TWI585179B - 晶片加工薄膜用粘結劑組合物 - Google Patents

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Description

晶片加工薄膜用粘結劑組合物
本發明係關於一種晶片加工薄膜用粘結劑組合物、晶片加工薄膜及半導體晶片的加工方法(Pressure-sensitive adhesive composition for a film used for processing wafer)。
晶片加工薄膜是在切割(dicing)或背面磨削(back grinding)等晶片加工工序中為了固定晶片而使用的粘結薄膜。一般來說，此種晶片加工薄膜在晶片加工工序中臨時地固定晶片，結束加工工序之後自晶片剝離去除。隨著電子產品或家電產品的小型化及輕量化的急劇進展，對半導體封裝件所包含的晶片之大口徑化與薄型化的要求也正在增加，由此，晶片加工薄膜的物理性質也變得十分重要。
因此，鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種晶片加工薄膜用粘結劑組合物、晶片加工薄膜及半導體晶片的加工方法。
本發明關於一種包含丙烯酸聚合物及感光性發泡劑的晶片加工薄膜用粘結劑組合物。
在本發明中，晶片加工薄膜係指，在切割或背面磨削等晶片加工過程中臨時固定晶片，或者為了保護或加強上述晶片而使用的粘結薄膜。
上述丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度(Tg:glass transition temperature)較加為-50℃至15℃。如果丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度小於-50℃，則剝離力就會隨著剝離速度而增大。由此，在加工晶片的過程中，致使剝離晶片加工薄膜的通常之剝離速度下的剝離力過度增大，因此存在剝離過程中有可能發生晶片損壞的憂慮。並且，如果丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度大於15℃，則存在有可能致使針對半導體晶片的濕潤性降低及發生翹起現象的憂慮。
並且，上述丙烯酸聚合物的重均分子量(Mw:Weight Average Molecular Weight)較佳為5萬至100萬。在本發明中，術語“重均分子量”係指透過GPC(Gel Permeation Chromatography)測定的對於標準聚苯乙烯的換算數值。並且，只要本發明未作特殊規定，術語“分子量”就表示重均分子量。如果丙烯酸聚合物的分子量小於5萬，則存在因粘結劑的凝聚力降低而發生由轉印引起的污染的憂慮，如果大於100萬，則存在粘結特性降低的憂慮。
只要符合於上述物理性質，上述丙烯酸聚合物就可以使用製備粘結劑時所使用的所有普通的聚合物。在一個示例中，上述聚合物可以聚合的形態包含90重量份至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯單體及0.1重量份至10重量份的具有交聯性官能團的共聚單體。
作為(甲基)丙烯酸酯單體例如可以使用(甲基)丙烯酸烷基酯，鑒於粘結劑的凝聚力或玻璃轉移溫度或粘結性，可以使用具有碳數為1至14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。作為此種單體的例子可以例舉例(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯及(甲基)丙烯酸十四酯等，上述中的一種或兩種以上可以包含於聚合物。
具有交聯性官能團的共聚單體係指，能夠與上述(甲基)丙烯酸酯單體進行共聚合，並且在共聚合之後能夠在聚合物鏈的支鏈或末端提供交聯性官能團的單體，作為上述交聯性官能團的例子可例舉羥基、羧基、醯胺基、縮水甘油基或異氰酸酯基等。在粘結樹脂的製備領域中，已知具有所需的交聯性官能團的多種共聚單體，這種單體均可使用於本發明。作為這種單體可例舉(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙二醇酯、(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基)丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基)丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚物、衣康酸、馬來酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯吡咯烷酮或N-乙烯己內醯胺等，上述的一種或兩種以上可以包含在聚合物。
