CN101019206A - Ic芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。

Description

IC芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。
背景技术
半导体集成电路(IC芯片)通常是通过如下所述的过程制造的，即：在对棒状的高纯度半导体单晶体进行切片成为晶片之后，利用光致抗蚀剂在晶片表面形成规定的电路图案，接着，利用磨削机磨削晶片背面，晶片的厚度可薄达100～600μm左右，最后切割成小片(dicing)而芯片化。
在这样的IC芯片的制造方法中，特别是在晶片的磨削时或切割成小片时容易损坏晶片，所以在进行上述磨削时，借助双面粘合带在晶片表面贴附支撑板；另外在切割成小片时，在晶片背面侧贴附切割胶带。由此防止晶片的损坏。但是，如此贴附双面粘合带或切割胶带再剥离的工序比较繁杂，在IC芯片的生产率方面成问题。
近年来，随着IC芯片的用途变得广泛，还要求可以用于IC卡类或者层叠使用的厚50μm左右的薄IC芯片。但是，这样薄的半导体晶片与以往的厚100～600μm左右的晶片相比，翘曲大，受冲击时容易出现裂缝，所以可操作性差，如果用与以往的厚度的半导体晶片相同的方法进行加工，有时会破损。因此，提高从厚度为50μm左右的薄半导体晶片制造IC芯片的过程中的晶片的可操作性成为重要的课题。
与此相对，专利文献1中公开有借助具有粘合剂层的双面粘合带，将晶片固定于支撑板上，在该状态下进行晶片的磨削等工序的IC芯片的制造方法，所述的粘合剂层在一面或双面含有因刺激而产生气体的气体产生剂和因刺激引起交联的交联成分。通过固定于支撑板上，即使将晶片磨削到厚50μm左右的薄度，晶片也不会破损。进而，在该IC芯片的制造方法中，在向双面粘合带给予使交联成分发生交联的刺激之后，通过给予使气体产生的刺激，可以容易地且无破损地从晶片剥离双面粘合带。这是因为，通过使交联成分交联，在弹性模量上升的粘合剂层中，从气体产生剂产生气体，产生的气体从粘合剂层释放出来，使晶片与双面粘合带的粘接面的至少一部分剥离，从而使粘接力降低。
利用专利文献1所公开的方法，可以有效地制造厚50μm左右的薄IC芯片。
但是，近年来，又开始要求厚度为50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片。为了利用专利文献1所公开的方法制造这样的极薄IC芯片，必须能够在不使被磨削至25～30μm左右的晶片损坏的情况下从双面粘合带将其剥离并回收。但是，在25～30μm左右的极薄晶片中，很难在单纯粘接力降低的程度下剥离晶片时不损坏晶片，如果仅给予刺激，则晶片完全地从双面粘合带剥离，剥离下来的晶片如果不能正巧成为浮起到双面粘合带上那样的状态(以下也称为自身剥离)，则不会在剥离时不发生严重的损坏。这样的自身剥离尽管能根据条件确认是充分剥离，但现实中用于经常确实可靠地产生自身剥离的条件是不明确的，提高厚度为250μm左右的IC芯片的生产率正在成为课题。
专利文献1：特开2003-231872号公报
发明内容
本发明正是鉴于上述现状而提出的发明，其目的在于，提供一种能够以高生产率制造厚度为50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。
本发明提供一种IC芯片的制造方法，该IC芯片制造方法至少具有：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序1；在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序2；向所述双面粘合带照射光的工序3；以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序4；在工序3中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。
以下对本发明进行详细描述。
本发明人等进行了潜心研究，结果发现，在借助具有含有在光照射下产生气体的气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带，将晶片固定于支撑板的情况下，为了使剥离晶片时经常确实可靠地发生自身剥离，从双面粘合带中释放气体的速度极为重要。更进一步进行了潜心研究，结果发现，通过控制气体产生剂的种类或含量、剥离时的粘合剂层的凝胶分数或弹性模量、剥离时的紫外线照射量等各条件，可以控制从双面粘合带中释放气体的速度，通过结合这些各条件来实现一定的气体释放速度，可以经常确实确实可靠地产生自身剥离，可以以高生产率制造厚度为50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片，以至完成了本发明。
本发明的IC芯片的制造方法具有：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将晶片固定于支撑板上的工序(1)。
通过固定在上述支撑板上，可以提高晶片的可操作性，即便是厚度为50μm以下的极薄晶片的晶片，也可以防止晶片的损坏等，能良好地进行IC芯片的加工。
此时的晶片是：对单晶硅或砷化镓单晶体等进行切片成为半导体晶片，在晶片的表面形成规定的电路图案的晶片，是厚度为500μm～1mm左右的晶片。在将该晶片固定于支撑板上时，使晶片的形成有电路的面与双面粘合带贴合。
作为上述支撑板，没有特别限定，为了使光透过或通过而优选为透明的支撑板。作为这种支撑板，例如可以举出丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等树脂构成的板状体等。
上述支撑板的厚度的优选下限为500μm，优选的上限为3mm，更优选的下限为1mm，更优选的上限为2mm。另外，上述支撑板的厚度偏差优选为1％以下。
上述双面粘合带在至少一面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂。通过含有这样的气体产生剂，当向上述双面粘合带照射光时，从气体产生剂产生气体，可以通过剥离粘接面而实现自身剥离。
上述粘合带可以为在基材的两面上形成了粘合剂层的支持带(supporttape)，也可以为没有基材的非支持带。
作为上述基材，没有特别限定，优选为透过或通过光的基材，例如可以举出由丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等透明树脂构成的薄片，具有网状结构的薄片、开孔的薄片等。
作为用于使上述气体产生剂产生气体的光，例如可以举出紫外线或可见光线等。含有上述气体产生剂的粘合剂层，优选为光可以透过或通过的粘合剂层。
作为上述在光照射下产生气体的气体产生剂，没有特别限定，例如可以举出偶氮化合物、叠氮化物、亚硝基化合物、肼衍生物、碳酸氢盐等。
