CN1322554C - Ic片的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

Description

IC片的生产方法
技术领域
本发明涉及一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。
背景技术
将高纯度单晶半导体切片以得到晶片后，用光致抗蚀剂在晶片表面上形成预定的电路图，然后用抛光机将晶片的背面抛光，使晶片厚度减小到约100-600μm，最后将晶片切割成方块，得到芯片，从而生产出传统的半导体集成电路(IC片)。
在该工艺中，在进行上述抛光时，在晶片的上表面上粘附粘结片等(抛光用胶带)，以防止晶片受损，并且易于抛光，在进行上述切块时，在晶片的背面上粘附粘结片等(切块胶带)，以粘结和安全状态切割晶片，通过用切块胶带的薄膜基底侧的针上推的方式拣去形成的芯片，然后固定在压料垫上。
近年来，随着IC片应用领域的扩大，需要一种厚度约为50μm的极薄晶片，该晶片可用在IC卡等中，或者可以层状形式使用。但是，与厚度约为100-600μm的传统晶片相比，厚度约为50μm的晶片会用于压力出现非常大的翘曲，且易于裂开，因此，在进行生产传统晶片的类似工艺的情况下，在易于受到压力的抛光步骤中，在切块步骤中，在IC片的电极上生产凸缘时，这种薄晶片易于受损，造成产率下降。因此，在用厚度约为50μm的晶片制造IC片的过程中，改善处理晶片的容易程度成为亟待解决的一个重要问题。
与此相反而提出的一种方法是用支撑胶带将晶片粘结在支撑板上，将其固定在支撑板上的同时进行抛光。用支撑板可以保证晶片强度和平整度的改善，用该方法可以改善处理晶片的容易程度。
但是，该方法存在的问题是：厚度约为50μm的晶片的结构强度弱，因此，当晶片从支撑板或支撑胶带上分离时会由于负荷而受损或变形。另外，尽管厚度约为50μm的极薄晶片与厚度约为100-600μm的传统晶片相比，其叠加层数更多，但是为了将这么多层叠加，要求这种极薄晶片有高度平整性。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。
第一项发明是一种厚度为20-80μm的IC片的生产方法，其至少具有：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在减压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。
第二项发明是根据第一项发明的生产方法，其特征在于：
在为所述粘结剂A层提供所述刺激的步骤中以及在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，为使用透气性的固定平板和具有减压装置如真空泵的设备，将粘结晶片的切块胶带置于透气性的固定平板上，在减压下从固定平板对侧抽吸的同时为上述粘结剂(A)层提供刺激。
第三项发明是一种IC片的生产方法，其至少具有：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤中，在整个所述晶片上均匀施加负荷的同时提供所述刺激。
根据第一或第三项发明的IC片的生产方法，可以在将切块胶带粘结在抛光晶片上的步骤和将支撑胶带从晶片上除去的步骤之间包括从支撑胶带上除去支撑板的步骤。
具体实施方式
下面详述本发明。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，至少具有用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层。
上述支撑胶带可以是任何类型的胶带，只要具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层即可，如两个表面上都有粘结剂层的无支撑体胶带或在基底的两个表面上都形成有粘结剂层的双面胶带。
在本发明的说明书中，无支撑体胶带表示仅由粘结剂层不用基底制成的胶带，可以只包括一个粘结剂层，也可以包括多个粘结剂层。
当用上述基底且降低粘结剂(A)层粘结力的刺激是光刺激时，上述基底优选使光能够传播或通过，可以提及的基底有包括透明树脂如丙烯酰基、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙、尿烷或聚酰亚胺的薄板，具有网状结构的薄板和其中产生孔的薄板。
上述支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层。
作为上述的刺激，例如可以提及用光、热、超声波产生的刺激。特别优选用光或热产生的刺激。作为上述的光，可以提及紫外线光、可见光等。在用光刺激作为上述刺激的情况下，上述粘结剂(A)优选使光能够传播或通过。
对由于上述刺激而生成气体的气体发生剂没有特别限定，例如，优选使用偶氮化合物、叠氮化合物等。
