JP2002212522A - 接着シート、その使用方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ダイシング工程ではダイシングテープとし
て、半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に
優れる接着剤として使用でき、また熱膨張係数の差が大
きい半導体素子を搭載用支持部材に実装する場合に必要
な耐熱、耐湿性を有し、作業性に優れる接着シート、半
導体装置製造工程を簡略化できる接着シートの使用方法
並びに耐熱、耐湿性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】 Ａ）エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化
剤、 Ｂ）官能基を含む重量平均分子量１０万以上の高分子量
成分及び Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共
重合体を含有する粘接着層と、基材層とを有する熱重合
性及び放射線重合性の接着シート、並びに接着シートを
用い又は接着シートの使用方法により、半導体素子と支
持部材とを接着した構造の半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着シート、その
使用方法及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子と支持部材の接合には
銀ペーストが主に使用されているが、近年の半導体素子
の小型化、高性能化に伴い、使用される支持部材にも小
型化・細密化が要求されるようになってきている。その
要求に対し銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾
きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発
生、接着剤層の膜厚の制御困難性、接着剤層のボイド発
生等の問題があった。これらの問題を解決するために、
近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってき
た。フィルム状接着剤は個片貼付け方式又はウェハ裏面
貼付け方式にて使用されている。

【０００３】個片貼付け方式はリール状の接着フィルム
をカッティング又はパンチングによって個片に切り出し
た後、支持部材に接着する。接着フィルム付きの支持部
材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を
接合し半導体素子付きの支持部材が作製され、その後、
ワイヤボンド工程、封止工程等を経て半導体素子が完成
される。しかし、個片貼付け方式は接着フィルムを切り
出して支持部材に接着する専用の組立装置の導入が必要
であり、組立コストが銀ペーストを使用するに比べ高く
なってしまうという問題があった。

【０００４】一方、ウェハ裏面貼付け方式は半導体ウェ
ハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り合
わせた後ダイシング工程によって個片化する。個片化さ
れた接着剤付きの半導体素子を支持部材に接合し、加熱
後硬化、ワイヤボンド等の工程を経て半導体装置が完成
する。ウェハ裏面貼付け方式は接着剤付きの半導体素子
を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する
装置が不要であり、従来の銀ペースト用の組立装置をそ
のまま使用、又は熱盤の付加等の一部改良することによ
り使用できるため、フィルム状接着剤を用いた組立方法
の中で組立コストが比較的安く抑えられる方法として注
目されている。

【０００５】このウェハ裏面貼付け方式の半導体素子の
個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼
り合わせた後ダイシング工程にて行われる。その際、用
いられるダイシングテープには大別して感圧型とＵＶ型
がある。感圧型は通常、塩化ビニルやポリオレフィン系
のベースフィルムに粘着剤が塗布されたものである。こ
のダイシングテープは切断時にはダイシングソウによる
回転で各素子が飛散しない充分な粘着力が必要である一
方、ピックアップ時には各素子に負担がかからない程度
の低い粘着力であるといった相反する要求を満足する必
要がある。そのため感圧型のダイシングテープの場合は
粘着力の公差を小さくし、素子のサイズや加工条件にあ
った各種粘着力のものを多品種揃え、工程毎に切替える
ため品種を多く在庫しなければならず在庫管理が煩雑で
あり、また工程毎に切替え作業が必要となる。最近はＵ
Ｖ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力で、ピックア
ップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘着力にして相
反する要求に応えるダイシングテープも広く採用されて
いる。

【０００６】近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリは
大容量化が進み、その結果半導体素子が大型化する傾向
にある。さらに、ＩＣカード又はメモリーカード等の製
品では使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これら
の半導体素子の大型化や薄型化に伴い、感圧型ではダイ
シング時の固定力（高粘着力）とピックアップ時の剥離
性（低粘着力）という相反する要求を満足できなくなっ
てきている。

【０００７】一方、ＵＶ型を使用したウェハ裏面貼付け
方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工
程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという
問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】請求項１及び２記載の
発明は、ダイシング工程ではダイシングテープとして、
半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れ
る接着剤として使用することができ、また、半導体搭載
用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装
する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、作業性に優れ
る接着シートを提供するものである。請求項３記載の発
明は、請求項１記載の発明の効果を奏し、より耐熱性に
優れる接着シートを提供するものである。

