CN100336880C - 两面胶以及使用它的ic芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

Description

两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。
背景技术
半导体集成电路(IC芯片)是将通常为棒状的高纯度的半导体单晶切片并作为晶片后，利用光刻在晶片的表面上形成一定的电路图形，然后，通过研磨机对晶片背面进行研磨，使晶片的厚度大致薄到100～600μm左右，最后通过划片并芯片化而制造。
这里，在上述研磨时，在晶片表面上贴上粘接片材类(研磨用胶)，或防止晶片的破损或使容易进行研磨加工，在上述划片时，在晶片背面侧贴上粘接片材(划片胶)类，在将晶片粘接固定的状态下进行划片，对形成的芯片从划片胶的薄膜基材侧用针往上顶并抓起，使固定在垫板上。
近年来，随着IC芯片用途的推广，也逐渐需求能够在IC卡类中使用或叠层使用的厚度50μm左右的极薄的半导体晶片。但是，厚度50μm左右的半导体晶片，与以往的厚度100～600μm左右的半导体晶片相比，由于翘曲大、冲击容易破裂，因此操作性差，要进行与以往的半导体晶片同样的操作，有时往往会破损。
厚度50μm左右的半导体晶片，在容易受到冲击的研磨工序或划片工序中破损的危险性高，另外，由于在IC芯片的电极上制作凸度时也容易破损，因此成品率差。因此，提高由厚度50μm左右的极薄的半导体晶片制造IC芯片过程中的晶片的操作性，成为一个重要的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。
本发明的两面胶，在至少一侧面上含有通过刺激产生气体的气体发生剂。
在本发明的两面胶中，所述气体发生剂，优选不作为粒子存在，可以仅在表面部分中含有。另外，所述气体发生剂，优选为偶氮化合物或叠氮化合物，其中优选以下式(I)所示的偶氮酰胺化合物。
Figure C0281515300061
上式(I)中，R1和R2分别表示相同或不同的低级烷基，R3表示碳数2以上的饱和烷基。
在本发明的两面胶中，含有上述气体发生剂的粘接剂，优选是通过刺激弹性模量上升的粘接剂，优选是通过刺激粘接力下降的粘接剂。
本发明的两面胶，优选对至少一侧面实施压花加工。
本发明的两面胶，至少一侧面可以是能够吸水的粘接剂。
本发明的IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序以及从晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述晶片粘合的面上使含有气体发生剂。
本发明的另一IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序、从粘附在所述晶片上的所述两面胶剥离上述支撑板的工序、以及从所述晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述支撑板粘合的面上使含有气体发生剂。
本发明的又一IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在上述支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序以及从晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，使上述的两面胶的实施了压花加工的面与支撑板粘合。
此时，通过两面胶将晶片固定在支撑板上的工序，优选是在上述晶片和上述支撑板的任一方上贴上所述两面胶后，或在上述晶片与上述支撑板的粘合位置上设置上述两面胶，在真空容器内以减压的状态通过上述两面胶使上述晶片和上述支撑板进行粘合。另外，上述真空容器内的减压，优选在上述晶片与上述支撑板分离的状态下进行。
本发明的又一IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序以及从晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，使上述两面胶的由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板粘合，由上述能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板的粘合，是在用水将由上述能够吸水的粘接剂构成的面润湿后并且在水完全被由上述能够吸水的粘接剂构成的面吸收前进行。
附图说明
图1是表示在使晶片与支撑板分离的状态下进行减压、在减压状态下进行粘合的装置的模式图。
图中：1表示支撑板，2表示厚膜晶片，3表示支撑胶，4表示隔板。
具体实施方式
本发明的两面胶是在至少一侧面上含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。本发明的两面胶可以是在基材的两面上形成有粘接层的支撑胶，也可以是没有基材的非支撑胶。
作为上述基材，在使由上述气体发生剂产生气体的刺激是通过光刺激时，优选是光透过或光通过的基材，例如可以举出由丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等的透明树脂构成的片材；具有网状结构的片材；开孔的片材等。
作为使由上述气体发生剂产生气体的刺激，例如可以举出基于光、热、超声波的刺激。其中，优选基于光或热的刺激。作为上述光，例如可以举出紫外线或可见光线等。作为上述刺激，在使用基于光的刺激时，含有气体发生剂的粘接层，优选是光能够透过或通过的粘接层。
作为通过上述刺激产生气体的气体发生剂，没有特别的限定，例如可以优选使用偶氮化合物、叠氮化合物。
作为上述偶氮化合物，例如可以举出2，2’-偶氮二(N-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[1，1-二(羟甲基)-2-羟乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[2-(1-羟丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮二[2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮二[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫化物二氢氧化物、2，2’-偶氮二[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮二(2-甲基-propioneamidine)氢氯化物、2，2，’-偶氮二(2-氨基丙烷)二氢氯化物、2，2’-偶氮二[N-(2-羧基酰基)-2-甲基-propioneamidine]、2，2’-偶氮二{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮二(2-甲基丙酰胺肟)、二甲基-2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸酯)，二甲基-2，2’-偶氮二异丙酸酯、4，4’-偶氮二(4-氰基碳酸)，4，4’-偶氮二(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮二(2，4，4-三甲基戊烷)等。
其中，优选2，2’-偶氮二(N-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-乙基-2-甲基丙酰胺)等的以上述通式(I)所示的偶氮酰胺化合物。
Figure C0281515300091
式(I)中，R1和R2分别表示低级烷基，R3表示碳数2以上的饱和烷基。需要说明的是R1与R2可以相同也可以不同。
以上述通式(I)所示的偶氮酰胺化合物，由于热分解温度高，因此在IC芯片的制造中可以根据需要进行高温处理，向后述的丙烯酸烷基酯聚合物等的具有粘接性的聚合物中的溶解性也优良。
上述偶氮化合物，通过基于光、热的刺激产生氮气。
作为上述叠氮化合物，例如可以举出3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷、对苯二甲酰叠氮、对叔丁基苯酰叠氮等或具有通过使3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷开环聚合得到的缩水甘油叠氮聚合物等的叠氮基的聚合物等。这些叠氮化合物通过基于光、热以及冲击等的刺激产生氮气。
在这些气体发生剂中，所述叠氮化合物由于即使给予冲击，也容易分解产生氮气，因此存在操作困难的问题。另外，上述叠氮化合物，一旦开始分解，则引起连锁反应爆发性地放出氮气，而不能对其控制，因此，也存在基于爆发性地产生氮气而对晶片产生损伤的问题。从这种问题来看，上述叠氮化合物的使用量被限定，但是有时对限定的使用量得不到充分的效果。
另一方面，上述偶氮化合物，与叠氮化合物不同，由于通过冲击不产生气体，因此操作性及其容易。另外，由于也不起连锁反应而爆发性地产生气体，因此对晶片也不损伤，若中断光照射，则气体的发生也可以中断，因此也具有能够控制结合用途的粘接性的优点。因此，作为上述气体发生剂，更优选使用偶氮化合物。
通过含有上述气体发生剂，一旦给予上述两面胶刺激，则由气体发生剂产生气体，通过剥离粘接面的至少一部分，粘接力下降，可以很容易地将被粘接体剥离。
上述气体发生剂，可以在含有气体发生剂的整个粘接层上含有，但是若使气体发生剂在整个粘接层上含有，则整个粘接剂层变为发泡体，因此变得过于柔软，有时变得不能很好地将粘接剂层剥离。因此，上述气体发生剂优选仅在表面部分含有。若仅在表面部分含有，则整个粘接剂层不变为发泡体；通过在与被粘接体的粘接面上由气体发生剂产生气体，可以使粘接面积减少，并且气体可以使被粘接体与粘接层之间的接触面的至少一部分剥离而降低粘接力。