作为上述偶氮化合物，例如可以提及2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[1，1-二(羟甲基)-2-羟乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[2-(1-羟丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮二[2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮二[N-(丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸氢盐二水合物(dihydrolate)、2，2’-偶氮二[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2’-偶氮二{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氢氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮二(2-甲基戊酮脒(propionarmidine))二氢氯化物、2，2’-偶氮二(2-氨基丙烷)二氢氯化物、2，2’-偶氮二[N-(2-羧基酰基)-2-甲基-戊酮脒]、2，2’-偶氮二{2-[N-(2-羧乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮二(2-甲基戊酮偕胺肟)、二甲基-2，2’-偶氮二(丙酸2-甲酯)、二甲基-2，2’-偶氮二异丁酸酯、4，4’-偶氮二(4-氰基碳酸)、4，4’-偶氮二(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮二(2，4，4-三甲基戊烷)。
如果需要，IC片的生产方法包括高温处理步骤，因此，在上述偶氮化合物中优选2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)和2，2’-偶氮二(N-环己基-2-甲基丙酰胺)。
这些偶氮化合物利用光、热等的刺激产生氮气。
作为上述叠氮化合物，可以提及3-叠氮基甲基-3-甲基氧杂环丁烷(oxetane)、对苯二甲酸叠氮化合物、对叔丁基苯甲酰叠氮和具有叠氮基的聚合物如3-叠氮基甲基-3-甲基氧杂环丁烷通过开环聚合得到的缩水甘油基叠氮聚合物。
这些叠氮化合物利用光、热等的刺激产生氮气。
在这些气体发生剂中，上述叠氮化合物受到冲击时易于分解，从而释放出氮气，因此存在有对其难以处理的问题。另外，上述叠氮化合物在分解开始时产生链反应，以爆炸和不可控的方式释放氮气，所以还存在以爆炸方式产生的氮气可能损坏晶片的问题。尽管由于上述问题而对上述叠氮化合物的用量有所限制，但是用量有限时不能达到充分有效的效果。
相反，上述偶氮化合物与叠氮化合物不同，因为它们不会由于冲击而产生气体，所以极易处理。另外，上述偶氮化合物不会以导致链反应的爆炸方式产生气体，所以不会损坏晶片，停止用光照射就可以停止生成气体，其优点是可以根据应用进行粘结控制。因此，更优选用偶氮化合物作为上述气体发生剂。
上述粘结剂(A)层含有上述气体发生剂，因此，当刺激上述粘结剂(A)层时，粘结剂(A)层中的气体发生剂生成气体，从而降低粘结力，易于除去粘附体。
尽管上述气体发生剂可以分散在粘结剂(A)层中，但是存在的危险是：当气体发生剂可以分散在粘结剂(A)层中时，整个粘结剂(A)层成为泡沫，太柔软而不能平滑地除去粘结剂(A)层。因此，优选只使和支撑板接触的粘结剂(A)层的表面层部分含有气体发生剂。在只有表面层部分含有气体发生剂的情况下，和支撑板接触的粘结剂(A)层的表面层部分中的气体发生剂产生气体，另外，气体至少从粘附体表面上除去至少一部分粘结剂，从而降低粘结力。
作为只使上述粘结剂(A)层的表面层部分中含有气体发生剂的方法，例如可以提及将含气体发生剂且厚度约为1-20μm的粘结剂(A)涂布在支撑胶带的粘结剂(A)层上的方法和将含气体发生剂的挥发性液体涂布或喷涂在预先制备的支撑胶带的粘结剂(A)层表面上从而使气体发生剂均匀粘附在粘结剂(A)层表面上的方法。
在气体发生剂粘附在粘结剂(A)层表面上的情况下，优选在粘结剂(A)层表面上粘附与粘结剂(A)有优异相容性的气体发生剂。即，当大量气体发生剂粘附在粘结剂表面上时，存在粘结力下降的危险，在气体发生剂与粘结剂相容且不致于降低粘结力的情况下，粘附的气体发生剂可以被粘结剂层吸收。
在本申请中，上述表面层部分优选是从粘结剂层表面至20μm深度的部分，这取决于粘结剂层的厚度。本申请中所称的表面层部分包括气体发生剂均匀附着在粘结剂层表面上的模式或已经附着在粘结剂层表面上的气体发生剂与粘结剂相容且被吸收在粘结剂层中的模式。
上述粘结剂(A)优选具有由于刺激而增加的弹性模量。增加粘结剂(A)弹性模量的刺激与使上述气体发生剂产生气体的刺激可以是相同类型的刺激，也可以是不同类型的刺激。