【０００９】請求項４記載の発明は、請求項１又は２記
載の発明の効果を奏し、より耐熱性及び耐湿性に優れる
接着シートを提供するものである。請求項５記載の発明
は、請求項１、２又は３記載の発明の効果を奏し、より
作業性、耐熱性及び耐湿性に優れる接着シートを提供す
るものである。請求項６記載の発明は、請求項１〜４記
載の発明の効果を奏し、さらに耐温度サイクル試験性に
優れる接着シートを提供するものである。請求項７記載
の発明は、請求項１〜５記載の発明の効果を奏し、より
作業性に優れる接着シートを提供するものである。

【００１０】請求項８記載の発明は、半導体装置の製造
工程を簡略化できる接着シートの使用方法を提供するも
のである。請求項９記載の発明は、耐熱性、耐湿性に優
れた半導体装置を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能基を含む重
量平均分子量が１０万以上である高分子量成分及び
（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性
共重合体を含有してなる粘接着層と、基材層とを有して
なる熱重合性及び放射線重合性の接着シートに関する。
また本発明は、上記粘接着層が、（Ａ）エポキシ樹脂及
びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部、（Ｂ）官能基を含
む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分１０
〜４００質量部、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有
する放射線重合性共重合体５〜４００質量部含有してな
る粘接着層である請求項１記載の接着シートに関する。

【００１２】また本発明は、（Ｂ）官能基を含む重量平
均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ
樹脂と非相溶である上記接着シートに関する。また本発
明は、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上
である高分子量成分が、原料としてグリシジルアクリレ
ート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％
使用して得られ、かつ重量平均分子量が１０万以上のエ
ポキシ基含有アクリル共重合体である上記接着シートに
関する。

【００１３】また本発明は、（Ｃ）側鎖にエチレン性不
飽和基を有する放射線重合性共重合体が、官能基を含む
ビニル共重合体に少なくとも１個のエチレン性不飽和基
と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボ
キシル基、アミノ基、酸無水物からなる群より選ばれる
１個の官能基を有する化合物とを付加反応させて得られ
るものである上記接着シートに関する。また本発明は、
粘接着層が、加熱硬化した後の段階で、動的粘弾性測定
装置を用いて測定した貯蔵弾性率が、２５℃で１０〜２
０００MPaかつ２６０℃で３〜５０MPaである上記接着シ
ートに関する。また本発明は、放射線照射することで粘
接着層と基材との間の接着力を制御できる上記接着シー
トに関する。

【００１４】また本発明は、（Ｉ）上記接着シートを、
その粘接着層を介して半導体ウェハに貼り付ける工程、
（II）該接着シートに放射線を照射して粘接着層を硬化
させ、基材を剥離する工程、（III）半導体ウェハをダ
イシングして、粘接着層付き半導体素子を得る工程、
（IV）粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支
持部材とを、該接着シートを介して接着する工程、を含
むことを特徴とする接着シートの使用方法に関する。

【００１５】また本発明は、上記接着シートを用いて又
は上記接着シートの使用方法によって、半導体素子と支
持部材とを接着した構造を含有してなる半導体装置に関
する。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の接着シートは、（Ａ）エ
ポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部（Ｂ）
官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子
量成分１０〜４００質量部（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽
和基を有する放射線重合性共重合体５〜４００質量部を
含有してなる粘接着層と、基材層とを有してなるもので
あり、上記構成にすることで熱重合性及び放射線重合性
の両方の性質を備える接着シートとなる。上記構成の接
着シートは、ダイシング時には半導体素子が飛散しない
充分な粘着力を有し、ピックアップ時には各素子に負担
がかからない程度の低い粘着力であるといった相反する
要求を満足するもので、ダイボンド、ダイシングの各工
程を一枚のフィルムで完了することが可能である。

