KR100878971B1 - 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 ｉｃ 칩의 제조 방법 - Google Patents

양면 점착 테이프 및 이를 이용한 ｉｃ 칩의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼에 있어서도 웨이퍼의 파손 등을 방지하여 취급성을 개선하고, 양호하게 IC 칩으로의 가공을 행할 수 있으며 박리가 용이한 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 IC 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 적어도 한쪽 면에 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하는 양면 점착 테이프이다.
양면 점착 테이프, ＩＣ 칩, 기체 발생제

Description

양면 점착 테이프 및 이를 이용한 ＩＣ 칩의 제조 방법 {Pressure Sensitive Adhesive Double Coated Tape and Method For Producing ＩＣ Chip Using It}
본 발명은 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼에 있어서도 웨이퍼의 파손 등을 방지하여 취급성을 개선하고, 양호하게 IC 칩으로의 가공을 행할 수 있으며, 또한 박리가 용이한 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 IC 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC 칩)은 통상 막대 형상의 순도가 높은 반도체 단결정을 슬라이싱하여 웨이퍼로 만든 후, 포토레지스트를 이용하여 웨이퍼 표면에 소정의 회로 패턴을 형성하고, 계속해서 웨이퍼 이면을 연마기에 의해 연마하여, 웨이퍼의 두께를 100 내지 600 ㎛ 정도까지 얇게 만들고, 마지막으로 다이싱하여 칩화함으로써 제조되고 있다.
여기서, 상기 연마시에는, 웨이퍼 표면에 점착 시트류(연마용 테이프)를 접착하여 웨이퍼의 파손을 방지하거나 연마 가공을 용이하게 하고, 상기 다이싱시에는, 웨이퍼 이면측에 점착 시트류(다이싱 테이프)를 접착하여 웨이퍼를 접착 고정한 상태로 다이싱하고, 형성된 칩을 다이싱 테이프의 필름 기재측으로부터 니들로 들어 올림으로써 픽업하여, 다이 패드상에 고정시키고 있다.
최근, IC 칩의 용도가 광범위해짐에 따라서, IC 카드류에 사용하거나, 적층하여 사용할 수 있는 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 반도체 웨이퍼도 요구되어 왔다. 그러나, 두께가 50 ㎛ 정도인 반도체 웨이퍼는, 종래의 두께가 100 내지 600 ㎛ 정도인 반도체 웨이퍼에 비해 휨이 커서 충격에 의해 쉽게 균열되기 때문에 취급성이 떨어지고, 종래의 반도체 웨이퍼와 동일하게 가공하려고 하면, 파손되는 경우가 있다.
두께가 50 ㎛ 정도인 반도체 웨이퍼는 충격을 받기 쉬운 연마 공정 또는 다이싱 공정에서 파손될 위험성이 높고, 또한 IC 칩의 전극 상에 범프(bump)를 제조할 때에도 파손되기 쉽기 때문에 수율이 나쁘다. 이 때문에, 두께 50 ㎛ 정도의 얇은 반도체 웨이퍼로부터 IC 칩을 제조하는 과정에서의 웨이퍼의 취급성 향상이 중요한 과제가 되었다.
<발명의 요약>
본 발명의 목적은, 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼에 있어서도 웨이퍼의 파손 등을 방지하여 취급성을 개선하고, 양호하게 IC 칩으로의 가공을 행할 수 있으며 또한 박리가 용이한 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 IC 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 적어도 한쪽 면에 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하는 양면 점착 테이프이다.
본 발명의 양면 점착 테이프에 있어서, 상기 기체 발생제는 입자로서 존재하 지 않는 것이 바람직하고, 표면 부분에만 함유되어 있을 수도 있다. 또한, 상기 기체 발생제는 아조 화합물 또는 아지드 화합물인 것이 바람직하고, 그 중에서도 하기 화학식 1로 표시되는 아조아미드 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112004004326227-pct00001
상기 식 중, R1 및 R2는 각각 동일하거나 다른 저급 알킬기를 나타내고, R3은 탄소수 2 이상의 포화 알킬기를 나타낸다.
본 발명의 양면 점착 테이프에 있어서, 상기 기체 발생제를 함유하는 점착제는 자극에 의해 탄성률이 상승하는 것이 바람직하고, 자극에 의해 점착력이 저하하는 것이 바람직하다.
본 발명의 양면 점착 테이프는 적어도 한쪽 면은 엠보싱 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 양면 점착 테이프는 적어도 한쪽 면은 흡수 가능한 점착제일 수도 있다.
적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하는 IC 칩의 제조 방법으로서, 상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 웨이퍼와 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다.
적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 상기 웨이퍼에 접착된 상기 양면 점착 테이프로부터 상기 지지판을 박리하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하는 IC 칩의 제조 방법으로서, 상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 지지판과 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다.
적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하는 IC 칩의 제조 방법으로서, 상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 상기 양면 점착 테이프의 엠보싱 가공이 실시된 면과 지지판을 접합시키는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다.
이 경우, 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정은, 상기 웨이퍼와 상기 지지판 중 어느 한쪽에 상기 양면 점착 테이프를 접착한 후에, 또는 상기 웨이퍼와 상기 지지판과의 접합 위치에 상기 양면 점착 테이프를 설치하고, 진공 용기 내에서 감압한 상태로 상기 웨이퍼와 상기 지지판을 양면 점착 테이프를 통해 접합시키는 것이 바람직하다. 또한, 상기 진공 용기 내에서의 감압은 상기 웨이퍼와 상기 지지판이 떨어진 상태에서 행하는 것이 바람직하다.
적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하는 IC 칩의 제조 방법으로서, 상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 상기 양면 점착 테이프의 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합, 및 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합은, 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면을 물로 적신 후에, 또한 물이 완전히 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면에 흡수되기 전에 행하는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다.
도 1은 웨이퍼와 지지판을 분리한 상태에서 감압시키고, 감압 상태에서 접합시키는 장치를 나타내는 모식도이다.
도면 중, 1은 지지판을 나타내고, 2는 두꺼운 막 웨이퍼를 나타내고, 3은 지지 테이프를 나타내고, 4는 스페이서를 나타낸다.
<발명의 상세한 개시>
본 발명의 양면 점착 테이프는 적어도 한쪽 면에 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하는 것이다. 본 발명의 양면 점착 테이프는, 기재의 양면에 점착제층이 형성된 서포트 테이프일 수도 있고, 기재를 갖지 않는 논서포트(non-support) 테이프일 수도 있다.
상기 기재로서는, 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키는 자극이 빛에 의한 자극인 경우에는, 빛을 투과 또는 통과시키는 것이 바람직하고, 예를 들면 아크릴, 올레핀, 폴리카르보네이트, 염화비닐, ABS, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 나일론, 우레탄, 폴리이미드 등의 투명한 수지로 이루어지는 시트, 메쉬상의 구조를 갖는 시트, 천공된 시트 등을 들 수 있다.
상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키는 자극으로서는, 예를 들면 빛, 열, 초음파에 의한 자극을 들 수 있다. 그 중에서도 빛 또는 열에 의한 자극이 바람직하다. 상기 광으로서는, 예를 들면 자외선이나 가시광선 등을 들 수 있다. 상기 자극으로서 빛에 의한 자극을 이용하는 경우에는, 기체 발생제를 함유하는 점착제층은 빛이 투과 또는 통과할 수 있는 것이 바람직하다.
상기 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 아조 화합물, 아지드 화합물이 바람직하게 사용된다.
상기 아조 화합물로서는, 예를 들면 2,2'-아조비스(N-시클로헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸프로필)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸에틸)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-프로필-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-에틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[1,1-비스(히드록시메틸)-2-히드록시에틸]프로피온아미드}, 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[2-(1-히드록시부틸)]프로피온아미드}, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-히드록시에틸)프로피온아미드], 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판]디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]디술페이트디히드레이트, 2,2'-아조비스[2-(3,4,5,6-테트라히드로피리미딘-2-일)프로판]디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스{2-[1-(2-히드록시에틸)-2-이미다졸린-2-일]프로판}디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판], 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-아미노프로판)디히드로클로라이드, 2,2-아조비스[N-(2-카르복시아실)-2-메틸-프로피온아미딘], 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸)아미딘]프로판}, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미드옥심), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 디메틸-2,2'-아조비스이소부틸레이트, 4,4'-아조비스(4-시안카르본산), 4,4'-아조비스(4-시아노펜타노산), 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄) 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 2,2'-아조비스(N-시클로헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸프로필)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸에틸)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-프로필-2-메틸프로피온아미 드), 2,2'-아조비스(N-에틸-2-메틸프로피온아미드) 등의 하기 화학식 1로 표시되는 아조아미드 화합물이 바람직하다.
<화학식 1>
Figure 112004004326227-pct00002
상기 식 중, R1 및 R2는 각각 저급 알킬기를 나타내고, R3은 탄소수 2 이상의 포화 알킬기를 나타낸다. 또한, R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아조아미드 화합물은, 열분해 온도가 높기 때문에, IC 칩의 제조에 있어서 필요에 따라서 행해지는 고온 처리가 가능하고, 후술하는 아크릴산 알킬에스테르 중합체 등의 점착성을 갖는 중합체에의 용해성도 우수하다.
