JP6906402B2 - 半導体ウエハ保護用粘着テープ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ保護用粘着テープに関する。より詳細には、本発明は、半導体ウエハの裏面切削加工時に用いる半導体ウエハ保護用粘着テープに関する。

従来、半導体装置の製造において、バックグラインドテープが使用される場合がある。バックグラインドテープは、基材上に粘着剤層が設けられた形態をしており、粘着剤層上に半導体ウエハを配置し、半導体ウエハの裏面研削（バックグラインド）時において、半導体ウエハを保持する用途、半導体ウエハ表面を保護する用途、あるいは裏面研削により半導体ウエハが個片化した場合には個片化した半導体チップが飛び散らないように固定する用途に用いられる（例えば、特許文献１〜３参照）。

バックグラインドは、通常、バックグラインドテープの粘着剤層上に半導体ウエハの表面（おもて面；半導体素子に必要な配線構造が形成された面）を配置し、裏面から半導体ウエハが所定の厚みに至るまで研削加工して半導体ウエハを薄化させるようにして行われる。

また、近年、半導体ウエハの表面に溝を形成し、その後バックグラインドを行うことにより、個々の半導体チップを得る方法（「ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）」と称する場合がある）や、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、バックグラインドを行い、その後、この半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、ダイシングテープを低温下（例えば、−２５〜０℃）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」と称する場合がある）することにより、半導体ウエハとダイボンドフィルムを共に割断（破断）させて、個々の半導体チップ（ダイボンドフィルム付き半導体チップ）を得る方法が提案されている。これは、いわゆる、「ＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）」と呼ばれる方法である。

特開２０１１−０５４９４０号公報 特開２０１５−１８５６９１号公報 特開２００５−３４３９９７号公報

近年、半導体の高容量化のニーズによりシリコン層の薄層化が進んでいる。このため、バックグラインドにより、従来よりも薄化させた半導体ウエハを得るための技術が必要となってきている。このような従来よりも薄化された半導体ウエハを得るためのバックグラインド工程では、半導体ウエハを薄化させる本研削と、本研削後の研削面の平滑性を向上させる後研磨が行われる。

しかしながら、従来よりも薄化させた半導体ウエハを得るためのこのようなバックグラインド工程では、本研削や後研磨において、半導体ウエハにクラック（亀裂）が生じやすいという問題があった。特に、レーザー光照射により改質領域が形成された半導体ウエハを用いた場合のバックグラインド工程においてクラックが生じやすかった。

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明者らはバックグラインドテープに着目し、バックグラインド工程において半導体ウエハにクラックを生じさせにくい粘着テープを開発することを目的とした。従って、本発明の目的は、バックグラインド工程において、半導体ウエハにクラックを生じさせにくい半導体ウエハ保護用粘着テープを提供することにある。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有する半導体ウエハ保護用粘着テープであって、２３℃における上記基材の厚みが１０〜１５０μｍであり、熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で上記粘着テープを−７０℃から１５０℃まで加熱したときの、２３℃における上記粘着テープの厚みに対する２３〜１００℃における上記粘着テープの厚みの最大増加率が１．２％以下である半導体ウエハ保護用粘着テープを用いると、バックグラインド工程において、半導体ウエハにクラックが生じにくいことを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

すなわち、本発明は、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有する半導体ウエハ保護用粘着テープであって、２３℃における上記基材の厚みが１０〜１５０μｍであり、熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で上記粘着テープを−７０℃から１５０℃まで加熱したときの、２３℃における上記粘着テープの厚みに対する、２３〜１００℃における上記粘着テープの厚みの最大増加率が１．２％以下である、半導体ウエハ保護用粘着テープを提供する。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、２３℃における上記基材の厚みを１０〜１５０μｍとし、且つ、熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で上記粘着テープを−７０℃から１５０℃まで加熱したときの、２３℃における上記粘着テープの厚みに対する、２３〜１００℃における上記粘着テープの厚みの最大増加率（「最大膨張率」と称する場合がある）を１．２％以下とすることにより、半導体ウエハを従来よりも薄化させるバックグラインド工程において粘着テープが１００℃程度まで昇温した場合であっても、粘着テープの厚みにつき、常温時に対する熱膨張が小さく、粘着テープから半導体ウエハにかかる応力が小さいため、通常の半導体ウエハを用いた場合はもちろん、改質領域等の脆弱化領域が形成された半導体ウエハであっても、クラックが生じにくい。

