TW201912746A - 半導體晶圓保護用黏著帶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於背面研磨步驟中不易於半導體晶圓產生龜裂之半導體晶圓保護用黏著帶。 本發明提供一種半導體晶圓保護用黏著帶，其係具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層者，且23℃下之上述基材之厚度為10～150 μm，藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將上述黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之上述黏著帶之厚度相對於23℃下之上述黏著帶之厚度之最大增加率為1.2%以下。

Description

半導體晶圓保護用黏著帶
本發明係關於一種半導體晶圓保護用黏著帶。更詳細而言，本發明係關於一種於半導體晶圓之背面切削加工時所使用之半導體晶圓保護用黏著帶。
先前，有於半導體裝置之製造中，使用背面研磨膠帶之情形。背面研磨膠帶係設為於基材上設置有黏著劑層之形態，於黏著劑層上配置半導體晶圓，用於在半導體晶圓之背面研削(背面研磨)時，保持半導體晶圓之用途、保護半導體晶圓表面之用途、或於藉由背面研削而使半導體晶圓單片化之情形時以不使經單片化之半導體晶片飛散之方式進行固定之用途(例如，參照專利文獻1～3)。
背面研磨通常係於背面研磨膠帶之黏著劑層上配置半導體晶圓之表面(表面：形成有半導體元件所需之配線構造之面)，以自背面進行研削加工直至半導體晶圓成為特定之厚度而使半導體晶圓薄化之方式進行。
又，近年來，提出有藉由於半導體晶圓之表面形成槽，其後進行背面研磨，而獲得各個半導體晶片之方法(有時稱為「DBG(Dicing Before Grinding)」)；或藉由對半導體晶圓上之預分割線照射雷射光而形成改質區域，而可利用預分割線將半導體晶圓容易地分割後，進行背面研磨，其後，藉由將該半導體晶圓貼附於切割黏晶膜，並將切割保護膠帶於低溫下(例如，-25～0℃)延展(以下，有時稱為「全延展」)，而將半導體晶圓與黏晶膜一同割斷(斷裂)，獲得各個半導體晶片(附黏晶膜之半導體晶片)之方法。其係稱為所謂之「SDBG(Stealth Dicing Before Grinding，研磨前隱形切割)」之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-054940號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-185691號公報 [專利文獻3]日本專利特開2005-343997號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，因半導體之高容量化之需求而矽層之薄層化不斷進行。因此，必需藉由背面研磨以獲得與先前相比薄化之半導體晶圓之技術。於用以獲得上述與先前相比薄化之半導體晶圓之背面研磨步驟中，進行使半導體晶圓薄化之正式研削、與提高正式研削後之研削面之平滑性之後研磨。
然而，於用以獲得與先前相比薄化之半導體晶圓之上述背面研磨步驟中，有於正式研削或後研磨中，容易於半導體晶圓產生龜裂(crack)之問題。尤其於使用藉由雷射光照射而形成有改質區域之半導體晶圓之情形之背面研磨步驟中容易產生龜裂。
本發明係鑒於上述問題而完成者，本發明者等人之目的在於：著眼於背面研磨膠帶，開發於背面研磨步驟中不易於半導體晶圓產生龜裂之黏著帶。因此，本發明之目的在於提供一種於背面研磨步驟中，不易於半導體晶圓產生龜裂之半導體晶圓保護用黏著帶。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了達成上述目標而努力研究，結果發現：若使用如下之半導體晶圓保護用黏著帶，則於背面研磨步驟中，不易於半導體晶圓產生龜裂，該半導體晶圓保護用黏著帶係具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層者，且23℃下之上述基材之厚度為10～150 μm，藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將上述黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之上述黏著帶之厚度相對於23℃下之上述黏著帶之厚度之最大增加率為1.2%以下。本發明係基於該等見解而完成者。
即，本發明提供一種半導體晶圓保護用黏著帶，其係具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層者，且23℃下之上述基材之厚度為10～150 μm，藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將上述黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之上述黏著帶之厚度相對於23℃下之上述黏著帶之厚度之最大增加率為1.2%以下。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶係藉由將23℃下之上述基材之厚度設為10～150 μm，且將藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將上述黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之上述黏著帶之厚度相對於23℃下之上述黏著帶之厚度之最大增加率(有時稱為「最大膨脹率」)設為1.2%以下，而即便於使半導體晶圓與先前相比薄化之背面研磨步驟中黏著帶升溫至100℃左右之情形時，關於黏著帶之厚度，相對於常溫時之熱膨脹亦較小，自黏著帶施加至半導體晶圓之應力亦較小，故而於使用通常之半導體晶圓之情形，當然不易產生龜裂，即便於形成有改質區域等脆弱化區域之半導體晶圓，亦不易產生龜裂。
又，本發明之半導體晶圓保護用黏著帶較佳為作為上述黏著劑層，具有至少1層之溫度25℃、頻率100 Hz之條件下之藉由奈米壓痕法之損耗係數(tanδ)為1.0以上之黏著劑層。黏著帶於半導體晶圓之貼附通常使用層壓裝置進行，但於該情形時實質上不可能完全不施加張力而進行貼附，故而於貼附時所施加之張力以殘留應力之形式聚集於貼附後之黏著帶。藉由該殘留應力，而有於背面研磨步驟中，例如以改質區域為契機因夾持半導體晶圓之該改質區域之區域(相當於單片化後之半導體晶片之區域)彼此之衝突而容易產生龜裂之傾向。另一方面，於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶具有上述損耗係數(tanδ)為1.0以上之黏著劑層之情形時，殘留應力容易早期地分散、消失(應力緩和)而內部應力容易衰減，故而難以對半導體晶圓施加應力而不易產生龜裂。 [發明之效果]