作为上述偶氮化合物，例如可以举出2，2’-偶氮双(N-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮双(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双{2-甲基-N-[1，1-双(羟基甲基)-2-羟基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮双{2-甲基-N-[2-(1羟基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮双[2-甲基-N-(2-羟基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮双[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]焦硫酸盐二水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟基乙基)-2-咪唑啉2-基]丙烷}二氢氯化物、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双(2-甲基丙脒)氢氯化物、2，2’-偶氮双(2-氨基丙烷)二氢氯化物、2，2’-偶氮双[N-(2-羧基酰基)-2-甲基-丙脒]、2，2’-偶氮双{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮双(2-甲基丙偕胺肟)、二甲基2，2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)、二甲基2，2’-偶氮二异丁酸酯、4，4’-偶氮双(4-氰基甲酸)、4，4’-偶氮双(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮双(2，4，4-三甲基戊烷)等。
这些偶氮化合物主要通过照射波长350～450nm的光产生氮气。
上述偶氮化合物优选10小时半衰期温度为80℃以上。如果10小时半衰期温度不到80℃，则通过铸造在基材上形成粘合剂层并干燥时会产生气泡，或者会随着时间的推移发生分解反应，从而有分解残渣渗出，或者随着时间的推移产生气体，从而在与贴合的被粘物之间的界面产生浮起。只要10小时半衰期温度为80℃以上，耐热性就会出色，所以在高温下使用和稳定的储存成为可能。
作为10小时半衰期温度为80℃以上的偶氮化合物，可以举出用下述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物等。用下述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物，除了耐热性出色之外，在后述的丙烯酸烷基酯聚合物等具有粘合性的聚合物中的溶解性也出色，所以可以在粘合剂层中不以粒子形态存在。
[化1]
Figure A20048004361500081
在式(1)中，R1和R2分别表示低级烷基，R3表示碳原子数为2以上的饱和烷基。此外，R1和R2可以相同或不同。
作为用上述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物，例如可以举出2，2’-偶氮双(N-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2，-偶氮双[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮双(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮双(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’一偶氮双{2-甲基-N-[1，1-双(羟基甲基)-2-羟基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮双{2-甲基-N-[2-(1-羟基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮双[2-甲基-N-(2-羟基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮双[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]等。其中，2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)和2，2’-偶氮双[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]，由于在溶剂中的溶解性特别出色，所以优选使用。
作为上述叠氮化物，没有特别限定，例如可以举出3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷、对苯二叠氮、对-tert-丁基苯酰迭氮；通过对3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷进行开环聚合而得到的缩水甘油基叠氮聚合物等具有叠氮基的聚合物等。这些叠氮化物主要通过照射波长350～450nm的光产生氮气。
作为上述亚硝基化合物，例如可以举出N，N’-二亚硝基五亚甲基四胺(DPT)等。这些亚硝基化合物通过照射光而产生氮气等。
作为上述肼衍生物，没有特别限定，例如可以举出4，4’-氧双(苯磺酰基酰肼(OBSH)、亚肼基二甲酰胺(HDCA)等。这些肼衍生物通过照射光而产生氮气或氨气。
作为上述碳酸氢盐没有特别限定，例如可以举出碳酸氢钠等。这些碳酸氢盐通过照射光而产生二氧化碳气等。
在这些气体产生剂中，问题是上述叠氮化物给予冲击就容易分解而释放出氮气，所以操作困难。进而，由于上述叠氮化物一旦开始分解则会发生连锁反应，爆发式释放出氮气，不能控制该释放，所以存在爆发式产生的氮气导致被粘物损坏的问题。考虑到这样的问题，应限定上述叠氮化物的使用量，但被限定的使用量会不能得到充分的效果。
另一方面，上述偶氮化合物与叠氮化物不同，受到冲击时不会产生气体，所以极容易操作。另外，也不会发生连锁反应而爆发式产生气体，所以不会损坏被粘物，在中断紫外线的照射时，也可以中断气体的产生，所以根据用途控制粘合性成为可能。因而，作为上述气体产生剂，更优选使用偶氮化合物。
上述气体产生剂优选溶解于上述粘合剂层中。通过使上述气体产生剂溶解于粘合剂层中，可以有效地将照射光时从气体产生剂产生的气体释放到粘合剂层之外。如果气体产生剂以粒子形态存在于上述粘合剂层中，则局部产生的气体会使粘合剂层发泡，从而气体会难以释放到粘合剂层外。进而，在作为使气体产生的刺激而照射光时，在粒子的界面光发生散射，气体产生效率降低，或者粘合剂层的表面平滑性变差。此外，利用电子显微镜观察粘合剂层时，看不到气体产生剂的粒子，由此来确认上述气体产生剂已溶解于粘合剂层中。
为了使上述气体产生剂溶解于粘合剂层中，可以选择溶解于构成上述粘合剂层的粘合剂的气体产生剂。此外，当选择不溶解于粘合剂的气体产生剂时，例如优选通过使用分散机或并用分散剂，来尽可能地使气体产生剂微分散于粘合剂层中。为了使气体产生剂微分散于粘合剂层中，气体产生剂优选为微小的粒子，进而这些微粒例如优选使用分散机或混炼装置等，根据需要使其成为更细小的微粒。即，更优选使其分散为利用电子显微镜观察上述粘合剂层时也不能确认气体产生剂的状态。
在后述的工序3中，为了使从上述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分以上，上述气体产生剂的选择和粘合剂层中的气体产生剂的含量极为重要。作为气体产生剂的含量，根据气体产生剂的种类适当选择即可，例如在使用偶氮化合物作为气体产生剂的情况下，优选相对于粘合剂100重量份为5～50重量份。在不到5重量份时，则不能得到充分的气体释放速度，会不能实现自身剥离，如果超过50重量份，则溶解性恶化，发生漏出(bleed)等不良情况。更优选为15～30重量份。
构成含有上述气体产生剂的面的粘合剂，优选为在刺激作用下粘接力降低的刺激固化型粘合剂。
