TW201811947A - 黏著片 - Google Patents

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平山高正
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日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種即便於加熱後自凹凸面之剝離性亦優異、且剝離後不易產生糊劑殘留之黏著片。 本發明之黏著片具備由包含基礎聚合物之黏著劑形成且能夠藉由活性能量線之照射而硬化之黏著劑層，活性能量線硬化前之該黏著劑層之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0013 N/m～0.008 N/m，活性能量線硬化前之該黏著劑層在25℃下之奈米壓痕彈性模數為0.045 MPa～0.175 MPa，且該黏著劑層之厚度為20 μm～60 μm。

Description

黏著片
本發明係關於一種黏著片。
就能夠實現小型化之觀點而言，將形成有電極之半導體晶片(附電極之半導體晶片)進行樹脂密封而製造之半導體零件近年來正受到關注。作為製造此種半導體零件之方法，研究有如下方法(片材上樹脂密封法)：於附電極之半導體晶片之電極側貼附黏著片而固定該附電極之半導體晶片，於黏著片上利用樹脂覆蓋半導體晶片而進行樹脂密封。 對於上述方法中使用之黏著片，要求能夠維持附電極之半導體晶片之固定位置之黏著性、能夠防止密封樹脂於附電極之半導體晶片之電極面滲入之密接性、不會因密封步驟中之加熱而變質之耐熱性、以及於密封後能夠自被加工物容易且糊劑殘留較少地剝離之剝離性。作為滿足此種特性之黏著片，考慮使用如下黏著片，其具備黏著性根據UV硬化而變化(即，能夠同時實現黏著性與剝離性)、耐熱性優異、且加熱時不易產生密接性破壞之黏著劑層(例如專利文獻1)。但是，即便係此種黏著片，亦存在如下問題：經加熱處理之黏著片於如附電極之半導體晶片之電極面般存在凹凸之面上，無法充分減少剝離時產生之糊劑殘留。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2015-120884號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述先前之問題而成者，其目的在於提供一種即便於加熱後自凹凸面之剝離性亦優異、且剝離後不易產生糊劑殘留之黏著片。 本發明者等人進行了銳意研究，結果發現，自凹凸面剝離黏著片時產生之糊劑殘留其主要原因係因剝離應力集中於凹凸面角部(例如電極之角部)，導致硬化後之黏著劑層受到物理破壞，進而發現，此種要因較先前關注之要因(即黏著劑層中之低分子量成分與被黏著面之分子間力等)之影響更大，從而完成了本發明。 [解決問題之技術手段] 本發明之黏著片具備由包含基礎聚合物之黏著劑形成且能夠藉由活性能量線之照射而硬化之黏著劑層，活性能量線硬化前之該黏著劑層之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0013 N/m～0.008 N/m，活性能量線硬化前之該黏著劑層在25℃下之奈米壓痕彈性模數為0.045 MPa～0.175 MPa，且該黏著劑層之厚度為20 μm～60 μm。 於一實施形態中，上述基礎聚合物具有碳-碳雙鍵，將上述黏著片於150℃下加熱1小時之時之該碳-碳雙鍵之殘存率(加熱後之丙烯酸系碳-碳雙鍵數/加熱前之碳-碳雙鍵數×100)為80%以上。 於一實施形態中，上述黏著劑層進而包含自由基捕捉劑，且該自由基捕捉劑之含有比率相對於上述基礎聚合物100重量份為1重量份以下。 於一實施形態中，上述黏著劑層進而包含光聚合起始劑，於氮氣環境下以升溫速度2℃/分鐘自23℃升溫至300℃之環境下，該光聚合起始劑之10重量%損失溫度為220℃以上。 於一實施形態中，上述黏著劑層進而包含交聯劑，且該交聯劑之含有比率相對於上述基礎聚合物100重量份為0.5重量份～1.5重量份。 於一實施形態中，將上述黏著片貼合於SUS304BA板並在150℃之環境下放置1小時後照射紫外線(累計光量：460 mJ/cm2 )時上述黏著劑層之黏著力成為0.4 N/20 mm以下。 於一實施形態中，本發明之黏著片進而包含基材，且於該基材之至少一面配置上述黏著劑層。 於一實施形態中，本發明之黏著片進而包含基材及另一黏著劑層，且該黏著片依序具備上述黏著劑層、該基材及該另一黏著劑層。 [發明之效果] 本發明之黏著片藉由具備具有特定範圍之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)之黏著劑層，能夠獲得即便於加熱後自凹凸面之剝離性亦優異且剝離後不易產生糊劑殘留之黏著片。