作为上述粘结剂(A)，例如可以提及光固化粘结剂和热固性粘结剂，光固化粘结剂具有在分子内有用于自由基聚合的不饱和键的丙烯酸烷基酯类和/或甲基丙烯酸烷基酯类聚合物的主要组分和自由基聚合的多功能低聚物或单体的主要组分，如果需要还可以具有光聚合引发剂；热固性粘结剂具有在分子内有用于自由基聚合的不饱和键的丙烯酸烷基酯类和/或甲基丙烯酸烷基酯类聚合物的主要组分和自由基聚合的多功能低聚物或单体的主要组分，还具有热聚合引发剂。
这些均为后固化压敏粘结剂的光固化粘结剂或热固性粘结剂通过光照射或热造成的交联均匀而迅速地集合成整体粘结剂层，因此，作为通过聚合而固化的结果是其弹性模量大幅增加，其粘结力大幅下降。另外，当在硬固化物质中的气体发生剂产生气体时，产生的大部分气体释放到外面，释放的气体至少从与粘结剂接触的表面上除去一部分粘附体，从而降低粘结力。
例如，预先合成分子内具有官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物(下面称为含官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物)，然后和分子内具有能够与上述官能团反应的官能团及用于自由基聚合的不饱和键的化合物(下面称为含官能团的不饱和化合物)反应，得到上述聚合物。
在本发明的说明书中，(甲基)丙烯酰基表示丙烯酰基或甲基丙烯酰基。
制备烷基中的碳原子数一般是2-18的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯，将其作为主单体，用传统方法使其与含官能团的单体共聚，如果需要，为了改善可与上述单体共聚的性质，还可以与其它类型的单体共聚，从而以与普通(甲基)丙烯酰基类聚合物同样的方式得到作为在室温下有粘结性的聚合物的上述含官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物。上述含官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物的平均分子量通常是200000-2000000。
作为上述含官能团的单体，例如可以提及含羧基的单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸等；含羟基的单体，如丙烯酸羟乙基、甲基丙烯酸羟乙基等；含环氧基团的单体，如丙烯酸缩水甘油基、甲基丙烯酸缩水甘油基等；含异氰酸酯基的单体，如丙烯酸异氰酸乙基酯、甲基丙烯酸异氰酸乙基酯等；含氨基的单体，如丙烯酸氨基乙基、甲基丙烯酸氨基乙基等。
作为为改善质量而能够共聚的上述其它单体，例如可以提及用在普通(甲基)丙烯酰基类聚合物中的各种单体，如乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯。
根据上述含官能团的5(甲基)丙烯酰基类聚合物的官能团，和上述相同类型的含官能团的单体可以用作和上述含官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物反应的含官能团的不饱和化合物。在上述含官能团的(甲基)丙烯酰基类聚合物的官能团是羧基的情况下，例如可以使用含环氧基团的单体或含异氰酸酯基的单体；在官能团是羟基的情况下，使用含异氰酸酯基的单体；在官能团是环氧基团的情况下，使用含羧基的单体或含酰胺基的单体如丙烯酸酰胺；在官能团是氨基的情况下，使用含环氧基团的单体。
上述多功能低聚物或单体的分子量优选是10000或更低，更优选5000或更低，为了在热或光照射条件下能够有效进行粘结剂层的三维交联，该分子内自由基聚合的不饱和键数目的下限是2，上限是20。作为上述更优选的多功能低聚物或单体，例如可以提及三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、可商购的酯类低聚物丙烯酸酯和相同类型的上述甲基丙烯酸酯。该多功能低聚物或单体可以单独使用，也可以两种或多种同时使用。
例如，用250nm-800nm波长的光照射可以激活的光聚合引发剂可以用作上述光聚合引发剂，作为上述光聚合引发剂，例如可以提及苯乙酮衍生物化合物，如甲氧基苯乙酮；苯偶姻醚类化合物，如苯偶姻丙醚、苯偶姻异丁醚等；缩酮衍生物化合物，如苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等；氧化膦衍生物化合物；二(η5-环戊二烯基)二茂铁(titanocene)衍生物化合物；光自由基聚合引发剂，如苯酮、米蚩(Michler)酮、氯噻吨酮、十二烷基(todecyl)噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟甲基苯基丙烷。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以两种或多种同时使用。
