KR20200039567A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

다이싱 다이 본드 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20200039567A
KR20200039567A KR1020190118608A KR20190118608A KR20200039567A KR 20200039567 A KR20200039567 A KR 20200039567A KR 1020190118608 A KR1020190118608 A KR 1020190118608A KR 20190118608 A KR20190118608 A KR 20190118608A KR 20200039567 A KR20200039567 A KR 20200039567A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
pressure
sensitive adhesive
dicing
die bond
Prior art date
Application number
KR1020190118608A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102675702B1 (ko
Inventor
도시마사 스기무라
겐지 오니시
나오히데 다카모토
유타카 도사키
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=70111487&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20200039567(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20200039567A publication Critical patent/KR20200039567A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102675702B1 publication Critical patent/KR102675702B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • C09J2201/622—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

쿨 익스팬드 시 및 상온 익스팬드 시, 그리고 그 후에 있어서, 접착제층과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어려운 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고, 방사선 경화 전의 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.3MPa이고, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BOND FILM}
본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용의 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 갖는 반도체 칩, 즉, 다이 본딩용 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는 과정에서, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름(접착제층)을 갖는다.
다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단시키기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 접합시킨다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 나중에 다이 본드 필름에 함께 할단되어서 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다.
이어서, 다이싱 테이프 상의 다이 본드 필름을 할단시키기 위해서, 익스팬드 장치를 사용하여 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘인다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에 있어서의 할단 개소에 상당하는 개소에서 다이 본드 필름 상의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하고, 다이싱 다이 본드 필름 또는 다이싱 테이프 상에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다.
이어서, 다이싱 테이프 상의 할단 후의 복수의 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩에 대하여 이격 거리를 확장하기 위해서, 다시 익스팬드 공정을 행한다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩을 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어올려서 다이싱 테이프 상에서 픽업한다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 즉 접착제층을 구비한 반도체 칩이 얻어진다. 이 접착제층을 구비한 반도체 칩은, 그 접착제층을 통해, 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다.
이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-2173호 공보 일본 특허 공개 제2010-177401호 공보 일본 특허 공개 제2016-115804호 공보
근년, 반도체의 고용량화의 요구에 의해 회로층의 다층화나, 실리콘층의 박층화가 진행되고 있다. 그러나, 회로층의 다층화에 의해 회로층의 두께(총 두께)가 증가함으로써, 회로층에 포함되는 수지의 비율이 증가하는 경향이 있고, 이에 의해, 다층화된 회로층과, 박층화된 실리콘층의 선팽창률의 차가 현저해져, 반도체 칩이 휘기 쉬워진다. 이 때문에, 종래의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 경우, 특히 다이싱 후에 얻어지는, 다이 본드 필름을 구비한 회로층이 다층화된 반도체 칩은, 익스팬드 공정(후술하는 쿨 익스팬드 및 상온 익스팬드) 및 그 후(예를 들어, 세정 공정, 픽업할 때까지 사이 등)에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 필름의 계면에서 박리(들뜸)가 발생하기 쉽다는 문제가 있었다. 들뜸이 발생하면, 익스팬드 공정 후(세정 공정, 핸들링 시 등)에 반도체 칩이 미끄러져 떨어지기 쉽다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적은, 쿨 익스팬드 시 및 상온 익스팬드 시, 그리고 그 후에 있어서, 접착제층과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어려운 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고, 방사선 경화 전의 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이고, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상인 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면, 쿨 익스팬드 시 및 상온 익스팬드 시, 그리고 그 후에 있어서, 접착제층과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어렵다는 것을 알아내었다. 본 발명은, 이러한 지견들에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고, 방사선 경화 전의 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이고, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상인, 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프 및 접착제층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착제층은, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 테이프의 점착제층은, 방사선 경화 전의 당해 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이고, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상이다. 이와 같은 구성의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에서 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻기 위하여 사용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정, 즉, 할단을 위한 익스팬드 공정을 실시하는 경우가 있다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프 상의 접착제층에 적절하게 할단력이 작용할 필요가 있다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프의 점착제층은, 상술한 바와 같이, 당해 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이다. 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도는, 압자를 점착제층 표면에 압입했을 때의, 압자로의 부하 하중과 압입 깊이를, 부하 시 및 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해진다. 이와 같이, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도는, 점착제층 표면의 물리적 특성을 나타내는 지표이다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 점착제층의, 이러한 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04MPa 이상임으로써, 점착제층 표면이 부드럽고, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.8MPa 이하임으로써, 점착제층과 접착제층의 밀착성이 너무 강해지는 것을 억제하고, 후술하는 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층을 구비한 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리될 수 있고, 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능하다. 또한, 방사선 경화 전의 점착제층 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 상기 범위 내이다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상술한 바와 같이, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상이다. 상기 박리력이 0.3N/20mm 이상이면, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 점착제층은, 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 제1 아크릴계 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위로서, (메트)아크릴로일모르폴린 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 점착제층이 이러한 제1 아크릴계 폴리머를 포함하면, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도를 상기 범위 내로 하고, 또한 상기 박리력을 상기 범위 내로 하는 것이 용이하고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제하면서, 후술하는 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층을 구비한 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리될 수 있고, 양호한 픽업을 실현하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻기 위하여 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서, 접착제층과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어렵다. 특히, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우에도 들뜸이 일어나기 어렵다.
도 1은, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 도 2에 도시하는 공정의 후에 이어지는 공정을 나타낸다.
도 4는, 도 3에 도시하는 공정의 후에 이어지는 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 4에 도시하는 공정의 후에 이어지는 공정을 나타낸다.
