JP5117630B1

JP5117630B1 - 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの製造方法

Info

Publication number: JP5117630B1
Application number: JP2012153088A
Authority: JP
Inventors: 知未荒橋; 啓時横井
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2012-07-06
Filing date: 2012-07-06
Publication date: 2013-01-16
Anticipated expiration: 2032-07-06
Also published as: JP2014015521A; TW201402768A; CN103525323A; KR20140005801A; CN103525323B; TWI449767B; KR101392535B1

Abstract

【課題】ウェハ破損防止、シーページ発生抑制、剥離力の軽減、糊残りを抑制した高バンプウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハの裏面を研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に粘着剤層を有し、前記粘着剤層が、放射線硬化型粘着剤層であり、厚みが、前記半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層であって、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上である半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの製造方法。
式（１）［Ｔα − Ｔβ（空気）］ ÷ ［Ｔα − Ｔβ（Ｎ_２）］×１００
（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの製造方法に関する。さらに詳しくは、半導体ウェハを研削する際に半導体ウェハの破損、ダスト浸入やシーページ等の汚染を防止するために、半導体ウェハの集積回路が組み込まれた側の面を保護するのに使用される表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの製造方法に関する。

半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウェハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウェハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウェハの裏面を研削、研磨等することにより、半導体ウェハは所望の厚さに加工される。この際、半導体ウェハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが用いられる。裏面研削された半導体ウェハは、裏面研削が終了した後にウェハカセットへ収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。
従来、研削、研磨工程において半導体ウェハの破損、汚染を防止するために半導体ウェハ表面保護用粘着テープが用いられており、具体的にはウェハ表面に半導体ウェハ表面保護粘着テープをその粘着剤層を介して貼着してウェハ表面を保護した後、そのウェハの裏面を機械的に研削する。この工程が完了した後、該粘着テープはウェハ表面から剥離される。

表面保護用粘着テープの重要な特性の一つは、ウェハ表面に対する密着性である。ウェハ表面の凹凸に対する密着性は、ウェハの破損防止、シーページ等の汚染性の観点から求められるものである。通常、半導体ウェハの表面には、組み込まれた集積回路デバイスに起因する凹凸が存在する。

近年、半導体業界の技術革新に伴い、従来の半導体テープでは適用が困難な表面形状を有する半導体ウェハが出現している。特に、半導体集積回路表面が下側に配置されて基板に接続されるフリップチップ実装と呼ばれる実装方法があり、この実装方法等に適したチップを有する半導体ウェハとして突起状バンプ電極を有している。具体的には、突起状バンプ電極修飾は半田、金、銅、銀等であり、形状はボール状、円柱状等がある。バンプ電極はウェハ表面から突出して形成されており、ウェハ表面と電極頂点との差は一般には１００μｍ程度であるが、実装信頼性を確保するために２００μｍを超えるものも出現してきた。

さらに、近年、電子デバイスは厳しいコスト制約のなかでさらなる小型化、軽量化、高性能化が要求されている。それともない半導体チップは増加や小型化に対応するため、実装信頼性確保のための高段差化あるいはピッチ幅の狭い突起状バンプ電極修飾による高密化の必要が生じており、従来の半導体ウェハ表面保護用粘着テープでは適応困難な表面形状を有するウェハが出現してきた。

また、ピッチ幅に関してはウェハ表面に高さ１００μｍ程度の半田ボールバンプ電極が設けられる場合、従来、ピッチ幅は５００μｍ程度が一般的であったものが、現在では３００μｍ未満のものが主流となっている。更に、ピッチが２００μｍ程度のものまで見られるようになってきた。

