CN104204126A - 用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物、晶圆加工薄膜和半导体晶圆加工方法。在半导体晶圆加工过程如切割过程或背磨过程中，关于附着晶圆的层离力可有效降低，以提高加工效率并避免晶圆弯曲或破裂。

Description

用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物
技术领域
本发明涉及用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物、晶圆加工薄膜和半导体晶圆加工方法。
背景技术
晶圆加工薄膜是一种粘合剂膜，其用于在晶圆加工过程（如切割或背磨）中固定晶圆。通常，这样的晶圆加工薄膜在晶圆加工过程中临时固定晶圆，并且在晶圆加工过程后从晶圆移走。随着电子产品或家用电器的微型化和轻质化的快速进展，半导体封装中包括的大直径薄膜晶圆的需求越来越多，并且因此，晶圆加工薄膜的物理性质是至关重要的。
公开
技术问题
本发明的一方面在于提供用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物，和晶圆加工薄膜和半导体晶圆加工方法。
技术方案
本发明的一方面在于提供用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物包含丙烯酸类聚合物和光敏气体发生剂。
在此，晶圆加工薄膜是一种粘合剂薄膜，其用于在晶圆加工过程（如切割或背磨）中临时固定晶圆，或为了保护或加固晶圆。
丙烯酸类聚合物可具有-50℃-15℃的玻璃化转变温度(Tg)。如果丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度低于-50℃，层离力根据层离速率可能会显著增加。结果是，晶圆加工过程中在晶圆加工膜以通常层离速率层离时，层离力可能会极度增加，那么，在层离过程中可能会使晶圆破坏。进一步地，如果丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度高于15℃，会发生对晶圆润湿性的降低和晶圆的咬底现象。
更近一步地，所述丙烯酸类聚合物可具有50,000-1,000,000的重均分子量(Mw)。在此，术语“重均分子量”即为用GPC（凝胶渗透色谱法）测得的关于标准聚苯乙烯的转换值。在此，更近一步地，除非另有说明，术语“分子量”的意思是重均分子量。如果丙烯酸类聚合物分子量低于50,000，可发生由于转印造成的污染，这是由于粘合剂的结合强度下降了。如果丙烯酸类聚合物分子量超过1,000,000，丙烯酸类聚合物的粘合性能可能会恶化。
作为丙烯酸类聚合物，可使用制造粘合剂的任何典型的聚合物，只要聚合物满足前述的性质。在一个实施例中，聚合物可包括90重量份-99.9重量份的（甲基）丙烯酸酯单体；和0.1重量份-10重量份的可共聚单体，所述可共聚单体是聚合形态，具有可交联的官能团。
作为（甲基）丙烯酸酯单体，例如，可使用烷基（甲基）丙烯酸酯。考虑到结合强度、玻璃化转变温度或粘合剂的附着力，可使用包含C1-C14烷基的烷基（甲基）丙烯酸酯。单体的例子可包括甲基（甲基）丙烯酸酯、乙基（甲基）丙烯酸酯、正丙基（甲基）丙烯酸酯、异丙基（甲基）丙烯酸酯、正丁基（甲基）丙烯酸酯、叔丁基（甲基）丙烯酸酯、仲丁基（甲基）丙烯酸酯、戊基（甲基）丙烯酸酯、2-乙基己基（甲基）丙烯酸酯、2-乙基丁基（甲基）丙烯酸酯、正辛基（甲基）丙烯酸酯、异辛基（甲基）丙烯酸酯、异壬基（甲基）丙烯酸酯、十二烷基（甲基）丙烯酸酯、异冰片（isobonyl）（甲基）丙烯酸酯、十四烷基（甲基）丙烯酸酯等等。所述聚合物可包含这些单体中的至少一种。
