JP2003171624A - 支持テープ - Google Patents

支持テープ

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JP2003171624A JP2001370760A JP2001370760A JP2003171624A JP 2003171624 A JP2003171624 A JP 2003171624A JP 2001370760 A JP2001370760 A JP 2001370760A JP 2001370760 A JP2001370760 A JP 2001370760A JP 2003171624 A JP2003171624 A JP 2003171624A
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聡史 林
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滋 檀上
Yasuhiko Oyama
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 支持板にウエハを平面性よく支持することに
より、厚さ50μm程度の極めて薄いウエハであっても
ウエハの破損を低減でき、研磨面が平滑な半導体ウエハ
薄膜及びICチップを得られる支持テープを提供する。 【解決手段】 両面に粘着剤層を有する粘着性ノンサポ
ートテープ又は基材の両面に粘着剤層が形成されてなる
両面粘着テープからなる支持テープであって、前記粘着
剤層は、目視により確認できる大きさの異物を含有しな
いものであり、前記粘着剤層の少なくとも一方は、刺激
を付与されることにより粘着力が低下する粘着剤からな
る支持テープ。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、厚さ50μm程度
の極めて薄いウエハであってもウエハの破損を低減で
き、研磨面が平滑な半導体ウエハ薄膜及びICチップを
得られる支持テープに関する。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路(ICチップ)は、通常
高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたの
ち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路
パターンを形成して、次いでウエハ裏面を研磨機により
研磨して、ウエハの厚さを100〜600μm程度まで
薄くし、最後にダイシングしてチップ化することによ
り、製造されている。 【0003】ここで、上記研磨時には、ウエハ表面に粘
着シート類(研磨用テープ)を貼り付けて、ウエハの破
損を防止したり、研磨加工を容易にしており、ダイシン
グ時には、ウエハ裏面側に粘着シート類(ダイシングテ
ープ)を貼り付けて、ウエハを接着固定した状態でダイ
シングし、形成されたチップをダイシングテープのフィ
ルム基材側よりニードルで突き上げてピックアップし、
ダイパッド上に固定させている。 【0004】近年、ICチップの用途が広がるにつれ
て、ICカード類に用いたり、積層して使用したりする
ことができる厚さ50μm程度の極めて薄い半導体ウエ
ハも要求されるようになってきた。しかしながら、厚さ
が50μm程度の半導体ウエハは、従来の厚さが100
〜600μm程度の半導体ウエハに比べて反りが大きく
衝撃により割れやすくなるので取扱性に劣り、従来の半
導体ウエハと同様に加工しようとすると、破損する場合
がある。 【0005】厚さが50μm程度の半導体ウエハは、衝
撃を受けやすい研磨工程又はダイシング工程で破損する
危険性が高く、また、ICチップの電極上にバンプを作
製する際にも破損しやすいため歩留まりが悪い。このた
め、厚さ50μm程度の薄い半導体ウエハからICチッ
プを製造する過程におけるウエハの取扱性の向上が重要
な課題となっていた。 【0006】これに対して、支持テープを介してウエハ
を支持板に貼り付け、支持板に固定した状態で研磨を行
う方法が提案されている。この方法によれば、ウエハの
取扱性が向上し、厚さ50μm程度の薄い半導体ウエハ
及びICチップを歩留りよく製造することができる。 【0007】しかしながら、この方法では、支持テープ
の表面に形成された粘着剤層に異物が混入すると、異物
が存在する部分は粘弾性特性が異なるため、粘着剤層の
粘弾性特性が不均一となってウエハ形状が歪み、研磨し
た際に研磨ムラが生じて平滑な研磨面が得られなかった
り、歪みが大きい場合にはウエハが割れてしまったりす
る問題点があった。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、厚さ50μm程度の極めて薄いウエハであっても
ウエハの破損を低減でき、研磨面が平滑な半導体ウエハ
薄膜及びICチップを得られる支持テープを提供するこ
とを目的とする。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明は、両面に粘着剤
層を有する粘着性ノンサポートテープ又は基材の両面に
粘着剤層が形成されてなる両面粘着テープからなる支持
テープであって、前記粘着剤層は、目視により確認でき
る大きさの異物を含有しないものであり、前記粘着剤層
の少なくとも一方は、刺激を付与されることにより粘着
力が低下する粘着剤からなる支持テープである。以下に
本発明を詳述する。 【0010】本発明の支持テープは、両面に粘着剤層を
有する粘着性ノンサポートテープ又は基材の両面に粘着
剤層が形成されてなる両面粘着テープからなるものであ
る。本明細書において、ノンサポートテープとは、基材
を有さない粘着剤層のみからなるものをいい、1層のみ
の粘着剤層からなるものであっても、複数の層からなる
ものであってもかまわない。上記ノンサポートテープが
1層のみの粘着剤層からなる場合とは、例えば、後述の
説明において粘着剤(A)層と粘着剤(B)層とが同一
である場合である。 【0011】上記基材としては特に限定されないが、上
記粘着剤層の少なくとも一方が光による刺激を付与され
ることにより粘着力が低下する粘着剤からなる場合に
は、光を透過又は通過することができるものであること
が好ましい。上記光を透過又は通過することができる基