バンプ径が大きく、高く、狭ピッチのバンプ電極を有するウェハに対して、従来の半導体ウェハ表面保護用粘着テープからの解決アプローチとして、粘着剤層の弾性率を下げて軟らかくしたり、粘着剤厚みをバンプ以上の高さにしてウェハ表面の凹凸に追従させ、ウェハの破損防止、シーページを抑制する方法（例えば、特許文献１参照）がとられてきた。
しかしながら、バンプ高さが１５０μｍ以上になると、完全に追従させるためには粘着剤を非常に軟らかくしなければならず、研削後のウェハから粘着テープを剥離する際に、ウェハの表面に粘着剤の一部が残ってしまうこと（いわゆる、糊残り）が問題となっている。しかも、その糊残りがウェハ表面を汚染し、集積回路デバイスに電気的不良等の影響を及ぼすことがある。

これを解決するため、粘着剤の紫外線硬化反応による密着性と糊残り抑制を試みる方法が提案（例えば、特許文献２参照）されている。紫外線硬化反応は、光重合開始剤の存在下、光開始剤が紫外線照射によりラジカルになり、そのラジカルが粘着剤の重合性基を有するポリマー、オリゴマーもしくはモノマーに反応し活性化され、ポリマー、オリゴマー、モノマー同士が連鎖的に結合することにより起こる。それに伴い、特性としては粘着力低下と粘着剤の硬化収縮が生じる。粘着力、硬化収縮は二重結合の量と光重合開始剤の量やポリマー種類によって異なり、これを調整することによって紫外線照射前の密着性と紫外線照射後（剥離後）の糊残りが低減できる。しかし、この方法では、バンプの径が大きく、高く、しかも狭ピッチになると、この方法では対応できなくなってきている。

例えば、上記バンプに粘着剤を完全に密着させる場合、紫外線照射前の硬さを軟らかくするため、追従し紫外線硬化反応後に剥離はできるが、追従するがゆえにバンプの根元にある粘着剤には照射された紫外線が当たっておらず、粘着力が低下しないため、糊残りが生じてしまう問題もある。
また、紫外線硬化前に粘着剤をやわらかくすると、粘着力が上がる傾向にあり、紫外線照射後の粘着力を下げ、剥離を軽くするために紫外線により反応する光重合開始剤の量や二重結合の量を多くする必要がある。しかし、紫外線により反応する光重合開始剤の量や二重結合の量を多くすると硬化収縮も大きくなり、粘着剤がバンプに噛み込んで、テープの剥離の際に粘着剤がテープ表面とバンプに密着した粘着剤間で千切れ、糊残りを引き起こす問題が生じている。さらには剥離不良、もしくは粘着剤のバンプに対する噛みこみが強い場合には、バンプ自体を半導体ウェハから剥がしてしまうという問題が生じている。

この問題に対して、粘着剤層部分を薄くすることによって、バンプに追従させないで糊残り、剥離を改善することが考えられるが、一般にこの方法では、半導体ウェハと粘着剤の間に空隙が発生するため、空隙の酸素による放射線硬化阻害や半導体ウェハ周辺の埋め込み性が問題となる。
このため、酸素存在下において硬化阻害しにくく、周辺の埋め込み性の良い半導体ウェハ表面保護用粘着テープが求められている。

特開２００３−６４３２９号公報特開２００７−３０２７９７号公報

従って本発明は、上記のような問題点に鑑み、バンプ高さの高いバンプウェハの裏面研削に用いる表面保護用粘着テープで、ウェハを研削してもウェハの破損防止やシーページが生じないで、剥離力の軽減と糊残りの抑制された半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行った結果、放射線照射前後のタック力の変化率が重要であることを見出し、さらなる検討を積み重ね、本発明を完成させるに至ったものである。
すなわち、上記課題は以下の手段により達成された。
（１）半導体ウェハの裏面を研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に粘着剤層を有し、
前記粘着剤層が、放射線硬化型粘着剤層であり、厚みが、前記半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層であって、空気中または窒素雰囲気下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射前後で、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

