KR20180116755A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

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KR20180116755A
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tensile
bonding film
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유타 기무라
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유이치로 시시도
아키히로 후쿠이
미치코 야마토
신이치 이노우에
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

익스팬드 공정에서 접착제층을 양호하게 할단하는 데 적합한 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름(DDAF)은 다이싱 테이프(10)와 접착제층(20)을 구비한다. 다이싱 테이프(10)는 기재(11)와 점착제층(12)의 적층 구조를 갖고, 접착제층(20)은 점착제층(12)에 밀착하고 있다. DDAF에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역 R1로부터 잘라내어지는 시험편(50㎜×10㎜)에 대해 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력에 대한, DDAF에서의 상기 외측 영역 R1보다 안쪽의 내측 영역 R2 내로부터 잘라내어지는 시험편(50㎜×10㎜)에 대하여 동일 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력의 비의 값이, 0.9 내지 1.1이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BOND FILM}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체 칩, 즉, 다이 본딩용 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름(접착제층)을 갖는다.
다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단하기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 반도체 웨이퍼가 접합된다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록, 가공된 것이다. 이어서, 각각이 반도체 칩에 밀착하고 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름으로부터 발생하도록 당해 다이 본드 필름을 할단하기 위해, 익스팬드 장치가 사용되어 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프가 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여진다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에서의 할단 개소에 상당하는 개소에서 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하고, 다이싱 다이 본드 필름 내지 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이어서, 다이싱 테이프 위의 할단 후의 복수의 접착제층 부착 반도체 칩에 대하여 이격 거리를 넓히기 위해서, 다시 익스팬드 공정이 행해진다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩이 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어올려진 다음에 다이싱 테이프 위에서 픽업된다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 즉 접착제층을 수반하는 반도체 칩이 얻어진다. 이 접착제층 부착 반도체 칩은, 그 접착제층을 통해 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 예를 들어 이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허공개 제2007-2173호 공보 일본 특허공개 제2010-177401호 공보 일본 특허공개 제2012-23161호 공보
도 14는, 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y를 그 단면 모식도로 나타내는 것이다. 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 다이싱 테이프(60) 및 다이 본드 필름(70)으로 이루어진다. 다이싱 테이프(60)는, 기재(61)와, 점착력을 발휘하는 점착제층(62)과의 적층 구조를 갖는다. 다이 본드 필름(70)은, 점착제층(62)의 점착력에 의해서 점착제층(62)에 밀착하고 있다. 이러한 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 가공 대상 내지 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖고, 전술한 익스팬드 공정에 사용될 수 있다. 예를 들어 도 15에 도시한 바와 같이, 링 프레임(81)이 점착제층(62)에 점착되고, 또한, 반도체 웨이퍼(82)가 다이 본드 필름(70)에 접합된 상태에서, 전술한 익스팬드 공정이 실시된다. 링 프레임(81)은, 다이싱 다이 본드 필름 Y에 점착된 상태에 있어서, 익스팬드 장치가 구비하는 반송 아암 등 반송 기구가 워크 반송 시에 기계적으로 맞닿는 프레임 부재이다. 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 이러한 링 프레임(81)이 다이싱 테이프(60)의 점착제층(62)의 점착력에 의해서 당해 필름에 고정될 수 있도록 설계되어 있다. 즉, 다이싱 테이프(60)의 점착제층(62)에 있어서 다이 본드 필름(70)의 주위에 링 프레임 접착용 영역이 확보되는 설계를, 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y는 갖는 것이다. 그러한 설계에 있어서, 점착제층(62)의 외주 단부(62e)와 다이 본드 필름(70)의 외주 단부(70e) 사이의 거리는 10 내지 30㎜ 정도이다.
이와 같은 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y에 있어서는, 링 프레임(81)의 접착되는 영역 R1'와 반도체 웨이퍼(82)의 접착되는 영역 R2'에서, 적층 구조가 상이하고, 두께가 상이하다. 다이싱 다이 본드 필름 Y에 있어서, 적층 구조의 상이 및 두께의 상이는, 익스팬드 시의 신장 정도에서의 불균일화의 주요한 원인으로 된다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름 Y에 있어서 적층 구조도 두께도 상이한 영역 R1'와 영역 R2'는, 할단용의 전술한 익스팬드 공정에서 잡아늘려지는 정도에 차를 발생하기 쉽다. 다이 본드 필름 Y에서의 영역 R1'(외측 영역)는, 그 적층 구조 중에 다이 본드 필름(70)을 갖지 않고 또한 내측의 영역 R2'보다도 얇으며, 따라서 익스팬드 공정에서 영역 R2'보다도 늘어나기 쉽다. 그리고, 다이싱 다이 본드 필름 Y의 익스팬드 시에서의 신장 정도가 불균일할수록, 할단 불량, 즉 익스팬드 공정에서 할단 예정 개소에 할단이 발생하지 않는 현상이 발생하기 쉽다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 고안해 낸 것으로서, 익스팬드 공정에서 접착제층을 양호하게 할단하는 데 적합한 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의해 제공되는 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프 및 접착제층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착제층은, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 하기 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제1 인장 응력에 대한, 하기 제2 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제2 인장 응력의 비의 값은, 0.9 내지 1.1이며, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 이와 같은 구성의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에서 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는데 사용할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름으로부터 잘라내어지는 제1 시험편의 길이 방향은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 소위 MD 방향이어도 되며, 이것에 직교하는 TD 방향이어도 되며, 다른 방향이어도 된다. 다이싱 다이 본드 필름으로부터 잘라내어지는 제2 시험편의 길이 방향은, 제1 시험편의 길이 방향과 동일해진다.
〔제1 시험편〕
다이싱 다이 본드 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역으로부터 잘라내어지는, 하나의 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
〔제2 시험편〕
다이싱 다이 본드 필름에서의 외측 영역보다도 안쪽의 내측 영역으로부터 잘라내어지는, 상기 하나의 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정, 즉 할단을 위한 익스팬드 공정이 실시되는 경우가 있는바, 이 익스팬드 공정에서는, 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름과 반도체 웨이퍼 등의 워크에 적절하게 할단력이 작용하는 것이 필요하다. 본 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는, 당해 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역에서 유래하는 상기 제1 시험편의 -15℃에서의 상기 제1 인장 응력에 대한, 상기 필름에서의 내측 영역에서 유래하는 상기 제2 시험편의 -15℃에서의 상기 제2 인장 응력의 비의 값이, 0.9 내지 1.1이며, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 이와 같은 구성은, 실온보다 저온인 -15℃ 및 그 근방의 온도에서 실시되는 할단용 저온 익스팬드 공정에 있어서, 상기 외측 영역과 내측 영역을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름에서 그 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다. 따라서, 당해 구성을 구비하는 본 다이싱 다이 본드 필름은, 저온 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프 위의 접착제층이나 워크에 작용하는 할단력의 균일화를 도모하는 데 적합하며, 이들을 양호하게 할단하는 데 적합하다.
이와 같이 익스팬드 시의 신장 정도에 대하여 균일화가 도모된 본 다이싱 다이 본드 필름은, 그 접착제층에 워크 접착용 영역 외에도 프레임 접착용 영역을 포함하도록, 다이싱 테이프 내지 그 점착제층과 그 위의 접착제층을 필름 면 내 방향에 있어서 실질적으로 동일한 치수로 설계하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름의 면 내 방향에 있어서, 접착제층의 외주 단부가 다이싱 테이프의 기재나 점착제층의 각 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는 설계를, 채용하는 것이 가능하다. 이러한 본 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층의 적층 구조를 갖는 하나의 다이싱 테이프를 형성하기 위한 가공과, 하나의 접착제층을 형성하기 위한 가공을, 하나의 펀칭 가공 등의 가공으로 일괄적으로 실시하는 데 적합하다.