상기 아조 화합물은 빛, 열 등에 의한 자극에 의해 질소 가스를 발생한다.
상기 아지드 화합물로서는, 예를 들면 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄, 테레프탈아지드, p-tert-부틸벤즈아지드 등이나, 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄을 개환 중합함으로써 얻어지는 글리시딜아지드 중합체 등의 아지드기를 갖는 중합체 등을 들 수 있다. 이러한 아지드 화합물은 빛, 열 및 충격 등에 의한 자극에 의해 질소 가스를 발생한다.
이들 기체 발생제 중, 상기 아지드 화합물은 충격을 줌으로써도 쉽게 분해되 어 질소 가스를 방출하기 때문에 취급이 곤란하다는 문제가 있다. 또한, 상기 아지드 화합물은 일단 분해가 시작되면 연쇄 반응을 일으켜 폭발적으로 질소 가스를 방출하여 이를 제어할 수가 없기 때문에, 폭발적으로 발생한 질소 가스에 의해 웨이퍼가 손상되는 경우가 있다는 문제도 있다. 이러한 문제로 인해 상기 아지드 화합물의 사용량은 한정되지만, 한정된 사용량으로는 충분한 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다.
한편, 상기 아조 화합물은 아지드 화합물과는 달리 충격에 의해서는 기체를 발생하지 않기 때문에 취급이 매우 용이하다. 또한, 연쇄 반응을 일으켜 폭발적으로 기체를 발생하는 일도 없기 때문에 웨이퍼를 손상시키는 일도 없으며, 빛의 조사를 중단하면 기체의 발생도 중단시킬 수 있기 때문에, 용도에 따른 접착성의 제어가 가능하다는 이점도 있다. 따라서, 상기 기체 발생제로서는, 아조 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 기체 발생제를 함유함으로써, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 제공하면 기체 발생제로부터 발생한 기체가 접착면의 적어도 일부를 박리함으로써 점착력이 저하되어 피착체를 쉽게 박리할 수 있다.
상기 기체 발생제는 기체 발생제를 함유하는 점착제층 전체에 함유되어 있을 수도 있지만, 기체 발생제를 점착제층 전체에 함유시키면, 점착제층 전체가 발포체가 되기 때문에 너무 부드러워져, 점착제층을 잘 박리할 수 없게 될 우려가 있다. 따라서, 상기 기체 발생제는 표면 부분에만 함유되어 있는 것이 바람직하다. 표면 부분에만 함유시키면, 점착제층 전체가 발포체가 되지 않고, 피착체와의 접착면에 서 기체 발생제로부터 기체가 발생함으로써 접착 면적을 감소시키며, 또한 기체가 피착체와 점착제층과의 접착면의 적어도 일부를 박리하여 접착력을 저하시킨다.
또한, 상기 표면 부분이란 점착제층의 두께에 따라서 다르지만, 점착제의 표면에서 20 ㎛까지의 부분인 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 표면 부분에만 함유된다는 것은, 예를 들면 점착제 표면에 부착된 기체 발생제가 점착제와 상용되어 점착제층에 흡수된 형태, 점착제의 표면에 기체 발생제가 균일하게 부착되어 있는 형태 등을 들 수 있다.
상기 표면 부분에만 기체 발생제를 함유시키는 방법으로서는, 예를 들면 양면 점착 테이프의 최외층에 1 내지 20 ㎛ 정도의 두께로 기체 발생제를 함유하는 점착제를 도장하는 방법이나, 미리 제조한 양면 점착 테이프의 적어도 한쪽 면의 표면에 기체 발생제를 함유하는 발포성 액체를 도포하거나 스프레이 등에 의해 분무함으로써 표면에 기체 발생제를 균일하게 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 표면에 기체 발생제를 부착시키는 경우에는, 점착제와 상용성이 우수한 기체 발생제를 부착시키는 것이 바람직하다. 즉, 점착제의 표면에 기체 발생제를 다량 부착시키면 점착력이 낮아지지만, 기체 발생제가 점착제와 상용되는 경우에는, 부착된 기체 발생제는 점착제층에 흡수되어 점착력이 저하하는 일이 없고, 기체 발생제가 확산됨으로써 피착체와의 접촉면 전체에 대하여 보다 균일하게 기체를 발생시킬 수 있다. 또한, 기체 발생제를 함유하는 표면 부분과 나머지 부분은 다른 조성의 수지 성분으로 이루어지는 것이 바람직하고, 그 중에서도 다른 극성을 갖는 수지 성분으로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 표면 부분의 기체 발 생제가 나머지 부분으로 이행되는 것을 방지하거나 이행되기 어렵게 할 수 있다.
상기 기체 발생제는 입자로서 존재하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기체 발생제가 입자로서 존재하지 않는다는 것은, 전자 현미경에 의해 기체 발생제를 함유하는 점착제층의 단면을 관찰하였을 때에 기체 발생제를 확인할 수 없는 것을 의미한다. 상기 점착제층 중에 기체 발생제가 입자로서 존재하면, 기체를 발생시키는 자극으로서 빛을 조사하였을 때에 입자의 계면에서 빛이 산란하여 기체 발생 효율이 낮아지거나, 본 발명의 양면 점착 테이프의 표면 평활성이 나빠지는 경우가 있다.
상기 기체 발생제를 입자로서 존재하지 않도록 하기 위해서는, 통상, 점착제 중에 용해되는 기체 발생제를 선택하지만, 점착제 중에 용해되지 않는 기체 발생제를 선택하는 경우에는, 예를 들면 분산기를 이용하거나, 분산제를 병용함으로써 점착제 중에 기체 발생제를 미세 분산시킨다.
또한, 기체 발생제는 미소한 입자인 것이 바람직하다. 또한, 이러한 미립자는, 예를 들면 분산기나 혼련 장치 등을 이용하여 필요에 따라서 보다 미세한 미립자로 만드는 것이 바람직하다. 즉, 전자 현미경에 의해 본 발명의 접착성 물질을 관찰하였을 때에 기체 발생제를 확인할 수 없는 상태까지 분산시키는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 양면 점착 테이프는, 상기 기체 발생제로서 아지드 화합물 또는 아조 화합물 등의 빛에 의한 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 사용하는 경우에는, 광증감제도 더 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광증감제는 상기 기체 발생제에 대한 빛에 의한 자극을 증폭시키는 효과를 갖기 때문에, 보다 적은 빛의 조사에 의해 기체를 방출시킬 수 있다. 또한, 보다 넓은 파장 영역의 빛에 의해 기체를 방출시킬 수 있기 때문에, 피착체가 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 아지드 화합물 또는 아조 화합물로부터 기체를 발생시키는 파장의 빛을 투과시키지 않는 것에 있어서도, 피착체 너머로 빛을 조사하여 기체를 발생시킬 수 있으므로 피착체 선택의 폭이 넓어진다.
상기 광증감제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 티오크산톤 증감제 등이 바람직하다. 또한, 티오크산톤 증감제는 광중합 개시제로서도 사용할 수 있다.
상기 기체 발생제를 함유하는 점착제는 자극에 의해 탄성률이 상승되는 것이 바람직하다. 또한, 기체 발생제를 함유하는 점착제는 자극에 의해 점착력이 저하되는 것이 바람직하다. 상기 점착제의 탄성률을 상승시키는 자극 또는 상기 점착력을 저하시키는 자극은 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키는 자극과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
이러한 점착제로서는, 예를 들면 분자 내에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 아크릴산알킬에스테르계 및(또는) 메타크릴산알킬에스테르계의 중합성 중합체와, 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 단량체를 주성분으로 하고, 필요에 따라서 광중합 개시제를 포함하는 광경화형 점착제나, 분자 내에 라디칼 중합성 불포화 결합을 갖는 아크릴산알킬에스테르계 및(또는) 메타크릴산알킬에스테르계 중합성 중합체와, 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 단량체를 주성분으로 하고, 열중합 개시제를 포함하여 이루어지는 열경화형 점착제 등을 들 수 있다.
이러한 광경화형 점착제 또는 열경화형 점착제 등의 후경화형 점착제는, 빛의 조사 또는 가열에 의해 점착제층의 전체가 균일하면서 빠르게 중합 가교하여 일체화되기 때문에, 중합 경화에 의한 탄성률의 상승이 현저해지고, 점착력이 크게 저하된다. 또한, 탄성률이 상승된 굳은 경화물 중에서 기체 발생제로부터 기체를 발생시키면, 발생한 기체의 대부분은 외부로 방출되고, 방출된 기체는 피착체로부터 점착제의 접착면의 적어도 일부를 박리하여 접착력을 저하시킨다.
