JP2001279197A - 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラスエポキシ基板やフレキシブ
ル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨張
係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要な
低弾性、耐熱性、耐湿性を損なうことなく、低い貼り付
け荷重で張り付けすることができ、貫通孔からのしみだ
しがない接着フィルムと、この接着フィルムを備えた半
導体搭載用配線基板、半導体装置の提供を目的とした。 【解決手段】 エポキシ樹脂及びその硬化剤１０
０重量部、官能基を含む重量平均分子量が１０万以上で
Ｔｇが−５０℃以上０℃以下である高分子量成分１０〜
１００重量部、硬化促進剤０．１〜２０重量部を含有す
る接着剤からなり、示差走査熱分析（ＤＳＣ）による硬
化度が０〜４０％の範囲にある第１の接着剤層と、高分
子量成分の重量部が第１の接着剤層より１０重量部以上
大きいかまたは、ＤＳＣによる硬化度が第１の接着剤層
より５％以上大きい接着剤層を積層してなることを特徴
とする接着フィルムを用いて、半導体搭載用配線基板、
半導体装置を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルム、接
着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＳＰは他の電子部品と一括して実装で
きるために、日刊工業新聞社発行表面実装技術１９９７
−３号記事「実用化に入ったＣＳＰ（ファインピッチＢ
ＧＡ）のゆくえ」中に示されたような各種構造が提案さ
れている。その中でも、インターポーザと呼ばれる配線
基板にテープやキャリア基板を用いた方式の実用化が進
んでいる。これらはインターポーザと呼ばれる配線基板
を介するために、信学技報ＣＰＭ９６−１２１，ＩＣＤ
９６−１６０（１９９６−１２）「テープＢＧＡタイプ
ＣＳＰの開発」やシャープ技報第６６号（１９９６−１
２）「チップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ
ＰａｃｋＡｇｅ）開発」に発表されているように優れた
接続信頼性を示している。
【０００３】これらのＣＳＰの半導体チップとインター
ポーザと呼ばれる配線基板との間には、それぞれの熱膨
張率差から生じる熱応力を低減するような接着フィルム
が使われる。このような接着フィルムには耐湿性や高温
耐久性が要求されている。
【０００４】フィルムタイプの接着剤は、フレキシブル
プリント配線板等で用いられており、アクリロニトリル
ブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられてい
る。
【０００５】プリント配線板関連材料として耐湿性を向
上させたものとしては、特開昭６０−２４３１８０号公
報に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソ
シアネート及び無機フィラーを含む接着剤があり、また
特開昭６１−１３８６８０号公報に示されるアクリル系
樹脂、エポキシ樹脂、分子中にウレタン結合を有する両
末端が第１級アミン化合物及び無機フィラーを含む接着
剤がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の接着フィルムに
は、熱応力の緩和の作用、耐熱性や耐湿性を有すること
が必要である。それに加え、製造プロセスの上からは、
半導体チップに設けられた電気信号を出力するための電
極部分に接着剤が流出してこないことが必要であり、ま
た、貫通孔付き配線基板を用いた場合には貫通孔から、
接着剤が流出してこないことが必要である。これは電極
部分に接着剤が流出すると電極の接続不良が発生し、貫
通孔から接着剤が流出した場合、金型を汚染するため不
良発生の原因となるからである。さらに配線基板に設け
られた回路との間に空隙を残してはならない。回路と接
着剤との間に空隙があると耐熱性、耐湿性の低下が起こ
りやすい。しかし、チップ上の回路を破損しない程度の
低い圧力や低い温度で熱圧着した場合、接着剤の侵みだ
し防止と十分な回路充填性を満足することは難しかっ
た。
【０００７】本発明は、ガラスエポキシ基板やフレキシ
ブル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨
張係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要
な低弾性と回路充填性を持ち、耐熱性、耐湿性を損なう
ことなく、かつ貫通孔からのしみだしがない接着フィル
ム、この接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、
及びこの接着フィルムを用いて半導体チップと配線基板
を接着させた半導体装置の提供を目的とした。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は下記（１）〜
（９）記載の各事項に関する。 （１） 下記の２種類の接着剤層を積層してなることを
特徴とする接着フィルム。 第１の接着剤層 エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、官能基を含
む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０℃以上０
℃以下である高分子量成分１０〜１００重量部、硬化促
進剤０．１〜２０重量部を含有する接着剤からなり、示
差走査熱分析（ＤＳＣ）による硬化度が０〜４０％の範
囲にある接着剤層。 第２の接着剤層 エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、官能基を含
む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０℃以上０
℃以下である高分子量成分１０〜１００重量部、硬化促
進剤０．１〜２０重量部を含有する接着剤からなり、Ｄ
ＳＣによる硬化度が０〜４０%の範囲にある接着剤層で
あって、高分子量成分の重量部が第１の接着剤層より１
０重量部以上大きいかまたは、ＤＳＣによる硬化度が第
１の接着剤層より５％以上大きい接着剤層。 （２） 第１の接着剤層および第２の接着剤層に用いる
エポキシ樹脂及びその硬化剤として、臭素原子を含むエ
ポキシ樹脂及び／又は臭素原子を含む硬化剤を用いたこ
とを特徴とする（１）記載の接着フィルム。 （３） 高分子量成分が、グリシジルアクリレート又は
グリシジルメタクリレート０．５〜６．０重量％を含む
アクリル共重合体であることを特徴とする（１）、
（２）記載の接着フィルム。 （４） 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の第
１の接着剤層および第２の接着剤層の接着剤硬化物の貯
蔵弾性率が各々２５℃で２０〜２０００ＭＰａであり、
２６０℃で３〜５０ＭＰａである（１）〜（３）記載の
接着フィルム。 （５） 配線基板の半導体チップ搭載面に（１）〜
（４）のいずれかに記載の接着フィルムを、第２の接着
剤層の面が配線基板に接するように備えた半導体搭載用
配線基板。 （６） 半導体チップに（１）〜（４）のいずれかに記
載の接着フィルムを、第１の接着剤層の面が半導体チッ
プに接するように備えた半導体装置。 （７） 半導体チップと回路付き基板または回路付きフ
ィルムを（１）〜（４）のいずれかに記載の接着フィル
ムを介して接着する半導体装置において、第１の接着剤
層の面が半導体チップに、第２の接着剤層の面が回路付
き基板または回路付きフィルムに接することを特徴とす