전술한 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y의 제조 과정에 있어서는, 소정의 사이즈 및 형상의 다이싱 테이프(60)를 형성하기 위한 가공 공정(제1 가공 공정)과, 소정의 사이즈 및 형상의 다이 본드 필름(70)을 형성하기 위한 가공 공정(제2 가공 공정)이, 별개의 공정으로서 필요하다. 제1 가공 공정에서는, 예를 들어 소정의 세퍼레이터와, 기재(61)에 형성되게 되는 기재층과, 이들 사이에 위치하여 점착제층(62)에 형성되게 되는 점착제층과의 적층 구조를 갖는 적층 시트체에 대하여, 기재층의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공이 실시된다. 이에 의해, 세퍼레이터상의 점착제층(62)과 기재(61)의 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프(60)가, 세퍼레이터 위에 형성된다. 제2 가공 공정에서는, 예를 들어 소정의 세퍼레이터와, 다이 본드 필름(70)에 형성되게 되는 접착제층과의 적층 구조를 갖는 적층 시트체에 대하여, 접착제층의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공이 실시된다. 이에 의해, 세퍼레이터 위에 다이 본드 필름(70)이 형성된다. 이와 같이 별개의 공정으로 형성된 다이싱 테이프(60)와 다이 본드 필름(70)은, 그 후, 위치 정렬되면서 접합된다. 도 16에, 다이 본드 필름(70) 표면 및 점착제층(62) 표면을 덮는 세퍼레이터(83)를 수반하는 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y를 나타낸다.
이에 반하여, 다이싱 테이프 내지 그 점착제층과 그 위의 접착제층이 필름 면 내 방향에 있어서 실질적으로 동일한 설계 치수를 갖는 경우의 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층의 적층 구조를 갖는 하나의 다이싱 테이프를 형성하기 위한 가공과, 하나의 접착제층을 형성하기 위한 가공을, 하나의 펀칭 가공 등의 가공으로 일괄적으로 실시하는 데 적합한 것이다. 이러한 본 다이싱 다이 본드 필름은, 전술한 바와 같이 익스팬드 공정에서 접착제층을 양호하게 할단하기에 적합할 뿐만 아니라, 제조 공정수의 삭감의 관점이나 제조 비용 억제의 관점 등에 있어서 효율적으로 제조하는 데 적합하다.
본 다이싱 다이 본드 필름은, 바람직하게는 기재, 점착제층, 및 접착제층을 포함하고 또한 내측 영역 및 외측 영역에 걸쳐 연속하고 있는, 적층 구조를 갖는다. 이와 같은 구성은, 익스팬드 공정에서의 전술힌 양호한 할단성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.
본 다이싱 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 내측 영역 및 외측 영역에 걸쳐 균일하다. 이와 같은 구성은, 익스팬드 공정에서의 전술한 양호한 할단성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.
본 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 제1 인장 응력 및 제2 인장 응력은, -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 익스팬드시에 접착제층에 작용하는 할단력을 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 5N 이상, 보다 바람직하게는 8N 이상, 보다 바람직하게는 10N 이상이다. 또한, -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 익스팬드 시에서의 다이싱 테이프의 점착제층과 접착제층 사이의 박리를 억제한다는 관점에서는, 본 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 제1 인장 응력 및 제2 인장 응력은, 바람직하게는 28N 이하, 보다 바람직하게는 25N 이하, 보다 바람직하게는 20N 이하이다.
본 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층은, -15℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 1.5N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 2N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 또한, 이 접착제층은, 동일한 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 100N/10㎜ 이하, 바람직하게는 50N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 점착력에 관한 당해 구성은, 실온보다 저온인 -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 본 다이싱 다이 본드 필름에 의한 프레임 부재의 유지를 확보하는 데 있어서 적합하다.
본 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제3 인장 응력, 및 제2 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제4 인장 응력은, 바람직하게는 1N 이상, 보다 바람직하게는 3N 이상, 보다 바람직하게는 5N 이상이다. 이와 같은 구성은, 상기 외측 영역과 내측 영역을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 23℃ 및 그 근방의 온도에서 익스팬드될 때의 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다. 할단용 익스팬드 공정 후에는, 다이싱 테이프 위의 할단 후의 복수의 접착제층 부착 반도체 칩에 대하여 이격 거리를 확장하기 위해 다시 익스팬드 공정이 상온에서 행해지는 경우가 있으며, 제3 및 제4 인장 응력에 관한 상기 구성은, 이 상온 익스팬드 공정에서의 다이싱 다이 본드 필름의 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다. 또한, 23℃ 및 그 근방의 온도에서의 익스팬드 시에서의 다이싱 테이프의 점착제층과 접착제층과의 사이의 박리를 억제한다는 관점에서는, 본 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 제3 인장 응력 및 제4 인장 응력은, 바람직하게는 20N 이하, 보다 바람직하게는 15N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다.
본 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 제3 인장 응력에 대한 제4 인장 응력의 비의 값은, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 이와 같은 구성은, 상기 외측 영역과 내측 영역을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 23℃ 및 그 근방의 온도에서 익스팬드될 때의 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다.
본 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층은, 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 0.1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.3N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.5N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 23℃ 및 그 근방의 온도에서의 본 다이싱 다이 본드 필름에 의한 프레임 부재의 유지를 확보하는 데 있어서 적합하다. 또한, 이 접착제층은, 동일한 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 20N/10㎜ 이하, 바람직하게는 10N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 본 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층으로부터 링 프레임 등의 프레임 부재를 박리할 때 당해 프레임 부재에 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제하는 데 적합하다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 세퍼레이터를 수반하는 경우의 일례를 나타낸다.
도 3은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법의 일례를 나타낸다.
도 4는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 4에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 6은, 도 5에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 7은, 도 6에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 8은, 도 7에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 9는, 도 8에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 10은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 12는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 13은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 14는, 종래의 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 15는, 도 14에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 사용 형태를 나타낸다.
도 16은, 도 14에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 일 공급 형태를 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 다이싱 테이프(10)와 접착제층(20)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 테이프(10)은, 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착제층(20)은, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서의 예를 들어 후기와 같은 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이며, 반도체 웨이퍼 등의 워크에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름 X의 직경은, 예를 들어 345 내지 380㎜의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280㎜의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 195 내지 230㎜의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형), 또는 495 내지 530㎜의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형)에 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 하기 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제1 인장 응력은, 바람직하게는 5N 이상, 보다 바람직하게는 8N 이상, 보다 바람직하게는 10N 이상이다. 하기 제2 시험편에 대하여 상기와 동일한 조건(초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건)에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제2 인장 응력은, 바람직하게는 5N 이상, 보다 바람직하게는 8N 이상, 보다 바람직하게는 10N 이상이다. 이들 제1 인장 응력 및 제2 인장 응력은, 각각, 바람직하게는 28N 이하, 보다 바람직하게는 25N 이하, 보다 바람직하게는 20N 이하이다. 또한, 제1 인장 응력(-15℃)에 대한 제2 인장 응력(-15℃)의 비의 값은, 0.9 내지 1.1이며, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 다이싱 다이 본드 필름 X로부터 잘라내어지는 제1 시험편의 길이 방향은, 다이싱 다이 본드 필름 X에 관한 소위 MD 방향이어도 되고, 이것에 직교하는 TD 방향이어도 되며, 다른 방향이어도 된다. 다이싱 다이 본드 필름 X로부터 잘라내어지는 제2 시험편의 길이 방향은, 제1 시험편의 길이 방향과 동일해진다. 또한, 인장 응력에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정할 수 있다.