式（１）
［Ｔα − Ｔβ（空気）］ ÷ ［Ｔα − Ｔβ（Ｎ_２）］×１００

（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
（２）前記粘着剤層の照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２でのステンレス鋼に対する放射線照射前の粘着力の低下率が５０％以上であって、該粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後が０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（３）記粘着剤層面の純水の接触角が７０°以上であることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（４）前記粘着剤層の厚みがバンプ高さより薄いことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（５）半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
前記表面保護用粘着テープに前記半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層の表面保護用粘着テープを使用し、
前記表面保護用粘着テープの前記粘着剤層が、放射線硬化型粘着剤層であり、該粘着剤層とウェハ表面のボトム部（凹部）との、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
（６）前記粘着剤層の照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２でのステンレス鋼に対する放射線照射前の粘着力の低下率が５０％以上であって、該粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後が０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする（５）に記載の半導体ウェハの製造方法。
（７）前記粘着剤層面の純水の接触角が７０°以上であることを特徴とする（５）または（６）に記載の半導体ウェハの製造方法。
（８）前記粘着剤層の厚みがバンプ高さより薄いことを特徴とする（５）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体ウェハの製造方法。

なお、ここでいう「粘着力」は具体的には、粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片を３点採取し、その試料を、ＪＩＳＲ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳＧ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳＢ７７２１に適合する引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温（２５℃）で測定する。また、放射線照射後の粘着力は、放射線硬化型粘着剤層を有する粘着テープを圧着し１時間経過した状態で粘着テープの基材フィルム面より５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して硬化させた後に上記と同様にして測定する。
また、タック力における放射線照射前後の値は、特に断りがないもの以外は、窒素雰囲気下で得られた値である。

本発明により、半導体ウェハ表面保護用粘着テープをバンプの径が大きく、高く、狭ピッチのバンプ電極を有する半導体ウェハに貼付し研削してもウェハの破損防止やシーページが生じないで、剥離力の軽減と糊残りが抑制できる。

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
＜＜半導体ウェハ表面保護用粘着テープ＞＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層を有し、少なくとも１種類の粘着剤が塗布され、該粘着剤層が形成されている。

＜粘着剤層＞
本発明において、粘着剤層は１種類の粘着剤層からなるものでも、異なる２種類以上の粘着剤層が積層されてもよいが、半導体ウェハ表面に接触する粘着剤層が放射線硬化型である。
本発明の上記放射線硬化型粘着剤層は、空気中または窒素雰囲気下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で照射したときの放射線照射前後のタック力の変化率が３０％以上である。ここで、このタック力の変化率は、粘着剤層表面に対する張り付きの尺度の変化率であり、下記式（１）で求められる。

式（１）において、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。
なお、放射線〔例えば、紫外線のような光線（レーザー光線も含む）、電子線などの電離性放射線〕はどのようなものでも構わないが、半導体ウェハ加工、保護用に使用される粘着テープの硬化には一般的に紫外線が使用されるため、本発明では、放射線照射は、タック力および後述の粘着力も含め、紫外線照射で得られた値を採用する。

またタック力は、タック試験機（例えば、市販されている「タック試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）」により測定できる。
具体的には、放射線硬化型粘着剤層を有する粘着テープを、幅２５ｍｍ×長さ２５０ｍｍに切り出して試験片とし、平行板上にこの試験片を設置し、試験片の粘着剤面側に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１ｓｅｃ保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重を測定することにより得られる。なお、測定温度は常温（２５℃）である。
放射線照射後のタック力は、粘着テープの放射線硬化型粘着剤層を、セパレータを設けた場合にはセパレータを剥離した状態で、５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を空気中もしくは窒素雰囲気下で照射して硬化させた後に上記と同様にして測定する。

上記のタック力の変化率は５０％以上が好ましく、７０％以上がさらに好ましい。
タック力の変化率が３０％未満である場合、放射線硬化粘着剤層が、半導体ウェハに接触する面での表面状態が放射線（紫外線）照射前と殆ど変化しておらず、このため、剥離が重く、糊残りも引き起こしてしまう。タック力の変化率を３０％以上とすることで剥離が軽減され、糊残りも抑制することができる。

ここで、放射線照射前のタック力Ｔαは、１００〜４５０ｋＰａが好ましく、１００〜２５０ｋＰａがより好ましい。
タック力の調節は、ポリマー共重合体の分子量と側鎖の立体構造あるいは硬化剤、粘着剤層の厚みを調節することによって行うことができる。