る半導体装置。 （８） 半導体ウエハに（１）〜（４）のいずれかに記
載の接着フィルム、及びダイシングテープをラミネート
した後、ウエハ及び接着フィルムをチップに切断し、そ
の後、回路付き基板または回路付きフィルムとチップを
接着フィルムを介して接着することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、第１の接着剤層
及び第２の接着剤層に使用することができるエポキシ樹
脂は、硬化して接着作用を呈するものであればよく、二
官能以上（１分子中にエポキシ基を２個以上含有）で、
好ましくは平均分子量が５０００未満、より好ましくは
平均分子量が３０００未満のエポキシ樹脂が使用でき
る。二官能エポキシ樹脂（１分子中にエポキシ基を２個
含有するエポキシ樹脂）としては、ビスフェノールＡ型
またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が例示され
る。ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂は、油化シェルエポキシ株式会社から、エピコ
ート８０７、エピコート８２７、エピコート８２８とい
う商品名で市販されている。また、ダウケミカル日本株
式会社からは、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３０、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３
１、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３６１という商品名で市販されてい
る。さらに、東都化成株式会社から、ＹＤ８１２５、Ｙ
ＤＦ８１７０という商品名で市販されている。
【００１０】また、本発明における前記エポキシ樹脂と
しては三官能以上（１分子中にエポキシ基を３個以上含
有）の多官能エポキシ樹脂を用いてもよく、二官能エポ
キシ樹脂５０〜１００重量％と三官能以上の多官能エポ
キシ０〜５０重量％を用いることが好ましい。特に、高
Ｔｇ化のためには二官能エポキシ樹脂５０〜９０重量％
とともに、三官能以上の多官能エポキシ樹脂を１０〜５
０重量％用いることが好ましい。三官能以上の多官能エ
ポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示さ
れる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、日本化
薬株式会社から、ＥＰＰＮ−２０１という商品名で市販
されている。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、
住友化学工業株式会社から、ＥＳＣＮ−１９０、ＥＳＣ
Ｎ−１９５という商品名で市販されている。また、前記
日本化薬株式会社から、ＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１
０２５、ＥＯＣＮ１０２７という商品名で市販されてい
る。さらに、前記東都化成株式会社から、ＹＤＣＮ７０
１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４
という商品名で市販されている。
【００１１】難燃化を効果的にするためには前記エポキ
シ樹脂として、臭素化エポキシ樹脂を用いることが好ま
しい。臭素化エポキシ樹脂としては、臭素原子を含む二
官能エポキシ樹脂やノボラック型の臭素化エポキシ樹脂
を使用できる。臭素原子を含む二官能エポキシ樹脂は、
東都化成株式会社から、ＹＤＢ−３６０、 ＹＤＢ−４
００という商品名で市販されている。また、ノボラック
型の臭素化エポキシ樹脂は、日本化薬株式会社から、Ｂ
ＲＥＮ−Ｓ、 ＢＲＥＮ−１０４、 ＢＲＥＮ−３０１と
いう商品名で市販されている。
【００１２】前記エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹
脂の硬化剤として通常用いられているものを使用でき、
アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三弗
化硼素及びフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有
する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳ等が挙げられる。特に吸湿時の耐
電食性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノ
ボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはク
レゾールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。フェ
ノールノボラック樹脂は、大日本インキ化学工業株式会
社からバーカムＴＤ−２０９０、バーカムＴＤ−２１３
１、変性フェノールノボラック樹脂は大日本インキ化学
工業株式会社からプライオーフェンＶＨ４１５０、プラ
イオーフェンＶＨ４１７０、ビスフェノールノボラック
樹脂は大日本インキ化学工業株式会社からフェノライト
ＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２という商品名
で市販されている。
【００１３】難燃性向上のためには臭素化エポキシ樹脂
と併せて、二官能以上の臭素化フェノール化合物を硬化
剤として用いることが好ましい。臭素化フェノール化合
物としては、例えばテトラブロモビスフェノールＡを用
いることができる。テトラブロモビスフェノールＡは、
帝人化成工業株式会社から、ファイヤーガードＦＧ２０
００という商品名で市販されている。
【００１４】前記硬化剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基
１当量に対して、硬化剤のエポキシ基との反応基が０．
６〜１．４当量使用することが好ましく、０．８〜１．
２当量使用することがより好ましい。硬化剤が少なすぎ
たり多すぎると耐熱性が低下する傾向がある。
【００１５】前記硬化剤とともに硬化促進剤を用いるの
が好ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類
が使用できる。イミダゾールとしては、２−メチルイミ
ダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−
シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等
が挙げられる。イミダゾール類は、四国化成工業株式会
社から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳと
いう商品名で市販されている。また、フィルムの可使期
間が長くなる点で、潜在性硬化促進剤が好ましく、その
代表例としてはジシアンジミド、アジピン酸ジヒドラジ
ド等のジヒドラジド化合物、グアナミン酸、メラミン
酸、エポキシ化合物とイミダゾールの化合物との付加化
合物、エポキシ化合物とジアルキルアミン類との付加化
合物、アミンとチオ尿素との付加化合物、アミンとイソ
シアネートとの付加化合物が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。室温での活性を低減できる点で
アダクト型の構造をとっているものが特に好ましい。ア
ダクト型硬化促進剤の代表的な例を以下に示すがこれら
に限定されるものではない。アミン−エポキシアダクト
系としては、味の素株式会社からはアミキュアＰＮ−２