〔제1 시험편〕
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역 R1로부터 잘라내어지는, 일 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
〔제2 시험편〕
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 외측 영역 R1보다도 안쪽의 내측 영역 R2로부터 잘라내어지는, 상기 일 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
또한, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제3 인장 응력, 및 제2 시험편에 대하여 동일 조건(초기 척간 거리 20㎜, 23℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건)에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제4 인장 응력은, 각각, 바람직하게는 1N 이상, 보다 바람직하게는 3N 이상, 보다 바람직하게는 5N 이상이다. 이들 제3 인장 응력 및 제4 인장 응력은, 각각, 바람직하게는 20N 이하, 보다 바람직하게는 15N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 또한, 제3 인장 응력(23℃)에 대한 제4 인장 응력(23℃)의 비의 값은, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다.
다이싱 테이프(10)의 기재(11)는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(11)는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 적합하게 사용할 수 있다. 당해 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐 술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)를 들 수 있다. 기재(11)는, 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상의 재료로 이루어져도 된다. 기재(11)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(11)에 있어서 양호한 열수축성을 확보하여, 후술하는 이격용 익스팬드 공정에서 실현되는 칩 이격 거리를 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)의 부분적 열수축을 이용하여 유지한다는 관점으로부터는, 기재(11)는, 주성분으로서 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 기재(11)의 주성분은, 구성 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 성분으로 한다. 또한, 기재(11)는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되며, 2축 연신 필름이어도 된다. 기재(11) 위의 점착제층(12)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화형인 경우, 기재(11)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 시에 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)를 예를 들어 부분적인 가열에 의해 수축시키는 경우, 예를 들어 후술하는 이격용 익스팬드 공정에서 실현되는 칩 이격 거리를 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)의 부분적 열수축을 이용하여 유지하는 경우에는, 기재(11)는 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(11)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현하는 데 있어서는, 기재(11)는 2축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽의 열수축률을 의미하도록 한다.
기재(11)에서의 점착제층(12)측의 표면은, 점착제층(12)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리 또는 하도 처리가 실시되고 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다. 밀착성을 높이기 위한 당해 처리는, 기재(11)에서의 점착제층(12)측의 표면 전체에 실시되어 있는 것이 바람직하다.
기재(11)의 두께는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 지지체로서 기재(11)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(11)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)은, 점착제를 함유한다. 점착제는, 방사선 조사나 가열 등 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감형 점착제)여도 되고, 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 완전히 저감되지 않은 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 되고, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용하여 개편화되는 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층(12) 중의 점착제로서 점착력 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 접착제층(20)을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름 X가 소정의 웨이퍼 다이싱 공정에 사용될 때에는, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층(12)으로부터의 접착제층(20) 등 피착체의 들뜸이나 박리를 억제·방지하는 것이 가능하게 되는 한편, 그보다 뒤에, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층 부착 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층(12)의 점착력을 저감시킨 다음, 점착제층(12)으로부터 접착제층 부착 반도체 칩을 적절하게 픽업하는 것이 가능해진다.
이와 같은 점착력 저감형 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제(방사선 경화성을 갖는 점착제)나 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(12)에 있어서는, 1종류의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되며, 점착제층(12)에서의 소정의 부위가 점착력 저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화형 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제된 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 이하에서는, 「(메트)아크릴」로써 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 나타낸다.
아크릴계 중합체의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르, (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산 아릴에스테르 등의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸 에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(즉 라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸 에스테르 및 시클로헥실 에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 페닐 및 (메트)아크릴산 벤질을 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 1종류의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용해도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용해도 된다. (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
아크릴계 중합체는, 그 응집력이나 내열성 등을 개질하기 위해서, (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그와 같은 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드 및 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시 에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시 펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 글리시딜기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 글리시딜 및 (메트)아크릴산 메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트를 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 당해 다른 단량체로서는, 1종류의 단량체를 사용해도 되고, 2종류 이상의 단량체를 사용해도 된다. (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 당해 다른 단량체 성분의 비율은, 바람직하게는 60질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
아크릴계 중합체는, 그 중합체 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르 등의 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리 (메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(즉 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 다관능성 단량체로서는, 1종류의 다관능성 단량체를 사용해도 되고, 2종류 이상의 다관능성 단량체를 사용해도 된다. 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 다관능성 단량체의 비율은, (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 바람직하게는 40질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 중합체는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법에서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12) 중의 저분자량 물질은 적은 편이 바람직한바, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.
점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체의 수 평균 분자량을 높이기 위해서 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
방사선 경화형 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화형 점착제 중의 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성되는 점착제층(12)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 예를 들어 5 내지 500질량부이며, 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄 중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 형성되는 점착제층(12) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않은 경시적 변화를 억제하는 데 있어서 적합하다.
내재형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 중합체로서는, 전술한 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 아크릴계 중합체에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 단량체를 포함하는 원료 단량체를 공중합시켜 아크릴계 중합체를 얻고 난 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 발생해서 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대해서 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이, 적합하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높은바, 아크릴계 중합체의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 중합체측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가, 보다 적합하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기된 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 제1 관능기를 수반하는 아크릴계 중합체로서는, 상기 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하는 것이 적합하며, 2-히드록시에틸비닐에테르나, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하는 것도 적합하다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
점착제층(12)에서의 상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제인바, 발포제로서는 다양한 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있고, 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 외피 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로 메탄 등의 염불화 알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, p-톨루일렌술포닐세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 및 N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다. 상기와 같은 열팽창성 미소구를 이루기 위한, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 외피 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 외피 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그와 같은 물질로서는, 예를 들어 염화 비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 및 폴리술폰을 들 수 있다.
전술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감형 점착제에 관하여 전술한 방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(12)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비 저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되며, 점착제층(12)에서의 소정의 부위가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.
방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제)는, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감 되어 있도록 해도, 함유하는 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태에 있어서는, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우, 점착제층(12)의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층(12)의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되어도 되며, 점착제층(12)의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되고 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제로 형성되어도 된다.
방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 점착제층(12)의 적어도 일부에 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 다음과 같은 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 우선, 다이싱 테이프(10)의 기재(11) 위에 방사선 경화형 점착제에 의한 점착제층(방사선 경화형 점착제층)을 형성한다. 이어서, 이 방사선 경화형 점착제층의 소정의 일부 또는 전체에 방사선을 조사하여, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 적어도 일부에 포함하는 점착제층을 형성한다. 이어서, 당해 점착제층 위에, 후술하는 접착제층(20)으로 되는 접착제층을 형성한다. 그 후, 이들 점착제층과 접착제층에 대한 예를 들어 후기와 같은 일괄적인 가공 형성 방법에 의해, 점착제층(12) 및 접착제층(20)을 함께 형성한다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 점착제층(12)의 적어도 일부에 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 혹은 다음과 같은 과정을 거쳐 제조할 수도 있다. 우선, 다이싱 테이프(10)의 기재(11) 위에 방사선 경화형 점착제에 의한 점착제층(방사선 경화형 점착제층)을 형성한다. 이어서, 이 방사선 경화형 점착제층 위에 후술하는 접착제층(20)으로 되는 접착제층을 형성한다. 이어서, 방사선 경화형 점착제층의 소정의 일부 또는 전체에 방사선을 조사하여, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 적어도 일부에 포함하는 점착제층을 형성한다. 그 후, 이들 점착제층과 접착제층에 대한 예를 들어 후기와 같은 일괄적인 가공 형성 방법에 의해, 점착제층(12) 및 접착제층(20)을 함께 형성한다.
한편, 점착제층(12)에서의 감압형 점착제로서는, 공지 내지 관용의 점착제를 사용할 수 있으며, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 적합하게 사용할 수 있다. 점착제층(12)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 중합체인 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제에 관하여 전술한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에는, 전술한 각 성분 외에도, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을, 함유 해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아 착색하는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.
점착제층(12)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(12)의 방사선 경화의 전후에서의 접착제층(20)에 대한 접착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)은, 다이 본딩용 열경화성을 나타내는 접착제로서의 기능과, 반도체 웨이퍼 등의 워크와 링 프레임 등의 프레임 부재를 유지하기 위한 점착 기능을 병유한다. 본 실시 형태에 있어서, 접착제층(20)을 이루기 위한 점 접착제는, 열경화성 수지와 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다. 접착제층(20)을 이루기 위한 점 접착제가, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 점 접착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 이러한 접착제층(20)은, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다.