상기 중합성 중합체는, 예를 들면 분자 내에 관능기를 갖은 (메트)아크릴계 중합체(이하, 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체라 함)를 미리 합성하여, 분자 내에 상기한 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 화합물(이하, 관능기 함유 불포화 화합물이라 함)과 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체는 상온에서 점착성을 갖는 중합체로서, 일반적인 (메트)아크릴계 중합체의 경우와 같이, 알킬기의 탄소수가 통상 2 내지 18의 범위인 아크릴산알킬에스테르 및(또는) 메타크릴산알킬에스테르를 주단량체로 하고, 이것과 관능기 함유 단량체와, 또한 필요에 따라서 이들과 공중합 가능한 다른 개질용 단량체를 통상법에 의해 공중합시킴으로써 얻어지는 것이다. 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은 통상 20만 내지 200만 정도이다.
상기 관능기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 단량체; 아크릴산히드록시에틸, 메타크릴산히드록시에틸 등의 히드록 실기 함유 단량체; 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 단량체; 아크릴산이소시아네이트에틸, 메타크릴산이소시아네이트에틸 등의 이소시아네이트기 함유 단량체; 아크릴산아미노에틸, 메타크릴산아미노에틸 등의 아미노기 함유 단량체 등을 들 수 있다.
상기 공중합 가능한 다른 개질용 단량체로서는, 예를 들면 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 일반적인 (메트)아크릴계 중합체로 사용되는 각종 단량체를 들 수 있다.
상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체에 반응시키는 관능기 함유 불포화 화합물로서는, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체의 관능기에 따라서 상술한 관능기 함유 단량체와 동일한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 중합체의 관능기가 카르복실기인 경우에는 에폭시기 함유 단량체나 이소시아네이트기 함유 단량체가 사용되고, 동일한 관능기가 히드록실기인 경우에는 이소시아네이트기 함유 단량체가 사용되며, 동일한 관능기가 에폭시기인 경우에는 카르복실기 함유 단량체나 아크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체가 사용되고, 동일한 관능기가 아미노기인 경우에는 에폭시기 함유 단량체가 사용된다.
상기 다관능 올리고머 또는 단량체로서는, 분자량이 1 만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 가열 또는 광의 조사에 의한 점착제층의 삼차원 메쉬상화가 효율적으로 잘 이루어지도록, 그의 분자량이 5,000 이하이면서 분자 내의 라디칼 중합성의 불포화 결합의 수가 2 내지 20 개인 것이다. 이들 보다 바람직한 다관능 올리고머 또는 단량체로서는, 예를 들면 트리메틸올 프로판트리아크릴레이 트, 테트라메틸올 메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 또는 유사한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 그 밖에 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르 아크릴레이트 및 유사한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 다관능 올리고머 또는 단량체는 단독으로 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 광중합 개시제로서는, 예를 들면 250 내지 800 nm의 파장의 빛을 조사함으로써 활성화되는 것을 들 수 있고, 이러한 광중합 개시제로서는, 예를 들면 메톡시아세토페논 등의 아세토페논 유도체 화합물; 벤조인프로필에테르 및 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 및 아세토페논디에틸케탈 등의 케탈 유도체 화합물; 포스핀 옥시드 유도체 화합물; 비스(η5-시클로펜타디에닐)티타노센 유도체 화합물, 벤조페논, 미힐러(Michler) 케톤, 클로로티오크산톤, 토데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등의 광 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는 단독으로 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 열중합 개시제로서는, 열에 의해 분해하고 중합 경화를 개시하는 활성라디칼을 발생하는 것을 들 수 있고, 예를 들면 디쿠밀퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-부틸히드로퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 디이소프로필벤젠히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드, 디-t-부틸퍼 옥시드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 열분해 온도가 높기 때문에 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드 등이 바람직하다. 이들 열중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 퍼부틸 D, 퍼부틸 H, 퍼부틸 P, 퍼메타 H(이상 모두 닛본 유시 제조) 등이 바람직하다. 이들 열중합 개시제는 단독으로 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 후경화형 점착제에는, 이상의 성분 이외에 점착제로서의 응집력의 조절을 도모할 목적으로, 목적에 따라서 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 일반적인 점착제에 배합되는 각종 다관능성 화합물을 적절하게 배합할 수도 있다. 또한, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 부가할 수도 있다.
본 발명의 양면 점착 테이프의 적어도 한쪽 면은 엠보싱 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다. 상기 엠보싱 가공이 실시되어 있기 때문에, 상압에서도 양호한 평면성으로 본 발명의 양면 점착 테이프를 피착체에 접합시킬 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 엠보싱 가공이란 표면에 요철 모양을 만드는 것을 말한다.
상기 엠보싱 가공은, 상기 기체 발생제가 한쪽 면에만 함유되어 있는 경우에는 상기 기체 발생제를 함유하는 면과는 반대측 면에 실시되는 것이 바람직하고, 본 발명의 양면 점착 테이프를 사용하여 웨이퍼와 지지판을 접착하는 경우에는, 지지판측의 면에만 실시되는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼를 연마하여 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 반도체 웨이퍼를 제조하기 위해서는, 연마시에 웨이퍼가 지지판에 양호한 평면성으로 유지되는 것이 중 요하다. 그러나, 종래의 양면 점착 테이프를 사용하여 웨이퍼와 지지판을 접착하는 경우, 기포가 들어가지 않도록 주의 깊게 접합하지 않으면, 양면 점착 테이프와 지지판과의 사이에 기포가 혼입(entrainment)되는, 소위 공기 저장소가 발생하는 경우가 있었다. 공기 저장소가 발생하면, 기포가 혼입된 부분의 웨이퍼가 부상하기 때문에, 웨이퍼 형상이 왜곡되어 평활한 연마면이 얻어지지 않거나, 왜곡이 크면 왜곡된 부분을 연마하였을 때 웨이퍼가 깨져 버리기도 하는 문제점이 있었다.
본 발명의 양면 점착 테이프는 적어도 한쪽 면에 엠보싱 가공이 실시되어 있기 때문에, 엠보싱 가공이 실시된 면과 피착체를 접착하면, 피착체는 요철 모양의 볼록부에 의해 지지되고, 기포는 요철 모양의 오목부에만 있기 때문에 기포에 의해 부분적으로 웨이퍼가 부상하는 일이 없다. 상기 엠보싱 가공이 실시된 면은 균일한 두께로 형성되어 있으며 지지판과 웨이퍼와의 간격을 일정하게 유지하고 있기 때문에, 지지판에 부착된 웨이퍼가 지지된 상태에서 연마되면 평활한 연마면이 얻어진다. 또한, 상술된 바와 같이 피착체가 요철 모양의 볼록부에 의해 지지됨으로써, 요철 모양이 쿠션 역할을 하여 웨이퍼를 연마할 때의 압력이 분산되기 때문에, 보다 얇은 웨이퍼를 효율적으로 얻을 수 있다.
상기 엠보싱 가공에 의해 형성되는 요철 모양의 볼록부의 간격은, 원하는 웨이퍼의 두께에 따라서 선택될 필요가 있고, 예를 들면 두께 25 ㎛ 정도의 웨이퍼를 제조하는 경우에는 수백 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다. 상기 양면 점착 테이프를 사용하여 지지판에 접착한 웨이퍼를 연마하는 경우에는, 웨이퍼의 요철 모양의 볼록부로 지지되고 있는 부분과 지지되고 있지 않 은 부분에서는 연마할 때에 걸리는 압력이 다르기 때문에, 연마 후의 웨이퍼에 양면 점착 테이프의 요철 모양에 대응한 모양이 형성되어 연마 불균일이 발생하는 경우가 있고, 웨이퍼의 두께를 얇게 할수록 문제가 된다. 볼록부의 간격이 100 ㎛ 이하인 요철 모양으로 만듦으로써, 예를 들어 이 요철 모양에 대응한 모양이 웨이퍼에 형성되더라도, 연마 불균일 측면에서는 실용상 문제가 없는 수준으로 만들 수 있다.
이러한 요철 모양으로서는, 예를 들면 본 발명의 양면 점착 테이프의 적어도 한쪽 면의 전체 면에 걸쳐 형성되어 있고, 형성되는 볼록부의 거의 전체가 수백 ㎛ 이하의 간격으로 연속되어 있는 랜덤한 요철 모양이나 규칙적인 요철 모양 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 규칙적인 요철 모양으로서, 볼록부의 높이가 고르면서 오목부의 깊이가 고른 요철 모양이 바람직하다. 이러한 요철 모양으로서는, 예를 들면 점, 직선, 원호 등이 전체 면에 걸쳐 수백 ㎛ 이하의 간격으로 연속적으로 배열된 요철 모양 등을 들 수 있다.
상기 엠보싱 가공의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 엠보싱 시트, 엠보싱 판, 엠보싱 롤 등을 점착제층에 대고 눌러 요철 모양을 점착제층에 전사하는 방법; 이형 처리를 실시한 엠보싱 면 상에 점착제를 도장하여 점착제층을 형성한 후에, 점착제층의 엠보싱이 형성되어 있지 않은 면을 기재 또는 다른 점착제층 상에 적층하는 방법 등을 들 수 있다. 볼록부가 100 ㎛ 이하의 간격으로 배열된 요철 모양을 얻기 위해서는, 예를 들면 미세한 모래를 불어 표면을 연마함으로써 미세한 요철 모양을 형성하는 샌드 블라스트법; 표면에 탄산칼슘 등의 미세한 필러를 함유하는 프라이머층을 형성시킨 후, 표면을 프라이머층은 용해시키지 않지만 필러는 용해시키는 용제로 세정하는 방법 등에 의해 필러를 제거함으로써 미세한 요철 모양을 형성하는 필러법 등을 들 수 있다.