３、アミキュアＭＹ−２４、アミキュアＭＹ−Ｄ、アミ
キュアＭＹ−Ｈ等、エー・シー・アール株式会社からは
ハードナーＸ−３６１５Ｓ、ハードナーＸ−３２９３Ｓ
等、旭化成株式会社からはノバキュアＨＸ−３７４８、
ノバキュアＨＸ−３０８８等、パシフィック アンカー
ケミカルからはＡｎｃａｍｉｎｅ２０１４ＡＳ、Ａｎ
ｃａｍｉｎｅ２０１４ＦＧ等がそれぞれ上記の商品名で
市販されている。また、アミン−尿素型アダクト系とし
ては富士化成株式会社からフジキュアＦＸＥ−１００
０、フジキュアＦＸＲ−１０３０という商品名で市販さ
れている。
【００１６】前記硬化促進剤の配合量は好ましくは、エ
ポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００重量部に対して０．
１〜２０重量部、より好ましくは０．５〜１５重量部で
ある。０．１重量部未満であると硬化速度が遅くなる傾
向にあり、また２０重量部を超えると可使期間が短くな
る傾向がある。
【００１７】本発明において第１の接着剤層及び第２の
接着剤層に使用する官能基を含む重量平均分子量が１０
万以上でＴｇが−５０℃以上０℃以下である高分子量成
分としては、エポキシ基、カルボキシル基、水酸基など
を架橋点として含むゴムを用いることができ、例えば官
能基を含有した、ＮＢＲやアクリルゴムが挙げられる。
ここでのアクリルゴムとはアクリル酸エステルを主成分
としたゴムであり、主としてブチルアクリレートとアク
リロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとア
クリロニトリル等の共重合体などからなるゴムである。
【００１８】このようなゴムとしては、例えば、グリシ
ジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート０．５
〜６．０重量％を含む、Ｔｇが−５０℃以上でかつ重量
平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重
合体があり、帝国化学産業株式会社から市販されている
商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ３ＤＲ（Ｃ）を使用することが
できる。官能基モノマーがカルボン酸タイプのアクリル
酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチルアクリレート又
はヒドロキシメチルメタクリレート等を用いると、架橋
反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、Ｂステー
ジ状態での硬化度の上昇により接着力が低下する傾向が
ある。また、官能基モノマーとして用いるグリシジルア
クリレート又はグリシジルメタクリレートの共重合体比
は、耐熱性を確保するため、０．５重量％以上が好まし
く、ゴム添加量を低減し、ワニス固形分比を上げるため
に６．０重量％以下が好ましい。６．０重量％を超えた
場合には、分子量が高いため、接着剤ワニスの粘度が上
昇する。このワニス粘度が高いと、フィルム化が困難に
なるため、粘度低下を目的に適量の溶剤で希釈する必要
があり、接着剤ワニスの固形分が低下し、接着剤ワニス
作製量が増大して、製造の効率が低下する傾向がある。
グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート
以外の残部はエチルアクリレートやエチルメタクリレー
ト、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート及びこ
れらの混合物を用いることができるが、混合比率は、共
重合体のＴｇを考慮して決定する。Ｔｇが−５０℃未満
であるとＢステージ状態での接着フィルムのタック性が
大きくなり取扱性が悪化するので、−５０℃以上とされ
る。このＴｇは０℃以下であることが好ましい。このＴ
ｇが高すぎるとフィルムの取り扱い時室温で破断しやす
くなる。重合方法はパール重合、溶液重合等が挙げら
れ、これらにより得ることができる。
【００１９】高分子量成分の重量平均分子量は１０万以
上とされる。重量平均分子量は１０万より小さい場合、
シート状、フィルム状での強度や可撓性の低下、タック
性の増大がみられるため、好ましくない。また、分子量
が大きくなるにつれフロー性が小さく配線の回路充填性
が低下してくるので、高分子量成分の重量平均分子量
は、２００万以下であることが好ましい。なお、本発明
において、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーによって、標準ポリスチレンの検量線を
用いて測定したものである。
【００２０】上記高分子量成分の配合量は、エポキシ樹
脂と硬化剤の合計量１００重量部に対して、１０重量部
以上１００重量部以下とされる。弾性率低減や成形時の
フロー性付与のため１０重量部以上が必要とされ、１０
０重量部を越えると貼付荷重が少ない場合に流動性が低
下し、回路充填性が低下する点で好ましくない。さらに
４０〜８０重量部とされることが好ましい。
【００２１】本発明において第１の接着剤層及び第２の
接着剤層に使用する接着剤には、異種材料間の界面結合
をよくするために、カップリング剤を配合することもで
きる。カップリング剤としては、シラン系カップリング
剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カッ
プリング剤が挙げられ、その中でもシランカップリング
剤が好ましい。配合量は、添加による効果や耐熱性およ
びコストから、接着剤の樹脂全体で１００重量部に対
し、０．１〜１０重量部を配合するのが好ましい。
【００２２】前記シランカップリング剤としては、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン等が挙げられる。シランカップリン
グ剤は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
がＮＵＣ Ａ−１８７、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシランがＮＵＣ Ａ−１８９、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランがＮＵＣ Ａ−１１００、γ−ウ
レイドプロピルトリエトキシシランがＮＵＣ Ａ−１１
６０、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシランがＮＵＣ Ａ−１１２０という商品名
で、いずれも日本ユニカ−株式会社から市販されてい
る。
【００２３】さらに、本発明において第１の接着剤層及
び第２の接着剤層に使用する接着剤には、イオン性不純
物を吸着して吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イ
オン捕捉剤を配合することができる。イオン捕捉剤の配
合量は、添加による効果や耐熱性、コストより、接着剤
の樹脂全体で１００重量部に対し、１〜１０重量部が好
ましい。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け
出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合
物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノー
ル系還元剤を配合することもできる。ビスフェノール系
還元剤としては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メ