また、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、上記粘着剤層として、温度２５℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による損失係数（ｔａｎδ）が１．０以上である粘着剤層を少なくとも１層有することが好ましい。粘着テープの半導体ウエハへの貼付は通常ラミネート装置を用いて行われるが、この場合完全に張力をかけずに貼付を行うことは実質的に不可能であるため、貼付後の粘着テープには貼付時にかかる張力が残留応力として蓄積している。この残留応力により、バックグラインド工程において、例えば改質領域をきっかけとして半導体ウエハの当該改質領域を挟んだ領域（個片化後の半導体チップに相当する領域）同士の衝突によりクラックが生じやすい傾向がある。一方、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープが、上記損失係数（ｔａｎδ）が１．０以上である粘着剤層を有する場合、残留応力が早期に分散・消失（応力緩和）しやすく内部応力が減衰しやすいため、半導体ウエハに対して応力がかかりにくくクラックを生じさせにくい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、バックグラインド工程において、半導体ウエハにクラックを生じさせにくい。特に、改質領域等の脆弱化領域が形成された半導体ウエハを用いた場合であっても、クラックを生じさせにくい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの一実施形態を示す断面模式図である。 本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの他の一実施形態を示す断面模式図である。 本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 実施例１の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 実施例２の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 実施例３の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 実施例４の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 実施例５の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 実施例６の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 比較例１の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。 比較例２の粘着テープについて熱機械分析装置の圧縮膨張法により測定した２３〜１００℃の範囲における２３℃の厚みに対する膨張率を示すグラフである。

［半導体ウエハ保護用粘着テープ］
本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、半導体ウエハの一方の面（特に裏面）を研削して半導体ウエハを薄化させる際に、粘着剤層上に半導体ウエハの他方の面（特に表面）を貼着して半導体ウエハを保持する用途に使用されることが好ましい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層と、を有する。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、上述のように、２３℃における基材の厚みが１０〜１５０μｍであり、好ましくは２５〜１００μｍである。上記厚みが上記範囲内であることにより、半導体ウエハ保護用粘着テープの最大増加率が１．２％以下である場合に半導体ウエハにクラックが生じにくい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、上述のように、熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で半導体ウエハ保護用粘着テープを−７０℃から１５０℃まで加熱したときの、２３℃における半導体ウエハ保護用粘着テープの厚みに対する、２３〜１００℃における半導体ウエハ保護用粘着テープの最大増加率（最大膨張率）が１．２％以下であり、好ましくは１．１％以下、より好ましくは１．０％以下である。上記最大増加率が１．２％以下であることにより、半導体ウエハを従来よりも薄化させるバックグラインド工程において粘着テープが１００℃程度まで昇温した場合であっても、粘着テープの厚みにつき、常温時に対する熱膨張が小さく、粘着テープから半導体ウエハにかかる応力が小さいため、通常の半導体ウエハを用いた場合はもちろん、改質領域等の脆弱化領域が形成された半導体ウエハであっても、クラックが生じにくい。なお、上記最大増加率は負数であってもよいが、その下限は例えば−１０％である。

上記最大増加率は、下記の最大増加率の測定方法により求められる。
＜最大増加率の測定方法＞
半導体ウエハ保護用粘着テープから切り出して短冊状試験片を得る。この短冊状試験片を、熱機械分析装置にセットし、熱機械分析装置の圧縮膨張法により、短冊状試験片を−７０℃から１５０℃まで昇温させ、その際の厚みの変位を測定する。そして、２３℃における短冊状試験片の厚みをＡ、２３〜１００℃における短冊状試験片の最大の厚みをＢとし、下記式により求める。
最大増加率（％）＝（Ｂ−Ａ）／Ａ×１００

（基材）
基材は、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープにおいて支持体として機能する要素である。上記基材としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層が複数積層された形態のものを含む。

