KR101827689B1 - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 Download PDF

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Abstract

기재 필름상에 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서, 스테인리스강에 대한 23℃에서의 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한 상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10분 후의 순수(純水)의 접촉각이 65°이상인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 이것을 이용한 반도체 웨이퍼의 가공 방법.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법{ADHESIVE TAPE FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE, AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 관한 것이다. 더 상세하게는, 반도체 웨이퍼를 연삭할 때에 사용되는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지는, 고순도 실리콘 단결정 등을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼로 한 후, 이온 주입, 에칭 등에 의해 상기 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하여 제조된다. 집적회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭, 연마 등 하는 것으로써, 반도체 웨이퍼는 소망의 두께로 가공된다. 이때, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 집적회로를 보호하기 위해서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프(이하, 「표면 보호 테이프」라고도 칭한다.)가 이용된다. 이면 연삭된 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭이 종료된 후에 웨이퍼 카셋트에 수납되고, 다이싱 공정으로 운반되어, 반도체 칩으로 가공된다. 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 일반적으로, 기재 필름에 점착제층이 적층되어서 이루어지고, 반도체 웨이퍼의 이면에 점착제층을 첩합(貼合)하여 이용하도록 되어 있다.
종래, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 집적회로의 표면 단차는 작았다. 이 때문에, 종래의 표면 보호 테이프를 이용하여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭했을 경우라도, 점착물질 잔존이나, 후술하는 씨페이지(seepage) 등이 문제가 되는 일은 적었다.
그런데, 최근, 고밀도 실장 기술의 진보에 수반하여, 반도체 칩의 소형화, 박막화가 도모되고 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼에 피치 폭이 좁은 돌기 전극을 수식(修飾)하는 것으로써, 집적회로가 고밀도화되고 있다. 이와 같이, 표면 단차가 큰 반도체 웨이퍼나 좁은 피치의 돌기 전극이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 표면 보호 테이프의 회로 패턴 등에의 추종성이 요구된다. 이 추종성의 관점으로부터, 연질의 기재 필름 혹은 연질의 점착제층으로 이루어지는 표면 보호 테이프가 이용되고 있다.
그러나, 연질의 표면 보호 테이프를 이용했을 경우, 추종성은 좋지만, 박리 시에 점착물질이 부드럽고, 반도체 웨이퍼 표면의 요철 단차에 걸림이 생겨서, 점착물질이 끊어지고 점착물질 잔존이 발생하는 것이 있다.
이것에 비해서, 추종성을 제어하여, 점착물질 잔존을 저감하는 표면 보호 테이프의 제작이 시도되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 점착제층을 요철에 매설시키지 않고 요철의 두부(頭部)의 일부에만 강고하게 접착시켜서 점착 시트와 반도체 웨이퍼의 밀착성을 확보하고, 점착제층과 요철과의 접촉 면적을 저감시키는 것으로써 점착물질 잔존을 저감하는 표면 보호 테이프가 개시되고 있다.
일본 공개특허공보 2011-54939호
그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 표면 보호 테이프에서는, 밀착 면적이 작고 또한 완전히 회로 패턴 등에 추종하지 않는다. 이 때문에, 연삭시에 표면 보호 테이프 단부에 물이나 더스트가 부착되고, 연삭 중에 연삭수나 더스트가 표면 보호 테이프 단부로부터 내부에 침투하는 씨페이지로 불리는 현상이 발생되어 버린다. 그리고, 이 씨페이지의 발생에 의해, 연삭수나 더스트가, 표면 보호 테이프의 반도체 웨이퍼에 밀착하고 있지 않는 부분까지 도달하고, 표면 보호 테이프의 들뜸이 생겨 버린다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은, 상기 문제점에 비추어서, 반도체 웨이퍼를 연삭해도 반도체 웨이퍼의 파손이나 씨페이지가 생기지 않고, 용이하게 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있고, 점착물질 잔존을 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 비추어서 예의 검토했다. 그 결과, 점착제층의 특정 온도에 있어서의 스테인리스강(Steel Use Stainless, SUS, 이하, 「스테인리스강」 또는 「SUS」라고 칭하기도 한다.)에 대한 점착력이 소정의 범위 내에 있고, 또한, 점착제층의 순수(純水)에 대한 접촉각이 특정의 관계를 만족하는 표면 보호 테이프를 작성하기에 이르렀다. 이 표면 보호 테이프는, 반도체 웨이퍼의 표면에 단차가 큰 집적회로 또는 좁은 피치의 돌기 전극이 형성되어 있어도, 반도체 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있고, 박리 후의 웨이퍼 표면에의 점착물질 잔존을 억제할 수 있는 것을 발견했다. 본 발명은 이들의 발견에 기초하여 더 검토를 거듭하고, 완성되기에 이른 것이다.
즉, 본 발명의 상기 과제는, 이하의 수단에 의해서 달성되었다.