도 6은, 도 5에 도시하는 공정의 후에 이어지는 공정을 나타낸다.
도 7은, 도 6에 도시하는 공정의 후에 이어지는 공정을 나타낸다.
도 8은, 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 10은, 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
[다이싱 다이 본드 필름]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비한다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대해서, 이하에 설명한다. 도 1은, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 점착제층(12) 상에 적층된 접착제층(20)을 구비하고, 반도체 장치의 제조에 있어서 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는 과정에서의 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다.
다이싱 다이 본드 필름(1)은, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서의 가공 대상의 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름(1)의 직경은, 예를 들어 345 내지 380mm의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280mm의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 195 내지 230mm의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형), 또는, 495 내지 530mm의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형)에 있다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)는, 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는다.
(기재)
다이싱 테이프에 있어서의 기재는, 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재로서는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 들 수 있다. 상기 기재는, 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 기재 적층체여도 된다.
상기 플라스틱 기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀 수지; 폴리우레탄; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리카르보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 아라미드, 전체 방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드; 폴리페닐술피드; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로오스 수지; 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 기재에 있어서 양호한 열수축성을 확보하고, 후술하는 상온 익스팬드 공정에 있어서 칩 이격 거리를 다이싱 테이프 또는 기재의 부분적 열수축을 이용하여 유지하기 쉬운 관점에서, 기재는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 기재의 주성분이란, 구성 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 성분으로 한다. 상기 수지는, 1종만을 사용하고 있어도 되고, 2종 이상을 사용하고 있어도 된다. 점착제층이 후술하는 바와 같이 방사선 경화형 점착제층인 경우, 기재는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재가 플라스틱 필름인 경우, 상기 플라스틱 필름은, 무배향이어도 되고, 적어도 일방향(일축 방향, 이축 방향 등)으로 배향하고 있어도 된다. 적어도 일방향으로 배향하고 있는 경우, 플라스틱 필름은 당해 적어도 일방향으로 열수축 가능하게 된다. 열수축성을 갖고 있으면, 다이싱 테이프의, 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 히트 슈링크시키는 것이 가능하게 되고, 이에 의해 개편화된 접착제층을 구비한 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌 상태에서 고정할 수 있기 때문에, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 기재 및 다이싱 테이프가 등방적인 열수축성을 갖기 위해서는, 기재는 이축 배향 필름인 것이 바람직하다. 또한, 상기 적어도 일방향으로 배향한 플라스틱 필름은, 비연신의 플라스틱 필름을 당해 적어도 일방향으로 연신(일축 연신, 이축 연신 등) 함으로써 얻을 수 있다.
기재 및 다이싱 테이프는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행하여지는 가열 처리 시험에 있어서의 열수축률이, 1 내지 30％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 더욱 바람직하게는 3 내지 20％, 특히 바람직하게는 5 내지 20％이다. 상기 열수축률은, MD 방향 및 TD 방향의 적어도 일방향의 열수축률인 것이 바람직하다.
기재의 점착제층측 표면은, 점착제층과의 밀착성, 보유 지지성 등을 높일 목적으로, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리; 크롬산 처리 등의 화학적 처리; 코팅제(하도제)에 의한 접착 용이화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지 능을 부여하기 위해서, 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 도전성 증착층을 기재 표면에 마련해도 된다. 밀착성을 높이기 위한 표면 처리는, 기재에 있어서의 점착제층측 표면 전체에 실시되어 있는 것이 바람직하다.
기재의 두께는, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 지지체로서 기재가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 40㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이상, 특히 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재의 두께는 200㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
(점착제층)
다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 점착제층은, 상술한 바와 같이, 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이고, 바람직하게는 0.05 내지 0.8MPa, 보다 바람직하게는 0.05 내지 0.7MPa이다. 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04MPa 이상임으로써, 점착제층 표면이 부드럽고, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.8MPa 이하임으로써, 점착제층과 접착제층의 밀착성이 너무 강해지는 것을 억제하고, 후술하는 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층을 구비한 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리될 수 있고, 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능하다. 또한, 방사선 경화 전의 점착제층 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도가 상기 범위 내이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「방사선 경화 전」이란, 방사선 조사에 의해 점착제층이 경화되지 않은 상태를 말하고, 점착제층이 후술하는 방사선 경화형 점착제층이 아닌 경우도 포함한다.
상기 나노인덴테이션법에 의한 경도는, 압자를 점착제층 표면에 압입했을 때의, 압자로의 부하 하중과 압입 깊이를, 부하 시 및 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해진다. 이와 같이, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도는, 점착제층 표면의 물리적 특성을 나타내는 지표이다. 상기 점착제층의 나노인덴테이션법에 의한 경도는, 하중: 1mN, 부하·제하 속도: 0.1mN/s, 유지 시간: 1s의 조건 하에서의 나노인덴테이션 시험에 의해 얻어지는 경도이다.
다이싱 테이프의 점착제층은, 베이스 폴리머로서 아크릴계 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 폴리머는, 폴리머의 구성 단위로서, 아크릴계 모노머(분자 중에 (메트)아크릴로일기를 갖는 모노머 성분)에서 유래되는 구성 단위를 포함하는 폴리머이다. 상기 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 폴리머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트) 아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」(「아크릴」 및 「메타크릴」 중, 어느 한쪽 또는 양쪽)을 나타내고, 기타도 마찬가지이다.
상기 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등을 들 수 있다.