上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層が後述のように放射線硬化型である場合、基材は放射線透過性を有することが好ましい。

基材の粘着剤層側表面は、粘着剤層との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材表面に設けてもよい。

（粘着剤層）
本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、基材上に、粘着剤層を少なくとも１層有する。上記粘着剤層は、単層であってもよいし、同種又は異種の粘着剤層の積層体であってもよい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープは、上記粘着剤層として、温度２５℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による損失係数（ｔａｎδ）が１．０以上である粘着剤層を少なくとも１層有することが好ましい。粘着テープの半導体ウエハへの貼付は通常ラミネート装置を用いて行われるが、この場合完全に張力をかけずに貼付を行うことは実質的に不可能であるため、貼付後の粘着テープには貼付時にかかる張力が残留応力として蓄積している。この残留応力により、バックグラインド工程において、例えば改質領域をきっかけとして半導体ウエハの当該改質領域を挟んだ領域（個片化後の半導体チップに相当する領域）同士の衝突によりクラックが生じやすい傾向がある。一方、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープが、上記損失係数（ｔａｎδ）が１．０以上である粘着剤層を有する場合、残留応力が早期に分散・消失（応力緩和）しやすく内部応力が減衰しやすいため、半導体ウエハに対して応力がかかりにくくクラックを生じさせにくい。なお、上記損失係数の上限は、例えば、５．０である。また、本明細書において、上記損失係数が１．０以上である粘着剤層を、「粘着剤層Ｘ」と称する場合がある。

上記損失係数は、半導体ウエハ保護用粘着テープにおける粘着剤層をナノインデンテーション試験に付して得られる値である。ナノインデンテーション試験では、圧子を粘着剤層に押し込んだときの、圧子への負荷荷重と押し込み深さとを負荷時、除荷時にわたり連続的に測定し、得られた負荷荷重−押し込み深さ曲線から貯蔵弾性率及び損失弾性率を求め、損失弾性率／貯蔵弾性率を上記損失係数（損失正接）として算出される。上記粘着剤層のナノインデンテーション法による損失係数は、下記の条件で測定される。
測定装置（ナノインデンター）：Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ．製、Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ
圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：動的測定
押し込み深さ設定：５００ｎｍ
周波数：１００Ｈｚ
振幅：２ｎｍ

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープが粘着剤層の積層体を有し、且つ、粘着剤層Ｘを有する場合、上記積層体を構成するうちの少なくとも一つの粘着剤層が粘着剤層Ｘであればよいが、少なくとも上記積層体の最表面（基材とは反対側の最表面）に位置する粘着剤層が粘着剤層Ｘであることが好ましく、上記積層体を構成する全ての粘着剤層が粘着剤層Ｘであることがより好ましい。

上記損失係数に関し、粘着剤層Ｘが最表面に位置する粘着剤層である場合の当該粘着剤層の上記損失係数は、１．１以上がより好ましく、さらに好ましくは１．１５以上である。一方、粘着剤層Ｘが粘着テープの内部に位置する粘着剤層（即ち、最表面に位置する粘着剤層以外の粘着剤層）である場合の当該粘着剤層の上記損失係数は、１．０以上が好ましい。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープが有する上記粘着剤層は、粘着剤から形成される。上記粘着剤層を形成する粘着剤としては、放射線照射等外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減型粘着剤）であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）であってもよく、貼着される半導体ウエハの種類やバックグラインドの手法及び条件等に応じて適宜に選択することができる。

上記粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの製造過程や使用過程において、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、バックグラインド工程でバックグラインド対象である半導体ウエハを本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの粘着剤層に貼り合わせる時や、バックグラインド中には、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層から半導体ウエハや個片化した半導体チップの浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、バックグラインドされた半導体ウエハ又は個片化した半導体チップから本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを剥離する際は、粘着剤層の粘着力を低減させることで、剥離を容易に行うことができる。このため、本発明の半導体ウエハ用保護用粘着テープにおいて、最表面（基材とは反対側の最表面）に位置する粘着剤層が粘着力低減型粘着剤により形成された粘着剤層（特に、後述の放射線硬化型粘着剤層）であることが好ましい。