(1) 기재 필름 상에 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서,
스테인리스강에 대한 23℃에서의 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한
상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10분 후의 순수(純水)의 접촉각이 65°이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(2) 상기 점착제층의 택력이, 100 ~ 350 KPa인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(3) 상기 점착제층에 있어서의 (메타)아크릴계 폴리머의 산가가, 20 ~ 70(mgKOH/g), 수산기가가 0 ~ 5(mgKOH/g)으로서, 상기 점착제층이, 상기 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서 경화제를 0.2 ~ 5 질량부 함유하는 점착제 조성물로부터 얻어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(4) 상기 경화제가, 글리시딜아미노 구조를 가지는 에폭시 경화제인 것을 특징으로 하는 (3)에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(5) 상기 점착제층이, 감압형 점착제층인 것을 특징으로 하는 (1) ~ (4)의 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(6) 기재 필름상에 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 사용하고, 하기 공정 (A) ~ (C)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의, 스테인리스강에 대한 23℃에서의 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한 상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10분 후의 순수(純水)의 접촉각이 65°이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법.
(A) 반도체 웨이퍼의 표면에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 첩합하는 공정
(B) 상기 반도체 웨이퍼의, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 첩합면과는 반대측의 표면(반도체 웨이퍼의 이면)을 연삭하는 공정, 및,
(C) 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 박리하는 공정
(7) 상기 점착제층의 두께가, 상기 반도체 웨이퍼 표면의 요철 단차와 동일하거나, 또는 상기 단차보다 큰 것을 특징으로 하는 (6)에 기재된 반도체 웨이퍼의 가공 방법.
본 명세서에 있어서, 「~」를 이용하여 나타나는 수치 범위는, 「~」의 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「점착제층 표면」이라고 할 때는, 특히 한정이 없는 한, 기재 필름의 첩합면과는 반대측의 점착제층의 표면을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 요철을 가지는 반도체 웨이퍼 표면에 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 첩합한다는 것은, 점착제층 표면을 반도체 웨이퍼 표면을 향해서 첩합하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 적하 직후는, 순수(純水)를 점착제층에 적하 후 60초 경과할 때까지의 범위를 나타낸다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴」이라는 용어는, 아크릴 및 메타크릴의 어느 하나 또는 쌍방을 포함하는 의미에 이용한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 요철 표면에 첩합하고, 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭 등 하여 박막 반도체 웨이퍼로 가공했을 경우에, 더스트나 연삭수의 침입을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 용이하게 박리할 수 있고, 박리 후의 반도체 웨이퍼 표면에의 점착물질 잔존도 억제된다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 박막 반도체 웨이퍼를 높은 수율로 얻을 수 있다. 즉, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 가공 방법은, 박막 반도체 웨이퍼의 제조 방법으로서 적합하다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 하기의 기재로부터 보다 명백해질 것이다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 기재 필름의 적어도 한쪽 면에, 적어도 1 종류의 점착제가 도포되고, 점착제층이 형성되어 있다. 이하, 본 실시형태의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 각 구성요소에 대해서 상세하게 설명한다.
<기재 필름>
본 발명에 이용되는 기재 필름의 재질로서는, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공할 때의 충격으로부터의 보호를 주목적으로 하는 것으로서, 특히 물 세정 등에 대한 내수성과 가공 부품의 유지성을 가지는 것이 중요하다. 이러한 기재 필름으로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-186429호에 기재된 것을 들 수 있다.
기재 필름의 구체적인 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메타크릴산 메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 또는 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다. 또는 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 혹은 복층화된 것이라도 좋다. 기재 필름의 두께는 50 ~ 200μm가 바람직하다.
<점착제층의 구성>
(베이스 폴리머)
본 발명에 이용되는 점착제층은, 자외선 등으로 경화시키는 일 없이, 그대로 박리 가능한 감압형의 점착제층이 바람직하다. 점착제층을 구성하는 베이스 폴리머는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 이용되는, 아크릴(Acrylic) 구조[CH2=CH-C(=O)- 또는 CH2=C(CH3)-C(=O)-기를 가지는 모노머로부터 얻어진 구조]를 가지는 폴리머를 주성분으로서 이용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 점착제층은, 후술의 점착제 조성물을 중합 반응시켜서 이루어지는 랜덤 또는 상호 중합 폴리머가 바람직하다.
여기서, 베이스 폴리머는, 점착제층을 구성하는 폴리머 전체 중, 80 질량% 이상을 차지하는 것이 바람직하다.
베이스 폴리머로서 (메타)아크릴 구조를 가지는 폴리머를 이용하는 것으로, 점착력의 제어가 용이하게 되고, 겔분율 등을 컨트롤할 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼가 유기물에 의해서 오염되는 것이나, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 박리 후에 반도체 웨이퍼에 점착제가 잔존되는 것을 저감할 수 있다.
베이스 폴리머에 있어서의 (메타)아크릴 구조는, (메타)아크릴계 폴리머를 더 가교시키는 것으로 얻을 수 있다.
여기서, 「(메타)아크릴계 폴리머」는, (메타)아크릴산 에스테르 단독 중합체 또는 (메타)아크릴산 에스테르를 주된 구성 단량체 단위(바람직하게는 90 질량% 이상)로 하는 공중합체를 의미한다.