본 발명의 양면 점착 테이프의 적어도 한쪽 면은 흡수 가능한 점착제를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면에 적당량의 물을 적하한 후에 피착체와 접합시키면, 접착면에 기포가 들어가는 것을 방지할 수 있다. 상기 기체 발생제가 한쪽 면에만 함유되어 있는 경우에는, 적어도 상기 기체 발생제를 함유하는 면과는 반대측의 면이 흡수 가능한 점착제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 흡수 가능한 점착제로서는, 예를 들면 수분산성 아크릴 점착제 유탁액이나 수분산성 아세트산비닐 점착제 유탁액 등의 수분산성 점착제 유탁액; 친수성 단량체가 구성 단량체로서 함유되어 있는 아크릴 점착제; 전분 풀 등을 들 수 있다. 이들 점착제는, 점착제 표면이 물에 대하여 젖기 쉽고, 물을 흡수하는 것도 가능하다. 그 중에서도 카르복실산기 함유 단량체, 아미드기 함유 단량체, 수산기 함유 단량체 등의 친수성 단량체가 구성 단량체로서 함유되어 있는 아크릴산에스테르 단량체를 주성분으로 하는 아크릴 점착제는, 습윤면에의 접착에 대하여 우수한 점착력을 발현하므로, 점착제 표면은 물로 젖기 쉽고 서서히 물을 흡수하기 때문에 바람직하다.
상기 친수성 단량체가 구성 단량체로서 함유되어 있는 아크릴 점착제는 수분산성 점착제 유탁액으로 한정되지 않고, 용제형 점착제나 무용제형 점착제일 수도 있다.
상기 친수성 단량체가 구성 단량체로서 함유되어 있는 아크릴 점착제에 있어서, 주성분인 아크릴산에스테르 단량체는 탄소수 1 내지 14의 탄소 원자의 알킬기를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 아크릴 점착제로서는, 예를 들면 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 옥타데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 (메트)아크릴산이란 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미하는 것으로 한다.
상기 카르복실산기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타아크릴산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산, 크로톤산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸프탈산, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필숙신산, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필프탈산, 3-(메트)아크릴로일옥시프로피온산 등을 들 수 있다.
상기 아미드기 함유 단량체로서는, 디메틸아미노메틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N-이소프롤릴아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐, N-(부톡실)-(메트)아크릴아미드, (메트)아크릴아미드, n-알콕시알킬 불포화 카르복실산아미드 등을 들 수 있다.
상기 히드록실 함유 단량체로서는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히 드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록실부틸아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시 에틸헥사히드로프탈레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시 에틸테트라히드로프탈레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시 프로필테트라히드로프탈레이트 등을 들 수 있다.
상기 친수성 단량체가 구성 단량체로서 함유되어 있는 아크릴 점착제에 있어서, 친수성 단량체는 주성분인 아크릴산에스테르 단량체 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부 함유되는 것이 바람직하다.
상기 수분산성 점착제 유탁액으로부터 얻어지는 점착제의 건조 피막은 유화제를 함유하고 있기 때문에, 흡수성을 가지면서 점착제 표면이 친수성이 된다.
상기 유화제로서는 음이온 계면 활성제 또는 비이온 계면 활성제가 바람직하다. 상기 음이온 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 술폰산염, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 황산염, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐에테르 황산염, 도데실벤젠 술폰산 소다, 라우릴 황산 소다 등을 들 수 있다. 또한, 상기 비이온 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등을 들 수 있다.
상기 유화제의 함유량은 수분산성 점착제 유탁액에 포함되는 점착성 수지 100 중량부에 대하여 0.5 내지 2 중량부인 것이 바람직하다. 상기 유화제의 함유량을 늘리면 흡수성이나 점착제 표면의 친수성이 향상되지만, 상기 범위 밖이면 습윤면에 대한 접착력이 저감되는 경우가 있다.
상기 흡수 가능한 점착제는 흡수 가능한 한편, 흡수하더라도 과도하게 팽윤하지 않는 것이 보다 바람직하다. 과도하게 팽윤하면, 점착층의 두께에 변동이 생 기는 경우가 있고, 웨이퍼를 유지하는 경우에 평면성을 보장할 수 없게되는 경우가 있다.
본 발명의 양면 점착 테이프의 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼를 IC 칩에 가공할 때에 사용하면, 웨이퍼의 파손을 막아 양호한 가공을 보장할 수 있다.
상기 웨이퍼로서는, 예를 들면 실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체로 이루어지는 것을 들 수 있다. 상기 웨이퍼의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 웨이퍼가 얇을수록 파손 방지의 효과가 발휘되기 쉽고, 연마 후의 두께가 50 ㎛ 정도, 예를 들면 20 내지 80 ㎛의 두께의 반도체 웨이퍼인 경우에 우수한 파손 방지의 효과가 발휘된다.
적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 웨이퍼를 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 갖는 IC 칩의 제조 방법으로서, 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 웨이퍼와 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다.
본 발명의 IC 칩의 제조 방법에서는, 우선 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정한다. 이 시점에서의 웨이퍼는 고순도인 실리콘 단결정이나 갈륨 비소 단결정 등을 슬라이싱하여 반도체 웨이퍼로 만들고, 웨이퍼 표면에 소정의 회 로 패턴이 형성된 것으로 두께 500 ㎛ 내지 1 mm 정도의 것이다. 이 웨이퍼를 지지판에 고정할 때에는, 웨이퍼의 회로가 형성되어 있는 면과 양면 점착 테이프를 접합시킨다.
상기 지지판으로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생하는 자극이 빛에 의한 자극인 경우에는 투명한 것이 바람직하고, 예를 들면, 유리판, 아크릴, 올레핀, 폴리카르보네이트, 염화비닐, ABS, PET, 나일론, 우레탄, 폴리이미드 등의 수지로 이루어지는 판상체 등을 들 수 있다.
상기 지지판으로서는 대전 방지 처리가 실시된 것이 바람직하다. 상기 지지판이 정전기 등에 의해 대전되면, 공기 중에 부유하는 미립자를 끌어 당겨 IC 칩의 제조에 악영향을 미치는 경우가 있다. 상기 지지판에 대전 방지 처리를 실시하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생하는 자극이 빛에 의한 자극인 경우에는, 지지판의 투명성을 유지할 수 있는 방법이 바람직하다. 이러한 대전 방지 처리 방법으로서는, 예를 들면 지지판에 투명한 도전성 가소제를 함유시키는 방법, 투명한 계면 활성제를 함유시켜 표면에 부착하는 수분량을 늘려 대전을 방지하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 산화주석 미립자 등의 투명한 도전성 미립자를 분산시킨 수지 분산액을 투명한 지지판의 표면에 도포하여 지지판의 표면에 도전성 수지층을 형성하는 방법이, 투명성을 충분히 확보하면서 안정한 대전 방지 효과가 얻어지기 때문에 바람직하다. 이러한 방법에 따르면, 카본 블랙 등을 배합하는 방법과 달리 투명한 지지판을 얻을 수 있다. 이러한 대전 방지 처리가 실시된 투명 지지판으로서는, 예를 들면 DC 플레이트(세끼 스이 가가꾸 고교사 제조) 등이 시판되고 있다.
또한, 상기 대전 방지 처리가 실시된 지지판을 사용하는 대신에, 지지판에 제전 처리를 행할 수도 있다. 상기 제전 처리로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 접지, 이온화 장치에 의한 이온의 분무 등을 들 수 있다.
상기 지지판의 두께로서는 500 ㎛ 내지 3 mm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 2 mm이다. 또한, 상기 지지판이 두께의 편차는 1 ％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정하기 위해서는, 본 발명의 양면 점착 테이프의 기체 발생제를 함유하는 면과 웨이퍼를 접합시킨다. 이에 의해, 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼가 보강되어 웨이퍼가 반송이나 가공될 때에 결손되거나 깨지는 일이 없고, 양면 점착 테이프는 IC 칩을 제조하는 일련의 공정이 종료되었을 때 또는 공정 도중에, 자극에 의해 쉽게 IC 칩으로부터 박리할 수 있다.
또한, 적어도 한쪽 면에 엠보싱 가공이 실시되어 있는 양면 점착 테이프를 사용하는 경우에는, 양면 점착 테이프의 엠보싱 가공이 실시된 면과 지지판을 접합시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기포가 혼입되지 않고 웨이퍼와 지지판을 접합시킬 수 있다.
상기 웨이퍼와 지지판을 접합시킬 때에는, 진공 용기 내에서 감압시킨 상태로 웨이퍼와 지지판을 접합시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 진공 접합기의 진공 챔버 내에 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판을 삽입하고, 진공 환경 하에서 양면 점착 테이프를 통해 접합시키는 것이 바람직하다. 이 때, 웨이퍼와 지지판이 접한 상태에서 진공 용기 내에 넣고 감압시키면, 점착제에 의해 공기의 제거가 방해되어 접착면에 기포가 남는 경우가 있다. 따라서, 진공 용기 내에서 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판을 분리한 상태에서 감압시켜 충분히 공기를 제거하고 나서, 감압된 상태에서 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판과의 접합을 행하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 진공 공정에 의해 접합을 행함으로써, 기포가 혼입되지 않고 공기 저장소가 생기지 않는다.