利用热分解产生用于引发聚合硬化的活性基团的热聚合引发剂可以用作上述热聚合引发剂，具体来说，可以提及过氧化二枯基、过氧化二叔丁基、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化氢叔丁基、过氧化苯甲酰基、kumenhydroperoxide、过氧化氢二异丙苯、paramentane hydroperoxide、过氧化二叔丁基等。kumen hydroperoxide、paramentane hydroperoxide、过氧化二叔丁基等特别合适，因为它们具有很高的热分解温度。在上述热聚合引发剂中，对商购热聚合引发剂没有特别限定，例如Perbutyl D、PerbutylH、Perbutyl P、Permentane H(均为NOF CORPORATION生产)是合适的。这些热聚合引发剂可以单独使用，也可以两种或多种同时使用。
含上述组分的上述后固化压敏粘结剂可以与各种多功能化合物如异氰酸酯化合物、蜜胺化合物、环氧化合物等适当混合，如果需要还可以和普通粘结剂混合，其目的是调节粘结剂的共粘强度。其中还可以混入已知的添加剂，如增塑剂、树脂、表面活性剂、蜡、填料微粒。
除包括粘结剂(A)的表面层外，上述支撑胶带还具有包括粘结剂(B)的表面层。
在根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法中，在抛光步骤和切块步骤之间，在将支撑胶带从晶片上除去的步骤之前，在将支撑板预先从支撑胶带上除去的情况下，对上述粘结剂(B)没有特别限定，上述粘结剂(B)优选具有通过刺激能够降低粘结力的性能。分子内具有用于自由基聚合的不饱和键的丙烯酸烷基酯类和/或甲基丙烯酸烷基酯类聚合物和含用于自由基聚合的多功能低聚物作为主要组分的后固化压敏粘结剂可以用作粘结剂(B)，粘结剂(B)可以用于上述粘结剂(A)。
在将支撑胶带从晶片上除去步骤之前，在将支撑板预先从支撑胶带上除去的情况下，具有弹性的支撑胶带与剥落的方式更易于从晶片上除去。
在这种情况下，上述粘结剂(B)还优选含有由于刺激而生成气体的气体发生剂。因为粘结剂(B)含有上述气体发生剂，所以当为上述粘结剂(B)层提供刺激时，粘结剂(B)层中的气体发生剂产生气体，因此，粘结力下降，粘附体更易于除去。
另外，在上述粘结剂(B)包括后固化类压敏粘结剂等的情况下，在提供刺激前粘结剂(B)具有优异的粘结性，并且进行交联反应，通过提供刺激而使粘结剂(B)硬化，因此，在除去支撑胶带前粘结剂(B)是粘结性优异的粘结剂，当除去支撑胶带时，粘结剂(B)硬化。当硬质材料中的气体发生剂产生气体时，产生的气体大部分释放到外面，因此，释放的气体从粘附体表面上至少除去一部分粘结剂，从而使粘结力下降。
尽管上述气体发生剂可以分散在粘结剂(B)层中，但是因为气体发生剂分散在粘结剂(B)层中，所以整个粘结剂(B)层成为太柔软的泡沫，所以存在不能轻易除去粘结剂(B)层的危险。因此，优选只在和支撑板接触的粘结剂(B)层的表面层部分中含有气体发生剂。在只有表面层部分含有气体发生剂的情况下，利用刺激可以使粘结剂(B)层充分软化，当和支撑板接触的粘结剂层的表面层部分中的气体发生剂产生气体时，界面的接触面积减少，另外，气体至少从粘附体表面上除去一部分粘结剂，从而降低粘结力。
作为只使上述粘结剂层的表面层部分中含有气体发生剂的方法，例如可以提及在支撑胶带的粘结剂(B)层上涂布厚度约为1-20μm的含气体发生剂的粘结剂(B)的方法和将含气体发生剂的挥发性液体涂布或喷涂在预先制备的支撑胶带的粘结剂(B)层上从而使气体发生剂均匀粘附在粘结剂层表面上的方法。
在气体发生剂粘附在粘结剂(B)层表面上的情况下，气体发生剂优选与粘结剂(B)高度相容。即，当大量气体发生剂粘附在粘结剂(B)层表面上时，尽管存在粘结力下降的危险，但是在气体发生剂与粘结剂相容的情况下，粘附的气体发生剂被吸收在粘结剂层中使得粘结力不致于下降。
在本申请中，上述表面层部分优选是从粘结剂表面至20μm深度的部分，这取决于粘结剂层的厚度。本申请中所称的表面层部分包括气体发生剂均匀附着在粘结剂层表面上的模式和已经附着在粘结剂层表面上的气体发生剂因为与粘结剂相容而被吸收在粘结剂层中的模式。
用支撑胶带将晶片固定在支撑板上，支撑胶带具有上述包括粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层。
作为上述晶片，例如可以提及包括硅、镓、砷等的高纯度单晶半导体切片。尽管对上述晶片的厚度没有特别限定，但是一般约为500μm-1mm。在本申请中，在将晶片固定在支撑板上之前在上述晶片表面上形成预定的电路图。
尽管对上述支撑板没有特别限定，但是在降低粘结剂(A)层粘结力的刺激是光刺激的情况下，支撑板优选是透明的，例如，可以提及玻璃板和板状树脂体，如丙烯酰基、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龙、尿烷、聚酰亚胺等。
