は、４，０００〜３０，０００と
することが好ましく、５，０００〜２８，０００とする
ことがより好ましい。数平均分子量が、４，０００未満
では、耐熱性等が低下する傾向があり、３０，０００を
超えると、非含窒素系溶媒に溶解しにくくなり、合成中
に不溶化しやすい。

【００３３】また、本発明の変性ポリアミドイミド樹脂
の酸価（ＫＯＨｍｇ／ｇ）は、１〜６０であることが好
ましく、３〜５０であることがより好ましく、５〜５０
であることが特に好ましい。酸価が１未満では、耐熱性
等が低下する傾向があり、６０を超えると、粘度安定性
が劣る傾向がある。また、合成終了後に、樹脂末端のイ
ソシアネート基を、アルコール類、ラクタム類、オキシ
ム類等のブロック剤でブロックすることもできる。

【００３４】エポキシ樹脂と変性ポリアミドイミド樹脂
の比率は、５／９５〜９０／１０（質量部）であり、好
ましくは１０／９０〜９０／１０（質量部）であり、さ
らに好ましくは１０／９０〜８５／１５（質量部）であ
る。エポキシ樹脂と変性ポリアミドイミド樹脂の比率が
この範囲以外だと耐熱性に劣る傾向がある。

【００３５】本発明に使用される変性ポリアミドイミド
樹脂をフィルム化した場合の引張試験における引張弾性
率が２５℃で２ＧＰａ以下であり、好ましくは０．２Ｇ
Ｐａ〜１．８ＧＰａである。引張弾性率が２ＧＰａを超
えると、得られる接着シートの室温付近での弾性率低下
効果が十分でなく、温度サイクルテストを行った際の劣
化が大きくなる傾向がある。また、本発明に使用される
変性ポリアミドイミド樹脂をフィルム化した場合の熱機
械分析におけるガラス転移温度（Ｔｇ）が３００℃以下
であり、好ましくは５０℃〜３００℃であり、さらに好
ましくは５０℃〜２５０℃である。Ｔｇが３００℃を超
えると、密着性に劣る傾向がある。

【００３６】本発明に使用する（Ｃ）放射線重合性化合
物には、特に制限は無く、例えば、アクリル酸メチル、
メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アク
リル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチ
ルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリ
エチレングリコールジアクリレート、テトラエチレング
リコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジメタクリレー
ト、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリ
メチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメ
タクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６
−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
メタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタ
クリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニル
トルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリド
ン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ
−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオ
キシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリル
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロ
ールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）
イソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式（Ｖ
Ｉ）

【００３７】

【化８】

【００３８】（式中、Ｒは水素又はメチル基を示し、ｑ
及びｒは１以上の整数である）で表される化合物、ジオ
ール類及び、一般式（ＶＩＩ）

【００３９】

【化９】

【００４０】（式中、ｎは０〜１の整数であり、Ｒは炭
素原子数が１〜３０の２価あるいは３価の有機性基であ
る）で表されるイソシアネート化合物及び、一般式（Ｖ
ＩＩＩ）

【００４１】

【化１０】

【００４２】（式中、Ｒ_１は水素又はメチル基であり、
Ｒ_２はエチレン基あるいはプロピレン基である）で表さ
れる化合物からなるウレタンアクリレート又はウレタン
メタクリレート、一般式（ＩＸ）

【００４３】

【化１１】

【００４４】（式中、Ｒは炭素原子数が２〜３０の２価
の有機基を示す）で表されるジアミン及び、一般式
（Ｘ）

【００４５】

【化１２】

【００４６】（式中、ｎは０〜１の整数である）で表さ
れる化合物からなる尿素メタクリレート、官能基を含む
ビニル共重合体に少なくとも１個のエチレン性不飽和基
と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボ
キシル基等の１個の官能基を有する化合物を付加反応さ
せて得られる側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線
重合性共重合等などを使用することができ、これらの１
種又は２種以上を併用することもできる。

【００４７】本発明の（Ｃ）放射線重合性化合物の使用
量は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）変性ポリアミドイ
ミド樹脂の総量１００重量部に対して１〜４００重量部
であるが、好ましくは３〜３５０重量部であり、さらに
好ましくは５〜３００重量部である。（Ｃ）放射線重合
性化合物の使用量が１重量部未満だと、放射線を照射し
た際、粘接着層と基材の間の接着力を制御することが困
難となる傾向があり、４００重量部を超えると、得られ
た接着シートの耐熱性が低下する傾向がある。