또한, 상기 웨이퍼와 지지판과의 접합은 웨이퍼와 지지판 중 어느 한쪽에 본 발명의 양면 점착 테이프를 접착한 후에 행할 수도 있고, 웨이퍼와 지지판과의 접합 위치에 본 발명의 양면 점착 테이프를 설치하여 진공 용기 내에서 감압시킨 상태로 웨이퍼와 지지판을 동시에 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 접합시킬 수도 있다.
상기 진공 접합기로서는, 진공 환경하에서 접합 작업을 행할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 진공 적층기나 진공 압착기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 진공 접합기는 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판을 분리한 상태에서 감압시키고 충분히 공기를 제거하고 나서, 감압된 상태에서 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판과의 접합을 행할 수 있는 수단을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 수단으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같은 스페이서에 의해 두꺼운 막 웨이퍼 또는 지지판의 한쪽을 지지하는 장치를 진공 접합기의 진공 챔버 내에 설치하는 것 등을 들 수 있다. 상기 스페이서로서는, 감압시켜도 체적이 크게 감소하지 으면서, 압착함으로써 쉽게 압축 가능한 것이 바람직하고, 예를 들면 스프링, 독립 기포 발포체를 포함하는 것 등을 들 수 있다. 상기 스페이서는, 감압시키는 동안에 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판을 분리된 상태로 두는 것과 동시에, 접합시에 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판이 강하게 충돌하여 웨이퍼가 파손되는 것을 막는 역할도 한다. 이러한 수단을 갖는 진공 접합기에서는, 상기 스페이서에 의해 두꺼운 막 웨이퍼 또는 지지판의 한쪽을 지지하여 양자를 분리한 상태에서 감압시키고 충분히 공기를 제거하고 나서, 감압된 상태에서 압착 장치를 작동시키고, 스페이서를 압축하면서 두꺼운 막 웨이퍼와 지지판을 접합시킨다.
또한, 적어도 한쪽 면이 흡수 가능한 점착제를 포함하는 양면 점착 테이프를 사용하는 경우에는, 양면 점착 테이프의 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합, 및 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합은, 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면을 물로 적신 후에, 또한 물이 완전히 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면에 흡수되기 전에 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 지지판과 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면을 접합시킬 때에는, 그 사이에 수층이 존재하기 때문에, 물의 표면 장력에 의해 지지판과 양면 점착 테이프를 밀착할 수 있으며, 그 사이에 공기가 혼입되는 것(공기 저장소)을 방지할 수 있다. 이 방법에 의해서도, 기포가 혼입되지 않고 웨이퍼와 지지판을 접합시킬 수 있다.
양면 점착 테이프의 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판을 접합시킬 때에는, 물의 표면 장력과 접합 압력으로 인해 수막이 면 전체로 퍼져서 젖어 가기 때문에, 적어도 면의 중앙 부분이 물에 젖어 있으면, 공기가 혼입되는 것을 방지하 는 효과를 얻을 수 있지만, 면의 거의 전체 면이 물로 젖어 있는 쪽이 바람직하다. 이에 의해 지지판과 접합시켰을 때에 접착면 전체 면이 물에 젖어, 공기가 혼입되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 지지판을 양면 점착 테이프의 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면에 접착할 때에는, 지지판의 한쪽 말단부터 순서대로 면과 접합시켜 가는 것이 바람직하고, 이에 의해 표면의 수막이 뒤로 밀리면서 접착되기 때문에 공기가 혼입되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면이 물을 다량 흡수하여 지나치게 팽윤하면 표면이 너무 연성화되어, 점착제층의 두께에 변동을 일으킬 우려도 있기 때문에, 접합시에는 표면의 수막을 가능한 한 뒤로 밀어내면서 접합시켜, 접착면에 남는 물의 양을 적게 하는 것이 바람직하다.
표면에 수막이 형성되어 있으면, 강하게 접착하지 않으면 접합 위치의 수정은 비교적 용이하고, 접착 위치의 조정을 쉽게 행할 수 있다.
본 발명의 IC 칩의 제조 방법에서는, 계속해서 웨이퍼를 양면 점착 테이프를 통해 지지판에 고정시킨 상태에서 연마한다. 본 발명의 양면 점착 테이프를 사용하여 웨이퍼를 지지판에 고정함으로써, 연마 공정에서의 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있고, 또한 상술한 대로 공기 저장소가 생기기 어렵기 때문에 웨이퍼를 평활하게 연마할 수 있다.
계속해서 양면 점착 테이프에 자극을 제공한다. 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키는 자극을 제공함으로써, 기체 발생제로부터 발생한 기체가 양면 점착 테이프와 피착체와의 접착면에 방출되어, 접착면의 적어도 일부를 박리하기 때 문에 점착력이 저하된다. 또한, 기체 발생제를 함유하는 면을 구성하는 점착제가 자극에 의해 탄성률이 상승되는 것인 경우에는, 기체 발생제로부터 기체를 발생시키기 전에 점착제의 탄성률을 상승시키는 자극을 가하여 점착제의 탄성률을 상승시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기체 발생제로부터 발생한 기체는 점착제 중에서 접착면으로의 방출이 촉진되어, 보다 점착력을 저하시킬 수 있다.
또한, 적어도, 본 발명의 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정, 웨이퍼를 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정, 상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 상기 웨이퍼에 접착된 상기 양면 점착 테이프로부터 상기 지지판을 박리하는 공정, 및 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하는 IC 칩의 제조 방법으로서, 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 지지판과 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 IC 칩의 제조 방법도 또한 본 발명의 하나이다. 지지판과 접합시킨 면에 기체 발생제를 함유시킨 양면 점착 테이프를 사용한 경우에는, 양면 점착 테이프를 웨이퍼로부터 박리하기에 앞서, 자극을 가하여 지지체와 양면 점착 테이프 사이의 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜 점착력을 저하시키고, 굳은 지지판을 양면 점착 테이프로부터 박리하면, 양면 점착 테이프는 가요성을 갖는 테이프가 되므로 테이프를 뒤집으면서(turn over) 웨이퍼로부터 박리할 수 있기 때문에, 보다 더 쉽게 웨이퍼로부터 박리할 수 있어 바람직하다.
또한, 통상의 공정에서는 연마 공정 종료 후 자극을 가하여 기체를 발생시켜 웨이퍼를 박리하기 전에, 연마된 웨이퍼에 다이싱 테이프를 접착하고, 그 후 웨이퍼를 박리하고 나서 다이싱을 행한다.
또한, 본 발명의 IC 칩의 제조 방법에서는, 필요에 따라서 통상적으로 행해지는 공정을 생략하거나, 공정의 순서를 통상과 다르게 할 수도 있고, 예를 들면 미리 다이싱을 행한 후에 연마 공정을 행하여 웨이퍼를 칩상으로 만들 수도 있다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 양태>
이하, 실시예를 기재하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
<점착제의 제조>
하기 화합물을 아세트산에틸에 용해시키고, 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중량 평균 분자량 70만의 아크릴 공중합체를 얻었다.
얻어진 아크릴 공중합체를 포함하는 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 또한 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 20 중량부, 광중합 개시제(이루가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.5 중량부, 폴리이소시아네이트 1.5 중량부를 혼합하여 점착제(1)의 아세트산에틸 용액을 제조하였다.
부틸아크릴레이트 79 중량부
에틸아크릴레이트 15 중량부
아크릴산 1 중량부
2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부
광중합 개시제 0.2 중량부
(이루가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)
라우릴머캅탄 0.02 중량부
점착제(1)의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드) 100 중량부 혼합하여 기체 발생제를 함유하는 점착제(2)를 제조하였다.
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(2)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(2)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표 면에 이형 처리를 실시한 엠보싱 PET(유니티카사 제조: PTH-38, 볼록부 간격 40 ㎛)를 압착함으로써, 점착제(1)층의 표면에 요철 모양을 형성시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
계속해서, 점착제(1)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(1)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(1)층을 설치하고 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(1)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 엠보싱 가공이 실시되어 있지 않은 측의 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하여, 점착제(2)층이 형성된 표면을 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(2)층과 접합시켰다. 이에 의해 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 한쪽 면에 엠보싱 가공이 실시된 점착제(1)층이 형성되어 있고, 다른 쪽의 면에 점착제(1)층의 표층 부분에 점착제(2)를 포함하는 프라이머층이 형성된 양면 점착 테이프 1을 얻었다.
<IC 칩의 제조>
(실리콘 웨이퍼와 유리판과의 접합)
양면 점착 테이프 1의 점착제(2)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 접착시켰다. 다음으로, 엠보싱 가공이 실시된 점착제(1)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여 직경 20.4 cm의 유리판에 접착시켰다.