丙烯酸聚合物可以以聚合的形態包含90重量份至99.9重量份的上述(甲基)丙烯酸酯單體及0.1重量份至10重量份的具有交聯性官能團的共聚單體。在這種重量比率中能夠維持卓越的粘結劑的初期粘附力、耐久性、粘結性及凝聚力等。在本發明中，單位重量份係指各成分之間的重量的比率。
根據需要，在丙烯酸聚合物可以以聚合的形態包含其他的共聚單體。作為此種共聚單體例如可以使用由以下化學式1表示的單體，此單體能夠用於調節玻璃轉移溫度或者給聚合物賦予多種功能性。
(化學式1)
在上述化學式中，R1至R3分別獨立地表示氫或烷基，R4表示氰基、由烷基所取代或未取代的苯基、乙醯氧基或COR5，此時，R5表示由烷基或烷氧基烷基所取代或未取代的氨基或縮水甘油醚氧基。
在上述式的R1至R5的定義中，烷基或烷氧基係指碳數為1至8的烷基或烷氧基，較佳為甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。
作為化學式1的單體的具體例子可例舉(甲基)丙烯腈、N-甲基(甲基)丙烯醯胺或N-丁氧基(甲基)丙烯醯胺等氮類單體；苯乙烯或甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等(甲基)丙烯酸酯；或者醋酸乙烯酯等羧酸的乙烯酯等的一種或兩種以上，但並不局限於此。
化學式1的單體可以大約為20重量份以下的比率包含在聚合物，由此可以防止因使用上述單體而導致的粘結劑的柔韌性或剝離力之降低。
如上所述的丙烯酸聚合物可以透過通常的方式製備。例如，可以將按照目標比率混合了所需單體的單體混合物，透過溶液聚合(solution polymerization)、光聚合(photo polymerization)、本體聚合(bulk polymerization)、懸浮聚合(suspension polymerization)或乳化聚合(emulsion polymerization)等通常的聚合方式聚合來進行製備，在這種情況下，也可以根據需要同時使用適當的聚合引發劑或鏈轉移劑。
上述粘結劑組合物包含感光性發泡劑。術語“感光性發泡劑”係指例如暴漏於紫外線(UV)等規定波長範圍的電磁波時有可能產生氣體的物質。
為了在加工半導體的工序中確保卓越的剝離特性，較佳使用重氮化合物或肟(oxime)化合物作為感光性發泡劑，具體可以使用當照射200nm至400nm波長的光時可以產生氣體的重氮化合物或肟化合物。重氮化合物是在分子結構中包含相互結合在一起的兩個氮原子的化合物，當照射200nm至400nm的波長時，重氮化合物可以產生氮(N2)氣，當照射200nm至400nm時，肟化合物可以排出二氧化碳(CO2)氣體。可以使用肟酯類化合物作為肟化合物，具體可以使用α-醯基肟酯。
在上述化合物中較佳使用重氮化合物，例如可以使用重氮醌(di-azo-quinone)化合物作為重氮化合物。具體而言，例如可以使用2-重氮萘酚磺酸或2-重氮萘酚磺酸的酯等，作為上述酯，可舉例與含有一個以上酚羥基的芳香族化合物之間的酯，具體可例示出與酚醛樹脂化合物、2,3,4-三羥基二苯甲酮或2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮等之間的酯，但並不局限於此。
在一個示例中，作為上述感光性發泡劑可以使用2-重氮-1-萘酚-5-磺酸、酚醛樹脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽、2,3,4-三羥基二苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽或2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽等中的一種或兩種以上的混合物，但並不局限於此。