공중합체의 (메타)아크릴계 폴리머((메타)아크릴계 공중합체)로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2003-82307호와 같이 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 주성분으로 하는 모노머 혼합물과 라디칼 중합성 관능기를 포함하고 에틸렌 혹은 프로필렌옥사이드 평균 부가 몰수가 15 이하의 비이온 또는 음이온계 반응성 유화제와 레독스계 중합 개시제에 의한 에멀전 중합에 의해 얻어지는 아크릴 에멀전계 중합체를 주성분으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴계 폴리머는 후술하는 경화제와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기 등을 들 수 있다.
(메타)아크릴계 공중합체의 제조 방법의 하나로서 (메타)아크릴산 알킬에스테르 등의 모노머(1)과 후술하는 경화제와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 모노머(2)를 유기용제 중에서 공중합시키는 방법을 들 수 있다.
모노머(1)로서는, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.
모노머(2)로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 푸말산, 말레산, 아크릴산-2-하이드록시에틸, 메타크릴산-2-하이드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.
(메타)아크릴계 공중합체는 상기 모노머(1)과 (2)를 통상의 방법에 의해 용액 중합법에 따라서 공중합시키는 것에 의해서 얻어진다.
(경화제)
본 발명에 있어서, 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물은 경화제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 경화제는, (메타)아크릴계 폴리머가 가지는 관능기와 반응시켜서 점착력 및 응집력을 조정하기 위해서 이용되는 것이다. 예를 들면, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)톨루엔, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)벤젠, N,N,N＇,N＇-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등의 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시계 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 점착제 조성물은, 상기 에폭시계 화합물과 함께, 하기 경화제를 포함하고 있어도 좋고, 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4＇-디이소시아네이트 등의 분자 중에 2개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 이소시아네이트계 화합물, 테트라메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메티롤프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메티롤프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 분자 중에 2개 이상의 아지리디닐기를 가지는 아지리딘계 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 경화제로서 상기 에폭시 화합물을 1종 이용하는 것이 바람직하다.
점착제 조성물에 있어서의 경화제의 함유량은, (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서 0.2 ~ 5 질량부가 바람직하고, 1 ~ 3 질량부가 보다 바람직하다.
((메타)아크릴계 폴리머의 산가 및 수산기가)
본 발명에 있어서, (메타)아크릴계 폴리머의 산가는, 10 ~ 70(mgKOH/g)이 바람직하고, 20 ~ 70(mgKOH/g)이 보다 바람직하고, 30 ~ 60(mgKOH/g)이 더 바람직하고, 20 ~ 50(mgKOH/g)이 더 바람직하고, 30 ~ 50(mgKOH/g)이 특히 바람직하다. 한편, (메타)아크릴계 폴리머의 수산기가는, 0 ~ 5(mgKOH/g)가 바람직하고, 0 ~ 3(mgKOH/g)이 보다 바람직하고, 0 ~ 1.9(mgKOH/g)가 특히 바람직하다.
점착제 조성물에 있어서의 경화제의 함유량, (메타)아크릴계 폴리머의 산가 및 수산기가가 상기 범위 내에 있는 것으로, 표면 보호 테이프에 있어서의 점착제층의 점착력을 제어하고, 점착제층의 높은 응집력으로 점착물질 잔존 및 씨페이지의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
산기는 경화제와 같은 공유결합은 아니지만, 산기끼리 유사 가교를 구성하기 때문에, 높은 응집력을 얻기 위해서 필요하고, 점착물질 잔존의 억제에 효과가 있다.
또한, 산가와 수산기가가 동일한 경우, 산기와 경화제로 가교를 형성하는 반응시에 수산기가 반응을 저해하고, 점착제층의 시간 경과 안정성이 나빠지는 경우가 있다. 또한, 수산기를 많이 포함했을 경우, 동일 점착력이라도 응집력은 산기보다 낮고 점착물질 잔존이 생겨 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 산가가 수산기가보다 큰 것이 바람직하다.
또한, (메타)아크릴계 폴리머는, 반도체 웨이퍼 표면에의 추종성의 관점으로부터, 그 질량 평균 분자량은 10만 ~ 150만이 바람직하다. 또한, 질량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그라피(GPC) 법에 의해 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 측정한 것으로 한다.
<점착제층의 물리적 특성>
(스테인리스강에 대한 점착력)
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 23℃에서의 스테인리스강에 대한 점착력이, 0.3 ~ 10 N/25 mm, 또한 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이다. 여기서, 스테인리스강은, JIS G 4305에 규정되어 있는 SUS304 강판으로, 경면 마무리의 것을 연마지로 연마한 것이다. 연마 방법에 대해서는 JIS Z 0237에 기초하여 마무리되어 있고, 연마지는 280번의 거칠기의 것을 이용하고 있다. 또한, 점착력의 측정 방법은 후술한다.
23℃에서의 스테인리스강에 대한 점착력이, 0.3 N/25 mm 미만이면, 스크라이브 라인에 더스트나 연삭수가 침입하기 쉬워진다. 또한, 23℃에서의 스테인리스강에 대한 점착력이, 10 N/25 mm를 초과하면, 가열해도 점착력의 저하가 적고, 박리 불량의 리스크가 높아진다.