另外，上述表面部分依赖于粘接剂层的厚度，但是优选为从粘接剂的表面20μm的部分。另外，这里所述的仅表面部分含有，例如可以举出附着在粘接剂表面上的气体发生剂与粘接剂相溶被吸收在粘接剂层中的状态、以及气体发生剂均匀地附着在粘接剂的表面的状态等。
作为使仅在上述表面部分含有气体发生剂的方法，例如可以举出在两面胶的最外层上以1～20μm左右的厚度涂敷含有气体发生剂的粘接剂的方法、或在预先制作的两面胶的至少一侧面的表面上涂敷或通过喷雾而吹敷含有气体发生剂的挥发性液体，从而使在表面均匀附着气体发生剂的方法等。另外，在使表面附着气体发生剂时，优选使附着与粘接剂相溶性优良的气体发生剂。即，在若在粘接剂表面上使大量地附着气体发生剂，则粘接力变低，但是若气体发生剂与粘接剂相溶的情况下，附着的气体发生剂被吸收在粘接剂层中的粘接力不下降，通过气体发生剂的扩散，可以使对与被粘接体的整个接触面产生均匀的气体。另外，含有气体发生剂的表面部分与其以外的部分，优选由组成不同的树脂成分构成，其中，更优选极性不同的树脂成分构成。由此，可以防止表面部分的气体发生剂移行至其以外的部分，使其变得难于移行。
上述气体发生剂优选不作为粒子存在。需要说明的是在本说明书中，气体发生剂不作为粒子存在，是指通过电子显微镜观察含有气体发生剂的粘接剂层的剖面时不能确认气体发生剂。在上述粘接剂层中若气体发生剂作为粒子存在，则作为使产生气体的刺激照射光时，在粒子的界面光产生散射气体发生效率或降低或本发明的两面胶的表面平滑性变差。
要使上述气体发生剂不作为粒子存在，则通常选择溶解在粘接剂中的气体发生剂，但是在选择在粘接剂中不溶解的气体发生剂时，例如通过使用分散机或并用分散剂而使气体发生剂微分散在粘接剂中。
另外，气体发生剂优选为微小粒子。另外，这些微粒子，例如优选使用分散机或混合装置等根据需要使形成更细微粒子。即，更优选使分散至通过电子显微镜观察本发明的粘接性物质时不能确认气体发生剂的状态。
本发明的两面胶，作为气体发生剂使用叠氮或偶氮化合物等的通过光的刺激产生气体的气体发生剂时，更优选也含有光增感剂。上述光增感剂，由于具有扩增向上述气体发生剂上的光的刺激的效果，因此，可以通过更少的光的照射而使放出气体。另外，由于能够通过更宽波长区域的光使放出气体，因此，即使被粘接体是聚对苯二甲酸乙二醇酯等的不透过使由叠氮化合物或偶氮化合物产生气体的波长的光的物质，也可以越过被粘接体照射光使产生气体，被粘接体的选择范围变宽。
作为上述光增感剂，没有特别的限定，例如优选使用硫杂蒽酮增感剂等。另外，硫杂蒽酮增感剂也可以作为光聚合引发剂使用。
含有上述气体发生剂的粘接剂，优选是通过刺激弹性模量上升的粘接剂。另外，含有气体发生剂的粘接剂，优选通过刺激粘接力下降的粘接剂。使上述粘接剂的弹性模量上升的刺激或使上述粘接力降低的刺激，可以是与使由上述气体发生剂产生气体的刺激相同或不同的刺激。
作为这种粘接剂，例如可以举出将分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物和自由基聚合性的多官能低聚物或单体作为主要成分，根据需要含有光聚合引发剂的光固化型粘接剂；或将分子内具有自由基聚合性的不饱和键的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物和自由基聚合性的多官能低聚物或单体作为主要成分，含有热聚合物引发剂的热固化型粘接剂等。
这种光固化型粘接剂或热固化型粘接剂等的后固化型粘接剂，通过光的照射或加热粘接剂层整体均匀并且迅速聚合交联而形成一体化，因此基于聚合固化的弹性模量变得急剧上升，粘接力大幅度下降。另外，在弹性模量上升的硬的固化物中，一旦使由气体发生剂产生气体，则产生的气体的大半被放至外部，放出的气体使粘接剂的粘接面的至少一部分从被粘接体上剥离而使粘接力下降。
上述聚合性聚合物，例如可以通过预先合成分子内具有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下称为含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物)，使与分子内具有与上述官能基反应的官能基和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下称为含有官能基的不饱和化合物)反应而制备。
上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物，作为在常温具有粘接性的聚合物，与一般的(甲基)丙烯酸系聚合物一样，通过将烷基的碳数通常在2～18范围内的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯作为主单体，通过常法使它们与含有官能基的单体以及进而根据需要与它们能够聚合的其它的改质用单体共聚合而制备。上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。
作为上述含有官能基的单体，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸等的含有羧基的单体；丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯等的含有羟基的单体；丙烯酸甘氨酰酯、甲基丙烯酸甘氨酰酯等的含有环氧基的单体；丙烯酸异氰酸酯乙基、甲基丙烯酸异氰酸酯乙基等的含有异氰酸酯基的单体；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等的含有氨基的单体等。
作为上述可以聚合的其它改质用的单体，例如可以举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等的在一般(甲基)丙烯酸系聚合物中使用的各种单体。
作为使在上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物中反应的含有官能基的不饱和化合物，可以根据上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系衍生物聚合物的官能基使用与上述含有官能基的单体同样的化合物。例如上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能基为羧基时，使用含有环氧基的单体或含有异氰酸酯基的单体，在同官能基为羟基时，使用含有异氰酸酯基的单体，在同官能基为环氧基时，使用含有羧基的单体或丙烯酰胺等的含有酰胺基的单体，在同官能基为氨基时，使用含有环氧基的单体。
作为上述多官能基的低聚物或单体，优选分子量1万以下的物质，更优选为了通过加热或光照射而使粘接剂层的三维网状化有效的进行，分子量在5000以下并且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数目为2～20个的物质。作为这种更优选的多官能基低聚物或单体，例如可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或上述同样的甲基丙烯酸酯类等。另外，可以举出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低酯丙烯酸酯、上述同样的甲基丙烯酸酯类等。这些多官能基低聚物或单体可以单独使用也可以两种以上并用。
作为上述光聚合引发剂，例如可以举出通过照射250～800nm波长的光而被活化的物质，作为这种光聚合引发剂，例如可以举出甲氧基苯乙酮等的苯乙酮衍生物；苯偶姻丙醚、苯偶姻异丁醚等的苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等的缩酮衍生物；膦氧化物衍生物；二(η5-环戊二烯基)titanocene衍生物；苯乙酮、米希勒酮、氯硫杂蒽酮、十二烷基硫杂蒽酮、二甲基硫杂蒽酮、二乙基硫杂蒽酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等的光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂可以单独使用也可以两种以上并用。
作为上述热聚合引发剂，可以举出受热分解产生开始聚合固化的活性自由基的物质，例如可以举出二异丙苯过氧化物、二叔丁基过氧化物、叔丁基过氧化苯甲酸酯、叔丁基氢过氧化物、苯甲酰过氧化物、异丙苯氢过氧化物、二异丙基苯氢过氧化物、对萜烷氢过氧化物、二叔丁基过氧化物等。其中，由于热分解温度高，因此优选异丙苯氢过氧化物、对萜烷氢过氧化物、二叔丁基过氧化物等。在这些热聚合引发剂中作为市售的没有特别限定，但是例如优选perbuthylD、perbuthylH、perbuthylP、permethaneH(以上均是日本油脂制)等。这些热聚合引发剂可以单独使用也可以两种以上并用。
在上述的后固化型粘接剂中，除以上成分外，为了调节作为粘接剂的凝集力，可以根据所需适宜配合异氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、环氧化物等一般配合在粘接剂中的各种多官能性化合物。另外，也可以添加可塑剂、树脂、表面活性剂、石蜡、微粒子填充剂等公知的添加剂。
本发明的两面胶的至少一侧面，优选实施压花加工。通过实施上述压花加工，即使在常压下平面性良好并且可以将本发明的两面胶粘合在被粘接体上。另外，在本说明书中，所谓压花加工是指使表面附上凹凸模样。
上述压花加工，在上述气体发生剂仅含在一侧面中时，优选在与含有上述气体发生剂的面相反的面上实施，在利用本发明的两面胶粘接晶片和支撑板时，优选仅在支撑板侧面实施。
为了研磨上述晶片制作厚度50μm左右的极薄的半导体晶片，在研磨时，使晶片平面性良好地支撑在支撑板上是很重要的。但是，利用以往的两面胶粘接晶片和支撑板时，若不充分留意不让气泡进入而粘合，则在两面胶与支撑板之间卷入气泡而存在所谓的气体滞留。一旦引起气体滞留，则卷入气泡部分的晶片浮起，因此晶片形状变形，或得不到平滑的研磨面或存在变形太大而在研磨变形的地方时导致晶片破损的问题。