상기 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 페닐에스테르, 벤질에스테르를 들 수 있다. 알콕시기를 갖는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 있어서의 탄화수소기 중의 1 이상의 수소 원자를 알콕시기로 치환한 것을 들 수 있고, 예를 들어 (메트)아크릴산에2-메톡시메틸에스테르, 2-메톡시에틸에스테르, 2-메톡시부틸에스테르 등을 들 수 있다. 상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르는, 에스테르부에 있어서의 탄소수의 총 수(알콕시기를 갖는 경우에는 알콕시기에 있어서의 탄소수를 포함하는 총 수)가 6 내지 10인 것이 바람직하다. 특히, 탄화수소기의 탄소수의 총 수가 6 내지 10인 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르인 것이 바람직하다. 이들의 경우, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 들뜸의 억제성과, 픽업 공정에서의 양호한 픽업성을 보다 용이하게 양립시킬 수 있다.
알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 20몰％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30몰％ 이상이다. 더욱 바람직하게는 40몰％ 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 상기 모노머 성분에는, 점착제층으로의 방사선 조사 전의, 폴리머에 도입된 단계에 있어서 방사선 중합성기를 갖는 화합물(예를 들어, 라디칼 중합성 관능기 및 제1 관능기를 갖는 가교제)은 포함되지 않는 것으로 한다.
상기 아크릴계 폴리머는, 폴리머의 구성 단위로서, 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 폴리머(「제1 아크릴계 폴리머」라고 칭하는 경우가 있음)인 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도를 상기 범위 내로 하고, 또한 상기 박리력을 상기 범위 내로 하는 것이 용이하고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제하면서, 후술하는 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층을 구비한 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리될 수 있고, 양호한 픽업을 실현하는 것이 용이하게 된다.
상기 질소 원자 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴로일모르폴린 등의 모르폴리노기 함유 모노머, (메트)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머, (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 상기 질소 원자 함유 모노머는, 그 중에서도, 모르폴리노기 함유 모노머(특히, (메트)아크릴로일모르폴린)를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 질소 원자 함유 모노머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 나노인덴테이션법에 의한 경도를 상기 범위 내로 하고, 또한 상기 박리력을 상기 범위 내로 하는 것을 보다 용이하게 하는 관점에서, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 제1 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위 비율은, 1몰％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2몰％ 이상이다. 또한, 상기 비율은, 30몰％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20몰％ 이하이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 상기 질소 원자 함유 모노머 이외에, 상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머 등의 관능기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다.
상기 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 들 수 있다. 상기 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 글리시딜기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산메틸글리시딜 등을 들 수 있다.
상기 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다.
상기 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등을 들 수 있다.
상기 다른 모노머 성분으로서는, 그 중에서도, 히드록시기 함유 모노머가 바람직하고, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴산2-히드록시에틸(2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트)이다. 즉, 상기 아크릴계 폴리머는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 다른 모노머 성분은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의, 질소 원자 함유 모노머와 상기 다른 모노머 성분의 합계 비율은, 60몰％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40몰％ 이하이다.
알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위 비율은, 5몰％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10몰％ 이상이다. 또한, 상기 비율은, 예를 들어 80몰％ 이하이고, 70몰％ 이하, 60몰％ 이하여도 된다.
또한, 제1 아크릴계 폴리머는, 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 이소시아네이트기 및 라디칼 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 것이 바람직하다. 상기 라디칼 중합성 관능기로서는, 방사선 중합성을 갖는 탄소-탄소 이중 결합을 들 수 있고, 예를 들어 비닐기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, (메트)아크릴로일기(아크릴로일기, 메타크릴로일기) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
제1 아크릴계 폴리머가, 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위와, 이소시아네이트기 및 라디칼 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 경우, 제1 아크릴계 폴리머에 있어서의, 이소시아네이트기 및 라디칼 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부의, 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율은, 0.7 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.75 이상이다. 또한, 상기 몰 비율은, 0.9 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.85 이하이다. 상기 몰 비율이 상기 범위 내이면, 상기 나노인덴테이션법에 의한 경도를 상기 범위 내로 하고, 또한 상기 박리력을 상기 범위 내로 하는 것을 보다 용이하게 할 수 있다.
이소시아네이트기 및 라디칼 중합성 관능기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트가 바람직하다.
제1 아크릴계 폴리머를 포함하는 상기 아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, 아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다관능성 모노머로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 (메트)아크릴로일기와 다른 반응성 관능기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. 상기 다관능성 모노머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 상기 다관능성 모노머의 비율은, 40몰％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30몰％ 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 아크릴계 모노머를 포함하는 1종 이상의 모노머 성분을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합 방법으로서는, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
아크릴계 폴리머의 질량 평균 분자량은, 30만 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 35만 내지 100만이다. 질량 평균 분자량이 30만 이상이면, 점착제층 중의 저분자량 물질이 적은 경향이 있고, 접착제층이나 반도체 웨이퍼 등으로의 오염을 보다 억제할 수 있다.
점착제층 혹은 점착제층을 형성하는 점착제는, 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 베이스 폴리머로서 아크릴계 폴리머를 사용하는 경우, 아크릴계 폴리머를 가교시켜, 점착제층 중의 저분자량 물질을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머의 질량 평균 분자량을 높일 수 있다. 상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 5질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
점착제층은, 다이싱 다이 본드 필름의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제층(점착력 저감 가능형 점착제층)이어도 되고 다이싱 다이 본드 필름의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감되지 않는 점착제층(점착력 비저감형 점착제층)이어도 되고, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 개편화되는 반도체 웨이퍼의 개편화 방법이나 조건 등에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층이 점착력 저감 가능형 점착제층인 경우, 다이싱 다이 본드 필름의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분지어 사용하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름의 제조 과정에서 다이싱 테이프의 점착제층에 접착제층을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름이 다이싱 공정에 사용될 때에는, 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층으로부터 접착제층 등의 피착체의 들뜸을 억제·방지하는 것이 가능하게 되는 한편, 그 후, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터 접착제층을 구비한 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층의 점착력을 저감시킴으로써, 픽업을 용이하게 행할 수 있다.