(연마 공정)
유리판으로 보강된 실리콘 웨이퍼를 연마 장치에 부착시키고, 실리콘 웨이퍼의 두께가 약 50 ㎛가 될 때까지 연마하였다. 연마 장치로부터 실리콘 웨이퍼를 꺼내고, 다이싱 테이프를 실리콘 웨이퍼 위에 접착시켰다.
(UV 조사 공정)
유리판측에서 초고압 수은등을 이용하여, 365 nm의 자외선을 유리판 표면에의 조사 강도가 40 mW/cm2가 되도록 조도를 조절하여 2 분간 조사하였다.
(웨이퍼의 박리 공정)
실리콘 웨이퍼를 고정하고, 유리판을 직상으로 인장하여 양면 점착 테이프와 함께 실리콘 웨이퍼로부터 박리하였다. 또한, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
(다이싱 공정)
계속해서, 다이싱 테이프로 보강된 실리콘 웨이퍼를 다이싱 장치에 부착시키 고, 웨이퍼측에서 커터 날을 삽입하여 실리콘 웨이퍼를 IC 칩의 크기로 절단하였다. 계속해서, 다이싱 테이프로부터 IC 칩을 박리하여 IC 칩을 취하였다.
<실시예 2>
<점착제의 제조>
하기 화합물을 아세트산에틸에 용해시키고, 자외선을 조사하여 중합을 행하여 중량 평균 분자량 70만의 아크릴 공중합체를 얻었다.
얻어진 아크릴 공중합체를 포함하는 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 40 중량부, 광중합 개시제(이루가큐어 651) 5 중량부, 폴리이소시아네이트 0.5 중량부를 혼합하여 점착제(3)의 아세트산에틸 용액을 제조하였다.
부틸아크릴레이트 79 중량부
에틸아크릴레이트 15 중량부
아크릴산 1 중량부
2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부
광중합 개시제 0.2 중량부
(이루가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)
라우릴머캅탄 0.01 중량부
점착제(3)의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2,2'- 아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드) 30 중량부 및 2,4-디에틸티오크산톤 3.6 중량부를 혼합하여, 기체 발생제를 함유하는 점착제(4)를 제조하였다.
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(3)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(3)층의 표면에 이형 처리를 실시한 엠보싱 PET(유니티카사 제조: 엠블렛 EM38, 볼록부 간격 600 ㎛)을 압착함으로써, 점착제(3)층의 표면에 요철 모양을 형성시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(4)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 50 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(4)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
다음으로, 점착제(3)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(3)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(4)층을 설치하고 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(4)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프 2를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 2의 점착제(4)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 엠보싱 가공이 실시된 점착제(3)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20.4 cm의 유리판에 접착시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정, 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 3>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 2에서 제조한 점착제(3)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 계속해서, 점착제(3)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
실시예 2에서 제조한 점착제(4)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 50 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(4)층 의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
계속해서, 점착제(3)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(3)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(4)층을 설치하고 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(4)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프 3을 얻었다.
<IC 칩의 제조>
진공 적층기(진공 어플리케이터 724, 니찌고 모드사 제조)의 진공 챔버 안에 도 1에 나타낸 장치를 설치한 것을 사용하여, 이하와 같이 하여 실리콘 웨이퍼와 유리판을 접합시켰다. 이 진공 적층기에는 상하 방향으로 압착 가능한 압착 장치를 구비한 진공 챔버가 설치되어 있고, 상기 압착 장치는 하면의 압착판이 고정되어 있고, 상면의 압착판은 공기압으로 풍선이 팽창됨으로써 이것에 고정된 지지판이 하강하도록 되어 있다. 또한, 도 1에 나타낸 장치의 스페이서로서는, 폴리올레핀 수지의 독립 기포 발포체를 포함하는 것을 사용하였다.
우선, 양면 점착 테이프 3의 점착제(4)층을 보호하는 PET 필름을 박리하고, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 양면 점착 테이프 3을 붙여, 이것을 진공 적층기의 진공 챔버 내에 설치된 도 1에 나타낸 장치의 소정의 위치에 놓은 후 점착제(3)층을 보호하는 PET 필름을 박리하였다. 계속해서, 직경 20.4 cm의 유리판을 도 1에 나타낸 장치의 소정의 위치에 두었다. 이 상태에서, 진공 챔버의 공기를 배출하여 챔버 내를 진공 환경으로 만든 후, 상면의 풍선을 부풀려 유리판을 하강시킴으로써 실리콘 웨이퍼와 유리판을 접합시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정, 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 4>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 1에서 제조한 점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
다음으로, 점착제(1)층을 설치한 PET 막의 점착제(1)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(1)층을 설치한 PET 필름의 점착제(1)층의 면을 접합시켰 다.
또한, 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하고, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)를 5 중량％의 농도로 제조한 메틸에틸케톤 용액을 점착제(1)층의 표면이 충분히 젖을 때까지 남김없이 분무하였다. 반복하여 3 회 분무한 후 110 ℃에서 5 분간 가열을 행하였다. 이에 의해 점착제(1)층의 표면에는 담황색의 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)의 석출 입자가 부착되어 있었다.
계속해서, 이 석출 입자가 부착된 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 부착시키고, 석출 입자를 점착제층에 압입하여 양면 점착 테이프 4를 얻었다. 또한, 점착제 표면에 부착된 석출 입자는 잠시 후면 점착제에 용해되어 점착제층에 흡수되었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 4를 이용하여, 양면 점착 테이프 4의 석출 입자가 부착된 점착제(1)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 점착제(1)층을 유리판에 접착하여, 실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 5>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 1에서 제조한 점착제(2)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 다음으로, 점착제(2)층의 표면에 이형 처리를 실시한 엠보싱 PET(유니티카사 제조: PTH-38, 볼록부 간격 40 ㎛)를 압착함으로써, 점착제(2)층의 표면에 요철 모양을 형성시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛가 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
계속해서, 점착제(1)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(1)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(1)층을 설치하고 이형 처 리가 실시된 PET 필름의 점착제(1)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 한쪽 면의 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하고, 점착제(2)층이 형성되고 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(2)층의 엠보싱 가공이 실시되어 있지 않은 측의 면과 접합시켰다. 이에 의해 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 한쪽 면에 점착제(1)층의 표층 부분에 엠보싱 가공이 실시된 점착제(2)를 포함하는 프라이머층이 형성되고, 다른 쪽의 면에 점착제(1)층이 형성된 양면 점착 테이프 5를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 5의 점착제(1)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 접착시켰다. 다음으로, 점착제(2)층을 보호하는 PET 필름을 박리하고, 직경 20.4 cm의 유리판을 접착시켰다.
(연마 공정)
유리판으로 보강된 실리콘 웨이퍼를 연마 장치에 부착하여, 실리콘 웨이퍼의 두께가 약 50 ㎛가 될 때까지 연마하였다. 연마 장치로부터 실리콘 웨이퍼를 꺼내고, 다이싱 테이프를 실리콘 웨이퍼 위에 접착시켰다.
(UV 조사 공정)
유리판측에서 초고압 수은등을 이용하여, 365 nm의 자외선을 유리판 표면에 의 조사 강도가 40 mW/cm2가 되도록 조도를 조절하여 2 분간 조사하였다.
(유리판의 박리 공정)
실리콘 웨이퍼를 고정하여 유리판을 양면 점착 테이프로부터 박리하였다. 또한, 유리판은 양면 점착 테이프로부터 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
(웨이퍼의 박리 공정)
양면 점착 테이프의 말단을 잡고 뒤집으면서 양면 점착 테이프를 박리하였다.
(다이싱 공정)
계속해서, 다이싱 테이프로 보강된 실리콘 웨이퍼를 다이싱 장치에 부착하고, 웨이퍼측에서 커터 날을 삽입하여 실리콘 웨이퍼를 IC 칩의 크기로 절단하였다. 계속해서, 다이싱 테이프로부터 IC 칩을 박리하여 IC 칩을 추출하였다.
<실시예 6>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 1에서 제조한 점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 40 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 이 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다.
또한, 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리 하고, 2,2'-아조비스-(N 일부틸-2-메틸프로피온아미드)를 5 중량％의 농도로 제조한 메틸에틸케톤 용액을 점착제(5)층의 표면이 충분히 젖을 때까지 남김없이 분무하였다. 반복하여 3 회 분무한 후 110 ℃에서 5 분간 가열을 행하였다. 이에 의해 점착제(1)층의 표면에는 담황색의 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)의 석출 입자가 부착되어 있었다.
계속해서, 이 석출 입자가 부착된 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 부착시키고, 석출 입자를 점착제층에 압입하여 논서포트 유형의 양면 점착 테이프 6을 얻었다. 또한, 점착제 표면에 부착된 석출 입자는 잠시 후면 점착제에 용해되어 점착제층에 흡수되었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 6을 이용하여, 양면 점착 테이프 6의 석출 입자가 부착된 점착제(1)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 점착제(2)층을 유리판에 접착하여, 실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 7>
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(2)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점 착성을 나타내었다. 다음으로, 점착제(2)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 접착시켰다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다.