本发明的两面胶，通过至少在一侧面上实施压花加工，若粘接实施压花加工的面和被粘接体，则被粘接体被支撑在凸凹模样的凸部上，由于气泡仅存在于凹凸模样的凹部，因此不存在因为气泡而使部分晶片浮起。实施上述压花加工的面，由于以均匀的膜厚形成，并且在支撑板与晶片之间保持一定的间隔，因此一旦以晶片安装在支撑板上而被支撑的状态进行研磨时，则可以获得平滑的研磨面。另外，如上所述，通过将被粘接体支撑在凸凹模样的凸部，由于凹凸模样起到垫子的作用并且分散研磨晶片时的压力，因此可以有效地获得更薄的晶片。
通过上述压花加工而形成的凹凸模样的凸部的间隔，有必要根据所需的晶片的厚度进行选择，例如在制作厚度25μm左右的晶片时，优选在数百μm以下，更优选在100μm以下。在研磨利用上述两面胶粘接在支撑板的晶片时，由于在以晶片的凹凸模样的凸部支撑的部分与没有支撑的部分研磨时的施加的压力是不同的，因此在研磨后的晶片上有时产生形成与两面胶凸凹模样对应的模样的研磨不均，越使晶片的厚度变薄越会产生问题。通过形成凸部的间隔在100μm以下的凹凸模样，即使在晶片上形与该凹凸模样对应的模样，作为研磨不均，也不至于到影响实用的程度。
作为这种凹凸模样，例如可以举出在本发明的两面胶的至少一侧面的整个面上形成，形成的大致所有凸部都以数百μm以下的间隔连续的无规凹凸模样或有规则的凹凸模样等。其中，优选有规则的凹凸模样，即其凸部高度一致并且凹部的深度也一致的凹凸模样。作为这种凹凸模样，可以举出在整个面上例如点、直线、圆弧等以数百μm以下的间隔连续排列的凹凸模样等。
作为上述压花加工的方法没有特殊限制，例如可以举出通过将压花片材、压花板、压花筒等按压在粘接剂层上而将凹凸模样复制在粘接剂层上的方法；在实施脱模处理的压花面上涂敷粘接剂而形成粘接剂层后，将粘接剂层的没有形成压花的面叠层在基材或其它粘接剂层上的方法等。为了获得凸部以100μm以下的间隔排列的凹凸模样，例如可以举出通过吹敷微细的砂对表面进行研磨，从而形成微细凹凸模样的喷砂法；在表面形成含有碳酸钙等微细的填料层后，通过用底层不溶解但填料溶解的溶剂清洗表面的方法除去填料，从而形成微细凹凸模样的填料法等。
本发明的两面胶的至少一侧面优选由能够吸水的粘接剂构成。在由这种由能够吸水的粘接剂构成的面上一旦滴下适量的水而与被粘接体粘合，则可以防止在粘接面上进入气泡。在上述气体发生剂仅含在一侧面上时，优选至少与含有上述气体发生剂的面相反的面由能够吸水的粘接剂构成。
作为上述能够吸水的粘接剂，例如可以举出水分散性丙烯酸粘接剂乳胶或水分散性乙酸乙烯酯粘接剂乳胶等的水分散性粘接剂乳胶；作为构成单体含有亲水性单体的丙烯酸粘接剂；淀粉糊等。对于这些粘接剂，粘接剂表面对于水容易润湿并且也可以吸收水。其中，以作为构成单体含有含羧基单体、含酰胺基单体、含羟基单体等的亲水性单体的丙烯酸酯单体为主成分的丙烯酸粘接剂，由于对于向润湿面的粘接显示优良的粘接力，粘接剂表面对于水容易润湿并且能够稳定的吸收水，因此是优选的。
作为构成单体含有上述亲水性单体的丙烯酸粘接剂，并不限于水分散性粘接剂乳胶，也可以是溶剂型粘接剂或无溶剂型粘接剂。
在作为构成单体含有上述亲水性单体的丙烯酸粘接剂中，作为主成分的丙烯酸酯单体优选具有碳数1～14个碳原子烷基的单体。作为这种丙烯酸粘接剂，例如可以举出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、庚基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十八烷基(甲基)丙烯酸酯等。
另外，在本说明书中，所谓(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或甲基丙烯酸，所谓(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
作为上述含有羧基的单体，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、富马酸、马来酸、衣康酸、巴豆酸、2-(甲基)丙烯酰氧乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧乙基苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧丙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧丙基苯二甲酸、3-(甲基)丙烯酰氧丙酸等。
作为上述含有酰胺基的单体，可以举出二甲基氨基甲基(甲基)丙烯酸酯、二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-脯氨酰基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺、N-(丙氧基)-甲基丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰胺、n-烷氧基烷基不饱和羧酸酰胺等。
作为上述含有羟基的单体，可以举出2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羟基丁基丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧乙基六氢苯二酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧乙基四氢苯二酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧丙基四氢苯二酸酯等。
在作为构成单体含有上述亲水性单体的丙烯酸粘接剂中，亲水性单体，相对于主成分的丙烯酸酯单体100重量份，优选含有1～20重量份。
由上述水分散性粘接剂乳剂得到的粘接剂的干燥被膜，由于含有乳化剂，因此具有吸水性并且粘接剂表面成为亲水性。
作为上述乳化剂，优选阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。作为上述阴离子表面活性剂，例如可以举出聚氧乙烯烷基醚磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚硫酸盐、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐、月桂基苯磺酸碳酸钠、月桂基硫酸碳酸钠等。另外，作为上述非离子表面活性剂，例如可以举出聚氧乙烯基烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等。
上述乳化剂的含量，相对于水分散性粘接剂中含有的粘接性树脂100重量份，优选为0.5～2重量份。若增加上述乳化剂的含量，则吸水性或粘接剂表面的亲水性提高，若在该范围以外，有时对于润湿面的粘接力降低。
上述能够吸水的粘接剂，更优选一方面能够吸水，另一方面，即使吸水也不过度膨胀的粘接剂。若过度膨胀，有时会在粘接层的厚度中产生不均，在支撑晶片时有时不能保持平面性。
作为本发明的两面胶的用途没有特别的限定，例如在用于将厚度50μm左右的极薄的晶片加工成IC芯片时，可以防止晶片的破损并保证良好的加工性。
作为上述晶片例如可以举出由硅、镓铟等的半导体构成的晶片。作为上述晶片的厚度没有特别限定，但是晶片越薄越容易发挥防止破损的效果，研磨后的厚度在50μm左右、例如在20～80μm厚度的半导体晶片时，可以发挥优良的防止破损的效果。
本发明的IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序以及从晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述晶片粘合的面上使含有气体发生剂。
在本发明的IC芯片的制造方法中，首先通过两面胶将晶片固定在支撑板上。此时的晶片是将高纯度的硅单晶或稼铟单晶等切片作为半导体晶片、然后在半导体晶片上形成一定电路图形的晶片，厚度大致为500μm～1mm。在将该晶片固定在支撑板时，使形成晶片电路的面与两面胶粘合。
作为上述支撑板没有特别限定，但是在使由上述气体发生剂产生气体的刺激是基于光的刺激时，优选为透明的，例如可以举出玻璃板；丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等的树脂构成的板状体等。
作为上述支撑板，优选实施了防静电处理的支撑板。上述支撑板一旦通过静电等而带电，则有时会吸引空气中漂浮的微粒子而给IC芯片的制造带来不良影响。作为在上述支撑板上实施抗静电处理的方法，没有特殊限定，但是在使由上述气体发生剂产生气体的刺激是基于光的刺激时，优选可以维持支撑板的透明性的方法。作为这种防静电处理的方法，例如可以举出使在支撑板上含有透明导电性可塑剂的方法、使含有透明的表面活性剂并且增加表面附着的水分量而防止带电的方法等。其中，将分散有氧化锡微粒子等的透明的导电性微粒子的树脂分散液涂敷在透明的支撑板的表面而在支撑板的表面形成导电性树脂层的方法，由于能够充分确保透明性，同时可以获得防静电的效果，因此是优选的。若根据这种方法，与配合碳黑等的方法不同，可以获得透明的支撑板。作为实施了这种防静电处理的透明支撑板，例如有市售的DC板(积水化学工业社制)等。
另外，可以取代使用实施了上述防静电处理的支撑板，而在支撑板上进行除电处理。作为上述除电处理没有特别的限定，例如可以举出接地、基于离子发生器的离子吹敷等。
作为上述支撑板的厚度，优选500μm～3mm，更优选1～2mm。另外，上述支撑板的厚度差异优选在1％以下。
为了借助上述两面胶将晶片固定在支撑板上，要使本发明的两面胶的含有气体发生剂的面与晶片粘合。由此，50μm左右的非常薄的晶片被增强，在搬送或加工晶片时，不会产生缺欠或断裂，两面胶在制造IC芯片的一系列工序结束时或在中途，通过刺激可以很容易从IC芯片上剥离。