具有可交联的官能团的可共聚单体即为可与（甲基）丙烯酸酯单体共聚的一种单体，并且然后向共聚链的侧链或末端提供可交联官能团。可交联官能团的例子可包括羟基、羧基、酰胺基、缩水甘油基、异氰酸酯基等等。在制造粘合树脂中，本领域有各种已知的具有期望的可交联官能团的可共聚单体，所有这些单体均可用于本发明。这些单体的例子可包括2-羟乙基（甲基）丙烯酸酯、2-羟丙基（甲基）丙烯酸酯、4-羟丁基（甲基）丙烯酸酯、6-羟己基（甲基）丙烯酸酯、8-羟辛基（甲基）丙烯酸酯、2-羟乙烯二醇（甲基）丙烯酸酯、2-羟丙烯二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸、2-（甲基）丙烯酰氧乙酸、3-（甲基）丙烯酰氧丙酸、4-（甲基）丙烯酰氧丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、马来酸酐、（甲基）丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等等。所述聚合物可包含这些单体中的至少一种。
所述丙烯酸类聚合物可包括90重量份-99.9重量份的（甲基）丙烯酸酯单体；和0.1重量份-10重量份的可共聚单体，所述可共聚单体是聚合形态，具有可交联的官能团。以该重量比，粘合剂的初始粘合强度、耐久性、附着力和结合强度可被极好地保持。在此，单位“重量份”即为各组分之间的重量比。
在丙烯酸类聚合物中，必要时可能包含聚合形态的其他可共聚单体。所述的可共聚单体可包括，例如，下面化学式1表示的单体，并可用于控制玻璃化转变温度或为聚合物提供各种官能度。
化学式1
其中R1-R3各自独立地为H或烷基，R4为含氰基；用烷基取代或未取代的苯基；乙酰氧基；或COR5，其中R5是用烷基或烷氧基烷基取代或未取代的氨基或含氧缩水甘油基。
上述化学式中R1-R5的定义中，烷基或烷氧基即为C1-C8的烷基或烷氧基，优选为甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。
化学式1中单体的具体例子可包括但不限于下述中的至少一种：氮基单体，如（甲基）丙烯腈、N-甲基（甲基）丙烯酰胺或N-丁氧基甲基（甲基）丙烯酰胺；苯乙烯基单体，如苯乙烯或甲基苯乙烯；（甲基）丙烯酸酯，如缩水甘油基（甲基）丙烯酸酯；羧酸的乙烯基酯，如醋酸乙烯酯；等等。
在聚合物中化学式1的单体按比例可包含20重量份或更少，可防止粘合剂的柔性或层离力的降低。
丙烯酸类聚合物可通过本领域已知的任意典型方法制备。例如，丙烯酸类聚合物可通过典型性聚合法（如溶液聚合、光聚合、本体聚合、悬浮聚合或乳液聚合）聚合单体混合物制备，所述单体混合物通过以要求比例混合所需单体制备。在这种情况下，必要时可同时使用任何适当的聚合引发剂或链转移剂。
粘合剂组合物包括光敏气体发生剂，术语“光敏气体发生剂”即为，例如，当暴露于一定波长的电磁辐射如紫外线(UV)时，能够产生气体的材料。
可用重氮化合物或肟化合物作为光敏气体发生剂以保障在半导体加工过程中极佳的层离性能。特别地，当用200nm-400nm波长的光照射时，可用能产生气体的重氮化合物或肟化合物。所述重氮化合物是包括两个氮原子且当用200nm-400nm波长的光照射时可产生氮气(N2)的化合物。所述的肟化合物当用200nm-400nm波长的光照射时可产生二氧化碳(CO2)。作为肟化合物可使用肟酯基化合物特别是α-酰基肟酯。
在这些化合物中，更优选使用重氮化合物。例如，重氮-醌化合物可用作重氮化合物。特别地，例如，可用2-重氮萘酚磺酸、2-重氮萘酚磺酸的酯等等。酯可包括含有至少一个酚式羟基的芳香族化合物的酯。特别地，所述酯包括但不限于酚醛树脂化合物的酯、2,3,4-三羟基苯甲酮的酯或2,3,4,4'-四羟基苯甲酮的酯。
在一个实施例中，光敏气体发生剂可包括但不限于选自组成为2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯、酚醛树脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯、2,3,4-三羟基苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯、2,3,4,4'-四羟基苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯的群组中的至少一种或其组合。
