TW202020996A - 切晶黏晶膜 - Google Patents

切晶黏晶膜 Download PDF

Info

Publication number
TW202020996A
TW202020996A TW108133774A TW108133774A TW202020996A TW 202020996 A TW202020996 A TW 202020996A TW 108133774 A TW108133774 A TW 108133774A TW 108133774 A TW108133774 A TW 108133774A TW 202020996 A TW202020996 A TW 202020996A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
die
adhesive
semiconductor wafer
cut
Prior art date
Application number
TW108133774A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI814905B (zh
Inventor
杉村敏正
大西謙司
高本尚英
戶崎裕
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=70111487&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW202020996(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202020996A publication Critical patent/TW202020996A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI814905B publication Critical patent/TWI814905B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明提供一種於冷卻延伸時及常溫延伸時、以及其後，於接著劑層與黏著劑層之間不易引起浮起之切晶黏晶膜。 本發明之切晶黏晶膜具備：切晶膠帶，其具有包含基材及黏著劑層之積層構造；以及接著劑層，其可剝離地密接於上述切晶膠帶中之上述黏著劑層；放射線硬化前之上述黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.3 MPa，且於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中的放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。

Description

切晶黏晶膜
本發明係關於一種切晶黏晶膜。更詳細而言，本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之切晶黏晶膜。
於半導體裝置之製造過程中，存在如下情形：於獲得包含具有與黏晶用晶片相當之尺寸的接著膜之半導體晶片、即附黏晶用接著劑層之半導體晶片的過程中，使用切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具有與作為加工對象之半導體晶圓對應之尺寸，例如具有包含基材及黏著劑層之切晶膠帶、及可剝離地密接於該黏著劑層側之黏晶膜(接著劑層)。
作為使用切晶黏晶膜獲得附接著劑層之半導體晶片之方法之一，已知有經由用以將切晶黏晶膜中之切晶膠帶延伸而使黏晶膜割斷之步驟的方法。於該方法中，首先，將半導體晶圓貼合於切晶黏晶膜之黏晶膜上。該半導體晶圓例如為以之後可與黏晶膜共同被割斷而單片化為複數個半導體晶片之方式進行加工而成者。
繼而，為了使切晶膠帶上之黏晶膜割斷，使用延伸裝置將切晶黏晶膜之切晶膠帶於包含半導體晶圓之直徑方向及圓周方向之二維方向上拉伸。於該延伸步驟中，於黏晶膜上之半導體晶圓中之相當於黏晶膜中之割斷部位之部位亦產生割斷，從而使半導體晶圓於切晶黏晶膜或切晶膠帶上單片化為複數個半導體晶片。
繼而，為了對於切晶膠帶上之割斷後之複數個附黏晶膜之半導體晶片擴大相隔距離，再次進行延伸步驟。繼而，例如於經由洗淨步驟之後，藉由拾取機構之銷構件將各半導體晶片與密接於該半導體晶片之相當於晶片之尺寸之黏晶膜一起自切晶膠帶之下側頂起而自切晶膠帶上拾取。如此一來，獲得附黏晶膜即接著劑層之半導體晶片。該附接著劑層之半導體晶片經由該接著劑層並藉由黏晶而黏固於安裝基板等被接著體上。
關於與以如上方式使用之切晶黏晶膜相關之技術，例如記載於下述專利文獻1～3。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-115804號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，根據半導體之高電容化之需求，電路層之多層化、或矽層之薄層化不斷發展。然而，因電路層之多層化而電路層之厚度(總厚度)增加，導致存在電路層中所包含之樹脂之比率增加之傾向，由此，經多層化之電路層與經薄層化之矽層之線膨脹率之差變得顯著，半導體晶片容易翹曲。因此，於使用先前之切晶黏晶膜之情形時，尤其是切晶後所得之附黏晶膜之電路層經多層化之半導體晶片存在如下問題：於延伸步驟(下述冷卻延伸及常溫延伸)及其後(例如至洗淨步驟、拾取為止之期間等)，於切晶膠帶之黏著劑層與黏晶膜之界面容易產生剝離(浮起)。若產生浮起，則於延伸步驟後(洗淨步驟、處理時等)半導體晶片容易滑落。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種於冷卻延伸時及常溫延伸時、以及其後，於接著劑層與黏著劑層之間不易引起浮起之切晶黏晶膜。 [解決問題之技術手段]
本發明人等為了達成上述目的努力進行研究，結果發現若使用如下切晶黏晶膜，則於冷卻延伸時及常溫延伸時、以及其後，於接著劑層與黏著劑層之間不易引起浮起，該切晶黏晶膜具備：切晶膠帶，其具有包含基材及黏著劑層之積層構造；以及接著劑層，其可剝離地密接於上述切晶膠帶中之上述黏著劑層；放射線硬化前之上述黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa，且於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中的放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。本發明係基於該等見解而完成者。
即，本發明提供一種切晶黏晶膜，其具備：切晶膠帶，其具有包含基材及黏著劑層之積層構造；以及接著劑層，其可剝離地密接於上述切晶膠帶中之上述黏著劑層；放射線硬化前之上述黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa，且於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中的放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。
本發明之切晶黏晶膜具備切晶膠帶及接著劑層。切晶膠帶具有包含基材及黏著劑層之積層構造。接著劑層可剝離地密接於切晶膠帶中之黏著劑層。切晶膠帶之黏著劑層之放射線硬化前之該黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa，且於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中的放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。此種構成之切晶黏晶膜可於半導體裝置之製造過程中為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用。
於半導體裝置之製造過程中，為了獲得如上所述附接著劑層之半導體晶片，存在實施使用切晶黏晶膜進行之延伸步驟、即用以割斷之延伸步驟之情形。於該延伸步驟中，割斷力必須適當地作用於切晶黏晶膜中之切晶膠帶上之接著劑層。如上所述，本發明之切晶黏晶膜中之切晶膠帶之黏著劑層之該黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa。上述利用奈米壓痕法測得之硬度係根據負載荷重-壓入深度曲線而求出，該負載荷重-壓入深度曲線係於負載時及卸載時持續連續地測定將壓頭壓入至黏著劑層表面時之對壓頭之負載荷重及壓入深度而獲得。如此一來，上述利用奈米壓痕法測得之硬度係表示黏著劑層表面之物理特性之指標。藉由本發明之切晶黏晶膜中之黏著劑層之此種上述利用奈米壓痕法測得的硬度為0.04 MPa以上，黏著劑層表面較柔軟，而可使黏著劑層與接著劑層之密接性變得適度，從而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間的剝離(浮起)。又，藉由上述利用奈米壓痕法測得之硬度為0.8 MPa以下，抑制黏著劑層與接著劑層之密接性變得過強，而可於下述拾取步驟中將割斷後之附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層良好地剝離，從而可實現良好之拾取。再者，放射線硬化前之黏著劑層之上述利用奈米壓痕法測得之硬度為上述範圍內。
又，於本發明之切晶黏晶膜中，如上所述，於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。若上述剝離力為0.3 N/20 mm以上，則可使黏著劑層與接著劑層之密接性變得適度，從而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離(浮起)。
又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述黏著劑層較佳為含有第1丙烯酸系聚合物，該第1丙烯酸系聚合物包含源自含氮原子單體之結構單元。又，較佳為包含源自(甲基)丙烯醯嗎啉之結構單元作為上述源自含氮原子單體之結構單元。若上述黏著劑層包含此種第1丙烯酸系聚合物，則容易使上述利用奈米壓痕法測得之硬度成為上述範圍內且使上述剝離力成為上述範圍內，而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離(浮起)，並且於下述拾取步驟中將割斷後之附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層良好地剝離，從而容易實現良好之拾取。 [發明之效果]
本發明之切晶黏晶膜於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之延伸步驟及其後，於接著劑層與黏著劑層之間不易引起浮起。尤其是，即便在使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時亦不易引起浮起。
[切晶黏晶膜] 本發明之切晶黏晶膜具備：切晶膠帶，其具有包含基材及黏著劑層之積層構造；以及接著劑層，其可剝離地密接於上述切晶膠帶中之上述黏著劑層。以下對本發明之切晶黏晶膜之一實施形態進行說明。圖1係表示本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖視模式圖。
如圖1所示，切晶黏晶膜1具備切晶膠帶10、及積層於切晶膠帶10中之黏著劑層12上之接著劑層20，可於半導體裝置之製造中用於獲得附接著劑層之半導體晶片之過程中之延伸步驟。
切晶黏晶膜1具有尺寸對應於半導體裝置之製造過程中之加工對象之半導體晶圓的圓盤形狀。切晶黏晶膜1之直徑例如處於345～380 mm之範圍內(對應12英吋晶圓型)、245～280 mm之範圍內(對應8英吋晶圓型)、195～230 mm之範圍內(對應6英吋晶圓型)、或495～530 mm之範圍內(對應18英吋晶圓型)。切晶黏晶膜1中之切晶膠帶10具有包含基材11及黏著劑層12之積層構造。