另外，在使用至少一侧面实施了压花加工的两面胶时，由于将两面胶的实施了压花加工的面与支撑板粘合。由此可以不卷入气泡地将晶片和支撑板粘合。
在使上述晶片和支撑板粘合时，优选在真空容器内以减压的状态使晶片和支撑板粘合。例如优选在真空粘合机的真空腔内插入厚膜晶片和支撑板，在真空环境下借助两面胶粘合。此时，在晶片和支撑板粘接的状态下，一旦置于真空容器内进行减压，则有时由于粘接剂而阻碍空气的除去，从而在粘接面上残留气泡。因此，在真空容器内，更优选以厚膜晶片与支撑板分离的状态下进行减压，在充分除去空气后，在减压状态下进行厚膜晶片与支撑板的粘合。通过这种真空工艺进行的粘合，不会卷入气泡，从而不产生空气滞留。
另外，上述晶片与支撑板的粘合，可以在晶片与支撑板的任一方上贴上本发明的两面胶后进行，也可以在晶片与支撑板的粘合位置上设置本发明的两面胶，在真空容器内以减压状态借助本发明的两面胶对晶片与支撑板进行粘合。
作为上述真空粘合机，只要是在真空环境下可以进行粘合作业的粘合机，就没有特殊限定，例如可以举出真空层压装置或真空冲压机等。另外，上述真空粘合机，优选具有以下机构，即，在厚膜晶片与支撑板处于分离的状态下进行减压，在充分除去空气后，在减压的状态下进行厚膜晶片与支撑板的粘合的机构。作为这种机构，没有特别限定，例如可以举出通过图1所示的隔板将支撑厚膜晶片或支撑板的一方的装置设置在真空粘合机内的机构等。作为上述隔板，优选即使减压体积不大幅度减小，并且通过冲压容易压缩的隔板，例如可以举出由独立气泡发泡体构成的隔板等。上述隔板，在减压过程中使厚膜晶片与支撑板处于分离的状态，同时在粘合时，发挥着防止厚膜晶片与支撑板强烈冲突而使晶片破损的作用。在具有这种机构的真空粘合机中，通过上述隔板支撑厚膜晶片或支撑板中一方并使两者分离的状态下进行减压，在充分除去空气后，在减压状态下利用冲压装置边压缩隔板边粘合厚膜晶片与支撑板。
另外，在使用至少一面由能够吸水的粘接剂构成的两面胶时，使两面胶的由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板粘合，由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板的粘合，优选在用水润湿由能够吸水的粘接剂构成的面后并且在水被由能够吸水的粘接剂构成的面完全吸收之前进行。由此，在粘合支撑板和由能够吸水的粘接剂构成的面时，由于在中间存在水层，通过水的表面张力，可以密接支撑板与两面胶，可以防止在中间卷入气泡(空气滞留)。通过该方法可以不卷入气泡地进行晶片与支撑板的粘合。
在两面胶的由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板的粘合时，由于通过水的表面张力和粘合的压力，水膜扩展到整个面而润湿，因此，至少可以取得只要水润湿面的中央部分就可以防止空气的卷入的效果，但是优选水润湿大致整个面。由此，在与支撑板粘合时，整个粘接面被水润湿，可以产生更加有效地防止空气的卷入的效果。
另外，将支撑板贴在两面胶的由能够吸水的粘接剂构成的面上时，优选从支撑板的一端开始依次与面粘合，由此，由于表面的水膜边被压退边被粘附，因此可以更加有效地防止空气的卷入。另外，由能够吸水的粘接剂构成的面一旦吸收大量的水而变得过度膨胀，则表面变得过于柔软，由于在粘接剂层的厚度上产生不均，因此在粘合时，优选尽可能压退表面的水膜而进行粘合，从而使粘接面上残存的水量减少。
一旦在表面上形成水膜，若不牢固地进行粘附，则粘合位置的修正比较容易，可以很容易地进行粘附位置的调整。
在本发明的IC芯片的制造方法中，随后通过两面胶以将晶片固定在支撑板上的状态进行研磨。通过利用本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上，可以防止研磨过程中的晶片的破损，另外，如上所述，由于难以产生空气滞留，因此可以对晶片进行平滑地研磨。
接着，在两面胶上给予刺激。通过给予使由上述气体发生剂产生气体的刺激，由气体发生剂产生的气体在两面胶与被粘接体的粘接面上放出，由于剥离粘接面的至少一部分，因此粘接力下降。另外，在构成含有气体发生剂的面的粘接剂是基于刺激弹性模量上升的粘接剂时，优选在由气体发生剂产生气体之前，给予使粘接剂的弹性模量上升的刺激使粘接剂的弹性模量上升。由此，由气体发生剂产生的气体被促进从粘接剂中向粘接面中的放出，从而可以进一步降低粘接力。
另外，本发明的IC芯片的制造方法，至少包括：通过本发明的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、在上述两面胶上给予刺激的工序、从粘附在所述晶片上的上述两面胶剥离上述支撑板的工序、以及从晶片上剥离上述两面胶的工序，在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述晶片粘合的面上使含有气体发生剂。在使用使在与支撑板粘合的面上含有气体发生剂的两面胶时，若在将两面胶从晶片上剥离之前，给予刺激，使在支撑体与两面胶之间的气体发生剂产生气体，使粘接力下降，将硬的支撑板从两面胶上剥离，则两面胶变成具有柔软性的胶，由于可以边旋转胶边从晶片上剥离，因此可以更容易地从晶片上剥离，因此是优选的。
另外，在通常的工序中，在研磨工序结束后、在给予刺激使产生气体并剥离晶片之前，在研磨的晶片上粘附划片胶，之后将晶片剥离，然后进行划片。
另外，在本发明的IC芯片的制造方法中，根据需要，或省略通常进行的工序或使工序的顺序与通常不同，例如可以预先进行划片后，进行研磨工序，将晶片制作成芯片状。
(实施例1)
<粘接剂的调制>
将下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外线进行聚合，得到重均分子量70万的丙烯酸共聚物。
对于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，添加2-异氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份使反应，另外，对于反应后的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯20重量份、光聚合引发剂(IRGACURE 651、50％乙酸乙酯溶液)0.5重量份、聚异氰酸酯1.5重量份，调制粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯                   79重量份
乙基丙烯酸酯                   15重量份
丙烯酸                         1重量份
2-羟基乙基丙烯酸酯             5重量份
光聚合引发剂(IRGACURE 651、    0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)
月桂基硫醇                     0.02重量份
对于粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，调制含有气体发生剂的粘接剂(2)。
<两面胶的制作>
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上涂敷粘接剂(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(2)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在两面实施了电晕处理的厚度100μm的透明的PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)的表面上通过按压实施了脱模处理的压花PET(UNITIKA社制：PTH-38、凸部间隔40μm)，使在粘接剂(1)层的表面上凹凸模样。之后，在40℃养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(I)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(1)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(1)层的实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(1)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离该两面胶的没有实施压花加工侧的保护粘接剂(1)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，在形成粘接剂(2)层的表面上与实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(2)层粘合。由此，可以获得表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护、一面上形成实施了压花加工的粘接剂(1)层、另一面上形成在粘接剂(1)层的表层部分由粘接剂(2)构成的底层的两面胶1。
<IC芯片的制造>
(硅晶片与剥离板的粘合)
剥离两面胶1的保护粘接剂(2)层的PET薄膜，贴在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剥离保护实施了压花加工的粘接剂(1)层的PET保护膜，贴在直径20.4cm的玻璃板上。
(研磨工序)
将被玻璃板增强的硅晶片安装在研磨装置上，研磨硅晶片直至厚度大致变为50μm左右。从研磨装置中取出硅晶片，在硅晶片上贴上划片胶。
(UV照射工序)
利用超高压水银灯从玻璃基板侧照射365nm的紫外线2分钟，要调节照度，使向玻璃板表面的照射强度变为40mW/cm2。
(晶片的剥离工序)