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶係於背面研磨步驟中，不易於半導體晶圓產生龜裂。尤其即便於使用形成有改質區域等脆弱化區域之半導體晶圓之情形時，亦不易產生龜裂。
[半導體晶圓保護用黏著帶] 本發明之半導體晶圓保護用黏著帶較佳為用於在對半導體晶圓之一面(尤其是背面)進行研削而使半導體晶圓薄化時，於黏著劑層上貼附半導體晶圓之另一面(尤其是表面)而保持半導體晶圓之用途。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶係如上所述般23℃下之基材之厚度為10～150 μm，較佳為25～100 μm。藉由上述厚度為上述範圍內，而於半導體晶圓保護用黏著帶之最大增加率為1.2%以下之情形時，不易於半導體晶圓產生龜裂。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶係如上所述般藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將半導體晶圓保護用黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之半導體晶圓保護用黏著帶相對於23℃下之半導體晶圓保護用黏著帶之厚度之最大增加率(最大膨脹率)為1.2%以下，較佳為1.1%以下，更佳為1.0%以下。藉由上述最大增加率為1.2%以下，而即便於使半導體晶圓與先前相比薄化之背面研磨步驟中使黏著帶升溫至100℃左右之情形時，關於黏著帶之厚度，相對於常溫時之熱膨脹亦較小，自黏著帶施加至半導體晶圓之應力亦較小，故而於使用通常之半導體晶圓之情形時，當然不易產生龜裂，即便於形成有改質區域等脆弱化區域之半導體晶圓，亦不易產生龜裂。再者，上述最大增加率亦可為負數，但其下限例如為-10%。
上述最大增加率係藉由下述之最大增加率之測定方法而求出。 ＜最大增加率之測定方法＞ 自半導體晶圓保護用黏著帶切出而獲得短條狀試片。將該短條狀試片安裝至熱機械分析裝置，藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，使短條狀試片自-70℃升溫至150℃，測定此時之厚度之位移。並且，將23℃下之短條狀試片之厚度設為A，將23～100℃下之短條狀試片之最大之厚度設為B，並藉由下述式而求出。 最大增加率(%)＝(B－A)/A×100
(基材) 基材係於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶上作為支持體發揮功能之元件。作為上述基材，例如可列舉：塑膠基材(尤其是塑膠膜)。上述基材可為單層，亦可為同種或不同種之基材之積層體。再者，於本說明書中，所謂單層，意指包含相同之組成之層，包括包含相同之組成之層積層複數層而成之形態者。
作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層為如下所述般放射線硬化型之情形時，基材較佳為具有放射線透過性。
關於基材之黏著劑層側表面，為了提高與黏著劑層之密接性、保持性等，例如亦可實施電暈放電處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；藉由包衣劑(底塗劑)之易接著處理等表面處理。又，為了賦予抗靜電能力，亦可將包含金屬、合金、該等之氧化物等之導電性之蒸鍍層設置於基材表面。
(黏著劑層) 本發明之半導體晶圓保護用黏著帶係於基材上具有至少一層黏著劑層。上述黏著劑層可為單層，亦可為同種或不同種之黏著劑層之積層體。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶較佳為作為上述黏著劑層，具有至少一層之溫度25℃、頻率100 Hz之條件下之藉由奈米壓痕法之損耗係數(tanδ)為1.0以上之黏著劑層。黏著帶於半導體晶圓之貼附通常係使用層壓裝置而進行，但於該情形時實質上不可能完全不施加張力而進行貼附，故而於貼附時施加之張力以殘留應力之形式聚集於貼附後之黏著帶。藉由該殘留應力，而於背面研磨步驟中，例如有以改質區域為契機因夾持半導體晶圓之該改質區域之區域(相當於單片化後之半導體晶片之區域)彼此之衝突而容易產生龜裂之傾向。另一方面，於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶具有上述損耗係數(tanδ)為1.0以上之黏著劑層之情形時，殘留應力容易早期地分散、消失(應力緩和)而內部應力容易衰減，故而難以對半導體晶圓施加應力而不易產生龜裂。再者，上述損耗係數之上限例如為5.0。又，於本說明書中，有時將上述損耗係數為1.0以上之黏著劑層稱為「黏著劑層X」。
上述損耗係數係將半導體晶圓保護用黏著帶中之黏著劑層賦予至奈米壓痕試驗所獲得之值。於奈米壓痕試驗中，於將壓頭壓入至黏著劑層時之將對壓頭之負載荷重與壓入深度進行負載時、卸載時連續地測定，由所獲得之負載荷重-壓入深度曲線求出儲存彈性模數及損失彈性模數，算出損失彈性模數/儲存彈性模數作為上述損耗係數(損耗正切)。上述黏著劑層之藉由奈米壓痕法之損耗係數係利用下述之條件進行測定。 測定裝置(奈米壓痕儀)：Hysitron Inc.製造之Triboindenter 壓頭：Berkovich(三角錐型) 測定方法：動態測定 壓入深度設定：500 nm 頻率：100 Hz 振幅：2 nm
於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶具有黏著劑層之積層體、且具有黏著劑層X之情形時，只要構成上述積層體中之至少一種黏著劑層為黏著劑層X即可，較佳為至少位於上述積層體之最表面(與基材相反側之最表面)之黏著劑層為黏著劑層X，更佳為構成上述積層體之所有黏著劑層均為黏著劑層X。
關於上述損耗係數，黏著劑層X為位於最表面之黏著劑層之情形之該黏著劑層之上述損耗係數更佳為1.1以上，進而較佳為1.15以上。另一方面，黏著劑層X為位於黏著帶之內部之黏著劑層(即，位於最表面之黏著劑層以外之黏著劑層)之情形之該黏著劑層之上述損耗係數較佳為1.0以上。
本發明之半導體晶圓保護用黏著帶具有之上述黏著劑層係由黏著劑形成。作為形成上述黏著劑層之黏著劑，可為可藉由放射線照射等來自外部之作用而刻意地降低黏著力之黏著劑(黏著力降低型黏著劑)，亦可為藉由來自外部之作用而幾乎或完全不使黏著力降低之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)，可根據所貼附之半導體晶圓之種類或背面研磨之方法及條件等而適宜地選擇。