经这样的刺激而粘接力降低的刺激固化型粘合剂，在光的照射或加热等刺激下，整个粘合剂层会均一且快速地聚合交联而一体化，所以聚合固化引起的弹性模量的上升变得显著，粘接力大大降低。进而，如果在硬的固化物中从气体产生剂产生气体，产生的气体的大半部分被释放到外部，可以提高从上述双面粘合带中释放气体的速度，实现自身剥离。
使刺激固化型粘合剂的粘接力降低的刺激，可以为光照射，也可以为热、超声波等其它刺激。
作为这样的刺激固化型粘合剂，例如可以举出由下述粘合剂构成的物质，即，以在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能单体为主要成分，且根据需要含有光聚合引发剂的光固化型粘合剂；或以在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能单体为主要成分，且含有热聚合引发剂的热固化型粘合剂等。
就上述聚合性聚合物而言，例如可以通过预先合成分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下称为含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物)，使其与分子内具有与上述官能团反应的官能团和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下称为含官能团不饱和化合物)发生反应，从而得到。
上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物，作为常温下具有粘合性的聚合物，与通常的(甲基)丙烯酸系聚合物的情况相同，可以利用常规方法，以烷基的碳原子数在2～18的范围内的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯为主要单体，使其和含官能团单体、进而根据需要使得和可以与它们共聚的其它改性用单体发生共聚，从而得到。上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。
作为上述含官能团单体，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体；丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯等含羟基单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基单体；丙烯酸异氰酸乙酯、甲基丙烯酸异氰酸乙酯等含异氰酸酯基单体；丙烯酸氨乙酯、甲基丙烯酸氨乙酯等含氨基单体等。
作为上述可以共聚合的其它改性用单体，例如可以举出醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常被用于(甲基)丙烯酸系聚合物的各种单体。
作为与上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物发生反应的含官能团不饱和化合物，可以根据上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团，使用与上述含官能团单体相同的化合物。例如，在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基的情况下，使用含环氧基单体或含异氰酸酯基单体；在该官能团为羟基的情况下，使用含异氰酸酯基单体；在该官能团为环氧基的情况下，使用含羧基单体或丙烯酰胺等含酰胺基单体；在该官能团为氨基的情况下，使用含环氧基单体。
上述多官能低聚物或多官能单体的每1分子的官能团数优选为5以上。如果不到5，则粘合剂的固化(交联)不够充分，粘接力的降低会不够充分。另外，作为上述多官能低聚物或多官能单体，分子量优选为1万以下，为了更有效地进行加热或光照射引起的粘合剂层的三维网状化，其分子量更优选为5000以下，而且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数量为2～20个。
作为这样的多官能低聚物或多官能单体，例如可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或与上述相同的甲基丙烯酸酯类等。此外，还可以举出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚物状的酯丙烯酸酯、环氧基丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、与上述相同的甲基丙烯酸酯类等。这些多官能低聚物或多官能单体可以单独使用，还可以并用2种以上。
作为构成含有上述气体产生剂的面的粘合剂，在使用上述光固化型粘合剂或热固化型粘合剂时，在后述的工序3中，为了使从上述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上，上述多官能低聚物或多官能单体的配合量变得很重要。即，在后述的工序3中，为了实现规定以上的气体产生速度，优选在产生气体时充分地推进粘合剂层的固化，成为一定以上的凝胶分数或规定以上的弹性模量。
就在上述粘合剂中的上述多官能低聚物或多官能单体的含量而言，优选相对于丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物100重量份为10～100重量份。如果不到10重量份，在气体产生时粘合剂层不能充分固化，不能得到充分的气体释放速度，从而会不能实现自身剥离，如果超过100重量份，配制成的粘合剂层不具有充分的凝聚力，或者多官能低聚物或多官能单体会从粘合剂层渗出。更优选为20～40重量份。
作为上述光聚合引发剂，例如可以举出通过照射250～800nm波长的光而使其活化的光聚合引发剂。作为这样的光聚合引发剂，例如可以举出甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物；苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物；氧化膦衍生物；双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以并用2种以上。
作为上述热聚合引发剂，可以举出经热分解从而产生引发聚合固化的活性自由基的引发剂。具体而言，例如可以举出过氧化二异丙苯、过氧化二叔丁基、过安息香酸叔丁酯、叔丁基过氧化氢、过氧化苯甲酰、氢过氧化枯烯、氢过氧化二异丙基苯、对萜烷(menthane)过氧化氢、过氧化二叔丁基等。其中，由于热分解温度高，所以优选氢过氧化枯烯、对萜烷过氧化氢、过氧化二叔丁基等。这些热聚合引发剂中，作为市售品，没有特别限定，例如优选パ一ブチルD、パ一ブチルH、パ一ブチルP、パ一ブチルH(以上均为日本油脂制)等。这些热聚合引发剂可以单独使用，还可以并用2种以上。
在上述后固化型粘合剂中，除了以上成分之外，为了调节作为粘合剂的凝聚力，根据需要，也可以适当配合异氰酸酯化合物、蜜胺化合物、环氧化合物等通常在粘合剂中配合的各种多官能性化合物。另外，也可以添加增塑剂、树脂、界面活性剂、石蜡、微粒填充剂等公知的添加剂。
在工序1中，使上述双面粘合带的含有气体产生剂的面与晶片贴合。此时，为了以更好的平面性充分贴合，优选使用真空层叠机等在真空状态下进行贴合。
在工序1中，通过将晶片固定于支撑板上，可以加固50μm以下的极薄晶片，不会在搬送或加工晶片时出现缺损或裂纹，另外，在制造IC芯片的一系列工序结束时，能够容易地通过照射光将双面粘合带从IC芯片上剥离下来。