基于100重量份的丙烯酸类聚合物，粘合剂组合物可包括光敏气体发生剂的量为0.5重量份-30重量份，优选为0.5-20重量份，更优选0.5重量份-15重量份。通过控制光敏气体发生剂的量在该范围内，粘合剂组合物可在半导体加工过程中提供极佳的层离性能。但是，气体发生剂的量是典型性的，气体发生剂的量根据每分子产生的气体量，要求的层离性能等等可作适当调整。
而且，粘合剂组合物可进一步包括多官能交联剂。所述多官能交联剂根据多官能交联剂的量可控制粘合剂的粘合性能。根据环境，多官能交联剂与包含于丙烯酸类聚合物中的可交联官能团反应，从而提高粘合剂的结合强度。
可使用本领域技术中已知的任何典型交联剂作为多官能交联剂，例如，异氰酸酯交联剂、环氧树脂交联剂、氮杂环丙烷交联剂、金属螯合物交联剂等等。
异氰酸酯交联剂的例子可包括但不限于，二异氰酸酯化合物，如甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、四甲基二甲苯二异氰酸酯、萘二异氰酸酯等等，或二异氰酸酯化合物与多元醇反应形成的交联剂，其中，多元醇可包括但不限于三羟甲基丙烷等等。进一步地，环氧树脂交联剂可包括但不限于乙二醇二缩水甘油醚、三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、N,N,N',N'-四缩水甘油基乙二胺、甘油二缩水甘油醚。氮杂环丙烷交联剂可包括但不限于N,N'-甲苯-2,4-二（1-氮丙啶酰胺）、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-二（1-氮丙啶酰胺）、三乙烯亚胺三嗪、二异（bisiso）肽酰基-1-(2-甲基氮丙啶)和三-1-氮杂环丙烯基氧化膦。金属螯合物交联剂的例子可包括但不限于与至少一种多价金属配位的乙酰丙酮或乙酰乙酸乙，金属如铝、铁、锌、锡、钛、锑、镁和钒。
基于100重量份的丙烯酸类聚合物，所包含的多官能交联剂的量为0.1重量份-10重量份。如果交联剂的量少于0.1重量份，粘合剂的结合强度可能会降低，从而导致在高温或高湿度下结合失效。如果交联剂的量超过10重量份，耐久性可能会降低，导致层之间层离或咬底现象，或兼容性或流动性降低。
在不消极地影响本发明的效果的范围内，粘合剂组合物可进一步包括选自组成为增粘剂树脂、引发剂、低分子量材料、环氧树脂、固化剂、紫外线稳定剂、抗氧化剂、着色剂、补强剂、消泡剂、表面活性剂、发泡剂、有机盐、增稠剂和阻燃剂的群组中的至少一种。
本发明还涉及晶圆加工薄膜，其包含基底层和粘合剂层，该粘合剂层在基底层的一面或两面上形成并具有丙烯酸类聚合物和光敏气体发生剂。
图1是晶圆加工薄膜一个实施例的剖视图，其包括在基底层20上的粘合剂层10。
例如，可用具有不超过240Kg·mm，优选不超过210Kg·mm，更优选50Kg·mm-150Kg·mm韧性值的薄膜或薄片作为晶圆加工薄膜的基底层，其中韧性值在23℃，优选20℃-25℃，更优选15℃-30℃的温度下测量。
术语“韧性值”是薄膜的物理性质，其通过拉伸试验测量，是表明薄膜的硬度和柔软度的值。例如，韧性值可通过下述方法测量。首先，准备测量韧性值的试样。此时，试样可为，例如，具有15mm长和15mm宽尺寸的膜。试样尺寸即为除了封住以固定待测试样之外部分的尺寸。以试样轴向垂直于试验机方向将试样安装并固定于拉力试验机上。当在轴向方向以拉伸速率为180mm/min-220mm/min拉伸试样时，绘制测量的力值根据距离的曲线图直到试样断裂为止。试样的韧性值可通过将试样的面积和厚度应用到已绘曲线图，绘制伸长率和抗拉强度（X轴：伸长率，Y轴：抗拉强度）曲线图并积分曲线图计算面积。
基底层的弹性模量和脆性可通过控制基底层的韧性值不超过240Kg·mm适当地保持。进一步地，在晶圆加工过程中施加的压力可以释放，加工精度提高，并且通过保持基底层的缓冲特性有效地保护了晶圆。