A. 黏著片之整體構成 圖1係本發明之一實施形態之黏著片之概略剖視圖。黏著片100具備基材10及位於基材10之至少一面之黏著劑層20。黏著劑層20之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0013 N/m～0.008 N/m。圖1中示出具備基材10之黏著片100，但本發明之黏著片可具備亦可不具備基材。本發明中，由於形成具有適當剛性之黏著劑層，因此即便不具備基材，亦能夠發揮上述效果。雖未圖示，但本發明之黏著片於供於使用之前之期間，為了保護黏著面，亦可於黏著劑層之外側設置剝離襯墊。 圖2係本發明之另一實施形態之黏著片之概略剖視圖。該黏著片100依序具備黏著劑層20、基材10及另一黏著劑層30。此種黏著片作為雙面黏著片發揮功能，該雙面黏著片例如可適宜地用作於半導體晶片加工(例如樹脂密封)中可提高作業性之被加工物固定用片材。另一黏著劑層代表性地係包含感壓型之黏著劑。 本發明中，藉由適當地調整黏著劑層之奈米壓痕彈性模數及厚度而使黏著劑層20之剛性為0.0013 N/m～0.008 N/m，從而能夠追隨性良好地密接於凹凸面，並且能夠防止因凹凸面之階差引起之糊劑殘留、即、因剝離應力集中於黏著劑層而產生之糊劑殘留。本發明之黏著片於即便經過加熱(例如100℃～200℃之加熱)後亦可糊劑殘留較少地進行剝離之方面而言特別有利。具備此種黏著劑層之黏著片於上述片材上樹脂密封法時可較佳地用作固定附電極之半導體晶片之黏著片。更具體而言，具備上述黏著劑層之黏著片由於能夠黏著性及密接性良好地貼合於附電極之半導體晶片之電極面(凹凸面)，因此能夠防止密封樹脂沿電極面滲入，並且在剝離時不易產生因電極之階差引起之糊劑殘留。再者，於附電極之半導體晶片產生糊劑殘留之情形時，將該附電極之半導體晶片與其他電氣零件連接時，黏著劑殘渣會成為導通不良之原因。又，黏著劑殘渣亦會成為焊接不良之原因。 本發明之黏著片具有黏著劑層藉由活性能量線(代表性的是紫外線)而硬化，使黏著性降低之特性。藉由照射活性能量線而使黏著劑層之黏著性降低，從而變得容易自被黏著體剝離。本發明於如下方面具有一特徵：藉由將黏著劑層硬化前之上述剛性設為特定範圍，而使黏著劑層硬化後之糊劑殘留抑制效果提高。B. 黏著劑層 如上所述，黏著劑層於活性能量線硬化前之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0013 N/m～0.008 N/m。該剛性較佳為0.002 N/m～0.006 N/m，進而較佳為0.0025 N/m～0.005 N/m。若為此種範圍，則本發明之效果變得顯著。再者，奈米壓痕彈性模數係指自負載時至卸載時連續地測定將壓頭壓入試樣時對壓頭之負載荷重與壓入深度，並由獲得之負載荷重-壓入深度曲線而求出之彈性模數。奈米壓痕彈性模數之測定方法之詳細內容於後文進行說明。 上述黏著劑層於活性能量線硬化前在25℃下之奈米壓痕彈性模數較佳為0.045 MPa～0.175MPa，更佳為0.1 MPa～0.15 MPa。若為此種範圍，則能夠獲得黏著性及密接性優異之黏著片。具備該彈性模數未達0.045 MPa之黏著劑層之黏著片於貼合於凹凸面時過於追隨凹凸面，其結果有產生因凹凸面之階差引起之糊劑殘留之虞。於該彈性模數大於0.175 MPa之情形時，有對凹凸面之密接性變差之虞。奈米壓痕彈性模數例如可藉由構成黏著劑之基礎聚合物之種類、該基礎聚合物之分子量、該基礎聚合物之交聯程度等進行控制。 上述黏著劑層於活性能量線硬化後在25℃下之奈米壓痕彈性模數較佳為1 MPa～100 MPa，更佳為5 MPa～50 MPa。若為此種範圍，則能夠獲得剝離性優異之黏著片。 上述黏著劑層之厚度(活性能量線硬化前之厚度)較佳為20 μm～60 μm，更佳為25 μm～50 μm，進而較佳為30 μm～45 μm。若為此種範圍，則藉由使上述剛性為特定範圍所獲得之效果變得顯著。 將本發明之黏著片貼合於SUS304BA板時之23℃下之上述黏著劑層之黏著力a1較佳為0.2 N/20 mm以上，更佳為0.5 N/20 mm～20 N/20 mm，進而較佳為0.75 N/20 mm～10 N/20 mm。若為此種範圍，則能夠獲得作為於上述片材上樹脂密封法中使用之固定用片材之適宜之黏著片。本說明書中，黏著力係指藉由依據JIS Z 0237：2000之方法測得之黏著力。具體測定方法於後文進行說明。再者，本發明之黏著片係藉由活性能量線之照射而使黏著力降低之黏著片，但上述「23℃下之黏著力」係指活性能量線照射前、即、使黏著力降低前之黏著力。 將本發明之黏著片貼合於SUS304BA板並在150℃之環境下放置1小時後之上述黏著劑層之黏著力a2較佳為成為1 N/20 mm以上，更佳為成為1 N/20 mm～20 N/20 mm，進而較佳為成為5 N/20 mm～15 N/20 mm。於150℃之環境下放置1小時後之黏著力a2為活性能量線照射前之黏著力。 將本發明之黏著片貼合於SUS304BA板並在150℃之環境下放置1小時後，照射紫外線(累計光量：460 mJ/cm2 )時之上述黏著劑層之黏著力b1較佳為成為2 N/20 mm以下，更佳為成為1 N/20 mm以下，進而較佳為成為0.4 N/20 mm以下。若為此種範圍，則能夠獲得剝離性優異之黏著片。黏著力b1越小越佳，其下限例如為0.01 N/20 mm。 上述黏著劑層包含黏著劑及添加劑(例如交聯劑、自由基捕捉劑、光聚合起始劑)。