【００４８】本発明の接着シートを形成する粘接着層を
硬化した接着剤硬化物の貯蔵弾性率は、−６０℃で２０
００ＭＰａ以下であり、１００〜２０００ＭＰａである
のが好ましい。貯蔵弾性率の測定は、動的粘弾性測定装
置（レオロジ社製 ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬
化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度
５〜１０℃／ｍｉｎで−７０℃から２５０℃まで測定す
る温度依存性測定モードで行った。貯蔵弾性率が−６０
℃で２０００ＭＰａを超えると、半導体素子と支持部材
の熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる
効果が小さくなり、剥離やクラックを発生する傾向が大
きくなる。

【００４９】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、その強度、可とう姓、耐熱性等を向上する目的で、
官能基を含む高分子量成分を配合することもできる。官
能基を含む高分子量成分としては、エポキシ樹脂と非相
溶であるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタク
リレート０．５〜６重量％を含むエポキシ基含有アクリ
ル共重合体であることが好ましい。

【００５０】グリシジルアクリレート又はグリシジルメ
タクリレート０．５〜６重量部を含むエポキシ基含有ア
クリル共重合体としては、特に制限がなく、帝国化学産
業（株）製 ＨＴＲ−８６０Ｐ−３等を用いることがで
きる。官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル
酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチル（メタ）アクリ
レートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス
状態でのゲル化、Ｂステージ状態での硬化度の上昇によ
る接着力の低下等の問題があるため好ましくない。ま
た、官能基モノマーとして用いるグリシジル（メタ）ア
クリレートの量は、２〜６重量％の共重合体比とする。
２重量％以下だと接着力が低下する可能性があり、６重
量％以上だとゲル化する可能性がある。残部はエチル
（メタ）アクリレートやブチル（メタ）アクリレートま
たは両者の混合物を用いることができるが、混合比率
は、共重合体のガラス転移温度（以下Ｔｇと略す）を考
慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好まし
い。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での粘
接着剤層のタック性が大きくなり取り扱い性が悪化する
可能性がある。重合方法は特に制限が無く、パール重
合、溶液重合等を使用することができる。

【００５１】エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平
均分子量は、３０万〜３００万であることが好ましく、
５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均
分子量が３０万未満だと、シート状、フィルム状での強
度や可とう性の低下やタック性が増大する可能性があ
り、３００万を超えると、フロー性が小さく配線の回路
充填性が低下する可能性がある。

【００５２】エポキシ基含有アクリル共重合体の配合量
は１０〜４００重量部が好ましい。この配合量が１０質
量部未満だと、弾性率の低減及び成形時のフロー性抑制
効果が少ない傾向があり、４００質量部を超えると、高
温での取り扱い性が低下する傾向がある。

【００５３】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。
硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダ
ゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリ
テート等などを使用することができ、これらの１種又は
２種以上を併用することもできる。などを使用すること
ができ、これらの１種又は２種以上を併用することもで
きる。

【００５４】硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹
脂１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましく、
０．２〜３重量部がより好ましい。添加量が０．１重量
部未満であると硬化性が劣る傾向があり、５重量部を超
えると保存安定性が低下する傾向がある。

【００５５】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成す
る光重合開始剤を添加することもできる。このような光
重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，
Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，
４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−
ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジ
メチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタ
ノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエ
タン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェ
ニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フ
ェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−
ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、
フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
フェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベン
ゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジ
メチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロ
フェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、
２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキ
シフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロ
フェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２
−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミ
ダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，
５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−
メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量
体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジ
フェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリ
ールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、
１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等の
アクリジン誘導体などを使用することができ、これらの
１種又は２種以上を併用することもできる。上記光重合
開始剤の使用量としては、特に制限はないが、（Ｃ）放
射線重合性化合物１００質量部に対して通常０．０１〜
３０重量部である。

【００５６】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘
度の調整及びチキソトロピック性付与等の目的のため、
無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーと
しては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、
結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの
形状は特に制限されるものではない。これらのフィラー
は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することが
できる。

【００５７】中でも、熱伝導性向上のためには、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シ
リカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調
整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アル
ミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

【００５８】無機フィラーの使用量は、粘接着層１００
体積部に対して１〜２０体積部が好ましい。１体積部未
満だと添加効果が得られない傾向があり、２０体積部を
超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低
下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす
傾向がある。