23℃에서의 점착력은 첩합이나 연삭시의 표면 보호 테이프의 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성에 관계한다. 가열은, 점착제층을 구성하는 폴리머를 가교시키고, 연삭 후의 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에 필요하다. 50℃에서 가열했을 때의 스테인리스강에 대한 점착력이 23℃에서의 점착력의 40%를 초과하면, 가열하여 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에 점착물질이 잔존되기 쉬워진다.
상기의 요인으로서 확실하지는 않지만, 점착제층 중에서는 경화제와는 별도로 산기로 유사적인 가교 형성이 행해지고 있고, 고온이 되는 것에 따라서 서서히 유사 가교가 파괴되어서 응집력이 낮아진다. 50℃에서 가열했을 때의 스테인리스강에 대한 점착력이 23℃에서의 점착력의 40%를 초과하면, 그 점착력이 응집력보다 커지고 반도체 웨이퍼의 표면 단차에 걸려서 끊어짐이 생긴다고 생각된다.
(순수(純水)에 대한 접촉각)
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 점착제층 표면에 있어서의 순수의 접촉각은, 순수 적하 직후는 100°이상이며, 105°이상이 바람직하다. 한편, 적하로부터 10 분 후의 순수의 접촉각은 65°이상이며, 75°이상이 바람직하다.
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 점착제층 표면에 있어서의 순수의 접촉각이, 순수 적하 직후 100°미만이면, 내수성이 낮기 때문에 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭했을 때에 씨페이지를 일으켜 버린다. 또한, 적하로부터 10 분 후의 순수의 접촉각은 65°미만이면 물의 침투율이 높고 내수성이 낮기 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭했을 때에 씨페이지를 일으켜 버리는 일이 있다.
접촉각의 상한에 특별히 제한은 없지만, 순수 적하 직후는 120°이하, 적하로부터 10 분 후는 100°이하가 실제적이다.
순수 적하 직후의 접촉각이 120°를 초과하면, 반도체 웨이퍼에의 습윤성이 너무 낮아져서, 밀착성이 불충분해지는 경우가 있다.
본 발명에 있어서의 택력 및 순수의 접촉각 φ의 조정은, 상기의 소재의 종류, 폴리머의 조성(넣는 모노머 성분의 종류와 양), 경화제나 광중합 개시제의 사용의 유무, 종류나 사용량에서 소망의 범위로 조정할 수 있다.
(점착제층의 택력)
본 발명에 있어서, 점착제층의 택력은, 100 ~ 350 kPa가 바람직하고, 150 ~ 240 kPa가 보다 바람직하고, 170에서 200 kPa가 특히 바람직하다. 점착제층의 택력이 100 ~ 350 kPa이면, 더스트 침입을 보다 양호하게 방지할 수 있고, 박리를 경감할 수 있다. 또한, 택력의 측정 방법은 후술한다.
(점착제층의 두께)
점착제층은, 예를 들면, 상술의 (메타)아크릴계 폴리머와 경화제를 포함하는 점착제 조성물을, 기재 필름 상에 도포하고, 건조시키는 것으로 형성할 수 있다. 점착제층의 두께는, 반도체 웨이퍼 표면의 요철 단차(반도체 웨이퍼 표면의 표면 단차)와 동일하거나, 또는 상기 단차보다 큰 것이 바람직하고, 10 ~ 100μm가 바람직하고, 반도체 웨이퍼의 표면 단차보다 10μm 이상 두꺼운 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼의 표면 단차는, 반도체 웨이퍼의 집적회로가 형성되어 있지 않은 부분의 표면으로부터, 집적회로가 형성되어 있는 부분의 표면까지의 길이, 즉 집적회로의 돌기 전극 중 가장 높은 돌기 전극의 높이이다. 점착제층의 두께를 반도체 웨이퍼의 표면 단차보다 10μm 이상 두껍게 하는 것으로써, 이 표면 단차에 대해서 점착제층이 추종하기 쉬워진다. 점착제층의 두께를 반도체 웨이퍼의 표면 단차보다 10 ~ 40μm 두껍게 하는 것이 바람직하고, 20 ~ 30μm 두껍게 하는 것이 바람직하다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 점착제층은, 표면 단차 50μm 이하의 반도체 웨이퍼에 적합하게 추종시킬 수 있다. 또한, 점착제층은 복수의 층이 적층된 구성이라도 좋다. 또한, 기재 필름과 점착제층의 사이에, 필요에 대응하여 프라이머층 등의 중간층을 마련해도 좋다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 점착제층이 적용되는 반도체 웨이퍼의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 30 ~ 300μm가 바람직하다.
또한, 필요에 대응하여, 실용으로 제공할 때까지, 점착제층을 보호하기 위해서 통상 세퍼레이터로서 이용되는 합성수지 필름을 점착제층 표면에 첩부(貼付)하여도 좋다. 합성수지 필름의 구성 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성수지 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 합성수지 필름의 표면에는, 점착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 대응하여 실리콘 처리, 장쇄(長鎖) 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 좋다. 합성수지 필름의 두께는, 통상 10 ~ 100μm, 바람직하게는 25 ~ 50μm 정도이다.
