JP2014192464A - 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を平坦化することができ、厚さ精度が良好となるように半導体ウェハの裏面を研磨できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有し、前記粘着剤層に表面に凹凸を有する半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであり、前記基材フィルムは、前記半導体ウェハの裏面研磨を実施する前に、前記半導体ウェハが貼合されることにより前記凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化されることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。さらに詳しくは、その表面に凹凸を有する半導体ウェハのバックグラインディング工程へ適用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。

半導体ウェハの加工工程において、半導体ウェハ表面にパターンを形成した後、半導体ウェハ裏面を所定厚さまで研削・研磨するいわゆるバックグラインディングが行なわれる。その際、半導体ウェハ表面を保護する目的で、半導体ウェハ表面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼り合わせ、その状態で半導体ウェハの裏面が研磨される。半導体ウェハ表面保護用粘着テープとしては、エチレン酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記載）などのポリオレフィン基材フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

近年、携帯電話やパソコンなどの小型化、高機能化に伴い、ワイヤーボンディングに比べて省スペースで実装可能なフリップチップ実装が開発されている。フリップチップ実装は、チップ表面と基板を電気的に接続する際、半導体ウェハ表面に形成されたボール状や円柱状のバンプによって接続する。このようなバンプは、高さ（厚さ）が１００μｍを超えるようなものもあり、表面凹凸の大きい半導体ウェハに半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合すると、半導体ウェハ表面保護用粘着テープにも半導体ウェハ表面の凹凸が転写され、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面が凹凸を有するようになってしまう。

この状態のまま半導体ウェハの裏面研磨を行った場合、半導体ウェハが貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープを保持するチャックテーブルと半導体ウェハ表面保護用粘着テープとの間に空隙が発生し、それに伴う研削圧力の不均一化のため、ディンプルと呼ばれる凹凸の半導体ウェハ研磨面への転写や、研削後の半導体ウェハの厚さ精度（ＴＴＶ）悪化、半導体ウェハ割れ等が発生するという問題があった。

上記問題を解決する手段として、例えば粘着剤層の厚さを厚くする、もしくは粘着剤層や基材フィルムを柔らかくすることによりバンプ等の凹凸を吸収することで半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面への凹凸発生を防止するといった方法が挙げられる。

しかし、粘着剤層を厚くするといった手法では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ剥離時の半導体ウェハ表面への粘着剤付着（糊残り）の誘発を引き起こしやすい。特に、粘着剤層が放射線硬化型である場合は、粘着剤層の硬化により粘着剤が収縮（硬化収縮）を起こし、バンプへの噛みこみが非常に大きくなる。その結果、半導体ウェハの裏面研磨後に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する際に大きな力が必要となるため、半導体ウェハ表面保護用粘着テープがちぎれたり、半導体ウェハからバンプがもげるといった問題が指摘されている。

一方、粘着剤層を柔らかくした場合は、上記のような糊残りの懸念に加えて、半導体ウェハの裏面研磨時の圧力により粘着剤層が変形し、研削後の半導体ウェハ厚さ精度（ＴＴＶ）がより悪化してしまうといった問題があった。

そこで、上記課題を解決するため、半導体ウェハに貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープの半導体ウェハが貼合されていない側の面に、樹脂を成型し、その樹脂によりウェハ裏面を基準に平坦に研削した後に、半導体ウェハ裏面の研磨を行うことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０００−８０１０号公報 特開２００６−１４０３０４号公報

しかしながら、特許文献２に記載のように、半導体ウェハを半導体ウェハ表面保護用粘着テープに貼合した後に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの半導体ウェハが貼合されていない側の面に樹脂を成型した場合、工程が煩雑になるという問題があった。また、樹脂の成型時の熱や圧力により半導体表面保護用粘着テープと半導体ウェハの密着性が上がり、半導体ウェハの裏面研削後における半導体表面保護用粘着テープとの剥離性が悪化するという問題があった。

このような問題を解決するために、樹脂を成型することなく、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ自体を研削して半導体ウェハ表面の凹凸が転写された凹凸を平坦にすることも考えられる。しかし、通常の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは研削時のせん断力に対し半導体ウェハへの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力が不足し、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが半導体ウェハから剥れてしまうといった問題があった。また、半導体ウェハから剥れず、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面を研削できたとしても、研削性が悪いため研削面の平坦性が損なわれ、半導体ウェハの裏面研削において厚さ精度を良くする効果が得られず、ディンプルが発生するなどの問題がある。