固定硅晶片，将玻璃板拉向正上方与两面胶一起从硅晶片上剥离。另外，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(划片工序)
接着，将被划片胶增强的硅晶片安装在划片装置上，从晶片侧切入切刀刃将硅晶片切断成IC芯片的大小。然后，从划片胶剥离IC芯片，取出IC芯片。
(实施例2)
<粘接剂的调制>
将下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外线进行聚合，得到重均分子量70万的丙烯酸共聚物。
对于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，添加2-异氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份使反应，另外，对于反应后的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯40重量份、光聚合引发剂(IRGACURE 651)5重量份、聚异氰酸酯0.5重量份，调制粘接剂(3)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯                   79重量份
乙基丙烯酸酯                   15重量份
丙烯酸                         1重量份
2-羟基乙基丙烯酸酯             5重量份
光聚合引发剂(IRGACURE 651、    0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)
月桂基硫醇                     0.01重量份
对于粘接剂(3)的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份以及2，4-二乙基硫杂蒽酮3.6重量份，调制含有气体发生剂的粘接剂(4)。
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度100μm的透明PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(3)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(3)层表面上按压实施了脱模处理的压花PET薄膜(UNITIKA社制：EM38、凸部间隔600μm)，在粘接剂(3)层的表面上形成凹凸模样。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(4)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为50μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(4)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(3)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(3)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(4)层的实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(4)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶2。
<IC芯片的制造>
剥离两面胶2的保护粘接剂(4)层的PET薄膜，贴在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剥离保护实施了压花加工的粘接剂(3)层的PET保护膜，贴在直径20.4cm的玻璃板上。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例3)
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度100μm的透明PET薄膜的单面上涂敷实施例2制作的粘接剂(3)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。然后，在粘接剂(3)层表面上粘附实施了脱模处理的压花PET薄膜。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例2制作的粘接剂(4)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为50μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(4)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(3)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(3)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(4)层的实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(4)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶3。
<IC芯片的制造>
利用在真空层压装置(Vacuum Applicator 724、Nichigo-Morton社制)的真空腔内设置了图1所示装置的装置，通过以下方式，使硅晶片与玻璃板粘合。在该真空层压装置的上下方向上设置具有能够冲压的冲压装置的真空腔，在上述冲压装置的下面固定有冲压板，在上面的冲压板通过气球受压膨胀，使固定在其上的支撑板下降。另外，作为图1所示的装置的隔板，使用聚烯烃树脂的独立发泡体构成的隔板。
首先，剥离保护两面胶3的粘接剂(4)层的PET薄膜，将两面胶3贴在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上，在将其置于在真空层压装置的真空腔内设置了图1所示装置的一定位置上后，剥离保护粘接剂(3)层的PET保护膜。然后，将直径20.4cm的玻璃板置于图1所示的装置的一定位置上。在这种状态下，在排出真空腔的空气将腔内设置为真空环境后，使上面的气球膨胀而降低玻璃板，从而将硅晶片与玻璃板粘合。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例4)
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度12μm的透明PET薄膜的单面上涂敷实施例1制作的粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(1)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(1)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(1)层的PET薄膜的粘接剂(1)层的面粘合。
进而，剥离在保护粘接剂(1)层的表面实施了脱模处理的PET薄膜，普遍喷雾将2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)调制为5重量％的浓度的甲基乙基酮溶液，直至粘接剂(1)层的表面充分润湿。在反复进行3次喷雾后，在110℃进行5分钟的加热。由此在粘接剂(1)层的表面上附着淡黄色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附着该析出粒子的粘接剂(1)层的表面粘附实施脱模处理的PET薄膜，将析出粒子压入粘接剂层中，得到两面胶4。另外，附着在粘接剂表面上的析出粒子停留一段时间后，溶解在粘接剂中，被粘接剂层吸收。
<IC芯片的制造>
然后，利用两面胶4将两面胶4的附着析出粒子的粘接剂(1)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(1)层粘附在玻璃板上，与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例5)
<两面胶的制作>
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例1制作的粘接剂(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，通过在粘接剂(2)层表面上按压实施了脱模处理的压花PET薄膜(UNITIKA社制：PTH-38、凸部间隔40μm)，使在粘接剂(2)层的表面上形成凹凸模样。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在两面实施了电晕处理的厚度100μm的透明的PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)的表面粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(I)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(1)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(1)层的实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(1)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离保护该两面胶的粘接剂(1)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，在该两面胶的单侧的形成粘接剂(2)层的表面上与实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(2)层的没有实施压花加工的一侧面粘合。由此，可以获得表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护、一面上形成在粘接剂(1)层的表层部分由实施了压花加工的粘接剂(2)构成的底层、另一面上形成粘接剂(1)层两面胶5。