本发明的IC芯片制造方法具有：在借助双面粘合带将芯片固定于支撑板上的状态下磨削芯片的工序2。通过固定于支撑板上，可以防止磨削工序中的晶片破损，另外，还可以平滑地磨削晶片。
本发明的IC芯片制造方法具有：向上述双面粘合带照射光的工序3。通过照射光，从双面粘合带的与晶片接触的面的粘合层中的气体产生剂产生气体，使双面粘合带与晶片之间的粘合力降低，可以使其发生自身剥离。
作为光照射的方法，没有特别限定，但在使用透明的支撑板的情况下，只要从支撑板侧向双面粘合带的表面照射光即可。另外，作为照射装置，没有特别限定，扫描式照射装置由于难以进行均一照射而发生部分剥离，结果晶片会发生裂开，所以如果可能，优选用可以均匀地向照射面照射光的照射装置进行照射。
此时的光照射量也会大大影响从上述双面粘合带释放气体的速度。在本发明中，作为向上述双面粘合带照射的光的照射量，可以根据上述气体产生剂的种类或含量、支撑体的厚度等适当决定，但优选照射20～1000mW/cm2的强度的光，使累计光量成为2000～6000mJ/cm2。
如果光的强度不到20mW/cm2，则不能得到足够的气体释放速度，从而不能实现自身剥离，如果超过1000mW/cm2，则产生的气体引起的压力过高，IC芯片会破损。
如果累计光量不到2000mJ/cm2，则不能得到足够的气体释放量，从而不能实现自身剥离，如果超过6000mJ/cm2，则可能损害IC芯片。
更优选照射30～200mW/cm2的强度的光，使累计光量成为2000～5000mJ/cm2的能量。
本发明的IC芯片的制造方法，在工序3中照射全照射量的1/3的光的时刻，与晶片接触的面的粘合层的凝胶分数(gel fraction)优选为90％以上。如果不到90％，则开始产生气体时的粘合层的硬度不够，产生的气体势力被软的粘合层吸收或粘合层发泡，会难以发生自身剥离。此外，在本说明书中，全照射量是指直到发生自身剥离、晶片浮起时所照射的累计光量。
本发明的IC芯片的制造方法，在工序3中照射全照射量的1/3的光的时刻，优选与晶片接触的面的粘合层的弹性模量为5×104Pa以上。如果不到5×104Pa，则开始产生气体时的粘合层的硬度不够，产生的气体势力被软的粘合层吸收，会难以发生自身剥离。
本发明的IC芯片的制造方法，在工序3中的从双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。如果不到5μL/cm2·分钟，则双面粘合带的粘合剂层不能完全从晶片剥离，粘接部分呈岛状残留，不能实现自身剥离。如上所述，这样的气体释放速度可以通过如上所述调整气体产生剂的种类或含量、剥离时粘合剂层的凝胶分数或弹性模量、剥离时紫外线照射量等各条件而得到。
此外，在本说明书中，如图1所示，气体释放速度是通过如下所述的过程算出的，即：制作用玻璃密封照射面的密封舱，用橡胶管使舱的出口与带刻度吸管连接，进而用橡胶管将带刻度吸管的另一个出口与漏斗连接，放入适量水，垂直立起带刻度吸管，打开三通阀，调整漏斗的位置，从而将水面的位置调整至0，关闭三通阀，在常压下照射光，捕集产生的气体，每10秒钟求得的气体累计产生量，再用照射的薄片的表面积去除该累计产生量。
本发明的IC芯片的制造方法，具有从晶片剥离上述双面粘合带的工序4。通过在工序3中照射光，上述双面粘合带和晶片发生自身剥离，所以即便是厚度为50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片，也可以容易地剥离而无破损。
此外，在通常的工序中，在磨削工序结束之后且在照射光使其产生气体而剥离晶片之前，在已磨削的晶片上贴附切割胶带，然后剥离晶片，切成小片。其中，在这些工序中，可以根据需要适当省略或改变顺序。
通过本发明，可以提供一种能以极高生产率制造厚度为50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。
附图说明
图1是表示由于测定气体释放速度的装置的图。
图中：1—双面粘合带，2—密封舱，3—带刻度吸管，4—三通阀，5—橡胶管，6—橡胶管，7—漏斗。
具体实施方式
以下，举出实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明不被这些实施例所限定。
(实验例1)
<粘合剂的配制>
将下述化合物溶解于醋酸乙酯，照射紫外线，进行聚合，得到重均分子量为70万的丙烯酸共聚物。
相对于得到的含有丙烯酸共聚物的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入2-异氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份，使其反应，进而相对于反应后的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合聚氨酯丙烯酸酯(10官能)(新中村化学工业公司制，NK Oligo U324A)30重量份、聚异氰酸酯0.5重量份、光聚合引发剂(Irgacure 651)0.1重量份，配制粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液。
丙烯酸丁酯          79重量份
丙烯酸乙酯          15重量份
丙烯酸              1重量份
丙烯酸2-羟基乙酯    5重量份
光聚合引发剂        0.2重量份
(Irgacure651，50％醋酸乙酯溶液)
十二烷硫醇          0.01重量份
相对于粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)10重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(2)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(2)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(2)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
接着，使设有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(2)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(2)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。
<粘合剂层的固化性评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(2)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600mJ/cm2。
照射后，使用抹刀(spatula)，从双面粘合带的基材刮掉粘合剂(2)层，采取全量，作为样品，测定其重量(W1)。接着，将采取的样品浸渍于醋酸乙酯中，振荡12小时。然后，用孔大小为50μm的金属筛过滤，在干燥炉中加热干燥，然后测定醋酸乙酯不溶成分的重量(W2)。根据W1、W2，利用下述式算出凝胶分数。
[数1]
Figure A20048004361500171
另一方面，对于照射后的粘合剂(2)层，使用粘弹性测定装置(IT测量控制公司制，DAV-200)，在频率10Hz、变形0.5％的条件下，测定剪断的储存弹性模量。
<气体释放速度的测定>