이러한 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제, 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는 첨가형 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
상기 방사선 중합성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등 들 수 있다. 상기 방사선 중합성의 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있고, 분자량이 100 내지 30000 정도의 것이 바람직하다. 점착제층을 형성하는 방사선 경화성 점착제 중의 상기 방사선 경화성의 모노머 성분 및 올리고머 성분의 함유량은, 상기 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500질량부, 바람직하게는 40 내지 150질량부 정도이다. 또한, 첨가형 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소 60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형 방사선 경화성 점착제를 사용하면, 형성된 점착제층 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않는 경시적 변화를 억제할 수 있는 경향이 있다.
상기 내재형 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머(특히, 상기 제1 아크릴계 폴리머)가 바람직하다. 아크릴계 폴리머로의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 제1 관능기를 갖는 모노머 성분을 포함하는 원료 모노머를 중합(공중합)시켜서 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응 추적의 용이함의 관점에서, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 그 중에서도, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높고, 한편으로 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머의 제작 및 입수의 용이성의 관점에서, 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 조합이 바람직하다. 이소시아네이트기 및 방사성 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 상술한 이소시아네이트기 및 라디칼 중합성 관능기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 또한, 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머로서는, 상술한 히드록시기 함유 모노머나, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
상기 방사선 경화성 점착제는, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 상기 α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다. 상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등을 들 수 있다. 상기 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다. 상기 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다. 상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 상기 발포제로서는, 여러가지 무기계 발포제나 유기계 발포제를 들 수 있다. 상기 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 아지드류 등을 들 수 있다. 상기 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 껍데기 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 상기 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 껍데기 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 상기 껍데기 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다.
상기 점착력 비저감형 점착제층으로서는, 예를 들어 감압형 점착제층을 들 수 있다. 또한, 감압형 점착제층에는, 점착력 저감 가능형 점착제층에 대하여 상술한 방사선 경화성 점착제로부터 형성된 점착제층을 미리 방사선 조사에 의해 경화시키면서도 일정한 점착력을 갖는 형태의 점착제층이 포함된다. 점착력 비저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다. 또한, 점착제층의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 일부가 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다. 예를 들어, 점착제층이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 점착제층에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제층이고, 다른 부위(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제층이어도 된다. 또한, 점착제층이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조에 있어서의 모든 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다.
방사선 경화성 점착제로부터 형성된 점착제층(방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층)을 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제층(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층)은, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있다고 해도, 함유하는 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층을 사용하는 경우, 점착제층의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이어도 되고, 점착제층의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이고 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제층이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「방사선 경화형 점착제층」이란, 방사선 경화성 점착제로부터 형성된 점착제층을 말하고, 방사선 경화성을 갖는 방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층 및 당해 점착제층이 방사선 조사에 의해 경화한 후의 방사선 경화 완료 방사선 경화형 점착제층의 양쪽을 포함한다.
상기 감압형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공지 내지 관용의 감압형의 점착제를 사용할 수 있고, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 점착제층이 감압형의 점착제로서 아크릴계 폴리머를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머로서 설명된 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다.
점착제층 또는 점착제층을 형성하는 점착제는, 상술한 각 성분 이외에, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 착색제(안료, 염료 등) 등의 공지 내지 관용의 점착제층에 사용되는 첨가제가 배합되어 있어도 된다. 상기 착색제로서는, 예를 들어 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유하는 경우, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이고, 예를 들어 류코 염료 등을 들 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물의 사용량은 특별히 한정되지 않고 적절히 선택할 수 있다.
점착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 점착제층이 방사선 경화성 점착제로부터 형성된 점착제층인 경우에 당해 점착제층의 방사선 경화의 전후에 있어서의 접착제층에 대한 접착력의 균형을 취하는 관점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 40㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 30㎛이다.
(접착제층)
접착제층은, 다이 본딩용의 열경화성을 나타내는 접착제로서 기능을 갖고, 또한 필요에 따라 반도체 웨이퍼 등의 워크와 링 프레임 등의 프레임 부재를 보유 지지하기 위한 점착 기능을 병유한다. 접착제층은, 인장 응력을 가하는 것에 의한 할단이 가능하고, 인장 응력을 가함으로써 할단시켜서 사용된다.
접착제층 및 접착제층을 구성하는 접착제는, 열경화성 수지와 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하고 있어도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 접착제층을 구성하는 접착제가, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 점착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 접착제층은, 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 다층 구조를 갖고 있어도 된다.
상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에 접착제층에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다고 하는 이유에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
상기 아크릴계 수지는, 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 것이 바람직하다. 당해 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 형성하는 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 것을 들 수 있다.
상기 아크릴 수지는, 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 구성하는 다른 모노머 성분으로서 예시된 것을 사용할 수 있다.
접착제층이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 다이 본딩 대상의 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 이유로부터, 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 글리시딜아민형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고 또한 내열성이 우수한 점에서, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 그 중에서도, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있는 관점에서, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 바람직하다.
접착제층에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.5당량으로 되는 양으로 포함된다.
접착제층이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착제층에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서, 접착제층의 총 질량에 대하여, 5 내지 60질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
접착제층이 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지는, 바람직하게는 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함한다. 당해 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 형성하는 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 것을 들 수 있다.