<IC芯片的制造>
剥离保护两面胶5的粘接剂(1)层的PET薄膜，贴在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剥离保护粘接剂(2)层的PET保护膜，贴在直径20.4cm的玻璃板上。
(研磨工序)
将被玻璃板增强的硅晶片安装在研磨装置上，研磨硅晶片直至厚度大致变为50μm左右。从研磨装置中取出硅晶片，在硅晶片上贴上划片胶。
(UV照射工序)
利用超高压水银灯从玻璃基板侧照射365nm的紫外线2分钟，要调节照度，使向玻璃板表面的照射强度变为40mW/cm2。
(玻璃板的剥离工序)
固定硅晶片，将玻璃板从两面胶上剥离。另外，玻璃板通过由两面胶产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(晶片的剥离工序)
抓住两面胶的一端以旋转的方式剥离两面胶。
(划片工序)
接着，将被划片胶增强的硅晶片安装在划片装置上，从晶片侧切入切刀刃将硅晶片切断成IC芯片的大小。然后，从划片胶剥离IC芯片，取出IC芯片。
(实施例6)
(两面胶的制作)
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例1制作的粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为40μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。然后，在该表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。
进而，剥离保护粘接剂(1)层的表面实施了脱模处理的PET薄膜，普遍喷雾将2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)调制为5重量％的浓度的甲基乙基酮溶液，直至粘接剂(5)层的表面充分润湿。在反复进行3次喷雾后，在110℃进行5分钟的加热。由此在粘接剂(1)层的表面上附着淡黄色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附着该析出粒子的粘接剂(1)层的表面粘附实施脱模处理的PET薄膜，将析出粒子压入粘接剂层中，得到无支撑型的两面胶6。另外，附着在粘接剂表面上的析出粒子停留一段时间后，溶解在粘接剂中，被粘接剂层吸收。
<IC芯片的制造>
利用两面胶6将两面胶6的附着析出粒子的粘接剂(1)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(2)层粘附在玻璃板上，与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例7)
<两面胶的制作>
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，通过在粘接剂(2)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。
用刮刀在两面实施了电晕处理的厚度100μm的透明的PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)的表面粘附实施了脱模处理的PET薄膜。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。
然后，对于设置粘接剂(I)层的实施了电晕处理的PET薄膜，将没有粘接剂(1)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(1)层的实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(1)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离保护粘接剂(1)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，在该两面胶的形成粘接剂(2)层的表面上与实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(2)层粘合。之后，在40℃静置养护3天。由此，可以获得表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护、一面上形成粘接剂(1)层、另一面上形成在粘接剂(1)层的表层部分由粘接剂(2)构成的底层的两面胶7。
<IC芯片的制造>
利用在真空层压装置(Vacuum Applicator 724、Nichigo-Morton制)的真空腔内设置了图1所示装置的装置，通过以下方式，使硅晶片与玻璃板粘合。在该真空层压装置的上下方向上设置具有能够冲压的冲压装置的真空腔，在上述冲压装置的下面固定有冲压板，在上面的冲压板通过气球受压膨胀，使固定在其上的支撑板下降。另外，作为图1所示的装置的隔板，使用聚烯烃树脂的独立发泡体构成的隔板。
首先，剥离保护两面胶7的粘接剂(2)层的PET薄膜，在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上粘附支撑胶，在将其置于在真空层压装置的真空腔内设置了图1所示装置的一定位置上后，剥离实施压花加工的保护粘接剂(1)层的PET保护膜。然后，将直径20.4cm的玻璃板置于图1所示的装置的一定位置上。在这种状态下，在排出真空腔的空气将腔内设置为真空环境后，使上面的气球膨胀而降低玻璃板，从而将硅晶片与玻璃板粘合。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例8)
<粘接剂的调制>
将下述化合物投入设有回流冷却器、搅拌机、温度计以及滴下漏斗的烧瓶中，滴下过氧化苯甲酰的二甲苯溶液(过氧化苯甲酰0.05重量份以及二甲苯3.7重量份的混合物)，在回流下反应30分钟的时刻滴下过氧化苯甲酰的二甲苯稀释液(过氧化苯甲酰0.03重量份以及二甲苯3重量份的混合物)。然后，在反应5小时后，进一步滴加过氧化苯甲酰的二甲苯稀释液(过氧化苯甲酰0.03重量份以及二甲苯3重量份的混合物)，熟化两小时。相对于所得的丙烯酸粘接剂的乙酸乙酯溶液的树脂固形分100重量份，添加聚异氰酸酯1重量份，调制粘接剂(5)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯                38重量份
2-乙基己基丙烯酸酯          55重量份
乙基丙烯酸酯                4重量份
丙烯酰胺                    3重量份
乙酸乙酯                    85重量份
另一方面，将下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外线进行聚合，得到重均分子量70万的丙烯酸共聚物。
相对于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯20重量份、苯乙酮0.5重量份、聚异氰酸酯0.3重量份，调制粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯                    79重量份
乙基丙烯酸酯                    15重量份
丙烯酸                          1重量份
2-羟基乙基丙烯酸酯              5重量份
光聚合引发剂(IRGACURE 651、     0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)
月桂基硫醇                      0.01重量份
对于粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，调制含有气体发生剂的粘接剂(7)。
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度12μm的透明PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(5)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(5)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(7)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(7)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，使设置粘接剂(5)层的PET薄膜的没有粘接剂(5)层的实施了电晕处理的面与设置粘接剂(7)层的PET薄膜的粘接剂(7)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶8。两面胶8的粘接剂层均为透明。
<IC芯片的制造>