계속해서, 점착제(1)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(1)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(1)층을 설치하고 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(1)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하여, 점착제(2)층이 형성된 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(2)층과 접합시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다. 이에 의해 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 한쪽 면에 점착제(1)층이 형성되어 있고, 다른 쪽의 면에 점착제(1)층의 표층 부분에 점착제(2)를 포함하는 프라이머층이 형성된 양면 점착 테이프 7을 얻었다.
<IC 칩의 제조>
진공 적층기(진공 어플리케이터 724, 니찌고 모드사 제조)의 진공 챔버 안에 도 1에 나타낸 장치를 설치한 것을 사용하고, 이하와 같이 하여 실리콘 웨이퍼와 유리판을 접합시켰다. 이 진공 적층기는 상하 방향으로 압착 가능한 압착 장치를 구비한 진공 챔버가 설치되어 있고, 상기 압착 장치는 하면의 압착판이 고정되어 있고, 상면의 압착판은 공기압으로 풍선이 팽창됨으로써 이것에 고정된 지지판이 하강하도록 되어 있다. 또한, 도 1에 나타낸 장치의 스페이서로서는, 폴리올레핀 수지의 독립 기포 발포체를 포함하는 것을 사용하였다.
우선, 양면 점착 테이프 7의 점착제(2)층을 보호하는 PET 필름을 박리하고, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 지지 테이프를 붙여, 이것을 진공 적층기의 진공 챔버 내에 설치된 도 1에 나타낸 장치의 소정의 위치에 놓은 후, 엠보싱 가공이 실시된 점착제(1)층을 보호하는 PET 필름을 박리하였다. 계속해서, 직경 20.4 cm의 유리판을 도 1에 나타낸 장치의 소정의 위치에 두었다. 이 상태에서, 진공 챔버의 공기를 배출하여 챔버 내를 진공 환경으로 만든 후, 상면의 풍선을 부풀려 유리판을 하강시킴으로써 실리콘 웨이퍼와 유리판을 접합시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정, 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 8>
<점착제의 제조>
하기 화합물을 환류 냉각기, 교반기, 온도계 및 적하 깔대기가 설치된 플라스크 중에 투입하고, 과산화벤조일의 크실렌 용액(과산화벤조일 0.05 중량부 및 크실렌 3.7 중량부를 혼합한 것)을 적하하여, 환류하에 30 분간 반응시킨 시점에 과산화벤조일의 크실렌 희석 용액(과산화벤조일 0.03 중량부 및 크실렌 3 중량부를 혼합한 것)을 적하하였다. 계속해서 5 시간 반응시킨 후, 과산화벤조일의 크실렌 희석 용액(과산화벤조일 0.03 중량부 및 크실렌 3 중량부를 혼합한 것)을 더 적하하여 2 시간 숙성하였다. 얻어진 아크릴 점착제의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 폴리이소시아네이트 1 중량부를 첨가하여 점착제(5)의 아세트산에틸 용액을 제조하였다.
부틸아크릴레이트 38 중량부
2-에틸헥실아크릴레이트 55 중량부
에틸아크릴레이트 4 중량부
아크릴아미드 3 중량부
아세트산에틸 85 중량부
한편, 하기 화합물을 아세트산에틸에 용해시키고, 자외선을 조사하여 중합을 행하여 중량 평균 분자량 70만의 아크릴 공중합체를 얻었다.
얻어진 아크릴 공중합체를 포함하는 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 20 중량부, 벤조페논 0.5 중량부, 폴리이소시아네이트 0.3 중량부를 혼합하여 점착제(6)의 아세트산에틸 용액을 제조하였다.
부틸아크릴레이트 79 중량부
에틸아크릴레이트 15 중량부
아크릴산 1 중량부
2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부
광중합 개시제 0.2 중량부
(이루가큐어 651, 50 ％ 아세트산에틸 용액)
라우릴머캅탄 0.01 중량부
또한, 점착제(6)의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드) 100 중량부 혼합하여 기체 발생제를 함유하는 점착제(7)을 제조하였다.
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(5)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(5)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(7)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(7)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
다음으로, 점착제(5)층을 설치한 PET 필름의 점착제(5)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(7)층을 설치한 PET 필름의 점착제(7)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프 8을 얻었다. 양면 점착 테이프 8의 점착제층은 모두 투명하였다.
<IC 칩의 제조>
직경 20 cm의 원형으로 절단한 양면 점착 테이프 8의 점착제(7)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 접착시켰다. 다음으로, 점착제(5)층을 보호하는 PET 필름을 박리하고, 점착제(5)층의 거의 전체 면에 수막이 형성되도록 물을 공급한 후, 직경 20.4 cm의 유리판을 점착제층의 말단부터 접착시켜 수막을 밀어내면서 서서히 접착시켰다. 여기서, 유리판의 중심과 실리콘 웨이퍼의 중심을 맞추어서 위치를 수정하면서 접합시켰다. 점착제의 표면에 수막이 형성되어 있기 때문에 강하게 접착하지 않으면 접합 위치의 수정은 비교적 용이하여, 점착제층의 표면에 수막을 형성하면 접착 위치의 조정을 용이 하게 행할 수 있다는 효과도 볼 수 있었다. 유리판을 통해 접착면을 관찰하면, 물이 뒤로 밀려지면서 접착되기 때문에 접착면에 기포의 혼입은 볼 수 없고, 대부분의 물이 뒤로 밀렸기 때문에 접착면에 잔류하는 물도 잠시 후에는 점착제에 흡수되었다. 또한, 접착면은 접착 직후에 강하게 접착되었다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 9>
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(5)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(5)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행 하였다.
다음으로, 점착제(5)층을 설치한 PET 막의 점착제(5)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프 9를 얻었다.
실시예 8에서 제조한 점착제(7)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(7)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
상기 양면 점착 테이프 9의 점착제(5)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하여, 점착제(5)층과 상기 점착제(7)층이 설치된 PET 필름의 점착제(7)층의 면을 접합시켰다.
이에 의해 점착제층이 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 점착제(6)층의 표층 부분에 점착제(7)을 포함하는 프라이머층을 갖는 양면 점착 테이프 9를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 9를 이용하여, 양면 점착 테이프 9의 점착제(7)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 점착제(5)층을 유리판에 접착시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정, 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 10>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 9에서 제조한 양면 점착 테이프 9의 점착제(6)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하고, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)를 5 중량％의 농도로 제조한 메틸에틸케톤 용액을 점착제(6)층의 표면이 충분히 젖을 때까지 남김없이 분무하였다. 반복하여 3 회 분무를 행한 후 110 ℃에서 5 분간 가열을 행하였다. 이에 의해 점착제(6)층의 표면에는 담황색의 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)의 석출 입자가 부착되어 있었다.
계속해서, 이 석출 입자가 부착된 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 부착시키고, 석출 입자를 점착제층에 압입하여 양면 점착 테이프 10을 얻었다. 또한, 점착제 표면에 부착한 석출 입자는 잠시 후면 점착제에 용해하여 점착제층에 흡수되었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 10을 이용하여, 양면 점착 테이프 10의 석출 입자가 부착된 점착제(6)층을 실리콘 웨이퍼에 접착하여, 점착제(5)층을 유리판에 접착시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
<실시예 11>
<점착제의 제조>
실시예 8에서 제조한 점착제(6)의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드) 100 중량부 혼합하여 기체 발생제를 함유하는 점착제(8)을 제조하였다.
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(8)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(8)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
실시예 8에서 제조한 점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 정치하여 용제를 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 점착성을 나타내었다.
계속해서, 점착제(8)층을 설치한 PET 막의 점착제(8)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프 11를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 11를 이용하여, 양면 점착 테이프 11의 점착제(6)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 점착제(6)층을 유리판에 접착한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 웨이퍼를 유리판에 고정하여 연마 공정을 행하였다.
자외선을 1 분간 조사한 후, 실리콘 웨이퍼를 고정하여 유리판을 양면 점착 테이프로부터 박리하였다. 또한, 유리판은 양면 점착 테이프로부터 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다. 계속해서, 자외선을 1 분간 더 조사한 후, 양면 점착 테이프의 말단을 잡아 당겨 벗김으로써 양면 점착 테이프를 박리하고, 마지막으로 다이싱 공정을 행하였다.
<실시예 12>
<양면 점착 테이프의 제조>
실시예 11에서 제조한 점착제(8)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(8)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
한편, 점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
다음으로, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 한쪽 면의 점착제(6)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하여, 점착제(8)층이 형성된 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(8)층과 접합시켰다.
이에 의해 점착제층이 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 점착제(6)층의 표층 부분에 점착제(8)을 포함하는 프라이머층을 갖는 양면 점착 테이프 12를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 12를 이용하여, 양면 점착 테이프 12의 점착제(6)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 점착제(8)층을 유리판에 접착시킨 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 웨이퍼를 유리판에 고정하여 연마 공정을 행하였다.
자외선을 1 분간 조사한 후, 실리콘 웨이퍼를 고정하여 유리판을 양면 점착 테이프로부터 박리하였다. 또한, 유리판은 양면 점착 테이프로부터 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다. 계속해서, 자외선을 1 분간 더 조사한 후, 양면 점착 테이프의 말단을 잡아 당겨 벗김으로써 양면 점착 테이프를 박리하고, 마지막으로 다이싱 공정을 행하였다.