粘結劑組合物相對於100重量份的上述丙烯酸聚合物可以包含0.5重量份至30重量份、較佳為0.5重量份至20重量份、更較佳為0.5重量份至15重量份的感光性發泡劑。透過將感光性發泡劑的含量控制在上述範圍，能夠在加工半導體的工序中確保卓越的剝離特性。但是，上述發泡劑的含量作為示例，鑒於每分子可生成的氣體的量或所需的剝離特性等，可以適當地改變發泡劑的含量。
並且，粘結劑組合物更可包含多官能性交聯劑。多官能性交聯劑可以根據使用量以調節粘結劑的粘結特性，根據情況，能夠與包含在丙烯酸聚合物內的交聯性官能團進行反應，以起到提高粘結劑的凝聚力之作用。
也可以使用本技術領域中公知的常用的交聯劑作為多官能性交聯劑，作為多官能性交聯劑的例子可舉例異氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑、氮丙啶交聯劑或金屬螯合物交聯劑等。
作為異氰酸酯交聯劑可以示例出甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate)、四甲基二甲苯二異氰酸酯或者萘二異氰酸酯等二異氰酸酯化合物或者使上述二異氰酸酯化合物與多元醇進行反應的類型的交聯劑，作為上述多元醇可以例示出三羥甲基丙烷等。並且，作為環氧樹脂交聯劑可以例示出乙二醇二縮水甘油醚、三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、N,N,N',N'-四縮水甘油基乙二胺或者丙二醇二環氧丙酯等，作為氮丙啶交聯劑可以例示出N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、N,N’-二苯甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三乙烯亞胺三嗪、雙(異鄰苯二甲醯)-1-(2-甲基氮丙啶)或者三(1-吖丙啶基)氧化膦等，作為金屬螯合物交聯劑可以例示出配位有鋁、鐵、鉛、錫、鈦、銻、鎂或釩等多價金屬的一種或兩種以上的乙醯丙酮或乙醯乙酸乙酯等，但並不局限於此。
相對於100重量份的丙烯酸聚合物，較佳為包含0.1重量份至10重量份的多官能性交聯劑。如果交聯劑的含量小於0.1重量份，則存在因粘結劑的凝聚力下降而導致在高溫或高濕條件下發生凝聚破壞的憂慮，如果大於10重量份，則存在發生層間剝離或翹起現象等的耐久可靠性降低或者相容性或流動性降低的憂慮。
並且，在不影響發明效果的範圍內，粘結劑組合物可以適當地包含選自由粘結性賦予樹脂、引發劑、低分子量體、環氧樹脂、固化劑、紫外穩定劑、抗氧化劑、調色劑、加固劑、消泡劑、表面活性劑、發泡劑、有機鹽、增粘劑及阻燃劑組成的組中的一種或兩種以上的添加劑。
並且，本發明關於一種晶片加工薄膜，此晶片加工薄膜包含：一基材；以及一粘結劑層，其形成於基材的單面或雙面，並且包含丙烯酸聚合物及感光性發泡劑。
「第1圖」例示性地表示上述加工薄膜，表示在基材20上形成有粘結劑層10的薄膜之剖視圖。
作為晶片加工薄膜的基材，例如可以使用在23℃、較佳為20℃至25℃、更較佳為15℃至30℃的溫度下測定的韌性數值(toughness)小於240Kg‧mm、較佳為210Kg‧mm以下、更較佳為50Kg‧mm至150Kg‧mm的薄膜或薄片。
術語“韌性(toughness)數值”作為透過拉伸試驗測定的薄膜的物理性質，為表示其剛性和柔性的程度的數值。韌性數值例如可以透過以下方法以測定。首先，製備待測定韌性數值的試片。此時，試片例如具有薄膜形狀，其縱向長度可以為15mm，橫向長度可以為15mm。上述試片的大小係指除了測試時為了固定試片而包帶(taping)的部分以外的大小。將試片設置並固定為使得其縱方向與拉伸試驗機的方向正交的方向，並且以180mm/min至220mm/min、較佳為200mm/min的拉伸速度向試片的縱方向拉伸，同時製作根據直到試片切斷為止的距離(distance)測定的荷重(force)曲線圖。將試片的寬度及厚度適用於所製成的曲線圖來製作延伸率(elongation)及拉伸強度(tensilestrength)的曲線圖(X軸：elongation，Y軸：tensile strength)，透過對所製成的曲線圖進行積分以計算試片的面積，從而可以測定試片的韌性數值。