このような粘着力低減型粘着剤としては、例えば、放射線硬化型粘着剤（放射線硬化性を有する粘着剤）等が挙げられる。粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着力低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよい。

上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化型粘着剤）を特に好ましく用いることができる。

上記放射線硬化型粘着剤としては、任意の適切なアクリル系ポリマーを含む粘着剤用いることができる。好ましくは、少なくとも一つの放射線重合性官能基（例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、エチニル基等の炭素−炭素多重結合を有する官能基）を有するアクリル系ポリマーと、光重合開始剤とを含む粘着剤（内在型の放射線硬化型粘着剤）が用いられる。また、アクリル系ポリマーと、放射線重合性のモノマー成分及び／又は放射線重合性のオリゴマー成分と、光重合開始剤とを含む粘着剤（添加型の放射線硬化型粘着剤）を用いてもよい。内在型の放射線硬化型粘着剤を用いると、形成された粘着剤層内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。

上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等の炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における（メタ）アクリル酸エステルの割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他の単量体成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロイルモルフォリン、アミノ基含有モノマー、シアノ基含有モノマー（アクリルニトリル等）、ケト基含有モノマー、窒素原子含有環を有するモノマー、アルコキシシリル基含有モノマー等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等のグリシジル基含有モノマー等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記他のモノマー成分の割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。

上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、（メタ）アクリル酸エステル等の上記アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。

上記アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。

粘着剤層中の上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、２０万〜３００万が好ましく、より好ましくは２５万〜１５０万である。重量平均分子量が２０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの剥離時には半導体ウエハや個片化した半導体チップ等への糊残りを抑制することができる。

上記粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層の架橋度を向上させることができ、上記最大増加率が小さくなる傾向がある。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、粘着剤層の架橋度が高くなりすぎると上記損失係数が小さくなる傾向があるため、ベースポリマー１００質量部に対して、２０質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量部、さらに好ましくは０．６〜８質量部である。

上記放射線重合性のモノマー成分及び／又は放射線重合性のオリゴマー成分としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、エチニル基等の炭素−炭素多重結合を有する官能基を有する光反応性のモノマー又はオリゴマーが挙げられる。上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００〜３００００程度のものが好ましい。粘着剤層を形成する粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部、好ましくは４０〜１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。

アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素多重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素−炭素多重結合を有する化合物を、炭素−炭素多重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。

上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。この場合のイソシアネート基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。

上記光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α−ケトール系化合物としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２−ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５〜２０質量部である。

上記粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤等が挙げられる。粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。例えば、粘着剤層が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、積層構造中の一部の粘着層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。

上記感圧型粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等が挙げられる。粘着剤層が感圧型粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の放射線硬化型粘着剤に含有されるアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。

上記粘着剤層又は上記粘着剤層を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。

粘着剤層の厚みは、特に限定されないが、半導体ウエハの保持力と上記最大増加率のバランスをとる観点から、１〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２〜８０μｍ、さらに好ましくは３〜７０μｍである。なお、上記粘着剤層が粘着剤層の積層体である場合、上記粘着剤層の厚みは、上記積層体の厚みである。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの一実施形態について、以下に説明する。図１は、粘着剤層が単層で構成される本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの一実施形態を示す断面模式図である。

図１に示すように、半導体ウエハ保護用粘着テープ１は、基材１１及び基材１１上に積層された単層の粘着剤層１２を備える。このように粘着剤層が単層である場合の粘着剤層は、粘着剤層Ｘである放射線硬化型粘着剤層（即ち、上記損失係数が１．０以上である放射線硬化型粘着剤層）であることが好ましい。このような構成の半導体ウエハ保護用粘着テープ１は、粘着テープの昇温に起因する熱膨張により発生する応力が粘着剤層１２内で緩和されやすいため、通常の半導体ウエハを用いた場合はもちろん、改質領域等の脆弱化領域が形成された半導体ウエハであっても、クラックがより生じにくく、且つ、バックグラインド工程において半導体ウエハや半導体チップの剥離や飛散を抑制、防止することができ、一方で、半導体ウエハ又は半導体チップから剥離する際には、放射線照射により容易に粘着剤層の粘着力を低減させて剥離を行うことができる。