<반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 사용 방법>
다음에, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 사용 방법의 일례에 대해서 설명한다.
본 발명의 표면 보호 테이프를 적용하는 반도체 웨이퍼에 특별히 제한은 없고, 임의의 형태의 반도체 웨이퍼의 가공에 적용 가능하다.
본 발명의 표면 보호 테이프를 이용한 반도체 웨이퍼의 가공 방법(이하, 「본 발명의 가공 방법」이라고 한다.)은, 적어도 하기 공정 (A) ~ (C)를 포함한다.
(A) 반도체 웨이퍼의 표면에 본 발명의 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정
반도체 웨이퍼의 회로 패턴면(반도체 웨이퍼의 표면)에, 점착제층 표면이 첩합면이 되도록, 본 발명의 표면 보호 테이프를 첩합한다.
(B) 상기 반도체 웨이퍼의, 본 발명의 점착 테이프의 첩합면과는 반대측의 표면(반도체 웨이퍼의 이면)을 연삭하는 공정
반도체 웨이퍼의 회로 패턴이 없는 면측을 반도체 웨이퍼의 두께가 소정의 두께, 예를 들면 10 ~ 100μm가 될 때까지 연삭한다.
(C) 상기 반도체 웨이퍼로부터 본 발명의 점착 테이프를 박리하는 공정
표면 보호 테이프의 첩합된 면을 하측으로 하여 가열 흡착대에 탑재하고, 그 상태에서, 반도체 웨이퍼의 회로 패턴이 없는 연삭한 면측에, 다이싱·다이본딩 필름을, 첩합용 롤을 사용하여 첩합한다. 그 후, 표면 보호 테이프의 기재 필름의 배면에, 히트시일 타입(열융착 타입)의 박리 테이프를 접착하여 반도체 웨이퍼로부터 표면 보호 테이프를 박리한다.
여기서, 상기 표면 보호 테이프는, 23℃에서의 스테인리스강에 대한 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한 상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10 분 후의 순수의 접촉각이 65°이상이다.
본 발명의 가공 방법을 이용하는 것으로, 박막 반도체 웨이퍼를 높은 수율로 얻을 수 있다. 즉, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 가공 방법은, 박막 반도체 웨이퍼의 제조 방법으로서 적합하다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여, 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<<점착제 조성물의 조제>>
<조제예 1>
2-에틸헥실아크릴레이트를 90 질량부, 메타크릴산 메틸을 5 질량부, 메타크릴산을 5 질량부를 초산에틸 중에서, 55℃에서 10시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 50만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 경화제(니폰폴리우레탄(Nippon Polyurethane Industry)제, 상품명 「콜로네이트 L」)를 0.5 질량부, 에폭시 경화제(미츠비시가스카가쿠샤(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)제, 상품명 「테트래드 C」)를 0.6 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다. 수산기가는 0 mgKOH, 산가는 31 mgKOH였다.
또한, 질량 평균 분자량의 GPC법에 의한 측정 조건을 이하에 나타낸다.
[GPC법에 의한 측정 조건]
사용 기기: 고속 액체 크로마토그래피 LC-20AD[가부시키가이샤시마즈세이사쿠쇼(株式會社島津製作所)제, 상품명]
컬럼: Shodex Column GPCKF-805[가부시키가이샤시마즈세이사쿠쇼제, 상품명]
용리액: 클로로포름
측정 온도: 45℃
유량: 3.0ml/min
RI 검출기: RID-10A
<조제예 2>
에폭시 경화제의 배합량을 2.2 질량부로 변경한 것 외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 점착제 조성물을 얻었다.
<조제예 3>
에폭시 경화제의 배합량을 1.2 질량부로 변경한 것 외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 점착제 조성물을 얻었다.
<조제예 4>
부틸아크릴레이트를 45 질량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 50 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 1 질량부, 메타크릴산을 3 질량부를 초산에틸 중에서, 50℃에서 10시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 35만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 경화제(니혼폴리우레탄제, 제품명 「콜로네이트 L」)를 1.0 질량부, 에폭시 경화제(미츠비시가스카가쿠샤제, 제품명 「테트래드 C」)를 0.5 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
<조제예 5>
부틸아크릴레이트를 45 질량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 50 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 4 질량부, 메타크릴산을 1.5 질량부를 초산에틸 중에서, 55℃에서 10시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 70만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 경화제(니혼폴리우레탄제, 제품명 「콜로네이트 L」)를 2.0 질량부, 에폭시 경화제(미츠비시가스카가쿠샤제, 제품명 「테트래드 C」)를 0.1 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
<조제예 6>
에틸아크릴레이트를 30 질량부, 부틸아크릴레이트를 60 질량부, 메타크릴산을 15 질량부를 초산에틸 중에서, 55℃에서 10시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 45만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 경화제(니혼폴리우레탄제, 제품명 「콜로네이트 L」)를 0.5 질량부, 에폭시 경화제(미츠비시가스카가쿠샤제, 제품명 「테트래드 C」)를 0.5 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
<비교용 조제예 1>
에폭시 경화제의 배합량을 0.1 질량부로 변경한 것 외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 점착제 조성물을 얻었다.