(基材) 切晶膠帶中之基材係於切晶膠帶或切晶黏晶膜中作為支持體發揮功能之要素。作為基材，例如可列舉塑膠基材(尤其是塑膠膜)。上述基材可為單層，亦可為同種或不同種之基材之積層體。
作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。就於基材中確保良好之熱收縮性而容易於下述常溫延伸步驟中利用切晶膠帶或基材之局部熱收縮維持晶片相隔距離之觀點而言，基材較佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主成分。
再者，所謂基材之主成分係設為構成成分中占最大質量比率之成分。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層如下所述為放射線硬化型黏著劑層之情形時，基材較佳為具有放射線透過性。
於基材為塑膠膜之情形時，上述塑膠膜可為無配向，亦可配向於至少一方向(單軸方向、雙軸方向等)。於配向於至少一方向之情形時，塑膠膜可於該至少一方向熱收縮。若具有熱收縮性，則可使切晶膠帶之半導體晶圓之外周部分熱收縮，藉此，可將經單片化所得之附接著劑層之半導體晶片以彼此之間隔擴大之狀態下固定，故而可容易地進行半導體晶片之拾取。為了基材及切晶膠帶具有各向同性之熱收縮性，基材較佳為雙軸配向膜。再者，上述配向於至少一方向之塑膠膜可藉由將無延伸之塑膠膜於該至少一方向延伸(單軸延伸、雙軸延伸等)而獲得。
基材及切晶膠帶之於加熱溫度100℃及加熱時間處理60秒之條件下進行之加熱處理試驗中的熱收縮率較佳為1～30%，更佳為2～25%，進而較佳為3～20%，尤佳為5～20%。上述熱收縮率較佳為MD(Machine DirectioN，縱向)方向及TD(Transverse DirectioN，橫向)方向中之至少一方向之熱收縮率。
基材之黏著劑層側表面為了提高與黏著劑層之密接性、保持性等，例如亦可實施電暈放電處理、電漿處理、砂墊層加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；藉由塗佈劑(底塗劑)進行之易接著處理等表面處理。又，為了賦予防靜電性能，亦可將包含金屬、合金、該等之氧化物等之導電性之蒸鍍層設置於基材表面。用以提高密接性之表面處理較佳為施加於基材中之黏著劑層側之整個表面。
就確保用以基材作為切晶膠帶及切晶黏晶膜中之支持體發揮功能之強度的觀點而言，基材之厚度較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為55 μm以上，尤佳為60 μm以上。又，就於切晶膠帶及切晶黏晶膜中實現適度之可撓性之觀點而言，基材之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，進而較佳為150 μm以下。
(黏著劑層) 如上所述，切晶黏晶膜中之黏著劑層之黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa，較佳為0.05～0.8 MPa，更佳為0.05～0.7 MPa。藉由上述利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04 MPa以上，黏著劑層表面較柔軟，而可使黏著劑層與接著劑層之密接性變得適度，從而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離(浮起)。又，藉由上述利用奈米壓痕法測得之硬度為0.8 MPa以下，抑制黏著劑層與接著劑層之密接性變得過強，而可於下述拾取步驟中將割斷後之附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層良好地剝離，從而可實現良好之拾取。再者，放射線硬化前之黏著劑層之上述利用奈米壓痕法測得之硬度為上述範圍內。又，於本說明書中，所謂「放射線硬化前」係指黏著劑層未藉由放射線照射硬化之狀態，亦包括黏著劑層並非下述放射線硬化型黏著劑層之情形。
上述利用奈米壓痕法測得之硬度係根據負載荷重-壓入深度曲線而求出，該負載荷重-壓入深度曲線係於負載時及卸載時持續連續地測定將壓頭壓入至黏著劑層表面時之對壓頭之負載荷重及壓入深度而獲得。如此一來，上述利用奈米壓痕法測得之硬度係表示黏著劑層表面之物理特性之指標。上述黏著劑層之利用奈米壓痕法測得之硬度係藉由荷重1 mN、負載、卸載速度0.1 mN/s、保持時間1 s之條件下之奈米壓痕試驗獲得之硬度。
切晶膠帶之黏著劑層較佳為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。上述丙烯酸系聚合物係包含源自丙烯酸系單體(於分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計最多地包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦相同。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。
作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。作為具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉將上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之烴基中之1個以上之氫原子取代為烷氧基者，例如可列舉(甲基)丙烯酸之2-甲氧基甲酯、2-甲氧基乙酯、2-甲氧基丁酯等。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述可具有烷氧基之具有烴基之(甲基)丙烯酸酯較佳為酯部中之碳數之總數(於具有烷氧基之情形時為包含烷氧基中之碳數之總數)為6～10。尤佳為烴基之碳數之總數為6～10之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。於該等情形時，可更容易地兼顧延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之浮起之抑制性與拾取步驟中之良好之拾取性。
為了於黏著劑層12中適當地顯現藉由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之所有單體成分中的可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為20莫耳%以上，更佳為30莫耳%以上。進而較佳為40莫耳%以上。
再者，於本說明書中，於上述單體成分中，於對黏著劑層進行放射線照射之前的已納入到聚合物之階段中不包含具有放射線聚合性基之化合物(例如具有自由基聚合性官能基及第1官能基之交聯劑)。
上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自含氮原子單體之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物(存在稱為「第1丙烯酸系聚合物」之情形)。於此情形時，容易使上述利用奈米壓痕法測得之硬度成為上述範圍內且使上述剝離力成為上述範圍內，而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離(浮起)，並且於下述拾取步驟中將割斷後之附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層良好地剝離，從而容易實現良好之拾取。
作為上述含氮原子單體，例如可列舉(甲基)丙烯醯嗎啉等含嗎啉基單體、(甲基)丙烯腈等含氰基單體、(甲基)丙烯醯胺等含醯胺基單體等。其中，上述含氮原子單體較佳為含有含嗎啉基單體(尤其是(甲基)丙烯醯嗎啉)。上述含氮原子單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
就更容易使上述利用奈米壓痕法測得之硬度成為上述範圍內且使上述剝離力成為上述範圍內之觀點而言，用以形成丙烯酸系聚合物之所有單體成分中的用以形成第1丙烯酸系聚合物之所有單體成分中之源自含氮原子單體之結構單元的比率較佳為1莫耳%以上，更佳為2莫耳%以上。又，上述比率較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下。
上述丙烯酸系聚合物為了凝集力、耐熱性等之改質，除上述含氮原子單體以外，亦可包含源自其他單體成分之結構單元，該其他單體成分可與上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚。作為上述其他單體成分，例如可列舉含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體等含官能基單體等。
作為上述含羧基單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等。
作為上述酸酐單體，例如可列舉馬來酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。
作為上述含縮水甘油基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。
作為上述含磺酸基單體，例如可列舉苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。
作為上述含磷酸基單體，例如可列舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等。
作為上述其他單體成分，其中較佳為含羥基單體，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯(2-hydroxyethyl (metha)acrylate)。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地顯現藉由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之所有單體成分中的含氮原子單體與上述其他單體成分之合計比率較佳為60莫耳%以下，更佳為40莫耳%以下。
為了於黏著劑層中適當地顯現藉由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之所有單體成分中之源自含羥基單體之結構單元的比率較佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上。又，上述比率例如為80莫耳%以下，亦可為70莫耳%以下、60莫耳%以下。
又，第1丙烯酸系聚合物較佳為在含有源自含羥基單體之結構單元的同時含有源自具有異氰酸酯基及自由基聚合性官能基之化合物之結構部。作為上述自由基聚合性官能基，可列舉具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵，例如可列舉乙烯基、丙烯基、異丙烯基、(甲基)丙烯醯基(丙烯醯基、甲基丙烯醯基)等。其中，較佳為(甲基)丙烯醯基。
於第1丙烯酸系聚合物包含源自含羥基單體之結構單元、及源自具有異氰酸酯基及自由基聚合性官能基之化合物之結構部的情形時，第1丙烯酸系聚合物中之源自具有異氰酸酯基及自由基聚合性官能基之化合物之結構部相對於源自含羥基單體之結構單元之莫耳比率較佳為0.7以上，更佳為0.75以上。又，上述莫耳比率較佳為0.9以下，更佳為0.85以下。若上述莫耳比率為上述範圍內，則可更容易使上述利用奈米壓痕法測得之硬度成為上述範圍內且使上述剝離力成為上述範圍內。
作為具有異氰酸酯基及自由基聚合性官能基之化合物，例如可列舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。其中，較佳為異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