【００５９】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各
種カップリング剤を添加することもできる。カップリン
グ剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニ
ウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カ
ップリング剤が好ましい。

【００６０】上記シラン系カップリング剤としては、特
に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エト
キシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−
イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシ
ラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
メチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）
アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピ
ルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラ
ン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキ
シ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、
Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラ
ン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシ
リルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、
メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイ
ソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネ
ートなどを使用することができ、これらの１種又は２種
以上を併用することもできる。

【００６１】また、チタン系カップリング剤としては、
例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネー
ト、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホス
ファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジア
リルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）
ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピル
チタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチル
チタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チ
タネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンア
エチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、
チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、
チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノー
ルアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソ
ブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレ
シルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマ
ー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネー
ト）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリ
エタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチ
タネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用する
ことができ、これらの１種又は２種以上を併用すること
もできる。

【００６２】アルミニウム系カップリング剤としては、
例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテ
ート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソ
プロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビ
ス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプ
ロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アル
ミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテ
ート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノ
エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合
物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム
−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のア
ルミニウムアルコレートなどを使用することができ、こ
れらの１種又は２種以上を併用することもできる。上記
カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコス
トの面から、（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対し、
０．０１〜１０重量部とするのが好ましい。

【００６３】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を
よくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することも
できる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限は
なく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノ
ール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止
するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウ
ム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム
化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イ
オン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コス
ト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対し
０．１〜１０重量部が好ましい。

【００６４】本発明接着シートは、接着シートを形成す
る組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基
材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによっ
て得ることができる。本発明の接着シートに用いる基材
としては、特に制限は無く、例えば、ポリテトラフルオ
ロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム
などのプラスチックフィルム等が挙げられる。

【００６５】上記溶剤としては、特に制限は無く、例え
ば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチル
ケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレ
ン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−
メトキシエタノールジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン
などを使用することができ、これらの１種又は２種以上
を併用することもできる。

【００６６】無機フィラーを添加した際のワニスの製造
には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、
３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用する
のが好ましく、また、これらを組み合わせて使用するこ
ともできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあ
らかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することに
よって、混合する時間を短縮することもできる。また、
ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を
除去することもできる。

【００６７】基材フィルムへのワニスの塗布方法として
は、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコ
ート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビア
コート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げら
れる。

【００６８】接着シートの厚みは、特に制限はないが、
粘接着層、基材ともに５〜２５０μｍが好ましい。５μ
ｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２
５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置
の小型化の要求に応えられない。また、本発明の接着シ
ートは、所望の厚さを得るために、接着シートの粘接着
層側に、別途作成した粘接着剤を２枚以上貼り合わせる
こともできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が
発生しないような貼り合わせ条件が必要である。

【００６９】以上説明したような構成の接着シートに放
射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は大
きく低下し、容易に半導体素子に接着層を保持したまま
該接着シートの基材フィルムからピックアップすること
ができる。

【００７０】以下本発明に係る接着シートの使用方法に
ついて説明する。接着シート上にダイシング加工すべき
半導体ウェハを室温又は加熱しながら圧着し、ダイシン
グ、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体素
子は接着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間に半導体素子が脱落することはない。

【００７１】次に、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（Ｅ
Ｂ）等の放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を
有する接着シートを重合硬化せしめる。この結果、放射
線重合性を有する接着シートと該接着シートの基材フィ
ルムとの間の粘着力は、半導体素子をピックアップでき
る程度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせること
によって容易に所望の半導体素子間隔が得られピックア
ップが容易になる。

【００７２】接着シートへの放射線照射は、放射線重合
性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを
用いる場合には接着シートの基材フィルムは光透過性で
ある必要はないが、放射線としてＵＶを用いる場合には
接着シートの基材フィルムは光透過性である必要があ
る。

【００７３】エキスパンディング工程後、半導体素子を
放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支
持部材に室温又は加熱しながら圧着し加熱する。加熱に
よって接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半
導体素子と支持部材の接着が完了する。