上述黏著劑層可藉由任意適當之方法塗覆該包含黏著劑及添加劑之黏著劑層形成用組合物而形成。 作為構成上述黏著劑之基礎聚合物，例如可列舉：丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物(例如天然橡膠、氯丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丁腈橡膠等)、聚酯、胺基甲酸酯系聚合物、聚醚、聚矽氧系聚合物、聚醯胺、氟系聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯系聚合物、環氧系樹脂、氯乙烯系聚合物、氰基丙烯酸酯系聚合物、纖維素系聚合物(硝基纖維素系聚合物等)、酚樹脂、聚醯亞胺、聚烯烴、苯乙烯系聚合物、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇縮丁醛、聚苯并咪唑、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、間苯二酚系聚合物等。該等聚合物可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。就密接性、成本等觀點而言，較佳為丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物，更佳為丙烯酸系聚合物。再者，「基礎聚合物」係指黏著劑所含之聚合物之主成分。上述聚合物較佳為於室溫附近之溫度區域中顯示橡膠彈性之橡膠狀聚合物。又，該說明書中「主成分」於並無特別說明之情形時係指含量超過50重量%之成分。 作為上述丙烯酸系聚合物，例如較佳為包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主單體、且包含具有與該主單體之共聚性之副單體的單體原料之聚合物。此處，主單體係指於上述單體原料中之單體組成佔超過50重量%之成分。主單體之含有比率相對於單體原料中之單體總量100重量份，較佳為70重量份～100重量份，更佳為90重量份～99.5重量份。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可較佳地使用下述式(1)所表示之化合物。 CH2 =C(R1 )COOR2 (1) 此處，上述式(1)中之R1 為氫原子或甲基。又，R2 為碳原子數為1～20之支鏈狀或直鏈狀烷基(以下有時將此種碳原子數範圍記為「C1-20」)。R2 較佳為支鏈狀或直鏈狀之C1-14烷基，更佳為支鏈狀或直鏈狀之C6-14烷基，進而較佳為支鏈狀或直鏈狀之C8-12烷基。 作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用1種或組合使用2種以上。作為較佳之(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸月桂酯(LA)。就獲得適度之剝離強度之觀點而言，尤佳為2EHA、LA。 於一實施形態中，使用R2 為碳數8以上之支鏈狀或直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若使用此種單體作為主單體，則能夠形成與金屬之親和性相對較低之黏著劑層。具備此種黏著劑層之黏著片於自半導體晶片剝離時不易產生糊劑殘留。作為R2 為碳數8以上之支鏈狀或直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：2EHA、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯等。源自R2 為碳數8以上之支鏈狀或直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之含有比率相對於基礎聚合物100重量份，較佳為70重量份～95重量份，更佳為70重量份～90重量份，進而較佳為75重量份～85重量份。若為此種範圍，則能夠形成剝離性優異之黏著劑層。 具有與作為主單體之(甲基)丙烯酸烷基酯之共聚性之副單體可於在丙烯酸系聚合物中導入交聯點、或者提高丙烯酸系聚合物之凝集力等之方面發揮作用。又，較佳為採用具有能夠與後述含碳-碳雙鍵之單體之官能基(官能基b)反應之官能基(官能基a)之單體作為副單體。作為副單體，例如可將如下般含官能基單體成分單獨僅使用1種或組合使用2種以上。 