JP2009127042A - 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009127042A JP2009127042A JP2007307394A JP2007307394A JP2009127042A JP 2009127042 A JP2009127042 A JP 2009127042A JP 2007307394 A JP2007307394 A JP 2007307394A JP 2007307394 A JP2007307394 A JP 2007307394A JP 2009127042 A JP2009127042 A JP 2009127042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive layer
- semiconductor
- chip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】アクリル重合体、エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する化合物、エポキシ系熱硬化性樹脂、およびイオン捕捉剤を含有する粘接着剤組成物。
【選択図】なし
Description
このため、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がなく、またその後の電圧印加下で高温度高湿度に曝された場合であってもアルミニウム合金や銅の配線やパッドが腐食しない、高いパッケージ信頼性を実現することが要求されている。
[1] アクリル重合体、エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する化合物、エポキシ系熱硬化性樹脂、およびイオン捕捉剤を含有する粘接着剤組成物。
[3] 前記[1]または[2]に記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が基材上に形成されてなる粘接着シート。
本発明に係る粘接着剤組成物(以下、単に「粘接着剤」ともいう。)は、アクリル重合
体(A)(以下「アクリル重合体(A)」または「(A)成分」とも言う。他の成分についても同様である。)、エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する化合物(B)(以下「化合物(B)」または「(B)成分」とも言う。)、エポキシ系熱硬化性樹脂(C)およびイオン捕捉剤(E)を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分を含んでいても良い。以下、これら各成分について具体的に説明する。
アクリル重合体(A)としては従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体の重量平均分子量は1万以上200万以下であることが望ましく、10万以上150万
以下であることがより望ましい。アクリル重合体の重量平均分子量が低過ぎると、基材との粘着力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがあり、200万を超えると基板凹凸
へ粘接着剤層が追従できないことがありボイドなどの発生要因になる。
アクリル酸アルキルエステル(例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル等)が挙げられ、環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル(例えば(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレート等)が挙げられ、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート等が挙げられる。また酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等が共重合されていてもよい。
(B)エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する化合物;
化合物(B)は、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を併せ持つものであれば特に限定はされない。エポキシ基と反応し得る官能基としては好ましくはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、特に好ましくはフェノール性水酸基があげられる。また、不飽和炭化水素基としてはエネルギー線硬化性を有するものであればよく、紫外線硬化型のものがより好ましい。具体的な例としてはビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられ、より好ましくはメタクロイル基、アクリルアミド基が挙げられる。
しては、任意に硬化剤として使用されるフェノール樹脂(後述)などがあげられ、特にノボラック型フェノール樹脂が好ましい。したがって、化合物(B)としては、ノボラック型フェノール樹脂の水酸基の一部を、不飽和炭化水素基を含む基で置換してなる化合物あるいは、ノボラック型フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を含む基が直接結合した化合物が好ましい。
基であり、Xは−O−、−NR2−(R2は水素またはメチル)であるか、またはR1Xは
単結合であり、Aはアクリロイル基またはメタアクリロイル基である)
また、該化合物中における前記(a)式で示される繰返単位の割合は、5〜95モル%、さらに好ましくは20〜90モル%、特に好ましくは40〜80モル%であり、前記(b)または(c)式で示される繰返単位の割合は、合計で5〜95モル%、さらに好ましくは10〜80モル%、特に好ましくは20〜60モル%である。
(C)エポキシ系熱硬化性樹脂;
エポキシ系熱硬化性樹脂(C)としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂(C)は、アクリル重合体(A)100重量部に対して好ましくは1〜1500重量部、より好ましくは3〜1000重量部、さらに好ましくは100〜1000重量部含まれる。1重量部未満だと十分な接着性が得られないことがあり、1500重量部を超えると基材との剥離力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがある。一方、本発明の粘接着剤組成物は、エポキシ樹脂(C)がアクリル重合体(A)以上の重量で使用されると、凹凸追従性やワイヤー埋め込み性の点で良好である。
物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂(下記式(1))、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(下記式(2))、ビフェニル型エポキシ樹脂もしくはビフェニル化合物(下記式(3)、(4))など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種類以上組み合わせて用いることが出来る。
(D)硬化剤;
硬化剤(D)は、前記化合物(B)とともにエポキシ系熱硬化性樹脂(C)の硬化剤として機能する。化合物(B)のみの場合に対し、硬化剤(D)を使用することにより硬化反応の速度の調節や、粘接着剤の硬化物の弾性率等の物性を好ましい領域に調整することができる。好ましい硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物があげられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。これらの具体的な例としては下記式(5)に示すノボラック型フェノール樹脂、式(6)で表されるジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、式(7)で表される多官能系フェノール樹脂等のフェノール性硬化剤、下記式(8)で表されるザイロック型フェノール樹脂や、DICY(ジシアンジアミド)などのアミン系硬化剤があげられる。これら硬化剤は、1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。
(E)イオン捕捉剤;
本発明に用いるイオン捕捉剤(E)は、半導体装置の配線やパッドの腐食や電食の原因となる塩素イオンをはじめとする、粘接着剤から遊離したイオンを捕捉する効果があり、イオン吸着タイプ(多孔質フィラータイプ)、イオン交換タイプのいずれであってもよい。
イオン捕捉剤の配合量は、全樹脂成分の合計100重量部に対して好ましくは1〜15重量部、さらに好ましくは2〜10重量部である。1重量部より少ないとイオン捕捉効果が得られないことがあり、15重量部より多いと接着性の低下や硬化前の流動特性の変化を生じることがある。なお「全樹脂成分」とは、アクリル重合体(A)、化合物(B)、エポキシ系熱硬化性樹脂(C)および硬化剤(D)である。