【００７４】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００７５】（合成例１）攪拌機、冷却管、窒素導入管
及び温度計を備えた四つ口フラスコに、（ａ）成分とし
ての４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート １
５．０ｇ（０．０６モル）、（ｂ）成分としての無水ト
リメリット酸 ５．７６ｇ（０．０３モル）（ｃ）成分
としてのＮｉｓｓｏＰＢ Ｃ−１０００（日本槽達
（株）製商品名、一般式（Ｉ）のａ／ｂ＝０．１１２／
０．８８８）５７．９３ｇ（０．０３モル）及びγ−ブ
チロラクトン １６５．２５ｇを仕込み、１６０℃まで
昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が１８，
６００の樹脂を得た。得られた樹脂を、γ−ブチロラク
トンで希釈し、不揮発分２５質量％の変性ポリアミドイ
ミド樹脂溶液（ＰＡＩ−１）を得た。

【００７６】（合成例２）実施例１と同様のフラスコ
に、（ａ）成分としての４，４’−ジフェニルメタンジ
イソシアネート １２．０ｇ（０．０４８モル）及びト
リレンジイソシアネート ２．２０８ｇ（０．０１２モ
ル）、（ｂ）成分としての無水トリメリット酸 ５．７
６ｇ（０．０３モル）、（ｃ）成分としてのＮｉｓｓｏ
ＮｉｓｓｏＰＢ Ｃ−１０００（日本槽達（株）製商品
名、一般式（Ｉ）のａ／ｂ＝０．１１２／０．８８８）
５７．９３ｇ（０．０３モル）及びγ−ブチロラクトン
１６３．５９ｇを仕込み、１６０℃まで昇温した後、
２時間反応させて、数平均分子量が１０，１００の樹脂
を得た。得られた樹脂を、γ−ブチロラクトンで希釈
し、不揮発分２５質量％の変性ポリアミドイミド樹脂溶
液（ＰＡＩ−２）を得た。

【００７７】（合成例３）合成例１と同様のフラスコ
に、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート５
１．０ｇ（０．２０４モル）、無水トリメリット酸 ３
８．４ｇ（０．２モル）及びＮ−メチル−２−ピロリド
ン １８７．７４ｇを仕込み、１３０まで昇温した後、
４時間反応させて、数平均分子量が１７，０００の樹脂
を得た。得られた樹脂をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
で希釈し、不揮発分 ２５質量％、酸価 ３２．０ＫＯ
Ｈｍｇ／ｇのポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−３）
を得た。

【００７８】上記合成例で得られた変性ポリアミドイミ
ド樹脂溶液及びポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ１〜
３）をガラス板上に塗布し、９０℃で４８０秒乾燥した
後、空気雰囲気下１６０℃で６０分加熱して得た塗膜
（膜厚：３０μｍ）の特性を下記の方法で測定した。表
１に示す。

【００７９】（１）ガラス転移温度（Ｔｇ） 熱機械分析装置（セイコー電子（株）製 ＴＭＡ−１２
０）で測定した。 測定モード：エクステンション 測定スパン：１０ｍｍ 荷 重：１０ｇ 昇温速度 ：５℃／ｍｉｎ 雰 囲 気：空気 （２）引張弾性率 万能試験機（オリエンテック社製 テンシロンＵＣＴ−
５Ｔ型）で測定した。 測定温度：２５℃ 引張速度：５ｍｍ／ｍｉｎ

【００８０】

【表１】

【００８１】（実施例１）ＹＤ８１２５（東都化成
（株）製商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エ
ポキシ当量１７５）２０質量部、合成例１で得られた変
性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−１）１５３．８
５質量部（樹脂単体として８０質量部）及びキュアゾー
ル２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業（株）製商品名、１−シ
アノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．２質量
部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１３．
１ｇ及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
０．２ｇを攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニ
スを、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝
人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ｇ２−５０）
上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、基材（ポ
リエチレンテレフタレートフィルム）を備えた膜厚が５
０μｍの接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが
５０μｍ）（接着シート１）を作製した。

【００８２】この接着シート１を１７０℃１時間硬化さ
せた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ
社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ：
長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃
／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）した
結果、−６０℃で９５０ＭＰａであった。

【００８３】得られた接着シート１を用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプ
ル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性及び
耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフローク
ラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフローク
ラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃
でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲ
リフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することによ
り冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラック
を目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生して
いないものを○とし、発生していたものを×とした。耐
温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分
間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する
工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において
超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が発生し
ていないものを○、発生したものを×とした。また、耐
湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×
１０^５Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカーテスト：Ｐ
ＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察することによ
り行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離
のあったものを×とした。