한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜기, 카르복시기가 바람직하다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지, 카르복시기 함유 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 함께 경화제를 포함하는 것이 바람직하고, 당해 경화제로서는, 예를 들어 상술한 점착제층 형성용 방사선 경화성 점착제에 포함될 수 있는 가교제로서 예시된 것을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 상술한 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본딩을 위하여 경화되기 전의 접착제층에 대해서, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 접착제층에 포함될 수 있는 상술한 수지의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합할 수 있는 다관능성 화합물을 가교 성분으로서 접착제층 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 접착제층에 대해서, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시키는 관점에서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 관점에서 바람직하다.
상기 가교 성분으로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가교 성분으로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
접착제층 형성용 수지 조성물에 있어서의 가교 성분의 함유량은, 당해 가교 성분과 반응하여 결합할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대하여, 형성되는 접착제층(20)의 응집력 향상의 관점에서는 0.05질량부 이상이 바람직하고, 형성되는 접착제층(20)의 접착력 향상의 관점에서는 7질량부 이하가 바람직하다.
접착제층은, 필러를 함유하는 것이 바람직하다. 접착제층으로의 필러의 배합에 의해, 접착제층의 도전성이나, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있고, 특히 무기 필러가 바람직하다.
무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 필러는, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 상기 필러로서는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 필러의 평균 입경은, 0.005 내지 10㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상이면, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성, 접착성이 보다 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하이면, 상기 각 특성의 부여를 위하여 첨가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(예를 들어, 상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제)를 사용하여 구할 수 있다.
접착제층은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다. 상기 다른 첨가제는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산지르코늄(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가꾸 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 600」), 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가꾸 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 700」) 등을 들 수 있다.
금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용 할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다.
상기 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2',3'-히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트 등을 들 수 있다.
또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산메틸, 피로갈롤 등을 들 수 있다.
접착제층의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 200㎛이다. 상한은, 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 하한은 3㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛이다.
다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상술한 바와 같이, 온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상이고, 바람직하게는 0.5N/20mm 이상, 보다 바람직하게는 0.7N/20mm 이상이다. 상기 박리력이 0.3N/20mm 이상이면, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있고, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 박리력은 높을수록 바람직하지만, 그 상한은, 예를 들어 10N/20mm여도 되고, 5.0N/20mm여도 되고, 3.0N/20mm여도 된다. 또한, 방사선 경화 전의 점착제층의 상기 박리력이 상기 값이다.
상기 T형 박리 시험에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 행하여진다. 그 시험에 제공되는 시료편은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층측에 배접 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토 덴코 가부시키가이샤제)를 접합한 후, 폭 50mm×길이 120mm의 사이즈의 시험편을 잘라낸다.
다이싱 다이 본드 필름은, 세퍼레이터를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름마다, 세퍼레이터를 갖는 시트 형상의 형태여도 되고, 세퍼레이터가 긴 형상이며 그 위에 복수의 다이싱 다이 본드 필름이 배치되고 또한 당해 세퍼레이터가 권회되어서 롤이 형태로 되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층의 표면을 피복하여 보호하기 위한 요소이고, 다이싱 다이 본드 필름을 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 두께는, 예를 들어 5 내지 200㎛이다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태인 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제조된다.
먼저 기재(11)는, 공지 내지 관용의 제막 방법에 의해 제막하여 얻을 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.
이어서, 기재(11) 상에, 점착제층(12)을 형성하는 점착제 및 용매 등을 포함하는, 점착제층을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라 탈용매나 경화 등에 의해 해당 도포막을 고화시켜, 점착제층(12)를 형성할 수 있다. 상기 도포의 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 80 내지 150℃, 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다.
또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 탈용매 조건에서 도포막을 고화시켜서 점착제층(12)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(10)를 제작할 수 있다.
접착제층(20)에 대해서, 먼저, 수지, 필러, 경화 촉매, 용매 등을 포함하는, 접착제층(20)을 형성하는 조성물(접착제 조성물)을 제작한다. 이어서, 접착제 조성물을 세퍼레이터 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라 탈용매나 경화 등에 의해 해당 도포막을 고화시켜, 접착제층(20)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 70 내지 160℃, 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다.
계속해서, 다이싱 테이프(10) 및 접착제층(20)으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층(20)과 점착제층(12)이 접합면으로 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10kgf/cm이다.
상술한 바와 같이, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에 접착제층(20)의 접합보다 후에 점착제층(12)에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 예를 들어 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 방사선 조사를 행하고, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ이다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(조사 영역 R)은, 통상, 점착제층(12)에 있어서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다. 부분적으로 조사 영역 R을 마련하는 경우, 조사 영역 R을 제외하는 영역에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통해 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 방사선을 조사하여 조사 영역 R을 형성하는 방법도 들 수 있다.
이상과 같이 하여, 예를 들어 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름(1)을 제작할 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 상기 접착제층측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 첩부하는 공정(「공정 A」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 저온의 조건 하에서, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 적어도 상기 접착제층을 할단하여 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는 공정(「공정 B」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 고온의 조건 하에서, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여, 상기 접착제층을 구비한 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 공정(「공정 C」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상기 접착제층을 구비한 반도체 칩을 픽업하는 공정(「공정 D」라고 칭하는 경우가 있음)을 포함하는 제조 방법에 의해, 반도체 장치를 제조 할 수 있다.
공정 A에서 사용하는 상기 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼는, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 먼저, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)을 형성한다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에 있어서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1면 Wa 상에 이미 형성되어 있다.
그리고, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1을 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)을 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성한다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 4에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
이어서, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측으로의 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리를 행한다.
이어서, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화한다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다.
반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서의 연결부의 두께, 즉, 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이고, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.
(공정 A)
공정 A에서는, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 접착제층(20)측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 첩부한다.
공정 A에 있어서의 일 실시 형태에서는, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)를 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)에 대하여 접합한다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2를 박리한다.