含羧基單體：例如丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸；順丁烯二酸、伊康酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸及其酐(順丁烯二酸酐、伊康酸酐等)； 含羥基單體：例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類；2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物； 含胺基單體：例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯； 含環氧基單體：例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚； 含氰基單體：例如丙烯腈、甲基丙烯腈； 含酮基單體：例如二丙酮(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙醯乙酸烯丙酯、乙醯乙酸乙烯酯； 具有含氮原子環之單體：例如N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基㗁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎啉； 含烷氧基矽烷基之單體：例如3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷； 含異氰酸酯基單體：(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。 再者，就維持剝離性之觀點而言，較佳為不使用能夠生成與金屬之親和性較高之聚合物之含醯胺基單體。 作為上述副單體，就提高凝集性之觀點而言，較佳為使用含羧基單體，上述含羧基單體更佳為AA或MAA。 上述源自副單體之結構單元之含有比率相對於基礎聚合物100重量份，較佳為0.1重量份～40重量份，更佳為1重量份～30重量份。若為此種範圍，則能夠形成凝集力較高且密接性優異之黏著劑層。 又，於如後述般使用具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物作為基礎聚合物之情形時，作為副單體，較佳為使用具有能夠與後述具有碳-碳雙鍵之化合物B之官能基(官能基b)反應之官能基(官能基a)之副單體。於該情形時，副單體之種類根據上述化合物B之種類而確定。作為具有官能基a之副單體，例如較佳為含羧基單體、含環氧基單體、含羥基單體、含異氰酸酯基單體，尤佳為含羥基單體。藉由使用含羥基單體作為副單體，而丙烯酸系聚合物具有羥基。相對於此，藉由使用含異氰酸酯基單體作為具有碳-碳雙鍵之化合物B，上述丙烯酸系聚合物之羥基與上述化合物之異氰酸酯基發生反應，而將源自上述化合物B之碳-碳雙鍵導入至丙烯酸系聚合物。 又，為了提高丙烯酸系聚合物之凝集力等，亦可使用除上述副單體以外之其他共聚成分。作為該共聚成分，例如可列舉：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；苯乙烯、取代苯乙烯(α-甲基苯乙烯等)、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基化合物；(甲基)丙烯酸環己酯、二(甲基)丙烯酸環戊酯等、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸芳基酯(例如(甲基)丙烯酸苯酯)、(甲基)丙烯酸芳氧基烷基酯(例如(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯)、(甲基)丙烯酸芳基烷基酯(例如(甲基)丙烯酸苄酯)等含芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；氯乙烯、偏二氯乙烯等含氯單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基單體；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系單體等。該等副單體以外之其他共聚成分可單獨使用1種或組合使用2種以上。該其他共聚成分之量相對於單體原料中之單體總量100重量份，例如為2重量份～20重量份。 進而，為了實現丙烯酸系聚合物之交聯處理等，可使用多官能性單體作為共聚性成分。作為上述多官能性單體，可使用己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯等之1種或2種以上。上述多官能性單體之量相對於單體原料中之單體總量100重量份例如為30重量份以下。 上述丙烯酸系聚合物可藉由任意適當之聚合方法而獲得。例如可列舉溶液聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、懸浮聚合法等。 較佳為於上述基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物)中導入碳-碳雙鍵。藉由使用具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物，能夠形成利用活性能量線(代表性的是紫外線)而硬化之黏著劑層。再者，本發明中，除該方法以外，亦可使用含有聚合性單體或低聚物與丙烯酸系聚合物之黏著劑來形成硬化性黏著劑層，但就獲得糊劑殘留更少之黏著片之觀點而言，較佳為使用具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物形成硬化性黏著劑層。 