【００８４】一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシ
リコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェ
ハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェ
ハをダイシング装置上に固定して５ｍｍ×５ｍｍにダイ
シングした後、（株）オーク製作所製ＵＶ−３３０ Ｈ
ＱＰ−２型露光機を使用して、５００ｍＪ／ｃｍ^２の露
光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、ピッ
クアップ装置にてダイシングしたチップをピックアップ
し、ダイシング時のチップ飛び及びピックアップ性を評
価した。

【００８５】さらに、上記接着シート付きシリコンウェ
ハに５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で接着シートの支持体
フィルム側から露光し、露光前後の接着シート／基材界
面の接着強度を、９０℃ピール強度で測定した（引張り
速度 ５０ｍ／ｍｉｎ）。これらの評価結果をまとめて
表２に示す。

【００８６】（実施例２）エピコート８２８（油化シェ
ルエポキシ（株）製商品名、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、エポキシ当量１９０）２５質量部、合成例１で
得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−１）
１４４．２３質量部（樹脂単体として７５質量部）及び
キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業（株）製商品
名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）
０．２質量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ート１３．１ｇ及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェ
ニルケトン０．２ｇを攪拌混合し、真空脱気した。この
接着剤ワニスを、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタ
レート（帝人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ｇ
２−５０）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥し
て、基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を備
えた膜厚が５０μｍの接着シート（基材を除いた接着シ
ートの厚みが５０μｍ）（接着シート２）を作製した。

【００８７】この接着シート２を１７０℃１時間硬化さ
せた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ
社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ：
長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃
／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）した
結果、−６０℃で８８０ＭＰａであった。得られた接着
シート２を実施例１と同様の条件で評価した結果を表２
に示す。

【００８８】（実施例３）実施例１において、合成例１
で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−
１）を合成例２で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶
液（ＰＡＩ−２）にした以外は全く同様の操作を行い、
（接着シート３）を作製した。この接着シート３を１７
０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定
（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０
μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈ
ｚ、自動静荷重）した結果、−６０℃で７５０ＭＰａで
あった。得られた接着シート３を実施例１と同様の条件
で評価した結果を表２に示す。

【００８９】（実施例４）実施例２において、合成例１
で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−
１）を合成例２で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶
液（ＰＡＩ−２）にした以外は全く同様の操作を行い、
（接着シート４）を作製した。この接着シート４を１７
０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定
（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０
μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈ
ｚ、自動静荷重）した結果、−６０℃で７４０ＭＰａで
あった。得られた接着シート４を実施例１と同様の条件
で評価した結果を表２に示す。

【００９０】（比較例１）実施例１において、合成例１
で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−
１）を合成例３で得られたポリアミドイミド樹脂溶液
（ＰＡＩ−３）にした以外は全く同様の操作を行い、
（接着シート５）を作製した。この接着シート５を１７
０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定
（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０
μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈ
ｚ、自動静荷重）した結果、−６０℃で２２００ＭＰａ
であった。得られた接着シート５を実施例１と同様の条
件で評価した結果を表２に示す。

【００９１】（比較例２）実施例２において、合成例１
で得られた変性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−
１）を合成例３で得られたポリアミドイミド樹脂溶液
（ＰＡＩ−３）にした以外は全く同様の操作を行い、
（接着シート６）を作製した。この接着シート６を１７
０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定
（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０
μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈ
ｚ、自動静荷重）した結果、−６０℃で３２００ＭＰａ
であった。得られた接着シート６を実施例１と同様の条
件で評価した結果を表２に示す。

【００９２】（比較例３）ＹＤ８１２５（東都化成
（株）製商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エ
ポキシ当量１７５）２０質量部、合成例３で得られた変
性ポリアミドイミド樹脂溶液（ＰＡＩ−１）１５３．８
５質量部（樹脂単体として８０質量部）及びキュアゾー
ル２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業（株）製商品名、１−シ
アノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．２質量部
を攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚
さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人（株）
製、テイジンテトロンフィルム：Ｇ２−５０）上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、基材（ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム）を備えた膜厚が５０μｍの
接着シート（基材を除いた接着シートの厚みが５０μ
ｍ）（接着シート７）を作製した。この接着シート７を
１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾
性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測
定（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８
０μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈ
ｚ、自動静荷重）した結果、−６０℃で６００ＭＰａで
あった。得られた接着シート７を実施例１と同様の条件
で評価した結果を表２に示す。

【００９３】

【表２】

【００９４】表２から、本発明の接着シートは耐熱性お
よび耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、
ピックアップ性も良好である。さらに、露光前後の接着
強度差が大きいため、作業条件の許容度が大きいため、
作業条件の許容度が大きく、作業性に優れるものであ
る。