다이 본딩용 접착제로서의 기능과 점착 기능을 병유하는 접착제층(20)은, 폭 4㎜의 접착제층 시료편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 주파수 10㎐, 동적 변형 ±0.5㎛ 및 승온 속도 5℃/분의 조건(인장 저장 탄성률 측정 조건)에서 측정되는 -15℃에서의 인장 저장 탄성률(제1 인장 저장 탄성률)이 1000 내지 4000MPa이며, 바람직하게는 1200 내지 3900MPa, 보다 바람직하게는 1500 내지 3800MPa이다. 이와 함께 접착제층(20)은, 폭 4㎜의 접착제층 시료편에 대하여 상기한 인장 저장 탄성률 측정 조건에서 측정되는 23℃에서의 인장 저장 탄성률(제2 인장 저장 탄성률)이 10 내지 240MPa이며, 바람직하게는 20 내지 200MPa, 보다 바람직하게는 40 내지 150MPa이다. 인장 저장 탄성률에 대해서는, 동적 점탄성 측정 장치(상품명 「Rheogel-E4000」, UBM사 제조)를 사용하여 행하는 동적 점탄성 측정에 기초하여 구할 수 있다. 그 측정에 있어서는, 측정 대상물된 시료편의 사이즈를 폭 4㎜×길이 20㎜로 하고, 시료편 유지용 척의 초기 척간 거리를 10㎜로 하고, 측정 모드를 인장 모드로 하고, 측정 온도 범위를 -30℃ 내지 100℃로 하고, 주파수를 10㎐라고 해서 동적 변형을 ±0.5％로 하며, 승온 속도를 5℃/분으로 한다.
다이 본딩용 접착제로서의 기능과 점착 기능을 병유하는 접착제층(20)은, -15℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건(제1 조건)에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 1.5N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 2N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 상기 제1 조건에서의 박리 시험에 있어서, 이 접착제층(20)은, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 100N/10㎜ 이하, 바람직하게는 50N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 또한, 접착제층(20)은, 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건(제2 조건)에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 0.1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.3N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.5N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 상기 제2 조건에서의 박리 시험에 있어서, 이 접착제층(20)은, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 20N/10㎜ 이하, 바람직하게는 10N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이러한 180° 박리 점착력에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정할 수 있다. 그 측정에 제공되는 시료편은, 보강 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 의해 보강되며, 또한, 폭 20㎜×길이 100㎜의 사이즈를 갖는다. 당해 시료편의 피착체인 SUS판에 대한 접합은, 2㎏의 롤러를 1 왕복시키는 압착 작업에 의해 행해진다. 또한, 본 측정에 있어서는, 측정 온도 내지 박리 온도는 -15℃(제1 조건) 또는 23℃(제2 조건)로 되고, 박리 각도는 180°로 되며, 인장 속도는 300㎜/분으로 된다.
접착제층(20)이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 접착제층(20)을 이루는 데에는, 1종류의 열경화성 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 사용해도 된다. 다이 본딩 대상의 반도체 칩의 부식 원인으로 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 이유에서, 접착제층(20)에 포함되는 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다. 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하며 또한 내열성이 우수한 점에서, 접착제층(20)에 포함되는 에폭시 수지로서 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 1종류의 페놀 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 사용해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 경향이 있으므로, 접착제층(20)에 포함되는 에폭시 수지의 경화제로서 바람직하다.
접착제층(20)에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량이 되는 양으로 포함된다.
접착제층(20)에 포함되는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 불소 수지를 들 수 있다. 접착제층(20)을 이루기 위해서는, 1종류의 열가소성 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 사용해도 된다. 접착제층(20)에 포함되는 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적으며 또한 내열성이 높기 때문에 접착제층(20)에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다는 이유에서, 아크릴 수지가 바람직하다. 또한, 후술하는 링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립의 관점에서는, 접착제층(20)은, 열가소성 수지가 주성분으로 하고, 유리 전이 온도가 -10 내지 10℃의 중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 주성분은, 열가소성 수지 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 수지 성분으로 한다.
중합체의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기 Fox의 식에 기초하여 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 사용할 수 있다. Fox의 식은, 중합체의 유리 전이 온도Tg와, 당해 중합체에서의 구성 단량체마다의 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi와의 관계식이다. 하기 Fox의 식에 있어서, Tg는 중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 중합체를 구성하는 단량체 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 단량체 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌치를 사용할 수 있는데, 예를 들어 「신 고분자 문고 7 도료용 합성 수지 입문」 (기타오카 교조 저, 고분자 간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미츠비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 한편, 단량체의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.
Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]
접착제층(20)에 열가소성 수지로서 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용할 수 있다. 접착제층(20)에 열가소성 수지로서 포함되는 아크릴 수지는, (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그와 같은 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체나, 각종 다관능성 단량체를 들 수 있으며, 구체적으로는, 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체로서 상기한 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 접착제층(20)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 접착제층(20)에 포함되는 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르 (특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산 알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 단량체와, 질소 원자 함유 단량체와, 다관능성 단량체(특히 폴리글리시딜계 다관능 단량체)의 공중합체이며, 보다 바람직하게는, 아크릴산 에틸과, 아크릴산 부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트와의 공중합체이다.
접착제층(20)에서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착제층(20)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
접착제층(20)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 경화제로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분으로 되는 경우가 있는 외부 가교제로서 상기한 것을 사용할 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 적합하게 사용할 수 있는데, 예를 들어 상기 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 접착제층(20)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 접착제층(20)에 포함되는 전술한 수지의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합할 수 있는 다관능성화합물을 가교제로서 접착제층 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 접착제층(20)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 데 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 데 있어서 적합하다. 그와 같은 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 접착제층 형성용의 수지 조성물에서의 가교제의 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 접착제층(20)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 접착제층(20)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 접착제층(20)에서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
접착제층(20)에서의 이상과 같은 고분자량 성분의 함유 비율은, 바람직하게는 50 내지 100질량％, 보다 바람직하게는 50 내지 80질량％이다. 고분자량 성분은, 중량 평균 분자량 10000 이상의 성분으로 한다. 이와 같은 구성은, 후술하는 링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립을 도모하는 데 있어서 바람직하다. 또한, 접착제층(20)은, 23℃에서 액상인 액상 수지를 포함해도 된다. 접착제층(20)이 그와 같은 액상 수지를 포함하는 경우, 접착제층(20)에서의 당해 액상 수지의 함유 비율은, 바람직하게는 1 내지 10질량％, 보다 바람직하게는 1 내지 5질량％이다. 이와 같은 구성은, 후술하는 링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립을 도모하는 데 있어서 바람직하다.
접착제층(20)은, 필러를 함유하고 있어도 된다. 접착제층(20)에 대한 필러의 배합에 의해, 접착제층(20)의 인장 저장 탄성률 등의 탄성률이나, 도전성, 열전도성등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있는바, 특히 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트를 들 수 있다. 필러는, 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 접착제층(20)에서의 필러로서는, 1종류의 필러를 사용해도 되고, 2종류 이상의 필러를 사용해도 된다. 후술하는 저온 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임에 대한 접착제층(20)의 접착성을 확보하기 위해서는, 접착제층(20)에서의 필러 함유 비율은, 바람직하게는 30질량％ 이하, 보다 바람직하게는 25질량％ 이하이다.
접착제층(20)이 필러를 함유하는 경우에서의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이라는 구성은, 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현하는 데 있어서 적합하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라는 구성은, 접착제층(20)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 향수함과 함께 내열성을 확보하는 데 있어서 적합하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.