包含第1丙烯酸系聚合物之上述丙烯酸系聚合物為了於其聚合物骨架中形成交聯構造，亦可包含源自可與形成丙烯酸系聚合物之單體成分共聚之多官能性單體之結構單元。作為上述多官能性單體，例如可列舉己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯(例如聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、(甲基)丙烯酸聚酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等在分子內具有(甲基)丙烯醯基及其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地顯現藉由可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯獲得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之所有單體成分中的上述多官能性單體之比率較佳為40莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下。
丙烯酸系聚合物係藉由使包含丙烯酸系單體之一種以上單體成分進行聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。
丙烯酸系聚合物之質量平均分子量較佳為30萬以上，更佳為35萬～100萬。若質量平均分子量為30萬以上，則存在黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，從而可更加抑制對接著劑層或半導體晶圓等之污染。
黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑亦可包含交聯劑。例如，於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯，從而使黏著劑層中之低分子量物質更加降低。又，可提高丙烯酸系聚合物之質量平均分子量。作為上述交聯劑，例如可列舉聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，其使用量相對於基礎聚合物100質量份較佳為5質量份左右以下，更佳為0.1～5質量份。
黏著劑層可為於切晶黏晶膜之使用過程中可藉由來自外部之作用而刻意地使黏著力降低之黏著劑層(黏著力可降低型黏著劑層)，亦可為於切晶黏晶膜之使用過程中黏著力幾乎或完全不由於來自外部之作用而降低之黏著劑層(黏著力非降低型黏著劑層)，可根據使用切晶黏晶膜而單片化之半導體晶圓之單片化之方法或條件等適當地選擇。
於黏著劑層為黏著力可降低型黏著劑層之情形時，於切晶黏晶膜之製造過程或使用過程中，可分開使用黏著劑層顯示相對較高之黏著力之狀態及顯示相對較低之黏著力之狀態。例如，於切晶黏晶膜之製造過程中將接著劑層貼合於切晶膠帶之黏著劑層時、或在切晶步驟中使用切晶黏晶膜時，可利用黏著劑層顯示相對較高之黏著力之狀態，抑制、防止接著劑層等被接著體自黏著劑層浮起，另一方面，其後於用以自切晶黏晶膜之切晶膠帶拾取附接著劑層之半導體晶片之拾取步驟中，可藉由使黏著劑層之黏著力降低而容易地進行拾取。
作為形成此種黏著力可降低型黏著劑層之黏著劑，例如可列舉放射線硬化性黏著劑、加熱發泡型黏著劑等。作為形成黏著力可降低型黏著劑層之黏著，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。
作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射硬化之類型之黏著劑，尤佳為可使用藉由紫外線照射硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可列舉包含上述丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化性黏著劑。
作為上述放射線聚合性之單體成分，例如可列舉(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如可類聚胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成黏著劑層之放射線硬化性黏著劑中之上述放射線硬化性之單體成分及低聚物成分的含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，例如亦可使用日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。
作為上述放射線硬化性黏著劑，亦可列舉包含在聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化性黏著劑。若使用此種內在型之放射線硬化性黏著劑，則存在可抑制因所形成之黏著劑層內之低分子量成分之移動引起的黏著特性之計劃外之經時變化的傾向。
作為上述內在型之放射線硬化性黏著劑中所包含之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物(尤其是上述第1丙烯酸系聚合物)。作為對丙烯酸系聚合物導入放射線聚合性之碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物之後，使具有可與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性的狀態下與丙烯酸系聚合物發生縮合反應或加成反應。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸酯基、異氰酸酯基與羥基等。於該等中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合、異氰酸酯基與羥基之組合。其中，就製作具有反應性較高之異氰酸酯基之聚合物之技術難度較高，另一方面具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲得之容易性的觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸酯基之組合。作為具有異氰酸酯基及放射性聚合性之碳-碳雙鍵之化合物，可列舉上述具有異氰酸酯基及自由基聚合性官能基之化合物。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉上述含羥基單體、或包含源自2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。
上述放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如可列舉α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基膦氧化物、醯基膦酸鹽等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
系化合物，例如可列舉9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2-氯-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2-甲基-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、異丙基-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2,4-二氯-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
、2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿
Figure 108133774-xxxx-3
等。放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份例如為0.05～20質量份。
上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如可列舉碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、疊氮化物類等。作為上述有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴；偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯磺醯胺基脲、4,4'-氧基雙(苯磺醯胺基脲)等胺脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微球，例如可列舉將容易藉由加熱氣化膨脹之物質封入至殼內所得之構成之微球。作為上述容易藉由加熱氣化膨脹之物質，例如可列舉異丁烷、丙烷、戊烷等。藉由將容易藉由加熱氣化膨脹之物質利用凝集法或界面聚合法等封入至殼形成物質內，可製作熱膨脹性微球。作為上述殼形成物質，可使用顯示熱熔融性之物質、或可因封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為上述黏著力非降低型黏著劑層，例如可列舉感壓型黏著劑層。再者，感壓型黏著劑層包括使由關於黏著力可降低型黏著劑層於上文敍述之放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層預先藉由放射線照射硬化並且具有一定黏著力之形態的黏著劑層。作為形成黏著力非降低型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。又，黏著劑層可整體為黏著力非降低型黏著劑層，亦可一部分為黏著力非降低型黏著劑層。例如，於黏著劑層具有單層構造之情形時，黏著劑層可整體為黏著力非降低型黏著劑層，亦可黏著劑層中之特定部位(例如環狀框之貼合對象區域且位於中央區域之外側之區域)為黏著力非降低型黏著劑層且其他部位(例如半導體晶圓之貼合對象區域即中央區域)為黏著力可降低型黏著劑層。又，於黏著劑層具有積層構造之情形時，可積層構造中之所有黏著劑層為黏著力非降低型黏著劑層，亦可積層構造中之一部分黏著劑層為黏著力非降低型黏著劑層。
使由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層(放射線未照射放射線硬化型黏著劑層)預先藉由放射線照射硬化而成之形態之黏著劑層(經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層)即便因放射線照射而黏著力降低，亦顯示因所含有之聚合物成分產生之黏著性，從而可於切晶步驟等中對切晶膠帶之黏著劑層發揮所需最低限度之黏著力。於使用經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於黏著劑層之面擴展方向上，可黏著劑層之整體為經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層，亦可黏著劑層之一部分為經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層且其他部分為放射線未照射之放射線硬化型黏著劑層。再者，於本說明書中，所謂「放射線硬化型黏著劑層」係指由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層，包括具有放射線硬化性之放射線未照射放射線硬化型黏著劑層及該黏著劑層藉由放射線照射硬化之後之經放射線硬化過之放射線硬化型黏著劑層之兩者。
作為形成上述感壓型黏著劑層之黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑，較佳為使用以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為感壓型之黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比率計最多之結構單元。作為上述丙烯酸系聚合物，例如可採用作為上述黏著劑層中可包含之丙烯酸系聚合物說明之丙烯酸系聚合物。
黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑除上述各成分以外，亦可調配有交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之黏著劑層中所使用之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉藉由放射線照射著色之化合物。於含有藉由放射線照射著色之化合物之情形時，可僅對被放射線照射之部分著色。上述藉由放射線照射著色之化合物係於放射線照射前為無色或淡色但藉由放射線照射變得有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。上述藉由放射線照射著色之化合物之使用量並無特別限定，可適當地進行選擇。
黏著劑層之厚度並無特別限定，就黏著劑層為由放射線硬化性黏著劑形成之黏著劑層之情形時獲取該黏著劑層之放射線硬化之前後的對接著劑層之接著力之平衡之觀點而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～40 μm，進而較佳為5～30 μm。
(接著劑層) 接著劑層具有作為顯示黏晶用之熱固性之接著劑之功能，進而視需要一併具有用以保持半導體晶圓等工件及環狀框等框架構件之黏著功能。接著劑層可藉由施加拉伸應力割斷，藉由施加拉伸應力使其割斷而使用。
接著劑層及構成接著劑層之接著劑可包含熱固性樹脂及例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂，亦可包含具有可與硬化劑反應而產生鍵結之熱固性官能基之熱塑性樹脂。於構成接著劑層之接著劑包含具有熱固性官能基之熱塑性樹脂之情形時，該黏著劑無須包含熱固性樹脂(環氧樹脂等)。接著劑層可具有單層構造，亦可具有多層構造。
作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，自因離子性雜質較少且耐熱性較高而容易確保藉由接著劑層獲得之接合可靠性之理由考慮，較佳為丙烯酸樹脂。
上述丙烯酸系樹脂較佳為包含如下結構單元作為以質量比率計最多之結構單元，該結構單元源自可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為該可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉作為形成上述黏著劑層中可包含之丙烯酸系聚合物的可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯而例示者。
上述丙烯酸樹脂亦可包含源自其他單體成分之結構單元，該其他單體成分可與可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚。作為上述其他單體成分，例如可列舉含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基單體、或各種多官能性單體等，具體而言可使用作為構成上述黏著劑層中可包含之丙烯酸系聚合物之其他單體成分而例示者。
當接著劑層在含有熱塑性樹脂的同時含有熱固性樹脂時，作為該熱固性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂等。上述熱固性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。自存在可能會成為黏晶對象之半導體晶片之腐蝕原因的離子性雜質等之含量較少之傾向之理由考慮，作為上述熱固性樹脂，較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、酚系酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型、縮水甘油胺型之環氧樹脂等。其中，就與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充足且耐熱性優異之情況而言，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。
作為可作為環氧樹脂之硬化劑作用之酚樹脂，例如可列舉酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。其中，就於用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時存在提高該接著劑之連接可靠性之傾向的觀點而言，較佳為酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。
就於接著劑層中使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點而言，以如下之量包含酚樹脂，即，相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，該酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.7～1.5當量。
於接著劑層包含熱固性樹脂之情形時，就於接著劑層中適當地顯現作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，上述熱固性樹脂之含有比率相對於接著劑層之總質量較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。
於接著劑層包含具有熱固性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱固性官能基丙烯酸樹脂。該含熱固性官能基丙烯酸樹脂中之丙烯酸樹脂較佳為包含源自可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為以質量比率計最多之結構單元。作為該可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉作為形成上述黏著劑層中可包含之丙烯酸系聚合物之可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯而例示者。
另一方面，作為含熱固性官能基丙烯酸樹脂中之熱固性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸酯基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。即，作為含熱固性官能基丙烯酸樹脂，尤佳為含縮水甘油基丙烯酸樹脂、含羧基丙烯酸樹脂。
又，較佳為在含有含熱固性官能基丙烯酸樹脂的同時含有硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉作為上述黏著劑層形成用之放射線硬化性黏著劑中可包含之交聯劑而例示者。於含熱固性官能基丙烯酸樹脂中之熱固性官能基為縮水甘油基之情形時，較佳為使用多酚系化合物作為硬化劑，例如可使用上述各種酚樹脂。
關於為了黏晶而硬化之前之接著劑層，為了實現某程度之交聯度，例如較佳為將可與接著劑層中可包含之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應而鍵結的多官能性化合物作為交聯成分預先調配於接著劑層形成用樹脂組合物。對於接著劑層，就提高高溫下之接著特性之觀點，又，謀求耐熱性之改善之觀點而言，此種構成較佳。
作為上述交聯成分，例如可列舉聚異氰酸酯化合物。作為聚異氰酸酯化合物，例如可列舉甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等。又，作為上述交聯成分，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與聚異氰酸酯化合物併用。
接著劑層形成用樹脂組合物中之交聯成分之含量相對於具有可與該交聯成分反應而鍵結之上述官能基的樹脂100質量份，就所形成之接著劑層20之凝集力提高之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就所形成之接著劑層20之接著力提高之觀點而言，較佳為7質量份以下。
接著劑層較佳為含有填料。藉由向接著劑層中調配填料，可調整接著劑層之導電性、或導熱性、彈性模數等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。
作為無機填料，例如除氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質氧化矽、非晶質氧化矽以外，還可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單體、或合金、非晶形碳黑、石墨等。填料亦可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為上述填料，可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。若上述平均粒徑為0.005 μm以上，則對半導體晶圓等被接著體之潤濕性、接著性更加提高。若上述平均粒徑為10 μm以下，則可使為了賦予上述各特性而添加之填料之效果變得充分，並且可確保耐熱性。再者，填料之平均粒徑例如可使用亮度式之粒度分佈計(例如商品名「LA-910」；堀場製作所股份有限公司製)而求出。
接著劑層亦可視需要包含其他成分。作為上述其他成分，例如可列舉硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。上述其他添加劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述阻燃劑，例如可列舉三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。
作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。
作為上述離子捕捉劑，例如可列舉鋁碳酸鎂類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定構造之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 600」)、矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 700」)等。
亦可將可與金屬離子之間形成錯合物之化合物用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉三唑系化合物、四唑系化合物、聯吡啶系化合物。於該等中，就與金屬離子之間形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。
作為上述三唑系化合物，例如可列舉1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2',3'-羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二-第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基、辛基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、甲基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸酯等。
又，氫醌化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基化合物，具體可列舉1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、五倍子酚等。
接著劑層之厚度(於積層體之情形時為總厚度)並無特別限定，例如為1～200 μm。上限較佳為100 μm，更佳為80 μm。下限較佳為3 μm，更佳為5 μm。
