JP4265397B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の半導体装置の製造方法は、感光性接着フィルムであって、重量平均分子量が5000未満のエポキシ樹脂と、重量平均分子量が10万〜200万でTgが−50〜0℃であるエポキシ基を含むアクリルゴムと、光硬化開始剤と、光重合性不飽和モノマーとしてジペンタエリトリトールヘキサクリレートとを含む接着剤から形成され、接着剤の硬化物は、25℃で20〜2000MPa、260℃で3〜50MPaの貯蔵弾性率を有し、かつ感光性接着フィルムは、第一の面のみが光照射されて使用されるものであり、光照射されない第二の面のタック強度に対する光照射後の第一の面のタック強度の比が0.01〜0.50となるように適合された感光性接着フィルムを準備する工程と、感光性接着フィルムの第一の面を光照射し次いで第二の面に半導体ウェハをラミネートする工程、又は感光性接着フィルムの第二の面に半導体ウェハをラミネートし次いで第一の面を光照射する工程と、ラミネートした半導体ウェハと感光性接着フィルムとを半導体チップザイズに切断する工程と、感光性接着フィルムの光照射した第一の面に回路付き基板または回路付きフィルムとを接着する工程と、を含む方法である。
さらに、本発明の半導体チップ搭載用の感光性接着フィルムは、重量平均分子量が5000未満のエポキシ樹脂と、重量平均分子量が10万〜200万でTgが−50〜0℃であるエポキシ基を含むアクリルゴムと、光硬化開始剤と、光重合性不飽和モノマーとを含む接着剤から形成され、光照射した第一の面と光照射されていない第一の面に対向する第二の面とを有し、第二の面のタック強度に対する第一の面のタック強度の比が0.01〜0.50であり、接着剤の硬化物が、25℃で20〜2000MPa、260℃で3〜50MPaの貯蔵弾性率を有し、半導体チップが前記第二の面に搭載されるように適合していることを特徴とする。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社製、商品名:YD−8125)45重量部とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量210、東都化成株式会社製、商品名:YDCN−703)15重量部、エポキシ樹脂の硬化剤として、フェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:プライオーフェンLF2882)40重量部、エポキシ基含有アクリル共重合体として、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量100万、グリシジルメタクリレート3重量%、Tg−7℃、帝国化学産業株式会社製、商品名:HTR−860P−3DR(C))75重量部、光硬化開始剤(チバガイギー株式会社製、商品名:イルガキュア651)0.3重量部、多不飽和アクリレートとして、ジペンタエリトリトールヘキサアクリレート(日本化薬株式会社製、商品名:DPCA)4重量部、硬化促進剤(四国化成工業株式会社製、商品名:2PZ−CN)0.5重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ75μm の離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が80μm の塗膜とし、接着フィルムを作製した。
耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が240℃で、この温度を20秒間保持するように温度設定したIRリフロー炉にサンプルを通したのち、室温で放置して冷却する、加熱冷却サイクルを2回繰り返したサンプル中に発生するクラックを目視と超音波顕微鏡で観察した。クラックの発生していないものを○、発生していたものを×とした。また、耐温度サイクル性は、サンプルを−55℃雰囲気に30分間放置し、その後125℃の雰囲気に30分間放置する工程を1サイクルとして、1000サイクル経過後のサンプルにおける剥離やクラックなどの破壊の発生を、超音波顕微鏡を用いて観察した。剥離やクラックなどの破壊が発生していないものを○、発生したものを×とした。
2 コア材(耐熱性熱可塑フィルム)
3 配線
4 配線基板
5 半導体チップ
6 ボンディングワイヤ
6′インナーリード
7 封止用樹脂
8 外部接続端子
Claims (3)
- 感光性接着フィルムの第一の面に配線回路付き基板または回路付きフィルムを接着し、前記第一の面に対向する第二の面に半導体チップを搭載した半導体装置であって、
前記感光性接着フィルムは、重量平均分子量が5000未満のエポキシ樹脂と、重量平均分子量が10万〜200万でTgが−50〜0℃であるエポキシ基を含むアクリルゴムと、光硬化開始剤と、光重合性不飽和モノマーとしてジペンタエリトリトールヘキサクリレートとを含む接着剤から形成され、
前記接着剤の硬化物は、25℃で20〜2000MPa、260℃で3〜50MPaの貯蔵弾性率を有し、かつ
前記感光性接着フィルムは、前記第一の面のみが光照射され、光照射されない前記第二の面のタック強度に対する前記光照射された第一の面のタック強度の比が0.01〜0.50であるフィルムであり、
前記半導体チップが、前記感光性接着フィルムの光照射されない前記第二の面に搭載され、
前記回路付き基板または回路付きフィルムが、前記感光性接着フィルムの前記光照射された第一の面に接着されている半導体装置。 - 感光性接着フィルムであって、
重量平均分子量が5000未満のエポキシ樹脂と、重量平均分子量が10万〜200万でTgが−50〜0℃であるエポキシ基を含むアクリルゴムと、光硬化開始剤と、光重合性不飽和モノマーとしてジペンタエリトリトールヘキサクリレートとを含む接着剤から形成され、
前記接着剤の硬化物は、25℃で20〜2000MPa、260℃で3〜50MPaの貯蔵弾性率を有し、かつ
前記感光性接着フィルムは、第一の面のみが光照射されて使用されるものであり、光照射されない第二の面のタック強度に対する光照射後の前記第一の面のタック強度の比が0.01〜0.50となるように適合された感光性接着フィルムを準備する工程と、
前記感光性接着フィルムの前記第一の面を光照射し次いで前記第二の面に半導体ウェハをラミネートする工程、又は前記感光性接着フィルムの前記第二の面に半導体ウェハをラミネートし次いで前記第一の面を光照射する工程と、
前記ラミネートした前記半導体ウェハと前記感光性接着フィルムとを半導体チップザイズに切断する工程と、
前記感光性接着フィルムの前記光照射した第一の面に回路付き基板または回路付きフィルムとを接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 感光性接着フィルムであって、
重量平均分子量が5000未満のエポキシ樹脂と、重量平均分子量が10万〜200万でTgが−50〜0℃であるエポキシ基を含むアクリルゴムと、光硬化開始剤と、光重合性不飽和モノマーとしてジペンタエリトリトールヘキサクリレートとを含む接着剤から形成され、
前記接着剤の硬化物は、25℃で20〜2000MPa、260℃で3〜50MPaの貯蔵弾性率を有し、かつ
前記感光性接着フィルムは、第一の面のみが光照射されて使用されるものであり、光照射されない第二の面のタック強度に対する光照射後の前記第一の面のタック強度の比が0.01〜0.50となるように適合された感光性接着フィルムを準備する工程と、
前記感光性接着フィルムの第二の面に半導体ウェハを、前記第一の面にテープまたはダイシングテープをラミネートする工程と、
前記ラミネートした前記半導体ウェハと前記感光性接着フィルムとテープ若しくはダイシングテープとを半導体チップザイズに切断し、次いで前記テープ若しくはダイシングテープを通して前記感光性接着フィルムの前記第一の面を光照射する工程、又は前記テープ若しくはダイシングテープを通して前記感光性接着フィルムの前記第一の面を光照射し、次いで前記ラミネートした前記半導体ウェハと前記感光性接着フィルムとテープ若しくはダイシングテープとを半導体チップザイズに切断する工程と、
前記テープまたはダイシングテープを剥離する工程と、
前記光照射した感光性接着フィルムの第一の面に回路付き基板または回路付きフィルムを接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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