【００１７】本発明に使用するエポキシ樹脂は、硬化し
て接着作用を呈するものであれば特に制限は無く、例え
ば、油化シェルエポキシ(株)製エピコート８０７、エピ
コート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、
エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１０
０１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピ
コート１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０、Ｄ
ＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、東都化成(株)製ＹＤ８
１２５、ＹＤＦ８１７０等のビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製エピコート１５２、
エピコート１５４、日本化薬(株)製ＥＰＰＮ−２０１、
ダウケミカル社製ＤＥＮ−４３８等のフェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製ＥＯＣＮ−１０２
Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣ
Ｎ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２
７、東都化成(株)製ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、
ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等のｏ−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製Ｅ
ｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ
社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成(株)製デナコー
ルＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ
−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２
１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等の多官能エポキシ樹
脂、油化シェルエポキシ(株)製エピコート６０４、東都
化成(株)製ＹＨ−４３４、三菱ガス化学(株)製ＴＥＴＲ
ＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学(株)製ＥＬＭ−
１２０等のアミン型エポキシ樹脂、チバスペシャリティ
ーケミカルズ社製アラルダイトＰＴ８１０等の複素環含
有エポキシ樹脂、ＵＣＣ社製ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４
２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等の脂環式エ
ポキシ樹脂などが挙げられ、これらは単独で又は二種類
以上を組み合わせて使用することができる。なお、ここ
で（Ａ）成分のエポキシ樹脂の重量平均分子量は、通常
１０万未満である。

【００１８】エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用い
られているものを特に制限なく使用することができ、例
えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィ
ド、三フッ化ホウ素、フェノール性水酸基を１分子中に
２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＳ及びフェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾー
ルノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられ、
特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラ
ック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾ
ールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。

【００１９】このような好ましいフェノール樹脂硬化剤
としては、例えば、大日本インキ化学工業(株)製フェノ
ライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェ
ノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４
９、フェノライトＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１
７０等が挙げられる。

【００２０】（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０
万以上である高分子量成分としては、官能基として、例
えば、エポキシ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等
を有するものが挙げられる。なお、（Ｂ）高分子量成分
からは、後述する（Ｃ）成分は除かれる。中でも、原料
としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリ
レート等の官能基モノマーを使用して得られ、かつ重量
平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有アクリル
共重合体が好ましく、さらにエポキシ樹脂と非相溶であ
ることが好ましい。

【００２１】原料としてグリシジルアクリレート又はグ
リシジルメタクリレート等の官能基モノマーを使用して
得られ、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキ
シ基含有アクリル共重合体としては、例えば、帝国化学
産業(株)製 ＨＴＲ―８６０Ｐ−３等が挙げられる。官
能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水
酸基タイプのヒドロキシメチル（メタ）アクリレートを
用いると、架橋反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲ
ル化、Ｂステージ状態での硬化度の上昇による接着力の
低下等の問題があるため好ましくない。

【００２２】グリシジルアクリレート又はグリシジルメ
タクリレート等の官能基モノマーの使用量は、０．５〜
６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより
好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。０．
５質量％未満であると接着力が低下する傾向があり、
６．０質量％を超えるとゲル化する傾向がある。

【００２３】グリシジルアクリレート、グリシジルメタ
クリレート以外の官能基モノマーとしては、例えば、エ
チル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレー
ト等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み
合わせて使用することができる。なお、本発明におい
て、例えば、エチル（メタ）アクリレートとはエチルア
クリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。

【００２４】混合比率は、共重合体のガラス転移温度
（以下Ｔｇと表す）を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃
以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満である
とＢステージ状態での接着剤層のタック性が大きくなり
取り扱い性が悪化する傾向がある。

【００２５】上記モノマーを重合させて（Ｂ）官能基を
含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を
製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、
例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用すること
ができる。

【００２６】本発明において（Ｂ）官能基を含む高分子
量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万
〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万で
あることがより好ましい。重量平均分子量が１０万未満
であると、シート状、フィルム状としたときの強度低
下、可とう性低下、タック性増大等の問題が起こり、３
００万を超えると、フロー性が小さくなり配線の回路充
填性が低下する傾向がある。なお、本発明において、重
量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算
した値を示す。

【００２７】また、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量
が１０万以上である高分子量成分の使用量は、（Ａ）エ
ポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し
て、１０〜４００質量部であるが、中でも１５〜３５０
重量部が好ましく、２０〜３００重量部がより好まし
い。使用量が１０質量部未満であると、弾性率の低減及
び成形時のフロー性抑制効果が得られず、４００質量部
を超えると、高温での取り扱い性が低下する。