【００９５】

【発明の効果】本発明の接着シートは、ダイシング工程
ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の
接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用する
ことができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数
の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱
性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。ま
た、本発明の接着シートを使用した半導体装置の製造方
法は、製造工程を簡略化でき、しかも製造した半導体装
置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい
半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性およ
び作業性を兼ね備えるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 163/00 Ｃ０９Ｊ 163/00 179/08 179/08 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J004 AA13 AA14 AA16 AB07 CA04 CA05 CB03 FA08 4J034 BA08 CA25 CB02 CB04 CB05 CB07 CC03 CC12 CC22 CC33 CC54 CC61 CC65 CC66 CC67 CC68 CC69 CD04 CD05 CD06 CD09 CD12 DA05 DB04 DB07 DP19 HA01 HA07 HC03 HC08 HC12 HC13 HC46 HC52 HC64 HC65 HC67 HC70 HC71 HC73 RA08 RA14 4J040 DF042 DF052 EC001 EF281 EH031 GA07 HC24 JB02 JB08 MA10 MB03 NA20 4J043 PA01 QB58 RA05 RA34 SA11 SA43 SA72 SB01 SB02 TA11 TA13 TA14 TA21 TA22 TB01 TB02 UA041 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA261 UA662 UA672 UA761 UB011 UB012 UB121 UB122 UB152 UB302 UB401 VA011 VA021 VA031 VA041 VA051 VA061 VA081 WA13 WA22 ZB01 5F047 BA23 BA24 BA34 BA39

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）（ａ）芳香族
   ポリイソシアネート（ｂ）酸無水物基を有する３価のポ
   リカルボン酸及び（ｃ）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ） 【化１】 （式中、ａ及びｂはそれぞれ０〜８０の整数で、ａ＋ｂ
   は１〜８０であり、ａ／ｂの比は１／０〜０／１であ
   る） 【化２】 （式中、ｃ及びｄはそれぞれ０〜８０の整数で、ｃ＋ｄ
   は１〜８０であり、ｃ／ｄの比は１／０〜０／１であ
   る）で表されるジカルボン酸の混合物を非含窒素系極性
   溶媒を含有する溶媒中で反応させることを特徴とする変
   性ポリアミドイミド樹脂、（Ｃ）放射線重合性化合物を
   含む粘接着剤層と、基材層とを備えたことを特徴とする
   熱重合性及び放射線重合性接着シート。
2. 【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）変性ポリア
   ミドイミド樹脂が５／９５〜９０／１０（重量部）であ
   り、（Ｃ）放射線重合性化合物が前記（Ａ）エポキシ樹
   脂及び（Ｂ）変性ポリアミドイミド樹脂の総量１００重
   量部に対して１〜４００重量部であることを特徴とする
   請求項１記載の接着シート。
3. 【請求項３】 変性ポリアミドイミド樹脂をフィルム化
   した場合の引張試験における引張弾性率が２５℃で２Ｇ
   Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２
   記載の接着シート。
4. 【請求項４】 変性ポリアミドイミド樹脂のガラス転移
   温度が３００℃以下であることを特徴とする請求項１〜
   ３のいずれかに記載の接着シート。
5. 【請求項５】 粘接着剤組成物の硬化物の弾性率が−６
   ０℃で２０００ＭＰａ以下である請求項１〜４のいずれ
   かに記載の接着シート。
6. 【請求項６】 放射線を照射して、前記粘接着層と基材
   の間の接着力を制御する請求項１〜５のいずれかに記載
   の接着シート。
7. 【請求項７】 請求項１〜４のいずれかに記載の接着シ
   ートを用いて、半導体素子半導体と素子搭載用支持部材
   とを接着した半導体装置。
8. 【請求項８】 （１）請求項１〜４のいずれかに記載の
   粘接着剤層と基材を有してなる接着シートを、前記粘接
   着剤層を介して半導体ウエハに貼り付ける工程と、
   （２）ダイシング前またはダイシング後のいずれかにお
   いて、前記接着シートに放射線を照射して前記粘接着層
   を硬化させ半導体素子を形成、その後前記基材を剥離す
   る工程と、（３）前記半導体ウエハをダイシングして、
   粘接着剤層付きする工程と、（４）前記粘接着層付き半
   導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記接着
   シートを介して接着する工程と、を含む半導体装置の製
   造方法。