そこで、本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を平坦化することができ、半導体ウェハの裏面を厚さ精度が良好となるように研磨できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有し、前記粘着剤層に表面に凹凸を有する半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであり、前記基材フィルムは、前記半導体ウェハの裏面研磨を実施する前に、前記半導体ウェハが貼合されることにより前記凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化されることを特徴とする。

また、上記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、前記粘着層の厚さが１０〜６０μｍであることが好ましい。

本発明によれば、粘着剤層は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであるため、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面すなわち基材フィルムを研削しても、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが半導体ウェハから剥離することがない。したがって、半導体ウェハが貼合した際に半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に形成された凹凸を、基材フィルムを研削して平坦化すればよく、別途樹脂を成型してから該樹脂を研削する必要がないため、工程が煩雑になることがない。また、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面を良好に平坦化することができ、その結果、半導体ウェハの裏面を研磨した際の厚さ精度が向上する。

本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの使用例を模式的に説明するための説明図である。

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

本発明の実施形態に係る半導体表面保護用粘着テープは、基材フィルムの片側に、少なくとも1種類の粘着剤からなる粘着剤層を有している。

図１は、本発明の半導体表面保護用粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図である。図１に示すように、半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２上には粘着剤層３が形成されている。また、半導体表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層３上に、粘着剤層３を保護するための剥離フィルム４をさらに備えている。半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２、粘着剤層３および剥離フィルム４の積層体をロール状に巻いても良い。

以下、本実施形態の半導体表面保護用粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。

（基材フィルム２）
本実施の形態の半導体ウェハ表面保護粘着テープ１の基材フィルム２に用いる樹脂は特に制限するものではなく、従来公知のものを用いることができるが、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレンアクリル酸共重合体やエチレンメタクリル酸共重合体とそれらの金属架橋体（アイオノマー）等のポリオレフィン類を挙げることが出来る。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレブタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル類も挙げることができる。各々の樹脂は、単独で単層基材として使用してもよく、樹脂を組み合わせてブレンドしたり、異なる樹脂の複層構成としてもよいが、研削後のウェハ反りや柔軟性の観点からは、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を用いたフィルムが好ましい。樹脂単体で用いる場合、半導体ウェハ表面保護粘着テープ１を認識・識別するための着色用顔料などを配合するなど、物性に影響が出ない範囲で添加物を加えてもよい。

基材フィルム２の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。

基材フィルム２の粘着剤層が設けられる側の表面には、粘着剤層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。

上記基材フィルム２の製造方法は特に限定されない。射出・押出・インフレーションなど従来の方法を用いることができる。また、独立に製膜した一のフィルムと他のフィルムを接着剤等で貼り合わせて基材フィルム２とすることもできる。

（粘着剤層３）
粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、半導体ウェハ表面保護粘着テープ１のＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍとなるものであれば、特に制限するものではなく、従来のものを用いることができるが、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分とする単独重合体や、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体を挙げることができる。アクリル酸エステルを構成成分として含む重合体を構成する単量体成分としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プルピル、イソプルピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、及びドデシルなどの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記以外のアクリル樹脂中の構成成分としては、以下の単量体を含むことができる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフオリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これらモノマー成分は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、アクリル樹脂としては、構成成分として、以下の多官能性単量体を含むことができる。その例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能性単量体は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどを挙げることができる。また上記のアクリル酸エステルをたとえばメタクリル酸エステルに代えたものなどのアクリル系ポリマーと硬化剤を用いてなるものを使用することができる。

硬化剤としては、特開２００７−１４６１０４号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すれば良く、上記重合体１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、さらに好ましくは、０．１部〜５質量部である。

また、上記のような粘着剤層中に光重合性化合物及び光重合開始剤を含ませることによって、紫外線を照射することにより硬化し、粘着剤は粘着力を低下させることが出来る。このような光重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。

具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。

光重合開始剤としては、特開２００７−１４６１０４又は特開２００４−１８６４２９号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。