上述支撑板厚度的下限优选是500μm，上限优选是3mm，下限更优选是1mm，上限更优选是2mm。上述支撑板的分散厚度还优选是1％或更小。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，在用上述支撑胶带将上述晶片固定在上述支撑板上的步骤中包括将上述粘结剂(A)层和上述晶片相互粘结，而上述粘结剂(B)层和上述支撑板相互粘结。
用上述支撑胶带将晶片固定在支撑板上，从而使晶片得以强化，处理的容易程度提高，即使是厚度约为50μm的极薄晶片，也能够在不破碎或裂纹的情况下运输和加工，易于包装在壳体等内。在本申请中，在IC片生产方法的后续步骤完成后，通过提供刺激易于将上述支撑胶带从IC片上除去。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，其至少具有在用上述支撑胶带将晶片固定在上述支撑板上的条件下将上述晶片抛光的步骤。
对抛光后晶片的厚度没有特别限定，在晶片加工和变薄的情况下易于得到防止损坏的效果，在抛光后晶片的厚度约为50μm，或者在如20-80μm范围内的情况下能够得到优异的防止损坏的效果。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，其至少具有将切块胶带粘结在上述抛光晶片上的步骤。
在根据第二项发明的IC片的生产方法中，上述气体发生剂产生的气体压力不会使上述切块胶带变形。对这样的切块胶带没有特别限定，可以提及用粘结剂将商购的切块胶带粘结在气体发生剂产生的气体压力不会使之变形的强化板上得到的切块胶带及在气体发生剂产生的气体压力不会使之变形的胶带基底的一个表面上形成有粘结剂(C)层的切块胶带等。
对上述强化板或胶带基底没有特别限定，只要不会由于气体发生剂产生的气体压力而变形即可，例如，可以提及玻璃板和板状或厚膜状物体，如丙烯酰基、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龙、尿烷、聚酰亚胺等。
另外，对上述粘结剂(C)没有特别限定，例如，已知的热固性粘结剂等是合适的。
对上述商购的切块胶带没有特别限定，可以提及的胶带的例子有Furukawa Electric Co.，Ltd生产的Adwill(注册商标)D系列和Nitto DenkoCorporation生产的Elep Holder(注册商标)UE系列。
对在根据第一或三项发明的IC片的生产方法中使用的上述切块胶带没有特别限定，可以使用已知的光固化胶带，如上述商购的切块胶带。
在本申请中，在粘结上述切块胶带前先在晶片上粘结一种聚酰亚胺膜作为绝缘体基底。当上述聚酰亚胺膜粘结在晶片上时需要加热。因此，当利用热刺激降低粘结剂(A)的粘结力且上述粘结剂(A)含有由于热刺激而生成气体的气体发生剂时，必须选择温度，使粘结剂(A)的粘结力下降或产生气体的温度高于上述聚酰亚胺膜粘结在晶片上的温度。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，其至少具有为上述粘结剂(A)层提供刺激的步骤和将上述支撑胶带从上述晶片上除去的步骤。
为了将上述支撑胶带从上述晶片上除去，在根据第一项发明的IC片的生产方法的上述步骤中，在负压下从上述切块胶带侧均匀抽吸整个上述晶片的同时为上述粘结剂(A)层提供刺激。
具体来说，使用透气性的固定平板和具有减压装置如真空泵的设备，粘结晶片的切块胶带置于透气性的固定平板上，在减压下从固定平板对侧抽吸的同时为上述粘结剂(A)层提供刺激。
用上述方式为上述粘结剂(A)层提供刺激，粘结剂(A)层中含有的气体发生剂产生气体，由于产生的气体压力而降低晶片和粘结剂(A)层之间的粘结力，并且易于除去支撑胶带。但是，与厚度约为100-600μm的传统晶片相比，厚度约为50μm的极薄晶片的结构强度弱，当由于气体发生剂局部产生的气体使很强的压力施加在晶片部分上时，晶片可能变形或受损。因此，从切块胶带侧对整个晶片均匀施加负压抽吸以固定整个晶片，从而使晶片和固定板成为整体，而晶片得以强化，可以防止晶片由于局部产生的不均匀气体而发生极度变形，可以防止受损。
另外，在将支撑胶带从晶片上除去时，从切块胶带侧对整个晶片均匀施加负压抽吸以固定整个晶片和强化晶片，因此可以防止晶片由于除去支撑胶带使用的力而发生变形，防止其受损。
作为上述透气性的固定平板，例如可以提及其中产生有显微通孔的包括树脂等的板和包括多孔材料的板如陶瓷多孔板。为了保证晶片的平整度和结构强度，上述透气性的固定平板优选尽可能平整，使得在抽吸时晶片不会变形。
上述通孔优选在上述固定平板的整个表面上均匀产生，通孔直径不能大到负压抽吸将降低晶片平整度的程度，通孔直径又必须大到足以在负压下平滑抽吸，不会降低胶带晶片的生产率或平整度的程度。
根据第二项发明的IC片的生产方法，在为上述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中降低粘结剂(A)的粘结力。