また、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの他の一実施形態について、以下に説明する。図２は、粘着剤層が複層で構成される（即ち、粘着剤層の積層体を有する）本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの一実施形態を示す断面模式図である。

図２に示すように、半導体ウエハ保護用粘着テープ２は、基材２１及び基材２１上に積層された粘着剤層２２を備える。粘着剤層２２は、粘着剤層２２ａ及び粘着剤層２２ｂから構成される粘着剤層の積層体である。なお、粘着剤層２２ｂは、単層又は複層のいずれで構成されていてもよい。このように粘着剤層が粘着剤層の積層体である場合、最表面に位置する粘着剤層２２ａは、粘着剤層Ｘである放射線硬化型粘着剤層（即ち、上記損失係数が１．０以上である放射線硬化型粘着剤層）であり、内部に位置する粘着剤層２２ｂは、粘着剤層Ｘである粘着力非低減型着剤層（即ち、上記損失係数が１．０以上である粘着力非低減型粘着剤層）であることが好ましい。このような構成の半導体ウエハ保護用粘着テープ２は、内部の粘着剤層２２ｂにより半導体ウエハ保護用粘着テープとしての上記最大増加率を特定の範囲に調整されやすく、また、粘着剤層２２ｂに応力緩和性を持たせることにより、半導体ウエハに対して応力がかかりにくく、よりクラックを生じさせにくい。そして、最表面の粘着剤層２２ａにより放射線硬化型粘着剤層を用いることによる上述の効果を奏することができる。

粘着剤層２２ａのように、粘着剤層の積層体における最表面に位置する粘着剤層が放射線硬化型粘着剤層である場合の当該粘着剤層の厚みは、１〜３０μｍが好ましく、より好ましくは２〜１５μｍである。また、粘着剤層２２ｂのように、粘着剤層の積層体における内部に位置する粘着剤層の厚み（最表面に位置する粘着剤層を除く粘着剤層の総厚み）は、１０〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜８０μｍである。このような厚み設計であると、半導体ウエハ保護用粘着テープ２に、最表面の粘着剤層２２ａにより、放射線硬化型粘着剤層を用いることによる上述の効果を付与しつつ、厚み方向において比較的多くの部分を占める内部の粘着剤層２２ｂにより、半導体ウエハ保護用粘着テープの上記最大増加率を特定の範囲に容易に調整することができる。その結果、放射線照射により半導体ウエハや半導体チップから容易に剥離することができながら、バックグラインド工程においてよりクラックを生じにくくすることができる。

本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの一実施形態である半導体ウエハ保護用粘着テープ１は、例えば、次の通りにして製造される。まず基材１１は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。

次に、基材１１上に、粘着剤層１２を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層１２を形成する組成物（粘着剤組成物）を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層１２を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度８０〜１５０℃、時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層１２を形成してもよい。その後、基材１１上に粘着剤層１２をセパレータと共に貼り合わせる。以上のようにして、半導体ウエハ保護用粘着テープ１を作製することができる。

また、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープの他の一実施形態である半導体ウエハ保護用粘着テープ２は、例えば、次の通りにして製造される。まず、基材２１上に粘着剤層２２ｂを有する形態は、上述の半導体ウエハ保護用粘着テープ１と同様の方法により作製することができる。そして、上述の粘着剤層１２の形成方法と同様に、セパレータ上に、粘着剤層２２ａを形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層２２ａを形成する組成物（粘着剤組成物）を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層２２ａを形成することができる。その後、粘着剤層２２ｂ上に粘着剤層２２ａをセパレータと共に貼り合わせる。以上のようにして、半導体ウエハ保護用粘着テープ２を作製することができる。

以上のようにして、例えば半導体ウエハ保護用粘着テープ１及び２を作製することができる。半導体ウエハ保護用粘着テープ１及び２には、粘着剤層表面側にセパレータ（図示略）が設けられていてもよい。セパレータは、粘着剤層が露出しないように保護するための要素であり、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを使用する際には当該粘着テープから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。