粘着剤層３として、重合体中に光重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体、光重合開始剤、及び硬化剤を含む樹脂組成物を用いてなる光重合性粘着剤を用いることができる。重合体中に炭素−炭素二重結合を有する重合体としては、側鎖に炭素原子数が４〜１２、さらに好ましくは炭素原子数８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどの単量体や共重合性改質単量体を１種または２種以上を任意の方法で単独重合または共重合した（メタ）アクリル系重合体が好ましい。

粘着剤層３として、重合体中に光重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体、光重合開始剤このようにして形成される光重合性の粘着剤層３は、放射線、好ましくは紫外線を照射することにより、粘着力を初期の粘着力から大きく低下させることができるため、半導体ウェハ５（図２参照）の裏面研磨後に、容易に半導体ウェハ５から半導体表面保護用粘着テープ１を剥離させることができる。

その他、粘着剤層３を構成する粘着剤組成物には、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。

粘着剤層３は、粘着剤組成物を剥離フィルム４上に塗布、乾燥させて基材フィルム２に転写することで形成することができる。本発明において粘着剤層３の厚さは、１０〜６０μｍ、好ましくは２０〜４０μｍである。６０μｍを超えると、半導体ウェハ５表面への過度な密着、半導体ウェハ５表面の凹凸５１（図２参照）への埋め込みによって、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離後に、半導体ウェハ５表面への糊残りが発生する可能性が高まる。１０μｍを下回ると、半導体ウェハ５表面の凹凸５１に追従できず、シリコンの研削屑を含んだ研削水が半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１と半導体ウェハ５との隙間から入り込んで半導体ウェハ５回路面を汚染する、いわゆるシーページなどの要因となる可能性がある。

本発明における半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の粘着力は、１．３〜１０Ｎ／２５ｍｍ、好ましくは５〜８Ｎ／２５ｍｍである。１．３Ｎ／２５ｍｍ以下では研削時の衝撃に半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１が耐えられず半導体ウェハ５から剥れてしまう。上限は特に定めるものではないが、実用上１０Ｎ／２５ｍｍを超えると、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離が困難となる。また、放射線硬化により粘着剤層３の粘着力を低下させる場合でも硬化による粘着剤の収縮によりバンプへの過度な密着が発生し剥離が困難となる可能性がある。

半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の粘着力は、１．３〜１０Ｎ／２５ｍｍとするためには、例えば、ベースとなる（メタ）アクリル酸エステルを主成分とするアクリルポリマー１００重量部に対して、分子量が２００〜２００００程度であるオリゴマーを５０〜２００重両部配合することで得られる。ポリマー、オリゴマーは単独ではなく、数種類を混合して使用してもよい。エネルギー線硬化型の場合は、ポリマー、オリゴマーのいずれか又はその両方に光重合性二重結合が含まれている。粘着力調整のために、タッキファイヤーなどの粘着付与剤を添加しても良い。

（剥離フィルム４）
剥離フィルム４は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム４の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム４の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１は、貼合する半導体ウェハ５の貼合面側の表面に存在する凹凸５１の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハ５に使用するのが好ましく、高さの最大差が８０〜３００μｍである半導体ウェハ５に使用することが更に好ましい。

＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの使用方法、すなわち半導体ウェハの加工方法について、説明する。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１で、半導体ウェハ５の表面を保護し、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の背面（基材フィルム２）を研削加工し平坦化したあと、半導体ウェハ５の裏面を研削して半導体ウェハ５を加工する工程を含む。半導体ウェハ５は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を貼合する半導体ウェハ５の貼合面側の表面に存在する凹凸の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハ５に使用するのが好ましい。半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の背面を研削すること以外は、通常の半導体ウェハ５の加工工程が適用できる。

具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離フィルム４を粘着剤層３から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ５の回路パターン面（表面）に、粘着剤層３が貼合面となるように、半導体ウェハ表面保護テープ１を貼合する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面すなわち基材フィルム２の表面には、半導体ウェハ５表面の凹凸５１が転写されて凹凸１１が形成される。

次に、図２（Ｃ）に示すように、貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の基材フィルム２側の面を、平坦になるように、例えば１０〜５０μｍ程度、研削機７により研削し、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面の凹凸１１を平坦化する。その後、図２（Ｄ）に示すように、半導体ウェハ５の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウェハ５の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研磨機８により研磨する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面が平坦であるため、半導体ウェハ５の裏面には研磨機８からの力が均一にかかり、半導体ウェハ５が厚み精度よく研磨される。