本発明の放射線硬化型粘着剤層は、ステンレス鋼のＳＵＳ＃２８０研磨面に対する常温（２５℃）での放射線照射前の粘着力が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。また、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の放射線を照射後の常温（２５℃）での粘着力は０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．８Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。
また、本発明においては、前記の粘着力の放射線照射前後の低下率が５０％以上の場合に、粘着力が上記の範囲を満たすことが特に好ましい。

放射線照射前の粘着力が２．０Ｎ／２５ｍｍ未満であると、研削の際、半導体ウェハ周辺部との密着性不足により、シーページ等の汚染を引き起こし、半導体ウェハを破損する可能性があり、逆に、１２．０Ｎ／２５ｍｍを超えると、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２での放射線照射後の粘着力が１．８Ｎ／２５ｍｍまで低下しないことがあり、この結果硬化後の剥離が重くなる。また、粘着力が十分低下しないと硬化後の剥離の際、糊残りが生じる。
また、１２．０Ｎ／２５ｍｍを超えると２．０Ｎ／２５ｍｍ以下にするためには粘着剤に存在する二重結合の量や光重合開始剤を多く必要とするため、放射線照射後の硬化収縮が強く、バンプの噛みこみが起こりやすくなり、剥離不良、糊残りを引き起こす。

放射線照射前の粘着力は、好ましくは２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後の粘着力は、好ましくは０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．５Ｎ／２５ｍｍである。
また、放射線照射前後の粘着力の低下率〔（照射前の粘着力−照射後の粘着力）／照射前の粘着力〕×１００は、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましい。
粘着力の調節は、照射前の粘着力は水酸基、酸基の割合、硬化剤量によって調節でき、照射後の粘着力は粘着剤中の二重結合の量または光重合開始剤量を調節することによって行うことができる。

ステンレス鋼（ＳＵＳ♯２８０）に対する粘着力および粘着力の低下率は、引張試験機を用いて測定できる。
具体的には、粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片を３点採取し、その試料を、ＪＩＳＲ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳＧ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳＢ７７２１に適合する引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温（２５℃）で測定する。また、放射線照射後の粘着力は、放射線硬化型粘着剤層を有する粘着テープを圧着し１時間経過した状態で粘着テープの基材フィルム面より５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して硬化させた後に上記と同様にして測定する。

本発明の粘着剤層は純水を用いたテープ粘着剤層面の接触角φが放射線硬化前で７０°以上を示すものが好ましい。接触角φの値が７０°未満であると、親水性が高くなるため研削の際にシーページが起こりやすくなることがある。

本発明の粘着剤層を構成する粘着剤を以下に説明する。
本発明では、少なくとも半導体ウェハに接する粘着剤層は放射線硬化型粘着剤層である。
この放射線硬化型粘着剤層は、粘着剤ポリマーと放射線重合性化合物を併用するか、または粘着剤を構成するポリマー中に、放射線で重合する官能基（好ましくはエチレン性不飽和基）を組み込んだポリマーを使用する。
放射線での重合を促進するため、光重合開始剤を含むことが好ましい。
また、架橋剤を含有することも好ましい。粘着剤を構成するポリマーに架橋剤と反応しうる官能基をもったモノマーを組み込むことで、膜硬度やゲル分率を調整することができる。
さらに、必要に応じて、上記以外の添加剤や添加物を含有させることもできる。

本発明におけるタック力、タック力の変化率、粘着力、粘着力の低下率および純水の接触角φの好ましい範囲への調整は、上記の素材の種類、ポリマーの組成（組み込むモノマー成分の種類と量）、架橋剤や光重合開始剤の使用の有無、種類や使用量で好ましい範囲に調整することができる。
具体的には、以下に説明する好ましい範囲、もしくはその組合せは、これらの調整に有用である。