於使用黏著力降低型黏著劑作為上述黏著劑之情形時，於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之製造過程或使用過程中，可區分使用黏著劑層顯示出相對高之黏著力之狀態與顯示出相對低之黏著力之狀態。例如，於在背面研磨步驟中將作為背面研磨對象之半導體晶圓貼合於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之黏著劑層時，或於背面研磨中，可利用黏著劑層顯示出相對高之黏著力之狀態而抑制、防止半導體晶圓或經單片化之半導體晶片自黏著劑層之隆起，並且其後自經背面研磨之半導體晶圓或經單片化之半導體晶片將本發明之半導體晶圓保護用黏著帶剝離時，可藉由降低黏著劑層之黏著力，而容易地進行剝離。因此，於本發明之半導體晶圓用保護用黏著帶中，較佳為位於最表面(與基材相反側之最表面)之黏著劑層為由黏著力降低型黏著劑所形成之黏著劑層(尤其是下述之放射線硬化型黏著劑層)。
作為此種黏著力降低型黏著劑，例如可列舉：放射線硬化型黏著劑(具有放射線硬化性之黏著劑)等。作為形成黏著劑層之黏著劑，可使用一種之黏著力降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力降低型黏著劑。又，亦可使黏著劑層之整體由黏著力降低型黏著劑形成，亦可使一部分由黏著力降低型黏著劑形成。
作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。
作為上述放射線硬化型黏著劑，可使用任意合適之包含丙烯酸系聚合物之黏著劑。較佳為使用包含具有至少一種放射線聚合性官能基(例如，丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重鍵之官能基)之丙烯酸系聚合物、及光聚合起始劑之黏著劑(內在型放射線硬化型黏著劑)。又，亦可使用包含丙烯酸系聚合物、放射線聚合性之單體成分及/或放射線聚合性之低聚物成分、及光聚合起始劑之黏著劑(添加型放射線硬化型黏著劑)。若使用內在型放射線硬化型黏著劑，則有可抑制因所形成之黏著劑層內之低分子量成分之移動導致之黏著特性之不刻意之經時變化之傾向。
上述丙烯酸系聚合物係包含源自丙烯酸系單體(於分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含最多之源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦相同。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。上述(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層中適當地表現藉由(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。
關於上述丙烯酸系聚合物，為了進行凝集力、耐熱性等之改質，亦可包含源自可與上述(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含環氧基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯醯啉、含胺基之單體、含氰基之單體(丙烯腈等)、含酮基之單體、具有含氮原子之環之單體、含烷氧基矽烷基之單體等含官能基之單體等。作為上述含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。作為上述含環氧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等含縮水甘油基之單體等。作為上述含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。作為上述含磷酸基之單體，例如可列舉：丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地表現藉由(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述其他單體成分之比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。
關於上述丙烯酸系聚合物，為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含源自可與形成(甲基)丙烯酸酯等上述丙烯酸系聚合物之單體成分共聚之多官能性單體之結構單元。作為上述多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(例如，(甲基)丙烯酸聚縮水甘油酯)、(甲基)丙烯酸聚酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等在分子內具有(甲基)丙烯醯基與其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層中適當地表現藉由(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將包含丙烯酸系單體之一種以上之單體成分賦予聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。
黏著劑層中之上述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為20萬～300萬，更佳為25萬～150萬。若重量平均分子量為20萬以上，則有黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，可抑制於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之剝離時於半導體晶圓或經單片化之半導體晶片等之糊劑殘留。
上述黏著劑亦可含有交聯劑。例如於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯，提高黏著劑層之交聯度，有上述最大增加率減小之傾向。作為上述交聯劑，例如可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，關於其使用量，若黏著劑層之交聯度過度升高，則有上述損耗係數減小之傾向，故而相對於基礎聚合物100質量份，較佳為20質量份左右以下，更佳為0.1～10質量份，進而較佳為0.6～8質量份。