制作图1所示的测定装置。测定装置具有如下所述的结构，即：使用橡胶管5，将垂直立起的带刻度吸管3与用玻璃密封照射面的密封舱2的出口连接，进而再使用橡胶管6将漏斗7与带刻度吸管3的另一个出口连接。在橡胶管5上安装有三通阀4。
将双面粘合带1设置在密封舱2内，使粘合剂(2)层在上，从漏斗7向带刻度吸管3内放入适量水，通过调整三通阀4与漏斗7的高度，使水面的位置在带刻度吸管3的0点。
关闭三通阀4，在常压下，向双面粘合带1照射365nm的紫外线480秒，并调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为10mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，通过除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
在下述两种情况下进行相同的试验，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(2)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1)层上。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度约为50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线480秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为10mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述两种情况下同样进行，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接的部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
(实验例2)
<粘合剂的配制>
相对于在实验例1中配制的粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(3)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，在40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(3)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(3)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
接着，使设有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(3)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(3)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。
<粘合剂层的固化性评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(3)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600mJ/cm2。照射后，利用与实验例1相同的方法，测定粘合剂(3)层的凝胶分数和弹性模量。
<气体释放速度的测定>
使用与实验例1相同的装置，调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为10mW/cm2，向双面粘合带照射480秒(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
在下述两种情况下进行相同的试验，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(3)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1)层。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度成为约50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线480秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为10mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述两种情况下同样进行，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
(实验例3)
<粘合剂的配制>
相对于在实验例1中配制的粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)50重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(4)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(4)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(4)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
接着，使设有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(4)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(4)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。
<粘合剂层的固化性评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(4)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600mJ/cm2。照射后，利用与实验例1相同的方法，测定粘合剂(4)层的凝胶分数和弹性模量。
<气体释放速度的测定>
使用与实验例1相同的装置，向双面粘合带照射365nm的紫外线480秒并调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为10mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
在下述两种情况下进行相同的试验，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(4)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1)层。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度成为约50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线480秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为10mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述两种情况下同样进行，即，从玻璃板侧使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况；以及照射48秒并调节照度使其为100mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)的情况。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