다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 접착제층(20)으로의 접합 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(12)에 있어서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.
(공정 B)
공정 B에서는, 상대적으로 저온의 조건 하에서, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하고, 적어도 접착제층(20)을 할단하여 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는다.
공정 B에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12) 상에 링 프레임(41)을 첩부한 후, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름(1)을 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정한다.
이어서, 상대적으로 저온의 조건 하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이 행하여, 반도체 웨이퍼(30A)를 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화함과 함께, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 얻는다.
쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다.
이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100mm/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 바람직하게는 3 내지 16mm이다.
공정 B에서는, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)를 사용한 경우, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 박육으로 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 공정 B에서는, 익스팬드될 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 도면 중 수직 방향으로 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 수직 방향으로 위치하는 개소가 할단되게 된다. 익스팬드에 의한 할단 후, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)를 하강시켜서, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다.
(공정 C)
공정 C에서는, 상대적으로 고온의 조건 하에서, 상기 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여, 상기 접착제층을 구비한 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌다.
공정 C에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 상대적으로 고온의 조건 하에서 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 행하여, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 확장한다.
공정 C에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를 다시 상승시켜, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드한다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10mm/초이고, 바람직하게는 0.3 내지 1mm/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 예를 들어 3 내지 16mm이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 공정 C에서는 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)의 이격 거리를 확장한다. 익스팬드에 의해 이격 거리를 확장한 후, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)를 하강시켜서, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다.
익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 상의 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하는 관점에서는, 익스팬드 상태를 해제하는 것보다 전에, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
공정 C의 후, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 갖고 있어도 된다.
(공정 D)
공정 D(픽업 공정)에서는, 개편화된 접착제층을 구비한 반도체 칩을 픽업한다. 공정 D에 있어서의 일 실시 형태에서는, 필요에 따라 상기 클리닝 공정을 거친 후, 도 6에 도시하는 바와 같이, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다. 예를 들어, 픽업 대상의 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)에 대해서, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜서 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 보유 지지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올림 속도는 예를 들어 1 내지 100mm/초이고, 핀 부재(44)의 밀어올림양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
상기 반도체 장치의 제조 방법은, 공정 A 내지 D 이외의 다른 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에 있어서는, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 픽업한 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을, 피착체(51)에 대하여 접착제층(21)을 통해 가고착한다(가고착 공정).
피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 접착제층(21)의 가고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대하여 0.2MPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 접착제층(21)의 상기 전단 접착력이 0.2MPa 이상이라고 하는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 접착제층(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행할 수 있다. 또한, 접착제층(21)의 가고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대하여 0.01MPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.
이어서, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시 생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시 생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정).
반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현할 수 있고, 접착제층(21)을 열경화시키지 않도록 행하여진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 구리선 등을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에 있어서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이고, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 몇분간이다.
이어서, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 피착체(51) 상의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정).
밀봉 공정에서는, 접착제층(21)의 열경화가 진행한다. 밀봉 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)를 형성한다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 밀봉 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 몇분간이다.
밀봉 공정에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분히 진행되지 않는 경우에는, 밀봉 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정을 행한다. 밀봉 공정에 있어서 접착제층(21)이 완전히 열경화하지 않는 경우에도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 접착제층(21)의 완전한 열경화가 가능하게 된다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
상기 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 접착제층(21)을 완전히 열경화시키지 않고 와이어 본딩 공정이 행하여진다. 이와 같은 구성 대신에, 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 접착제층(21)을 열경화시키고 나서 와이어 본딩 공정을 행해도 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다른 실시 형태로서, 도 2의 (d)를 참조하여 상술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 8에 도시하는 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 상술한 과정을 거친 후, 도 8에 도시하는 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시켜서, 복수의 반도체 칩(31)을 포함하여 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성한다.
상기 웨이퍼 박화 공정에서는, 분할 홈(30a)이 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르는 것보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼로의 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb 사이에 크랙을 발생시켜서 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 상술한 바와 같이 형성하는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다.
도 8에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는, 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대해서, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하여, 도 3으로부터 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다.
당해 실시 형태에 있어서의 공정 B에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다.
이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400mm/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 바람직하게는 50 내지 200mm이다.
이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드될 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향으로 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향으로 위치하는 개소가 할단되게 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 새로운 다른 실시 형태로서, 공정 A에 있어서 사용하는 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 사용해도 된다.
당해 실시 형태에서는, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 먼저, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)을 형성한다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에 있어서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1면 Wa 상에 이미 형성되어 있다.
그리고, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3을 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광을 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대의 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대하여 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)을 형성한다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다.
반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있지만, 당해 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
이어서, 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시켜, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)를 형성한다(웨이퍼 박화 공정).
상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 개편화 가능한 반도체 웨이퍼로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하고, 도 3으로부터 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼(30C)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다.
쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시켜, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는-15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400mm/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 바람직하게는 50 내지 200mm이다.
이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여 접착제층을 구비한 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙을 형성하여 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드될 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향으로 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향으로 위치하는 개소가 할단되게 된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상술한 바와 같이 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻는 용도로 사용할 수 있지만, 복수의 반도체 칩을 적층해서 3차원 실장을 하는 경우에 있어서의 접착제층을 구비한 반도체 칩을 얻기 위한 용도에도 사용할 수 있다. 그러한 3차원 실장에 있어서의 반도체 칩(31) 사이에는, 접착제층(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되고, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.