く、平均粒径が0.05μm以上2μm以下の粉末がより好ましい。
本発明に係る粘接着剤組成物は、上記アクリル重合体(A)、化合物(B)、エポキシ系熱硬化性樹脂(C)、およびイオン捕捉剤(E)を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じ、前記硬化剤(D)または下記の成分をさらに含んでいても良い。
硬化促進剤(F)は、粘接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。好ましい硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基やアミン等との反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン類、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。
カップリング剤は、粘接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させるために用いられる。また、カップリング剤を使用することで、粘接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。カップリング剤としては、上記(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分等が有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロプロピル)トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。
対して通常0.1〜20重量部、好ましくは0.5〜15重量部、より好ましくは1〜10重量部の割
合で用いられる。0.1重量部未満だと効果が得られず、20重量部を超えるとアウトガスの
原因となる可能性がある。
粘接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤としては有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物が挙げられる。
ソシアナート、ジフェニルメタン−2,4'−ジイソシアナート、3−メチルジフェニル
メタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−4,4'−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−
2,4'−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが挙げられる。
。
(I)エネルギー線重合性化合物;
後述する光重合開始剤(J)を使用する場合には、粘接着剤層には、エネルギー線重合性化合物(J)が配合されてもよい。エネルギー線重合性化合物(J)を化合物(B)とともにエネルギー線照射によって硬化させることで、粘接着剤層の粘着力を低下させることができるため、基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。
合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が100〜30000、好ましくは300〜10000程度である。
本発明の粘接着剤組成物の使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、基材との接着力を低下させてもよい。この際、該組成物中に光重合開始剤(J)を添加することで、重合硬化時間ならびに光線照射量(エネルギー線照射量)を少なくすることができる。
シクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤(J)は1種類単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。
〜5重量部がより好ましい。含量が上記範囲にあると、満足なピックアップ性が得られる。10重量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、粘接着剤の硬化性が不十分となることがある。
無機充填材を粘接着剤に配合することにより、熱膨張係数を調整することが可能となり半導体チップや金属または有機基板に対して硬化後の粘接着剤層の熱膨張係数を最適化することでパッケージの耐熱性を向上させることができる。また、粘接着剤層の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。本発明においては、これらの中でも、シリカ粉末、アルミナ粉末の使用が好ましい。
(その他の成分)
本発明の粘接着剤組成物には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。たとえば、硬化後の可とう性を保持するため可とう性成分を添加することができる。可とう性成分は、常温および加熱下で可とう性を有する成分であり、加熱やエネルギー線照射では実質的に硬化しないものが選択される。可とう性成分は、熱可塑性樹脂やエラストマーからなるポリマーであってもよいし、ポリマーのグラフト成分、ポリマーのブロッ
ク成分であってもよい。また、可とう性成分がエポキシ樹脂に予め変性された変性樹脂であってもよい。
(粘接着剤組成物)
上記のような各成分からなる粘接着剤組成物は感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持し得る。
本発明に係る粘接着シートは、基材上に、上記粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が積層してなる。本発明に係る粘接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
とが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。
また、粘接着剤層の厚みは、通常は1〜500μm、好ましくは5〜300μm、特に好ましくは10〜150μm程度である。
次に本発明に係る粘接着シートの利用方法について、該粘接着シートを半導体装置、特にスタック型半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。
本発明に係る粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップを基板上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程を含んでいる。
本発明に係る粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップを他の半導体チップ上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程(以下「熱圧着工程(a)」ともいう。)、およびこれらの半導体チップを基板上に固定する工程を含んでいる。
次いで粘接着剤層を介して半導体チップを基板上、または他の半導体チップ(以下「下段チップ」ともいう。)の上(通常は、半導体チップの表面側)に載置する。
各実施例および比較例の粘接着剤組成物を構成する各成分は下記の通りであった。
(A)アクリル重合体:日本合成化学工業株式会社製コーポニールN-2359-6
(B)不飽和炭化水素基を有するフェノール樹脂
(B−1)ノボラック型不飽和基含有フェノール樹脂 (昭和高分子株式会社製 HRM-1005, 分子量 2000、フェノール性水酸基当量215g/eq)
(B−2)ノボラック型不飽和基含有フェノール樹脂 (昭和高分子株式会社製 HRM-1004, 分子量 4000、フェノール性水酸基当量215g/eq)
(C)液状エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株
式会社製 エピコート828、エポキシ当量189g/eq)
(D)熱硬化剤:熱硬化剤ノボラック型フェノール樹脂(昭和高分子株式会社:ショウノールBRG-556、フェノール性水酸基当量104g/eq)
(E)イオン補足剤
(E−1):東亞合成株式会社製 IXE633(五酸化アンチモンとビスマス酸化物との混合物)
(E−2):協和化学工業株式会社製 DHT-4A(ハイドロタルサイト)
(E−3):協和化学工業株式会社製 KW2200(ハイドロタルサイトの焼成物)
(F)硬化促進剤:イミダゾール(四国化成工業株式会社製 キュアゾール2PHZ)
(G)シランカップリング剤(三菱化学株式会社製 MKCシリケートMSEP2)
(H)架橋剤:芳香族性ポリイソシアナート(日本ポリウレタン工業株式会社製 コロネートL)
(I)エネルギー線重合性化合物:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬株式会社製カヤラッドDPHA)