作為上述放射線聚合性之單體成分及/或放射線聚合性之低聚物成分，可列舉：具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重鍵之官能基之光反應性之單體或低聚物。作為上述放射線聚合性之單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成黏著劑層之黏著劑中之上述放射線硬化性之單體成分及低聚物成分之含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型放射線硬化型黏著劑，例如亦可使用日本專利特開昭60-196956號公報中揭示者。
作為於丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性之碳-碳多重鍵之方法，例如可列舉：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物後，於維持碳-碳多重鍵之放射線聚合性之情況下，使可與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之具有碳-碳多重鍵之化合物與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應之方法。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。其中，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物就技術之難易度較高，另一方面，具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之組合。作為該情形之異氰酸基及具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉：上述含羥基之單體、或包含源自2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。
作為上述光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、醯基磷酸酯等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1,2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉：苄基二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、2,4-二異丙基9-氧硫等。放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。
作為上述黏著力非降低型黏著劑，例如可列舉：關於黏著力降低型黏著劑，預先藉由放射線照射而使上述之放射線硬化型黏著劑硬化之形態之黏著劑、或感壓型黏著劑等。作為形成黏著劑層之黏著劑，可使用一種之黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。又，可使黏著劑層之整體由黏著力非降低型黏著劑形成，亦可使一部分由黏著力非降低型黏著劑形成。例如於黏著劑層具有積層構造之情形時，可使積層構造中之所有黏著劑層由黏著力非降低型黏著劑形成，亦可使積層構造中之一部分之黏著層由黏著力非降低型黏著劑形成。
作為上述感壓型黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑，可列舉：以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等。於黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為感壓型黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比率計最多之結構單元之聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，例如可採用：作為上述之放射線硬化型黏著劑中所含之丙烯酸系聚合物所說明之丙烯酸系聚合物。
關於形成上述黏著劑層或上述黏著劑層之黏著劑，除上述之各成分以外，亦可調配交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之黏著劑層中所使用之之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉：藉由放射線照射而著色之化合物。於含有藉由放射線照射而著色之化合物之情形時，可僅使被放射線照射之部分進行著色。上述藉由放射線照射而著色之化合物係於放射線照射前為無色或淡色，但藉由放射線照射而成為有色之化合物，例如可列舉：無色染料等。上述藉由放射線照射而著色之化合物之使用量並無特別限定，可適宜選擇。
黏著劑層之厚度並無特別限定，就取得半導體晶圓之保持力與上述最大增加率之平衡之觀點而言，較佳為1～100 μm，更佳為2～80 μm，進而較佳為3～70 μm。再者，於上述黏著劑層為黏著劑層之積層體之情形時，上述黏著劑層之厚度為上述積層體之厚度。
對本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之一實施形態於以下進行說明。圖1係表示黏著劑層由單層構成之本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之一實施形態之剖面模式圖。
如圖1所示般，半導體晶圓保護用黏著帶1具備基材11及積層於基材11上之單層之黏著劑層12。如此黏著劑層為單層之情形之黏著劑層較佳為作為黏著劑層X之放射線硬化型黏著劑層(即，上述損耗係數為1.0以上之放射線硬化型黏著劑層)。此種構成之半導體晶圓保護用黏著帶1因黏著帶之升溫導致之因熱膨脹所產生之應力於黏著劑層12內容易緩和，故而於使用通常之半導體晶圓之情形時，當然更不易產生龜裂，即便於形成有改質區域等脆弱化區域之半導體晶圓，亦更不容易產生龜裂，且可抑制、防止於背面研磨步驟中半導體晶圓或半導體晶片之剝離或飛散，另一方面，於自半導體晶圓或半導體晶片剝離時，可藉由放射線照射而容易地降低黏著劑層之黏著力而進行剝離。
又，對本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之另一實施形態於以下進行說明。圖2係表示黏著劑層由複層構成之(即，具有黏著劑層之積層體)本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之一實施形態之剖面模式圖。