[실시예]
이하에 실시예를 들어서 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 및 비교예에 있어서의 점착제층의, 아크릴계 폴리머 P2를 구성하는 각 모노머 성분의 조성을 표 1에 나타내었다. 단, 표 1에 있어서, 조성물의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 모노머 성분에 관한 수치는 상대적인 "몰"이고, 모노머 성분 이외의 각 성분에 관한 수치는 당해 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대한 "질량부"이다.
실시예 1
(다이싱 테이프)
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산2-에틸헥실(2EHA) 100몰과, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 20몰과, 이들 모노머 성분의 총량 100질량부에 대하여 2질량부의 중합 개시제로서의 과산화벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기 하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.
이어서, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기 하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은 16몰이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대하여 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 폴리머)를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.
이어서, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대하여 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤제)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 127」, BASF사제)를 첨가하여 혼합하고, 또한, 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대하여 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다.
이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대해서 120℃에서 2분간의 가열에 의한 탈용매를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
이어서, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 기재로서의 EVA 수지 필름(두께 125㎛, 닛토 덴코 가부시키가이샤제)을 실온에서 접합하였다. 이 접합체에 대해서, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행하였다. 이상과 같이 하여 실시예 1의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(접착제층)
아크릴계 폴리머 A1(상품명 「테이산 레진 SG-P3」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 고형 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 23℃에서 고형, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 12질량부와, 실리카 필러(상품명 「SO-C2」, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 100질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분의 농도가 18질량％가 되도록 농도를 조정하여, 접착제 조성물을 얻었다.
이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대해서 130℃에서 2분간의 탈용매를 행하였다. 이상과 같이 하여, 실시예 1에 있어서의 두께 15㎛의 접착제층을 PET 세퍼레이터 상에 제작하였다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
실시예 1의 다이싱 테이프로부터 PET계 세퍼레이터를 박리하고, 노출한 점착제층에 실시예 1의 접착제층을 접합하였다. 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이와 같이 하여 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
실시예 2 내지 17 및 비교예 1 내지 9
점착제층의 제작에 있어서, 표 1 및 2에 나타내는 바와 같이, 아크릴계 폴리머 P1을 형성하는 모노머 조성, MOI의 배합량, 광중합 개시제의 종류 또는 배합량, 폴리이소시아네이트 화합물의 종류 또는 배합량 등을 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
또한, 표 1 및 2에 있어서, 「EA」는 에틸아크릴레이트, 「BA」는 부틸아크릴레이트, 「2MEA」는 2-메톡시에틸아크릴레이트, 「4HBA」는 4-히드록시부틸아크릴레이트, 「AM」은 아크릴로일모르폴린, 「이르가큐어 184」는 상품명 「이르가큐어 184」(BASF사제), 「이르가큐어 651」은 상품명 「이르가큐어 651」(BASF사제), 「이르가큐어 369」는 상품명 「이르가큐어 369」(BASF사제), 「이르가큐어 2959」는 상품명 「이르가큐어 2959」(BASF사제), 「코로네이트 HL」은 상품명 「코로네이트 HL」(도소 가부시키가이샤제)을 각각 나타낸다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
(나노인덴테이션법에 의한 경도)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 점착제층 상에서 접착제층을 박리하고, 점착제층의 박리면에 대해서, 나노인덴터(상품명 「TriboIndenter」, HYSITRON Inc.사제)를 사용하여, 이하의 조건에서, 점착제층 표면의 나노인덴테이션 측정을 행하였다. 그리고, 얻어진 경도를 표 1에 나타내었다.
사용 압자: Berkovich(삼각추형)
측정 방법: 단일 압입 측정
측정 온도: 23℃
주파수: 100Hz
압입 깊이 설정: 500nm
하중: 1mN,
부하 속도: 0.1mN/s
제하 속도: 0.1mN/s
보유 지지 시간: 1s
(T형 박리 시험)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 다음과 같이 하여 점착제층과 접착제층 사이의 박리력을 조사하였다. 먼저, 각 다이싱 다이 본드 필름으로부터 시험편을 제작하였다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층측에 배접 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토 덴코 가부시키가이샤제)를 접합하고, 당해 배접 테이프를 갖는 다이싱 다이 본드 필름으로부터, 폭 50mm×길이 120mm의 사이즈의 시험편을 잘라냈다. 그리고, 시험편에 대해서, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 T형 박리 시험을 행하고, 박리력(N/20mm)을 측정하였다. 본 측정에 있어서는, 온도 조건을 23℃로 하고, 박리 속도를 300mm/분으로 하였다. 측정 결과를 표에 나타내었다.
(접착제층을 구비한 반도체 칩의 들뜸)
레이저 가공 장치로서 상품명 「ML300-Integration」(가부시키가이샤 도쿄 세이미쯔제)을 사용하여, 12인치의 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추어, 격자 상(10mm×10mm)의 분할 예정 라인을 따라 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다. 레이저광의 조사는, 하기의 조건에서 행하였다.
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz
펄스폭 30ns
출력 20μJ/펄스
레이저광 품질 TEM00 40
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 50배
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 60％
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재 대의 이동 속도 100mm/초
반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있지만, 당해 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 백그라인드용 보호 테이프를 접합하고, 백 그라인더(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여 반도체 웨이퍼의 두께가 30㎛로 되도록 이면을 연삭하였다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에, 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼와 다이싱 링을 접합하였다. 그리고, 다이 세퍼레이터(상품명 「DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 접착제층의 할단을 행하였다. 구체적으로는, 먼저, 쿨 익스팬더 유닛으로, 온도 -15℃, 쿨 익스팬드 시의 속도(익스팬드 속도) 200mm/초, 익스팬드양 14mm의 조건에서 쿨 익스팬드를 행하여 반도체 웨이퍼를 할단시켰다. 그리고, 접착제층이 다이싱 테이프로부터 들떠 있는 부분의 면적(접착제층 전체의 면적을 100％라 했을 때의 들떠 있는 접착제층을 구비한 반도체 칩의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하였다. 쿨 익스팬드 공정에서의 들뜸에 대해서, 들뜸이 없는 또는 허용 범위 내이면 ○, 들뜸이 눈에 띄어 있는 경우를 ×로 하여 평가하였다. 결과를 표로 나타내었다.