チル−６−第３−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
−ビス−（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）
等が挙げられる。また、無機イオン吸着剤を配合するこ
ともできる。無機イオン吸着剤としては、ジルコニウム
系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウム
アルミニウム系化合物等が挙げられる。トリアジンチオ
ール化合物を成分とする銅害防止剤は、三協製薬株式会
社から、ジスネットＤＢという商品名で市販されてい
る。ビスフェノール系還元剤を成分とする銅害防止剤
は、吉富製薬株式会社から、ヨシノックスＢＢという商
品名で市販されている。また、無機イオン吸着剤は、東
亜合成化学工業株式会社からＩＸＥという商品名で各種
市販されている。
【００２４】さらに、本発明において第１の接着剤層及
び第２の接着剤層に使用する接着剤には、接着剤の取扱
性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソト
ロピック性の付与などを目的として、無機フィラーを配
合することが好ましい。無機フィラーとしては、水酸化
アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、
炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシ
ウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、
窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ
素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物な
どが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピッ
ク性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ
酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シ
リカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためには
アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸
化物が好ましい。
【００２５】前記無機フィラーの配合量は、接着剤樹脂
分１００体積部に対して１〜２０体積部が好ましい。配
合の効果の点から配合量が１体積部以上、配合量が多く
なると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボ
イド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくな
るので２０体積部以下とするのが好ましい。
【００２６】乾燥後の接着剤の硬化度は、ＤＳＣ（デュ
ポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温速度、１
０℃／分）した場合、硬化度０〜４０％（全硬化発熱量
の０〜４０％の発熱を終えた状態）であることが好まし
い。
【００２７】本発明の接着フィルムでは第１の接着剤層
と比較して、第２の接着剤層の流動性が低い必要があ
る。このため、第２の接着剤層は第１の接着剤層に比
べ、高分子量成分の重量部が１０重量部以上大きいかま
たは、ＤＳＣによる硬化度が５％以上大きいことが必要
である。第２の接着剤層の高分子量成分の重量部が第１
の接着剤層より１０重量部以上大きくなく、かつ第２の
接着剤層のＤＳＣによる硬化度が第１の接着剤層より５
％以上大きくない場合、十分な回路充填性と貫通孔から
のしみだし防止とが両立できない。第１の接着剤層と比
較して、第２の接着剤層の高分子量成分が１０〜４０重
量部大きく、かつＤＳＣによる硬化度が５〜２０％大き
いことが好ましい。
【００２８】本発明の接着フィルムに用いる第１の接着
剤層及び第２の接着剤層各々において残存溶媒量は、３
重量％以下であることが好ましい。また、この接着フィ
ルムに用いる第１の接着剤層及び第２の接着剤層各々の
硬化物において動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性
率は２５℃で２０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で
３〜５０ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率の測
定は、接着剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０
Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃
まで測定する温度依存性測定モードで行った。貯蔵弾性
率が２５℃で２０００ＭＰａを超えるものと２６０℃で
５０ＭＰａを超えるものでは、半導体チップと配線基板
であるインターポーザとの熱膨張係数の差によって発生
する熱応力を緩和させる効果が小さくなる傾向があり、
剥離やクラックを発生する恐れがある。一方、貯蔵弾性
率が２５℃で２０ＭＰａ未満では接着剤の取扱性や接着
剤層の厚み精度が悪くなる傾向があり、２６０℃で３Ｍ
Ｐａ未満ではリフロークラックが発生しやすい傾向があ
る。
【００２９】本発明の接着フィルムに用いる第１の接着
剤層及び第２の接着剤層は、各々接着剤層をキャリアフ
ィルム上に形成させて得ることができる。例えば接着剤
の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、キャ
リアフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによ
り、接着剤層をキャリアフィルム上に形成して得られ
る。キャリアフィルムとしては、ポリテトラフルオロエ
チレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなど
のプラスチックフィルムが使用できる。
【００３０】本発明で用いるキャリアフィルムとしては
市販の物を利用でき、例えばポリイミドフィルムは東レ
・デュポン株式会社からカプトンという商品名で、鐘淵
化学工業株式会社からアピカルという商品名で市販され
ている。またポリエチレンテレフタレートフィルムは、
東レ・デュポン株式会社からルミラーという商品名で、
帝人株式会社からピューレックスという商品名で市販さ
れている。
【００３１】ワニス化の溶剤は、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタ
ノール、トルエン、ブチルセルソルブ、メタノール、エ
タノール、２−メトキシエタノールなどを用いることが
できる。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点
溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリド
ン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
【００３２】ワニスの製造は、無機フィラーの分散を考
慮した場合には、らいかい機、３本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
【００３３】本発明における第１の接着剤層と第２の接
着剤層とを積層した接着フィルムは、第１の接着剤層と
第２の接着剤層とをそれぞれキャリアフィルム上に形成