材としては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカー
ボネート、塩化ビニル、ABS、PET、ナイロン、ウ
レタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網
目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が
挙げられる。 【0012】上記粘着剤層は、目視により確認できる大
きさの異物を含有しないものである。なお、本明細書に
おいて、上記目視により確認できる大きさとは、顕微鏡
等を用いることなく人の目で確認できる大きさ、すなわ
ち一般には長径が10μmを超える程度の大きさを意味
する。また、上記異物としては、粘着剤層の粘弾性特性
を不均一にする要因となる物質からなる粒子であれば特
に限定されず、例えば、粘着剤層を形成する粘着剤成分
以外の物質からなる粒子及び上記粘着剤成分が変質した
ゲル状物質からなる粒子等が挙げられる。 【0013】本発明の支持テープは、粘着剤層につい
て、目視により確認できる大きさの異物を含有しないと
いう基準を設けているが、支持テープにおいて粘着剤層
に異物が混入していると、異物が存在する部分は粘弾性
特性が異なるので粘着剤層の粘弾性特性が不均一とな
り、ウエハを支持板に保持して研磨する際にウエハ形状
が歪み研磨面に凹凸を生じる。このため、厚さが100
μm程度までのウエハに対しては、従来の基準でも充分
に平滑な研磨面が得られていたが、厚さ50μm程度の
極めて薄いウエハを作製する際には、研磨ムラが生じて
平滑な研磨面が得られなかったり、歪みが大きい場合に
はウエハが割れてしまったりすることがある。そこで、
本発明者らは、鋭意検討した結果、上述のような基準を
設けることで平滑な研磨面が得られることを見い出し
た。 【0014】目視により確認できる大きさの異物を含有
しない粘着剤層を形成するには、粘着剤層を形成するの
に用いる粘着剤中の異物を徹底的に除去する必要があ
り、例えば、粘着剤の製造工程において異物が混入しな
いよう注意することに加え、粘着剤層を塗工により形成
する際には、塗工する前に粘着剤溶液を目の細かいフィ
ルタで濾過することにより達成できる。上記フィルタと
しては特に限定されないが、10μm以下の孔径である
ことが好ましい。 【0015】上記粘着剤層の少なくとも一方は、刺激が
付与されることにより粘着力が低下する粘着剤(以下、
粘着剤(A)ともいう)からなるものである。上記刺激
としては特に限定されないが、例えば、紫外線や可視光
線等の光、及び、熱等が好ましい。上記粘着剤(A)は
刺激が付与されることにより粘着力が低下するので、粘
着剤(A)層にこれらの刺激を付与することにより容易
に被着体を剥離することができる。また、上記粘着剤
(A)は、刺激として光を用いる場合には、光が透過又
は通過できるものであることが好ましい。 【0016】上記粘着剤(A)としては、例えば、分子
内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル
酸アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキル
エステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官
能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じ
て光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内
にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸
アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキルエ
ステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能
オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤
を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられ
る。 【0017】このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘
着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱により粘
着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化
するため、重合硬化による弾性率の増加が著しくなり、
粘着力が大きく低下する。したがって、ダイシングテー
プをウエハに貼り付ける工程のあと、粘着剤(A)層に
光の照射又は加熱を行えば、粘着剤(A)層の粘着性は
ほとんど失われ、半導体ウエハを容易に剥離することが
できる。 【0018】上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に
官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官
能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらか
じめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基と
ラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、
官能基含有不飽和化合物という)と反応させることによ
り得ることができる。 【0019】上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマ
ーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の
(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル
基の炭素数が通常2〜18の範囲にあるアクリル酸アル
キルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステル
を主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に
必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマー
とを常法により共重合させることにより得られるもので
ある。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重
量平均分子量は通常20万〜200万程度である。 【0020】上記官能基含有モノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有
モノマー;アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸
ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー;ア
クリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポ
キシ基含有モノマー;アクリル酸イソシアネートエチ
ル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネ
ート基含有モノマー;アクリル酸アミノエチル、メタク
リル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げ
られる。 【0021】上記共重合可能な他の改質用モノマーとし
ては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられて
いる各種のモノマーが挙げられる。 【0022】上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマ
ーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能
基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上
述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。
例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの
官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能
基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボ
キシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含
有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエ
ポキシ基含有モノマーが用いられる。 【0023】上記多官能オリゴマー又はモノマーとして
は、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ま
しくは光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よ
くなされるように、その分子量が5,000以下でかつ
分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限は2、
上限は6個である。このようなより好ましい多官能オリ
ゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロール
プロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテ
トラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上
記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、
1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−
ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレー
ト、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これ
らの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられ
てもよく、2種以上が併用されてもよい。 【0024】上記光重合開始剤としては、例えば、25
0〜800nmの波長の光を照射することにより活性化
されるものが挙げられ、このような光重合開始剤として
は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノ
ン誘導体化合物;ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾ
インイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合
物;ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチ
ルケタール等のケタール誘導体化合物;フォスフィンオ
キシド誘導体化合物;ビス(η5−シクロペンタジエニ
ル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2
−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重
合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独
で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 【0025】上記熱重合開始剤としては、熱により分解
し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが
挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイ
ド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオ
キシベンゾエール、t−ブチルハイドロパーオキサイ