进一步地，根据晶圆加工过程的效率，在-10℃-100℃，优选20℃的温度下，基底层可有1×107Pa-1×109Pa的储能模量。
基底层的种类不特别限定，例如为，可使用由如合成橡胶、合成树脂或天然树脂的材料制备的薄膜或薄片。特别地，基底层可包括，例如，一个或多个烯烃薄片，如PE（聚乙烯）或PP（聚丙烯）薄片；乙烯醋酸乙烯酯（EVA）薄片；或乙烯与具有C1-C4烷基基团的烷基（甲基）丙烯酸酯共聚物薄片；乙烯与α-烯烃共聚物薄片；丙烯与α-烯烃共聚物薄片；聚酯薄片，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）薄片；聚氯乙烯(PVC)薄片、弹性体薄片、尿烷薄片等等。此处，两个或更多基底层可即为通过层叠两种或更多种的前述基底层形成的薄膜或薄片，或为由两种或更多种前述树脂混合制造的薄膜或薄片。基底层可通过本领域已知的任何典型的方法制造。典型的制造方法可包括但不限于，例如，T-模具挤压、膨胀、压延等等。
基底层厚度根据目的可适当选择，并不特别限制。例如，基底层可具有10μm-500μm，优选50μm-300μm的适当的厚度范围。
而且，为了提高对粘合剂层的粘合，在基底层上可进行如底涂处理或电晕处理的表面处理，为了加工效率也可加入适当的颜色。
在基底层的一面或两面上形成的粘合剂层可通过固化上述的粘合剂组合物形成。固化是如下过程：通过如用电磁辐射照射或在适当温度下保持，使粘合剂组合物变成一种状态，在该状态下粘合剂组合物表现出粘合性能。
粘合剂层形成的方法并不特别限制。例如，所述方法可包括将粘合剂组合物用于基底层并固化所述粘合剂组合物的方法，或者将粘合剂组合物用于可隔离的基底层并固化所述粘合剂组合物形成粘合剂层，然后将粘合剂层转移至基底层上的方法。将粘合剂组合物用于基底层或可隔离的基底层的方法并不特别限制。例如，该方法可通过如涂布涂装、刮刀涂布、辊式涂布、喷涂、凹版涂布、帘膜式淋涂、逗号刮涂或唇膜挤出涂布的过程进行。进一步地，固化粘合剂组合物的方法也不特别限制，可使用任何典型的热固化方法或光固化方法。
粘合剂层的形成中，优选通过适当的干燥和老化过程控制粘合剂层的交联结构。即，粘合剂层中的丙烯酸类聚合物可通过多官能交联剂以交联状态存在。通过控制交联结构，可获得具有弹性和强的结合强度的粘合剂层，并因此，粘合性能，如薄膜的耐久可靠性和脆性，可得到提高。特别地，薄膜的粘合剂层可具有80%-99%的交联密度。如果粘合剂层的交联密度低于80%，粘合剂层的结合强度可能会降低，并且粘合剂层组分转移至晶圆并作为残留物留下。进一步地，如果粘合剂层的交联密度超过99%，层离力可能会降低，由此，在晶圆加工中会发生由于喷水导致的水浸。
交联密度是通过式1获得的值。
式1
交联密度=B/A×100
式1中，A是固化的粘合剂组合物的质量，B是固化体系A并室温下粘合剂组合物沉积在乙酸乙酯中48h后收集的不溶粉末的干质量。
粘合剂层的优选厚度为0.5μm-50μm，更优选1μm-30μm，如果粘合剂层的厚度不在该范围内，那么难以获得均一的粘合剂层，如此，薄膜可能会具有不均一的性质。
进一步地，为了避免在粘合剂层中引入外来杂质，薄膜可进一步包括附着于粘合剂层的层离膜。图2是一个实施例的膜的剖视图，其中，在基底层20的一个面上形成粘合剂层10，并且在粘合剂层10上形成层离膜30。作为层离膜可使用，例如，聚酯薄膜如PET膜或通过利用硅树脂或醇酸树脂离型剂在烯烃膜的一个或两个面上离型处理制备的膜。层离膜的厚度根据目的可适当地设置，并不特别限制。例如，所述膜可具有10μm-70μm的厚度范围。
另外，本发明涉及半导体晶圆加工方法，所述方法包括将晶圆加工薄膜附着在半导体晶圆上；加工附着有晶圆加工薄膜的半导体晶圆；利用紫外线照射晶圆加工薄膜。
在该方法中，例如，通过按压或热辊层压将薄膜附着在晶圆上，然后进行晶圆加工过程。晶圆加工过程的方式并不特别限制，作为典型性例子，晶圆加工过程可包括切割过程或背磨过程。进行切割过程或背磨过程的条件并不特别限制，可适当选择本领域使用的任何典型的条件。