作為具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物之生成方法，可採用任意適當之方法。例如可列舉使具有官能基a之聚合物A與具有能夠與該官能基a反應之官能基(官能基b)及碳-碳雙鍵之化合物B反應的方法。此時，較佳為以不會使碳-碳雙鍵消失之方式進行反應，例如可採用縮合反應、加成反應等。作為聚合物A，例如，如上述說明般可使用使作為主單體之(甲基)丙烯酸烷基酯與具有官能基a之副單體共聚而獲得之聚合物。 作為上述官能基a與官能基b之組合，可列舉羧基與環氧基之組合、羧基與氮丙啶基之組合、羥基與異氰酸酯基之組合等。其中，就反應追蹤性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。就聚合物設計等觀點而言，尤佳為丙烯酸系聚合物具有羥基且上述化合物具有異氰酸酯基之組合。 作為上述具有碳-碳雙鍵及官能基b之化合物，例如可列舉含異氰酸酯基單體(含異氰酸酯基化合物)。其中，更佳為異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。 含異氰酸酯基單體之調配量相對於導入碳-碳雙鍵前之聚合物(即聚合物A)100重量份，較佳為1重量份～40重量份，更佳為5重量份～30重量份，進而較佳為10重量～15重量份。 又，亦可以使聚合物A所具有之羥基殘存之方式導入碳-碳雙鍵。如此，於黏著劑層被加熱時能夠提高交聯度。於該情形時，作為官能基a之羥基與作為官能基b之異氰酸酯基之莫耳比(a/b)適宜為超過1，較佳為設為1.1以上。 上述基礎聚合物較佳為以耐熱性優異之方式構成，即，以即便在加熱(例如100℃～200℃之加熱)後亦維持活性能量線硬化性之方式構成。更具體而言，較佳為使用即便被加熱而亦難以引起因奪氫產生自由基之基礎聚合物。因加熱導致之無需之自由基產生會成為聚合物鏈切斷之原因(黏著劑層脆弱化之原因)、碳-碳雙鍵消失之原因。 作為上述耐熱性指標之一，可列舉加熱後碳-碳雙鍵之殘存率。於上述黏著劑包含具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物之情形時，較佳為將黏著片於150℃下加熱1小時之時之該碳-碳雙鍵之殘存率(加熱後之碳-碳雙鍵/加熱前之碳-碳雙鍵×100)為80%以上，更佳為90%以上。該殘存率越高越佳，其上限例如為99.9%。於加熱後之碳-碳雙鍵之殘存率較低之情形、即因加熱而使碳-碳雙鍵大量消失(耐熱性較低)之情形時，有因活性能量線照射導致之黏著力降低變得不充分之虞。另一方面，若碳-碳雙鍵之殘存率為上述範圍，則即便於加熱後，基於活性能量線之硬化亦充分進行，能夠形成黏著力適當降低之黏著劑層。具備此種黏著劑層之黏著片即便於經過加熱步驟(例如上述進行樹脂密封之步驟)後亦可剝離性良好地被剝離。碳-碳雙鍵之殘存率可藉由交聯劑種類之選擇、交聯劑之添加量、自由基捕捉劑之使用及添加量、以及光聚合起始劑種類之選擇等進行適當調整。詳細內容於後文進行說明。 上述基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物)之重量平均分子量Mw較佳為10×104 ～500×104 ，更佳為20×104 ～100×104 ，進而較佳為30×104 ～70×104 。若為此種範圍，則能夠形成糊劑殘留較少且密接性優異之黏著劑層。再者，本說明書中Mw係指由GPC(gel permeation chromatography，凝膠滲透層析法)獲得之標準聚苯乙烯換算之值。 上述基礎聚合物之羥值較佳為70 mgKOH/g～140 mgKOH/g，更佳為95 mgKOH/g～135 mgKOH/g。若為此種範圍，則以較佳量添加之交聯劑與基礎聚合物適當地反應，能夠形成機械特性(高奈米壓痕彈性模數)及耐熱性優異、且具有適當之黏著力之黏著劑層。 較佳為上述黏著劑層包含交聯劑。作為交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。該等交聯劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。 上述交聯劑之含有比率相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份，較佳為0.5重量份～1.5重量份，更佳為1重量份～1.25重量份。若為此種範圍，則可形成奈米壓痕彈性模數經適當調整之黏著劑層。進而，於使用包含具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物之黏著劑之情形時，藉由將交聯劑(較佳為異氰酸酯系交聯劑)之含有比率設為上述範圍，能夠提高加熱後之碳-碳雙鍵之上述殘存率。其結果，可獲得即便進行加熱而亦可良好地硬化之黏著劑層。 於一實施形態中，較佳為使用異氰酸酯系交聯劑。異氰酸酯系交聯劑就能夠與多種官能基反應之方面而言較佳。尤佳為使用具有3個以上異氰酸酯基之交聯劑。藉由使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑，且將交聯劑之含有比率設為上述範圍，可形成即便於加熱後剝離性亦優異且糊劑殘留明顯較少之黏著劑層。 