於切晶黏晶膜中，如上所述，於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上，較佳為0.5 N/20 mm以上，更佳為0.7 N/20 mm以上。若上述剝離力為0.3 N/20 mm以上，則可使黏著劑層與接著劑層之密接性變得適度，從而可抑制產生延伸步驟及其後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離(浮起)。又，上述剝離力越高越佳，但其上限例如可為10 N/20 mm，亦可為5.0 N/20 mm，還可為3.0 N/20 mm。再者，放射線硬化前之黏著劑層之上述剝離力為上述值。
關於上述T型剝離試驗，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」；島津製作所股份有限公司製)而進行。用於該試驗之試樣片能夠以如下方式製作。於將襯底膠帶(商品名「BT-315」；日東電工股份有限公司製)貼合於切晶黏晶膜之接著劑層側之後，切取寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。
切晶黏晶膜亦可包含隔離件。具體而言，可為於每個切晶黏晶膜包含隔離件之片狀之形態，亦可隔離件為長條狀於其上配置複數個切晶黏晶膜且將該隔離件捲繞而成為滾筒之形態。隔離件係用以被覆切晶黏晶膜之接著劑層之表面而加以保護之要素，於使用切晶黏晶膜時自該膜剝離。作為隔離件，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、由氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈所得之塑膠膜或紙類等。隔離件之厚度例如為5～200 μm。
作為本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之切晶黏晶膜1例如以如下方式製造。
首先，基材11可藉由公知或慣用之製膜方法製膜而獲得。作為上述製膜方法，例如可列舉砑光製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，於基材11上，塗佈包含形成黏著劑層12之黏著劑及溶劑等的形成黏著劑層之組合物(黏著劑組合物)而形成塗佈膜，其後，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該塗佈膜固化，而可形成黏著劑層12。作為上述塗佈之方法，例如可列舉輥塗、網版塗佈、凹版塗佈等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如於溫度80～150℃、時間0.5～5分鐘之範圍內進行。
又，亦可於將黏著劑組合物塗佈於隔離件上形成塗佈膜之後，於上述脫溶劑條件下使塗佈膜固化而形成黏著劑層12。其後，將黏著劑層12與隔離件一併貼合於基材11上。以如上方式，可製作切晶膠帶10。
關於接著劑層20，首先，製作包含樹脂、填料、硬化觸媒、溶劑等之形成接著劑層20之組合物(接著劑組合物)。繼而，將接著劑組合物塗佈於隔離件上而形成塗佈膜之後，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該塗佈膜固化，而形成接著劑層20。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥塗、網版塗佈、凹版塗佈等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如於溫度70～160℃、時間1～5分鐘之範圍內進行。
繼而，將隔離件分別自切晶膠帶10及接著劑層20剝離，以接著劑層20及黏著劑層12成為貼合面之方式將兩者貼合。貼合例如可藉由壓接而進行。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30～50℃，更佳為35～45℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1～20 kgf/cm，更佳為1～10 kgf/cm。
如上所述，於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，於接著劑層20之貼合後對黏著劑層12照射紫外線等放射線時，例如自基材11之側對黏著劑層12進行放射線照射，其照射量例如為50～500 mJ，較佳為100～300 mJ。切晶黏晶膜1中進行作為黏著劑層12之黏著力降低措施之照射之區域(照射區域R)通常為黏著劑層12中之接著劑層20貼合區域內之除其周緣部以外之區域。於局部地設置照射區域R之情形時，可經由形成對應於除照射區域R以外之區域之圖案之光罩而進行。又，亦可列舉點狀地照射放射線而形成照射區域R之方法。
以如上方式，例如可製作圖1所示之切晶黏晶膜1。
[半導體裝置之製造方法] 使用本發明之切晶黏晶膜，可製造半導體裝置。具體而言，可藉由包括如下步驟之製造方法製造半導體裝置，該等步驟為：於本發明之切晶黏晶膜中之上述接著劑層側，貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化為複數個半導體晶片之半導體晶圓(存在稱為「步驟A」之情形)；於相對較低溫之條件下，將本發明之切晶黏晶膜中之切晶膠帶延伸，而至少將上述接著劑層割斷從而獲得附接著劑層之半導體晶片(存在稱為「步驟B」之情形)；於相對較高溫之條件下，將上述切晶膠帶延伸，而將上述附接著劑層之半導體晶片彼此之間隔擴大(存在稱為「步驟C」之情形)；及拾取上述附接著劑層之半導體晶片(存在稱為「步驟D」之情形)。
於步驟A中使用之上述包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化為複數個半導體晶片之半導體晶圓能夠以如下方式獲得。首先，如圖2(a)及圖2(b)所示，於半導體晶圓W形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa之側已製成各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。
繼而，將具有黏著面T1a之晶圓加工用膠帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側之後，於在晶圓加工用膠帶T1保持有半導體晶圓W之狀態下，使用切晶裝置等旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以使半導體晶圓W分離為半導體晶片單位之空隙(於圖2～4中，模式性地以粗實線表示分割槽30a)。
繼而，如圖2(c)所示，進行將具有黏著面T2a之晶圓加工用膠帶T2貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側、及自半導體晶圓W剝離晶圓加工用膠帶T1。
繼而，如圖2(d)所示，於在晶圓加工用膠帶T2保持有半導體晶圓W之狀態下，將半導體晶圓W藉由自第2面Wb進行研磨加工而薄化至達到特定厚度為止(晶圓薄化步驟)。研磨加工可使用具備磨輪之研磨加工裝置而進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中，形成可單片化為複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。
具體而言，半導體晶圓30A具有於第2面Wb側連結該晶圓中單片化為複數個半導體晶片31之部位的部位(連結部)。半導體晶圓30A中之連結部之厚度、即半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側前端之間的距離例如為1～30 μm，較佳為3～20 μm。
(步驟A) 於步驟A中，於切晶黏晶膜1中之接著劑層20側，貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化為複數個半導體晶片之半導體晶圓。
於步驟A中之一實施形態中，如圖3(a)所示，對切晶黏晶膜1之接著劑層20貼合保持於晶圓加工用膠帶T2之半導體晶圓30A。其後，如圖3(b)所示，將晶圓加工用膠帶T2自半導體晶圓30A剝離。
於切晶黏晶膜1中之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，亦可於將半導體晶圓30A貼合於接著劑層20之後，自基材11之側對黏著劑層12照射紫外線等放射線，代替切晶黏晶膜1之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ/cm2 ，較佳為100～300 mJ/cm2 。切晶黏晶膜1中進行作為黏著劑層12之黏著力降低措施之照射之區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層12中之接著劑層20貼合區域內之除其周緣部以外之區域。
(步驟B) 於步驟B中，於相對較低溫之條件下，將切晶黏晶膜1中之切晶膠帶10延伸，而至少將接著劑層20割斷從而獲得附接著劑層之半導體晶片。
於步驟B中之一實施形態中，首先，將環狀框41貼附於切晶黏晶膜1中之切晶膠帶10之黏著劑層12上，然後如圖4(a)所示，將帶有半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜1固定於延伸裝置之保持器42。
繼而，如圖4(b)所示，進行相對較低溫之條件下之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)，而將半導體晶圓30A單片化為複數個半導體晶片31，並且將切晶黏晶膜1之接著劑層20割斷為小片之接著劑層21，從而獲得附接著劑層之半導體晶片31。
於冷卻延伸步驟中，使延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜1之圖中下側抵接於切晶膠帶10並上升，而將貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜1之切晶膠帶10以向包含半導體晶圓30A之直徑方向及圓周方向之二維方向拉伸之方式進行延伸。
該延伸係於切晶膠帶10中產生15～32 MPa、較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷卻延伸步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，進而較佳為-15℃。冷卻延伸步驟中之延伸速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為0.1～100 mm/秒。又，冷卻延伸步驟中之延伸量較佳為3～16 mm。
於步驟B中，於使用可單片化為複數個半導體晶片之半導體晶圓30A之情形時，於半導體晶圓30A中厚度較薄且容易開裂之部位產生割斷從而產生向半導體晶片31之單片化。與此同時，於步驟B中，於密接於所延伸之切晶膠帶10之黏著劑層12之接著劑層20中密接有各半導體晶片31之各區域中變形得到抑制，另一方面半導體晶片31間之分割槽之位於圖中垂直方向之部位不產生此種變形抑制作用，於此狀態下，產生於切晶膠帶10之拉伸應力作用。其結果，於接著劑層20中，半導體晶片31間之分割槽之位於垂直方向之部位被割斷。於藉由延伸而割斷之後，如圖4(c)所示，使頂起構件43下降，解除切晶膠帶10中之延伸狀態。
(步驟C) 於步驟C中，於相對較高溫之條件下，將上述切晶膠帶10延伸，而將上述附接著劑層之半導體晶片彼此之間隔擴大。
於步驟C中之一實施形態中，首先，如圖5(a)所示，進行相對較高溫之條件下之第2延伸步驟(常溫延伸步驟)，而將附接著劑層之半導體晶片31間之距離(相隔距離)擴大。