透過將基材的韌性數值調節為小於240Kg‧mm，能夠適當地維持基材的彈性率及切斷性。並且，通過維持基材的優秀的緩衝性，用以緩解在晶片加工工序中施加的應力，並且提高加工精密度，還能夠有效地保護晶片。
並且，鑒於晶片加工工序的有效性，在-10℃至100℃的溫度下，較佳為在大約20℃的溫度下，基材可以具有1×107Pa至1×109Pa的貯能模量。
基材的種類不受特別限制，例如可以使用透過使用合成橡膠、合成樹脂或天然樹脂等原材料以製備的薄膜或薄片。作為基材的具體實例可以例舉聚乙烯(PE：poly(ethylene))或聚丙烯(PP：poly(propylene))薄片等烯烴薄片；乙烯醋酸乙烯酯(EVA：ethylene vinyl acetate)薄片；乙烯與具有碳數為1至4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯的共聚物薄片；乙烯與α-烯烴的共聚物薄片；丙烯與α-烯烴的共聚物薄片；聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET：poly(ethylene terephthalate))或聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT：poly(butylenes terephthalate))等聚酯薄片；聚氯乙烯(PVC：poly(vinyl chloride))薄片、彈性體薄片或氨基甲酸乙酯薄片等中的一種或兩種以上。上述兩種以上的基材係指，層壓兩種以上上述的各基材而成或者由上述中兩種以上的樹脂的混合物製備而成的薄膜或薄片。上述基材可以根據本技術領域中公知的普通方法以進行製備，作為典型的製備方法的實例可舉例T-模具擠壓法、膨脹法或壓延法等，但並不局限於此。
基材的厚度根據其用途適當地進行選擇，並且不受特別限制，例如在10μm至500μm，較佳為50μm至300μm的範圍內適當地進行調節。
並且，基於與粘結劑層的緊貼性提高的觀點，可以在基材上進行底漆處理或電暈處理等表面處理，而且為了確保工序的有效性，還可以賦予適當的顏色。
在上述基材的單面或雙面形成的粘結劑層，可以透過固化上述的粘結劑組合物而形成。固化係指通過電磁波的照射或適當溫度下的維持等工序，使得粘結劑組合物轉變為可以表現出粘結特性的狀態的過程。
用於形成粘結劑層的具體方法不受特別限制，例如，可以使用在基板塗敷上述的粘結劑組合物並且使得其固化的方式，或者可以使用在剝離性基材塗敷粘結劑組合物並使得其固化的以形成粘結劑層並將此粘結劑層轉印至基材的方法。在基材或剝離性基材的表面塗敷粘結劑組合物的方法不受特別限制，例如可以使用棒塗、刮塗、輥塗、噴塗、凹版塗敷、簾幕法、刮刀式塗敷或唇口塗敷等方式塗敷。並且，使得粘結劑組合物固化的方法也不受特別限制，可以採用通常的熱固化或光固化方式。
較佳地，在形成此粘結劑層的步驟中，經過適當的乾燥及時效處理過程，用以調節粘結劑層的交聯結構。即，丙烯酸聚合物可以借助多官能性交聯劑以進行交聯的狀態存在於粘結劑層內。透過調節交聯結構，能夠獲得具有彈性且凝聚力較強的粘結劑層，由此能夠提高薄膜的耐久可靠性等粘結物理性質以及切斷性。具體而言，上述薄膜的粘結劑層較佳為具有80%至99%的交聯密度。如果交聯密度小於80%，則由於粘結劑層的凝聚力降低，並且粘結劑層成分轉印到晶片等，因而存在殘渣的憂慮。並且，如果粘結劑層的交聯密度大於99%，則由於剝離力降低，因而存在晶片加工時由噴水引起的浸水的憂慮。
上述交聯密度為利用以下一般式1測定的數值。
(一般式1)
交聯密度=B/A×100
在上述一般式1中，A表示固化的粘結劑組合物的品質，B表示在常溫下在醋酸乙酯浸漬48小時上述品質A的固化後粘結劑組合物之後，採取的不溶解成分的乾燥品質。
如上所述的粘結劑層的厚度較佳為0.5μm至50μm，更較佳為1μm至30μm。如果粘結劑層的厚度脫離上述範圍，則由於難以獲得均勻的粘結劑層，因而存在薄膜的物理性質不均勻的憂慮。