(实验例4)
<粘合剂的配制>
将下述化合物溶解于醋酸乙酯，照射紫外线，进行聚合，得到重均分子量为70万的丙烯酸共聚物。
相对于得到的含有丙烯酸共聚物的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入2-异氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份，使其反应，进而相对于反应后的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合聚异氰酸酯0.5重量份、光聚合引发剂(Irgacure 651)0.1重量份，配制粘合剂(1’)的醋酸乙酯溶液。
丙烯酸丁酯            79重量份
丙烯酸乙酯            15重量份
丙烯酸                1重量份
丙烯酸2-羟基乙酯      5重量份
光聚合引发剂          0.2重量份
(Irgacure 651，50％醋酸乙酯溶液)
十二烷硫醇            0.01重量份
相对于粘合剂(1’)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(3’)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1’)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1’)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(3’)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(3’)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
接着，使设有粘合剂(1’)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1’)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(3’)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(3’)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。
<粘合剂层的固化性评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(3’)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600mJ/cm2。照射后，利用与实验例1相同的方法，测定粘合剂(3’)层的凝胶分数和弹性模量。
<气体释放速度的测定>
使用与实验例1相同的装置，向双面粘合带照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(3’)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1’)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1’)层。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度成为约50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
(实验例5)
<粘合剂的配制>
相对于在实验例1中配制的粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶5重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(5-1)。另外，除了使1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶的配合量为10重量份以外，同样配制粘合剂(5-2)，以及除了使1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶的配合量为30重量份以外，相同地配制粘合剂(5-3)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(5-1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(5-1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。同样地调制涂敷有粘合剂(5-2)层和(5-3)层的PET薄膜。
接着，使设有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(5-1)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(5-1)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。使用涂敷有粘合剂(5-2)层以及(5-3)层的PET薄膜进行相同的操作，得到双面粘合带。
以上得到共计3种双面粘合带。下面对3种双面粘合带进行以下评价。此外，只要没有特别事先说明，下面，粘合剂(5)是指粘合剂(5-1)层、粘合剂(5-2)层以及粘合剂(5-3)层。
<粘合剂层的固化性评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(5)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600 mJ/cm2。照射后，利用与实验例1相同的方法，测定粘合剂(5)层的凝胶分数和弹性模量。
<气体释放速度的测定>
使用与实验例1相同的装置，向双面粘合带照射365nm的紫外线24秒并调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为200mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(5)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1)层。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度成为约50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线24秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为200mW/cm2，(累计光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
(实验例6)
<粘合剂的配制>