ド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオ
キサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサ
イド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−
ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分
解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイ
ド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブ
チルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開
始剤のうち市販されているものとしては特に限定されな
いが、例えば、パーブチルD、パーブチルH、パーブチ
ルP、パーメンタH(以上いずれも日本油脂社製)等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられて
もよく、2種以上が併用されてもよい。 【0026】上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほ
か、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望に
よりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ
化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化
合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面
活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加
えることもできる。 【0027】上記粘着剤(A)は刺激により気体を発生
する気体発生剤を含有していることが好ましい。上記気
体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化
合物、アジド化合物が好適に用いられる。 【0028】上記アゾ化合物としては、例えば、2,
2’−アゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオン
アミド)、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−
[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシ
エチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス{2
−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プロ
ピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N
−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,
2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチル
プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル
−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス
(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミ
ド)、2,2’−アゾビス[2−(5−メチル−2−イ
ミダゾイリン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロラ
イド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾイリン
−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,
2’−アゾビス[2−(2−イミダゾイリン−2−イ
ル)プロパン]ジサルフェイトジハイドロレート、2,
2’−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラハイド
ロピリミジン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロラ
イド、2,2’−アゾビス{2−[1−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−イミダゾイリン−2−イル]プロパ
ン}ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−
(2−イミダゾイリン−2−イル)プロパン]、2,
2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミダイン)ハ
イドロクロライド、2,2’−アゾビス(2−アミノプ
ロパン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス
[N−(2−カルボキシアシル)−2−メチル−プロピ
オンアミダイン]、2,2’−アゾビス{2−[N−
(2−カルボキシエチル)アミダイン]プロパン}、
2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミドオキ
シム)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロ
ピオネート)、ジメチル2,2’−アゾビスイソブチレ
ート、4,4’−アゾビス(4−シアンカルボニックア
シッド)、4,4’−アゾビス(4−シアノペンタノイ
ックアシッド)、2,2’−アゾビス(2,4,4−ト
リメチルペンタン)等が挙げられる。なかでも2,2’
−アゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミ
ド)、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプ
ロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−シクロヘ
キシル−2−メチルプロピオンアミド)が好適である。
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素
ガスを発生する。 【0029】上記アジド化合物としては、例えば、3−
アジドメチル−3−メチルオキセタン、テレフタルアジ
ド、p−tert−ブチルベンズアジド;3−アジドメ
チル−3−メチルオキセタンを開環重合することにより
得られるグリシジルアジドポリマーなどのアジド基を有
するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物
も、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生
する。 【0030】これらの気体発生剤のうち、上記アジド化
合物は衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素
ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという
問題がある。更に、上記アジド化合物は、いったん分解
が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出
しその制御ができないことから、爆発的に発生した窒素
ガスによってウエハが損傷することがあるという問題も
ある。かかる問題から上記アジド化合物の使用量は限定
されるが、限定された使用量では充分な効果が得られな
いことがある。一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物
とは異なり衝撃によっては気体を発生しないことから取
り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして
爆発的に気体を発生することもないためウエハを損傷す
ることもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断
できることから、用途に合わせた接着性の制御が可能で
あるという利点もある。したがって、上記気体発生剤と
しては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。 【0031】上記粘着剤(A)層が気体発生剤を含有す
ると、刺激を付与することにより粘着剤(A)が重合硬
化して粘着力が低下させると同時に粘着剤(A)層中の
気体発生剤から気体が発生させることで、粘着力が更に
低下し、被着体をより一層容易に剥離することができ
る。 【0032】また、気体発生剤は粘着剤層に分散されて
あってもよいが、気体発生剤を粘着剤層に分散させてお
くと粘着剤層全体が発泡体となり柔らかくなるため、刺
激を付与することにより粘着剤層を硬くして粘着力を低
下させるという粘着剤(A)の粘着力低減機構がうまく
働かなくなる場合がある。したがって、ウエハと接する
粘着剤層の表層部分にのみ含有させておくことが好まし
い。表層部分にのみ含有させておけば、刺激により粘着
剤層を充分に硬くすることができるとともに、ウエハと
接する粘着剤の表層部分では気体発生剤が気体を発生し
て界面の接着面積が減少しなおかつ気体発生剤より生じ
た気体は界面に圧力を生み粘着剤を剥離させるような力
を生む。 【0033】上記粘着剤層の表層部分にのみ気体発生剤
を含有させる方法としては、例えば、予め1〜20μm
程度の厚さの気体発生剤を含有する粘着剤層を作製しこ
れを支持テープの粘着剤(A)層と貼り合わせる方法、
支持テープの粘着剤(A)層の上に1〜20μm程度の
厚さで気体発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法、予
め作製した支持テープの粘着剤(A)層の表面に気体発
生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等によ
って吹き付けることにより粘着剤表面に気体発生剤を均
一に付着させる方法等が挙げられる。 【0034】また、粘着剤表面に気体発生剤を付着させ
る場合は、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着さ
せることが好ましい。すなわち、粘着剤表面に気体発生
剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生
剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘
着剤層に吸収され粘着力が低下することがない。なお、
上記表層部分とは、粘着剤層の厚さによるが、粘着剤表
面から20μmまでの部分であることが好ましい。ま
た、ここでいう表層部分には粘着剤表面に気体発生剤が
均一に付着していている態様や粘着剤表面に付着した気
体発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に吸収された態様を
含む。 【0035】ただし、ウエハの表面に壊れやすい回路が
形成されている場合には、粘着剤(A)層は、気体発生
剤を含有しない方が好ましい。気体発生剤より生じた気
体の圧力によりウエハ表面に形成された回路が壊れる可
能性があるからである。 【0036】上記粘着剤(A)は公知の方法により基材
表面に塗布される。上記粘着剤(A)層の厚さとしては
特に限定されないが、好ましい下限は5μm、上限は1
00μmであり、より好ましい下限は10μm、上限は
30μmである。上記支持テープは、支持板と貼り合わ
せるまでの間、保管を容易にするため粘着剤(A)層の
表面を離型フィルムで覆っておくことが好ましい。上記
粘着剤(A)層の形成される基材の面としては、ウエハ
と接する面であることが好ましく、両面であってもよ
い。 【0037】本発明の支持テープにおいては、基材の少
なくとも一面には粘着剤(A)層が形成されるが、他の
一面に形成される粘着剤層は粘着剤(A)からなるもの
であっても、粘着剤(A)と異なる粘着剤(以下、粘着
剤(B)ともいう)からなるものであってもよい。上記
粘着剤(B)としては粘着性を有するものであれば特に
限定されない。 【0038】本発明の支持テープにおいては、少なくと