从切成直径20cm的圆形的两面胶8上剥离保护粘接剂(7)层的PET薄膜，贴在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剥离保护粘接剂(5)层的PET保护膜，在粘接剂(5)层的大致整个面上供给水，使形成水膜，然后，从粘接剂层一端以压退粘附水膜的方式缓慢地粘附直径20.4cm的玻璃板。这里以玻璃板的中心与硅晶片的中心对齐的方式边校正位置边进行粘合。由于在粘接剂的表面上形成水的膜，因此若不牢固地粘附，则粘合位置的校正比较容易，同时也发现，在粘接剂层的表面一旦形成水膜，也可以很容易地进行粘合位置的校正。若通过玻璃板观察粘接面，由于边压退水边进行粘接，因此，在粘接面上不卷入气泡，由于大半的水被压退，因此粘接面上残留的水停留一段时间后，被粘接剂吸收。并且粘接面从粘接后就立即牢固地粘接在一起。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例9)
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度12μm的透明PET薄膜的单面上涂敷实施例1制作的粘接剂(5)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(5)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(6)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
然后，对于设置粘接剂(5)层的PET薄膜，将没有粘接剂(5)层并且实施了电晕处理的面与设置粘接剂(6)层的PET薄膜的粘接剂(6)层的面粘合。由此得到两面设置粘接剂层并且其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶P。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例8制作的粘接剂(7)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(7)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃养护3天。
剥离保护上述两面胶P的粘接剂(5)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，使粘接剂(5)层与设置粘接剂(7)层的PET薄膜的粘接剂(7)层的面粘合。
由此得到粘接剂层被表面实施脱模处理的PET薄膜保护、在粘接剂(6)层的表层部分上具有由粘接剂(7)构成的底层的两面胶9。
<IC芯片的制造>
利用两面胶9将两面胶9的粘接剂(7)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(5)层粘附在玻璃板上。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例10)
(两面胶的制作)
剥离保护实施例9制作的两面胶P的粘接剂(6)层的表面实施了脱模处理的PET薄膜，普遍喷雾将2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)调制为5重量％的浓度的甲基乙基酮溶液，直至粘接剂(6)层的表面充分润湿。在反复进行3次喷雾后，在110℃进行5分钟的加热。由此在粘接剂(6)层的表面上附着淡黄色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附着该析出粒子的粘接剂(6)层的表面粘附实施脱模处理的PET薄膜，将析出粒子压入粘接剂层中，得到两面胶10。另外，附着在粘接剂表面上的析出粒子停留一段时间后，溶解在粘接剂中，被粘接剂层吸收。
<IC芯片的制造>
利用两面胶10将两面胶10的附着析出粒子的粘接剂(6)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(5)层粘附在玻璃板上。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(实施例11)
<粘接剂的调制>
对于以实施例8制作的粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，调制含有气体发生剂的粘接剂(8)。
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度12μm的透明PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(8)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(8)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例8制作的粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃静置5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。
然后，使设置粘接剂(8)层的PET薄膜的没有粘接剂(8)层的实施了电晕处理的面与设置粘接剂(6)层的PET薄膜的粘接剂(6)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶11。
<IC芯片的制造>
利用两面胶11将两面胶11的粘接剂(6)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(6)层粘附在玻璃板上，与实施例1相同，进行研磨工序。
照射紫外线1分钟后，固定硅晶片，将玻璃板从两面胶上剥离。另外，玻璃板，通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。然后，进一步照射紫外线1分钟后，以抓起剥离两面胶一端的方式剥离两面胶，最后进行划片工序。
(实施例12)
<两面胶的制作>
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷实施例11制作的粘接剂(8)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，通过在粘接剂(8)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
另一方面，用刮刀在两面实施了电晕处理的厚度12μm的透明的PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(6)的表面粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(6)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
然后，使设置粘接剂(6)层的PET薄膜的粘接剂(6)层的没有实施电晕处理的面与设置粘接剂(6)层的PET薄膜的粘接剂(6)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离保护该两面胶的单侧的粘接剂(6)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，在形成粘接剂(8)层的表面上与实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(8)层粘合。
由此，可以获得表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护、在粘接剂(6)层的表层部分具有由粘接剂(8)构成的底层的两面胶12。
<IC芯片的制造>
利用两面胶12将两面胶12的粘接剂(6)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(8)层粘附在玻璃板上，除此之外，其余的与实施例1相同，将硅晶片固定在玻璃板上进行研磨工序。
照射紫外线1分钟后，固定硅晶片，将玻璃板从两面胶上剥离。另外，玻璃板，通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。然后，进一步照射紫外线1分钟后，以抓起剥离两面胶一端的方式剥离两面胶，最后进行划片工序。
(实施例13)
<两面胶的制作>
利用刮刀在两面实施电晕处理的厚度12μm的透明PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为30μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(6)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃静置养护3天。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为30μm，在110℃加热5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(6)层的表面上粘附实施脱模处理的PET薄膜。之后，在40℃下静置养护3天。
然后，使设置粘接剂(6)层的PET薄膜的没有粘接剂(6)层的实施了电晕处理的面与设置粘接剂(6)层的PET薄膜的粘接剂(6)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离保护该两面胶的单侧的粘接剂(6)层的表面实施了脱模处理的PET薄膜，普遍喷雾将2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)调制为5重量％的浓度的甲基乙基酮溶液，直至粘接剂(2)层的表面充分润湿。在反复进行3次喷雾后，在110℃进行5分钟的加热。由此在粘接剂(6)层的表面上附着淡黄色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附着该析出粒子的粘接剂(6)层的表面粘附实施脱模处理的PET薄膜，将析出粒子压入粘接剂层中，得到两面胶13。