並且，出於防止異物向粘結劑層流入等觀點，上述薄膜還可以包含附著於粘結劑層上的剝離薄膜。「第2圖」係為表示一示例之薄膜示意圖，表示在基材20的單面形成有一粘結劑層10，並且在粘結劑層10上形成有一剝離薄膜30之情況。作為剝離薄膜，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等聚酯薄膜，或者用矽或醇酸系列的離型劑對烯烴薄膜的單面或雙面進行了離型處理的薄膜。剝離薄膜的厚度根據用途適當地進行設定，並且不受特別限制，例如可以在10μm至70μm的範圍下適當選擇。
並且，本發明關於一種半導體晶片的加工方法，此種半導體晶片的加工方法包含如下步驟：在半導體晶片附著晶片加工薄膜的步驟；對附著有晶片加工薄膜的半導體晶片進行加工的步驟；以及朝向晶片加工薄膜照射紫外線的步驟。
在上述方法中，例如透過擠壓方式或熱軋層壓方式，將薄膜附著於晶片，進行晶片加工工序。晶片加工工序的種類不受特別限制，作為典型的實例可以舉例切割工序或背面磨削工序。進行切割工序或背面磨削工序的條件不受特別限制，只要適當地採用該技術領域中通用的條件即可。
上述加工工序之後，朝向粘結劑層照射紫外線。粘結劑層包含感光性發泡劑，由此，因紫外線的照射而在粘結劑層的內部產生氣體。粘結劑層的體積因所產生的氣體而膨脹，由此，晶片和粘結劑層的剝離力有效地減小，由此能夠有效地進行後續的剝離工序。
只要照射程度能夠使包含在粘結劑層內的發泡劑產生充分的氣體來有效地降低剝離力，紫外線照射條件就不受特別限制。例如將波長為200nm至400nm且光量為5mW/cm2至200mW/cm2的紫外線照射大約5秒至60秒，較佳地大約10秒至30秒。
在上述方法中，在照射紫外線之後，還可以附加進行自晶片加工用薄膜剝離半導體晶片的步驟。
如果經過紫外線照射工序，隨著體積膨脹，粘結劑層針對晶片的粘附力也將減小，由此，能夠容易地進行從晶片剝離保護薄膜的工序。
本發明可以提供由於在切割工序或背面磨削工序等半導體晶片加工工序中能夠有效地減小針對作為粘附體的晶片的剝離力，因而能夠提高工序效率，並能夠防止晶片的彎曲或龜裂等損傷的晶片加工薄膜用粘結劑組合物、晶片加工薄膜及半導體晶片加工方法。
以下，透過根據本發明的實施例以及不根據本發明的比較例，對本發明進行更加詳細的說明，本發明的範圍不局限於下面要揭示的實施例。
製備例1.丙烯酸聚合物的製備
將65重量份的丙烯酸乙基己酯(EHA)、15重量份的丙烯酸乙酯(EA)、17.5重量份的丙烯酸甲酯(MA)以及2.5重量份的丙烯酸羥基乙酯(HEA)在溶劑中稀釋，並且在適當的條件下進行聚合，用以製備玻璃轉移溫度為-36.2℃、分子量為80萬、分子量分佈指數(PDI)為3.12、固體含量為20%的丙烯酸聚合物。
實施例1.
相對於所製備的100重量份的丙烯酸聚合物，添加在醋酸乙酯中稀釋成10重量%的、1重量份的酚醛樹脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽(MIPHOTOPAC 100,味元社(制))及0.5重量份的異氰酸酯類交聯劑，以300rpm至400rpm的條件調配1小時以製備塗敷液。將所製備的塗敷液塗敷於厚度為38μm的PET離型薄膜上，使得乾燥後的厚度達到10μm，在110℃的溫度下乾燥3分鐘。接著，將乾燥的塗敷層轉印到厚度為80μm的PET薄膜，在40℃條件下進行24小時時效處理，用以製備晶片加工薄膜。
實施例2至實施例18及比較例1
製備塗敷液時，除了如表1及表2所示改變成分以外，透過與實施例1相同的方式製備晶片加工薄膜。
1.　照射紫外線(UV)前的剝離力之測定
將在實施例或比較例中製備的晶片加工薄膜裁剪成寬度為25mm且長度為10cm，用以製備試片。在常溫下，將所製備的試片層壓於表面形成有1μm厚度的聚醯亞胺層之晶片。維持20分鐘層壓的狀態，使用拉伸試驗機以300m/min的剝離速度及90度的剝離角度對晶片加工薄膜進行剝離，同時測定剝離力。
2.　照射紫外線(UV)後的剝離力之測定
使用汞燈朝向與測定照射紫外線(UV)前的剝離力時採用的試片相同的試片之粘結劑層，照射(100mW/cm2)15秒UV-A區域的紫外線，透過與測定照射紫外線(UV)前的剝離力時採用的方式相同的方式以測定剝離強度。
所測定的結果，見下表3。