した後、これらフィルム状の接着剤層を熱圧着すること
により作製することができる。例えば第１の接着剤層と
第２の接着剤層重ね、ホットロールラミネーターで貼り
あわせることによって作製することができる。このとき
接着剤層は第１の接着剤層と第２の接着剤層のどちらに
おいても、キャリアフィルムを剥離してフィルム状の接
着剤層のみを使用することもできるし、キャリアフィル
ムを剥離せずに使用してもよい。キャリアフィルムを剥
離せずに使用した場合、キャリアフィルムはカバーフィ
ルムとしても利用できる。
【００３４】また、第２の接着剤層の成分からなるワニ
スをキャリアフィルム上に塗布し、加熱して溶媒を除去
した後、第２の接着剤層上に第１の接着剤層の成分から
なるワニスを塗布し、再度加熱することによっても、第
２の接着剤層の硬化度が第１の接着剤層の硬化度よりも
高い接着フィルムを作製することができる。
【００３５】第１の接着剤層及び第２の接着剤層の厚み
は、各々１０〜２００μｍが好ましいが、これに限定さ
れるものではない。１０μｍよりも薄いと応力緩和効果
が乏しくなる傾向がある。厚いとコスト高になりやす
い。また、第１の接着剤層及び第２の接着剤層を積層し
た接着フィルムの厚さが回路厚よりも薄い場合、埋め込
み性が落ちる傾向がある。
【００３６】本発明の接着フィルムは、コア材の一方の
面に第１の接着剤層を、他方の面に第２の接着剤層を積
層したものであってもよい。コア材の厚みは５〜２００
μｍの範囲内であることが好ましいが、これに限定され
るものではない。コア材の両面に形成される接着剤の厚
みは、各々１０〜２００μｍの範囲が好ましい。１０μ
ｍより薄いと接着性や応力緩和効果に乏しい傾向があ
る。厚いとコスト高になりやすい。また、第２の接着剤
層の厚さが回路厚よりも薄い場合、配線板側の埋め込み
性が落ちる傾向がある。
【００３７】本発明でコア材に用いられるフィルムとし
ては、耐熱性ポリマまたは液晶ポリマ、フッ素系ポリマ
などを用いた耐熱性熱可塑フィルムが好ましく、ポリア
ミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエ
ーテルスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリテトラフ
ルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポ
リマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロアルキルビニルエーテルコポリマーなどが好適に用
いられる。また、コア材は、接着フィルムの弾性率低減
のために多孔質フィルムを用いることもできる。軟化点
温度が２６０℃未満の熱可塑性フィルムをコア材に用い
た場合は、はんだリフロー時などの高温時に接着剤との
剥離を起こす場合がある。
【００３８】ポリイミドフィルムは、宇部興産株式会社
からユーピレックスという商品名で、東レ・デュポン株
式会社からカプトンという商品名で、鐘淵化学工業株式
会社からアピカルという商品名で市販されている。ポリ
テトラフルオロエチレンフィルムは、三井・デュポンフ
ロロケミカル株式会社からテフロンという商品名で、ダ
イキン工業株式会社からポリフロンという商品名で市販
されている。エチレンテトラフルオロエチレンコポリマ
ーフィルムは、旭硝子株式会社からアフロンＣＯＰとい
う商品名で、ダイキン工業株式会社からネオフロンＥＴ
ＦＥという商品名で市販されている。テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルム
は、三井・デュポンフロロケミカル株式会社からテフロ
ンＦＥＰという商品名で、ダイキン工業株式会社からネ
オフロンＦＥＰという商品名で市販されている。テトラ
フルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテ
ルコポリマーフィルムは、三井・デュポンフロロケミカ
ル株式会社からテフロンＰＦＡという商品名で、ダイキ
ン工業株式会社からネオフロンＰＦＡという商品名で市
販されている。液晶ポリマフィルムは、株式会社クラレ
からベクトラという商品名で市販されている。さらに、
多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、住友電
気工業株式会社からポアフロンという商品名で、ジャパ
ンゴアテックス株式会社からゴアテックスという商品名
で市販されている。
【００３９】コア材の両面に形成される接着剤層は、そ
れぞれの接着剤層の各成分を溶剤に溶解ないし分散して
ワニスとし、耐熱性熱可塑フィルム上に塗布、加熱し溶
剤を除去することにより接着剤層を耐熱性熱可塑フィル
ム上に形成することができる。第２の接着剤層の成分か
らなるワニスをコア材となる耐熱性熱可塑フィルムの一
方の面に塗布し、加熱して溶媒を除去した後、他方の面
に第１の接着剤層の成分からなるワニスを塗布し、再度
加熱することにより、コア材に設けられた第２の接着剤
層の硬化度が第１の接着剤層の硬化度よりも高い接着フ
ィルムを容易に作製することができる。この場合には、
両面の接着剤層同士がブロッキングしないようにカバー
フィルムで表面を保護することが望ましい。しかし、ブ
ロッキングが起こらない場合には、経済的な理由からカ
バーフィルムを用いないことが好ましく、制限を加える
ものではない。
【００４０】また、それぞれの接着剤の各成分を溶剤に
溶解ないし分散してワニスとしたものを、前述のキャリ
アフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより
フィルム状の接着剤層を各々キャリアフィルム上に形成
し、コア材の一方の面に第１の接着剤層、他方の面に第
２の接着剤層を配設し、熱圧着によって貼合わせること
により接着フィルムを作製することができる。例えば第
１の接着剤層、コア材、第２の接着剤層の順で積層し、
ホットロールラミネーターで貼合わせることによりコア
材の両面に各接着剤層を形成した接着フィルムを作製す
ることができる。このとき接着剤層は第１の接着剤層、
第２の接着剤層のいずれにおいても、キャリアフィルム
を剥離してフィルム状の接着剤層のみを使用することも
できるし、キャリアフィルムを剥離せずに使用してもよ
い。キャリアフィルムを剥離せずに使用した場合、キャ
リアフィルムはカバーフィルムとしても利用できる。
【００４１】本発明の接着フィルムを備えた半導体搭載
用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板
や有機基板など基板材質に限定されることなく用いるこ
とができる。例えばセラミック基板としては、アルミナ
基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。ま
た、有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を
含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン
樹脂を含浸させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィル
ムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用
いることができる。配線の形状としては、片面配線、両
面配線、多層配線いずれの構造でもよく、必要に応じて
電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよい。
【００４２】さらに、配線が半導体装置の外部表面に現