於步驟C中，使延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，而將切晶黏晶膜1之切晶膠帶10延伸。第2延伸步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2延伸步驟中之延伸速度(使頂起構件43上升之速度)例如為0.1～10 mm/秒，較佳為0.3～1 mm/秒。又，第2延伸步驟中之延伸量例如為3～16 mm。於步驟C中，將附接著劑層之半導體晶片31之相隔距離擴大至可於下述拾取步驟中自切晶膠帶10適當地拾取附接著劑層之半導體晶片31之程度。藉由延伸擴大相隔距離之後，如圖5(b)所示，使頂起構件43下降，解除切晶膠帶10中之延伸狀態。
就抑制解除延伸狀態後切晶膠帶10上之附接著劑層之半導體晶片31之相隔距離變窄之觀點而言，較佳為於解除延伸狀態之前，將切晶膠帶10中之較半導體晶片31保持區域更靠外側之部分加熱使之收縮。
於步驟C之後，亦可視需要具有使用水等洗淨液將帶有附接著劑層之半導體晶片31之切晶膠帶10中之半導體晶片31側洗淨的清潔步驟。
(步驟D) 於步驟D(拾取步驟)中，拾取經單片化所得之附接著劑層之半導體晶片。於步驟D中之一實施形態中，視需要經由上述清潔步驟之後，如圖6所示，自切晶膠帶10拾取附接著劑層之半導體晶片31。例如，對於拾取對象之附接著劑層之半導體晶片31，於切晶膠帶10之圖中下側使拾取機構之銷構件44上升介隔切晶膠帶10頂起之後，藉由吸附治具45吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/秒，銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。
上述半導體裝置之製造方法亦可包括除步驟A～D以外之其他步驟。例如，於一實施形態中，如圖7(a)所示，將所拾取之附接著劑層之半導體晶片31經由接著劑層21暫時黏固於被接著體51(暫時黏固步驟)。
作為被接著體51，例如可列舉引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板、另外製作之半導體晶片等。接著劑層21之暫時黏固時之25℃下之剪切接著力相對於被接著體51較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。接著劑層21之上述剪切接著力為0.2 MPa以上之構成於下述打線接合步驟中可抑制因超音波振動或加熱而於接著劑層21與半導體晶片31或被接著體51之接著面產生剪切變形從而適當地進行打線接合。又，接著劑層21之暫時黏固時之175℃下之剪切接著力相對於被接著體51較佳為0.01 MPa以上，更佳為0.01～5 MPa。
繼而，如圖7(b)所示，經由接合線52將半導體晶片31之電極墊(省略圖示)與被接著體51所具有之端子部(省略圖示)電性連接(打線接合步驟)。
半導體晶片31之電極墊或被接著體51之端子部與接合線52之接線可藉由伴隨著加熱之超音波焊接而實現，以不使接著劑層21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用金線、鋁線、銅線等。打線接合中之線加熱溫度例如為80～250℃，較佳為80～220℃。又，其加熱時間為數秒～數分鐘。
繼而，如圖7(c)所示，藉由用以保護被接著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53將半導體晶片31密封(密封步驟)。
於密封步驟中，接著劑層21之熱硬化進行。於密封步驟中，例如藉由使用模具進行之轉移成形技術形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可使用環氧系樹脂。於密封步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為60秒～數分鐘。
於密封步驟中密封樹脂53之硬化未充分進行之情形時，於密封步驟之後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後續硬化步驟。即便在密封步驟中接著劑層21未完全熱硬化之情形時，亦可於後續硬化步驟中與密封樹脂53一併進行接著劑層21之完全之熱硬化。於後續硬化步驟中，加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為0.5～8小時。
於上述實施形態中，如上所述使附接著劑層之半導體晶片31暫時黏固於被接著體51之後，不使接著劑層21完全熱硬化而進行打線接合步驟。亦可代替此種構成，而於上述半導體裝置之製造方法中，使附接著劑層之半導體晶片31暫時黏固於被接著體51之後，於使接著劑層21熱硬化之後進行打線接合步驟。
於上述半導體裝置之製造方法中，作為其他實施形態，亦可進行圖8所示之晶圓薄化步驟代替參照圖2(d)於上文敍述之晶圓薄化步驟。於經由參照圖2(c)於上文敍述之過程之後，於圖8所示之晶圓薄化步驟中，於在晶圓加工用膠帶T2保持有半導體晶圓W之狀態下，將該晶圓藉由自第2面Wb進行研磨加工而薄化至達到特定厚度為止，形成包含複數個半導體晶片31而保持於晶圓加工用膠帶T2之半導體晶圓分割體30B。
於上述晶圓薄化步驟中，可採用研磨晶圓至分割槽30a露出於第2面Wb側為止之方法(第1方法)，亦可採用如下方法(第2方法)：自第2面Wb側研磨晶圓至到達分割槽30a之前，其後，藉由自旋轉磨輪對晶圓之擠壓力之作用使分割槽30a與第2面Wb之間產生龜裂而形成半導體晶圓分割體30B。根據所採用之方法，適當決定參照圖2(a)及圖2(b)以上述方式形成之分割槽30a之自第1面Wa之深度。
於圖8中，對於經由第1方法之分割槽30a、或經由第2方法之分割槽30a及與該分割槽相連之龜裂，模式性地以粗實線進行表示。於上述半導體裝置之製造方法中，亦可於步驟A中，使用以此方式製作之半導體晶圓分割體30B作為半導體晶圓分割體代替半導體晶圓30A，然後進行參照圖3至圖7於上文敍述之各步驟。
圖9(a)及圖9(b)表示該實施形態中之步驟B、即於將半導體晶圓分割體30B貼合於切晶黏晶膜1之後進行之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)。
於該實施形態中之步驟B中，使延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜1之圖中下側抵接於切晶膠帶10並上升，而將貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜1之切晶膠帶10以於包含半導體晶圓分割體30B之直徑方向及圓周方向之二維方向上拉伸之方式進行延伸。
該延伸係於切晶膠帶10中例如產生5～28 MPa、較佳為8～25 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷卻延伸步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，進而較佳為-15℃。冷卻延伸步驟中之延伸速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為1～400 mm/秒。又，冷卻延伸步驟中之延伸量較佳為50～200 mm。
藉由此種冷卻延伸步驟，將切晶黏晶膜1之接著劑層20割斷為小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於冷卻延伸步驟中，於密接於所延伸之切晶膠帶10之黏著劑層12之接著劑層20中密接有半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31之各區域中變形得到抑制，另一方面，於半導體晶片31間之分割槽30a之位於圖中垂直方向之部位不產生此種變形抑制作用，於此狀態下，產生於切晶膠帶10之拉伸應力作用。其結果，接著劑層20中半導體晶片31間之分割槽30a之位於圖中垂直方向之部位被割斷。
於上述半導體裝置之製造方法中，作為又一實施形態，亦可使用以如下方式製作之半導體晶圓30C代替於步驟A中使用之半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B。
於該實施形態中，如圖10(a)及圖10(b)所示，首先，於半導體晶圓W形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa之側已製成各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。
繼而，將具有黏著面T3a之晶圓加工用膠帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側之後，於在晶圓加工用膠帶T3保持有半導體晶圓W之狀態下，將聚光點對準晶圓內部之雷射光自與晶圓加工用膠帶T3為相反之側沿著預分割線照射至半導體晶圓W，藉由利用多光子吸收之剝蝕於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以使半導體晶圓W分離為半導體晶片單位之脆弱化區域。
關於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於預分割線上形成改質區域30b之方法，例如詳細記載於日本專利特開2002-192370號公報，但該實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件之範圍內適當調整。
＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源               半導體雷射激發Nd：YAG(Neodymium-doped Yttrium Aluminium Garnet，摻釹釔鋁石榴石)雷射 波長                      1064 nm 雷射光點剖面面積   3.14×10-8 cm2 振盪形態               Q開關脈衝 重複頻率               100 kHz以下 脈衝寬度               1 μs以下 輸出                      1 mJ以下 雷射光品質            TEM(transverse electromagnetic wave，橫向電磁波)00 偏光特性               直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率                                                    100倍以下 NA(numerical aperture，數值孔徑)         0.55 對雷射光波長之透過率                           100%以下 (C)載置半導體基板之載置台之移動速度   280 mm/秒以下
繼而，如圖10(c)所示，於在晶圓加工用膠帶T3保持有半導體晶圓W之狀態下，將半導體晶圓W藉由自第2面Wb進行研磨加工而薄化至達到特定厚度為止，藉此，形成可單片化為複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。
於上述半導體裝置之製造方法中，亦可於步驟A中，使用以此方式製作之半導體晶圓30C作為可單片化之半導體晶圓代替半導體晶圓30A，然後進行參照圖3至圖7於上文敍述之各步驟。
圖11(a)及圖11(b)表示該實施形態中之步驟B、即於將半導體晶圓30C貼合於切晶黏晶膜1之後進行之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)。
於冷卻延伸步驟中，使延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜1之圖中下側抵接於切晶膠帶10並上升，而將貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜1之切晶膠帶10以於包含半導體晶圓30C之直徑方向及圓周方向之二維方向上拉伸之方式進行延伸。該延伸係於切晶膠帶10中例如產生5～28 MPa、較佳為8～25 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷卻延伸步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，進而較佳為-15℃。冷卻延伸步驟中之延伸速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為1～400 mm/秒。又，冷卻延伸步驟中之延伸量較佳為50～200 mm。