も支持板と接する面の粘着剤層にはエンボス加工が施さ
れていることが好ましい。なお、本明細書においてエン
ボス加工とは、表面に凹凸模様をつけることをいう。な
お、エンボス加工はウエハと接する面の粘着剤層にも施
されてもかまわない。 【0039】従来の支持テープを用いてウエハと支持板
とを接着する場合、支持テープと支持板との間に気泡を
巻きこむ、いわゆるエア溜まりが起こることがあった。
エア溜まりが起こると粘着剤層は気泡の分だけ厚さが増
し、気泡を巻きこんだ部分の粘着剤層の厚さが他の部分
の厚さより厚くなるため、ウエハ形状が歪み平滑な研磨
面が得られなかったり、歪みが大きいと歪みがかかった
箇所を研磨したときウエハが割れてしまったりする問題
点があった。 【0040】本発明の支持テープは、少なくとも支持板
と接する面の粘着剤層にエンボス加工が施されている場
合には、被着体は凹凸模様の突出している部分で支えら
れ、気泡はエンボス模様の溝にのみあるため、気泡によ
って部分的に粘着剤層の厚さが厚くなるようなことがな
い。本発明の支持テープは均一な厚みで形成されており
支持板とウエハとの間隔を一定に保っているので支持板
に取り付けられたウエハが支持された状態で研磨される
と平滑な研磨面が得られる。更に、上述のように支持板
と接する面の粘着剤層にエンボス加工が施されている場
合には、被着体が凹凸模様の凸部で支えられることによ
り、エンボス模様がクッションの役割を果たしてウエハ
を研磨する際の圧力が分散されるため、より薄いウエハ
を効率的に得ることができる。 【0041】上記エンボス加工を施すことにより粘着剤
層に形成される凹凸模様としては、被着体を凹凸模様の
凸部で平面性よく支えられる形状であれば特に限定され
ない。このような凹凸模様としては、例えば、粘着剤層
の全面にわたって形成されており、形成される溝のほぼ
全体が連続しているランダムな凹凸模様や規則的な凹凸
模様等が挙げられる。なかでも、凸部が100μm以下
の間隔で並んだ凹凸模様が好ましい。支持テープを用い
て支持板に接着したウエハを研磨する場合、ウエハの凹
凸模様の凸部で支えられているところと支えられていな
いところとでは研磨する際にかかる圧力が異なるため、
研磨後のウエハに支持テープの凹凸模様に対応した模様
が形成され研磨ムラが生じることがある。凸部が100
μm以下の間隔で並んだ凹凸模様であると、かかる研磨
ムラを実用上問題のないレベルにまで抑制することがで
きる。具体的には、例えば、点、直線、円弧等が粘着剤
(B)層の全面にわたって100μm以下の間隔で連続
的に並んだ凹凸模様等が挙げられる。 【0042】上記エンボス加工の方法としては特に限定
されず、例えば、エンボスシート、エンボス板、エンボ
スロール等を粘着剤層に押し当てることにより凹凸模様
を粘着剤層に転写する方法等が挙げられる。上記の凸部
が100μm以下の間隔で並んだ凹凸模様を得るために
は、例えば、微細な砂を吹き付けて表面を研磨すること
により微細な凹凸模様を形成するサンドブラスト法;表
面に炭酸カルシウム等の微細なフィラーを含有するプラ
イマー層を形成させた後、表面をプライマー層は溶解し
ないがフィラーは溶解する溶剤で洗浄する等によりフィ
ラーを除くことにより微細な凹凸模様を形成するフィラ
ー法等が挙げられる。 【0043】本発明の支持テープの用途としては特に限
定されないが、例えば、厚さ50μm程度の極めて薄い
ウエハをICチップに加工する際に用いれば、ウエハの
破損を防ぎ、良好な加工を担保することができる。上記
ウエハとしては、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の
半導体からなるものが挙げられる。上記ウエハの厚さと
しては特に限定されないが、ウエハが薄いほど研磨ムラ
防止及び破損防止の効果が発揮されやすく、研磨後の厚
さが50μm程度、例えば、20〜80μmの厚さの半
導体ウエハである場合に優れた研磨ムラ防止及び破損防
止の効果が発揮される。 【0044】本発明の支持テープを用いてウエハをIC
チップに加工するには、まず、支持テープを介して、ウ
エハを支持板に固定する。この時点でのウエハは、高純
度なシリコン単結晶やガリウム砒素単結晶等をスライス
して半導体ウエハとし、ウエハ表面に所定の回路パター
ンが形成されたものであり、厚さ500μm〜1mm程
度のものである。このウエハを支持板に固定するに際し
ては、ウエハの回路が形成されている面と支持テープと
を貼り合わせる。 【0045】上記支持板としては特に限定されないが、
粘着剤(A)層が刺激として光を用いるものである場合
には、透明な支持板であることが好ましい。上記透明な
支持板としては特に限定されず、例えば、ガラス板;ア
クリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、
ABS、PET、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の
樹脂からなる板状体等が挙げられる。上記支持板の厚さ
の好ましい下限は500μm、上限は3mmであり、よ
り好ましい下限は1mm、上限は2mmである。また、
上記支持板の厚さのばらつきは、1%以下であることが
好ましい。 【0046】上記支持テープを介してウエハを支持板に
固定するには、支持テープの粘着剤(A)層が形成され
た面とウエハとを貼り合わせ、支持テープの粘着剤
(B)層が形成された他の一面と支持板とを貼り合わせ
ることが好ましい。貼り合わせる順番は特に限定されな
いが、例えば、粘着剤(B)層にのみエンボス加工が施
されている場合には、まず粘着剤(A)層とウエハとを
貼り合わせ、次いで、エンボス加工が施された粘着剤
(B)層を介してウエハを支持板に固定する順番が好ま
しい。ウエハを支持板に固定することにより、50μm
程度の非常に薄いウエハが補強されウエハが搬送や加工
される際に欠けたり割れたりすることがない。更に、支
持テープはICチップを製造する一連の工程が終了した
際、刺激を付与することにより容易にICチップから剥
離することができる。 【0047】上記粘着剤層と支持板とを貼り合わせる際
には、エンボス模様の突出している部分による支持が偏
らないように注意して行う。より平面性を保つため、こ
の貼り合わせは真空ラミネータ等を用いて真空環境下で