われる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
接着フィルムを配線基板へ張り付ける方法としては、接
着フィルムを所定の形状に切断し、その切断された接着
フィルムを配線基板の所望の位置に第２の接着剤層の面
が配線板に接するように配設し、熱圧着する方法が一般
的ではあるが、これに限定されるものではない。
【００４３】半導体チップと配線基板とを接着した半導
体装置は、半導体チップと配線基板の間に接着フィルム
を第１の接着剤層が半導体チップ側の面になるように配
設し、熱圧着することによって製造することができる。
また、前記の接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基
板に半導体チップを載せ、熱圧着しても良い。半導体ウ
エハに接着フィルム、及びダイシングテープをラミネー
トした後、ウエハ及び接着フィルムをチップに切断し、
その後、回路付き基板または回路付きフィルムとチップ
を、接着フィルムを介して接着する半導体装置の製造工
程は、チップ毎の接着フィルム貼付の工程を省くことが
できる点で好ましい。
【００４４】本発明の半導体装置の構造としては、半導
体チップの電極と配線基板とがワイヤボンディングで接
続されている構造、半導体チップの電極と配線基板とが
テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のイン
ナーリードボンディングで接続されている構造等があ
る。
【００４５】半導体チップと回路付き基板または回路付
きフィルムを、接着フィルムを介して接着する半導体装
置の製造工程において、熱圧着の条件は配線板の回路を
空隙無く埋め込み、十分な接着性を発現する程度の温
度、荷重、時間で貼りつければよい。チップの破損が起
こりにくい点で荷重が１９６ｋＰａ以下であることが好
ましく、特に９８ｋＰａ以下が好ましい。
【００４６】図１（ａ）は本発明による２層の接着剤層
からなる接着フィルムを示す断面図であり、第１の接着
剤層１と第２の接着剤層１’が積層されてなる。図１
（ｂ）は本発明によるコア材の両面に各接着剤層を備え
た接着フィルムを示す断面図であり、コア材（耐熱性熱
可塑フィルム）２の一方の面に第１の接着剤層１が、他
方の面に第２の接着剤層１’が積層されてなる。図２
（ａ）は図１（ａ）に示した接着フィルムを用いた半導
体搭載用配線基板を示す断面図であり、配線３を備えた
配線基板４に第２の接着剤層の面が接するように接着フ
ィルムを配設してなる。図２（ｂ）は図１（ｂ）に示し
た接着フィルムを用いた半導体搭載用配線基板を示す断
面図であり、配線３を備えた配線基板４に第２の接着剤
層の面が接するように接着フィルムを配設してなる。図
３（ａ）は図１（ａ）に示した接着フィルムを第１の接
着剤層の面が半導体チップ５、第２の接着剤層の面が配
線基板に接するように配設し、熱圧着によって半導体チ
ップ５と配線基板を接着させ、半導体チップのパッドと
基板上の配線とをボンディングワイヤ６で接続し、封止
材７で封止して外部接続端子８を設けた半導体装置の断
面図であり、図３（ｂ）は図１（ｂ）に示した接着フィ
ルムを第１の接着剤層の面が半導体チップ５、第２の接
着剤層の面が配線基板に接するように配設し、熱圧着に
よって半導体チップ５と配線基板を接着させ、半導体チ
ップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤ６
で接続し、封止材７で封止して外部接続端子８を設けた
半導体装置の断面図である。また、図３（ｃ）は図１
（ａ）に示した接着フィルムを第１の接着剤層の面が半
導体チップ５、第２の接着剤層の面が配線基板に接する
ように配設し、熱圧着によって半導体チップ５と配線基
板を接着させ、半導体チップ５のパッドに基板のインナ
ーリード６’をボンディングし、封止材７で封止して外
部接続端子８を設けた半導体装置の断面図であり、図３
（ｄ）は図１（ｂ）に示した接着フィルムを第１の接着
剤層の面が半導体チップ５、第２の接着剤層の面が配線
基板に接するように配設し、熱圧着によって半導体チッ
プ５と配線基板を接着させ、半導体チップ５のパッドに
基板のインナーリード６’をボンディングし、封止材７
で封止して外部接続端子８を設けた半導体装置の断面図
である。
【００４７】接着フィルムは、図１（ａ）に示すように
接着剤層のみから成る接着フィルムでも、図１（ｂ）に
示すようにコア材２の両面に各接着剤層を備えた接着フ
ィルムでも良く、図２（ａ）、（ｂ）に示す配線３を形
成した配線基板４の配線側の面に第２の接着フィルムが
接するように、所定の大きさに切り抜いた接着フィルム
を熱圧着して、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線
基板を得ることができる。また、接着フィルムの第二の
接着剤層の側に配線基板を、配線基板と反対側に半導体
チップ５を熱圧着し、接着フィルムの接着剤層を硬化さ
せた後、図３（ａ）、（ｂ）では半導体チップのパッド
と配線基板上の配線とをボンディングワイヤ６で接続
し、図３（ｃ）、（ｄ）では半導体チップのパッドに基
板のインナーリード６’をボンディングして、封止材７
で封止、外部接続端子８であるはんだボールを設けて半
導体装置を得ることができる。また、図２に示した半導
体搭載用配線基板や図３に示した半導体装置のように、
配線基板に接する接着剤層の接着後の厚さが配線基板の
回路厚より厚い場合、十分な回路充填性を得ることがで
きる点で好ましい。
【００４８】本発明の接着フィルムを用いて半導体チッ
プと配線基板を接着させた半導体装置は、耐リフロー
性、温度サイクルテスト、耐湿性（耐ＰＣＴ性）等に優
れていた。さらに接着剤の可使期間が長く、２５℃で３
ヶ月保管後のものを用いて作製した半導体装置も初期と
ほぼ同等の特性を示していた。
【００４９】以下実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
【実施例】実施例１ （１）第１の接着剤層の作製 エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製商品名ＹＤ
−８１２５を使用）４５重量部、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会
社製商品名ＹＤＣＮ−７０３を使用）１５重量部、エポ
キシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大
日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェン
ＬＦ２８８２を使用）４０重量部、エポキシ基含有アク
リル系重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル
パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平
均分子量１００万、グリシジルメタクリレート３重量
％、Ｔｇは−７℃、帝国化学産業株式会社製商品名ＨＴ
Ｒ−８６０Ｐ−３ＤＲ（Ｃ）を使用）６６重量部、硬化
促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業
株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重
量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹
拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ７
５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に塗布し、９０℃２０分間、さらに１２０℃で５