［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープにおける上記粘着剤層側に半導体ウエハを貼り付ける工程（「工程Ａ」と称する場合がある）と、本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープに半導体ウエハが保持された状態で、半導体ウエハを研削加工によって薄化する工程（「工程Ｂ」と称する場合がある）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。

上記半導体装置の製造方法は、一実施形態（実施形態１）として、工程Ａの後に、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハに改質領域３０ａを形成する工程（改質領域形成工程）を含んでいてもよい。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、当該改質領域形成工程では、工程Ａにて粘着面Ｘ１ａを有する本発明の半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１を半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わせた後、半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光を半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１とは反対の側から半導体ウエハＷに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ａを形成する。改質領域３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ａを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば下記の条件の範囲内で適宜に調整される。なお、改質領域形成工程は、工程Ａの前に行ってもよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

工程Ｂでは、図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚みに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａを形成する。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。

工程Ｂにて得られた個片化可能な半導体ウエハ３０Ａは、その後に続く工程（ダイシング工程等）に付される。例えば、工程Ｂにて得られた個片化可能な半導体ウエハ３０Ａをダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルム側に貼り付け、半導体ウエハ３０Ａから半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１を剥がす。半導体ウエハ保護用粘着テープＸ１を剥がす際は、適宜粘着力低減処理（放射線照射、加熱膨張等）を行ってもよい。そして、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、半導体ウエハ３０Ａを改質領域３０ａで割断し、これに伴いダイボンドフィルムも割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る。

上記半導体装置の製造方法おいては、他の実施形態（実施形態２）として、改質領域形成工程の代わりに、工程Ａの前に、図４に示す分割溝形成工程を行ってもよい。図４に示す分割溝形成工程では、まず、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ｂを形成する。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔａを有するウエハ加工用テープＴを半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴに半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ｂをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図４では分割溝３０ｂを模式的に太線で表す）。

そして、工程Ａにおいて、図４（ｃ）に示すように、粘着面Ｘ２ａを有する半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴの剥離とを行う。

次に、工程Ｂにおいて、図４（ｄ）に示すように、半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚みに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化する。これによって、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｂが形成される。半導体ウエハ３０Ｂは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。

工程Ｂにて得られた個片化可能な半導体ウエハ３０Ｂは、その後、上記実施形態１と同様に、ダイシング工程等に付され、その際に半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２が剥がされる。

上記半導体装置の製造方法おいては、さらなる他の実施形態（実施形態３）として、図４（ｄ）を参照して上述した工程Ｂに代えて、図５に示す工程Ｂを行ってもよい。図４（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図５に示す工程Ｂでは、半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚みに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ３１を含んで半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｃを形成する。上記工程Ｂでは、分割溝３０ｂが第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ｂに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ｂと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｃを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して上述したように形成する分割溝３０ｂの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図５では、第１の手法を経た分割溝３０ｂ、又は、第２の手法を経た分割溝３０ｂ及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。そして、本実施形態では、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｃを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、その後、上記実施形態１と同様に、ダイシング工程等に付され、その際に半導体ウエハ保護用粘着テープＸ２が剥がされる。

以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１
アクリル酸エチル（ＥＡ）／アクリル酸ブチル（ＢＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝５０／５０／５（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ６５１」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（商品名「ルミラーＳ１０５」、東レ株式会社製）に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み４５μｍの粘着剤層Ａ１を形成した。
次いで、当該粘着剤層Ａ１表面に、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面を貼り合わせ、粘着テープＡを得た。

他方、アクリル酸２−エチルヘキシル（２−ＥＨＡ）／アクリロイルモルフォリン／アクリル酸ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）＝７５／２５／１０（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）５質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ６５１」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ダイアホイルＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み５μｍの粘着剤層Ａ２を形成した。

そして、粘着テープＡからセパレータを剥離し、粘着テープＡの粘着剤層Ａ１上に上記粘着剤層Ａ２を貼り合わせて転写し、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ａ１（４５μｍ）／粘着剤層Ａ２（５μｍ）］の構成を有する実施例１の粘着テープを得た。