气体发生剂产生气体，产生的气体至少从粘附体表面上除去一部分粘结剂，从而降低粘结力。此时，与厚度约为100-600μm的传统晶片相比，厚度约为50μm的极薄晶片的结构强度弱，易于翘曲，因此，局部产生的气体会在部分晶片上施加很强的压力，结果将使晶片变形或受损。根据第二项发明的IC片的生产方法，预先在晶片上粘结上述气体发生剂产生的气体压力不会使之变形的切块胶带，从而不会发生这样的晶片变形或损坏。即，晶片和气体发生剂产生的气体压力不会使之变形的切块胶带固定和集合在一起，从而使晶片得以强化，局部和不均匀产生的气体不会使晶片极度变形或受损。
另外，当将支撑胶带从晶片上除去时，切块胶带均匀固定和强化整个晶片，因此，即使在晶片上施加除去支撑胶带的力，也能防止晶片极度变形或受损。
根据第三项发明的IC片的生产方法，在为上述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中在整个晶片上均匀施加刺激和负荷。
用上述方式为上述粘结剂(A)层提供刺激，因此，气体发生剂产生气体，产生的气体至少从粘附体表面上除去一部分粘结剂，从而降低粘结力。产生的气体至少从粘附体表面上除去一部分粘结剂，从而降低粘结力。此时，在传统条件下，产生的气体集合在一起产生较大的气泡，这些大气泡至少从粘附体表面上除去一部分粘结剂。这些大气泡的产生在整个晶片中不均匀，根据粘结条件和提供刺激的方式，气泡可能会分散。与厚度约为100-600μm的传统晶片相比，厚度约为50μm的极薄晶片的结构强度弱，易于翘曲，因此，大气泡产生的不均匀压力将使晶片变形或受损。
在提供上述刺激时，在整个晶片上均匀施加负荷。从而可以防止发生大气泡的不均匀性。即，由于不均匀施加的负荷产生的压力将难以形成大气泡，另外，产生的气体在粘结剂表面上难以自由移动，因此，气体不能集合在一起形成大气泡。因此，产生的气体形成均匀分布在整个粘结剂表面上的显微气泡，因此在整个晶片上均匀施加气体压力，从而防止晶片变形或受损。
尽管对在上述整个晶片上均匀施加负荷的方法没有特别限定，但是利用合适的重块施加负荷的方法是合适的。尽管对此时的负荷重量没有特别限定，但是，重量不能大到损坏IC片的程度。
另外，尽管对制成上述重块的材料没有特别限定，但是在用于产生上述气体的刺激是光的情况下，该材料优选是透明的。具体来说，厚度约为1-2cm的玻璃板是合适的。
然后将支撑胶带从晶片上除去。此时，利用刺激降低粘结剂(A)的粘结力，因此，支撑胶带易于从晶片上除去。
此时，为粘结剂(B)层提供刺激，从而使粘结剂(B)层中的气体发生剂产生气体，从而降低粘结力，然后，根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，在用含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂作为上述粘结剂(B)的情况下，在将支撑胶带从晶片上除去前，将支撑胶带从硬支撑板上除去，因此，弹性支撑板以剥落的方式从晶片上除去，从而可以简化除去支撑胶带的方式，从而可以有效防止晶片受损和变形。在用其表面上形成有易碎电路的晶片生产IC晶片的情况下，优选使用上述生产方法，因为步骤数目增加了。
根据第一、二或三项发明的IC片的生产方法，其至少具有将晶片切块的步骤。在该步骤中用玻璃割刀将其表面上形成有电路的晶片分成片。其形状通常为正方形，其边长是几百微米至几十毫米。
本发明的最佳实施方式
下面参考实施例更详细地描述本发明，但是这些实施例不能限定本发明的保护范围。
(实施例1)
<制备粘结剂>
为了得到重均分子量为700000的丙烯酰基共聚物，将下述化合物溶解在乙酸乙酯中，通过紫外线照射的方法进行聚合。
丙烯酸丁酯                              79重量份
丙烯酸乙酯                              15重量份
丙烯酸                                  1重量份
丙烯酸2-羟乙酯                          5重量份
光聚合引发剂(Irgacure 651，50％         0.2重量份
的乙酸乙酯溶液)
月桂硫醇                                0.02重量份
在含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液中(树脂的固体含量为100重量份)加入3.5重量份的甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯，然后将20重量份的季戊四醇三丙烯酸酯、0.5重量份的光聚合引发剂(Irgacure 651，50％的乙酸乙酯溶液)和1.5重量份的聚异氰酸酯和反应后得到的乙酸乙酯溶液(树脂的固体含量为100重量份)混合，从而制成粘结剂(1)的乙酸乙酯溶液。