相对于在实验例1中配制的粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合缩水甘油基叠氮聚合物1重量份、2，4-二乙基噻吨酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚异氰酸酯0.5重量份，配制含有气体产生剂的粘合剂(6-1)。另外，除了缩水甘油基叠氮聚合物的配合量为3重量份以外，相同地配制粘合剂(6-2)，以及除了缩水甘油基叠氮聚合物的配合量为5重量份以外，相同地配制粘合剂(6-3)。
<双面粘合带的制作>
使用刮刀，在双面已实施电晕处理的厚100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合剂(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约30μm，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥。接着，在粘合剂(1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。
使用刮刀，在表面已实施脱模处理的PET薄膜上，涂敷粘合剂(5-1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成为约50μm，在110℃下加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合剂层在干燥状态下显示粘合性。接着，在粘合剂(6-1)层的表面上贴附已实施脱模处理的PET薄膜。然后，40℃下静置3天进行熟化。同样地调制涂敷有粘合剂(6-2)层和(6-3)层的PET薄膜。
接着，使设有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的PET薄膜的没有粘合剂(1)层的已实施电晕处理的面、与设有粘合剂(6-1)层的已实施脱模处理的PET薄膜的粘合剂(6-1)层的面贴合。这样在双面设置粘合剂层，得到其表面被已实施脱模处理的PET薄膜保护的双面粘合带。双面粘合带的粘合剂层均为透明的。使用涂敷有粘合剂(6-2)层以及(6-3)层的PET薄膜进行相同的操作，得到双面粘合带。
以上得到共计3种双面粘合带。下面对3种双面粘合带进行以下评价。此外，只要没有特别事先说明，下面，粘合剂(6)是指粘合剂(6-1)层、粘合剂(6-2)层以及粘合剂(6-3)层。
<粘合剂层的固化性的评价>
向得到的双面粘合带的粘合剂(6)层照射365nm的紫外线，使累计光量成为1600mJ/cm2。照射后，利用与实验例1相同的方法，测定粘合剂(6)层的凝胶分数和弹性模量。
<气体释放速度的测定>
使用与实验例1相同的装置，向双面粘合带照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向表面的照度成为40mW/cm2(累计光量4800mJ/cm2)。捕集此时产生的气体，求得每10秒的气体累计产生量，除以被照射的薄片的表面积，来算出气体释放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与玻璃板之间的贴合)
剥离保护双面粘合带的粘合剂(6)层的PET薄膜，使用层叠机，贴附在直径20cm、厚约700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切断双面粘合带。接着，剥离保护粘合剂(1)层的PET薄膜，在真空状态下，将直径20.4cm的玻璃板贴附于粘合剂(1)层。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)
将用玻璃板加固的硅晶片安装到磨削装置，磨削至硅晶片的厚度成为约50μm。此时，为了使磨削的摩擦热不引起硅晶片的温度上升，边向硅晶片洒水边进行操作。从磨削装置取下硅晶片，将切割胶带贴附于硅晶片之上。
(UV照射工序)
从玻璃板侧，使用超高压汞灯，照射365nm的紫外线120秒并调节照度使365nm的紫外线向玻璃板表面的照度成为40mW/cm2，(累计光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，与双面粘合带一起从硅晶片剥离。此时，双面粘合带和硅晶片发生自身剥离的情况评价为○，未发生自身剥离且存在粘接部分的情况评价为×。将结果显示于表1。
[表1]
           气体产生剂                            粘合剂                    IC芯片的制造
 种类    含量(重量份) 多官能单体种类 多官能单体含量(重量份) 照射1/3时凝胶分数(％) 照射1/3时弹性模量(Pa) 紫外线照度(mW/cm2) 紫外线照射量(mJ/cm2) 气体释放速度(μL/cm2分钟) 自身剥离
实验例1 2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基-丙酰胺) 10 聚氨酯丙烯酸酯(10官能) 30 99.0 1×108 10 4800 1 ×
40 4 ×
100 10 ○
实验例2 30 99.0 5×107 10 2 ×
40 11 ○
100 25 ○
实验例3 50 99.0 8×106 10 6 ○
40 24 ○
100 60 ○
实验例4     30 - - 80.0 1×1O5 40 4 ×
实验例5 1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶     5 聚氨酯丙烯酸酯(10官能) 30 99.0 5×108 200 3 ×
    10 99.0 1×108 6 ○
    30 99.0 5×107 10 ○
实验例6 缩水甘油基叠氮聚合物     1 99.0 8×107 40 4 ×
    3 99.0 2×107 10 ○
    5 99.0 8×106 15 ○
产业上的可利用性
利用本发明，可以提供一种能够以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。

Claims (10)

1.一种IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：
使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，
在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下，磨削所述晶片的工序(2)，
向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及
从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)，
在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。
2.根据权利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
气体产生剂为用下述式(1)表示的偶氮酰胺化合物，
[化1]
Figure A2004800436150002C1
在式(1)中，R1和R2分别表示低级烷基，R3表示碳原子数为2以上的饱和烷基，其中，R1和R2可以相同，也可以不同。
3.根据权利要求2所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