加工过程之后，用紫外线照射粘合剂层。粘合剂层包括光敏气体发生剂，以便通过紫外线照射在粘合剂层内部产生气体。粘合剂层体积被产生的气体扩张，并因此，晶圆和粘合剂层的层离力有效降低，以此，随后的层离过程可有效进行。
紫外线照射的条件并不特别限制，只要包含在粘合剂层中的气体发生剂能够产生足够的气体且层离力可有效降低。例如，具有200nm-400nm波长和5mW/cm2-200mW/cm2光密度的紫外线照射约5s-60s，优选约10s-30s。
所述方法可进一步包括，紫外线照射后从晶圆加工薄膜上层离半导体晶圆。
经过紫外线照射后，粘合剂层扩张，从而降低了对晶圆的附着力。因此，可容易地进行从晶圆上层离保护膜。
有益效果
本发明中，关于被粘物即晶圆的层离力，在半导体晶圆加工过程（如切割过程或背磨过程）中可有效降低。因此，提供的晶圆加工薄膜用粘合剂组合物、晶圆加工薄膜和半导体晶圆加工方法可提高加工效率并避免晶圆损坏，如弯曲或破裂。
附图说明
图1和图2是根据本发明典型的晶圆加工薄膜的剖视图。
最佳方式
在下文中，将参考实施例和比较例详细描述本发明。但是，应当明白，本发明并不限于以下的实施例。
制备实施例1：丙烯酸类聚合物的制备
在溶剂中稀释65重量份的丙烯酸乙基己酯(EHA)，15重量份的丙烯酸乙酯(EA)，17.5重量份的丙烯酸甲酯(MA)和2.5重量份的丙烯酸羟乙酯(HEA)，然后在适当条件下聚合，获得一种具有-36.2℃的玻璃化转变温度、800,000的分子量、3.12的分子量分布(PDI)和20%固含量的丙烯酸类聚合物。
实施例1
基于100重量份制备的丙烯酸类聚合物，1重量份的酚醛树脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯(MIPHOTOPAC100,Miwon Commercial Co.,Ltd.)以10wt%的浓度稀释于乙酸乙酯中，然后加入0.5重量份的异氰酸酯基交联剂，在300-400rmp下混合1h获得涂布溶液。将制备的涂布溶液用于38μm厚的PET离型膜，这样，在110℃下干燥3min后的涂层厚度为10μm。然后，干燥的涂层转移至80μm厚的PET薄膜，在40℃下放置24h即得晶圆加工薄膜。
实施例2-18和比较例1
晶圆加工薄膜按实施例1同样的方式制造，除了制备涂布溶液的组分有所变化，如表1、2和3所示。
表1
表2
表3
1.紫外线照射前的层离力测量
在本发明各个实施例和比较例中制备的晶圆加工薄膜被切割成25mm宽和10cm长的试样。室温下，将制备的试样层叠到晶圆上，在其表面上形成1μm厚的聚酰亚胺层。层叠状态保持20min，当晶圆加工薄膜用拉力试验机以300m/min的层离速率和90°的层离角度剥离时测量层离力。
2.紫外线照射后的层离力测量
和用于紫外线照射前测量层离力相同的试样的粘合剂层利用汞灯在UV-A区段紫外线照射15s(100mW/cm2)，用与在紫外线照射前层离力测量同样的方法测量层离力。
测量结果列于表4。
表4
紫外线照射前的层离力 紫外线照射后的层离力
(单位:g/25mm) (单位:g/25mm)
实施例1 567 483
实施例2 563 523
实施例3 398 363
实施例4 218 199
实施例5 143 159
实施例6 763 49
实施例7 778 461
实施例8 812 94
实施例9 768 35
实施例10 515 186
实施例11 167 130
实施例12 155 86
实施例13 451 394
实施例14 410 321
实施例15 511 309
实施例16 651 533
实施例17 531 512
实施例18 601 578
比较例1 653 663
如表4中所示，可以看出，在本发明使用气体发生剂的情况下，相比于比较例不使用气体发生剂的情况下，层离力得到有效降低。进一步地，可以看出，在使用二氮醌或肟化合物作为气体发生剂的实施例1-15中较使用偶氮二异丁腈化合物作为气体发生剂的实施例16-18，层离力得到更有效地降低。

Claims (20)

1.用于晶圆加工薄膜的粘合剂组合物，包括：
丙烯酸类聚合物；和
光敏气体发生剂。