(J)光重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製 イルガキュア184)
(K)無機充填材:シリカ(株式会社アドマテックス製アドマファインSC2050)
また、粘接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム(厚さ100μm、表面張力33mN/m)を用いた。
表1に記載の組成の粘接着剤組成物を使用した。表中、数値は固形分(不揮発分)換算の重量部を示す。表1に記載の組成の粘接着剤組成物を、シリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製 SP-PET381031(S))上に、乾燥後の膜厚が60μmになるよう
に塗布,乾燥(乾燥条件:オーブンにて100℃,1分間)した後に基材と貼り合わせて、
粘接着剤層を基材に転写することで粘接着シートを作成した。
(表面実装性評価用半導体装置の製造)
(1)半導体チップの製造;
#2000研磨したシリコンウエハ(150mm径, 厚さ150μm)の研磨面に、実施例および比
較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター(リンテック社製, Adwill RAD2500)により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リンテック社製, Adwill RAD2000)を用いて基材面から紫外線を照射(350mW/cm2, 190mJ/cm2)した。
基板として銅箔張り積層板(三菱ガス化学株式会社製 CCL-HL830)の銅箔に回路パタ
ーンが形成され、パターン上にソルダーレジスト(太陽インキ製 PSR4000 AUS5)を40μm厚で有しているBT基板を用いた(株式会社ちの技研製)。上記(1)で得た粘接着シ
ート上のチップ(1段目チップ)を粘接着剤層とともに基材から取り上げ、BT基板上に、粘接着剤層を介して100℃, 300gf, 1秒間の条件で圧着し、次いで120℃で1時間、さら
に140℃で1時間加熱して、粘接着剤層を充分に熱硬化させた。
さらに140℃で1時間加熱して、2段目チップの粘接着剤層を十分に硬化させた。
イシングテープ(リンテック株式会社製Adwill D-510T)に貼付して、ダイシング装置(
東京精密社製, AWD-4000B)を使用して12mm×12mmサイズにダイシングすることで信頼性
評価用の半導体パッケージを作成した。
(HAST用半導体装置の製造)
(3)半導体チップの製造;
ドライポリッシュ仕上げした、電気的な評価が可能であるTEGウエハ(150mm径, 厚さ80μm,アルミニウムパッド)の研磨面(ドライポリッシュ面)に、実施例および比較例の
粘接着シートの貼付をテープマウンター(リンテック社製, Adwill RAD2500)により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リンテック社製, Adwill RAD2000)を用いて基材面から紫外線を照射(350mW/cm2, 190mJ/cm2)した。
イポリッシュ面側に粘接着剤層を有する8mm×8mmサイズのチップを作成した。ダイシングの際の切り込み量については、基材を20μm切り込むようにした。
基板として銅箔張り積層板(三菱ガス化学株式会社製 CCL-HL830)の銅箔に回路パタ
ーンが形成され、パターン上にソルダーレジスト(太陽インキ製 PSR4000 AUS5)を40μm厚で有しているBT基板を用いた(株式会社ちの技研製)。上記(3)で得た粘接着シ
ート上のチップ(1段目チップ)を粘接着剤層とともに基材から取り上げ、BT基板上に、粘接着剤層を介して100℃, 300gf, 1秒間の条件で圧着し、次いで120℃で1時間、さら
に140℃で1時間加熱して、粘接着剤層を充分に熱硬化させた。
条件で圧着し、次いで120℃で1時間、さらに140℃で1時間加熱して、2段目チップの粘接着剤層を十分に硬化させた。
ドに半田ボールを搭載して、15mm×15mm×0.4mm厚,外部電極数108(27×4辺)のHAS
T用半導体装置(パッケージ)を作成した。
(a)不純物イオン濃度および電気伝導度;
粘接着シートの粘接着剤層同士を合計の厚さが200μmとなるまで室温で積層した。得られた積層体に、両面から紫外線を照射し(照度350mW/cm2, 光量190mJ/cm2)、次いで、この積層体をオーブンで120℃で30分間、さらに140℃で30分間加熱して、粘接着剤硬化物を得た。
標)製容器内で金網通過分1gを純水20mlと混合し、121℃で24時間加熱して抽出液を作成
した。
た。
厚さ350μmのシリコンウエハのCMP処理された面に、実施例および比較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター(リンテック社製, Adwill RAD2500)により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リンテック社製, Adwill RAD2000)を用いて基材面から紫外線を照射(350mW/cm2, 190mJ/cm2)した。
剤層付きの5mm×5mmサイズのチップを作成した。ダイシングの際の切り込み量については、基材を20μm切り込むようにした。
で30分間加熱して粘接着剤層を硬化させて試験片(i)を得た。また、複数個ある試験片
(i)の一部を、85℃、60%RHの恒温槽に48時間投入した後、取り出して、試験片(ii)を
得た。
表面実装性評価用に作成した半導体装置を85℃, 60%RH条件下に168時間放置し、吸湿させた後、最高温度260℃、総加熱時間3分間のIRリフロー(リフロー炉:相模理工製WL-15-20DNX型)を3回行い、半導体装置内の接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラッ
クの有無を走査型超音波探傷装置(日立建機ファインテック株式会社製Hye-Focus)およ
び断面観察により評価した。
が観察された場合を剥離していると判断した。評価は各半導体装置25個について行い、剥離が発生した個数を数えた。
HAST用半導体装置を、電極引き出し用の2次基板へ実装後、前処理として60℃, 60%RH条件下に120時間放置した後、130℃, 85%RH, 220時間, 印加電圧3.5Vの条件下で該装
置に常時通電した。
Claims (5)
- アクリル重合体、エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する化合物、エポキシ系熱硬化性樹脂、およびイオン捕捉剤を含有する粘接着剤組成物。
- 前記イオン捕捉剤の含量が、全樹脂成分の合計100重量部に対して1〜15重量部である請求項1に記載の粘接着剤組成物。
- 請求項1または2に記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が基材上に形成されてなる粘接着シート。
- 請求項3に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップを基板上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 請求項3に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップを他の半導体チップ上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程、およびこれらの半導体チップを基板上に固定する工程を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307394A JP5137538B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307394A JP5137538B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009127042A true JP2009127042A (ja) | 2009-06-11 |
JP5137538B2 JP5137538B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=40818288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007307394A Active JP5137538B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5137538B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8638001B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-01-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for producing semiconductor device |
