JP2018019022A - ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減することが可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。【解決手段】 基材、及び、基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、粘着剤層の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。【選択図】 図１

Description

本発明は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップ接続されたフリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面をフリップチップ型半導体裏面用フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。

従来、このようなフリップチップ型半導体裏面用フィルムをダイシングテープ上に貼り合わせて一体型としたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムが存在する（例えば、特許文献１参照）。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法としては、フリップチップ型半導体裏面用フィルムにウエハを貼り合わせた後、ブレードによりウエハをダイシングする方法が知られている。

特開２０１４−１７５５４８号公報

しかしながら、ブレードダイシング時の衝撃や摩擦によりチップ側面に亀裂が入ることがある。チップ側面の亀裂は、信頼性を低下させるおそれがある。

本願発明者等は、前記問題点を解決すべく、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減することが可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、第１本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、
基材、及び、前記基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、
前記粘着剤層の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とする。

前記構成によれば、粘着剤層の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであり、紫外線照射後は、ある程度の硬さを有する。従って、粘着剤層に紫外線を照射した後に、ブレードダイシングを行えば、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。

前記構成において、少なくとも、前記粘着剤層は、ウエハ貼付部の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましい。

少なくとも、前記粘着剤層のウエハ貼付部の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであると、粘着剤層に紫外線を照射した後に、ブレードダイシングを行えば、チップ側面に生じる亀裂をより低減できる。

前記構成において、前記粘着剤層に紫外線照射した後の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。

前記粘着剤層に紫外線照射した後の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であると、粘着剤層に紫外線を照射した後に、ブレードダイシングを行えば、チップ側面に生じる亀裂をさらに低減できる。また、ダイシング後のチップを好適にピックアップできる。

また、第２本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、
基材、及び、前記基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、
前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とする。

前記構成によれば、粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであり、ある程度の硬さを有する。従って、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。

前記構成において、少なくとも、前記粘着剤層は、ウエハ貼付部の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましい。

少なくとも、前記粘着剤層のウエハ貼付部の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をより低減できる。

前記構成において、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。

前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をさらに低減できる。また、ダイシング後のチップを好適にピックアップできる。

また、第３本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程Ａと、
前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように、前記粘着剤層に紫外線を照射する工程Ｂと、
前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後に、前記半導体ウエハをブレードダイシングして半導体素子を形成する工程Ｃと、
前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、前記粘着剤層から剥離する工程Ｄとを有することを特徴とする。

前記構成によれば、工程Ｂの後は、紫外線照射後の粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであるため、ある程度の硬さを有する。そして、粘着剤層がある程度の硬さを有する状態（２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａ）で、ブレードダイシングを行うため、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。
なお、前記工程Ａと前記工程Ｂは、いずれの工程を先に行ってもよい。

本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムについて、図面を参照しつつ、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。図１で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材２１上に粘着剤層２２が設けられたダイシングテープ２と、フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０（以下、「半導体裏面用フィルム４０」ともいう）とを備える構成である。また、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、図１で示されているように、ダイシングテープ２の粘着剤層２２上において、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分２３（以下、「ウエハ貼付部２３」ともいう）のみにフリップチップ型半導体裏面用フィルム４０が形成された構成であってもよいが、粘着剤層の全面に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよく、また、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分より大きく且つ粘着剤層の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルムの表面（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。

（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０（半導体裏面用フィルム４０）は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含んで形成されていることが好ましい。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。

また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、アクリロニトリル、アクリロイルモルホリンなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

半導体裏面用フィルム４０としては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。

半導体裏面用フィルム４０は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム４０は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム４０を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

半導体裏面用フィルム４０は、着色剤を含有していることが好ましい。これにより、半導体裏面用フィルム４０は、着色され、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルムを有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施の形態において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。

半導体裏面用フィルム４０を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、黒系色材がより好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４、同６０；Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、同２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。

半導体裏面用フィルム４０には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルム４０の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム４０としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部であることが好適である。

また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

半導体裏面用フィルム４０は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。

半導体裏面用フィルム４０は、硬化後における引張貯蔵弾性率が２３℃〜８０℃の全範囲で１ＧＰａ以上であることが好ましい。１ＧＰａ以上であると、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。好ましくは２ＧＰａ以上である。硬化後における半導体裏面用フィルム４０の引張貯蔵弾性率は、アクリル樹脂の含有量、熱硬化性樹脂の含有量などにより調整できる。なお、半導体裏面用フィルム４０は、１２０℃２時間の加熱で硬化させることができる。硬化後における半導体裏面用フィルム４０の引張貯蔵弾性率は実施例に記載の方法で測定する。

硬化後における半導体裏面用フィルム４０の２３℃引張貯蔵弾性率は、好ましくは２ＧＰａ以上、より好ましくは２．５ＧＰａ以上である。硬化後における半導体裏面用フィルム４０の２３℃引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａ、１０ＧＰａ、７ＧＰａ、５ＧＰａである。一方、硬化後における半導体裏面用フィルム４０の８０℃引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａ、１０ＧＰａ、７ＧＰａ、５ＧＰａである。

硬化後における半導体裏面用フィルム４０の８０℃引張貯蔵弾性率の、硬化後における半導体裏面用フィルム４０の２３℃引張貯蔵弾性率に対する比（８０℃引張貯蔵弾性率／２３℃引張貯蔵弾性率）は、好ましくは０．３以上、好ましくは０．４以上である。０．３未満であると、温度に対する弾性率変化が大きいためチップ側面の亀裂が生じ易い。比（８０℃引張貯蔵弾性率／２３℃引張貯蔵弾性率）は、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下である。

半導体裏面用フィルム４０は、１．７ｋｇｆ／ｍｍ^２以上のシリコンチップに対する２５℃せん断接着力を有することが好ましい。２５℃せん断接着力が１．７ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であると、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。ダイシング時における半導体チップの振動を抑制可能と推察される。２５℃せん断接着力の下限は、たとえば１．８ｋｇｆ／ｍｍ^２である。２５℃せん断接着力の上限は、たとえば４ｋｇｆ／ｍｍ２、３．５ｋｇｆ／ｍｍ^２、３ｋｇｆ／ｍｍ^２などである。２５℃せん断接着力は、熱可塑性樹脂の熱硬化性樹脂に対する比などで調整できる。２５℃せん断接着力は、シリコンチップに半導体裏面用フィルム４０を７０℃で固定し、１２０℃２時間で加熱した後に、せん断速度５００μｍ／ｓｅｃ、２５℃で測定できる。

半導体裏面用フィルム４０は、好ましくは０．５ｋｇｆ／ｍｍ^２以上のシリコンチップに対する１００℃せん断接着力を有する。１００℃せん断接着力が０．５ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であると、ダイシング時のチップ飛びや、リフロー時の半導体裏面用フィルム４０のはく離が生じ難い傾向があり、信頼性に優れる。１００℃せん断接着力は、好ましくは１．０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上、より好ましくは２．０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上である。

半導体裏面用フィルム４０は、セパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護する保護材としての機能を有している。セパレータは、半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。

半導体裏面用フィルム４０の厚さは、特に限定されないが、例えば、２μｍ〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４μｍ〜１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ〜１００μｍ程度がより好ましく、１０μｍ〜８０μｍ程度が特に好ましい。

（ダイシングテープ）
ダイシングテープ２は、基材２１上に粘着剤層２２が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ２は、基材２１と、粘着剤層２２とが積層された構成を有していればよい。

ダイシングテープ２は、
（１）粘着剤層２２の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである場合と、
（２）粘着剤層２２の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである場合とに分類できる。

以下では、まず、（１）の場合について説明する。

粘着剤層２２は、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであり、好ましくは１ＭＰａ〜１００ＭＰａ、より好ましくは、１０ＭＰａ〜５０ＭＰａである。紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ以上であり、紫外線照射後は、ある程度の硬さを有する。従って、粘着剤層２２に紫外線を照射した後に、ブレードダイシングを行えば、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。また、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるため、ダイシング時にダイフライしてしまうことを抑制できる。紫外線照射量は、実施例に記載による。

少なくとも、粘着剤層２２は、ウエハ貼付部２３の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは、１ＭＰａ〜１００ＭＰａであり、さらに好ましくは、１０ＭＰａ〜５０ＭＰａである。つまり、粘着剤層２２が、ウエハ貼付部２３のみから構成される場合、粘着剤層２２は、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましい。また、粘着剤層２２が、ウエハ貼付部２３と、それ以外の部分とから構成される場合、粘着剤層２２は、少なくとも、ウエハ貼付部２３の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであればよく、それ以外の部分は、特に限定されない。少なくとも、粘着剤層２２のウエハ貼付部２３の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をより低減できる。

紫外線照射後の粘着剤層２２の引張弾性率は、例えば、後述する架橋剤、光重合開始剤、紫外線反応型架橋剤の含有量等により調整することができる。

粘着剤層２２に紫外線照射した後のフリップチップ型半導体裏面用フィルム４０と粘着剤層２２との間の２３℃での剥離力は、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、０．０３Ｎ／２０ｍｍ以上０．１５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、さらに好ましくは、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上０．１０Ｎ／２０ｍｍ以下である。粘着剤層２２に紫外線照射した後のフリップチップ型半導体裏面用フィルム４０と粘着剤層２２との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をさらに低減できる。また、ダイシング後のチップを好適にピックアップできる。

基材２１は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。基材２１は紫外線透過性を有していることが好ましい。基材２１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。

また基材２１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後に基材２１を熱収縮させることにより粘着剤層２２と半導体裏面用フィルム４０との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

基材２１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

基材２１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材２１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材２１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材２１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材２１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ〜１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。

なお、基材２１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。

粘着剤層２２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。粘着剤層２２は、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである限り、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。なかでも、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。

前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。

なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチル（メタ）クリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。

前記粘着剤には、弾性率の調整のために、架橋剤（外部架橋剤）を採用することが好ましい。前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。架橋剤を使用する場合、ベースポリマー（溶剤を除いた固形分）１００重量部に対して０．１〜２０重量部配合するのが好ましい。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を用いる場合、紫外線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

前記粘着剤は、紫外線反応型架橋剤（紫外線重合性のモノマー成分、又は、オリゴマー成分）を含むことが好ましい。紫外線反応型架橋剤を含むと、紫外線照射後の弾性率を高くすることができる。

紫外線反応型架橋剤としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。またウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線反応型架橋剤を含有させることにより、紫外線照射により、弾性率を大きく高めることが可能となる。紫外線反応型架橋剤の配合量はベースポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部であることが好ましい。

前記粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，２―プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜１０重量部程度である。

粘着剤層２２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材２１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層２２を形成し、これを基材２１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層２２を形成することができる。

粘着剤層２２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは７μｍ〜５０μｍ）程度である。粘着剤層２２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層２２は単層、複層の何れであってもよい。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとダイシングテープとの積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして作製することができる。なお、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１としては、基材２１と、基材２１の一方の面に形成された粘着剤層２２と、粘着剤層２２上に形成された半導体裏面用フィルム４０と、基材２１の他方の面に形成された剥離処理層（背面処理層）とで構成されていてもよい。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルムの厚さと、基材２１及び粘着剤層２２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては、例えば、７μｍ〜１１３００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは１７μｍ〜１６００μｍ（さらに好ましくは２８μｍ〜１２００μｍ）である。

以上、上記（１）の場合、すなわち、粘着剤層２２の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである場合のダイシングテープ２について説明した。

次に、上記（２）の場合、すなわち、粘着剤層２２の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである場合の、ダイシングテープ２について説明する。

（２）の場合、粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであり、好ましくは１ＭＰａ〜１００ＭＰａ、より好ましくは、１０ＭＰａ〜５０ＭＰａである。粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ以上であり、ある程度の硬さを有する。従って、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。また、２３℃での引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるため、ダイシング時にダイフライしてしまうことを抑制できる。

少なくとも、粘着剤層２２は、ウエハ貼付部２３の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは、１ＭＰａ〜１００ＭＰａであり、さらに好ましくは、１０ＭＰａ〜５０ＭＰａである。つまり、粘着剤層２２が、ウエハ貼付部２３のみから構成される場合、粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることが好ましい。また、粘着剤層２２が、ウエハ貼付部２３と、それ以外の部分とから構成される場合、粘着剤層２２は、少なくとも、ウエハ貼付部２３の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであればよく、それ以外の部分は、特に限定されない。少なくとも、粘着剤層２２のウエハ貼付部２３の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をより低減できる。

粘着剤層２２の引張弾性率は、例えば、架橋剤の含有量等により調整することができる。

フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０と粘着剤層２２との間の２３℃での剥離力は、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、０．０３Ｎ／２０ｍｍ以上０．１５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、さらに好ましくは、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上０．１０Ｎ／２０ｍｍ以下である。フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０と粘着剤層２２との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ブレードダイシング時にチップ側面に生じる亀裂をさらに低減できる。

上記（２）の場合の粘着剤層２２の組成は、粘着剤層２２の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである限りにおいて、上記（１）と同様の構成を採用することができるからここでの詳細な説明は省略する。例えば、粘着剤層２２は、紫外線硬化型粘着剤を用いず、紫外線硬化しない粘着剤で構成されていてもよい。

以上、上記（２）の場合、すなわち、粘着剤層２２の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである場合のダイシングテープ２について説明した。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図１に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を例にして説明する。先ず、基材２１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材２１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層２２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材２１に塗布して、基材２１上に粘着剤層２２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層２２を形成させた後、該粘着剤層２２を基材２１に転写させてもよい。これにより、基材２１上に粘着剤層２２を形成されたダイシングテープ２が作製される。

一方、半導体裏面用フィルム４０を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、塗布層を形成する。この塗布層を粘着剤層２２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム４０を粘着剤層２２上に形成する。なお、粘着剤層２２上に、半導体裏面用フィルム４０を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥する（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施して乾燥する）ことによっても、半導体裏面用フィルム４０を粘着剤層２２上に形成することができる。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム４０を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップボンディング工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置を製造する際に用いられ、半導体チップの裏面に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０が貼着している状態又は形態で、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。

（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。

（半導体装置の製造方法）
［第１実施形態］
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２〜図７を参照しながら以下に説明する。図２〜図７は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第３本発明に係る半導体装置の製造方法において、工程Ａを先に行い、その後、工程Ｂを行う場合である。

第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程Ａと、
前記工程Ａの後、前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように、前記粘着剤層に紫外線を照射する工程Ｂと、
前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後に、前記半導体ウエハをブレードダイシングして半導体素子を形成する工程Ｃと、
前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、前記粘着剤層から剥離する工程Ｄとを少なくとも有する。

以下、第１実施形態について詳述する。第１実施形態では、上記（１）の場合のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いる。すなわち、第１実施形態の粘着剤層２２は、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである。粘着剤層２２の紫外線照射前の２３℃での引張弾性率は、１ＭＰａ〜２００ＭＰａの範囲内であってもよく、範囲外であってもよい。ただし、紫外線照射前の２３℃での引張弾性率は、１ＭＰａ未満であることが好ましい。ウエハをより着実に固定できるからである。

［マウント工程］
先ず、図２で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム４０上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（工程Ａ）。このとき半導体裏面用フィルム４０は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

［加熱工程］
次に、必要に応じて、半導体裏面用フィルム４０の半導体ウエハ４０への固定を強固にするために、ベーキング（加熱）を行なう。これにより、半導体裏面用フィルム４０は硬化する。このベーキングは、例えば８０〜１５０℃、０．１〜２４時間の条件で行なう。

［レーザーマーキング工程］
次に、必要に応じて、図３で示されるように、ダイシングテープ２側からレーザーマーキング用のレーザー３６を用いて、半導体裏面用フィルム４０にレーザーマーキングを行なう。レーザーマーキングの条件としては、特に限定されないが、半導体裏面用フィルム４０に、レーザー［波長：５３２ｎｍ］を、強度：０．３Ｗ〜２．０Ｗの条件で照射することが好ましい。また、この際の加工深さ（深度）が２μｍ以上となるように照射することが好ましい。前記加工深さの上限は特に制限されないが、例えば、２μｍ〜２５μｍの範囲から選択することができ、好ましくは３μｍ以上（３μｍ〜２０μｍ）であり、より好ましくは５μｍ以上（５μｍ〜１５μｍ）である。レーザーマーキングの条件を前記数値範囲内とすることにより、優れたレーザーマーキング性が発揮される。

なお、半導体裏面用フィルム４０のレーザー加工性は、構成樹脂成分の種類やその含有量、着色剤の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。

［紫外線照射工程］
次に、図４で示されるように、粘着剤層２２に紫外線３８を照射する（工程Ｂ）。紫外線の照射は、紫外線照射後の粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように行う。具体的な紫外線の照射量としては、例えば、２００〜６００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲内が好適である。また、紫外線の照射方向は特に限定されないが、基材２１側から行うことが好ましい。通常、基材２１として紫外線を効率よく透過するものを用いるため、紫外線を有効に利用できるからである。

［ダイシング工程］
次に、図５で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。ダイシングはブレードダイシングにて行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する（工程Ｃ）。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
粘着剤層２２は、工程Ｂにより２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなっている。そのため、ある程度の硬さを有している。そして、粘着剤層２２がある程度の硬さを有する状態で、ブレードダイシングを行うため、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。
また、粘着剤層２２は、工程Ｂにより、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が２００ＭＰａ以下となっているため、ダイシング時にダイフライしてしまうことを抑制できる。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。

［ピックアップ工程］
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図６で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム４０とともにダイシングテープ２より剥離させる（工程Ｄ）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材２１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィルム４０により保護されている。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図７で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することができる。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。

本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。

次に、必要に応じて、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化（リフロー）が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく半導体裏面用フィルム４０の半導体裏面用フィルム４０の熱硬化も同時に行ってもよい。この場合、半導体裏面用フィルム４０を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。ただし、本発明においてはこの例に限定されず、封止樹脂の熱硬化よりも前に、別途、半導体裏面用フィルム４０を熱硬化させる工程を行なってもよい。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。

また、上述した実施形態では、半導体チップ５と被着体６との間の空隙を、液状の封止材（封止樹脂など）を充填させて封止する場合について説明したが本発明はこの例に限定されず、シート状樹脂組成物を用いてもよい。シート状樹脂組成物を用いて半導体チップと被着体との間の空隙を封止する方法については、例えば、特開２００１−３３２５２０号公報等、従来公知の方法を採用することができる。従って、ここでの詳細な説明は省略する。

なお、前記封止工程の後、必要に応じて、熱処理（レーザーマーキングした後に行われるリフロー工程）を行ってもよい。この熱処理条件としては特に限定されないが、半導体技術協会（ＪＥＤＥＣ）による規格に準じて行うことができる。例えば、温度（上限）が２１０〜２７０℃の範囲で、その時間が５〜５０秒で行うことができる。当該工程により、半導体パッケージを基板（マザーボードなど）に実装することができる。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

以上、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明した。

［第２実施形態］
第２実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第３本発明に係る半導体装置の製造方法において、工程Ｂを先に行い、その後、工程Ａを行う場合である。

第２実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように、前記粘着剤層に紫外線を照射する工程Ｂと、
前記工程Ｂの後、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程Ａと、
前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後に、前記半導体ウエハをブレードダイシングして半導体素子を形成する工程Ｃと、
前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、前記粘着剤層から剥離する工程Ｄと少なくとも有する。

第２実施形態では、第１実施形態と同様、上記（１）の場合のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いる。すなわち、第２実施形態の粘着剤層２２は、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである。

［紫外線照射工程］
まず、粘着剤層２２に紫外線を照射する（工程Ｂ）。紫外線の照射は、紫外線照射後の粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように行う。具体的な紫外線の照射量や、紫外線の照射方向は、第１実施形態と同様とすることができる。

［マウント工程］
次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（工程Ａ）。

次に、必要に応じて、半導体裏面用フィルム４０の半導体ウエハ４０への固定を強固にするために、ベーキング（加熱）を行なう。これにより、半導体裏面用フィルム４０は硬化する。このベーキングは、例えば８０〜１５０℃、０．１〜２４時間の条件で行なう。

［レーザーマーキング工程］
次に、必要に応じて、ダイシングテープ２側からレーザーマーキング用のレーザー３６を用いて、半導体裏面用フィルム４０にレーザーマーキングを行なう。レーザーマーキングの条件としては、第１実施形態と同様とすることができる。

［ダイシング工程］
次に、半導体ウエハ４のダイシングを行う。この工程は第１実施形態と同様とすることができる。
粘着剤層２２は、工程Ｂにより２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなっている。そのため、ある程度の硬さを有している。そして、粘着剤層２２がある程度の硬さを有する状態で、ブレードダイシングを行うため、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。
また、粘着剤層２２は、工程Ｂにより、紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が２００ＭＰａ以下となっているため、ダイシング時にダイフライしてしまうことを抑制できる。

なお、ダイシング工程以降は、第１実施形態と同様であるから、ここでの説明は省略する。

第２実施形態では、粘着剤層２２に紫外線照射を照射した後に加熱工程を行うと、その熱で、リングフレームで固定されないない部分（ダイシングテープ２の中央部分）がウエハとともに、垂れ下がる場合がある。しかしながら、ダイシングテープ２をエキスパンドすればこのたわみは解消できるため、大きな問題は生じない。一方で、ダイシング工程時には、紫外線照射済であり、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなっているため、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。

［第３実施形態］
第３実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
基材、及び、前記基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを準備する工程Ｘと、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程Ａと、
前記工程Ａの後に、前記半導体ウエハをブレードダイシングして半導体素子を形成する工程Ｃとを少なくとも有する。

第３実施形態では、上記（２）の場合のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いる。すなわち、第３実施形態の粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである。

［準備工程］
まず、上記（２）の場合のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を準備する（工程Ｘ）。

［マウント工程］
次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（工程Ａ）。

次に、必要に応じて、半導体裏面用フィルム４０の半導体ウエハ４０への固定を強固にするために、ベーキング（加熱）を行なう。これにより、半導体裏面用フィルム４０は硬化する。このベーキングは、例えば８０〜１５０℃、０．１〜２４時間の条件で行なう。

［レーザーマーキング工程］
次に、必要に応じて、ダイシングテープ２側からレーザーマーキング用のレーザー３６を用いて、半導体裏面用フィルム４０にレーザーマーキングを行なう。レーザーマーキングの条件としては、第１実施形態と同様とすることができる。

［ダイシング工程］
次に、半導体ウエハ４のダイシングを行う。この工程は第１実施形態と同様とすることができる。
粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａである。そのため、ある程度の硬さを有している。そして、粘着剤層２２がある程度の硬さを有する状態で、ブレードダイシングを行うため、ブレードダイシング時の摩擦や衝撃を抑制でき、チップ側面に生じる亀裂を低減できる。
また、粘着剤層２２は、２３℃での引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるため、ダイシング時にダイフライしてしまうことを抑制できる。

［ピックアップ工程］
次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム４０とともにダイシングテープ２より剥離させる。なお、 粘着剤層２２を構成する粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を用いる場合、紫外線を照射してからピックアップを行なってもよい。これにより容易にピックアップを行なうことが可能となる。

なお、ピックアップ工程以降は、第１実施形態と同様であるから、ここでの説明は省略する。

以上、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明した。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。

まず、実施例、比較例に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について以下に説明する。
なお、実施例１〜３、実施例５のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、上述した第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用されることを想定しており、実施例６は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用されることを想定しており、実施例４は、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用されることを想定している。

（実施例１）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エステル共重合体（長瀬ケムテックス社製、ＳＧ７０Ｌ）の固形分１００部に対して、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、ＪＥＲ ＹＬ９８０）２０部、エポキシ樹脂（東都化成社製、ＫＩ−３０００）５０部、フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）７５部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ）１８０部、染料（オリエント化学工業社製 ＯＩＬＢＫＡＣＫ ＢＳ）１０部、及び、熱硬化促進触媒（四国化成社製、２ＰＨＺ）２０部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となるように樹脂組成物の溶液を調製した。
この樹脂組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂製、ダイヤホイルＭＲＡ５０）からなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルムＡを作製した。

＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう）１００部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう）１９部、過酸化ベンゾイル０．４部、及び、トルエン８０部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。

アクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう）１２部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、紫外線反応型架橋剤（日本工業化学（株）製、紫光ＵＶ１７００ＴＬ）２０部、及び、光重合開始剤（イルガキュア３６９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ａ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＡを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＡの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、実施例１に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＡを作製した。

（実施例２）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（イルガキュア３６９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｂ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｂを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｂを形成した。次いで、粘着剤層Ｂの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＢを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＢの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、実施例２に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＢを作製した。

（実施例３）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（イルガキュア３６９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）０．０６部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｃ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｃを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｃを形成した。次いで、粘着剤層Ｃの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＣを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＣの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、実施例３に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＣを作製した。

（実施例４）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び、光重合開始剤（イルガキュア３６９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｄ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｄを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｄを形成した。次いで、粘着剤層Ｄの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＤを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＤの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、実施例４に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＤを作製した。

（実施例５）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エステル共重合体（長瀬ケムテックス社製、ＳＧ７０Ｌ）の固形分１００部に対して、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、ＪＥＲ ＹＬ９８０）１４０部、エポキシ樹脂（東都化成社製、ＫＩ−３０００）１４０部、フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）２９０部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ）４７０部、染料（オリエント化学工業社製 ＯＩＬＢＫＡＣＫ ＢＳ）１０部、及び、熱硬化促進触媒（四国化成社製、２ＰＨＺ）２０部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となるように樹脂組成物の溶液を調製した。
この樹脂組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂製、ダイヤホイルＭＲＡ５０）からなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルムＢを作製した。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＢを、実施例２で作製した作製したダイシングテープＢの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、実施例５に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＥを作製した。

（実施例６）
＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
実施例１で作製した半導体裏面用フィルムＡを、実施例２で作製した作製したダイシングテープＢの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せた。次に、紫外線照射装置（高圧水銀灯）を用いてダイシングテープ側からダイシングテープ表面に３００ｍＪ／ｃｍ^２になるように紫外線を照射し、粘着剤を硬化させた。以上により、実施例６に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＦを作製した。

（比較例１）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）４部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｇ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｇを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｇを形成した。次いで、粘着剤層Ｇの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＧを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＧの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、比較例１に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＧを作製した。

（比較例２）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｈ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｈを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｈを形成した。次いで、粘着剤層Ｈの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＨを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＢを、作製したダイシングテープＨの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、比較例２に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＨを作製した。

（比較例３）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１で作製したアクリル系ポリマーＡ’１００部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１０部をトルエンに加えて、固形分濃度が２８％になるように粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ｉ」ともいう）を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液Ｉを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層Ｉを形成した。次いで、粘着剤層Ｉの露出面に、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＩを得た。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム＞
半導体裏面用フィルムＡを、作製したダイシングテープＩの粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、比較例３に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムＩを作製した。

［紫外線照射前の粘着剤層の弾性率、及び、紫外線照射後の粘着剤層の弾性率の測定］
引張試験のサンプルサイズとして初期長さ（チャック間距離）１０ｍｍ、断面積０．１〜０．５ｍｍ^２となるよう試験片を調製し、測定温度２３℃の下、引張速度５０ｍｍ／分で引張試験をおこない、サンプル伸びの変化量（ｍｍ）を測定した。その結果、得られたＳ−Ｓ曲線の初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が１００％伸びに相当するときの引張強度を基材の断面積で割り、紫外線照射前の引張弾性率とした。なお、ＵＶ照射後の引張弾性率の測定については、ＵＶ照射装置（日東精機（商品名ＵＭ−８１０）を用いてＵＶ照射積算光量３００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、紫外線をダイシングテープの基材側から照射した後に行った。結果を表１に示す。

［熱硬化後の半導体裏面用フィルムの弾性率の測定］
１２０℃で２時間、半導体裏面用フィルムを加熱し、その後、はく離ライナーを取り除いた。次に、加熱後の半導体裏面用フィルムから、幅１０ｍｍ、長さ２２．５ｍｍ、厚み０．０２ｍｍのサンプルを切り出した。次に、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モード、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、窒素雰囲気下、０℃から１００℃で動的粘弾性測定をおこなった。
このときの２３℃での値を読み取った。結果を表１に示す。

［剥離力の測定］
実施例１〜３、実施例５、実施例６については、作製したダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに、ＵＶ照射装置（日東精機（商品名ＵＭ−８１０）を用いてＵＶ照射積算光量３００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、紫外線をダイシングテープの基材側から照射した。次に、半導体裏面用フィルム側にテープ（日東電工（株）製、商品名；ＢＴ−３１５）を常温で貼り合わせ補強した。カッターナイフで２０ｍｍ幅×１２０ｍｍ長に切断した。その後、ダイシングテープの粘着剤層と半導体裏面用フィルムをチャッキングし、２３℃において、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、Ｔ型剥離試験で粘着剤層と半導体裏面用フィルムとを引き剥がした際の力（最大荷重、単位：Ｎ／２０ｍｍ）を読み取った。
実施例４、比較例１〜３については、作製したダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの半導体裏面用フィルム側にテープ（日東電工（株）製、商品名；ＢＴ−３１５）を常温で貼り合わせ補強した。カッターナイフで２０ｍｍ幅×１２０ｍｍ長に切断した。その後、ダイシングテープの粘着剤層と半導体裏面用フィルムをチャッキングし、２３℃において、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、Ｔ型剥離試験で粘着剤層と半導体裏面用フィルムとを引き剥がした際の力（最大荷重、単位：Ｎ／２０ｍｍ）を読み取った。結果を表１に示す。
なお、この剥離力測定は、ダイシング時（ピックアップ時）の剥離力を想定したものである。

［ダイシング時の粘着剤層の弾性率と半導体裏面用フィルムの弾性率との比］
実施例１〜３、実施例５、実施例６のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、ダイシング時には、粘着例層は、紫外線照射された後であり、半導体裏面用フィルムは、熱硬化されている。従って、実施例１〜３、実施例５、実施例６に関しては、紫外線照射後の粘着剤の弾性率と、熱硬化後の半導体裏面用フィルムとの比を表１に示した。
また、実施例４、比較例１〜３のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、ダイシング時には、粘着剤は、紫外線照射されておらず、半導体裏面用フィルムは、熱硬化されている。従って、実施例４、比較例１〜３に関しては、紫外線照射前の粘着剤の弾性率と、熱硬化後の半導体裏面用フィルムとの比を表１に示した。
なお、ダイシング時の粘着剤層の弾性率と半導体裏面用フィルムの弾性率との比は、以下の式にて求めた。
［ダイシング時の粘着剤層の弾性率と半導体裏面用フィルムの弾性率との比］＝（半導体裏面用フィルムの弾性率／粘着剤層の弾性率）

［チッピング評価］
まず、半導体ウエハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ；シリコンベアウエハ）を裏面研削し、厚さ０．２ｍｍのミラーウエハを準備した。

＜実施例１〜３、実施例５について＞
次に、実施例１〜３、実施例５については、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムから剥離ライナーを剥離した後、その半導体裏面用フィルム上に前記ミラーウエハーを７０℃でロール圧着して貼り合わせ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム付き半導体ウエハとした。次に、１２０℃で２時間加熱した。次に、ＵＶ照射装置（日東精機（商品名ＵＭ−８１０）を用いてＵＶ照射積算光量３００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、紫外線をダイシングテープの基材側から照射した。次に、ウエハをダイシングして、シリコンチップを得た。ウエハ研削条件、貼り合わせ条件、ダイシング条件は下記の通りとした。
なお、切込深さＺ１は、シリコンチップ表面からの深さが４５μｍとなるように調整した。また、切込深さＺ２は、ダイシングテープの粘着剤層厚みの１／２までとなるように調整した。
（ウエハ研削条件）
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
（貼り合わせ条件）
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００III」日東精機社製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：７０℃
（ダイシング条件）
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒ／ｍｉｎ
Ｚ２；４５，０００ｒ／ｍｉｎ
カット方式：ステップカット
チップサイズ：２．０ｍｍ角

次に、シリコンチップを半導体裏面用フィルムとともに剥離（ピックアップ）した。マイクロスコープ（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製 ＶＨＸ５００)でシリコンチップの切断面（４つの切断面のうち最後に切断された面）を観察し、ヒビの深さを測定した。ヒビの深さとは、半導体裏面用フィルムとシリコンチップとの界面からの深さをいう。シリコンチップの厚みを１００％としたとき、ヒビの深さが１０％未満であるときを◎と判定した。１０％以上１２％未満である場合を〇と判定した。１２％以上である場合を×と判定した。結果を表１に示す。

＜実施例６について＞
実施例６については、まず、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに、ＵＶ照射装置（日東精機（商品名ＵＭ−８１０）を用いてＵＶ照射積算光量３００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、紫外線をダイシングテープの基材側から照射した。次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムから剥離ライナーを剥離した後、その半導体裏面用フィルム上に前記ミラーウエハーを７０℃でロール圧着して貼り合わせ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム付き半導体ウエハとした。次に、１２０℃で２時間加熱した。次に、ウエハをダイシングして、シリコンチップを得た。ウエハ研削条件、貼り合わせ条件、ダイシング条件は、上記実施例１〜３、実施例５と同様とした。

次に、シリコンチップを半導体裏面用フィルムとともに剥離（ピックアップ）した。マイクロスコープ（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製 ＶＨＸ５００)でシリコンチップの切断面（４つの切断面のうち最後に切断された面）を観察し、ヒビの深さを測定した。シリコンチップの厚みを１００％としたとき、ヒビの深さが１０％未満であるときを◎と判定した。１０％以上１２％未満である場合を〇と判定した。１２％以上である場合を×と判定した。結果を表１に示す。

＜実施例４、比較例１〜３について＞
実施例４、比較例１〜３については、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムから剥離ライナーを剥離した後、その半導体裏面用フィルム上に前記ミラーウエハーを７０℃でロール圧着して貼り合わせ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム付き半導体ウエハとした。次に、ウエハをダイシングして、シリコンチップを得た。ウエハ研削条件、貼り合わせ条件、ダイシング条件は、上記実施例１〜３、実施例５と同様とした。

次に、シリコンチップを半導体裏面用フィルムとともに剥離（ピックアップ）した。マイクロスコープ（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製 ＶＨＸ５００)でシリコンチップの切断面（４つの切断面のうち最後に切断された面）を観察し、ヒビの深さを測定した。シリコンチップの厚みを１００％としたとき、ヒビの深さが１０％未満であるときを◎と判定した。１０％以上１２％未満である場合を〇と判定した。１２％以上である場合を×と判定した。結果を表１に示す。

１ ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
２ ダイシングテープ
２１ 基材
２２ 粘着剤層
２３ 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
４０ 半導体裏面用フィルム（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６ 被着体
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (7)

1. 基材、及び、前記基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、
   前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、
   前記粘着剤層の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とするダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
2. 少なくとも、前記粘着剤層は、ウエハ貼付部の紫外線照射後の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
3. 前記粘着剤層に紫外線照射した後の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
4. 基材、及び、前記基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、
   前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、
   前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とするダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
5. 少なくとも、前記粘着剤層は、ウエハ貼付部の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａであることを特徴とする請求項４に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
6. 前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと前記粘着剤層との間の２３℃での剥離力が、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２Ｎ／２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
7. 請求項１〜３のいずれか１に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程Ａと、
   前記粘着剤層の２３℃での引張弾性率が１ＭＰａ〜２００ＭＰａとなるように、前記粘着剤層に紫外線を照射する工程Ｂと、
   前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後に、前記半導体ウエハをブレードダイシングして半導体素子を形成する工程Ｃと、
   前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、前記粘着剤層から剥離する工程Ｄとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images