藉由此種冷卻延伸步驟，將切晶黏晶膜1之接著劑層20割斷為小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於冷卻延伸步驟中，於半導體晶圓30C中脆弱之改質區域30b形成龜裂從而產生向半導體晶片31之單片化。與此同時，於冷卻延伸步驟中，於密接於所延伸之切晶膠帶10之黏著劑層12之接著劑層20中密接有半導體晶圓30C之各半導體晶片31之各區域中變形得到抑制，另一方面，於晶圓之龜裂形成部位之位於圖中垂直方向之部位不產生此種變形抑制作用，於此狀態下，產生於切晶膠帶10之拉伸應力作用。其結果，接著劑層20中半導體晶片31間之龜裂形成部位之位於圖中垂直方向之部位被割斷。
又，於上述半導體裝置之製造方法中，切晶黏晶膜1可用於以上述方式獲得附接著劑層之半導體晶片之用途，亦可用於積層複數個半導體晶片進行三維安裝之情形時之用以獲得附接著劑層之半導體晶片之用途。於此種三維安裝中之半導體晶片31間，可與接著劑層21一併介置有間隔件，亦可未介置間隔件。 [實施例]
以下，列舉實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不受該等實施例任何限定。再者，將實施例及比較例中之黏著劑層之構成丙烯酸系聚合物P2 的各單體成分組成示於表1。其中，於表1中，關於表示組合物之組成的各數值之單位，與單體成分相關之數值係相對性之“莫耳”，與除單體成分以外之各成分相關之數值係相對於該丙烯酸系聚合物P2 100質量份之“質量份”。
實施例1 (切晶膠帶) 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100莫耳、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)20莫耳、相對於該等單體成分之總量100質量份為2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯的混合物，於61℃、於氮氣氛圍下攪拌6小時(聚合反應)。藉此獲得含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液。
繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二丁基二月桂酸錫之混合物於50℃、空氣氛圍下攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量為16莫耳。又，於該反應溶液中，二丁基二月桂酸錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應，獲得包含在側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P2 (包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物的結構單元之丙烯酸系聚合物)之聚合物溶液。
繼而，向該聚合物溶液中，添加相對於丙烯酸系聚合物P2 100質量份為2質量份之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」；東曹股份有限公司製)、及2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」；BASF公司製)並進行混合，且以該混合物於室溫下之黏度成為500 mPa・s之方式對該混合物添加甲苯而進行稀釋，獲得黏著劑組合物。
繼而，使用敷料器，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面的PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈黏著劑組合物，而形成黏著劑組合物層。繼而，對該組合物層於120℃下藉由2分鐘之加熱進行脫溶劑，從而於PET隔離件上形成厚度10 μm之黏著劑層。
繼而，使用貼合機，將作為基材之EVA樹脂膜(厚度125 μm；日東電工股份有限公司製)於室溫下貼合於該黏著劑層之露出面。對於該貼合體，其後於50℃下進行24小時之保存。以如上方式製作實施例1之切晶膠帶。
(接著劑層) 向甲基乙基酮中添加丙烯酸系聚合物A1 (商品名「TEISANRESIN SG-P3」、長瀨化成股份有限公司製)100質量份、固態酚樹脂(商品名「MEHC-7851SS」；於23℃下為固態；明和化成股份有限公司製)12質量份、及氧化矽填料(商品名「SO-C2」；平均粒徑為0.5 μm；Admatechs股份有限公司製)100質量份並進行混合，以固形物成分之濃度成為18質量%之方式調整濃度，從而獲得接著劑組合物。
繼而，使用敷料器，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面的PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈接著劑組合物，而形成塗膜，然後對該塗膜於130℃下進行2分鐘之脫溶劑。以如上方式，於PET隔離件上製成實施例1中之厚度15 μm之接著劑層。
(切晶黏晶膜之製作) 將PET系隔離件自實施例1之切晶膠帶剝離，然後將實施例1之接著劑層貼合於所露出之黏著劑層。對貼合使用手壓輥。以此方式製作實施例1之切晶黏晶膜。
實施例2～17及比較例1～9 於黏著劑層之製作中，如表1及2所示，變更形成丙烯酸系聚合物P1 之單體組成、MOI之調配量、光聚合起始劑之種類或調配量、聚異氰酸酯化合物之種類或調配量等，除此以外，與實施例1同樣地製作切晶膠帶及切晶黏晶膜。
再者，於表1及2中，「EA」表示丙烯酸乙酯，「BA」表示丙烯酸丁酯，「2MEA」表示丙烯酸2-甲氧基乙酯，「4HBA」表示丙烯酸4-羥基丁酯，「AM」表示丙烯醯嗎啉，「Irgacure 184」表示商品名「Irgacure 184」(BASF公司製)，「Irgacure 651」表示商品名「Irgacure 651」(BASF公司製)，「Irgacure 369」表示商品名「Irgacure 369」(BASF公司製)，「Irgacure 2959」表示商品名「Irgacure 2959」(BASF公司製)，「Coronate HL」表示商品名「Coronate HL」(東曹股份有限公司製)。
＜評價＞ 對於實施例及比較例中所獲得之切晶黏晶膜，進行以下評價。將結果示於表1。
(利用奈米壓痕法測得之硬度) 對於實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，將接著劑層自黏著劑層上剝離，並對於黏著劑層之剝離面，使用奈米壓痕儀(商品名「TriboIndenter」；HYSITRON Inc.公司製)，於以下條件下進行黏著劑層表面之奈米壓痕測定。而且，將所獲得之硬度示於表1。 使用壓頭：Berkovich(三角錐型) 測定方法：單一壓入測定 測定溫度：23℃ 頻率：100 Hz 壓入深度設定：500 nm 荷重：1 mN、 負載速度：0.1 mN/s 卸載速度：0.1 mN/s 保持時間：1 s
(T型剝離試驗) 對於實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，以如下方式研究黏著劑層與接著劑層之間之剝離力。首先，自各切晶黏晶膜製作試驗片。具體而言，將襯底膠帶(商品名「BT-315」；日東電工股份有限公司製)貼合於切晶黏晶膜之接著劑層側，然後自具有該襯底膠帶之切晶黏晶膜切取寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。繼而，對於試驗片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」；島津製作所股份有限公司製)進行T型剝離試驗，測定剝離力(N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為23℃，將剝離速度設為300 mm/分鐘。將測定結果示於表中。
(附接著劑層之半導體晶片之浮起) 使用商品名「ML300-Integration」(東京精密股份有限公司製)作為雷射加工裝置，使聚光點對準12英吋之半導體晶圓之內部，沿著晶格狀(10 mm×10 mm)之預分割線照射雷射光，而於半導體晶圓之內部形成改質區域。雷射光之照射係於下述條件下進行。 (A)雷射光 雷射光源                              半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長                                     1064 nm 雷射光點剖面面積                  3.14×10-8 cm2 振盪形態                              Q開關脈衝 重複頻率                              100 kHz 脈衝寬度                              30 ns 輸出                                     20 μJ/脈衝 雷射光品質                           TEM00 40 偏光特性                              直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率                                     50倍 NA                                      0.55 對雷射光波長之透過率            60% (C)載置半導體基板之載置台之移動速度   100 mm/秒
關於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於預分割線上形成改質區域30b之方法，例如詳細記載於日本專利特開2002-192370號公報，但該實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件之範圍內適當調整。
＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源                              半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長                                     1064 nm 雷射光點剖面面積                  3.14×10-8 cm2 振盪形態                              Q開關脈衝 重複頻率                              100 kHz以下 脈衝寬度                              1 μs以下 輸出                                     1 mJ以下 雷射光品質                           TEM00 偏光特性                              直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率                                                    100倍以下 NA                                                     0.55 對雷射光波長之透過率                           100%以下 (C)載置半導體基板之載置台之移動速度   280 mm/秒以下