如圖2所示，半導體晶圓保護用黏著帶2具備基材21及積層於基材21上之黏著劑層22。黏著劑層22係由黏著劑層22a及黏著劑層22b構成之黏著劑層之積層體。再者，黏著劑層22b亦可由單層或複層之任一種構成。於如此黏著劑層為黏著劑層之積層體之情形時，較佳為位於最表面之黏著劑層22a為作為黏著劑層X之放射線硬化型黏著劑層(即，上述損耗係數為1.0以上之放射線硬化型黏著劑層)，且位於內部之黏著劑層22b為作為黏著劑層X之黏著力非降低型黏著劑層(即，上述損耗係數為1.0以上之黏著力非降低型黏著劑層)。此種構成之半導體晶圓保護用黏著帶2容易藉由內部之黏著劑層22b而將作為半導體晶圓保護用黏著帶之上述最大增加率調整為特定之範圍，又，藉由使黏著劑層22b具有應力緩和性，而難以對半導體晶圓施加應力，更不易產生龜裂。並且，可藉由最表面之黏著劑層22a而發揮藉由使用放射線硬化型黏著劑層之上述之效果。
如黏著劑層22a，黏著劑層之積層體中之位於最表面之黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層之情形之該黏著劑層之厚度較佳為1～30 μm，更佳為2～15 μm。又，如黏著劑層22b，黏著劑層之積層體中之位於內部之黏著劑層之厚度(不包括位於最表面之黏著劑層之黏著劑層之總厚度)較佳為10～100 μm，更佳為20～80 μm。若為此種厚度設計，則可一面藉由最表面之黏著劑層22a，對半導體晶圓保護用黏著帶2賦予藉由使用放射線硬化型黏著劑層之上述之效果，一面藉由於厚度方向上占相對多之部分之內部之黏著劑層22b，而將半導體晶圓保護用黏著帶之上述最大增加率容易地調整為特定之範圍。其結果為，可一面藉由放射線照射而自半導體晶圓或半導體晶片容易地剝離，一面於背面研磨步驟中更不易產生龜裂。
作為本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之一實施形態之半導體晶圓保護用黏著帶1例如係如下般進行製造。首先，基材11可藉由公知或慣用之製膜方法進行製膜而獲得。作為上述製膜方法，例如可列舉：軋光機製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系中之吹脹擠壓法、T模擠壓法、共擠壓法、乾式層壓法等。
其次，可於基材11上塗佈包含形成黏著劑層12之黏著劑及溶劑等之形成黏著劑層12之組合物(黏著劑組合物)而形成塗膜後，視需要藉由脫溶劑或硬化等而使該塗膜固化，形成黏著劑層12。作為上述塗佈之方法，例如可列舉：輥式塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如於溫度80～150℃、時間0.5～5分鐘之範圍內進行。又，亦可於分隔件上塗佈黏著劑組合物而形成塗膜後，於上述之脫溶劑條件下使塗膜固化而形成黏著劑層1。其後，將黏著劑層12與分隔件一同貼合於基材11上。可以如上之方式製作半導體晶圓保護用黏著帶1。
又，作為本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之另一實施形態之半導體晶圓保護用黏著帶2例如係藉由如下般進行製造。首先，於基材21上具有黏著劑層22b之形態可藉由與上述之半導體晶圓保護用黏著帶1相同之方法而製作。並且，可與上述之黏著劑層12之形成方法同樣地，於分隔件上塗佈包含形成黏著劑層22a之黏著劑及溶劑等形成黏著劑層22a之組合物(黏著劑組合物)而形成塗膜後，視需要藉由脫溶劑或硬化等而使該塗膜固化，形成黏著劑層22a。其後，將黏著劑層22a與分隔件一同貼合於黏著劑層22b上。可以如上之方式製作半導體晶圓保護用黏著帶2。
可以如上之方式製作例如半導體晶圓保護用黏著帶1及2。於半導體晶圓保護用黏著帶1及2中，亦可於黏著劑層表面側設置分隔件(省略圖示)。分隔件係用以保護黏著劑層以不使其露出之元件，於使用本發明之半導體晶圓保護用黏著帶時自該黏著帶剝離。作為分隔件，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
[半導體裝置之製造方法] 可使用本發明之半導體晶圓保護用黏著帶而製造半導體裝置。具體而言，可藉由包括於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶中之上述黏著劑層側貼附半導體晶圓之步驟(有時稱為「步驟A」)；與於使半導體晶圓保持於本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之狀態下，將半導體晶圓藉由研削加工而薄化之步驟(有時稱為「步驟B」)之製造方法而製造半導體裝置。
上述半導體裝置之製造方法亦可包括於步驟A後，如圖3(a)及圖3(b)所示般於半導體晶圓形成改質區域30a之步驟(改質區域形成步驟)作為一實施形態(實施形態1)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa之側已經安裝各種半導體元件(省略圖示)，且該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)已經形成於第1面Wa上。並且，於該改質區域形成步驟中，藉由步驟A將具有黏著面X1a之本發明之半導體晶圓保護用黏著帶X1貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於將半導體晶圓W保持於半導體晶圓保護用黏著帶X1之狀態下，於晶圓內部將聚光點所聚集之雷射光自與半導體晶圓保護用黏著帶X1相反之側對半導體晶圓W沿著預分割線照射，因多光子吸收導致之消融而於半導體晶圓W內形成改質區域30a。改質區域30a係用以使半導體晶圓W分離為半導體晶片單元之脆弱化區域。對於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於預分割線上形成改質區域30a之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中詳細敍述，但該實施形態之雷射光照射條件例如係於下述之條件之範圍內適宜調整。再者，改質區域形成步驟亦可於步驟A前進行。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光點截面面積 3.14×10-8 cm2 振動形態 Q切換脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 100%以下 (C)載置半導體基板之裁置台之移動速度 280mm/秒以下
於步驟B中，如圖3(c)所示，於使半導體晶圓W保持於半導體晶圓保護用黏著帶X1之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工進行薄化直至半導體晶圓W成為特定之厚度，藉此，形成可單片化為複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置而進行。