自上表3可知，就包含發泡劑的實施例而言，相比較於不包含發泡劑的比較例，剝離力有效地減小。並且可知，相比較於使用偶氮雙化合物作為發泡劑的實施例16~實施例18，使用重氮醌或肟化合物作為發泡劑的實施例1～實施例15中的剝離力更加有效地減小。
10‧‧‧基材
20‧‧‧粘結劑層
30‧‧‧剝離薄膜
第1圖及第2圖係為表示一示例晶片加工薄膜之剖視圖。
10．．．基材
20．．．粘結劑層

Claims (14)

  1. 一種晶片加工薄膜用粘結劑組合物，係包含丙烯酸聚合物及感光性發泡劑，其中丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度為-50℃至15℃，且相對於100重量份的丙烯酸聚合物，包含0.5重量份至30重量份的感光性發泡劑，丙烯酸以聚合的型態包含其他共聚單體，該共聚單體為由以下化學式1表示的單體， 其中，R1至R3選自於氫或烷基，R4選自於氰基、由烷基所取代的或未取代的苯基、乙醯氧基或COR5，R5選自於由烷基或烷氧基所取代的或未取代的氨基或縮水甘油醚氧基，其中感光性發泡劑係為2-重氮萘酚磺酸或2-重氮萘酚磺酸的酯。
  2. 如請求項第1項所述之晶片加工薄膜用粘結劑組合物，其中丙烯酸聚合物的重均分子量為5萬至100萬。
  3. 如請求項第1項所述之晶片加工薄膜用粘結劑組合物，其中丙烯酸聚合物以聚合的形態包含90重量份至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯單體及0.1重量份至10重量份的具有交聯性官能團的共聚單體。
  4. 如請求項第3項所述之晶片加工薄膜用粘結劑組合物，其中交聯性官能團為羥基、羧基、醯胺基、縮水甘油基或異氰酸酯基。
  5. 如請求項第1項所述之晶片加工薄膜用粘結劑組合物，其中感光性發泡劑係選自包含2-重氮-1-萘酚-5-磺酸、酚醛樹脂2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽、2,3,4-三羥基二苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽及2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮2-重氮-1-萘酚-5-磺酸鹽的組中的一種以上。
  6. 如請求項第1項所述之晶片加工薄膜用粘結劑組合物，其中更包含多官能性交聯劑。
  7. 一種晶片加工薄膜，係包含：一基材；以及一粘結劑層，係形成在該基材的單面或雙面，並包含丙烯酸聚合物及感光性發泡劑，其中丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度為-50℃至15℃，在23℃條件下的基材的韌性數值小於240Kg‧mm，丙烯酸聚合物以聚合的型態包含其他共聚單體，該共聚單體為由以下化學式1表示的單體， 其中，R1至R3選自於氫或烷基，R4選自於氰基、由烷基所取代的或 未取代的苯基、乙醯氧基或COR5，R5選自於由烷基或烷氧基所取代的或未取代的氨基或縮水甘油醚氧基，其中感光性發泡劑係為2-重氮萘酚磺酸或2-重氮萘酚磺酸的酯。
  8. 如請求項第7項所述之晶片加工薄膜，其中該基材的厚度為10μm至500μm。
  9. 如請求項第7項所述之晶片加工薄膜，其中該粘結劑層的厚度為0.5μm至50μm。
  10. 如請求項第7項所述之晶片加工薄膜，其中更包含一離型薄膜，該離型薄膜形成於該粘結劑層上。
  11. 一種半導體晶片的加工方法，係包含如下步驟：在半導體晶片附著如請求項第7項所述的晶片加工薄膜之步驟；對附著有該晶片加工薄膜的半導體晶片進行加工之步驟；以及朝向該晶片加工薄膜照射一紫外線之步驟。
  12. 如請求項第11項所述之半導體晶片的加工方法，其中加工半導體晶片的步驟係為一切割步驟或者一背面磨削步驟。
  13. 如請求項第11項所述之半導體晶片的加工方法，其中在照射紫外線之步驟中，照射5秒至60秒波長為200nm至400nm且光量為5mW/cm2至200mW/cm2的紫外線。
  14. 如請求項第11項所述之半導體晶片的加工方法，其中在照射紫外 線之後，還附加進行自晶片加工用薄膜剝離半導體晶片的步驟。
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