另外，将100重量份的2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)与粘结剂(1)的乙酸乙酯溶液(树脂的固体含量为100重量份)混合，从而制成含有气体发生剂的粘结剂(2)。
<制备支撑胶带>
在厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)透明膜的一侧上用手术刀涂布粘结剂(1)的乙酸乙酯溶液，在膜的两侧上进行电晕处理，使干燥后的涂膜厚度约为15μm，将涂覆液在110℃下加热5分钟干燥。然后，将其上进行脱模处理的PET膜粘结在粘结剂(1)层的表面上。
在其上已经进行脱模处理的PET膜上用手术刀涂布粘结剂(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥后的涂膜厚度约为15μm，为了将涂覆液干燥，通过在110℃下加热5分钟使溶剂挥发。干燥后的粘结剂(1)层在干燥条件下具有粘结性。
然后，已经提供粘结剂(1)层且已经进行了电晕处理的PET膜的没有粘结剂(1)层的表面和已经提供粘结剂(1)层且已经进行了电晕处理的PET膜的粘结剂(1)层的表面相互粘结。因此，支撑胶带1的两侧上都有粘结剂层，其表面受到进行了脱模处理的PET膜的保护。
另一方面，在PET表面上已经进行了脱模处理的PET膜上用手术刀涂布粘结剂(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥后的涂膜厚度约为10μm，为了将涂覆液干燥，通过在110℃下加热5分钟使溶剂挥发。干燥后的粘结剂(2)层在干燥条件下具有粘结性。
已经进行了脱模处理的PET膜从受到保护的支撑胶带1的一侧的粘结剂(1)层的表面上脱除，其上已经形成有粘结剂(2)层的表面粘结在已经进行了脱模处理的PET膜的粘结剂(2)层上。然后使产品在40℃下静置3天。
因此，得到的支撑胶带2一侧上有粘结剂(1)层，另一侧上有包括粘结剂(2)的底涂层，这是粘结剂(1)层的表面层部分，其中，粘结剂层受到其表面已经进行了脱模处理的PET膜的保护。
(抛光步骤)
将保护支撑胶带2的粘结剂(2)层的PET膜剥落，将支撑胶带粘结在直径为20.4cm、厚度约为750μm的硅片上，然后将保护粘结剂(1)层的PET膜剥落，在负压环境下将支撑胶带粘结在直径为20.4cm的玻璃板上。已经用支撑胶带2粘结在硅片上的玻璃板附着在抛光单元上，然后进行抛光，直到硅片厚度约为50μm。抛光步骤完成后，将粘结在硅片上的玻璃板从抛光单元上移开，然后将切块胶带粘结在硅片表面上。
(晶片的除去步骤)
用包括陶瓷多孔板(平均孔径是40μm)的固定板和真空泵装备紫外线照射单元，使得整个晶片能够通过真空泵的抽吸而固定，用紫外线照射单元将支撑胶带2从硅片上除去，方法是：在负压抽吸的同时用玻璃板那一侧上的超高压汞灯以玻璃板表面上的照明强度已调节至40mW/cm2的365nm的紫外线照射其上粘结有处在陶瓷多孔板上的硅片的切块胶带2分钟。然后，在负压抽吸的同时垂直提升玻璃板。
(切块步骤)
然后将已被切块胶带强化的硅片附着在切块单元上，用刀片将硅片切成IC片，从晶片侧边开始切割。然后将切块胶带剥落，从而得到IC片。
用支撑胶带2可以高粘结强度地使IC片和支撑板相互粘结，在IC片和支撑板相互粘结的条件下通过将晶片抛光可以在不损坏晶片的前提下将晶片抛光，使其厚度约为50μm。抛光后，用紫外线照射晶片，使气体发生剂产生气体，从而使支撑胶带的粘结力大幅降低，能够易于除去晶片。另外，此时从切块胶带侧在整个晶片上均匀进行负压抽吸，从而使晶片不会因产生的气体压力而受损或变形。
(实施例2)
(抛光步骤)
将实施例1中已经制备的保护支撑胶带2的粘结剂(2)层的PET膜剥落，将支撑胶带粘结在直径为20.4cm、厚度约为750μm的硅片上，然后将保护粘结剂(1)层的PET膜剥落，在负压环境下将硅片粘结在直径为20.4cm的玻璃板上。已经用支撑胶带2粘结在硅片上的玻璃板附着在抛光单元上，然后进行抛光，直到硅片厚度约为50μm。抛光步骤完成后，将粘结在硅片上的玻璃板从抛光单元上移开，然后将包括PET且厚度为250μm的切块胶带粘结在硅片表面上。
(晶片的除去步骤)
用玻璃板侧上的超高压汞灯以玻璃板表面上的照明强度已调节至40mW/cm2的365nm的紫外线照射硅片2分钟。然后，垂直提升玻璃板，使支撑胶带2从硅片上剥落。
(切块步骤)
然后将已被切块胶带强化的硅片附着在切块单元上，用刀片将硅片切成IC片，从晶片侧边开始切割。然后将切块胶带剥落，从而得到IC片。
用支撑胶带2可以高粘结强度地使IC片和支撑板相互粘结，在IC片和支撑板相互粘结的条件下通过将晶片抛光可以在不损坏晶片的前提下将晶片抛光，使其厚度约为50μm。抛光后，用紫外线照射晶片，使气体发生剂产生气体，从而使支撑胶带的粘结力大幅降低，能够易于除去晶片。另外，此时用包括PET且厚度为250μm的切块胶带将整个晶片均匀固定，从而使晶片不会因产生的气体压力而受损或变形。