粘着剤を構成する主成分のポリマー（粘着剤のポリマーでベースポリマーとも称す）は、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、天然ゴム系の樹脂、合成ゴム系の樹脂等の様々な種類のポリマーの中から適宜選択して用いることができるが、これらの中でも（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。（メタ）アクリル樹脂は粘着力の制御が容易である。

本発明において、粘着剤層の主成分は（メタ）アクリル共重合樹脂であることが好ましく、（メタ）アクリル樹脂とすることによって粘着力の制御が容易になり、ゲル分率等をコントロールできるため、糊残りや有機物による汚染を少なくすることができる。ポリマーが（メタ）アクリル樹脂である場合、ポリマーを構成する主モノマーとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルまたは２種以上の異なる（メタ）アクリル酸アルキルエステルのモノマー混合物が好ましい。

（メタ）アクリル酸のアルキルエステルの具体例としては、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

本発明では２種以上を混合して用いられることが好ましく、２種以上を混合することで様々な粘着剤としての機能を発揮させることができる。３種以上を混合することが更に好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、後述の２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレートから選択される３種以上、好ましくは４種以上を少なくとも共重合することが特に好ましい。３種類以上のモノマーを共重合することで段差への密着性および糊残りを含む非汚染性を両立できるようになる。

本発明においては、上記に加え重合性基を有するモノマー成分、多官能モノマー、架橋剤と反応しうる官能基を有するモノマー成分を使用することが好ましい。

放射線（好ましくは紫外線）に反応するためのモノマーとして、アルコール部にイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、２−イソシアナトエチルメタクリレート、２−イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。これらを適宜、アクリルポリマー共重合体に加えてアクリルポリマー共重合体の側鎖の水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。

放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーのポリマー中への含有量は１０〜６０質量％が好ましく、２０〜５０質量％がより好ましい。
また、放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーのポリマー中へ組み込みは、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等の官能基を側鎖に有するポリマーを合成した後に、この官能基と反応する官能基を有する放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーを加えて反応させることによって得ることができる。

粘着剤に含まれるポリマーは、架橋剤と反応し得る官能基を有していてもよく、架橋剤と反応し得る官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等が挙げられる。粘着剤ポリマー中にこれらの架橋剤と反応しうる官能基を導入する方法としては、ポリマーを重合する際にこれらの官能基を有するモノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。

また、粘着剤層のゲル分率の調整のため、粘着剤に含まれるポリマーを重合する際に多官能モノマー成分を共重合することができる。
これらの多官能モノマー成分の官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基が挙げられる。

多官能モノマーとしては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。

これらの多官能モノマーは、粘着剤に含まれるポリマー成分として組み込む以外に、粘着剤ポリマーに併用して含有する放射線重合性化合物として使用することも好ましい。
この場合、粘着剤ポリマーは放射線の重合性基を有していても有していなくても構わない。
粘着剤ポリマーに併用して含有する放射線重合性化合物として使用する場合、放射線重合性化合物の配合量は、ベースポリマーの粘着剤ポリマー１００質量部に対して、５０〜２００質量部が好ましく、１００〜１５０質量部がより好ましい。

本発明で使用する放射線硬化型粘着剤層を構成する粘着剤は、例えば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。

粘着剤には、光重合開始剤を含有させることで、放射線照射による硬化反応を効率的に行うことができ、好ましい。
光重合開始剤としては、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等が挙げられる。
光重合開始剤の配合量は、ベースポリマー１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、２〜５質量部がより好ましい。

上記ベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。
特に、ベースポリマーが（メタ）アクリル樹脂の場合、硬化剤を配合することによって粘着力が制御される。硬化剤の配合部数を調整することで所定の粘着力を得ることができる。
このような架橋剤としては、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。
架橋剤の配合量は、ベースポリマー１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、１〜５質量部がより好ましい。

さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。

本発明においては、少なくとも半導体ウェハと接する粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤層でるが、複数の粘着剤層を有する場合は、少なくとも半導体ウェハと接する粘着剤層以外の層に、加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。放射線硬化型の粘着剤は、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやするものであり、加熱発泡型の粘着剤は、発泡剤や膨張剤により剥離しやすくするものである。
また、粘着剤としてはダイシング・ダインボンディング兼用可能な接着剤であってもよい。