<비교용 조제예 2>
부틸아크릴레이트를 96 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 4 질량부를 초산에틸 중에서, 50℃에서 10시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 70만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 경화제(니혼폴리우레탄제, 제품명 「콜로네이트 L」)를 1.5 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
<비교용 조제예 3>
2-에틸헥실아크릴레이트를 80 질량부, 메타크릴산 에틸을 1 질량부, 메타크릴산을 9 질량부를 초산에틸 중에서, 60℃에서 15시간 반응시키는 것으로 중합시키고, 얻어진 질량 평균 분자량 100만의 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서, 에폭시 경화제(미츠비시가스카가쿠샤제, 제품명 「테트래드 C」)를 1.0 질량부 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
<<반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 제작>>
<실시예 1>
조제예 1의 점착제 조성물을 두께 25μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터 상에, 건조 후의 막 두께가 40μm가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 165μm의 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 필름상에 첩합하는 것으로 적층하여, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다.
<실시예 2, 3, 5 및 비교예 1>
조제예 1의 점착제 조성물을, 각각 조제예 2, 3, 5의 점착제 조성물로 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2, 3, 5에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다. 한편, 조제예 1의 점착제 조성물을 비교용 조제예 1의 점착제 조성물로 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다.
<실시예 4 및 비교예 2>
조제예 1의 점착제 조성물을 조제예 4의 점착제 조성물로 변경하고, 건조 후의 막 두께가 30μm, EVA 필름의 두께를 100μm로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다. 한편, 조제예 4의 점착제 조성물을 비교용 조제예 2의 점착제 조성물로 변경한 것 외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 비교예 2에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다.
<실시예 6 및 비교예 3>
조제예 1의 점착제 조성물을 조제예 6의 점착제 조성물로 변경하고, 건조 후의 막 두께가 20μm, EVA 필름의 두께를 110μm로 한 것 외에는 마찬가지로 하여 실시예 6에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다. 한편, 조제예 6의 점착제 조성물을 비교용 조제예 3의 점착제 조성물로 변경한 것 외에는, 실시예 6과 마찬가지로 하여 비교예 3에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작했다.
<반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 성질>
상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 점착력, 접촉각 및 택력을 이하와 같이 하여 측정했다.
얻어진 값을 하기 표 1에 정리하여 나타낸다.
(23℃에 있어서의 SUS에 대한 점착력)
실시예 및 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로부터 폭 25 mm×길이 300 mm의 시험편을 3점 채취했다. JIS R6253에 규정하는 280번의 내수 연마지(耐水硏磨紙)로 완성한 JIS G4305에 규정하는 두께 2.0 mm의 SUS 강판 상에, 각 시험편을 2 kg의 고무 롤러를 3 왕복에 걸쳐서 압착하고, 1시간 방치 후, 측정치가 그 용량의 15 ~ 85%의 범위에 들어가는 JIS B7721에 적합한 인장 시험기(상품명: 스트로그러프 VE10, 도요세이키세이사쿠쇼샤(東洋精機製作所社)제)를 이용하여 23℃에서의 점착력을 측정했다. 측정은, 180도 박리법에 의한 것으로 하고, 이때의 인장 속도는 300 mm/min으로 했다.
(50℃에서 가열했을 때의 SUS에 대한 점착력)
상기 23℃에 있어서의 SUS에 대한 점착력의 측정과 마찬가지의 순서로, 시험편을 SUS판측으로부터 핫 플레이트로 가열하고, 50℃에서 안정시켜서, 180도 박리법으로 SUS판으로부터 박리를 행했을 때의 점착력을 측정했다.
(점착제층 표면의 순수 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각 φ의 측정)
상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 표면 보호 테이프의 점착제층 표면에서의 순수의 접촉각 φ는, 접촉각계(상품명: FACE 접촉각계 CA-S150형, 쿄와카이멘카가쿠샤(協和界面科學社)제)를 이용하여 θ/2법으로, 온도 23℃, 상대습도 50%의 조건으로 측정하고, 순수 2μL의 액적 용량으로, 적하 30초 후에 읽어냈다.
(점착제층 표면의 순수(純水) 적하 10 분 후의 순수(純水)의 접촉각 φ의 측정)
상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 표면 보호 테이프의 점착제층 표면에서의 순수의 접촉각 φ는, 접촉각계를 이용하여 θ/2법으로, 온도 23℃, 상대습도 50%의 조건으로 측정하고, 순수 2μL의 액적 용량으로, 적하 10 분 후에 읽어냈다.
(택력의 측정)
택력은, 응력 완화 측정 장치의 「탁 시험기(상품명: TACII, 가부시키가이샤레스카(RHESCA CO.,LTD.)제)」에 의해, 이하와 같이 하여 23℃에서 측정했다.