含有气体产生剂的粘合剂层中的气体产生剂的含量相对于粘合剂100重量份为5～50重量份。
4.根据权利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
含有气体产生剂的粘合剂是在刺激下粘接力降低的刺激固化型粘合剂。
5.根据权利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
刺激固化型粘合剂以分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能单体为主要成分。
6.根据权利要求5所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
多官能低聚物或多官能单体的每1分子的官能团数为5以上。
7.根据权利要求5或6所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
刺激固化型粘合剂中，相对于分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物100重量份，含有多官能低聚物或多官能单体10～100重量份。
8.根据权利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
在工序(3)中照射全照射量的1/3的光的时刻，与晶片接触的面的粘合层的凝胶分数为90％以上。
9.根据权利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
在工序(3)中照射全照射量的1/3的光的时刻，与晶片接触的面的粘合层的弹性模量为5×104Pa以上。
10.根据权利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，
在工序(3)中，照射20～500mW/cm2的强度的光，以至积分光量达到2000～6000mJ/cm2。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102074493A (zh) * 2009-10-14 2011-05-25 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜
CN103525323A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 古河电气工业株式会社 半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法
CN104204126A (zh) * 2011-03-08 2014-12-10 乐金华奥斯有限公司 用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物
CN107068591A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 米尔鲍尔有限两合公司 一种借助辐射源松开刚性基板上电子元件的工装和方法
CN113272399A (zh) * 2019-04-26 2021-08-17 积水化学工业株式会社 粘合带

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2954777B1 (fr) * 2009-12-29 2013-03-08 Rescoll Assemblage de deux substrats colles par un polymere souple, procedes de montage et de demontage par migration de cet assemblage colle
JP6002460B2 (ja) * 2012-06-14 2016-10-05 積水化学工業株式会社 ガス発生材及びマイクロポンプ
SG11201509300PA (en) * 2013-05-31 2015-12-30 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Method of peeling electronic member and laminate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69712659T2 (de) * 1996-03-01 2002-12-05 Wako Pure Chem Ind Ltd Azoamid-Verbindungen und ihre Anwendung als Polymerisationsinitiatoren
JP3937496B2 (ja) * 1996-03-01 2007-06-27 和光純薬工業株式会社 新規なアゾアミド化合物
JP2003171645A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Sekisui Chem Co Ltd 接着性物質、接着性製品及び接続構造体
US20050173051A1 (en) * 2001-11-15 2005-08-11 Munehiro Hatai Adhesive material, method for peeling adhesive material, and pressure-sensitive adhesive tape
JP3566710B2 (ja) * 2001-11-15 2004-09-15 積水化学工業株式会社 接着性物質、接着性物質の剥離方法及び粘着テープ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102074493A (zh) * 2009-10-14 2011-05-25 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜
CN104204126A (zh) * 2011-03-08 2014-12-10 乐金华奥斯有限公司 用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物
CN104204126B (zh) * 2011-03-08 2017-04-12 株式会社Lg化学 用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物
CN103525323A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 古河电气工业株式会社 半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法
CN103525323B (zh) * 2012-07-06 2015-07-29 古河电气工业株式会社 半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法
CN107068591A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 米尔鲍尔有限两合公司 一种借助辐射源松开刚性基板上电子元件的工装和方法
CN113272399A (zh) * 2019-04-26 2021-08-17 积水化学工业株式会社 粘合带

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