本発明の放射線硬化型粘着剤層の厚みは、貼り付ける半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い。放射線硬化型粘着剤層の厚みはバンプ高さよりも薄いことが好ましく、バンプの高さの半分以下であることがより好ましい。この範囲に放射線硬化型粘着剤層の厚みを調整することで、バンプの高さに対して完全な追従はしないが、バンプ表面の凹凸に対して追従し、バンプのない半導体ウェハ面と同様に完全に密着するものである。このように、バンプに対する接触表面積を少なくすることで、剥離を軽く、糊残りを抑制することができる。

＜基材フィルム＞
基材フィルムの材質としては、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。
本発明においては、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。

基材フィルムは、単層フィルム、またはそれらの２種以上が混合もしくは複層化されたフィルムとして用いることができる。
基材フィルムの厚さは１０〜５００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましい。

基材フィルム上に上記の粘着剤層を形成するためには、基材フィルムの少なくとも片面に、少なくとも１種類の粘着剤、本発明においては、放射線硬化型粘着剤を任意の方法で塗布すればよい。粘着剤層の厚さは５〜３０μｍが好ましい。また、基材フィルムと粘着剤層の間に、必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。

＜＜半導体ウェハの製造方法＞＞
本発明における半導体ウェハの製造方法では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープで、半導体ウェハのウェハ表面を保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む。
半導体ウェハのウェハ表面を保護する際に使用する半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着剤層の厚み、特に放射線硬化型粘着剤層の厚みを、保護する半導体ウェハの表面凹凸の高低さに合わせて半導体ウェハ表面保護用粘着テープを使用するのが好ましく、半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層の表面保護用粘着テープを使用する。
このように、保護する半導体ウェハの表面凹凸を事前に調査し、表面保護用粘着テープの粘着剤層の厚みを調整するか、または、複数の異なった厚みの表面保護用粘着テープを作製しておき、これから選択して使用することで、対応することができる。
半導体ウェハ表面保護用粘着テープと保護する半導体ウェハの表面凹凸の関係を考慮して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを使用する以外は、通常の半導体ウェハの製造工程が適用できる。

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３３質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量８０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例２＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７２質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２６質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量７０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを２０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例３＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６８質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量８０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを２０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例４＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７７質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１０質量部、メタクリル酸エチル１２質量部、メタクリル酸を１質量部として酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、分子量２０００の４官能アクリレート系オリゴマー（新中村化学製）を１００質量部添加し、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例５＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７８質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２０質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量７５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを２５質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０．５質量部、光開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例５に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例６＞
２−エチルヘキシルアクリレートを８２質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１６質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量１００万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを４０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例６に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例７＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量８０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを３０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例７に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例８＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７７質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１０質量部、メタクリル酸エチル１２質量部、メタクリル酸を１質量部として酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、分子量１０００〜２０００の４官能アクリレート系オリゴマー（新中村化学製）を５０質量部添加し、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例８に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例９＞
２−エチルヘキシルアクリレートを４３質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３５質量部、メタクリル酸エチル２０質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを２０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例９に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１０＞
２−エチルヘキシルアクリレートを５６質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを４２質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量１００万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１０に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６４質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３４質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量７５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを４０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０.５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１２＞
ブチルアクリレートを７０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２５質量部、メタクリル酸を５質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量３０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１３＞
２−エチルヘキシルアクリレートを８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量９０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が８０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１４＞
ブチルアクリレートを７０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２８質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量３０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを１００質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例１５＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量９０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを１０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が７０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１５に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１８質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量８５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例２＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７２質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１５質量部、メタクリル酸エチル１２質量部、メタクリル酸を１質量部として酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、分子量２０００の４官能アクリレート系オリゴマー（新中村化学製）を８０質量部添加し、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が１６０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例３＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量７８万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを２０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２５０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例４＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７６質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２２質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量４５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを１５質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が１００μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例５＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７２質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２６質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた質量平均分子量７０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを１０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを１質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２００μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例５に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