上述異氰酸酯系交聯劑較佳為以異氰酸酯系交聯劑之官能基數相對於基礎聚合物中之能夠與異氰酸酯系交聯劑反應之官能基之官能基數成為10 mol%～50 mol%之方式添加，更佳為以成為20 mol%～40 mol%之方式添加。若以此種量添加，則可形成奈米壓痕彈性模數經適當調整之黏著劑層。 較佳為上述黏著劑層包含自由基捕捉劑。本發明中，自由基捕捉劑係指於加熱下(例如100℃～200℃)能夠與自由基進行反應之化合物。作為此種自由基捕捉劑，例如可列舉：過氧化苯甲醯等過氧化物、偶氮雙異丁腈等偶氮系化合物等。尤佳為過氧化苯甲醯。藉由含有自由基捕捉劑，能夠提高加熱後之碳-碳雙鍵之上述殘存率。其結果，可獲得即便進行加熱亦可良好地硬化之黏著劑層。尤佳為過氧化苯甲醯。使用加熱時自捕捉劑產生之自由基，而適當調整雙鍵之殘存率，在此基礎上，使丙烯酸系聚合物中之碳-碳雙鍵適度交聯(熱硬化)，藉此能夠抑制加熱時之帶隆起。又，偶氮雙異丁腈為不存在熱硬化性之捕捉劑，若使用偶氮雙異丁腈，則能夠提高丙烯酸系聚合物中之雙鍵之殘存率。例如，於加熱時之隆起不會成為問題之情形時，可適宜地使用偶氮系捕捉劑。 上述自由基捕捉劑之含有比率相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份，較佳為1重量份以下，更佳為0.04重量份～0.08重量份。若為此種範圍，則提高碳-碳雙鍵之上述殘存率之上述效果變得顯著。 上述黏著劑層可包含光聚合起始劑。較佳為使用不易因加熱而分解或生成自由基之光聚合起始劑。若使用此種光聚合起始劑，則即便於加熱後基於活性能量線之硬化亦充分進行，能夠形成黏著力適當降低之黏著劑層。其結果，可獲得即便進行加熱而亦可良好地硬化之黏著劑層。 於一實施形態中，作為光聚合起始劑，使用10重量%損失溫度為200℃以上之光聚合起始劑。若使用此種光聚合起始劑，則即便於進行加熱後基於活性能量線之硬化亦充分進行，能夠形成黏著力適當降低之黏著劑層。再者，10重量%損失溫度係指於將光聚合起始劑放置在氮氣環境下，以升溫速度2℃/分鐘使環境溫度自23℃上升至300℃時，光聚合起始劑之重量相對於升溫前之重量減少10重量%(即，光聚合起始劑之重量相對於升溫前之重量成為90重量%)之時刻下之該環境溫度。光聚合起始劑之10重量%損失溫度更佳為210℃以上，進而較佳為220℃以上。作為10重量%損失溫度為此種範圍之光聚合起始劑，例如可列舉：BASF公司製造之商品名「IRGACURE 369」、「IRGACURE 379ex」、「IRGACURE 819」、「IRGACURE OXE2」、「IRGACURE 127」；Lamberti公司製造之商品名「Esacure one」、「Esacure 1001m」；旭電化工業公司製造之商品名「Adekaoptomer N-1414」、「Adekaoptomer N-1606」、「Adekaoptomer N-1717」等。 上述黏著劑層可視需要進而包含任意適當之添加劑。作為該添加劑，例如可列舉：黏著賦予劑、塑化劑(例如偏苯三甲酸酯系塑化劑、均苯四甲酸酯系塑化劑)、顏料、染料、填充劑、抗老化劑、導電材料、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑、溶劑等。C. 基材 上述基材只要能夠可剝離地形成上述黏著劑層，則可由任意適當之材料構成。作為基材，例如可列舉織布、不織布等纖維系基材；紙系基材；樹脂膜等塑膠系基材等。又，亦可將發泡片等發泡體用作基材。進而，亦可為多層構成之基材。於基材具有多層形態之情形時，各層可為同一基材，亦可組合不同之基材。 上述基材之厚度較佳為25 μm～75 μm。D. 另一黏著劑層 於將具備上述另一黏著劑層之本發明之黏著片貼合於SUS板並在150℃之環境下放置1小時後之上述另一黏著劑層之黏著力c2較佳為成為2 N/20 mm以下，更佳為成為1 N/20 mm以下。若為此種範圍，則可獲得剝離性優異之黏著片。黏著力b1越小越佳，其下限例如為0.05 N/20 mm。 上述另一黏著劑層例如包含丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等黏著劑。 上述另一黏著劑層之厚度例如為1 μm～100 μm。 [實施例] 以下藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。實施例中之評價方法如下所述。又，實施例中，只要無特別說明，則「份」及「%」為重量基準。 (1)光聚合起始劑之重量損失 將光聚合起始劑10 mg設置於溫度調變型TGA(TA Instruments公司製造)中，於氮氣環境下以升溫速度2℃/分鐘自室溫(25℃)升溫至300℃，測定該升溫造成之重量損失。 (2)雙鍵殘存率 將黏著片用烘箱於150℃下加熱1小時，評價構成黏著劑層之黏著劑(丙烯酸系聚合物)之碳-碳雙鍵之殘存率(加熱後之碳-碳雙鍵/加熱前之碳-碳雙鍵×100)。