<IC芯片的制造>
利用两面胶13将两面胶13的粘接剂(6)层粘附在硅晶片上，将粘接剂(6)层粘附在玻璃板上，除此之外，其余的与实施例1相同，将硅晶片固定在玻璃板上进行研磨工序。
照射紫外线1分钟后，固定硅晶片，将玻璃板从两面胶上剥离。另外，玻璃板，通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。然后，进一步照射紫外线1分钟后，以抓起剥离两面胶一端的方式剥离两面胶，最后进行划片工序。
(实施例14)
<粘接剂的调制>
相对于粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液的树脂固形成分100重量份，混合3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷100重量份，调制含有光分解性叠氮化合物的粘接剂(9)。
<两面胶的制作>
利用刮刀在表面上实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(9)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度变为10μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，通过在粘接剂(9)层表面上粘附实施了脱模处理的PET薄膜。
用刮刀在两面实施了电晕处理的厚度100μm的透明的PET薄膜的单面上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃加热5分钟，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，边强烈按压单面实施了脱模处理的压花PET薄膜的凹凸模样侧的面边粘附在粘接剂(1)的表面上。由此在粘接剂(1)层的表面复制凹凸模样。
用刮刀在表面实施了脱模处理的PET薄膜上涂敷粘接剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致变为15μm，在110℃静置5分钟，使溶剂挥发，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接剂层在干燥状态下显示粘接性。然后，在粘接剂(1)层的表面上粘附实施脱模处理的PET薄膜。
然后，对于设置粘接剂(1)层的实施电晕处理的PET薄膜，使PET薄膜的没有粘接剂(1)层的实施了电晕处理的面与设置粘接剂(1)层的PET薄膜的粘接剂(1)层的面粘合。由此可以获得在两面设置粘接剂层、其表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的两面胶。
剥离保护该两面胶的没有实施压花加工的一侧的粘接剂(1)层并且表面实施了脱模处理的PET薄膜，在形成粘接剂(2)层的表面上与实施了脱模处理的PET薄膜的粘接剂(2)层粘合。由此得到表面被实施了脱模处理的PET薄膜保护的、一侧面形成实施压花加工的粘接剂(1)层、另一面形成在粘接剂(1)层的表面部分由粘接剂(9)构成的底层的两面胶14。
<IC芯片的制造>
剥离保护两面胶14的粘接剂(9)层的PET薄膜，粘附在直径20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后剥离保护实施压花加工的粘接剂(1)层的PET薄膜，粘附在直径20cm的玻璃板上。
与实施例1相同，进行研磨工序、UV照射工序、晶片的剥离工序以及划片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剥离工序中，两面胶通过产生的气体，被往上压并浮起，自己剥离。
(IC芯片的制造中各两面胶的性能评价)
在使用实施了制作的任一两面胶的情况下，在与支撑板的粘接中，没有观察到在粘接面中卷入气泡，在粘接后可以立即获得强的粘接力，可以获得研磨面平滑的硅晶片。另外，含有气体发生剂的粘接剂粘接力显著降低，可以很简单地剥离硅晶片或玻璃板。
另外，在前面的剥离玻璃板的实施例5、11、12以及13中，可以非常容易地从硅晶片上剥离两面胶。
产业上的利用
根据本发明可以提供即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。

Claims (15)

1.一种两面胶，至少在一侧面上含有通过刺激产生气体的气体发生剂，其中，通过给予使上述气体发生剂产生气体的刺激，由气体发生剂产生的气体在两面胶与被粘接体的粘接面上放出，剥离粘接面的至少一部分，粘接力下降。
2.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，气体发生剂是偶氮化合物。
3.根据权利要求2所述的两面胶，其特征在于，偶氮化合物是式(1)所示的偶氮酰胺化合物，
Figure C028151530002C1
前述式(I)中，R1和R2分别表示相同或不同的低级烷基，R3表示碳数2以上的饱和烷基。
4.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，气体发生剂为叠氮化合物。
5.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，气体发生剂仅在表面部分含有。
6.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，含有气体发生剂的粘接剂，通过刺激弹性模量上升。
7.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，含有气体发生剂的粘接剂，通过刺激粘接力下降。
8.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，至少一侧面实施压花加工。
9.根据权利要求1所述的两面胶，其特征在于，至少一侧面由能够吸水的粘接剂构成。
10.一种IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：
通过权利要求1所述的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、
在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、
在上述两面胶上给予刺激的工序、以及
从晶片上剥离上述两面胶的工序，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述晶片粘合的面上使含有气体发生剂。
11.一种IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：
通过权利要求1所述的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、
在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、
在上述两面胶上给予刺激的工序、
从粘附在所述晶片上的所述两面胶剥离上述支撑板的工序、以及
从所述晶片上剥离上述两面胶的工序，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述支撑板粘合的面上使含有气体发生剂。
12.根据权利要求10或11所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：
通过权利要求8所述的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、
在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、
在上述两面胶上给予刺激的工序、以及
从晶片上剥离上述两面胶的工序，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述支撑板粘合的面上使含有气体发生剂，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，使所述两面胶的实施压花加工的面与支撑板粘合。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，通过两面胶将晶片固定在支撑板上的工序，是在上述晶片和上述支撑板的任一方上贴上所述两面胶后，或在上述晶片与上述支撑板的粘合位置上设置上述两面胶，在真空容器内以减压的状态通过上述两面胶使上述晶片和上述支撑板进行粘合。
14.根据权利要求13所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，在真空容器内的减压，是以所述晶片与所述支撑板分离的状态而进行的。
15.根据权利要求10或11所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括：
通过权利要求9所述的两面胶将晶片固定在支撑板上的工序、
在通过上述两面胶将上述晶片固定在支撑板上的状态下进行研磨的工序、
在上述两面胶上给予刺激的工序、以及
从晶片上剥离上述两面胶的工序，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上的工序中，至少在上述两面胶的与上述支撑板粘合的面上使含有气体发生剂，
在通过上述两面胶将晶片固定在支撑板上工序中，使所述两面胶的由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板粘合，由能够吸水的粘接剂构成的面与支撑板之间的粘合，是在用水润湿由能够吸水的粘接剂构成的面后并且在水被由所述能够吸水的粘接剂构成的面完全吸收之前进行。
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