於半導體晶圓內部形成改質區域之後，將背面研磨用保護膠帶貼合於半導體晶圓之表面，並使用背面研磨機(商品名「DGP8760」；DISCO股份有限公司製)以半導體晶圓之厚度成為30 μm之方式研磨背面。
將形成有改質區域之半導體晶圓及切晶環貼合於實施例及比較例中所獲得之切晶黏晶膜。繼而，使用晶粒隔離件(商品名「DDS2300」；DISCO股份有限公司製)，進行半導體晶圓及接著劑層之割斷。具體而言，首先，藉由冷卻延伸單元，於溫度-15℃、冷卻延伸時之速度(延伸速度)200 mm/秒、延伸量14 mm之條件下進行冷卻延伸而使半導體晶圓割斷。繼而，藉由顯微鏡觀察接著劑層自切晶膠帶浮起之部分之面積(將接著劑層整體之面積設為100%時之浮起之附接著劑層之半導體晶片之面積的比率)。關於冷卻延伸步驟中之浮起，若不存在浮起或浮起為容許範圍內則評價為○，將明顯存在浮起之情形評價為×。將結果示於表中。
於半導體晶圓及接著劑層之割斷後，直接使用上述冷卻延伸單元，於室溫、延伸速度1 mm/秒、延伸量5 mm之條件下進行常溫延伸。繼而，藉由顯微鏡觀察接著劑層自切晶膠帶浮起之部分之面積(將接著劑層整體之面積設為100%時之浮起之附接著劑層之半導體晶片之面積的比率)。關於常溫延伸步驟中之浮起，若不存在浮起或浮起為容許範圍內則評價為○，將明顯存在浮起之情形評價為×。又，關於在常溫延伸後於23℃下放置30分鐘之後之浮起(經時之浮起)，亦依照上述評價基準進行評價。將結果示於表中。
[表1]
Figure 108133774-A0304-0001
[表2]
Figure 108133774-A0304-0002
根據實施例1～17之切晶黏晶膜，於冷卻延伸步驟及常溫延伸步驟、進而經時後，可不產生附接著劑層之半導體晶片自切晶膠帶之浮起而良好地進行接著劑層之割斷，並且於拾取步驟中，可適當地拾取附接著劑層之半導體晶片。
1:切晶黏晶膜 10:切晶膠帶 11:基材 12:黏著劑層 20:接著劑層 21:接著劑層 30a:分割槽 30A:半導體晶圓 30b:改質區域 30B:半導體晶圓分割體 30C:半導體晶圓 31:半導體晶片 41:環狀框 42:保持器 43:頂起構件 44:銷構 45:吸附治具 51:被接著體 52:接合線 53:密封樹脂 R:照射區域 T1:晶圓加工用膠帶 T1a:黏著面 T2:晶圓加工用膠帶 T2a:黏著面 T3:晶圓加工用膠帶 T3a:黏著面 W:半導體晶圓 Wa:第1面 Wb:第2面
圖1係表示第1本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖視模式圖。 圖2(a)～(d)表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法中的一部分步驟。 圖3(a)、(b)表示繼圖2所示之步驟之後之步驟。 圖4(a)～(c)表示繼圖3所示之步驟之後之步驟。 圖5(a)、(b)表示繼圖4所示之步驟之後之步驟。 圖6表示繼圖5所示之步驟之後之步驟。 圖7(a)～(c)表示繼圖6所示之步驟之後之步驟。 圖8表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中的一部分步驟。 圖9(a)、(b)表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中的一部分步驟。 圖10(a)～(c)表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中的一部分步驟。 圖11(a)、(b)表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中的一部分步驟。
1:切晶黏晶膜
10:切晶膠帶
11:基材
12:黏著劑層
20:接著劑層
R:照射區域

Claims (3)

  1. 一種切晶黏晶膜，其具備：切晶膠帶，其具有包含基材及黏著劑層之積層構造；以及 接著劑層，其可剝離地密接於上述切晶膠帶中之上述黏著劑層； 放射線硬化前之上述黏著劑層表面之於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下利用奈米壓痕法測得之硬度為0.04～0.8 MPa，且 於溫度23℃、剝離速度300 mm/分鐘之條件下之T型剝離試驗中的放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.3 N/20 mm以上。
  2. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層含有第1丙烯酸系聚合物，該第1丙烯酸系聚合物包含源自含氮原子單體之結構單元。
  3. 如請求項2之切晶黏晶膜，其中上述源自含氮原子單體之結構單元包含源自(甲基)丙烯醯嗎啉之結構單元。
TW108133774A 2018-10-05 2019-09-19 切晶黏晶膜 TWI814905B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190407A JP7075326B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 ダイシングダイボンドフィルム
JP2018-190407 2018-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202020996A true TW202020996A (zh) 2020-06-01
TWI814905B TWI814905B (zh) 2023-09-11

Family

ID=70111487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108133774A TWI814905B (zh) 2018-10-05 2019-09-19 切晶黏晶膜

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7075326B2 (zh)
KR (1) KR20200039567A (zh)
CN (1) CN111004588A (zh)
TW (1) TWI814905B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022024510A1 (ja) * 2020-07-30 2022-02-03 古河電気工業株式会社 接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
KR20220072634A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 (주)이녹스첨단소재 스페이서용 다층 필름 및 이를 이용한 스페이서 형성 방법
JP2022116799A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 日東電工株式会社 電子部品転写用粘着シートおよび電子部品転写用粘着シートを用いた電子部品の加工方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4876451B2 (ja) 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP5255465B2 (ja) 2009-01-29 2013-08-07 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
KR101637862B1 (ko) * 2013-03-15 2016-07-07 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트
JP6071712B2 (ja) * 2013-04-05 2017-02-01 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2014082498A (ja) * 2013-11-11 2014-05-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP6379389B2 (ja) 2014-12-15 2018-08-29 リンテック株式会社 ダイシングダイボンディングシート
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ
JP2017066395A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 積層体
JP2017183705A (ja) 2016-03-24 2017-10-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6339619B2 (ja) 2016-03-31 2018-06-06 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6712916B2 (ja) * 2016-07-11 2020-06-24 日東電工株式会社 粘着シート
JP2018019022A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6295304B1 (ja) * 2016-10-03 2018-03-14 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着シート

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020061423A (ja) 2020-04-16
TWI814905B (zh) 2023-09-11
CN111004588A (zh) 2020-04-14
JP7075326B2 (ja) 2022-05-25
KR20200039567A (ko) 2020-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769242B (zh) 切晶黏晶膜
CN109111867B (zh) 切割芯片接合薄膜
TWI789409B (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
CN109216211B (zh) 切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法
CN108727999B (zh) 切割芯片接合薄膜
TWI814821B (zh) 切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
TW201907470A (zh) 切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法
TWI786145B (zh) 切晶帶及切晶黏晶膜
TWI814905B (zh) 切晶黏晶膜
TW201843270A (zh) 切晶黏晶膜
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
TW201843269A (zh) 切晶黏晶膜
TW202100690A (zh) 切晶黏晶膜
TWI817969B (zh) 切晶黏晶膜
TW202013534A (zh) 切晶黏晶膜
TW201842120A (zh) 切晶黏晶膜
CN108728000B (zh) 切割芯片接合薄膜
TWI811452B (zh) 切晶黏晶膜
JP7224231B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
TW202028392A (zh) 切晶黏晶膜
KR20180116755A (ko) 다이싱 다이 본드 필름