分間加熱乾燥して膜厚が３０μｍの塗膜とし、接着剤フ
ィルムを作製した。ＤＳＣを用いて測定した硬化度は５
%であった。この接着剤フィルムを１７０℃で１時間加
熱硬化させてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レ
オロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサ
イズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚６０μｍ、昇温速
度５℃／分、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）し
た結果、２５℃で６００ＭＰａ、２６０℃で５ＭＰａで
あった。 （２）第２の接着剤層の作製 ポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布後、９０℃
で２０分間、さらに１４０℃で５分間加熱乾燥した以外
は第１の接着剤層と同様である。ＤＳＣを用いて測定し
た硬化度は１５%であった。 （３）第１、第２の接着剤層の積層 第１、第２の接着剤層を積層し温度１００℃、圧力０．
３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホットロール
ラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィルムを作成
した。
【００５０】実施例２ （１）第１の接着剤層の作製 エポキシ樹脂として臭素化フェノールノボラックのポリ
グリシジルエーテルである（エポキシ当量２８５、日本
化薬株式会社製商品名ＢＲＥＮ−Sを使用）５５重量
部、エポキシ樹脂の硬化剤として臭素化フェノール樹脂
（帝人化成株式会社製のファイヤーガードＦＧ２０００
を使用）４０．８重量部、フェノールノボラック樹脂
（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフ
ェンＬＦ２８８２を使用）５．９重量部、エポキシ基含
有アクリル系重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム
（重量平均分子量１００万、グリシジルメタクリレート
３重量％、Ｔｇ−７℃、帝国化学産業株式会社製商品名
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ（Ｃ）を使用）４４重量部、
硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成
工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．
５重量部、アンチモン酸化物として三酸化二アンチモン
（日本精鉱株式会社製ＰＡＴＯＸ−Ｕを使用）２１重量
部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌
混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ７５
μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に塗布し、９０℃２０分間、さらに１２０℃で５分
間加熱乾燥して膜厚が３０μｍの塗膜とし、フィルム状
の接着剤層を作製した。このフィルム状の接着剤層の残
存溶媒量は、１．２重量％であった。また、このフィル
ム状の接着剤層を１７０℃で１時間加熱硬化させてその
貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶ
Ｅ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ：長さ２０ｍ
ｍ、幅４ｍｍ、膜厚６０μｍ、昇温速度５℃／分、引張
りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）した結果、２５℃で
１０００ＭＰａ、２６０℃で５ＭＰａであった。 （２）第２の接着剤層の作製 ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲの量が６８重量部である他は
第１の接着剤層と同様である。 （３）第１、第２の接着剤層の積層 第１、第２の接着剤層を積層し温度１００℃、圧力０．
３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホットロール
ラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィルムを作成
した。
【００５１】比較例１ 実施例１の第１の接着剤層を２枚積層し温度１００℃、
圧力０．３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホッ
トロールラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィル
ムを作成した。 比較例２ 実施例１の第２の接着剤層を２枚積層し温度１００℃、
圧力０．３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホッ
トロールラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィル
ムを作成した。 比較例３ 実施例２の第１の接着剤層を２枚積層し温度１００℃、
圧力０．３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホッ
トロールラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィル
ムを作成した。 比較例４ 実施例２の第２の接着剤層を２枚積層し温度１００℃、
圧力０．３ＭＰａ、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でホッ
トロールラミネーターを用いて貼りあわせて接着フィル
ムを作成した。
【００５２】得られた接着フィルムを用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板を、表１に示した条件（温度、圧力）で５秒
間熱圧着し、１７０℃で１時間加熱して接着フィルムの
接着剤を硬化させて貼り合せた半導体装置サンプル（片
面にはんだボールを形成）を作製した。この際、実施例
１、２については接着フィルムのうち第１の接着剤層が
半導体チップ側、第２の接着剤層が回路付き基板に接す
るようにした。
【００５３】前記半導体装置サンプルについて耐熱性、
難燃性、耐湿性、発泡の有無を調べた。耐熱性の評価方
法には、耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適
用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面
の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持するよ
うに温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室
温で放置することにより冷却する処理を２回繰り返した
サンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で観察し
た。クラックの発生していないものを○とし、発生して
いたものを×とした。耐温度サイクル性は、サンプルを
−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰
囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０
００サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やク
ラック等の破壊が発生していないものを○、発生したも
のを×とした。また、耐湿性評価は、サンプルを温度１
２１℃、湿度１００％、２気圧の雰囲気（プレッシャー
クッカーテスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離
を観察することにより行った。接着フィルムの剥離の認
められなかったものを○とし、剥離のあったものを×と
した。発泡の有無は前記半導体装置サンプルについて超
音波顕微鏡を用いて確認し、接着フィルムに発泡が認め
られなかったものを○とし、発泡のあったものを×とし
た。また埋め込み性の評価は前記半導体装置サンプルを
作製し、光学顕微鏡を用いて接着剤の回路への埋め込み
性を確認した。可使期間の評価は、接着フィルムを２５
℃で３ヶ月保管したものを用いて前記半導体装置サンプ
ルを作製し、埋め込み性を確認することにより行った。
配線基板に設けられた回路との間に空隙がなかったもの
を○、空隙が認められたものを×とした。その結果を表
１に示す。貫通孔、端部からの樹脂浸みだしは光学顕微
鏡を用いて樹脂の浸みだしを確認した。浸みだしがない
ものを○、浸みだしがあるものを×とした。
【００５４】
【表１】
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層接着
フィルムは低い荷重で接着しても回路の埋め込み性が良
好であり、貫通孔、端部からの樹脂のしみだしがない。
また耐熱性、耐湿性が良好である。これらの効果によ
り、優れた信頼性を発現する半導体装置に必要な接着材
料を効率良く提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は本発明による２層の接着剤からなる
接着フィルムを示す断面図、（ｂ）は本発明によるコア
材の両面に各接着剤を備えた接着フィルムを示す断面
図。
【図２】 （ａ）は本発明による２層の接着剤からなる
接着フィルムを用いた半導体搭載用配線基板を示す断面
図、（ｂ）は本発明によるコア材の両面に各接着剤を備
えた接着フィルムを用いた半導体搭載用配線基板を示す
断面図。
【図３】 （ａ）は本発明による２層の接着剤からなる
接着フィルムを用いて半導体チップと配線基板を接着さ
せ、半導体チップのパッドと基板上の配線とをボンディ
ングワイヤで接続した半導体装置の断面図、（ｂ）は本
発明によるコア材の両面に各接着剤を備えた接着フィル
ムを用いて半導体チップと配線基板を接着させ、半導体
チップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤ
で接続した半導体装置の断面図、（ｃ）は本発明による
２層の接着剤からなる接着フィルムを用いて半導体チッ
プと配線基板を接着させ、半導体チップのパッドに基板
のインナーリードをボンディングした半導体装置の断面
図、（ｄ）は本発明によるコア材の両面に各接着剤を備
えた接着フィルムを用いて半導体チップと配線基板を接
着させ、半導体チップのパッドに基板のインナーリード
をボンディングした半導体装置の断面図。
【符号の説明】
１ ． 第１の接着剤層 １’． 第２の接着剤層 ２ ． コア材（耐熱性熱可塑フィルム） ３ ． 配線 ４ ． 配線基板 ５ ． 半導体チップ ６ ． ボンディングワイヤ ６’． インナリード ７ ． 封止材 ８ ． 外部接続端子
フロントページの続き (72)発明者 西山 雅也 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 富山 健男 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA10 AA13 AB05 CA03 CA06 CC02 CE01 DB01 DB02 FA05 FA07 FA08

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記の２種類の接着剤層を積層してなる
    ことを特徴とする接着フィルム。 第１の接着剤層 エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、官能基を含
    む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０℃以上０
    ℃以下である高分子量成分１０〜１００重量部、硬化促
    進剤０．１〜２０重量部を含有する接着剤からなり、示
    差走査熱分析（ＤＳＣ）による硬化度が０〜４０％の範
    囲にある接着剤層。 第２の接着剤層 エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、官能基を含
    む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０℃以上０
    ℃以下である高分子量成分１０〜１００重量部、硬化促
    進剤０．１〜２０重量部を含有する接着剤からなり、Ｄ
    ＳＣによる硬化度が０〜４０%の範囲にある接着剤層で
    あって、高分子量成分の重量部が第１の接着剤層より１
    ０重量部以上大きいかまたは、ＤＳＣによる硬化度が第
    １の接着剤層より５％以上大きい接着剤層。
  2. 【請求項２】 第１の接着剤層および第２の接着剤層に
    用いるエポキシ樹脂及びその硬化剤として、臭素原子を
    含むエポキシ樹脂及び／又は臭素原子を含む硬化剤を用
    いたことを特徴とする請求項１記載の接着フィルム。
  3. 【請求項３】 高分子量成分が、グリシジルアクリレー
    ト又はグリシジルメタクリレート０．５〜６．０重量％
    を含むアクリル共重合体であることを特徴とする請求項
    １、２記載の接着フィルム。
  4. 【請求項４】 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場
    合の第１の接着剤層および第２の接着剤層の接着剤硬化
    物の貯蔵弾性率が各々２５℃で２０〜２０００ＭＰａで
    あり、２６０℃で３〜５０ＭＰａである請求項１〜３記
    載の接着フィルム。
  5. 【請求項５】 配線基板の半導体チップ搭載面に請求項
    １〜４のいずれかに記載の接着フィルムを、第２の接着
    剤層の面が配線基板に接するように備えた半導体搭載用
    配線基板。
  6. 【請求項６】 半導体チップに請求項１〜４のいずれか
    に記載の接着フィルムを、第１の接着剤層の面が半導体
    チップに接するように備えた半導体装置。
  7. 【請求項７】 半導体チップと回路付き基板または回路
    付きフィルムを請求項１〜４のいずれかに記載の接着フ
    ィルムを介して接着する半導体装置において、第１の接
    着剤層の面が半導体チップに、第２の接着剤層の面が回
    路付き基板または回路付きフィルムに接することを特徴
    とする半導体装置。
  8. 【請求項８】半導体ウエハに請求項１〜４のいずれかに
    記載の接着フィルム、及びダイシングテープをラミネー
    トした後、ウエハ及び接着フィルムをチップに切断し、
    その後、回路付き基板または回路付きフィルムとチップ
    を接着フィルムを介して接着することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
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