上記のようにして作製した各実施例および各比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープのタック力、粘着力および接触角を以下のようにして測定した。
得られた値を下記表１〜３にまとめて示す。

（タック力およびタック力の変化率の測定）
タック力は、応力緩和測定装置の「タック試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）」により、以下のようにして常温（２５℃）で測定した。
上記のようにして作製した各実施例および各比較例の放射線照射前の粘着テープから、幅２５ｍｍ×長さ２５０ｍｍの試験片を採取し、この試験片を試験機に設置し、圧子をこの試験片に接触させ、試験片の基材背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１ｓｅｃ保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重（タック力Ｔα）を測定した。一方、上記各実施例および各比較例を酸素雰囲気下で紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量で照射して硬化させた粘着テープと、空気中で紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量で照射して硬化させた粘着テープを各々作製し、放射線照射前の粘着テープと同様にして、空気中のタック力〔Ｔβ（空気）〕および窒素雰囲気下でのタック力〔Ｔβ（Ｎ_２）〕を測定した。なお、タック力の単位はｋＰａである。得られた各タック力の値を用いて、下記式（１）により、タック力の変化率を求めた。

（ＳＵＳ♯２８０の粘着力および粘着力の低下率の測定）
上記のようにして作製した各実施例および各比較例の放射線照射前の粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片を３点採取し、その試料をＪＩＳＲ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳＧ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳＢ７７２１に適合する引張試験機を用いて粘着力を、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温（２５℃）で測定した。
また、放射線照射後の粘着力は、放射線硬化型粘着剤層を有する粘着テープを圧着し１時間経過した状態で粘着テープの基材フィルム面より５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して硬化させた後に上記と同様にして測定する。また、得られた各粘着力の値から、放射線照射前後の粘着力の低下率〔（照射前の粘着力−照射後の粘着力）／照射前の粘着力〕×１００を求めた。

（粘着剤層の表面の純水の接触角φの測定）
上記のようにして作製した各実施例および各比較例の粘着剤層の表面での純水の接触角φは、接触角計を用いてθ／２法で、温度２３℃、湿度５０％の条件で測定し、純水２μＬの液滴容量で、滴下３０秒後に読み取った。測定装置は協和化学（株）製ＦＡＣＥ接触角計ＣＡ−Ｓ１５０型を用いた。単位は度（°）である。

上記のようにして作製した各実施例および各比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープに対して、以下の試験を行い、その性能を評価した。
得られた評価結果を下記表１〜３にまとめて示す。

１．研削性試験
貼り付け機として日東精機株式会社製ＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、厚さが７２５μｍの８インチ径のボールバンプで高さ１５０μｍ、ボールバンプトップから隣接するトップまでの距離（ピッチ幅）２００μｍの半導体バンプウェハに実施例および比較例で作製した半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合した。その後、各々２５枚のウェハをいずれも、インライン機構を持つグラインダー〔株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）〕を使用して厚さ２００μｍまで研磨を行った。また、半導体ウェハの強度向上のため、ドライポリッシュにて最終仕上げを行った。

（研削性評価）
上記方法で研削した各半導体バンプウェハを、目視にてエッジクラックの有無および割れを観察した。
エッジクラックがほとんどなく、２５枚全ての半導体ウェハで良好に研削できたものを優良品として◎、エッジクラックが若干見られるものの半導体ウェハに割れはなく研削できたもの、または２５枚の半導体ウェハ中に割れが１枚〜２枚であったものを良品として○、半導体ウェハが３枚以上割れたものを不良品として×で示した。

（ダスト浸入評価）
上記方法にて研削実験で２００μｍ厚まで研削した半導体バンプウェハを用いて顕微鏡にてダスト浸入評価を行った。
以下のランクで評価した。
２５枚全ての半導体ウェハでスクライブラインにダストまたは研削水が浸入しなかったもの：◎
２５枚の半導体ウェハ中にスクライブラインにダストまたは研削水が１枚〜２枚しか浸入しなかったもの：○
２５枚の半導体ウェハ中３枚以上がスクライブラインにダストまたは研削水が浸入したもの：×