【００２８】（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する
放射線重合性共重合体は、例えば、（Ｃ′）官能基を含
むビニル共重合体に、（Ｃ″）少なくとも１個のエチレ
ン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水
酸基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物等から選ば
れる官能基を有する化合物、を付加反応させて得ること
ができる。

【００２９】上記の（Ｃ′）官能基を含むビニル重合体
における官能基としては、例えば、カルボキシル基、水
酸基、アミノ基、オキシラン環、酸無水物等が挙げられ
る。上記ビニル共重合体の製造に用いられるビニル単量
体としては、例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ
基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有する化合物
が挙げられ、具体的には、例えば、アクリル酸、メタク
リル酸、マレイン酸、フマル酸、レイン酸、イタコン
酸、ケイ皮酸、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタ
クリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メ
タクリルアミド、イソシアン酸エチルメタクリレート、
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、
無水マビニル単量体等が挙げられる。これらの単量体は
単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００３０】また、上記ビニル共重合体の製造には、必
要に応じ、その他のビニル単量体を共重合させることが
できる。このような単量体としては、例えば、アクリル
酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メ
タクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、メタク
リル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸−iso−プロピル、
メタクリル酸−iso−プロピル、アクリル酸−ｎ−ブチ
ル、メタクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸−iso−ブ
チル、メタクリル酸−iso−ブチル、アクリル酸−sec−
ブチル、メタクリル酸−sec−ブチル、アクリル酸−ter
t−ブチル、メタクリル酸−tert−ブチル、アクリル酸
ペンチル、メタクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシ
ル、メタクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、メタ
クリル酸ヘプチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、
メタクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチ
ル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタク
リル酸ノニル、アクリル酸デシル、メタクリル酸デシ
ル、アクリル酸ドデシル、メタクリル酸ドデシル、アク
リル酸テトラデシル、メタクリル酸テトラデシル、アク
リル酸ヘキサデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、アク
リル酸オクタデシル、メタクリル酸オクタデシル、アク
リル酸エイコシル、メタクリル酸エイコシル、アクリル
酸ドコシル、メタクリル酸ドコシル、アクリル酸シクロ
ペンチル、メタクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シ
クロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸シクロヘプチル、メタクリル酸シクロヘプチル、アク
リル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フ
ェニル、メタクリル酸フェニル、アクリル酸メトキシエ
チル、メタクリル酸メトキシエチル、アクリル酸メトキ
シジエチレングリコール、メタクリル酸メトキシジエチ
レングリコール、アクリル酸メトキシジプロピレングリ
コール、メタクリル酸メトキシジプロピレングリコー
ル、アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、メタ
クリル酸メトキシトリエチレングリコール、アクリル酸
ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノエ
チル、アクリル酸ジエチルアミノエチル、メタクリル酸
ジエチルアミノエチル、アクリル酸ジメチルアミノプロ
ピル、メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、アクリル
酸２−クロロエチル、メタクリル酸２−クロロエチル、
アクリル酸２−フルオロエチル、メタクリル酸−２−フ
ルオロエチル、アクリル酸−２−シアノエチル、メタク
リル酸−２−シアノエチル、スチレン、α−メチルスチ
レン、ビニルトルエン、塩化ビニル、酢酸ビニル、Ｎ−
ビニルピロリドン、ブタジエン、イソプレン、クロロプ
レン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げ
られる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて
使用することができる。

【００３１】上記の、（Ｃ″）少なくとも１個のエチレ
ン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水
酸基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物等の１個の
官能基を有する化合物としては、例えば、グリシジルア
クリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシ
ジルエーテル、α−エチルアクリルグリシジル、クロト
ニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジル、イソ
クロトン酸グリシジル、イソシアン酸エチルメタクリレ
ート、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル
酸−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ケイ皮酸、ア
クリルアミド、メタクリルアミド、無水マレイン酸等が
挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせ
て使用される。

【００３２】また、その使用量としては、エチレン性不
飽和基濃度が３．０×１０^-4〜６．０×１０^-3モル／ｇ
となるように設定することが好ましく、６．０×１０^-4
〜５．５×１０^-3モル／ｇとすることがより好ましく、
９×１０^-4〜５．０×１０^-3モル／ｇとすることが特に
好ましい。エチレン性不飽和基濃度が３．０×１０^-4モ
ル／ｇ未満では、接着層の強度が低下する傾向があり、
６．０×１０^-3モル／ｇを超えると側鎖にエチレン性不
飽和基を有する放射線重合性共重合体を製造する際にゲ
ル化を起こす傾向がある。

【００３３】ここでエチレン性不飽和基濃度とは、
（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性
共重合体１ｇの中に含有されるエチレン性不飽和基のモ
ル数を示し、以下の式で求められる値である。

【００３４】

【数１】 （式中、(Ｃ″)_xは(Ｃ″)成分のモル数を示し、ａ_xは
(Ｃ″)_x成分１分子が有するエチレン性不飽和基の数を
示す）

【００３５】本発明における（Ｃ）側鎖にエチレン性不
飽和基を有する放射線重合性共重合体の重量平均分子量
は、１０００〜５０万が好ましく、５０００〜３０万が
より好ましい。重量平均分子量が１０００未満でも５０
万を超えても作業性が低下する傾向がある。

【００３６】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。
硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダ
ゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリ
テート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を
組み合わせて使用することができる。

【００３７】硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹
脂及びエポキシ硬化剤１００質量部に対して０．１〜５
質量部が好ましく、０．２〜３質量部がより好ましい。
添加量が０．１質量部未満であると硬化性が劣る傾向が
あり、５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向が
ある。

【００３８】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成す
る光重合開始剤を添加することもできる。このような光
重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，
Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−
ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジ
メチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタ
ノン−１，２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエ
タン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フ
ェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチ
オ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１，
２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラ
キノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メ
チルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベ
ンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ
−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール
二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ
−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−
フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二
量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェ
ニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４
−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾ
ール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−
４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５
−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアク
リジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプ
タン等のアクリジン誘導体などが挙げられ、これらは単
独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。

【００３９】上記光重合開始剤の使用量としては、特に
制限はないが、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有す
る放射線重合性共重合体１００質量部に対して通常０．
０１〜３０質量部である。

【００４０】本発明の接着シートを形成する粘接着層
は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が、２５℃で１０
〜２０００MPaであり、２６０℃で３〜５０MPaであるこ
とが好ましい。２５℃での弾性率は２０〜１９００MPa
がより好ましく、５０〜１８００MPaが特に好ましい。
また、２６０℃での弾性率は５〜５０MPaがより好まし
く、７〜５０MPaが特に好ましい。貯蔵弾性率が２５℃
で２０００MPa、２６０℃で５０MPaを超えると、半導体
素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱
応力を緩和させる効果が小さくなり、剥離やクラックを
発生する傾向がある。また、貯蔵弾性率が２５℃で１０
MPa未満では、接着剤の取り扱い性や接着剤層の厚み精
度が悪くなる傾向があり、２６０℃で３MPa未満では、
リフロークラックを発生し易くなる傾向がある。

【００４１】上記貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測
定装置（レオロジ社製 ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着
剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Hz、昇温速
度５〜１０℃/minで−５０℃から３００℃まで測定する
温度依存性測定モードで行うこと等によって測定するこ
とができる

【００４２】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的
で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加す
ることができる。このような高分子量樹脂としては、特
に制限はなく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポ
キシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂等が挙げられ、これ
らは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。

【００４３】エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂
の使用量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、４０
質量部以下とするのが好ましい。４０質量部を超える
と、エポキシ樹脂層のＴｇが低下する傾向がある。

【００４４】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘
度の調整及びチキソトロピック性付与等の目的のため、
無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーと
しては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、
結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの
形状は特に制限されるものではない。これらのフィラー
は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することが
できる。

【００４５】中でも、熱伝導性向上のためには、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シ
リカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調
整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アル
ミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

【００４６】無機フィラーの使用量は、粘接着層１００
体積部に対して１〜２０体積部が好ましい。１体積部未
満だと添加効果が得られない傾向があり、２０体積部を
超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低
下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす
傾向がある。

【００４７】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各
種カップリング剤を添加することもできる。カップリン
グ剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニ
ウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カ
ップリング剤が好ましい。

【００４８】上記シラン系カップリング剤としては、特
に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エト
キシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−
イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシ
ラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
メチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）
アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピ
ルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラ
ン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキ
シ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、
Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラ
ン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシ
リルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、
メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイ
ソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネ
ート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組
み合わせて使用することができる。

【００４９】また、チタン系カップリング剤としては、
例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネー
ト、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホス
ファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジア
リルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）
ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピル
チタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチル
チタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チ
タネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンア
エチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、
チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、
チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノー
ルアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソ
ブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレ
シルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマ
ー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネー
ト）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリ
エタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチ
タネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート等が挙げられ、
これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用する
ことができる。

【００５０】アルミニウム系カップリング剤としては、
例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテ
ート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソ
プロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビ
ス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプ
ロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アル
ミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテ
ート、アルミニウム−ジ−iso−プロポキシド−モノエ
チルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合
物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−sec−ブト
キシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−
sec−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミ
ニウムアルコレートなどが挙げられ、これらは単独で又
は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

【００５１】上記カップリング剤の使用量は、その効果
や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂及び
エポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対し、０．１〜１０
質量部とするのが好ましい。

【００５２】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を
よくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することも
できる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限は
なく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノ
ール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止
するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウ
ム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム
化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。

【００５３】上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による
効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂
及びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対し１〜１０質
量部が好ましい。

【００５４】本発明の接着シートは、接着シートを形成
する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、基材
フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって
得ることができる。

【００５５】本発明の接着シートに用いる基材として
は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィル
ム等が挙げられ、これらプラスチックフィルムは表面を
離型処理して使用することもできる。

【００５６】上記溶剤としては、特に制限は無いが、フ
ィルム作製時の揮発性等を考慮し、例えば、メチルエチ
ルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エ
トキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソ
ルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノー
ル等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、シクロヘキサノン等比較的高沸点の溶媒な
どを使用することもでき、これらの溶媒は単独で又は二
種類以上を組み合わせて使用することができる。

【００５７】無機フィラーを添加した際のワニスの製造
には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、
３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用する
のが好ましく、また、これらを組み合わせて使用するこ
ともできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあ
らかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することに
よって、混合する時間を短縮することもできる。また、
ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を
除去することもできる。

【００５８】基材フィルムへのワニスの塗布方法として
は、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコ
ート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビア
コート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げら
れる。

【００５９】接着シートの厚みは、特に制限はないが、
粘接着層、基材ともに５〜２５０μｍが好ましい。５μ
ｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２
５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置
の小型化の要求に応えられない。

【００６０】また、本発明の接着シートは、所望の厚さ
を得るために、接着シートの粘接着層側に、別途作成し
た粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この
場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼
り合わせ条件が必要である。

【００６１】以上、説明したような構成の接着シートに
放射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は
大きく低下し、容易に半導体素子に接着層を保持したま
ま該接着シートの基材フィルムからピックアップするこ
とができる。

【００６２】以下、本発明に係る接着シートの使用方法
について説明する。接着シート上にダイシング加工すべ
き半導体ウェハを室温又は加熱しながら圧着し、ダイシ
ング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体
素子は接着シートに充分に接着保持されているので、上
記各工程の間に半導体素子が脱落することはない。

【００６３】次に、紫外線（ＵＶ）又は電子線（ＥＢ）
等の放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有す
る接着シートを重合硬化せしめる。この結果、放射線重
合性を有する接着シートと該接着シートの基材フィルム
との間の粘着力は、半導体素子をピックアップできる程
度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせることによ
って容易に所望の半導体素子間隔が得られピックアップ
が容易になる。

【００６４】接着シートへの放射線照射は、放射線重合
性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを
用いる場合には接着シートの基材フィルムは光透過性で
ある必要はないが、放射線としてＵＶを用いる場合には
接着シートの基材フィルムは光透過性である必要があ
る。

【００６５】エキスパンディング工程後、半導体素子を
放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支
持部材に室温又は加熱しながら圧着し加熱する。加熱に
よって接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半
導体素子と支持部材の接着が完了する。

【００６６】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００６７】（製造例１）攪拌機、冷却管及び窒素導入
管を備えた四ツ口フラスコに、表１に示す（１）を入
れ、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８
０℃±２℃に保ちながら、表１に示す（２）を４時間か
けて攪拌しながら滴下した。（２）の滴下後、８０℃±
２℃で６時間攪拌を続けた後、表１に示す（３）を添加
した。その後、反応系を１００℃に昇温し、０．５時間
かけて表１に示す（４）を滴下した。（４）の滴下後、
１００℃で２０時間攪拌を続けた後、室温に冷却して、
重量平均分子量が２５，０００、ガラス転移温度が約１
０℃である、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線
重合性共重合体（ｃ−１）を得た。

【００６８】（製造例２）製造例１において、表１に示
すように各種配合を変化させた以外は製造例１と全く同
様の反応を行い、重量平均分子量が２８，０００、ガラ
ス転移温度が約５℃の側鎖にエチレン性不飽和基を有す
る放射線重合性共重合体（ｃ−２）を得た。

【００６９】

【表１】

【００７０】（実施例１）ＹＤＣＮ−７０３（東都化成
(株)製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、エポキシ当量２１０）４２．３質量部、プライオー
フェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業(株)製商品
名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９質量
部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業(株)製商品
名、エポキシ基含有アクリルゴム、重量平均分子量１０
０万、Ｔｇ−７℃）４４．１質量部、キュアゾール２Ｐ
Ｚ−ＣＮ（四国化成工業(株)製商品名、１−シアノエチ
ル−２−フェニルイミダゾール）０．４質量部、ＮＵＣ
Ａ−１８７（日本ユニカー(株)製商品名、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン）０．７質量部、製
造例１で得られた側鎖にエチレン性不飽和基を有する放
射線重合性共重合体（ｃ−１）２２．０５質量部及び１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ０．５質
量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪
拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ５
０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、支持体フィルムを
備えた膜厚が５０μｍの接着シート（支持体フィルムを
除いた接着シートの厚みが５０μｍ）（接着シート１）
を作製した。

【００７１】この接着シート１の粘接着層を１７０℃１
時間硬化させた場合の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置
（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプ
ルサイズ：長さ２０mm、幅４mm、膜厚８０μｍ、昇温速
度５℃/min、引張りモード、１０Hz、自動静荷重）した
結果、２５℃で３６０MPa、２６０℃で４MPaであった。

【００７２】得られた接着シート１を用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板とを接着シートで貼り合せた半導体装置サン
プル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性及
び耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフロー
クラック性と温度サイクル試験を適用した。

【００７３】耐リフロークラック性の評価は、サンプル
表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持す
るように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通
し、室温で放置することにより冷却する処理を２回繰り
返したサンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で観
察した。クラックの発生していないものを○とし、発生
していたものを×とした。

【００７４】耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃
雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３
０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイ
クル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等
の破壊が発生していないものを○、発生したものを×と
した。

【００７５】耐湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００
％、２．０３×１０⁵Paの雰囲気（プレッシャークッカ
−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察
することにより行った。剥離の認められなかったものを
○とし、剥離のあったものを×とした。

【００７６】一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシ
リコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェ
ハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェ
ハをダイシング装置上に固定して５mm×５mmにダイシン
グし、ピックアップ装置にてダイシングしたチップをピ
ックアップした。ダイシング性及びピックアップ性の評
価結果を、上記耐熱性及び耐湿性評価結果とまとめて表
２に示す。

【００７７】（実施例２）実施例１において、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体（ｃ−
１）を（ｃ−２）にした以外は実施例１と全く同様の操
作を行い、１７０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率
が、２５℃で３５０MPa、２６０℃で２MPaである（接着
シート２）を得た。得られた接着シートを実施例と同様
の条件で評価した結果を表２に示す。

【００７８】（比較例１）実施例１において、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体（ｃ−
１）及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を除いた以外は実施例１と全く同様の操作を行い、１７
０℃１時間硬化させた場合の貯蔵弾性率が、２５℃で３
８０MPa、２６０℃で５MPaである（接着シート３）を得
た。得られた接着シートを実施例と同様の条件で評価し
た結果を表２に示す。

【００７９】（比較例２）実施例１において、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体（ｃ−
１）を４Ｇ（新中村化学(株)製商品名、テトラエチレン
グリコールジメタクリレート）にした以外は実施例１と
全く同様の操作を行い、１７０℃１時間硬化させた場合
の貯蔵弾性率が、２５℃で２５０MPa、２６０℃で１MPa
である（接着シート４）を得た。得られた接着シートを
実施例と同様の条件で評価した結果を表２に示す。

【００８０】

【表２】

【００８１】表２から、本発明の接着シートは耐熱性及
び耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピ
ックアップ性も良好である。

【００８２】

【発明の効果】請求項１及び２記載の接着シートは、ダ
イシング工程ではダイシングテープとして、半導体素子
と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れる接着剤と
して使用することができ、また、半導体搭載用支持部材
に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に
必要な耐熱性、耐湿性を有し、作業性に優れるものであ
る。請求項３記載の接着シートは、請求項１記載の発明
の効果を奏し、より耐熱性に優れるものである。

【００８３】請求項４記載の接着シートは、請求項１又
は２記載の発明の効果を奏し、より耐熱性及び耐湿性に
優れるものである。請求項５記載の接着シートは、請求
項１、２又は３記載の発明の効果を奏し、より作業性、
耐熱性及び耐湿性に優れるものである。請求項６記載の
接着シートは、請求項１〜４記載の発明の効果を奏し、
さらに耐温度サイクル試験性に優れるものである。請求
項７記載の接着シートは、請求項１〜５記載の発明の効
果を奏し、より作業性に優れるものである。

【００８４】請求項８記載の接着シートの使用方法は、
半導体装置の製造工程を簡略化できるものである。請求
項９記載の半導体装置は、耐熱性、耐湿性に優れたもの
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ 21/301 21/78 Ｍ Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA13 AB04 AB06 FA05 4J036 AA01 AK11 DA01 FB01 FB03 FB04 4J040 EC001 EC232 FA222 JA09 JB02 JB07 KA16 LA01 5F047 AA11 AA13 AA17 BA34 BB03 BB19

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬
   化剤、（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上
   である高分子量成分及び（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和
   基を有する放射線重合性共重合体を含有してなる粘接着
   層と、基材層とを有してなる熱重合性及び放射線重合性
   の接着シート。
2. 【請求項２】 上記粘接着層が、（Ａ）エポキシ樹脂及
   びエポキシ樹脂硬化剤１００質量部、（Ｂ）官能基を含
   む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分１０
   〜４００質量部、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有
   する放射線重合性共重合体５〜４００質量部含有してな
   る粘接着層である請求項１記載の接着シート。
3. 【請求項３】 （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１
   ０万以上である高分子量成分が、エポキシ樹脂と非相溶
   である請求項１又は２記載の接着シート。
4. 【請求項４】 （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１
   ０万以上である高分子量成分が、原料としてグリシジル
   アクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜
   ６質量％使用して得られ、かつ重量平均分子量が１０万
   以上のエポキシ基含有アクリル共重合体である請求項
   １、２又は３記載の接着シート。
5. 【請求項５】 （Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有す
   る放射線重合性共重合体が、官能基を含むビニル共重合
   体に少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラ
   ン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基、ア
   ミノ基、酸無水物からなる群より選ばれる１個の官能基
   を有する化合物とを付加反応させて得られるものである
   請求項１〜４の記載の接着シート。
6. 【請求項６】 粘接着層が、加熱硬化した後の段階で、
   動的粘弾性測定装置を用いて測定した貯蔵弾性率が、２
   ５℃で１０〜２０００MPaかつ２６０℃で３〜５０MPaで
   ある請求項１〜５のいずれかに記載の接着シート。
7. 【請求項７】 放射線照射することで粘接着層と基材と
   の間の接着力を制御できる請求項１〜６のいずれかに記
   載の接着シート。
8. 【請求項８】 （Ｉ）請求項１〜７のいずれかに記載の
   接着シートを、その粘接着層を介して半導体ウェハに貼
   り付ける工程、（II）該接着シートに放射線を照射して
   粘接着層を硬化させ、基材を剥離する工程、（III）半
   導体ウェハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子
   を得る工程、（IV）粘接着層付き半導体素子と半導体素
   子搭載用の支持部材とを、該接着シートを介して接着す
   る工程、を含むことを特徴とする接着シートの使用方
   法。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれかに記載の接着シ
   ートを用いて又は請求項８記載の接着シートの使用方法
   によって、半導体素子と支持部材とを接着した構造を含
   有してなる半導体装置。