その後、この半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の貼合された面を下側にして加熱吸着台（図示しない）に載せ、その状態で、半導体ウェハ５の回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。その後、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の基材フィルム５の背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウェハ５から半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。

＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。

〔粘着剤層組成物の調製〕
［粘着剤組成物Ａ］
２−エチルヘキシルアクリレート８５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１４質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）、５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ａを得た。

［粘着剤組成物Ｂ］
２−エチルヘキシルアクリレート６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量部、メタクリル酸２質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）、３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ｂを得た。

［粘着剤組成物Ｃ］
２−エチルヘキシルアクリレート８５質量部、メタクリル酸１５質量部からなる共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０．５質量部、エポキシ化合物として、Ｅ−５ＸＭ（商品名、綜研化学製）を０．６質量部加えて混合して、粘着剤組成物Ｃを得た。

［粘着剤組成物Ｄ］
２−エチルヘキシルアクリレート３０質量部、メチルメタクリレート５５質量部、メタクリル酸１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部からなる共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を４．２質量部、ペンタアクリレートオリゴマーを１５０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）、３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ｄを得た。

［粘着剤組成物Ｅ］
２−エチルヘキシルアクリレート１５質量部、メチルメタクリレート６５質量部、メタクリル酸１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１０質量部からなる共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を３．１質量部、ペンタアクリレートオリゴマーを１００質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）、３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ｅを得た。

［粘着剤組成物Ｆ］
Ｅ-５ＸＭの配合部数を２．２質量部とした以外は、粘着剤組成物Ｃと同様にして、粘着剤組成物Ｆを得た。

［粘着剤組成物Ｇ］
ブチルアクリレート９８質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２質量部共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ｇを得た。

［粘着剤組成物Ｈ］
コロネートＬの配合量を２．１質量部とした以外は粘着剤組成物Ｅと同様にして、粘着剤組成物Ｈを得た。

［粘着剤組成物Ｉ］
Ｅ−５ＸＭの配合量を１，０質量部とした以外は粘着剤組成物Ｃと同様にして、粘着剤組成物Ｉを得た。

＜実施例１＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍの低密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）とエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）の積層体（ＨＤＰＥ：３０μｍ、ＥＶＡ：７０μｍ、共に東ソー株式会社製）からなる基材フィルムのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）側の面に、粘着剤組成物Ａを、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように形成して実施例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、８．７Ｎ／２５ｍｍであった。

＜実施例２＞
押出成形により製膜した厚さ１１０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材上フィルムに、粘着剤組成物Ｂを、乾燥後の厚さが２０μｍとなるように形成して実施例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、１．４Ｎ／２５ｍｍであった。

＜実施例３＞
押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｃを、乾燥後の厚さが４０μｍとなるように形成して実施例３係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、１．５Ｎ／２５ｍｍであった。

＜実施例４＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材上フィルムに、粘着剤組成物Ｄを、乾燥後の厚さが６０μｍとなるように形成して実施例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、５．２Ｎ／２５ｍｍであった。

＜実施例５＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材上フィルムに、粘着剤組成物Ｅを、乾燥後の厚さが９０μｍとなるように形成して実施例６に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、６．５Ｎ／２５ｍｍであった。

＜実施例６＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｅを、乾燥後の厚さが１３０μｍとなるように形成して比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、７．３Ｎ／２５ｍｍであった。

＜比較例１＞
押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｆを、乾燥後の厚さが４０μｍとなるように形成して比較例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、０．３Ｎ／２５ｍｍであった。

＜比較例２＞
押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｇを、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように形成して比較例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、０．６Ｎ／２５ｍｍであった。

＜比較例３＞
押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｇを、乾燥後の厚さが３５μｍとなるように形成して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、０．８Ｎ／２５ｍｍであった。

＜比較例４＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｈを、乾燥後の厚さが９０μｍとなるように形成して比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、１０．３Ｎ／２５ｍｍであった。

＜比較例５＞
押出成形により製膜した厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー株式会社製）からなる基材フィルム上に、粘着剤組成物Ｉを、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように形成して比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、１．２Ｎ／２５ｍｍであった。

［特性評価試験］
実施例１〜６、比較例１〜５の半導体ウェハ加工用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。その結果を表１，２に示す。