藉由步驟B所獲得之可單片化之半導體晶圓30A係賦予其後所繼續之步驟(切割步驟等)。例如，將藉由步驟B所獲得之可單片化之半導體晶圓30A貼附至切割黏晶膜中之黏晶膜側，自半導體晶圓30A將半導體晶圓保護用黏著帶X1剝離。於將半導體晶圓保護用黏著帶X1剝離時，亦可適宜進行黏著力降低處理(放射線照射、加熱膨脹等)。並且，於相對低溫之條件下，將切割黏晶膜上之切割保護膠帶進行延伸，將半導體晶圓30A沿著改質區域30a割斷，伴隨其而黏晶膜亦割斷而獲得附黏晶膜之半導體晶片。
於上述半導體裝置之製造方法中，作為另一實施形態(實施形態2)，亦可替代改質區域形成步驟，於步驟A前，進行圖4所示之分割槽形成步驟。於圖4所示之分割槽形成步驟中，首先，如圖4(a)及圖4(b)所示般，於半導體晶圓W形成分割槽30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W之第1面Wa之側已經安裝各種半導體元件(省略圖示)，且該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)已經形成於第1面Wa上。並且，將具有黏著面Ta之晶圓加工用膠帶T貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於使半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T之狀態下，於半導體晶圓W之第1面Wa側使用切割裝置等旋轉刀片而形成特定深度之分割槽30b。分割槽30b係用以將半導體晶圓W分離為半導體晶片單元之空隙(於圖4中，以粗實線模式性地表示分割槽30b)。
並且，於步驟A中，如圖4(c)所示，進行具有黏著面X2a之半導體晶圓保護用黏著帶X2於半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合、與自半導體晶圓W之晶圓加工用膠帶T之剝離。
其次，於步驟B中，如圖4(d)所示，於使半導體晶圓W保持於半導體晶圓保護用黏著帶X2之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工進行薄化直至半導體晶圓W成為特定之厚度。藉此，於複數個半導體晶片31形成可單片化之半導體晶圓30B。關於半導體晶圓30B，具體而言，具有於該晶圓中以第2面Wb側將成為單片化為複數個半導體晶片31之部位連結之部位(連結部)。
藉由步驟B所獲得之可單片化之半導體晶圓30B係其後與上述實施形態1同樣地賦予至切割步驟等，於此時將半導體晶圓保護用黏著帶X2剝離。
於上述半導體裝置之製造方法中，作為進而另一實施形態(實施形態3)，亦可參照圖4(d)而替代上述之步驟B，進行圖5所示之步驟B。參照圖4(c)而經過上述過程後，於圖5所示之步驟B中，於使半導體晶圓W保持於半導體晶圓保護用黏著帶X2之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工進行薄化直至該晶圓成為特定之厚度，形成包含複數個半導體晶片31並保持於半導體晶圓保護用黏著帶X2之半導體晶圓分割體30C。於上述步驟B中，可採用對晶圓進行研削直至分割槽30b於第2面Wb側露出之方法(第1方法)，亦可採用自第2面Wb側對晶圓進行研削直至到達分割槽30b之前，其後，藉由自旋轉磨石向晶圓之擠壓力之作用而於分割槽30b與第2面Wb之間產生龜裂而形成半導體晶圓分割體30C之方法(第2方法)。根據採用之方法，適宜決定參照圖4(a)及圖4(b)如上所述般形成之分割槽30b之距離第1面Wa之深度。於圖5中，對於經由第1方法之分割槽30b、或經由第2方法之分割槽30b及與其相連之龜裂，以粗實線模式性地表示。並且，於本實施形態中，作為半導體晶圓分割體，使用以如此之方式所製作之半導體晶圓分割體30C替代半導體晶圓30A，其後，與上述實施形態1同樣地賦予至切割步驟等，於此時將半導體晶圓保護用黏著帶X2剝離。 [實施例]
以下，列舉實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例任何限定。
實施例1 製備包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸(AA)＝50/50/5(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)1質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)3質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜(商品名「Lumirror S105」，Toray股份有限公司製造)後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度45 μm之黏著劑層A1。 繼而，於該黏著劑層A1表面，貼合厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面，獲得黏著帶A。
另一方面，製備包含由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯醯啉/丙烯酸羥基乙酯(HEA)＝75/25/10(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)5質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)3質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「DIAFOIL MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度5 μm之黏著劑層A2。
並且，自黏著帶A將分隔件剝離，將上述黏著劑層A2貼合並轉印於黏著帶A之黏著劑層A1上，於50℃下保持72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層A1(45 μm)/黏著劑層A2(5 μm)]之構成之實施例1之黏著帶。