접착제층(20)은, 필요에 따라 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 브롬화 에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤제의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 600」) 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 「교와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온과의 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스 페놀, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디 (1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그와 같은 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산 메틸, 피로갈롤 등을 들 수 있다. 이상과 같은 다른 성분으로서는, 1종류의 성분을 사용해도 되고, 2종류 이상의 성분을 사용해도 된다.
접착제층(20)의 두께는, 예를 들어 1 내지 200㎛의 범위에 있다. 당해 두께의 상한은, 바람직하게는 100㎛, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 당해 두께의 하한은, 바람직하게는 3㎛, 보다 바람직하게는 5㎛이다.
본 실시 형태에서는, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 기재(11), 점착제층(12) 및 접착제층(20)을 포함하고 또한 내측 영역 R2 및 외측 영역 R1에 걸쳐 연속하고 있는, 적층 구조를 갖는다. 이러한 다이싱 다이 본드 필름 X의 두께는, 바람직하게는 외측 영역 R1 및 내측 영역 R2에 걸쳐 균일하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 면 내 방향 D에 있어서, 다이싱 테이프(10)에서의 기재(11)의 외주 단부(11e) 및 점착제층(12)의 외주 단부(12e)로부터, 접착제층(20)의 외주 단부(20e)가, 1000㎛ 이내, 바람직하게는 500㎛ 이내의, 거리에 있다. 즉, 접착제층(20)의 외주 단부(20e)는, 전체 둘레에 걸쳐, 필름 면 내 방향 D에 있어서, 기재(11)의 외주 단부(11e)에 대하여 내측 1000㎛ 내지 외측 1000㎛의 사이, 바람직하게는 내측 500㎛ 내지 외측 500㎛의 사이에 있고, 또한, 점착제층(12)의 외주 단부(12e)에 대하여 내측 1000㎛ 내지 외측 1000㎛의 사이, 바람직하게는 내측 500㎛ 내지 외측 500㎛의 사이에 있다. 다이싱 테이프(10) 내지 그 점착제층(12)과 그 위의 접착제층(20)이 면 내 방향 D에 있어서 실질적으로 동일한 치수를 갖는 당해 구성에서는, 접착제층(20)은, 워크 접착용 영역 외에도 프레임 접착용의 영역을 포함하게 된다.
다이싱 다이 본드 필름 X는, 도 2에 도시한 바와 같이 세퍼레이터 S를 수반해도 된다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름 X마다, 세퍼레이터 S를 수반하는 시트 형상의 형태를 취해도 되며, 세퍼레이터 S가 긴 형상이며 그 위에 복수의 다이싱 다이 본드 필름 X가 배치되고 또한 당해 세퍼레이터 S가 권회되어 롤의 형태로 되어도 된다. 세퍼레이터 S는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)의 표면을 피복해서 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터 S로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 세퍼레이터 S의 두께는, 예를 들어 5 내지 200㎛이다.
이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)에 가공 형성되게 되는 시트체에 대해서는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 기재(11)에 가공 형성되게 되는 기재(11') 위에 점착제층(12)에 가공 형성되게 되는 점착제층(12')을 설치함으로써 제작할 수 있다. 수지제의 기재(11')는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(11')에는, 필요에 따라서 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(12')의 형성에 있어서는, 예를 들어 점착제층 형성용의 점착제 용액을 조제한 후, 우선, 당해 점착제 용액을 기재(11') 위 또는 소정의 세퍼레이터 위에 도포하여 점착제 도막을 형성한다. 점착제 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 도막에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 가교 반응을 발생시키고, 또한, 필요에 따라 탈용매한다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(12')이 세퍼레이터 위에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(12')을 기재(11')에 접합하고, 그 후, 세퍼레이터가 박리된다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(10)에 가공 형성되게 되는 시트체인 테이프(10')를 제작할 수 있다.
한편, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 접착제층(20)에 가공 형성되게 되는 접착제 필름(20')을 제작한다. 접착제 필름(20')의 제작에 있어서는, 접착제층 형성용의 접착제 조성물을 조제한 후, 우선, 당해 접착제 조성물을 세퍼레이터 S 위에 도포하여 접착제 조성물층을 형성한다. 접착제 조성물층의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 접착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 가교 반응을 발생시키고, 또한, 필요에 따라 탈용매한다. 가열 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 가열 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터 S를 수반하는 접착제 필름(20')을 제작할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 제조에 있어서는, 다음으로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 전술한 테이프(10')의 점착제층(12')측과 접착제 필름(20')을 압착해서 접합한다. 이에 의해, 세퍼레이터 S와, 접착제 필름(20')과, 점착제층(12')과, 기재(11')를 포함하는 적층 구조를 갖는 적층 시트체가 제작된다. 본 공정에 있어서, 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/cm이다. 점착제층(12)이 전술한 바와 같은 방사선 경화형 점착제층인 경우에 접착제 필름(20')의 접합보다 후에 점착제층(12')에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 테이프(10')의 예를 들어 기재(11')의 측으로부터 점착제층(12')에 방사선 조사를 행하고, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 그 조사 영역은, 예를 들어 접착제층(20)과 밀착하게 되는 점착제층(12)의 전체이다. 또한, 본 발명에 있어서는, 점착제층(12') 내지 점착제층(12)이 자외선 경화형 등의 방사선 경화형의 점착제층으로서 설계되어 있는 경우라도, 접착제 필름(20') 내지 접착제층(20)은, 자외선 등 방사선의 조사에 의해서는 경화되지 않는 구성을 갖는다.
다음으로, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 적층 시트체에 대해서, 기재(11')의 측으로부터 세퍼레이터 S에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공을 실시한다(도 3의 (d)에서는 절단 개소를 모식적으로 굵은 선으로 나타냄). 예를 들어, 적층 시트체를 일 방향 F로 일정 속도로 이동시키면서, 그 방향 F에 직교하는 축심 둘레에 회전 가능하게 배치되고 또한 펀칭 가공용 가공날을 롤 표면에 수반하는 가공날 부착 회전 롤(도시생략)의 가공날 부착 표면을, 적층 시트체의 기재(11')측에 소정의 압박력을 수반하여 맞닿게 한다. 이에 의해, 다이싱 테이프(10)(기재(11), 점착제층(12))와 접착제층(20)이 일괄적으로 가공 형성되고, 다이싱 다이 본드 필름 X가 세퍼레이터 S 위에 형성된다. 이 후, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름 X의 주위의 재료 적층부를 세퍼레이터 S 위에서 제거한다.
이상과 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 X를 제조할 수 있다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정, 즉, 할단을 위한 익스팬드 공정이, 실시되는 경우가 있는바, 익스팬드 공정에서는, 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름과 반도체 웨이퍼 등의 워크에 적절하게 할단력이 작용하는 것이 필요하다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서는, 당해 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역 R1에서 유래하는 상기 제1 시험편의 -15℃에서의 상기 제1 인장 응력에 대한, 상기 필름에서의 내측 영역 R2에서 유래하는 상기 제2 시험편의 -15℃에서의 상기 제2 인장 응력의 비의 값이, 0.9 내지 1.1이며, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 이와 같은 구성은, 실온보다 저온인 -15℃ 및 그 근방의 온도에서 실시되는 할단용의 저온 익스팬드 공정에 있어서, 상기 외측 영역 R1과 내측 영역 R2를 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X에서 그 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다. 따라서, 당해 구성을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 저온 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프(10) 상의 접착제층(20)이나 워크에 작용하는 할단력의 균일화를 도모하는 데 적합하며, 이들을 양호하게 할단하는 데 적합하다.