<실시예 13>
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 12 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화하였다.
점착제(6)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(6)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3 일간 정치하여 경화를 행하였다.
다음으로, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(6)층을 설치한 PET 필름의 점착제(6)층의 면을 접합시켰다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 한쪽 면의 점착제(6)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하고, 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)를 5 중량％의 농도로 제조한 메틸에틸케톤 용액을 점착제(2)층의 표면이 충분히 젖을 때까지 남김없이 분무하였다. 반복하여 3 회 분무를 행한 후 110 ℃에서 5 분간 가열을 행하였다. 점착제(6)층의 표면에는 담황색의 2,2'-아조비스-(N-부틸-2-메틸프로피온아미드)의 석출 입자가 부착되어 있었다.
계속해서, 석출 입자가 부착된 점착제(6)층에 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 부착시키고, 석출 입자를 점착제층에 압입하여 양면 점착 테이프 13을 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 13을 이용하여, 양면 점착 테이프 13의 점착제(6)층을 실리콘 웨이퍼에 접착시키고, 석출 입자가 부착된 점착제(6)층을 유리판에 접착시킨 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 웨이퍼를 유리판에 고정하여 연마 공정을 행하였다.
자외선을 1 분간 조사한 후, 실리콘 웨이퍼를 고정하여 유리판을 양면 점착 테이프로부터 박리하였다. 또한, 유리판은 양면 점착 테이프로부터 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다. 계속해서, 자외선을 1 분간 더 조사한 후, 양면 점착 테이프의 말단을 잡아 당겨 벗김으로써 양면 점착 테이프를 박리하고, 마지막으로 다이싱 공정을 행하였다.
<실시예 14>
<점착제의 제조>
점착제(1)의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄 100 중량부를 혼합하여, 광분해성 아지드 화합물을 함유하는 점착제(9)를 제조하였다.
<양면 점착 테이프의 제조>
점착제(9)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 10 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(9)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 양면에 코로나 처리를 실시한 두께 100 ㎛의 투명한 PET 필름의 한쪽 면에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후 의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 한 면에 이형 처리가 실시된 엠보싱 PET의 요철 모양측의 면을 강하게 압박하면서 접착시켰다. 이에 의해, 점착제(1)층의 표면에 요철 모양이 전사되었다.
점착제(1)의 아세트산에틸 용액을, 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름 위에 건조 피막의 두께가 약 15 ㎛가 되도록 닥터 나이프로 도장하고, 110 ℃에서 5 분간 가열하여 용제를 휘발시켜 도장 용액을 건조시켰다. 건조 후의 점착제층은 건조 상태에서 점착성을 나타내었다. 계속해서, 점착제(1)층의 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 접착시켰다.
계속해서, 점착제(1)층을 설치하고 코로나 처리를 실시한 PET 필름의 점착제(1)층이 없고 코로나 처리를 실시한 면과, 점착제(1)층을 설치하고 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(1)층의 면을 접합시켰다. 그 후, 40 ℃에서 3일간 정치하여 경화하였다. 이에 의해 양면에 점착제층이 설치되고, 그의 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호된 양면 점착 테이프를 얻었다.
이 양면 점착 테이프의 엠보싱 가공이 실시되어 있지 않은 측의 점착제(1)층을 보호하는 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름을 박리하여, 점착제(2)층이 형성된 표면에 이형 처리가 실시된 PET 필름의 점착제(2)층과 접합시켰다. 이에 의해 표면이 이형 처리가 실시된 PET 필름으로 보호되고, 한쪽 면에 엠보싱 가공이 실시된 점착제(1)층이 형성되어 있고, 다른 쪽의 면에 점착제(1)층의 표층 부분에 점착제(9)를 포함하는 프라이머층이 형성된 양면 점착 테이프 14를 얻었다.
<IC 칩의 제조>
양면 점착 테이프 14의 점착제(9)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm, 두께 약 750 ㎛의 실리콘 웨이퍼에 접착시켰다. 다음으로, 엠보싱 가공이 실시된 점착제(1)층을 보호하는 PET 필름을 박리하여, 직경 20 cm의 유리판에 접착시켰다.
실시예 1과 동일하게 하여 연마 공정, UV 조사 공정, 웨이퍼의 박리 공정 및 다이싱 공정을 행하여 IC 칩을 얻었다. 또한, 웨이퍼의 박리 공정에서, 양면 점착 테이프는 발생한 기체에 의해 밀려 올라가 부상함으로써 저절로 박리되었다.
(IC 칩의 제조에서의 각 양면 점착 테이프의 성능 평가)
실시예에서 제조한 어떤 양면 점착 테이프를 사용한 경우에도, 지지판과의 접착에서 접착면에 기포의 혼입은 관찰되지 않고 접착 직후에 강한 점착력이 얻어져, 연마면이 평활한 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있었다. 또한, 기체 발생제를 함유하는 점착제는 점착력의 저하가 특히 현저하고, 실리콘 웨이퍼나 유리판을 간단하게 박리할 수 있었다.
또한, 먼저 유리판을 박리한 실시예 5, 11, 12 및 13에서는, 매우 쉽게 실리콘 웨이퍼로부터 양면 점착 테이프를 박리할 수 있었다.
본 발명에 따르면, 두께 50 ㎛ 정도의 매우 얇은 웨이퍼에 있어서도 웨이퍼의 파손 등을 방지하여 취급성을 개선하고, 양호하게 IC 칩으로의 가공을 행할 수 있으며, 박리가 용이한 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 IC 칩의 제조 방법을 제 공할 수 있다.

Claims (16)

  1. 적어도 한쪽 면에 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하고, 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키는 자극을 가하면, 기체 발생제로부터 발생한 기체가 양면 점착 테이프와 피착체의 접착면으로 방출되어 접착면의 적어도 일부를 박리함으로써 점착력이 저하되는 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  2. 적어도 한쪽 면에 자극에 의해 기체를 발생하는 기체 발생제를 함유하고, 자극에 의해 탄성률이 상승하는 점착제층을 가지며, 전자 현미경에 의해 상기 기체 발생제를 함유하는 점착제층의 단면을 관찰하였을 때에 기체 발생제를 확인할 수 없는 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기체 발생제가 아조 화합물인 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  4. 제3항에 있어서, 아조 화합물이 화학식 1로 표시되는 아조아미드 화합물인 것을 특징으로 하는 접착성 물질인 양면 점착 테이프.
    <화학식 1>
    Figure 112008056464052-pct00003
    상기 식 중, R1 및 R2는 각각 동일하거나 다른 탄소수 1 내지 5의 알킬기를 나타내고, R3은 탄소수 2 이상의 포화 알킬기를 나타낸다.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기체 발생제가 아지드 화합물인 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기체 발생제가 표면 부분에만 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  7. 삭제
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기체 발생제를 함유하는 점착제가, 자극에 의해 점착력이 저하되는 것인 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 한쪽 면이 엠보싱 가공이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 한쪽 면이 흡수 가능한 점착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 점착 테이프.
  11. 적어도,
    제1항 또는 제2항에 기재된 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정,
    상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정,
    상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및
    상기 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하며,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 웨이퍼와 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
  12. 적어도,
    제1항 또는 제2항에 기재된 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정,
    상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정,
    상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정,
    상기 웨이퍼에 접착된 상기 양면 점착 테이프로부터 상기 지지판을 박리하는 공정, 및
    상기 웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하며,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 지지판과 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
  13. 적어도,
    제9항에 기재된 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정,
    상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정,
    상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및
    웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하며,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 지지판과 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키고,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 상기 양면 점착 테이프의 엠보싱 가공이 실시된 면과 지지판을 접합시키는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정이, 상기 웨이퍼와 상기 지지판 중 어느 한쪽에 상기 양면 점착 테이프를 접착한 후에, 또는 상기 웨이퍼와 상기 지지판과의 접합 위치에 상기 양면 점착 테이프를 설치하고, 진공 용기 내에서 감압한 상태로 상기 웨이퍼와 상기 지지판을 양면 점착 테이프를 통해 접합시키는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 진공 용기 내에서의 감압이, 상기 웨이퍼와 상기 지지판이 떨어진 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
  16. 적어도,
    제10항에 기재된 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정,
    상기 웨이퍼를 상기 양면 점착 테이프를 통해 상기 지지판에 고정시킨 상태로 연마하는 공정,
    상기 양면 점착 테이프에 자극을 가하는 공정, 및
    웨이퍼로부터 상기 양면 점착 테이프를 박리하는 공정을 포함하며,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 적어도 상기 지지판과 접합되는 상기 양면 점착 테이프의 면에는 기체 발생제를 함유시키고,
    상기 양면 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 공정에서, 상기 양면 점착 테이프의 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합, 및 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면과 지지판과의 접합은, 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면을 물로 적신 후에 또한 물이 완전히 상기 흡수 가능한 점착제를 포함하는 면에 흡수되기 전에 행하는 것을 특징으로 하는 IC 칩의 제조 방법.
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