実施例２
アクリル酸２−エチルヘキシル（２−ＥＨＡ）／アクリル酸メチル（ＭＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝３０／７０／１０（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ６５１」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及び酢酸エチルを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（商品名「ルミラーＳ１０５」、東レ株式会社製）に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み４５μｍの粘着剤層Ｂ１を形成した。
次いで、当該粘着剤層Ｂ１表面に、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面を貼り合わせ、粘着テープＢを得た。

他方、アクリル酸２−エチルヘキシル（２−ＥＨＡ）／アクリロイルモルフォリン／アクリル酸ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）＝７５／２５／１０（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ６５１」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み５μｍの粘着剤層Ｂ２を形成した。

そして、粘着テープＢからセパレータを剥離し、粘着テープＢの粘着剤層Ｂ１上に上記粘着剤層Ｂ２を貼り合わせて転写し、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｂ１（４５μｍ）／粘着剤層Ｂ２（５μｍ）］の構成を有する実施例２の粘着テープを得た。

実施例３
粘着剤層の厚みを２５μｍとしたこと以外は粘着テープＢと同様にして粘着剤層Ｃ１を有する粘着テープＣを作製し、粘着テープＣからセパレータを剥離し、粘着テープＣの粘着剤層Ｃ１上に、実施例１において作製した粘着剤層Ａ２を貼り合わせて転写し、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｃ１（２５μｍ）／粘着剤層Ａ２（５μｍ）］の構成を有する実施例３の粘着テープを得た。

実施例４
粘着剤層の厚みを２５μｍとしたこと以外は粘着テープＡと同様にして粘着剤層Ｄ１を有する粘着テープＤを作製し、粘着テープＤからセパレータを剥離し、粘着テープＤの粘着剤層Ｄ１上に、実施例２において作製した粘着剤層Ｂ２を貼り合わせて転写し、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｄ１／粘着剤層Ｂ２］の構成を有する実施例４の粘着テープを得た。

実施例５
アクリル酸エチル（ＥＡ）／アクリル酸ブチル（ＢＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝５０／５０／５（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（商品名「ルミラーＳ１０５」、東レ株式会社製）に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み５０μｍの粘着剤層Ｅ１を形成した。
次いで、当該粘着剤層Ｅ１表面に、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面を貼り合わせ、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｅ１（５０μｍ）］の構成を有する実施例５の粘着テープを得た。

実施例６
アクリル酸２−エチルヘキシル（２−ＥＨＡ）／アクリル酸メチル（ＭＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝３０／７０／１０（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１質量部、及び酢酸エチルを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（商品名「ルミラーＳ１０５」、東レ株式会社製）に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み２５μｍの粘着剤層Ｆ１を形成した。
次いで、当該粘着剤層Ｆ１表面に、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面を貼り合わせ、粘着テープＦを得た。

他方、アクリル酸２−エチルヘキシル（２−ＥＨＡ）／アクリロイルモルフォリン／アクリル酸ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）＝７５／２５／１０（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）３質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ２９５９」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み５μｍの粘着剤層Ｆ２を形成した。

そして、粘着テープＦからセパレータを剥離し、粘着テープＦの粘着剤層Ｆ１上に上記粘着剤層Ｆ２を貼り合わせて転写し、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｆ１（２５μｍ）／粘着剤層Ｆ２（５μｍ）］の構成を有する実施例６の粘着テープを得た。

比較例１
アクリル酸エチル（ＥＡ）／アクリル酸ブチル（ＢＡ）／アクリル酸ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）＝５０／５０／５（質量比）から構成されるアクリル系ポリマー１００質量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）０．２質量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア ６５１」、ＢＡＳＦ社製）３質量部、及びトルエンを含む粘着剤組成物を調製した。この粘着剤組成物を、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（商品名「ルミラーＳ１０５」、東レ株式会社製）に塗布した後、１２０℃で１２０秒間加熱して脱溶媒し、厚み３０μｍの粘着剤層Ｇ１を形成した。
次いで、当該粘着剤層Ｇ１表面に、厚み３８μｍのポリエステル系セパレータ（商品名「ＭＲＦ」、三菱樹脂株式会社製）のシリコーン処理を施した面を貼り合わせ、５０℃にて７２時間保存し、［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｇ１（３０μｍ）］の構成を有する比較例１の粘着テープを得た。