상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 표면 보호 테이프로부터, 폭 25 mm×길이 250 mm의 시험편을 채취하고, 이 시험편을 시험기에 설치하고, 압자를 이 시험편에 접촉시키고, 시험편의 기재 배면측(점착제 조성물 도공면과 반대측)에, 3 mmφ 원주 형상 프로브를 30 mm/min의 속도로 밀어넣고, 정지 하중 100 g으로 1 sec 유지 후에 600 mm/min의 속도로 인상할 때의 하중(택력)을 측정했다.
(산가)
산가의 측정은, JIS K5407의 11.1에 준하여 행한다.
(a) 시약
·브로모티몰 블루 지시약
·0.01 N 수산화칼륨-에탄올 용액
·아세톤 시약 1급
(b) 조작
약 10 g의 (메타)아크릴계 폴리머를 정확하게 삼각 플라스크에 저울질하여 취하고, 아세톤 50 ml에 용해하고, 브로모티몰 블루 지시약을 3 ~ 4 방울 더한다. 이것을 0.01 N 수산화칼륨-에탄올 용액으로 적정한다.
(c) 계산
다음 식에 의해서 산가를 구한다.
Figure 112017064660958-pct00001
V: 0.01 N 수산화칼륨-에탄올 용액의 적정량(ml)
f: 0.01 N 수산화칼륨-에탄올 용액의 팩터(factor)
S: (메타)아크릴계 폴리머 채취량
(수산기가)
수산기가의 측정은, JIS K0070에 준거하여 행한다.
(a) 시약
·아세틸화 시약(무수 초산-피리딘)
·N/2 수산화칼륨-에탄올 용액
(b) 조작
(메타)아크릴계 폴리머의 시험편을 아세틸화 시약으로 아세틸화한 후, 과잉의 초산을 N/2 수산화칼륨-에탄올 용액으로 적정한다.
(c) 계산
다음 식에 의해서 수산기가를 구한다.
Figure 112017064660958-pct00002
V: 본 시험의 N/2 수산화칼륨-에탄올 용액의 적정량(ml)
VB: 바탕 시험(blank test)의 N/2 수산화칼륨-에탄올 용액의 적정량(ml)
F: N/2 수산화칼륨-에탄올 용액의 팩터
S: (메타)아크릴계 폴리머 채취량(g)
AV: (메타)아크릴계 폴리머의 산가(mgKOH/g)
또한, 상기의 실시예 및 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 이하의 시험을 행하고, 그 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(연삭 시험)
첩부기(貼付機)로서 닛토세이키가부시키가이샤(日東精機株式會社)제의 DR8500III(상품명)를 이용하여, 반도체 웨이퍼에 실시예 및 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 첩합했다. 반도체 웨이퍼로서는, 두께가 725μm의 8 인치 웨이퍼 상에 약 8μm 두께의 폴리이미드막을 형성하고, 또한 폭 500μm, 깊이 5μm 스크라이브 라인을 형성한 것을 이용했다. 그 후, 인라인 기구를 가지는 그라인더(가부시키가이샤디스코(DISCO Corporation)제의 DFG8760(상품명))를 사용하여, 반도체 웨이퍼를 두께 100μm가 될 때까지 연마했다. 또한, 반도체 웨이퍼의 강도 향상을 위하여, 드라이 폴리시로 최종 마무리를 행했다.
(연삭성 평가)
상기 방법으로 연삭한 반도체 웨이퍼에 대해서, 육안에서 반도체 웨이퍼에 균열 및 크랙(금)이 발생하고 있는지 아닌지를 관찰했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 균열 및 크랙이 없고 양호하게 연삭할 수 있었던 것을 「A」, 크랙이 보였지만, 외주부에 국소 존재하여 웨이퍼 중심부까지 도달하지 않고, 균열 없이 연삭할 수 있었던 것을 「B」, 크랙이 웨이퍼 중심부까지 도달하고, 균열이 발생한 것을 「C」로 나타냈다.
「A」 및 「B」가 실용상 문제가 없는 품질이다.
(점착물질 잔존 평가: 가열 박리)
박리 실험에서 50℃에서 박리를 행한 반도체 웨이퍼 표면의 관찰을 행하고, 광학 현미경으로 벌크 형상 또는 수염 형상의 점착물질 잔존의 유무를 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 반도체 웨이퍼로 점착물질 잔존이 없었던 것을 「A」, 일부 점착물질 잔존을 볼 수 있었지만 실용상 문제없는 것을 「B」, 점착물질 잔존이 발생하고 실용상 문제가 있는 것을 「C」로 나타냈다.
(더스트 또는 연삭수 침입 평가)
상기 방법으로 연삭한 반도체 웨이퍼에 대해서, 광학 현미경에 의해 스크라이브 라인을 관찰했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 스크라이브 라인에 더스트 또는 연삭수가 침입하지 않았던 것을 「A」, 연삭수가 침입하고 있지만, 웨이퍼 외주부에 멈춰 있었던 것을 「B」, 스크라이브 라인에 더스트 또는 연삭수가 침입하고 있었던 것을 「C」로 나타냈다.
「A」 및 「B」가 실용상 문제가 없는 품질이다.