２．剥離試験
（剥離性評価）
上記方法にて研削実験で２００μｍ厚まで研削した半導体バンプウェハを、インライン機構を持つマウンターＲＡＤ２７００にて剥離実験を行った。剥離の際、紫外線硬化型粘着剤を適用した表面保護テープは、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線照射を行った後、剥離を行い、以下のランクで評価した。
そのまま２５枚全て剥離可能であったもの：◎
２５枚の半導体ウェハ中に剥離エラーや剥離できなかったもの、半導体バンプウェハにダメージが生じたものが１〜２枚しかなかったもの：○
２５枚の半導体ウェハ中３枚以上剥離エラーや剥離できなかったもの、半導体バンプウェハにダメージが生じたもの：×

（糊残り評価）
剥離実験にて剥離を行った半導体バンプウェハ表面の観察を行い、糊残りの有無を以下のランクで評価した。
２５枚全ての半導体ウェハで糊残りなし：◎
２５枚全ての半導体ウェハで糊残りが１枚〜２枚であったもの：○
２５枚全ての半導体ウェハで糊残り３が枚以上であったもの：×

表１〜３に示すように、実施例１〜１５は、厚みがバンプ表面高さよりも薄く、空気中または窒素雰囲気下において放射線照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で、照射前後のタック力の変化率が３０％以上であるため、研削性、糊残り、ダスト等の浸入、剥離性の全てにおいて、良好な結果であった。特に実施例１〜８は、放射線照射前後での粘着力の低下率が３０％以上であって、該粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後が０．０５Ｎ／２５ｍｍ
〜１．８Ｎ／２５ｍｍであり、粘着剤層面の純水の接触角が７０°以上であるため、研削性、糊残り、ダスト等の浸入、剥離性のすべてにおいて、特に優れる結果であった。

一方、比較例１、４および５は、いずれもタック変化率が３０％未満であるため、糊残りの悪い結果となった。これに加え、比較例５では、粘着層厚みがバンプ表面高さ１５０μｍより厚いため、糊残りと剥離の悪い結果となった。
比較例２および３は、いずれも粘着層厚みがバンプ表面高さ１５０μｍより厚いため、糊残りと剥離の悪い結果となった。

Claims

半導体ウェハの裏面を研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に粘着剤層を有し、
前記粘着剤層が、放射線硬化型粘着剤層であり、厚みが、前記半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層であって、空気中または窒素雰囲気下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射前後で、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
式（１）
［Ｔα − Ｔβ（空気）］ ÷ ［Ｔα − Ｔβ（Ｎ_２）］×１００
（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
前記粘着剤層の照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２でのステンレス鋼に対する放射線照射前の粘着力の低下率が５０％以上であって、該粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後が０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
前記粘着剤層面の放射線硬化前における純水の接触角が７０°以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
前記粘着剤層の厚みがバンプ高さより薄いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
前記表面保護用粘着テープに前記半導体ウェハの表面凹凸よりも薄い粘着剤層の表面保護用粘着テープを使用し、
前記表面保護用粘着テープの前記粘着剤層が、放射線硬化型粘着剤層であり、該粘着剤層とウェハ表面のボトム部（凹部）との、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
式（１）
［Ｔα − Ｔβ（空気）］ ÷ ［Ｔα − Ｔβ（Ｎ_２）］×１００
（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は空気中での照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ_２）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２で放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
前記粘着剤層の照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２でのステンレス鋼に対する放射線照射前の粘着力の低下率が５０％以上であって、該粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前が２．０Ｎ／２５ｍｍ〜１２．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後が０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜１．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハの製造方法。
前記粘着剤層面の放射線硬化前における純水の接触角が７０°以上であることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体ウェハの製造方法。
前記粘着剤層の厚みが半導体ウェハ表面のバンプ高さより薄いことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体ウェハの製造方法。