比較例２
粘着剤層の厚みを５０μｍとしたこと以外は比較例１と同様にして［ＰＥＴフィルム（５０μｍ）／粘着剤層Ｈ１（５０μｍ）］の構成を有する比較例２の粘着テープを得た。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた各粘着剤層及び各粘着テープについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（最大増加率）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各粘着テープから、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出して試験片とし、熱機械分析装置（商品名「Ｑ−４００」、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）にセットし、下記の測定条件で、圧縮膨張法によって、試験片全体に、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で試験片を−７０℃から１５０℃まで昇温させ、そのとき試験片の厚みの変位を連続的に測定した。その際の２３〜１００℃における試験片の厚み方向における膨張率（増加率）の変化の様子を図６〜１３に示す。なお、図６〜１３において、横軸は温度（Temperature）［℃］、縦軸は２３℃における厚みに対する膨張率（Expansion Rate）［％］を示す。そして、２３℃における短冊状試験片の厚みをＡ、２３〜１００℃における短冊状試験片の最大の厚みをＢとし、下記式により求め最大増加率を求めた。結果を表１の「最大増加率」の欄に示す。
最大増加率（％）＝（Ｂ−Ａ）／Ａ×１００
＜測定条件＞
測定モ−ド：圧縮膨張法
測定荷重：１１０ｍＮ
プローブ径：６ｍｍφ
温度プログラム：−７０℃から１５０℃
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
測定雰囲気：Ｎ₂（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）

（ナノインデンテーション法による損失係数）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各粘着剤層について、１ｃｍ角程度に切り出し、所定の支持体に固定したものを測定サンプルとし、ナノインデンター（商品名「ＴｒｉｂｏＩｎｄｅｎｔｅｒ」、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ．社製）を用い、下記の条件でナノインデンテーション測定を行った。そして、得られた損失係数（ｔａｎδ）を表１の「損失係数」の欄に示す。
使用圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：動的測定
測定温度：２５℃（室温）
周波数：１００Ｈｚ
振幅：２ｎｍ

（耐クラック性）
レーザー加工装置として商品名「ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ」（株式会社東京精密製）を用いて、１２インチの半導体ウエハ（シリコン製ミラーウエハ）の内部に集光点を合わせ、格子状（８ｍｍ×１２ｍｍ）の分割予定ラインに沿って表面からレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

半導体ウエハ内部に改質領域を形成した後、半導体ウエハの表面に、実施例及び比較例で得られた粘着テープを貼り合わせ、バックグラインダー（商品名「ＤＧＰ８７６０」、株式会社ディスコ製）を用いて半導体ウエハの厚みが２５μｍになるように裏面を研削し、またこれに伴って半導体ウエハを割断した。そして、個片化した５００個の半導体チップの割断部について光学顕微鏡（倍率５０倍）で観察した。光学顕微鏡観察により確認できたクラック発生による欠点の数を数え、［欠点の個数／５００］を欠点率として算出し、上記欠点率が１％以下である場合を○、上記欠点率が１％を超える場合を×として評価した。評価結果を表１の「耐クラック性」の欄に示す。

１，２，Ｘ１，Ｘ２ 半導体ウエハ保護用粘着テープ
１１，２１ 基材
１２，２２ａ、２２ｂ、２２ 粘着剤層
Ｗ，３０Ａ，３０Ｂ 半導体ウエハ
３０Ｃ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 改質領域
３０ｂ 分割溝
３１ 半導体チップ

Claims (1)

1. 基材と、前記基材上に積層された粘着剤層とを有する半導体ウエハ保護用粘着テープであって、
   ２３℃における前記基材の厚みが１０〜１５０μｍであり、
   熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重０．１１Ｎをかけた状態で前記粘着テープを−７０℃から１５０℃まで加熱したときの、２３℃における前記粘着テープの厚みに対する、２３〜１００℃における前記粘着テープの厚みの最大増加率が１．２％以下であり、
   前記粘着剤層として、温度２５℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による損失係数（ｔａｎδ）が１．０以上である粘着剤層を少なくとも１層有する、半導体ウエハ保護用粘着テープ。

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