(박리성 평가)
상기 방법에서 연삭 실험으로 100μm 두께까지 연삭한 반도체 웨이퍼를, 인라인 기구를 가지는 마운터 RAD2700(상품명, 린텍가부시키가이샤(LINTEC Corporation))으로 박리 실험을 행했다. 박리시, 표면 보호 테이프를 50℃에서 가열하면서 박리를 행하고, 이하의 랭크로 평가했다.
A: 1회째의 시행에서 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있고, 또한 반도체 웨이퍼에 파손이 보이지 않았던 것
B: 1회째의 시행에서는 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 없었지만, 2 ~ 3번째의 시행에서 박리할 수 있고, 또한 반도체 웨이퍼에 파손이 없었던 것
C: 3회를 초과하는 시행에서도 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 것이 곤란하거나, 또는 박리 중에 반도체 웨이퍼에 파손이 발생한 것
「A」 및 「B」가 실용상 문제가 없는 품질이다.
Figure 112017064660958-pct00003
표 1으로 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ~ 6은, 점착제층의 상온(23℃)에서의 스테인리스강에 대한 점착력이, 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 상온시의 점착력의 40% 이하이며, 또한 점착제층 표면의 접촉각에서 순수 적하 직후는 100°이상, 적하로부터 10 분 후의 순수에서의 접촉각은 65°이상이었기 때문에, 연삭성 평가, 점착물질 잔존 평가, 더스트 또는 연삭수 침입 평가, 박리성 평가의 전부에 있어서, 양호한 결과였다.
한편, 비교예 1은, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 상온시의 점착력의 40% 초과였기 때문에, 점착력이 점착물질의 응집력보다 커지고 점착물질 잔존 평가, 박리성 평가가 「C」가 되었다. 또한 더스트 침입에 관해서도 점착제층 표면의 접촉각에서 순수 적하 직후는 100°미만, 적하로부터 10 분 후의 순수에서의 접촉각은 65°미만이었기 때문에, 표면 보호 테이프 단부로부터 반도체 웨이퍼 표면과 점착제층의 사이에 더스트 등이 침입하여 「C」가 되었다. 또한, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 상온시의 점착력의 40% 초과이며, 택력이 높았던 것으로부터도 박리성 평가가 「C」가 되었다.
또한, 비교예 2는, 산가가 0이며, 점착제층의 응집력이 낮았기 때문에, 점착물질 잔존 평가가 「C」가 되었다.
또한, 비교예 3은, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 상온시의 점착력의 40% 초과이며, 점착제층 표면의 접촉각으로 적하로부터 10 분 후의 순수에서의 접촉각은 65°미만이었기 때문에, 박리성 평가가 「C」가 되었다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하고자 하는 것이 아니고, 첨부의 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2015년 3월 2일에 일본에서 특허 출원된 일본 특허출원 2015-040766에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 넣는다.

Claims (10)

  1. 기재 필름상에 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서,
    스테인리스강에 대한 23℃에서의 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한
    상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10분 후의 순수(純水)의 접촉각이 65°이상이며,
    상기 점착제층에, 산가가 20 ~ 50(mgKOH/g)의 (메타)아크릴계 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층의 택력이, 100 ~ 350 KPa인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (메타)아크릴계 폴리머의 수산기가가 0 ~ 1.9(mgKOH/g)으로서, 상기 점착제층이, 상기 (메타)아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서 경화제를 0.2 ~ 5 질량부 함유하는 점착제 조성물로부터 얻어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 경화제가, 글리시딜아미노 구조를 가지는 에폭시 경화제인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착제층이, 감압형 점착제층인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (메타)아크릴계 폴리머가 용액 중합법에 의한 폴리머인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (메타)아크릴계 폴리머를 구성하는 모노머 성분이, (메타)아크릴산 에스테르, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 푸말산, 말레산, 아크릴산-2-하이드록시에틸, 메타크릴산-2-하이드록시에틸, 아크릴아미드 및 메타크릴아미드로부터 선택되는 모노머 성분만으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가, 표면의 단차가 30 ~ 50 μm인 반도체 웨이퍼에 사용되는 것인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  9. 기재 필름상에 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 사용하고, 하기 공정 (A) ~ (C)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의, 스테인리스강에 대한 23℃에서의 점착력이 0.3 ~ 10 N/25 mm, 50℃에서 가열했을 때의 점착력이 23℃에서의 점착력의 40% 이하이며, 또한 상기 점착제층 표면에 있어서의 적하 직후의 순수(純水)의 접촉각이 100°이상, 적하로부터 10분 후의 순수(純水)의 접촉각이 65°이상이며,
    상기 점착제층에, 산가가 20 ~ 50(mgKOH/g)의 (메타)아크릴계 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법.
    (A) 반도체 웨이퍼의 표면에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 첩합하는 공정
    (B) 상기 반도체 웨이퍼의, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 첩합면과는 반대측의 표면을 연삭하는 공정, 및,
    (C) 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 박리하는 공정
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께가, 상기 반도체 웨이퍼 표면의 요철 단차와 동일하거나, 또는 상기 단차보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법.
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