實施例2 製備包含由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯酸甲酯(MA)/丙烯酸(AA)＝30/70/10(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)1質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)3質量份、及乙酸乙酯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜(商品名「Lumirror S105」，Toray股份有限公司製造)後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度45 μm之黏著劑層B1。 繼而，於該黏著劑層B1表面貼合厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面，獲得黏著帶B。
另一方面，製備包含由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯醯啉/丙烯酸羥基乙酯(HEA)＝75/25/10(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)1質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)3質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度5 μm之黏著劑層B2。
並且，自黏著帶B將分隔件剝離，將上述黏著劑層B2貼合並轉印於黏著帶B之黏著劑層B1上，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層B1(45 μm)/黏著劑層B2(5 μm)]之構成之實施例2之黏著帶。
實施例3 將黏著劑層之厚度設為25 μm，除此以外，以與黏著帶B相同之方式製作具有黏著劑層C1之黏著帶C，自黏著帶C將分隔件剝離，將於實施例1中所製作之黏著劑層A2貼合並轉印於黏著帶C之黏著劑層C1上，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層C1(25 μm)/黏著劑層A2(5 μm)]之構成之實施例3之黏著帶。
實施例4 將黏著劑層之厚度設為25 μm，除此以外，以與黏著帶A相同之方式製作具有黏著劑層D1之黏著帶D，自黏著帶D將分隔件剝離，將於實施例2中所製作之黏著劑層B2貼合並轉印於黏著帶D之黏著劑層D1上，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層D1/黏著劑層B2]之構成之實施例4之黏著帶。
實施例5 製備包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸(AA)＝50/50/5(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)1質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜(商品名「Lumirror S105」，Toray股份有限公司製造)後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度50 μm之黏著劑層E1。 繼而，於該黏著劑層E1表面貼合厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層E1(50 μm)]之構成之實施例5之黏著帶。
實施例6 製備包含由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯酸甲酯(MA)/丙烯酸(AA)＝30/70/10(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)1質量份、及乙酸乙酯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜(商品名「Lumirror S105」，Toray股份有限公司製造)後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度25 μm之黏著劑層F1。 繼而，於該黏著劑層F1表面貼合厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面，獲得黏著帶F。
另一方面，製備包含由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯醯啉/丙烯酸羥基乙酯(HEA)＝75/25/10(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)3質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 2959」，BASF公司製造)3質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度5 μm之黏著劑層F2。
並且，自黏著帶F將分隔件剝離，將上述黏著劑層F2貼合並轉印於黏著帶F之黏著劑層F1上，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層F1(25 μm)/黏著劑層F2(5 μm)]之構成之實施例6之黏著帶。
比較例1 製備包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)＝50/50/5(質量比)構成之丙烯酸系聚合物100質量份、聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)0.2質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)3質量份、及甲苯之黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於厚度50 μm之PET膜(商品名「Lumirror S105」，Toray股份有限公司製造)後，於120℃下進行120秒加熱而脫溶劑，形成厚度30 μm之黏著劑層G1。 繼而，於該黏著劑層G1表面貼合厚度38 μm之聚酯系分隔件(商品名「MRF」，三菱樹脂股份有限公司製造)之實施過聚矽氧處理之面，於50℃下保存72小時，獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層G1(30 μm)]之構成之比較例1之黏著帶。
比較例2 將黏著劑層之厚度設為50 μm，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得具有[PET膜(50 μm)/黏著劑層H1(50 μm)]之構成之比較例2之黏著帶。
＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之各黏著劑層及各黏著帶進行以下之評價。將結果示於表1。
(最大增加率) 利用截切刀自實施例及比較例中分別獲得之各黏著帶，切出為寬度10 mm、長度10 mm之短條狀並設為試片，安裝至熱機械分析裝置(商品名「Q-400」，TA Instruments公司製造)，於下述之測定條件下，藉由壓縮膨脹法，於對試片整體於厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下使試片自-70℃升溫至150℃，連續地測定此時試片之厚度之位移。將此時之23～100℃下之試片之厚度方向上之膨脹率(增加率)之變化之情況示於圖6～13。再者，於圖6～13中，橫軸表示溫度(Temperature)[℃]，縱軸表示相對於23℃下之厚度之膨脹率(Expansion Rate)[%]。並且，將23℃下之短條狀試片之厚度設為A，將23～100℃下之短條狀試片之最大之厚度設為B，並藉由下述式求出最大增加率。將結果示於表1之「最大增加率」之欄中。 最大增加率(%)＝(B－A)/A×100 ＜測定條件＞ 測定模式：壓縮膨脹法 測定荷重：110 mN 探針直徑：6 mm溫度程式：-70℃至150℃ 升溫速度：5℃/min 測定環境：N2 (流量200 ml/min)
(藉由奈米壓痕法之損耗係數) 將對實施例及比較例中分別獲得之各黏著劑層切出1 cm見方左右，並固定於特定之支持體者設為測定樣品，使用奈米壓痕儀(商品名「TriboIndenter」，Hysitron Inc.公司製造)，於下述之條件下進行奈米壓痕測定。並且，將所獲得之損耗係數(tanδ)示於表1之「損耗係數」之欄中。 使用壓頭：Berkovich(三角錐型) 測定方法：動態測定 測定溫度：25℃(室溫) 頻率：100 Hz 振幅：2 nm
(耐龜裂性) 使用作為雷射加工裝置之商品名「ML300-Integration」(東京精密股份有限公司製造)，於12英吋之半導體晶圓(矽製之鏡面晶圓)之內部聚合聚光點，沿著格子狀(8 mm×12 mm)之預分割線自表面照射雷射光，於半導體晶圓之內部形成改質區域。雷射光之照射係於下述之條件下進行。 (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光點截面面積 3.14×10-8 cm2 振動形態 Q切換脈衝 重複頻率 100 kHz 脈衝寬度 30 ns 輸出 20 μJ/脈衝 雷射光品質 TEM00 40 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 50倍 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 60% (C)載置半導體基板之裁置台之移動速度 100 mm/秒
於半導體晶圓內部形成改質區域後，於半導體晶圓之表面貼合實施例及比較例中所獲得之黏著帶，使用背面研磨機(商品名「DGP8760」，DISCO股份有限公司製造)，以半導體晶圓之厚度成為25 μm之方式對背面進行研削，又，伴隨其將半導體晶圓割斷。並且，利用光學顯微鏡(倍率50倍)對經單片化之500個半導體晶片之割斷部進行觀察。藉由光學顯微鏡觀察數出可確認到之因龜裂產生導致之缺點之數量，算出[缺點之個數/500]作為缺點率，將上述缺點率為1%以下之情形評價為○，將上述缺點率超過1%之情形評價為×。將評價結果示於表1之「耐龜裂性」之欄中。 ◎[表1] (表1)
1、2、X1、X2‧‧‧半導體晶圓保護用黏著帶
11、21‧‧‧基材
12、22a、22b、22‧‧‧黏著劑層
30A、30B、W‧‧‧半導體晶圓
30a‧‧‧改質區域
30b‧‧‧分割槽
30C‧‧‧半導體晶圓分割體
31‧‧‧半導體晶片
T‧‧‧晶圓加工用膠帶
Ta、X1a、X2a‧‧‧黏著面
Wa‧‧‧半導體晶圓之第1面
Wb‧‧‧半導體晶圓之第2面
圖1係表示本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之一實施形態之剖面模式圖。 圖2係表示本發明之半導體晶圓保護用黏著帶之另一實施形態之剖面模式圖。 圖3(a)～(c)係表示本發明之使用半導體晶圓保護用黏著帶之半導體裝置之製造方法中之一部分之步驟。 圖4(a)～(d)係表示本發明之使用半導體晶圓保護用黏著帶之半導體裝置之製造方法中之一部分之步驟。 圖5係表示本發明之使用半導體晶圓保護用黏著帶之半導體裝置之製造方法中之一部分之步驟。 圖6係表示對實施例1之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖7係表示對實施例2之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖8係表示對實施例3之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖9係表示對實施例4之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖10係對實施例5之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖11係表示對實施例6之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖12係表示對比較例1之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。 圖13係表示對比較例2之黏著帶藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法所測得之23～100℃之範圍之相對於23℃之厚度之膨脹率之圖表。

Claims (2)

  1. 一種半導體晶圓保護用黏著帶，其係具有基材、積層於上述基材上之黏著劑層者，且 23℃下之上述基材之厚度為10～150 μm， 藉由熱機械分析裝置之壓縮膨脹法，於在厚度方向上施加荷重0.11 N之狀態下將上述黏著帶自-70℃加熱至150℃時之23～100℃下之上述黏著帶之厚度相對於23℃下之上述黏著帶之厚度之最大增加率為1.2%以下。
  2. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著帶，其中作為上述黏著劑層，具有至少1層之溫度25℃、頻率100 Hz之條件下之藉由奈米壓痕法之損耗係數(tanδ)為1.0以上之黏著劑層。
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