行うことが好ましい。 【0048】次いで、ウエハを、本発明の支持テープを
介して支持板に固定した状態で研磨する。本発明の支持
テープを用いてウエハを支持板に固定することにより、
研磨時にウエハが支持板に平面性よく保持され、研磨工
程におけるウエハの破損を防止することができ、また、
上述のとおり、凹凸が生じにくいのでウエハを平滑に研
磨することができる。 【0049】続いて、研磨したウエハにダイシングテー
プを貼り付ける。なお、ダイシングテープを貼り付ける
前に、予め絶縁性基板としてポリイミドフイルムをウエ
ハに貼り付けてもよい。 【0050】上記ダイシングテープとしては特に限定さ
れないが、公知の光硬化性粘着テープ等を用いることが
でき、例えば、古河電工社製のAdwill(登録商
標)D−シリーズや、日東電工社製のエレップホルダー
(登録商標)UEシリーズ等のテープが挙げられる。 【0051】続いて上記刺激を粘着剤(A)層に加え
る。加熱又は光を照射することにより粘着剤(A)の粘
着力を低下させることができる。上記刺激として光を用
いる場合には、透明支持板側から光を照射する。次にウ
エハから支持テープ及び支持板を剥離する。このとき、
粘着剤(A)の粘着力は上記刺激を加えたことにより低
下しているので、ウエハ又は支持板から支持テープを容
易に剥離することができる。なお、粘着剤(B)として
上記刺激が付与されることにより粘着力が低下する粘着
剤を用いた場合には、支持テープをウエハから剥離する
に先立って、上記刺激を付与し粘着剤(B)層の粘着力
を低下させてから硬い支持板を支持テープから剥離して
おけば、支持テープは可とう性を有するテープとなりテ
ープをめくりながらウエハから剥がすことができるの
で、より一層容易にウエハから剥離することができる。
なお、工程数が増えるのでウエハの表面に壊れやすい回
路が形成されているウエハからICチップを製造する場
合に行うことが好ましい。また、上記粘着剤が気体発生
剤を含有している場合は、上記刺激の付与により粘着剤
から気体を発生させることにより、同様により一層容易
にウエハを支持テープ及び支持板から剥離することがで
きる。ただし、ウエハと接する面の粘着剤層には、ウエ
ハの表面に壊れやすい回路が形成されている場合は気体
発生剤を含有しない方が好ましい。 【0052】最後に、ダイシングを行う。この工程によ
り、表面に回路が形成されたウエハが、ダイヤモンドカ
ッターでチップに切り分けられる。その大きさは、通常
1辺数100μm〜数10mmである。 【0053】 【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。 (実施例1) <粘着剤の調製>下記の化合物を酢酸エチルに溶解さ
せ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70
万のアクリル共重合体を得た。得られたアクリル共重合
体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対
して、メタクリル酸2−イソシアネートエチル3.5重
量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液
の樹脂固形分100重量部に対して、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート20重量部、光重合開始剤(イル
ガキュア651、50%酢酸エチル溶液)0.5重量
部、ポリイソシアネート1.5重量部を混合し粘着剤
(1)の酢酸エチル溶液を調製した。この酢酸エチル溶
液を10μmメッシュのフィルタに1回通すことにより
異物を除去した。 ブチルアクリレート 79重量部 エチルアクリレート 15重量部 アクリル酸 1重量部 2ーヒドロキシエチルアクリレート 5重量部 光重合開始剤 0.2重量部 (イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液) ラウリルメルカプタン 0.02重量部 【0054】粘着剤(1)の酢酸ビニル溶液の樹脂固形
分100重量部に対して、2,2’−アゾビス−(N−
ブチル−2−メチルプロピオンアミド)100重量部混
合して、光分解性気体発生剤を含有する粘着剤(2)を
調製した。この酢酸エチル溶液を10μmメッシュのフ
ィルタに1回通すことにより異物を除去した。 【0055】(粘着剤異物混入量評価)粘着剤(1)の
酢酸エチル溶液及び粘着剤(2)の酢酸エチル溶液をク
リーンルーム中で110℃、5分間加熱乾燥して厚さ約
15μmの皮膜状の粘着剤(1)及び粘着剤(2)を得
た。得られた粘着剤(1)及び粘着剤(2)を切断する
と、表面及び内部に目視により確認できる大きさの異物
は見られなかった。 【0056】<支持テープの作製>クリーンルーム中
で、粘着剤(2)の酢酸エチル溶液を表面に離型処理が
施されたPETフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約10
μmとなるようにドクターナイフで塗工し110℃、5
分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層
は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤(2)層
の表面に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付け
た。 【0057】クリーンルーム中で、粘着剤(1)の酢酸
エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ100μ
mの透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィ
ルムの片面に乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるように
ドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して塗工
溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着
性を示した。次いで、粘着剤(1)層の表面に離型処理
が施された片面に点状のエンボス模様が連続して形成さ
れているPETフィルムのエンボス模様側の面を強く押