（粘着力）
各実施例、比較例に係る半導体ウェハ加工用粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、それらをＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ３０４鋼板上に貼着した後、２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置後、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠し、剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で粘着力を測定した。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％であった。３点の平均値を表１，２に示す。

（テープ剥れの有無）
表面に高さ２００μｍバンプを有する８インチ径のＳｉウェハ２枚に、各実施例、比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープをそれぞれ貼合し、１時間後に、貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープの基材フィルムを表層から２０μｍ研削加工した。目視にて半導体ウェハから半導体ウェハ表面保護用粘着テープが剥がれていないかを確認し、貼合した時の状態を保っているものを半導体ウェハ表面保護用粘着テープが剥がれがなく良品として○、ウェハ外周部で一部剥れるものの基材フィルムの研削が出来るものを許容品としてとして△、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが完全に剥がれたもの、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの端部が剥がれたもの、あるいは半導体ウェハ表面保護用粘着テープにしわが生じ、基材フィルムを表層から２０μｍ研削できなかったものを不良品として×とした。

（ディンプルの有無）
半導体ウェハ表面保護用粘着テープの基材フィルムの研削加工後、半導体ウェハから半導体ウェハ表面保護用粘着テープが剥がれていなかったものについて、株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）を用いて、半導体ウェハの裏面を５０μｍの厚さまで研磨加工した。研磨加工した半導体ウェハ裏面（研磨面）の観察を行い、目視にてディンプルが確認されなかったものについて良品として○、確認されたものについて不良品として×とした。

（糊残りの有無、剥離性）
研削後の半導体ウェハに、ＵＶ硬化型のテープを使用した場合はテープ側から照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、通常の感圧型のテープを使用した場合は５０℃に加熱しながら半導体ウェハから表面保護用粘着をリンテック株式会社製ＲＡＤ２７００（商品名）を用いて剥離した。剥離後において半導体ウェハに粘着剤層の残渣が付着する、いわゆる粘着剤残りの有無や、半導体ウェハの剥離性を目視にて観察した。その結果を表１，２に示す。２枚全ての半導体ウェハで粘着剤残りが１箇所も発生しなかったものを良品として○、粘着剤残りが発生したが、製品として問題ないものを許容品として△、１枚でも１箇所以上に製品として問題のある粘着剤残りが発生したものを不良品として×で示した。また、２枚全ての半導体ウェハで破損が１箇所も発生することなく剥離できたものを剥離性が良好であるとして○、ごく一部に剥離に不具合が発生したが製品としては問題ないものを許容品として△、１枚でも半導体ウェハを剥離することができない、または半導体ウェハに１箇所以上の破損が発生し、製品として問題があるものを剥離性が悪いとして×で示した。

表１に示すように、実施例１〜６は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであるため、テープ剥れ、ディンプル、糊残り、剥離性の全ての評価において良好な結果となった。特に、粘着層の厚さが１０〜６０μｍである実施例１〜４は、剥離性も優れる結果となった。

これに対して、表２に示すように、比較例１〜３は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３Ｎ／２５ｍｍ未満であるため、基材フィルムを研削する際に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが完全に剥がれてしまった。比較例４は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１０．０Ｎ／２５ｍｍを超えるため、半導体ウェハの裏面研磨後に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離した際の剥離性が悪い結果となった。比較例５は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３Ｎ／２５ｍｍ未満であるため、基材フィルムを研削する際に半導体ウェハ表面保護用粘着テープが完全には剥がれなかったものの、端部に剥がれが生じ、半導体ウェハの裏面を研磨した際にディンプルが生じてしまった。

このように、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムを良好に研削加工できるため、表面に凹凸を有する半導体ウェハであっても、半導体ウェハを厚さ精度良好に加工することができ、ディンプルの発生を抑制することができる。

１：半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：剥離フィルム
５：半導体ウェハ
６：研削機
７：研磨機
１１：凹凸
５１：凹凸

Claims (2)

1. 基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有し、前記粘着剤層に表面に凹凸を有する半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
   ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで測定したときのＳＵＳに対する粘着力が１．３〜１０．０Ｎ／２５ｍｍであり、
   前記基材フィルムは、前記半導体ウェハの裏面研磨を実施する前に、前記半導体ウェハが貼合されることにより前記凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化されることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
2. 前記粘着層は、厚さが１０〜６０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

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