반도체 웨이퍼 및 접착제층의 할단 후, 상기 쿨 익스팬더 유닛을 그대로 사용하여, 실온, 익스팬드 속도 1mm/초, 익스팬드양 5mm의 조건에서 상온 익스팬드를 행하였다. 그리고, 접착제층이 다이싱 테이프로부터 들떠 있는 부분의 면적(접착제층 전체의 면적을 100％라 했을 때의 들떠 있는 접착제층을 구비한 반도체 칩의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하였다. 상온 익스팬드 공정에서의 들뜸에 대해서, 들뜸이 없거나 또는 허용 범위 내이면 ○, 들뜸이 두드러져 있는 경우를 ×로 하여 평가하였다. 또한, 상온 익스팬드 후 23℃에서 30분간 방치한 후의 들뜸(경시에서의 들뜸)에 대해서도, 상기 평가 기준에 따라서 평가를 행하였다. 결과를 표에 나타내었다.
Figure pat00001
Figure pat00002
실시예 1 내지 17의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 쿨 익스팬드 공정 및 상온 익스팬드 공정, 나아가 경시 후에 있어서, 다이싱 테이프로부터의 접착제층을 구비한 반도체 칩의 들뜸을 발생시키지 않고 접착제층의 할단을 양호하게 행할 수 있는 데다가, 픽업 공정에 있어서, 접착제층을 구비한 반도체 칩을 적절하게 픽업할 수 있었다.
1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이싱 테이프
11: 기재
12: 점착제층
20, 21: 접착제층
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩

Claims (3)

  1. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고,
    방사선 경화 전의 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100Hz의 조건에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 경도가 0.04 내지 0.8MPa이고,
    온도 23℃, 박리 속도 300mm/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20mm 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점착제층이, 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 제1 아크릴계 폴리머를 함유하는, 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제2항에 있어서, 상기 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위는 (메트)아크릴로일모르폴린 유래의 구성 단위를 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
KR1020190118608A 2018-10-05 2019-09-26 다이싱 다이 본드 필름 KR102675702B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190407A JP7075326B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 ダイシングダイボンドフィルム
JPJP-P-2018-190407 2018-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200039567A true KR20200039567A (ko) 2020-04-16
KR102675702B1 KR102675702B1 (ko) 2024-06-19

Family

ID=70111487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190118608A KR102675702B1 (ko) 2018-10-05 2019-09-26 다이싱 다이 본드 필름

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7075326B2 (ko)
KR (1) KR102675702B1 (ko)
CN (1) CN111004588A (ko)
TW (1) TWI814905B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230046274A (ko) * 2020-07-30 2023-04-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착제용 조성물 및 필름형 접착제와 필름형 접착제를 사용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102698630B1 (ko) * 2020-11-25 2024-08-26 (주)이녹스첨단소재 스페이서용 다층 필름 및 이를 이용한 스페이서 형성 방법
JP2022116799A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 日東電工株式会社 電子部品転写用粘着シートおよび電子部品転写用粘着シートを用いた電子部品の加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007002173A (ja) 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2010177401A (ja) 2009-01-29 2010-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2014201672A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2016115804A (ja) 2014-12-15 2016-06-23 リンテック株式会社 ダイシングダイボンディングシート
JP2017066395A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 積層体
JP2017183705A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
CN105102565B (zh) * 2013-03-15 2018-03-06 日东电工株式会社 粘合片
JP2014082498A (ja) * 2013-11-11 2014-05-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ
JP6339619B2 (ja) 2016-03-31 2018-06-06 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6712916B2 (ja) * 2016-07-11 2020-06-24 日東電工株式会社 粘着シート
JP2018019022A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6295304B1 (ja) * 2016-10-03 2018-03-14 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着シート

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007002173A (ja) 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2010177401A (ja) 2009-01-29 2010-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2014201672A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2016115804A (ja) 2014-12-15 2016-06-23 リンテック株式会社 ダイシングダイボンディングシート
JP2017066395A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 積層体
JP2017183705A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230046274A (ko) * 2020-07-30 2023-04-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착제용 조성물 및 필름형 접착제와 필름형 접착제를 사용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102675702B1 (ko) 2024-06-19
TW202020996A (zh) 2020-06-01
CN111004588A (zh) 2020-04-14
JP2020061423A (ja) 2020-04-16
TWI814905B (zh) 2023-09-11
JP7075326B2 (ja) 2022-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102532978B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
JP7017334B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
KR102477487B1 (ko) 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법
KR102489355B1 (ko) 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN108727999B (zh) 切割芯片接合薄膜
KR102650499B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름 및 반도체 장치 제조 방법
KR20190013519A (ko) 다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법
KR102528778B1 (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
KR20200075752A (ko) 접착 필름, 다이싱 테이프를 구비하는 접착 필름 및 반도체 장치 제조 방법
KR102675702B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR20180116754A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR20190133604A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR20200122242A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
CN108728000B (zh) 切割芯片接合薄膜
JP7280661B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
KR20180116752A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
JP7523881B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
JP7224231B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
JP7381315B2 (ja) ダイシングテープ付き接着フィルム
KR20200039566A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR20180116755A (ko) 다이싱 다이 본드 필름

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right