2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，丙烯酸类聚合物具有-50℃-15℃的玻璃化转变温度。
3.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，丙烯酸类聚合物具有50,000-1,000,000的重均分子量。
4.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，丙烯酸类聚合物包含90重量份-99.9重量份的（甲基）丙烯酸酯单体；和0.1重量份-10重量份的可共聚单体，所述可共聚单体是聚合形态，具有可交联的官能团。
5.根据权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，可交联官能团包含羟基、羧基、酰胺基、缩水甘油基或异氰酸酯基。
6.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，光敏气体发生剂包含重氮化合物或肟化合物。
7.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，光敏气体发生剂包含重氮-醌化合物。
8.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，光敏气体发生剂包含2-重氮萘酚磺酸或2-重氮萘酚磺酸的酯。
9.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，光敏气体发生剂选自组成为2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯、酚醛树脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯、2,3,4-三羟基苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯和2,3,4,4'-四羟基苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸酯的群组中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，基于100重量份的丙烯酸类聚合物，光敏气体发生剂的量为0.5重量份-30重量份。
11.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，进一步包括：多官能交联剂。
12.晶圆加工薄膜，包含：
基底层；和
粘合剂层，所述粘合剂层在基底层的一面或两面上形成并包含丙烯酸类聚合物和光敏气体发生剂。
13.根据权利要求12所述的晶圆加工薄膜，其中，基底层在23℃下，具有不超过240Kg·mm的韧性值。
14.根据权利要求12所述的晶圆加工薄膜，其中，基底层具有10μm-500μm的厚度。
15.根据权利要求12所述的晶圆加工薄膜，其中，粘合剂层具有0.5μm-50μm的厚度。
16.根据权利要求12所述的晶圆加工薄膜，进一步包括：在粘合剂层上形成的离型膜。
17.加工半导体晶圆的方法，包含：
将根据权利要求12的晶圆加工薄膜附着在半导体晶圆上；
加工附着有晶圆加工薄膜的半导体晶圆；和
利用紫外线照射晶圆加工薄膜。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，加工半导体晶圆包含切割过程或背磨过程。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，用紫外线照射晶圆加工薄膜通过使用具有200nm-400nm波长和5mW/cm2-200mW/cm2光密度的紫外线照射约5s-60s进行。
20.根据权利要求17所述的方法，进一步包含：紫外线照射后从晶圆加工薄膜上层离半导体晶圆。
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