碳-碳雙鍵之殘存率根據利用FT-IR(Fourier Transform Infrared Spectroscopy，傅立葉轉換紅外光譜法)分析黏著劑所獲得之1620～1650 cm-1 之峰面積，藉由(加熱後之峰面積/加熱前之峰面積)之式而求出。 (3)黏著劑層在23℃下之黏著力 於23℃之環境下，將切成20 mm寬之黏著片之黏著劑層面貼合於SUS304BA板(貼合條件：2 kg輥往返1次)。貼合後經過30分鐘後，自SUS304BA板剝離黏著片，測定剝離強度(剝離速度：300 mm/分鐘、剝離角度：180°)。 (4)於150℃之環境下放置1小時並照射紫外線後之黏著劑層之黏著力 以與上述(3)相同之方式將黏著片貼合於SUS304BA板。 然後，將黏著片與SUS304BA板之積層體於150℃之加熱烘箱內放置1小時。繼而，使用高壓水銀燈對該積層體照射紫外線(43 mW/cm2 、10.7秒、460 mJ/cm2 )。 繼而，自SUS304BA板剝離黏著片，測定剝離強度(剝離速度：300 mm/分鐘、剝離角度：180°)。 (5)於150℃之環境下放置1小時後之另一黏著劑層黏著力 將切成20 mm寬之黏著片之另一黏著劑層面貼合於SUS304BA板(貼合條件：2 kg輥往返1次)。 然後，將黏著片與SUS304BA板之積層體於150℃之加熱烘箱內放置1小時。繼而，自SUS304BA板剝離黏著片，測定剝離強度(剝離速度：300 mm/分鐘、剝離角度：180°)。 (6)糊劑殘留性、樹脂洩漏性 利用惰性氣體電漿濺射Au靶，從而於矽晶圓表面形成電極配線用Au金屬膜，由該矽晶圓獲得0.75 mm見方之晶片。再者，Au膜以於晶片中央形成0.25mm寬之溝槽之方式以高度3 μm形成於晶片面之兩端。 將以上述方式製作之晶片(625個)以1 mm間隔排列於黏著片之黏著劑層面。繼而，滴加聚矽氧密封劑(Dow Corning Toray公司製造，商品名「OE-6336」)用以密封該晶片後，將上述晶片熱壓接於黏著片上(壓力：2 MPa、溫度：100℃)。 然後，進行150℃×3小時之後硬化。繼而，於聚矽氧密封劑面貼合聚氯乙烯系膜(日東電工公司製造，商品名「SPV-224」)後，使用高壓水銀燈對該積層體照射紫外線(43 mW/cm2 ，10.7秒，460 mJ/cm2 )，然後剝離黏著片。 剝離後，利用目視對晶片與聚矽氧密封劑上有無殘存之黏著劑層成分(有無糊劑殘留)、以及黏著劑層於晶片上形成之溝槽中有無混入(有無黏著劑洩漏)進行確認。再者，表1中，將未確認到糊劑殘留及黏著劑層洩漏之情況記為〇，將確認到之情況記為×。 (7)剝離性 在上述(6)之評價時，對剝離黏著片時晶片是否被轉印至聚氯乙烯系膜(日東電工公司製造，商品名「SPV-224」)上(黏著片側是否有晶片殘存)進行確認。表1中，將所有晶片轉印至聚氯乙烯系膜上之情況記為〇，將有1個以上晶片殘存於黏著片側之情況記為×。 (8)奈米壓痕彈性模數、剛性 利用奈米壓痕儀對實施例及比較例獲得之黏著片之黏著劑層表面測定彈性模數。將藉由對測定對象壓抵探針(壓頭)而獲得之位移-荷重遲滯曲線利用測定裝置附帶之軟體(triboscan)進行數值處理，藉此獲得彈性模數。 又，根據所測得之奈米壓痕彈性模數與黏著劑層之厚度，求出剛性。奈米壓痕儀裝置及測定條件如下所述。 裝置及測定條件 (i)裝置：奈米壓痕儀；Hysitron Inc公司製造之Triboindenter (ii)測定方法：單一壓入法 (iii)測定溫度：25℃ (iv)壓入速度：約1000 nm/秒 (v)壓入深度：約800 nm (vi)探針：金剛石製，Berkovich型(三角錐型) [實施例1] (黏著劑層(紫外線硬化型黏著劑層)之形成) 將丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)88.6重量份、丙烯酸羥基乙酯(HEA)11.2重量份、聚合起始劑(日本油脂公司製造，商品名「Nyper BW」)0.2重量份及甲苯進行混合。於氮氣氣流下以60℃使所獲得之混合物聚合，獲得重量平均分子量(Mw)為約60萬之丙烯酸系共聚物。 對於包含丙烯酸系共聚物100重量份之甲苯溶液，加入異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)11.9重量份、及二月桂酸丁基錫0.06重量份，使MOI進行加成反應，製備具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。進而，於上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中，相對於丙烯酸系聚合物之固形物成分100重量份，添加異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「CORONATE L」)0.5重量份、及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製造，商品名「IRGACURE 127」(Irg127)：2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮)3重量份而製備塗覆液。