이와 같이 익스팬드 시의 신장 정도에 대하여 균일화가 도모된 다이싱 다이 본드 필름 X는, 그 접착제층(20)에 워크 접착용 영역 외에도 프레임 접착용 영역을 포함하도록, 다이싱 테이프(10) 내지 그 점착제층(12)과 그 위의 접착제층(20)을 필름 면 내 방향에 있어서 실질적으로 동일한 치수로 설계하는 것이 가능하다. 본 실시 형태와 같이, 다이싱 다이 본드 필름 X의 면 내 방향에 있어서, 접착제층(20)의 외주 단부가 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)의 각 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는 설계를, 채용하는 것이 가능하다. 이러한 다이싱 다이 본드 필름 X는, 기재(11)와 점착제층(12)의 적층 구조를 갖는 하나의 다이싱 테이프(10)를 형성하기 위한 가공과, 하나의 접착제층(20)을 형성하기 위한 가공을, 하나의 펀칭 가공 등의 가공으로 일괄적으로 실시하는 데 적합하다. 이러한 다이싱 다이 본드 필름 X는, 전술한 바와 같이 익스팬드 공정에서 접착제층(20)을 양호하게 할단하는 데 적합할 뿐만 아니라, 제조 공정수의 삭감의 관점이나 제조 비용 억제의 관점 등에 있어서 효율적으로 제조하는 데 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X는, 전술한 바와 같이, 기재(11), 점착제층(12) 및 접착제층(20)을 포함하고 또한 내측 영역 R2 및 외측 영역 R1에 걸쳐 연속하고 있는, 적층 구조를 갖는다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X의 두께는, 전술한 바와 같이, 내측 영역 R2 및 외측 영역 R1에 걸쳐 균일한 것이 바람직하다. 이들 구성은, 익스팬드 공정에서의 전술이 양호한 할단성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 -15℃에서의 상기 제1 인장 응력 및 제2 인장 응력은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 5N 이상, 보다 바람직하게는 8N 이상, 보다 바람직하게는 10N 이상이다. 이와 같은 구성은, -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 다이싱 다이 본드 필름 X의 익스팬드 시에 접착제층(20)에 작용하는 할단력을 확보하는 데 있어서 바람직하다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 -15℃에서의 상기 제1 인장 응력 및 제2 인장 응력은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 28N 이하, 보다 바람직하게는 25N 이하, 보다 바람직하게는 20N 이하이다. 이와 같은 구성은, -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 다이싱 다이 본드 필름 X의 익스팬드 시에서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)과 접착제층(20) 사이의 박리를 억제하는 데 있어서 바람직하다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)은, 전술한 바와 같이, -15℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 1.5N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 2N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 또한, 이 접착제층(20)은, 동일한 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 100N/10㎜ 이하, 바람직하게는 50N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 점착력에 관한 당해 구성은, 실온보다 저온인 -15℃ 및 그 근방의 온도에서의 다이싱 다이 본드 필름 X에 의한 프레임 부재의 유지를 확보하는 데 있어서 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제3 인장 응력, 및 제2 시험편에 대하여 동일 조건(초기 척간 거리 20㎜, 23℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건)에서 행해지는 인장 시험에서 변형값 30％에서 발생하는 제4 인장 응력은 전술한 바와 같이, 바람직하게는 1N 이상, 보다 바람직하게는 3N 이상, 보다 바람직하게는 5N 이상이다. 이와 같은 구성은, 상기 외측 영역 R1과 내측 영역 R2를 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 23℃ 및 그 근방의 온도에서 익스팬드될 때의 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다. 또한, 이것들 제3 인장 응력 및 제4 인장 응력은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 20N 이하, 보다 바람직하게는 15N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 이와 같은 구성은, 23℃ 및 그 근방의 온도에서의 다이싱 다이 본드 필름 X의 익스팬드 시에서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)과 접착제층(20) 사이의 박리를 억제하는 데 있어서 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 상기 제3 인장 응력에 대한 제4 인장 응력의 비의 값은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다. 이와 같은 구성은, 상기 외측 영역 R1과 내측 영역 R2를 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 23℃ 및 그 근방의 온도에서 익스팬드될 때의 신장 정도의 균일화를 도모하는 데 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)은, 전술한 바와 같이, 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 바람직하게는 0.1N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.3N/10㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.5N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 23℃ 및 그 근방의 온도에서의 다이싱 다이 본드 필름 X에 의한 프레임 부재의 유지를 확보하는 데 있어서 적합하다. 또한, 이 접착제층(20)은, 전술한 바와 같이, 동일한 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 20N/10㎜ 이하, 바람직하게는 10N/10㎜ 이하의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)으로부터 링 프레임 등의 프레임 부재를 박리할 때에 당해 프레임 부재에 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제하는 데 적합하다.
도 4 내지 도 9는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 4 내지 도 6에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
다음으로, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리가 행해진다.
다음으로, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에서의 연결부의 두께, 즉 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단과의 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.
다음으로, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼(30A)가 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2가 박리된다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 전술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 접착제층(20)에 대한 접합의 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역 L)은, 예를 들어 점착제층(12)에서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
다음으로, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 접착제층(20) 위에 링 프레임(41)이 부착된 후, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정된다.
다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 행해지고, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)이 소편의 접착제층(21)으로 할단되어, 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되어, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 3 내지 16㎜이다.
본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 얇아서 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정의 후, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태가 해제된다.
다음으로, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 행해지고, 접착제층 부착 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)가 확장된다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가 다시 상승되어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이며, 바람직하게는 0.3 내지 1㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 본 공정에서는 접착제층 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 확장할 수 있다. 본 공정의 후, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 위의 접착제층 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하기 위해서는, 익스팬드 상태를 해제하기보다 전에, 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31) 유지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31) 측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라 거친 후, 도 8에 도시한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 접착제층 부착 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올리기 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올리기 양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
다음으로, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업된 접착제층 부착 반도체 칩(31)이, 소정의 피착체(51)에 대해서 접착제층(21)을 통해 임시 고착된다. 피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 및 별도 제작한 반도체 칩을 들 수 있다. 접착제층(21)의 임시 고착 시에서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해서 바람직하게는 0.2MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 접착제층(21)의 당해 전단 접착력이 0.2MPa 이상이라는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 접착제층(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행하는 데 적합하다. 또한, 접착제층(21)의 임시 고착 시에서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해서 바람직하게는 0.01MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.
다음으로, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현되어, 접착제층(21)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이며, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분 간이다.
다음으로, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 피착체(51) 위의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 접착제층(21)의 열경화가 진행한다. 본 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)가 형성된다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정(밀봉 공정)에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분하게는 진행되지 않는 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 밀봉 공정에 있어서 접착제층(21)이 완전하게는 열경화되지 않는 경우라도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 접착제층(21)이 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
이상과 같이 하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 피착체(51)에 임시 고착된 후, 접착제층(21)이 완전한 열경화에 이르지 않고 와이어 본딩 공정이 행해진다. 이와 같은 구성 대신에, 본 발명에서는, 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 피착체(51)에 임시 고착된 후, 접착제층(21)이 열경화되고 나서 와이어 본딩 공정이 행해져도 된다.
본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 4의 (d)를 참조하여 전술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 4의 (c)를 참조하여 전술한 과정을 거친 후, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어서, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30a) 그 자체가 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르기보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 숫돌로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)를 참조하여 전술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 10에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 본 발명에서는, 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음에, 도 5 내지 도 9를 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)이 소편의 접착제층(21)으로 할단되어 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소가 할단되게 된다.
본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된다는 전술한 구성 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되어도 된다.
도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 우선, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)이 형성된다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3이 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대하여 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)가 형성된다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있는바, 본 실시 형태에서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스폭 1㎲ 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
다음으로, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 본 발명에서는, 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음, 도 5 내지 도 9를 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는, 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)이, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)이 소편의 접착제층(21)으로 할단되어 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다.
또한, 본 발명에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 전술한 바와 같이 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 데에 사용할 수 있는바, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 할 경우에서의 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 데에도 사용할 수 있다. 그러한 3차원 실장에서의 반도체 칩(31) 사이에는, 접착제층(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되며, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.
실시예
〔실시예 1〕
<다이싱 테이프의 제작>
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산 도데실 100몰부와, 아크릴산 2-히드록시에틸(2HEA) 20몰부와, 이들 단량체 성분 100질량부에 대해서 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화 벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 60℃에서 10시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 당해 중합체 용액 중의 아크릴계 중합체 P1의 중량 평균 분자량(Mw)은 45만이었다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 실온에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 아크릴산 도데실 100몰부에 대하여 20몰부이며, 아크릴계 중합체 P1에서의 2HEA 유래 유닛 내지 그 수산기의 총량에 대한 당해 MOI 배합량의 몰 비율은 1이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 중합체 P1 100질량부에 대해서 0.03질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 P2를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 당해 중합체 용액에, 아크릴계 중합체 P2 100질량부에 대해서 1질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「 코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 127」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한, 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해서 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 용액을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 점착제 용액을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 점착제층의 두께에 대해서는, 다이알게이지(상품명 「C-7HS」, 가부시키가이샤 오자키 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하고, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「RB-0104」, 두께 130㎛, 구라시키 보세키 가부시키가이샤 제조)를 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여, 실시예 1에서의 다이싱 테이프를 제작하였다.
<접착제층의 제작>
아크릴 수지 A1(아크릴산 에틸과 아크릴산 부틸과 아크릴로니트릴과 글리시딜메타크릴레이트와의 공중합체, 중량 평균 분자량은 120만, 유리 전이 온도는 0℃, 에폭시 가는 0.4eq/㎏) 100질량부와, 페놀 수지(상품명 「8210DL」, 군에이화학공업 가부시키가이샤 제조) 25질량부와, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000」, 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 25질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 실온에서의 점도가 700mPa·s가 되도록 농도를 조정하고, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하였다. 이상과 같이 하여, 실시예 1에서의 두께 7㎛의 접착제층을 PET 세퍼레이터 위에 제작하였다. 접착제층의 두께에 대해서는, 다이알게이지(상품명 「C-7HS」, 가부시키가이샤 오자키 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
전술한 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리한 후, 다이싱 테이프에 있어서 노출한 점착제층과, 세퍼레이터를 수반하는 전술한 접착제층을, 라미네이터를 사용하여 실온에서 접합하고, 적층 시트체를 얻었다. 이어서, 이 적층 시트체에 대하여, 다이싱 테이프의 EVA 기재의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 펀칭 가공을 행하였다. 이에 의해, 직경 370㎜의 원반 형상의 다이싱 다이 본드 필름이 세퍼레이터 위에 형성되었다.
〔실시예 2〕
접착제층의 두께를 7㎛ 대신에 10㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 접착제층과 마찬가지로 하여, 실시예 2에서의 접착제층을 PET 세퍼레이터 위에 제작하였다. 그리고, 실시예 1에서의 접착제층 대신 실시예 2에서의 당해 접착제층을 사용한 것 이외는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 3〕
접착제층의 두께를 7㎛ 대신에 20㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 접착제층과 마찬가지로 하여, 실시예 3에서의 접착제층을 PET 세퍼레이터 위에 제작하였다. 그리고, 실시예 1에서의 접착제층 대신 실시예 3에서의 당해 접착제층을 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 1, 2〕
접착제층의 제작에 있어서 접착제층의 두께를 10㎛ 대신에 20㎛(비교예 1) 또는 7㎛(비교예 2)로 한 것, 및 다이싱 테이프와 접착제층(다이 본드 필름)을 다른 사이즈로 별개로 펀칭 가공한 후에 양자를 접합한 것 이외에는, 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1, 2의 각 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다. 비교예 1, 2의 각각에 있어서, 다이싱 테이프는, 세퍼레이터를 수반한 상태에서 직경 370㎜로 펀칭 가공하고, 다이 본드 필름은, 세퍼레이터를 수반한 상태에서 직경 330㎜로 펀칭 가공하였다. 접합에 있어서는, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심이 일치하도록 위치 정렬하면서 행하였다.
〔비교예 3〕
접착제층의 제작에 있어서 접착제층의 두께를 10㎛ 대신에 5㎛(비교예 3)로 한 것, 다이싱 테이프와 접착제층(다이 본드 필름)을 다른 사이즈로 별개로 펀칭 가공한 후에 양자를 접합한 것, 및 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대하여 기재의 측으로부터 자외선을 조사한 것 이외에는, 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다. 다이싱 테이프는, 세퍼레이터를 수반한 상태에서 직경 370㎜로 펀칭 가공하고, 다이 본드 필름은, 세퍼레이터를 수반한 상태에서 직경 330㎜로 펀칭 가공하였다. 접합에 있어서는, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심이 일치하도록 위치 정렬하면서 행하였다. 또한, 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은 램프를 사용하여, 조사 적산 광량을 350mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 접착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔-15℃에서의 인장 응력〕
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역으로부터 잘라내어진 제1 시험편에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력을 측정하였다. 각 제1 시험편은, 다이싱 다이 본드 필름의 외측 영역 내에서 MD 방향으로 연장되는 50㎜의 길이, 및 10㎜의 폭을 갖는다. 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름마다, 5장의 제1 시험편을 준비하였다. 본 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 20㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 속도는 300㎜/분이다. 동일한 다이싱 다이 본드 필름에서 유래하는 5장의 제1 시험편에 따른 측정값의 평균값을, 당해 다이싱 다이 본드 필름의 제1 시험편에서의 -15℃에서의 인장 응력(제1 인장 응력)으로 하였다. 얻어진 제1 인장 응력의 값을 표 1에 기재한다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름의 상기 외측 영역보다 안쪽의 내측 영역으로부터 잘라내어진 제2 시험편에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력을 측정하였다. 각 제2 시험편은, 다이싱 다이 본드 필름의 내측 영역 내에서 MD 방향으로 연장되는 50㎜의 길이 및, 10㎜의 폭을 갖는다. 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름마다, 5장의 제2 시험편을 준비하였다. 본 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 20㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 속도는 300㎜/분이다. 동일한 다이싱 다이 본드 필름에서 유래하는 5장의 제2 시험편에 따른 측정값의 평균값을, 당해 다이싱 다이 본드 필름의 제2 시험편에서의 -15℃에서의 인장 응력(제2 인장 응력)으로 하였다. 얻어진 제2 인장 응력의 값을 표 1에 기재한다. 제1 인장 응력에 대한 제2 인장 응력의 비의 값도 표 1에 기재한다.
〔23℃에서의 인장 응력〕
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역으로부터 잘라내어진 제1 시험편에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력을 측정하였다. 각 제1 시험편은, 다이싱 다이 본드 필름의 외측 영역 내에서 MD 방향으로 연장되는 50㎜의 길이, 및 10㎜의 폭을 갖는다. 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름마다, 5장의 제1 시험편을 준비하였다. 본 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 20㎜이며, 온도 조건은 23℃이고, 인장 속도는 300㎜/분이다. 동일한 다이싱 다이 본드 필름에서 유래하는 5장의 제1 시험편에 따른 측정값의 평균값을, 당해 다이싱 다이 본드 필름의 제1 시험편에서의 23℃에서의 인장 응력(제3 인장 응력)으로 하였다. 얻어진 제3 인장 응력의 값을 표 1에 기재한다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름의 상기 외측 영역보다 안쪽의 내측 영역으로부터 잘라내어진 제2 시험편에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 변형값 30％에서 발생하는 인장 응력을 측정하였다. 각 제2 시험편은, 다이싱 다이 본드 필름의 내측 영역 내에서 MD 방향으로 연장되는 50㎜의 길이, 및 10㎜의 폭을 갖는다. 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름마다, 5장의 제2 시험편을 준비하였다. 본 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 20㎜이며, 온도 조건은 23℃이고, 인장 속도는 300㎜/분이다. 동일한 다이싱 다이 본드 필름에서 유래하는 5장의 제2 시험편에 관한 측정값의 평균값을, 당해 다이싱 다이 본드 필름의 제2 시험편에서의 23℃에서의 인장 응력(제4 인장 응력)으로 하였다. 얻어진 제4 인장 응력의 값을 표 1에 기재한다. 제3 인장 응력에 대한 제4 인장 응력의 비의 값도 표 1에 기재한다.
<접착제층의 점착력>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름에서의 접착제층에 대해서, 다음과 같이 하여 -15℃에서의 180° 박리 점착력을 조사하였다. 우선, 다이싱 테이프로부터 접착제층을 박리하고, 그 접착제층에 있어서 다이싱 테이프에 접착되고 있던 측의 면에 보강 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합하고, 당해 보강 필름으로부터 시료편(폭 10㎜×길이 100㎜)을 잘라내었다. 이어서, 시료편을 피착체인 SUS판에 접합하고, 2㎏의 롤러를 1 왕복시키는 압착 작업에 의해 시료편과 피착체를 압착시켰다. 그리고, 실온에서의 30분간의 방치 후, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하고, SUS판에 대한 접착제층 시료편의 180° 박리 점착력을 측정하였다. 본 측정에 있어서, 측정 온도 내지 박리 온도는 -15℃로 하고, 인장 각도는 180°로 하고 인장 속도는 300㎜/분으로 하였다. 인장 시험에 있어서 최초의 10㎜/분이 나타내는 박리력을 제외한 다음의 박리력의 평균값을 180° 박리 점착력(N/10㎜)으로 하였다. 또한, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름에서의 접착제층에 대하여, 측정 온도를 -15℃ 대신에 23℃로 한 것 이외에는 -15℃에서의 180° 박리 점착력 측정과 마찬가지로 하여, 23℃에서의 180° 박리 점착력을 측정하였다. 이들 측정 결과를 표 1에 기재한다.
〔할단성의 평가〕
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하고, 이하와 같은 접합 공정, 할단을 위한 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정), 및 이격을 위한 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을 행하였다.
접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체를 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층에 대하여 접합, 그 후, 반도체 웨이퍼 분할체로 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 접합에 있어서는, 라미네이터를 사용하고, 접합 속도를 10㎜/초로 하고, 온도 조건을 60℃로 하고, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 반도체 웨이퍼 분할체는, 다음과 같이 하여 형성해서 준비한 것이다. 우선, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 링 프레임과 함께 유지된 상태에 있는 베어 웨이퍼(직경 12인치, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤 제조)에 대하여, 그 한쪽 면의 측으로부터, 다이싱 장치(상품명 「DFD6260」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 그 회전 블레이드에 의해 개편화용의 분할 홈(폭 25㎛, 깊이 50㎛, 1 구획 6㎜×12㎜의 격자 형상을 이룸)을 형성하였다. 이어서, 분할 홈 형성면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」)를 웨이퍼로부터 박리하였다. 이 후, 백그라인드 장치(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 웨이퍼의 다른 쪽 면(분할 홈이 형성되어 있지 않은 면)의 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 20㎛에 이르기까지 박화하고, 계속해서, 상기 장치를 사용하여 행하는 드라이 폴리시에 의해 당해 연삭면에 대하여 경면 마무리를 실시하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼 분할체(웨이퍼 가공용 테이프에 유지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼 분할체에는, 복수의 반도체 칩(6㎜×12㎜)이 포함되어 있다.
쿨 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 쿨 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 우선, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 전술한 다이싱 다이 본드 필름에서의 접착제층의 프레임 접착용 영역(워크 접착용 영역의 주위)에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(가부시키가이샤 디스코 제조)을 실온에서 부착하였다. 이어서, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 상기 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하였다. 이 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 100㎜/초이며, 익스팬드량은 7㎜이다.
상온 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 상온 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 전술한 쿨 익스팬드 공정을 거친 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를, 상기 장치의 상온 익스팬드 유닛에서 익스팬드하였다. 이 상온 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 23℃이고, 익스팬드 속도는 1㎜/초이며, 익스팬드량은 10㎜이다. 이 후, 상온 익스팬드를 거친 다이싱 다이 본드 필름에 대하여 가열 수축 처리를 실시하였다. 그 처리 온도는 200℃이고, 처리 시간은 20초이다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한 이상과 같은 과정을 거친 단계에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체에 포함되는 반도체 칩의 총 수에 대한, 할단된 접착제층을 수반하는 반도체 칩의 총 수의 비율을 조사하였다. 그리고, 접착제층의 할단성에 대하여, 당해 비율이 80％ 이상인 경우를 양호(○)라고 평가하고, 당해 비율이 80％ 미만인 경우를 불량(×)이라고 평가하였다. 이 평가 결과를 표 1에 기재한다.
[평가]
실시예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름에서는, 제1 인장 응력에 대한 제2 인장 응력의 비의 값이 0.9 내지 1.1의 범위 내에 있다. 이러한 실시예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 제1 인장 응력에 대한 제2 인장 응력의 비의 값이 0.9 내지 1.1의 범위 내에 없는 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름에 의한 것보다도, -15℃에서의 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩에 대한 개편화(할단)를 양호하게 행할 수 있었다.
Figure pat00001
X: 다이싱 다이 본드 필름
R1, R1': 외측 영역
R2, R2': 내측 영역
10: 다이싱 테이프
11: 기재
11e: 외주 단부
12: 점착제층
12e: 외주 단부
20, 21: 접착제층
20e: 외주 단부
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩

Claims (13)

  1. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고,
    하기 제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제1 인장 응력에 대한, 하기 제2 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제2 인장 응력의 비의 값이, 0.9 내지 1.1인, 다이싱 다이 본드 필름.
    제1 시험편: 다이싱 다이 본드 필름에서의 외주 단부로부터 안쪽 20㎜까지의 외측 영역으로부터 잘라내어지는, 하나의 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
    제2 시험편: 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 외측 영역보다도 안쪽의 내측 영역으로부터 잘라내어지는, 상기 하나의 방향으로 연장되는 50㎜의 길이와 10㎜의 폭을 갖는 시험편
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인장 응력 및 상기 제2 인장 응력이 5 내지 28N인, 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착제층은, -15℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서 SUS 평면에 대해서 1N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타내는, 다이싱 다이 본드 필름.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 접착제층은, -15℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서 SUS 평면에 대해서 1N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타내는, 다이싱 다이 본드 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제3 인장 응력, 및 제2 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제4 인장 응력이, 1 내지 20N인, 다이싱 다이 본드 필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 인장 응력에 대한 상기 제4 인장 응력의 비의 값이 0.95 내지 1.05인, 다이싱 다이 본드 필름.
  7. 제2항에 있어서,
    제1 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃ 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제3 인장 응력, 및 제2 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에 있어서 변형값 30％에서 발생하는 제4 인장 응력이, 1 내지 20N인, 다이싱 다이 본드 필름.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 인장 응력에 대한 상기 제4 인장 응력의 비의 값이 0.95 내지 1.05인, 다이싱 다이 본드 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 접착제층은, 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서 SUS 평면에 대해서 0.1N/10㎜ 이상의 180° 박리 점착력을 나타내는, 다이싱 다이 본드 필름.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 내측 영역 및 상기 외측 영역에 걸쳐 두께가 균일한, 다이싱 다이 본드 필름.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 접착제층을 포함하고 또한 상기 내측 영역 및 상기 외측 영역에 걸쳐 연속하고 있는 적층 구조를 갖는, 다이싱 다이 본드 필름.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착제층의 외주 단부는, 필름 면 내 방향에 있어서 상기 점착제층의 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는, 다이싱 다이 본드 필름.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 접착제층의 외주 단부는, 필름 면 내 방향에 있어서 상기 점착제층의 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는, 다이싱 다이 본드 필름.
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