(实施例3)
(抛光步骤)
将实施例1中已经制备的保护支撑胶带2的粘结剂(2)层的PET膜剥落，将支撑胶带粘结在直径为20.4cm、厚度约为750μm的硅片上，然后将保护粘结剂(1)层的PET膜剥落，在负压环境下将硅片粘结在直径为20.4cm的玻璃板上。已经用支撑胶带2粘结在硅片上的玻璃板附着在抛光单元上，然后进行抛光，直到硅片厚度约为50μm。抛光步骤完成后，将粘结在硅片上的玻璃板从抛光单元上移开，然后将切块胶带粘结在硅片表面上。
(晶片的除去步骤)
用切块胶带将已经粘结有切块胶带的硅片放置在支撑板底面上，直径为20cm、厚度为1cm的玻璃板精心地置放在支撑板顶面上。在这种条件下，用玻璃板一侧上的超高压汞灯以玻璃板表面上的照明强度已调节至40mW/cm2的365nm的紫外线照射硅片2分钟。玻璃板被除去后，支撑板和支撑胶带2从硅片上除去。
(切块步骤)
然后将已被切块胶带强化的硅片附着在切块单元上，用刀片将硅片切成IC片，从晶片侧边开始切割。然后将切块胶带剥落，从而得到IC片。
用支撑胶带2可以高粘结强度地使IC片和支撑板相互粘结，在IC片和支撑板相互粘结的条件下通过将晶片抛光可以在不损坏晶片的前提下将晶片抛光，使其厚度约为50μm。抛光后，用紫外线照射晶片，使气体发生剂产生气体，从而使支撑胶带的粘结力大幅降低，能够易于除去晶片。另外，在气体发生剂产生气体时通过在晶片上置放玻璃板在整个晶片上均匀施加负荷，从而可以防止生成的气体集合在一起形成大气泡，因此，晶片不会因产生的气体压力而受损或变形。
工业应用性
因为本发明由上述特征构成，所以能够提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。

Claims (4)

1、一种厚度为20-80μm的IC片的生产方法，其至少包括：
用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂A的表面层和包括粘结剂B的表面层；
用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；
将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；
为所述粘结剂A层提供所述刺激的步骤；
将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；和
将所述晶片切块的步骤，
其在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂A的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂B的表面层粘结在所述支撑板上，
在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂A层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。
2、根据权利要求1的IC片的生产方法，其特征在于：
在为所述粘结剂A层提供所述刺激的步骤中以及在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，使用透气性的固定平板和具有真空泵的设备，将粘结晶片的切块胶带置于透气性的固定平板上，在负压下从固定平板对侧抽吸的同时为上述粘结剂A层提供刺激。
3、一种IC片的生产方法，其至少具有：
用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂A的表面层和包括粘结剂B的表面层；
用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；
将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；
为所述粘结剂A层提供所述刺激的步骤；
将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；和
将所述晶片切块的步骤，
其在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂A的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂B的表面层粘结在所述支撑板上，和
在为所述粘结剂A层提供所述刺激的步骤中，在整个所述晶片上均匀施加负荷的同时提供所述刺激。
4、根据权利要求1或3的IC片的生产方法，在将切块胶带粘结在抛光晶片上的步骤和将支撑胶带从晶片上除去的步骤之间包括从支撑胶带上除去支撑板的步骤。
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