將該塗覆液塗覆於PET基材(50 μm)之一面，獲得具備紫外線硬化型黏著劑層(厚度：30 μm)之黏著帶a(黏著劑層/PET基材)。又，將黏著劑層所含之光聚合起始劑Irg127供於上述評價(1)，結果200℃下之重量損失為5.78%、210℃下之重量損失為6.4%、220℃下之重量損失為7.47%、230℃下之重量損失為9.29%。 (另一黏著劑層(感壓型黏著劑層)之形成) 將丙烯酸丁酯(BA)96.9重量份、丙烯酸(AA)2.7重量份、聚合起始劑(日本油脂公司製造，商品名「Nyper BW」)0.4重量份及甲苯進行混合。於氮氣氣流下以60℃使所獲得之混合物聚合，獲得重量平均分子量(Mw)為約50萬之丙烯酸系共聚物。 於包含丙烯酸系共聚物100重量份之甲苯溶液中添加環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD C」)1.5重量份而製備塗覆液。將該塗覆液塗覆於上述黏著帶a之PET基材之與黏著劑層為相反側之面，獲得黏著帶I(黏著劑層/PET基材/另一黏著劑層(厚度：50 μm))。 將所得之黏著帶I供於上述評價(2)～(8)。 [實施例2～12、比較例1～6] 將用於形成黏著劑層及另一黏著劑層之化合物設為表1及表2所示之化合物，除此以外與實施例1同樣地獲得黏著帶。 將所得之黏著帶I供於上述評價(2)～(8)。將結果示於表1或表2。 再者，表1中，ACMO係指丙烯醯基嗎啉、LMA係指甲基丙烯酸月桂酯、INAA係指丙烯酸異壬酯、IOAA係指丙烯酸異辛酯、2-HEMA係指甲基丙烯酸2-乙基己酯。 [表1] [表2]
10‧‧‧基材
20‧‧‧黏著劑層
30‧‧‧另一黏著劑層
100‧‧‧黏著片
200‧‧‧黏著片
圖1係本發明之一實施形態之黏著片之概略剖視圖。 圖2係本發明之另一實施形態之黏著片之概略剖視圖。

Claims (16)

  1. 一種黏著片，其具備由包含基礎聚合物之黏著劑形成且能夠藉由活性能量線之照射而硬化之黏著劑層，且 活性能量線硬化前之該黏著劑層之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0013 N/m～0.008 N/m， 活性能量線硬化前之該黏著劑層在25℃下之奈米壓痕彈性模數為0.045 MPa～0.175MPa，且 該黏著劑層之厚度為20 μm～60 μm。
  2. 如請求項1之黏著片，其中活性能量線硬化前之上述黏著劑層之剛性(25℃下之奈米壓痕彈性模數與厚度之乘積)為0.0025 N/m～0.005 N/m。
  3. 如請求項1之黏著片，其中活性能量線硬化前之上述黏著劑層在25℃下之奈米壓痕彈性模數為0.1 MPa～0.15MPa。
  4. 如請求項1之黏著片，其中上述基礎聚合物為丙烯酸系聚合物。
  5. 如請求項4之黏著片，其中上述丙烯酸系聚合物為包含下述式(1)所表示之(甲基)丙烯酸烷基酯作為主單體、且包含具有與該主單體之共聚性之副單體的單體原料之聚合物， CH2 =C(R1 )COOR2 (1) 式(1)中之R1 為氫原子或甲基，R2 為碳數8以上之支鏈狀或直鏈狀烷基。
  6. 如請求項1之黏著片，其中上述基礎聚合物具有碳-碳雙鍵， 將上述黏著片於150℃下加熱1小時之時之該碳-碳雙鍵之殘存率(加熱後之丙烯酸系碳-碳雙鍵數/加熱前之碳-碳雙鍵數×100)為80%以上。
  7. 如請求項1之黏著片，其中上述基礎聚合物之重量平均分子量Mw為10×104 ～500×104 。
  8. 如請求項1之黏著片，其中上述基礎聚合物之羥值為70 mgKOH/g～140 mgKOH/g。
  9. 如請求項1之黏著片，其中上述黏著劑層進而包含自由基捕捉劑，且 該自由基捕捉劑之含有比率相對於上述基礎聚合物100重量份為1重量份以下。
  10. 如請求項1之黏著片，其中上述黏著劑層進而包含光聚合起始劑， 於氮氣環境下以升溫速度2℃/分鐘自23℃升溫至300℃之環境下，該光聚合起始劑之10重量%損失溫度為220℃以上。
  11. 如請求項1之黏著片，其中上述黏著劑層進而包含交聯劑，且 該交聯劑之含有比率相對於上述基礎聚合物100重量份為0.5重量份～1.5重量份。
  12. 如請求項1之黏著片，其中將上述黏著片貼合於SUS304BA板時之23℃下之上述黏著劑層之黏著力為0.2 N/20 mm以上。
  13. 如請求項1之黏著片，其中將上述黏著片貼合於SUS304BA板並在150℃之環境下放置1小時後之上述黏著劑層之黏著力為1 N/20 mm以上。
  14. 如請求項1之黏著片，其中將上述黏著片貼合於SUS304BA板並在150℃之環境下放置1小時後照射紫外線(累計光量：460 mJ/cm2 )時， 上述黏著劑層之黏著力成為0.4 N/20 mm以下。
  15. 如請求項1之黏著片，其進而包含基材，且於該基材之至少一面配置上述黏著劑層。
  16. 如請求項1之黏著片，其進而包含基材及另一黏著劑層，且 該黏著片依序具備上述黏著劑層、該基材及該另一黏著劑層。
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