しつけながら貼り付けた。これにより、粘着剤(1)層
の表面にエンボス模様が転写された。 【0058】クリーンルーム中で、粘着剤(1)の酢酸
エチル溶液を、表面に離型処理が施されたPETフィル
ムの上に乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるようにドク
ターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して溶剤を揮
発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥
状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤(1)層の表面
に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付けた。 【0059】次いで、粘着剤(1)層を設けたコロナ処
理を施したPETフィルムの粘着剤(1)層のないコロ
ナ処理を施した面と、粘着剤(1)層を設けた離型処理
が施されたPETフィルムの粘着剤(1)層の面とを貼
り合わせた。その後、40℃、3日間静置して養生を行
った。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面
が離型処理が施されたPETフィルムで保護された支持
テープを得た。この支持テープのエンボス加工が施され
ていない側の粘着剤(1)層を保護する表面に離型処理
が施されたPETフィルムを剥がし、粘着剤(2)層が
形成された表面に離型処理が施されたPETフィルムの
粘着剤(2)層と貼り合わせた。これにより表面が離型
処理が施されたPETフィルムで保護され、一方の面に
エンボス加工が施された粘着剤(1)層が形成されてお
り、他方の面に粘着剤(1)層の表層部分に粘着剤
(2)からなるプライマー層が形成された支持テープ1
を得た。 【0060】<ICチップの製造>支持テープ1の粘着
剤(2)層を保護するPETフィルムを剥がし、直径2
0.4cm、厚さ約750μmのシリコンウエハに貼り
付けた。次に、エンボス加工が施された粘着剤(1)層
を保護するPETフィルムを剥がし、直径20.4cm
のガラス板に貼り付けた。 (研磨工程)ガラス板で補強されたシリコンウエハを研
磨装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約50μm
になるまで研磨した。研磨装置からシリコンウエハを取
り外し、ダイシングテープをシリコンウエハの上に貼り
付けた。 (UV照射工程)ガラス板側から超高圧水銀灯を用い
て、365nmの紫外線をガラス板表面への照射強度が
40mW/cmとなるよう照度を調節して2分間照射
した。 (ウエハの剥離工程)シリコンウエハを固定し、ガラス
板を真上に引っ張って支持シートをシリコンウエハから
剥がした。 (ダイシング工程)続いて、ダイシングテープで補強さ
れたシリコンウエハをダイシング装置に取り付け、ウエ
ハ側からカッター刃を切り入れシリコンウエハをICチ
ップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープを
剥がしICチップを得た。 【0061】(ICチップの製造における各支持テープ
の性能評価)実施例1で作製した支持テープを用いた場
合、目視により確認できる大きさの異物を含有しないの
で充分に平滑な研磨面が得られており、研磨面が平滑な
シリコンウエハを得ることができた。 【0062】 【発明の効果】本発明によれば、ウエハは異物をほとん
ど含まない支持テープにより支持板に平面性よく支持さ
れるため、平滑な研磨を行うことができる。また、ウエ
ハを厚さ50μm程度まで極めて薄く研磨しても、ウエ
ハの破損を低減でき、研磨面が平滑な半導体厚膜ウエハ
及びICチップを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 聡史 大阪府三島郡島本町百山2−1 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 檀上 滋 大阪府三島郡島本町百山2−1 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 大山 康彦 大阪府三島郡島本町百山2−1 積水化学 工業株式会社内 Fターム(参考) 4J004 AB01 BA02 EA05 FA08

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 両面に粘着剤層を有する粘着性ノンサポ
    ートテープ又は基材の両面に粘着剤層が形成されてなる
    両面粘着テープからなる支持テープであって、前記粘着
    剤層は、目視により確認できる大きさの異物を含有しな
    いものであり、前記粘着剤層の少なくとも一方は、刺激
    を付与されることにより粘着力が低下する粘着剤からな
    ることを特徴とする支持テープ。
JP2001370760A 2001-12-04 2001-12-04 支持テープ Withdrawn JP2003171624A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7691672B2 (en) 2006-05-25 2010-04-06 Sony Corporation Substrate treating method and method of manufacturing semiconductor apparatus
US10965054B2 (en) 2016-07-20 2021-03-30 Hirose Electric Co., Ltd. Cable connector having cable holders

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7691672B2 (en) 2006-05-25 2010-04-06 Sony Corporation Substrate treating method and method of manufacturing semiconductor apparatus
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