US8659157B2 (en) | 2011-05-23 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Adhesive composition for producing semiconductor device and adhesive sheet for producing semiconductor device |
JP2014194031A (ja) * | 2014-05-22 | 2014-10-09 | Lintec Corp | 接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
KR20140129923A (ko) | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 제일모직주식회사 | 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용하여 제조된 반도체용 접착 필름 |
WO2014192745A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2014231542A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2015000959A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2020070345A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘接着剤組成物、及びそれを用いてなる粘接着剤、粘接着シート、ならびに積層体 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105899714B (zh) | 2013-12-05 | 2018-09-21 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有经调节的pH的甲基磺酸亚锡溶液 |
CN106536609B (zh) | 2014-07-07 | 2022-04-29 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有离子清除剂的热界面材料 |
MY183994A (en) | 2014-12-05 | 2021-03-17 | Honeywell Int Inc | High performance thermal interface materials with low thermal impedance |
KR101820936B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2018-01-22 | 주식회사 엘지화학 | 접착제 조성물, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치 |
US10312177B2 (en) | 2015-11-17 | 2019-06-04 | Honeywell International Inc. | Thermal interface materials including a coloring agent |
US10781349B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-09-22 | Honeywell International Inc. | Thermal interface material including crosslinker and multiple fillers |
US10501671B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-12-10 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
US11041103B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-06-22 | Honeywell International Inc. | Silicone-free thermal gel |
US10428256B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-10-01 | Honeywell International Inc. | Releasable thermal gel |
US11072706B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-07-27 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
US11373921B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-06-28 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61192777A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-27 | スケネクタデイ ケミカルズ、インコーポレーテツド | フエノール樹脂、カルボキシル樹脂およびエラストマー含有接着剤 |
JPH0853655A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Lintec Corp | 粘接着テープおよびその使用方法 |
WO1996031574A1 (fr) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesif, pellicule adhesive et feuille metallique a envers adhesif |
JPH108001A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Lintec Corp | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP2001279197A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法 |
JP2002212522A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
JP2004186429A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2005327789A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sharp Corp | ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006016610A (ja) * | 2004-05-31 | 2006-01-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス |
JP2006070054A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および接着フィルム |
JP2006249415A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
JP2007053240A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Lintec Corp | ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007302881A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及び接着シート |
-
2007
- 2007-11-28 JP JP2007307394A patent/JP5137538B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61192777A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-27 | スケネクタデイ ケミカルズ、インコーポレーテツド | フエノール樹脂、カルボキシル樹脂およびエラストマー含有接着剤 |
JPH0853655A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Lintec Corp | 粘接着テープおよびその使用方法 |
WO1996031574A1 (fr) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesif, pellicule adhesive et feuille metallique a envers adhesif |
JPH108001A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Lintec Corp | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP2001279197A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法 |
JP2002212522A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
JP2004186429A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2005327789A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sharp Corp | ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006016610A (ja) * | 2004-05-31 | 2006-01-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス |
JP2006070054A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および接着フィルム |
JP2006249415A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
JP2007053240A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Lintec Corp | ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007302881A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及び接着シート |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8638001B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-01-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for producing semiconductor device |
US8659157B2 (en) | 2011-05-23 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Adhesive composition for producing semiconductor device and adhesive sheet for producing semiconductor device |
KR20140129923A (ko) | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 제일모직주식회사 | 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용하여 제조된 반도체용 접착 필름 |
WO2014192745A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2014231542A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2015000959A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2014194031A (ja) * | 2014-05-22 | 2014-10-09 | Lintec Corp | 接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2020070345A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘接着剤組成物、及びそれを用いてなる粘接着剤、粘接着シート、ならびに積層体 |
JP7091996B2 (ja) | 2018-10-31 | 2022-06-28 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘接着剤組成物、及びそれを用いてなる粘接着剤、粘接着シート、ならびに積層体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5137538B2 (ja) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5137538B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5089560B2 (ja) | 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物 | |
JP5473262B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5917215B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP6250265B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2008247936A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5774322B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5005258B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2011102383A (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム | |
JP5005324B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5213313B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5126960B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2009203338A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2010189485A (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5005325B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5237647B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4806815B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5662810B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5566141B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2013157567A1 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5414256B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5426831B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2009203337A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5234594B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5500787B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100421 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5137538 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |