KR20180013715A - 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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류이치 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감하는 것이 가능한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제공하는 것.
[해결 수단] 기재, 및 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 다이싱 테이프의 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고, 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.

Description

다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING TAPE-INTEGRATED FILM FOR SEMICONDUCTOR BACK SURFACE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 반도체 장치 및 그 패키지의 박형화, 소형화가 더한층 요구되고 있다. 그 때문에, 반도체 장치 및 그 패키지로서, 반도체 칩 등의 반도체 소자가 기판 상에 플립칩 접속된 플립칩형의 반도체 장치가 널리 이용되고 있다. 당해 플립칩 접속은 반도체 칩의 회로면이 기판의 전극 형성면과 대향하는 형태로 고정되는 것이다. 이와 같은 반도체 장치 등에서는, 반도체 칩의 이면을 플립칩형 반도체 이면용 필름에 의해 보호하여, 반도체 칩의 손상 등을 방지하고 있는 경우가 있다.
종래, 이와 같은 플립칩형 반도체 이면용 필름을 다이싱 테이프 상에 첩합(貼合)하여 일체형으로 한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름이 존재한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서는, 플립칩형 반도체 이면용 필름에 웨이퍼를 첩합한 후, 블레이드에 의해 웨이퍼를 다이싱하는 방법이 알려져 있다.
일본 특허공개 2014-175548호 공보
그러나, 블레이드 다이싱 시의 충격이나 마찰에 의해 칩 측면에 균열이 생기는 경우가 있다. 칩 측면의 균열은 신뢰성을 저하시킬 우려가 있다.
본원 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 대해 검토했다. 그 결과, 하기의 구성을 채용하는 것에 의해, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감하는 것이 가능하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 제 1 본 발명에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은,
기재, 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고,
상기 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이어서, 자외선 조사 후에는 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 점착제층에 자외선을 조사한 후에 블레이드 다이싱을 행하면, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 적어도, 상기 점착제층은 웨이퍼 첩부부(貼付部)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하다.
적어도, 상기 점착제층의 웨이퍼 첩부부의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면, 점착제층에 자외선을 조사한 후에 블레이드 다이싱을 행하면, 칩 측면에 생기는 균열을 보다 저감할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 점착제층에 자외선 조사한 후의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것이 바람직하다.
상기 점착제층에 자외선 조사한 후의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하이면, 점착제층에 자외선을 조사한 후에 블레이드 다이싱을 행하면, 칩 측면에 생기는 균열을 더 저감할 수 있다. 또한, 다이싱 후의 칩을 적합하게 픽업할 수 있다.
또한, 제 2 본 발명에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은,
기재, 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고,
상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이어서, 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 적어도, 상기 점착제층은 웨이퍼 첩부부의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하다.
적어도, 상기 점착제층의 웨이퍼 첩부부의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 보다 저감할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것이 바람직하다.
상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 더 저감할 수 있다. 또한, 다이싱 후의 칩을 적합하게 픽업할 수 있다.
또한, 제 3 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착(貼着)하는 공정 A와,
상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록, 상기 점착제층에 자외선을 조사하는 공정 B와,
상기 공정 A 및 상기 공정 B 후에, 상기 반도체 웨이퍼를 블레이드 다이싱하여 반도체 소자를 형성하는 공정 C와,
상기 반도체 소자를 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정 D를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 공정 B 후에는, 자외선 조사 후의 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이기 때문에, 어느 정도의 경도를 갖는다. 그리고, 점착제층이 어느 정도의 경도를 갖는 상태(23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa)에서 블레이드 다이싱을 행하기 때문에, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
한편, 상기 공정 A와 상기 공정 B는 어느 공정을 먼저 행해도 된다.
본 발명에 의하면, 상기의 구성을 채용하는 것에 의해, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6은 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7은 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
(다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름)
본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 대해, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 일례를 나타내는 단면 모식도이다. 도 1에서 나타나는 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은, 기재(21) 상에 점착제층(22)이 마련된 다이싱 테이프(2)와, 플립칩형 반도체 이면용 필름(40)(이하, 「반도체 이면용 필름(40)」이라고도 한다)을 구비하는 구성이다. 또한, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은, 도 1에서 나타나 있는 바와 같이, 다이싱 테이프(2)의 점착제층(22) 상에서, 반도체 웨이퍼의 첩착 부분에 대응하는 부분(23)(이하, 「웨이퍼 첩부부(23)」라고도 한다)에만 플립칩형 반도체 이면용 필름(40)이 형성된 구성이어도 되지만, 점착제층의 전체면에 반도체 이면용 필름이 형성된 구성이어도 되고, 또한 반도체 웨이퍼의 첩착 부분에 대응하는 부분보다 크면서 점착제층의 전체면보다도 작은 부분에 반도체 이면용 필름이 형성된 구성이어도 된다. 한편, 반도체 이면용 필름의 표면(웨이퍼의 이면에 첩착되는 측의 표면)은 웨이퍼 이면에 첩착될 때까지의 동안에 세퍼레이터 등에 의해 보호되어 있어도 된다.
(플립칩형 반도체 이면용 필름)
플립칩형 반도체 이면용 필름(40)(반도체 이면용 필름(40))은 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하여 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 천연 고무, 뷰틸 고무, 아이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스터 공중합체, 폴리뷰타다이엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아마이드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트)나 PBT(폴리뷰틸렌 테레프탈레이트) 등의 포화 폴리에스터 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하(바람직하게는 탄소수 4∼18, 더 바람직하게는 탄소수 6∼10, 특히 바람직하게는 탄소수 8 또는 9)의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스터의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 아크릴 수지란, 메타크릴 수지도 포함하는 광의의 의미이다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 도데실기(라우릴기), 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 아크릴 수지를 형성하기 위한 다른 모노머(알킬기의 탄소수가 30 이하인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬 에스터 이외의 모노머)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이도-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등과 같은 설폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머, 아크릴로나이트릴, 아크릴로일모르폴린 등을 들 수 있다. 한편, (메트)아크릴산이란 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 말하고, 본 발명의 (메트)는 전부 마찬가지의 의미이다.
상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 외에, 아미노 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 폴리유레테인 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 이용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 이용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브로민화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오쏘크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지 등의 2작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 하이단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜 아이소사이아누레이트형 에폭시 수지 또는 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 이용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 상기 예시 중 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
또, 상기 페놀 수지는 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이고, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-뷰틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스타이렌 등의 폴리옥시스타이렌 등을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들면, 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5당량∼2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8당량∼1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
본 발명에서는, 에폭시 수지와 페놀 수지의 열경화 촉진 촉매가 이용되고 있어도 된다. 열경화 촉진 촉매로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 열경화 촉진 촉매 중에서 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 열경화 촉진 촉매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 열경화 촉진 촉매로서는, 예를 들면, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등을 이용할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)으로서는, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 수지 조성물이나, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 포함하는 수지 조성물에 의해 형성되어 있는 것이 적합하다. 이들 수지는 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)은 반도체 웨이퍼의 이면(회로 비형성면)에 대해서 접착성(밀착성)을 갖고 있는 것이 중요하다. 반도체 이면용 필름(40)은, 예를 들면, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 의해 형성할 수 있다. 반도체 이면용 필름(40)을 미리 어느 정도 가교시켜 두기 위해, 제작에 즈음하여, 중합체의 분자쇄 말단의 작용기 등과 반응하는 다작용성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두어도 된다. 이에 의해, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키고, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.
상기 가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 가교제를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제로서는, 아이소사이아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제가 적합하다. 또한, 상기 가교제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아이소사이아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 1,2-에틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,4-뷰틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,6-헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트, 수소첨가 톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 수소첨가 자일렌 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 폴리아이소사이아네이트류; 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 폴리아이소사이아네이트류 등을 들 수 있고, 그 밖에, 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제, 상품명 「코로네이트 L」], 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제, 상품명 「코로네이트 HL」] 등도 이용된다. 또한, 상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌다이아민, 다이글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)사이클로헥세인, 1,6-헥세인다이올 다이글리시딜 에터, 네오펜틸 글리콜 다이글리시딜 에터, 에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 폴리에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 폴리프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 소르비톨 폴리글리시딜 에터, 글리세롤 폴리글리시딜 에터, 펜타에리트리톨 폴리글리시딜 에터, 폴리글리세롤 폴리글리시딜 에터, 소르비탄 폴리글리시딜 에터, 트라이메틸올프로페인 폴리글리시딜 에터, 아디프산 다이글리시딜 에스터, o-프탈산 다이글리시딜 에스터, 트라이글리시딜-트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아누레이트, 레조르신 다이글리시딜 에터, 비스페놀-S-다이글리시딜 에터 외에, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
한편, 가교제의 사용량은, 특별히 제한되지 않고, 가교시키는 정도에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 가교제의 사용량으로서는, 예를 들면, 폴리머 성분(특히, 분자쇄 말단의 작용기를 갖는 중합체) 100중량부에 대해, 통상 7중량부 이하(예를 들면, 0.05중량부∼7중량부)로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 사용량이 폴리머 성분 100중량부에 대해서 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 한편, 응집력 향상의 관점에서는, 가교제의 사용량은 폴리머 성분 100중량부에 대해서 0.05중량부 이상인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에서는, 가교제를 이용하는 대신에, 또는 가교제를 이용함과 더불어, 전자선이나 자외선 등의 조사에 의해 가교 처리를 실시하는 것도 가능하다.
반도체 이면용 필름(40)은 착색제를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 반도체 이면용 필름(40)은 착색되어 우수한 마킹성 및 외관성을 발휘시킬 수 있어, 부가 가치가 있는 외관의 반도체 장치로 하는 것이 가능해진다. 이와 같이, 착색된 반도체 이면용 필름은 우수한 마킹성을 갖고 있으므로, 반도체 소자 또는 해당 반도체 소자가 이용된 반도체 장치의 비회로면측의 면에, 반도체 이면용 필름을 개재해서, 인쇄 방법이나 레이저 마킹 방법 등의 각종 마킹 방법을 이용하는 것에 의해 마킹을 실시하여, 문자 정보나 도형 정보 등의 각종 정보를 부여시킬 수 있다. 특히, 착색의 색을 컨트롤하는 것에 의해, 마킹에 의해 부여된 정보(문자 정보, 도형 정보 등)를 우수한 시인성으로 시인하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 이면용 필름은 착색되어 있으므로, 다이싱 테이프와 반도체 이면용 필름을 용이하게 구별할 수 있어, 작업성 등을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 예를 들면 반도체 장치로서 제품별로 색별하는 것도 가능하다. 반도체 이면용 필름을 유색으로 하는 경우(무색·투명하지는 않는 경우), 착색에 의해 나타내고 있는 색으로서는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 흑색, 청색, 적색 등의 농색인 것이 바람직하고, 특히 흑색인 것이 적합하다.
본 실시의 형태에 있어서, 농색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*이 60 이하(0∼60)[바람직하게는 50 이하(0∼50), 더 바람직하게는 40 이하(0∼40)]가 되는 진한 색을 의미하고 있다.
또한, 흑색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*이 35 이하(0∼35)[바람직하게는 30 이하(0∼30), 더 바람직하게는 25 이하(0∼25)]가 되는 흑색계 색을 의미하고 있다. 한편, 흑색에 있어서, L*a*b* 표색계로 규정되는 a*나 b*는 각각 L*의 값에 따라서 적절히 선택할 수 있다. a*나 b*로서는, 예를 들면, 양방 모두 -10∼10인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -5∼5이며, 특히 -3∼3의 범위(그 중에서도 0 또는 거의 0)인 것이 적합하다.
한편, 본 실시의 형태에 있어서, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*, a*, b*는 색채 색차계(상품명 「CR-200」, 미놀타사제; 색채 색차계)를 이용하여 측정하는 것에 의해 구해진다. 한편, L*a*b* 표색계는 국제조명위원회(CIE)가 1976년에 추천한 색공간으로, CIE1976(L*a*b*) 표색계라고 칭해지는 색공간을 의미하고 있다. 또한, L*a*b* 표색계는 일본공업규격에서는 JIS Z 8729에 규정되어 있다.
반도체 이면용 필름(40)을 착색할 때에는, 목적으로 하는 색에 따라서 색재(착색제)를 이용할 수 있다. 이와 같은 색재로서는, 흑계 색재, 청계 색재, 적계 색재 등의 각종 농색계 색재를 적합하게 이용할 수 있고, 흑계 색재가 보다 적합하다. 색재로서는, 안료, 염료 등 어느 것이어도 된다. 색재는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 한편, 염료로서는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어느 형태의 염료여도 이용하는 것이 가능하다. 또한, 안료도 그의 형태는 특별히 제한되지 않고, 공지의 안료로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있다.
흑계 색재로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 무기의 흑계 안료, 흑계 염료로부터 적절히 선택할 수 있다. 또한, 흑계 색재로서는, 사이안계 색재(청록계 색재), 마젠다계 색재(적자계 색재) 및 옐로계 색재(황계 색재)가 혼합된 색재 혼합물이어도 된다. 흑계 색재는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 물론, 흑계 색재는 흑 이외의 색의 색재와 병용할 수도 있다.
구체적으로는, 흑계 색재로서는, 예를 들면, 카본 블랙(퍼니스 블랙, 채널 블랙, 아세틸렌 블랙, 서멀 블랙, 램프 블랙 등), 그래파이트(흑연), 산화 구리, 이산화 망간, 아조계 안료(아조메틴아조 블랙 등), 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 타이타늄 블랙, 사이아닌 블랙, 활성탄, 페라이트(비자성 페라이트, 자성 페라이트 등), 마그네타이트, 산화 크로뮴, 산화 철, 이황화 몰리브데넘, 크로뮴 착체, 복합 산화물계 흑색 색소, 안트라퀴논계 유기 흑색 색소 등을 들 수 있다.
본 발명에서는, 흑계 색재로서는, C. I. 솔벤트 블랙 3, 동 7, 동 22, 동 27, 동 29, 동 34, 동 43, 동 70, C. I. 다이렉트 블랙 17, 동 19, 동 22, 동 32, 동 38, 동 51, 동 71, C. I. 애시드 블랙 1, 동 2, 동 24, 동 26, 동 31, 동 48, 동 52, 동 107, 동 109, 동 110, 동 119, 동 154, C. I. 디스퍼스 블랙 1, 동 3, 동 10, 동 24 등의 블랙계 염료; C. I. 피그먼트 블랙 1, 동 7 등의 블랙계 안료 등도 이용할 수 있다.
흑계 색재 이외의 색재로서는, 예를 들면, 사이안계 색재, 마젠다계 색재, 옐로계 색재 등을 들 수 있다. 사이안계 색재로서는, 예를 들면, C. I. 솔벤트 블루 25, 동 36, 동 60, 동 70, 동 93, 동 95; C. I. 애시드 블루 6, 동 45 등의 사이안계 염료; C. I. 피그먼트 블루 1, 동 2, 동 3, 동 15, 동 15:1, 동 15:2, 동 15:3, 동 15:4, 동 15:5, 동 15:6, 동 16, 동 17, 동 17:1, 동 18, 동 22, 동 25, 동 56, 동 60, 동 63, 동 65, 동 66; C. I. 배트 블루 4, 동 60; C. I. 피그먼트 그린 7 등의 사이안계 안료 등을 들 수 있다.
또한, 마젠다계 색재에 있어서, 마젠다계 염료로서는, 예를 들면, C. I. 솔벤트 레드 1, 동 3, 동 8, 동 23, 동 24, 동 25, 동 27, 동 30, 동 49, 동 52, 동 58, 동 63, 동 81, 동 82, 동 83, 동 84, 동 100, 동 109, 동 111, 동 121, 동 122; C. I. 디스퍼스 레드 9; C. I. 솔벤트 바이올렛 8, 동 13, 동 14, 동 21, 동 27; C. I. 디스퍼스 바이올렛 1; C. I. 베이직 레드 1, 동 2, 동 9, 동 12, 동 13, 동 14, 동 15, 동 17, 동 18, 동 22, 동 23, 동 24, 동 27, 동 29, 동 32, 동 34, 동 35, 동 36, 동 37, 동 38, 동 39, 동 40; C. I. 베이직 바이올렛 1, 동 3, 동 7, 동 10, 동 14, 동 15, 동 21, 동 25, 동 26, 동 27, 동 28 등을 들 수 있다.
마젠다계 색재에 있어서, 마젠다계 안료로서는, 예를 들면, C. I. 피그먼트 레드 1, 동 2, 동 3, 동 4, 동 5, 동 6, 동 7, 동 8, 동 9, 동 10, 동 11, 동 12, 동 13, 동 14, 동 15, 동 16, 동 17, 동 18, 동 19, 동 21, 동 22, 동 23, 동 30, 동 31, 동 32, 동 37, 동 38, 동 39, 동 40, 동 41, 동 42, 동 48:1, 동 48:2, 동 48:3, 동 48:4, 동 49, 동 49:1, 동 50, 동 51, 동 52, 동 52:2, 동 53:1, 동 54, 동 55, 동 56, 동 57:1, 동 58, 동 60, 동 60:1, 동 63, 동 63:1, 동 63:2, 동 64, 동 64:1, 동 67, 동 68, 동 81, 동 83, 동 87, 동 88, 동 89, 동 90, 동 92, 동 101, 동 104, 동 105, 동 106, 동 108, 동 112, 동 114, 동 122, 동 123, 동 139, 동 144, 동 146, 동 147, 동 149, 동 150, 동 151, 동 163, 동 166, 동 168, 동 170, 동 171, 동 172, 동 175, 동 176, 동 177, 동 178, 동 179, 동 184, 동 185, 동 187, 동 190, 동 193, 동 202, 동 206, 동 207, 동 209, 동 219, 동 222, 동 224, 동 238, 동 245; C. I. 피그먼트 바이올렛 3, 동 9, 동 19, 동 23, 동 31, 동 32, 동 33, 동 36, 동 38, 동 43, 동 50; C. I. 배트 레드 1, 동 2, 동 10, 동 13, 동 15, 동 23, 동 29, 동 35 등을 들 수 있다.
또한, 옐로계 색재로서는, 예를 들면, C. I. 솔벤트 옐로 19, 동 44, 동 77, 동 79, 동 81, 동 82, 동 93, 동 98, 동 103, 동 104, 동 112, 동 162 등의 옐로계 염료; C. I. 피그먼트 오렌지 31, 동 43; C. I. 피그먼트 옐로 1, 동 2, 동 3, 동 4, 동 5, 동 6, 동 7, 동 10, 동 11, 동 12, 동 13, 동 14, 동 15, 동 16, 동 17, 동 23, 동 24, 동 34, 동 35, 동 37, 동 42, 동 53, 동 55, 동 65, 동 73, 동 74, 동 75, 동 81, 동 83, 동 93, 동 94, 동 95, 동 97, 동 98, 동 100, 동 101, 동 104, 동 108, 동 109, 동 110, 동 113, 동 114, 동 116, 동 117, 동 120, 동 128, 동 129, 동 133, 동 138, 동 139, 동 147, 동 150, 동 151, 동 153, 동 154, 동 155, 동 156, 동 167, 동 172, 동 173, 동 180, 동 185, 동 195; C. I. 배트 옐로 1, 동 3, 동 20 등의 옐로계 안료 등을 들 수 있다.
사이안계 색재, 마젠다계 색재, 옐로계 색재 등의 각종 색재는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 한편, 사이안계 색재, 마젠다계 색재, 옐로계 색재 등의 각종 색재를 2종 이상 이용하는 경우, 이들 색재의 혼합 비율(또는 배합 비율)로서는, 특별히 제한되지 않고, 각 색재의 종류나 목적으로 하는 색 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)에는, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들면, 충전제(필러), 난연제, 실레인 커플링제, 이온 트랩제 외에, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
상기 충전제로서는, 무기 충전제, 유기 충전제 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전제가 적합하다. 무기 충전제 등의 충전제의 배합에 의해, 반도체 이면용 필름(40)의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 도모할 수 있다. 한편, 반도체 이면용 필름(40)으로서는 도전성이어도, 비도전성이어도 된다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들면, 실리카, 클레이, 석고, 탄산 칼슘, 황산 바륨, 산화 알루미늄, 산화 베릴륨, 탄화 규소, 질화 규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크로뮴, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등으로 이루어지는 여러 가지의 무기 분말 등을 들 수 있다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 충전제로서는, 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적합하다. 한편, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1μm∼80μm의 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들면, 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
상기 충전제(특히 무기 충전제)의 배합량은 유기 수지 성분 100중량부에 대해서 80중량부 이하(0중량부∼80중량부)인 것이 바람직하고, 특히 0중량부∼70중량부인 것이 적합하다.
또한, 상기 난연제로서는, 예를 들면, 삼산화 안티모니, 오산화 안티모니, 브로민화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 난연제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 실레인 커플링제로서는, 예를 들면, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인 등을 들 수 있다. 실레인 커플링제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들면 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이온 트랩제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)은, 예를 들면, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와, 필요에 따라서 아크릴 수지 등의 열가소성 수지와, 필요에 따라서 용매나 그 밖의 첨가제 등을 혼합하여 수지 조성물을 조제하고, 필름상의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)은, 경화 후에 있어서의 인장 저장 탄성률이 23℃∼80℃의 전체 범위에서 1GPa 이상인 것이 바람직하다. 1GPa 이상이면, 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다. 바람직하게는 2GPa 이상이다. 경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 인장 저장 탄성률은 아크릴 수지의 함유량, 열경화성 수지의 함유량 등에 의해 조정할 수 있다. 한편, 반도체 이면용 필름(40)은 120℃ 2시간의 가열로 경화시킬 수 있다. 경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 인장 저장 탄성률은 실시예에 기재된 방법으로 측정한다.
경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 23℃ 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 2GPa 이상, 보다 바람직하게는 2.5GPa 이상이다. 경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 23℃ 인장 저장 탄성률의 상한은, 예를 들어 50GPa, 10GPa, 7GPa, 5GPa이다. 한편, 경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 80℃ 인장 저장 탄성률의 상한은, 예를 들어 50GPa, 10GPa, 7GPa, 5GPa이다.
경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 80℃ 인장 저장 탄성률의, 경화 후에 있어서의 반도체 이면용 필름(40)의 23℃ 인장 저장 탄성률에 대한 비(80℃ 인장 저장 탄성률/23℃ 인장 저장 탄성률)는, 바람직하게는 0.3 이상, 바람직하게는 0.4 이상이다. 0.3 미만이면, 온도에 대한 탄성률 변화가 크기 때문에 칩 측면의 균열이 생기기 쉽다. 비(80℃ 인장 저장 탄성률/23℃ 인장 저장 탄성률)는, 바람직하게는 1.0 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하, 더 바람직하게는 0.8 이하이다.
반도체 이면용 필름(40)은 1.7kgf/mm2 이상의 실리콘 칩에 대한 25℃ 전단 접착력을 갖는 것이 바람직하다. 25℃ 전단 접착력이 1.7kgf/mm2 이상이면, 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다. 다이싱 시에 있어서의 반도체 칩의 진동을 억제 가능하다고 추측된다. 25℃ 전단 접착력의 하한은, 예를 들어 1.8kgf/mm2이다. 25℃ 전단 접착력의 상한은, 예를 들어 4kgf/mm2, 3.5kgf/mm2, 3kgf/mm2 등이다. 25℃ 전단 접착력은 열가소성 수지의 열경화성 수지에 대한 비 등으로 조정할 수 있다. 25℃ 전단 접착력은, 실리콘 칩에 반도체 이면용 필름(40)을 70℃에서 고정하고, 120℃ 2시간으로 가열한 후에, 전단 속도 500μm/sec, 25℃에서 측정할 수 있다.
반도체 이면용 필름(40)은 바람직하게는 0.5kgf/mm2 이상의 실리콘 칩에 대한 100℃ 전단 접착력을 갖는다. 100℃ 전단 접착력이 0.5kgf/mm2 이상이면, 다이싱 시의 칩 날림이나, 리플로 시의 반도체 이면용 필름(40)의 박리가 생기기 어려운 경향이 있어, 신뢰성이 우수하다. 100℃ 전단 접착력은, 바람직하게는 1.0kgf/mm2 이상, 보다 바람직하게는 2.0kgf/mm2 이상이다.
반도체 이면용 필름(40)은 세퍼레이터(박리 라이너)에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는 실용에 제공할 때까지 반도체 이면용 필름을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 세퍼레이터는 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름(폴리에틸렌 테레프탈레이트 등)이나 종이 등도 사용 가능하다. 한편, 세퍼레이터는 종래 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 세퍼레이터의 두께 등도 특별히 제한되지 않는다.
반도체 이면용 필름(40)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 2μm∼200μm 정도의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 나아가, 상기 두께는 4μm∼160μm 정도가 바람직하고, 6μm∼100μm 정도가 보다 바람직하고, 10μm∼80μm 정도가 특히 바람직하다.
(다이싱 테이프)
다이싱 테이프(2)는 기재(21) 상에 점착제층(22)이 형성되어 구성되어 있다. 이와 같이, 다이싱 테이프(2)는 기재(21)와 점착제층(22)이 적층된 구성을 갖고 있으면 된다.
다이싱 테이프(2)는,
(1) 점착제층(22)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 경우와,
(2) 점착제층(22)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 경우로 분류할 수 있다.
이하에서는, 우선, (1)의 경우에 대해 설명한다.
점착제층(22)은 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이고, 바람직하게는 1MPa∼100MPa, 보다 바람직하게는 10MPa∼50MPa이다. 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa 이상이어서, 자외선 조사 후에는 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 점착제층(22)에 자외선을 조사한 후에 블레이드 다이싱을 행하면, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다. 또한, 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 200MPa 이하이기 때문에, 다이싱 시에 다이 플라이해 버리는 것을 억제할 수 있다. 자외선 조사량은 실시예에 기재된 것에 의한다.
적어도, 점착제층(22)은 웨이퍼 첩부부(23)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1MPa∼100MPa이며, 더 바람직하게는 10MPa∼50MPa이다. 즉, 점착제층(22)이 웨이퍼 첩부부(23)만으로 구성되는 경우, 점착제층(22)은 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하다. 또한, 점착제층(22)이 웨이퍼 첩부부(23)와 그 이외의 부분으로 구성되는 경우, 점착제층(22)은, 적어도, 웨이퍼 첩부부(23)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면 되고, 그 이외의 부분은 특별히 한정되지 않는다. 적어도, 점착제층(22)의 웨이퍼 첩부부(23)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 보다 저감할 수 있다.
자외선 조사 후의 점착제층(22)의 인장 탄성률은, 예를 들면, 후술하는 가교제, 광중합 개시제, 자외선 반응형 가교제의 함유량 등에 의해 조정할 수 있다.
점착제층(22)에 자외선 조사한 후의 플립칩형 반도체 이면용 필름(40)과 점착제층(22) 사이의 23℃에서의 박리력은 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.03N/20mm 이상 0.15N/20mm 이하이며, 더 바람직하게는 0.05N/20mm 이상 0.10N/20mm 이하이다. 점착제층(22)에 자외선 조사한 후의 플립칩형 반도체 이면용 필름(40)과 점착제층(22) 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 더 저감할 수 있다. 또한, 다이싱 후의 칩을 적합하게 픽업할 수 있다.
기재(21)는 점착제층 등의 지지 모체로서 이용할 수 있다. 기재(21)는 자외선 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 기재(21)로서는, 예를 들면, 종이 등의 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트, 네트 등의 섬유계 기재; 금속박, 금속판 등의 금속계 기재; 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재; 고무 시트 등의 고무계 기재; 발포 시트 등의 발포체나, 이들의 적층체[특히, 플라스틱계 기재와 다른 기재의 적층체나, 플라스틱 필름(또는 시트)끼리의 적층체 등] 등의 적절한 박엽체를 이용할 수 있다. 본 발명에서는, 기재로서는, 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재를 적합하게 이용할 수 있다. 이와 같은 플라스틱재에 있어서의 소재로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 (랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌을 모노머 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스터; 아크릴계 수지; 폴리염화 바이닐(PVC); 폴리유레테인; 폴리카보네이트; 폴리페닐렌 설파이드(PPS); 폴리아마이드(나일론), 전방향족 폴리아마이드(아라미드) 등의 아마이드계 수지; 폴리에터 에터 케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에터이미드; 폴리염화 바이닐리덴; ABS(아크릴로나이트릴-뷰타다이엔-스타이렌 공중합체); 셀룰로스계 수지; 실리콘 수지; 불소 수지 등을 들 수 있다.
또한 기재(21)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 무연신으로 이용해도 되고, 필요에 따라서 일축 또는 이축의 연신 처리를 실시한 것을 이용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 기재(21)를 열수축시키는 것에 의해 점착제층(22)과 반도체 이면용 필름(40)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
기재(21)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보유성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들면, 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들면, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
기재(21)는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라서 수종을 블렌딩한 것을 이용할 수 있다. 또한, 기재(21)에는 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기의 기재(21) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30∼500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 마련할 수 있다. 기재(21)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.
기재(21)의 두께(적층체의 경우는 총 두께)는 특별히 제한되지 않고 강도나 유연성, 사용 목적 등에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 일반적으로는 1000μm 이하(예를 들면, 1μm∼1000μm), 바람직하게는 10μm∼500μm, 더 바람직하게는 20μm∼300μm, 특히 30μm∼200μm 정도이지만, 이들로 한정되지 않는다.
한편, 기재(21)에는, 본 발명의 효과 등을 해치지 않는 범위에서, 각종 첨가제(착색제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.
점착제층(22)은 점착제에 의해 형성되어 있어, 점착성을 갖고 있다. 점착제층(22)은, 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 한, 특별히 제한되지 않고, 공지의 점착제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 점착제로서는, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 바이닐 알킬 에터계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스터계 점착제, 폴리아마이드계 점착제, 유레테인계 점착제, 불소계 점착제, 스타이렌-다이엔 블록 공중합체계 점착제, 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제 등의 공지의 점착제(예를 들면, 일본 특허공개 소56-61468호 공보, 일본 특허공개 소61-174857호 공보, 일본 특허공개 소63-17981호 공보, 일본 특허공개 소56-13040호 공보 등 참조) 중에서, 상기 특성을 갖는 점착제를 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 그 중에서도, 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다. 점착제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 점착제로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적합하게 이용할 수 있고, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 점착제에 있어서의 (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 뷰틸, (메트)아크릴산 아이소뷰틸, (메트)아크릴산 s-뷰틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 아이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트라이데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 (메트)아크릴산 알킬 에스터 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 알킬기의 탄소수가 4∼18인 (메트)아크릴산 알킬 에스터가 적합하다. 한편, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어느 것이어도 된다.
한편, 상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 공중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 모노머; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필, (메트)아크릴산 하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 하이드록시헥실, (메트)아크릴산 하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 하이드록시데실, (메트)아크릴산 하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 (메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이도-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-뷰틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올프로페인 (메트)아크릴아마이드 등의 (N-치환) 아마이드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-다이메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; 스타이렌, α-메틸스타이렌 등의 스타이렌계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐 등의 바이닐 에스터계 모노머; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 모노머; 바이닐 에터 등의 바이닐 에터계 모노머; N-바이닐피롤리돈, 메틸바이닐피롤리돈, 바이닐피리딘, 바이닐피페리돈, 바이닐피리미딘, 바이닐피페라진, 바이닐피라진, 바이닐피롤, 바이닐이미다졸, 바이닐옥사졸, 바이닐모르폴린, N-바이닐카복실산 아마이드류, N-바이닐카프로락탐 등의 질소 함유 모노머; N-사이클로헥실말레이미드, N-아이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-뷰틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-사이클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일 옥시메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌석신이미드 등의 석신이미드계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌 글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌 글리콜, (메트)아크릴산 메톡시 에틸렌 글리콜, (메트)아크릴산 메톡시 폴리프로필렌 글리콜 등의 글리콜계 아크릴 에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 유레테인 아크릴레이트, 다이바이닐벤젠, 뷰틸 다이(메트)아크릴레이트, 헥실 다이(메트)아크릴레이트 등의 다작용 모노머 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
상기 점착제에는, 탄성률의 조정을 위해서, 가교제(외부 가교제)를 채용하는 것이 바람직하다. 상기 가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 가교제를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 가교제로서는, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있고, 아이소사이아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제가 적합하다. 가교제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 한편, 가교제의 사용량은 특별히 제한되지 않는다. 가교제를 사용하는 경우, 베이스 폴리머(용제를 제외한 고형분) 100중량부에 대해서 0.1∼20중량부 배합하는 것이 바람직하다.
상기 아이소사이아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 1,2-에틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,4-뷰틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,6-헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트, 수소첨가 톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 수소첨가 자일렌 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 폴리아이소사이아네이트류; 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 폴리아이소사이아네이트류 등을 들 수 있고, 그 밖에, 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제, 상품명 「코로네이트 L」], 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제, 상품명 「코로네이트 HL」] 등도 이용된다. 또한, 상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌다이아민, 다이글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)사이클로헥세인, 1,6-헥세인다이올 다이글리시딜 에터, 네오펜틸 글리콜 다이글리시딜 에터, 에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 폴리에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 폴리프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 소르비톨 폴리글리시딜 에터, 글리세롤 폴리글리시딜 에터, 펜타에리트리톨 폴리글리시딜 에터, 폴리글리세롤 폴리글리시딜 에터, 소르비탄 폴리글리시딜 에터, 트라이메틸올프로페인 폴리글리시딜 에터, 아디프산 다이글리시딜 에스터, o-프탈산 다이글리시딜 에스터, 트라이글리시딜-트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아누레이트, 레조르신 다이글리시딜 에터, 비스페놀-S-다이글리시딜 에터 외에, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
점착제로서 자외선 경화형 점착제를 이용하는 경우, 자외선 경화형 점착제(조성물)로서는, 예를 들면, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 폴리머를 베이스 폴리머로서 이용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머로의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들면, 미리, 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 점착제는 자외선 반응형 가교제(자외선 중합성의 모노머 성분 또는 올리고머 성분)를 포함하는 것이 바람직하다. 자외선 반응형 가교제를 포함하면, 자외선 조사 후의 탄성률을 높게 할 수 있다.
자외선 반응형 가교제로서는, 예를 들면, 유레테인 (메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시 펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 유레테인계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리뷰타다이엔계 등 여러 가지의 올리고머를 들 수 있고, 그의 분자량이 100∼30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 자외선 반응형 가교제를 함유시키는 것에 의해, 자외선 조사에 의해 탄성률을 크게 높이는 것이 가능해진다. 자외선 반응형 가교제의 배합량은 베이스 폴리머 100중량부에 대해서 1∼50중량부인 것이 바람직하다.
상기 점착제는 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-다이에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-모폴리노프로판-1-온 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 아니소인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물; 벤질 다이메틸 케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설폰일 클로라이드 등의 방향족 설폰일 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,2―프로페인다이온-2-(O-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이옥산톤, 2-클로로싸이옥산톤, 2-메틸싸이옥산톤, 2,4-다이메틸싸이옥산톤, 이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 2,4-다이아이소프로필싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤계 화합물; 캠퍼퀴논; 할로젠화 케톤; 아실포스핀 옥사이드; 아실 포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 예를 들면 0.05∼10중량부 정도이다.
점착제층(22)은, 예를 들면, 점착제(감압 접착제)와, 필요에 따라서 용매나 그 밖의 첨가제 등을 혼합해서, 시트상의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 점착제 및 필요에 따라서 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을 기재(21) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상기 혼합물을 도포하여 점착제층(22)을 형성하고, 이것을 기재(21) 상에 전사(이착)하는 방법 등에 의해 점착제층(22)을 형성할 수 있다.
점착제층(22)의 두께는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 5μm∼300μm(바람직하게는 5μm∼200μm, 더 바람직하게는 5μm∼100μm, 특히 바람직하게는 7μm∼50μm) 정도이다. 점착제층(22)의 두께가 상기 범위 내이면, 적당한 점착력을 발휘할 수 있다. 한편, 점착제층(22)은 단층, 복층 중 어느 것이어도 된다.
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 롤 형상으로 권회된 형태로 형성되어 있어도 되고, 시트(필름)가 적층된 형태로 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 롤 형상으로 권회된 형태를 갖고 있는 경우, 플립칩형 반도체 이면용 필름과 다이싱 테이프의 적층체를, 필요에 따라서 세퍼레이터에 의해 보호한 상태로 롤 형상으로 권회하여, 롤 형상으로 권회된 상태 또는 형태의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로서 제작할 수 있다. 한편, 롤 형상으로 권회된 상태 또는 형태의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)으로서는, 기재(21)와, 기재(21)의 한쪽 면에 형성된 점착제층(22)과, 점착제층(22) 상에 형성된 반도체 이면용 필름(40)과, 기재(21)의 다른 쪽 면에 형성된 박리 처리층(배면 처리층)으로 구성되어 있어도 된다.
한편, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 두께(반도체 이면용 필름의 두께와 기재(21) 및 점착제층(22)으로 이루어지는 다이싱 테이프의 두께의 총 두께)로서는, 예를 들면, 7μm∼11300μm의 범위로부터 선택할 수 있고, 바람직하게는 17μm∼1600μm(더 바람직하게는 28μm∼1200μm)이다.
이상, 상기 (1)의 경우, 즉, 점착제층(22)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 경우의 다이싱 테이프(2)에 대해 설명했다.
다음으로, 상기 (2)의 경우, 즉, 점착제층(22)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 경우의 다이싱 테이프(2)에 대해 설명한다.
(2)의 경우, 점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이고, 바람직하게는 1MPa∼100MPa, 보다 바람직하게는 10MPa∼50MPa이다. 점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa 이상이어서, 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다. 또한, 23℃에서의 인장 탄성률이 200MPa 이하이기 때문에, 다이싱 시에 다이 플라이해 버리는 것을 억제할 수 있다.
적어도, 점착제층(22)은 웨이퍼 첩부부(23)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1MPa∼100MPa이며, 더 바람직하게는 10MPa∼50MPa이다. 즉, 점착제층(22)이 웨이퍼 첩부부(23)만으로 구성되는 경우, 점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것이 바람직하다. 또한, 점착제층(22)이 웨이퍼 첩부부(23)와 그 이외의 부분으로 구성되는 경우, 점착제층(22)은, 적어도, 웨이퍼 첩부부(23)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면 되고, 그 이외의 부분은 특별히 한정되지 않는다. 적어도, 점착제층(22)의 웨이퍼 첩부부(23)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 보다 저감할 수 있다.
점착제층(22)의 인장 탄성률은, 예를 들면, 가교제의 함유량 등에 의해 조정할 수 있다.
플립칩형 반도체 이면용 필름(40)과 점착제층(22) 사이의 23℃에서의 박리력은 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.03N/20mm 이상 0.15N/20mm 이하이며, 더 바람직하게는 0.05N/20mm 이상 0.10N/20mm 이하이다. 플립칩형 반도체 이면용 필름(40)과 점착제층(22) 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하이면, 블레이드 다이싱 시에 칩 측면에 생기는 균열을 더 저감할 수 있다.
상기 (2)의 경우의 점착제층(22)의 조성은, 점착제층(22)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 한에 있어서 상기 (1)과 마찬가지의 구성을 채용할 수 있기 때문에 여기에서의 상세한 설명은 생략한다. 예를 들면, 점착제층(22)은 자외선 경화형 점착제를 이용하지 않아, 자외선 경화되지 않는 점착제로 구성되어 있어도 된다.
이상, 상기 (2)의 경우, 즉, 점착제층(22)의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 경우의 다이싱 테이프(2)에 대해 설명했다.
(다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법)
본 실시의 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법에 대해, 도 1에 나타내는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 예로 하여 설명한다. 먼저, 기재(21)는 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
다음으로, 기재(21) 상에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층(22)을 형성한다. 도포 방식으로서는, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 한편, 점착제층 조성물을 직접 기재(21)에 도포하여 기재(21) 상에 점착제층(22)을 형성해도 되고, 또한 점착제 조성물을 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포하여 점착제층(22)을 형성시킨 후, 해당 점착제층(22)을 기재(21)에 전사시켜도 된다. 이에 의해, 기재(21) 상에 점착제층(22)이 형성된 다이싱 테이프(2)가 제작된다.
한편, 반도체 이면용 필름(40)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 건조 후의 두께가 소정 두께가 되도록 도포하고, 추가로 소정 조건하에서 건조해서(열경화가 필요한 경우 등에서는, 필요에 따라서 가열 처리를 실시하여 건조해서), 도포층을 형성한다. 이 도포층을 점착제층(22) 상에 전사하는 것에 의해, 반도체 이면용 필름(40)을 점착제층(22) 상에 형성한다. 한편, 점착제층(22) 상에 반도체 이면용 필름(40)을 형성하기 위한 형성 재료를 직접 도포한 후, 소정 조건하에서 건조하는(열경화가 필요한 경우 등에서는, 필요에 따라서 가열 처리를 실시하여 건조하는) 것에 의해서도, 반도체 이면용 필름(40)을 점착제층(22) 상에 형성할 수 있다. 이상에 의해, 본 발명에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 얻을 수 있다. 한편, 반도체 이면용 필름(40)을 형성할 때에 열경화를 행하는 경우, 부분 경화 상태가 될 정도로 열경화를 행하는 것이 중요하지만, 바람직하게는 열경화를 행하지 않는다.
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립칩 본딩 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 시에 적합하게 이용할 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립칩 실장의 반도체 장치를 제조할 때에 이용되어, 반도체 칩의 이면에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(40)이 첩착되어 있는 상태 또는 형태로 플립칩 실장의 반도체 장치가 제조된다. 따라서, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립칩 실장의 반도체 장치(반도체 칩이 기판 등의 피착체에 플립칩 본딩 방식으로 고정된 상태 또는 형태의 반도체 장치)에 대해서 이용할 수 있다.
(반도체 웨이퍼)
반도체 웨이퍼로서는, 공지 내지 관용의 반도체 웨이퍼이면 특별히 제한되지 않고, 각종 소재의 반도체 웨이퍼로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼로서는 실리콘 웨이퍼를 적합하게 이용할 수 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
[제 1 실시형태]
제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해, 도 2∼도 7을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 2∼도 7은 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 제 3 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 공정 A를 먼저 행하고, 그 후, 공정 B를 행하는 경우이다.
제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정 A와,
상기 공정 A 후, 상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록, 상기 점착제층에 자외선을 조사하는 공정 B와,
상기 공정 A 및 상기 공정 B 후에, 상기 반도체 웨이퍼를 블레이드 다이싱하여 반도체 소자를 형성하는 공정 C와,
상기 반도체 소자를 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정 D를 적어도 갖는다.
이하, 제 1 실시형태에 대해 상술한다. 제 1 실시형태에서는, 상기 (1)의 경우의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 이용한다. 즉, 제 1 실시형태의 점착제층(22)은 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이다. 점착제층(22)의 자외선 조사 전의 23℃에서의 인장 탄성률은 1MPa∼200MPa의 범위 내여도 되고, 범위 밖이어도 된다. 단, 자외선 조사 전의 23℃에서의 인장 탄성률은 1MPa 미만인 것이 바람직하다. 웨이퍼를 보다 착실하게 고정할 수 있기 때문이다.
[마운트 공정]
먼저, 도 2에서 나타나는 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(40) 상에 임의로 마련된 세퍼레이터를 적절히 박리하고, 당해 반도체 이면용 필름(40) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 첩착하여, 이것을 접착 보유시키고 고정한다(공정 A). 이때 반도체 이면용 필름(40)은 미경화 상태(반경화 상태를 포함한다)에 있다. 또한, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 반도체 웨이퍼(4)의 이면에 첩착된다. 반도체 웨이퍼(4)의 이면이란, 회로면과는 반대측의 면(비회로면, 비전극 형성면 등으로도 칭해진다)을 의미한다. 첩착 방법은 특별히 한정되지 않지만, 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착은, 통상, 압착 롤 등의 압압(押壓) 수단에 의해 압압하면서 행해진다.
[가열 공정]
다음으로, 필요에 따라서, 반도체 이면용 필름(40)의 반도체 웨이퍼(4)에 대한 고정을 강고하게 하기 위해서, 베이킹(가열)을 행한다. 이에 의해, 반도체 이면용 필름(40)은 경화된다. 이 베이킹은, 예를 들면 80∼150℃, 0.1∼24시간의 조건에서 행한다.
[레이저 마킹 공정]
다음으로, 필요에 따라서, 도 3에서 나타나는 바와 같이, 다이싱 테이프(2)측으로부터 레이저 마킹용의 레이저(36)를 이용하여 반도체 이면용 필름(40)에 레이저 마킹을 행한다. 레이저 마킹의 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 반도체 이면용 필름(40)에 레이저[파장: 532nm]를 강도: 0.3W∼2.0W의 조건에서 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 이때의 가공 깊이(심도)가 2μm 이상이 되도록 조사하는 것이 바람직하다. 상기 가공 깊이의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 2μm∼25μm의 범위로부터 선택할 수 있고, 바람직하게는 3μm 이상(3μm∼20μm)이며, 보다 바람직하게는 5μm 이상(5μm∼15μm)이다. 레이저 마킹의 조건을 상기 수치 범위 내로 하는 것에 의해, 우수한 레이저 마킹성이 발휘된다.
한편, 반도체 이면용 필름(40)의 레이저 가공성은 구성 수지 성분의 종류나 그의 함유량, 착색제의 종류나 그의 함유량, 가교제의 종류나 그의 함유량, 충전재의 종류나 그의 함유량 등에 의해 컨트롤할 수 있다.
[자외선 조사 공정]
다음으로, 도 4에서 나타나는 바와 같이, 점착제층(22)에 자외선(38)을 조사한다(공정 B). 자외선의 조사는 자외선 조사 후의 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록 행한다. 구체적인 자외선의 조사량으로서는, 예를 들면, 200∼600mJ/cm2의 범위 내가 적합하다. 또한, 자외선의 조사 방향은 특별히 한정되지 않지만, 기재(21)측으로부터 행하는 것이 바람직하다. 통상, 기재(21)로서 자외선을 효율 좋게 투과시키는 것을 이용하므로 자외선을 유효하게 이용할 수 있기 때문이다.
[다이싱 공정]
다음으로, 도 5에서 나타나는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 다이싱은 블레이드 다이싱으로 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 사이즈로 절단해서 개편화(소편화)하여, 반도체 칩(5)을 제조한다(공정 C). 다이싱은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상적 방법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들면, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)까지 절입을 행하는 풀 컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다.
점착제층(22)은, 공정 B에 의해 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되어 있다. 그 때문에, 어느 정도의 경도를 갖고 있다. 그리고, 점착제층(22)이 어느 정도의 경도를 갖는 상태에서 블레이드 다이싱을 행하기 때문에, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
또한, 점착제층(22)은, 공정 B에 의해, 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 200MPa 이하가 되어 있기 때문에, 다이싱 시에 다이 플라이해 버리는 것을 억제할 수 있다.
한편, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 익스팬드를 행하는 경우, 해당 익스팬드는 종래 공지의 익스팬드 장치를 이용하여 행할 수 있다. 익스팬드 장치는, 다이싱 링을 개재해서 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 하방으로 눌러 내리는 것이 가능한 도넛 형상의 외링과, 외링보다도 지름이 작고 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 지지하는 내링을 갖고 있다. 이 익스팬드 공정에 의해, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 이웃하는 반도체 칩끼리가 접촉하여 파손되는 것을 막을 수 있다.
[픽업 공정]
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 회수하기 위해, 도 6에서 나타나는 바와 같이, 반도체 칩(5)의 픽업을 행하여, 반도체 칩(5)을 반도체 이면용 필름(40)과 함께 다이싱 테이프(2)로부터 박리시킨다(공정 D). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 기재(21)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다. 픽업된 반도체 칩(5)은 그의 이면이 반도체 이면용 필름(40)에 의해 보호되어 있다.
[플립칩 접속 공정]
픽업한 반도체 칩(5)은, 도 7에서 나타나는 바와 같이, 기판 등의 피착체에 플립칩 본딩 방식(플립칩 실장 방식)에 의해 고정시킨다. 구체적으로는, 반도체 칩(5)을, 반도체 칩(5)의 회로면(표면, 회로 패턴 형성면, 전극 형성면 등으로도 칭해진다)이 피착체(6)와 대향하는 형태로, 피착체(6)에 통상적 방법에 따라 고정시킨다. 예를 들면, 반도체 칩(5)의 회로면측에 형성되어 있는 범프(51)를, 피착체(6)의 접속 패드에 피착된 접합용의 도전재(땜납 등)(61)에 접촉시켜 압압하면서 도전재를 용융시키는 것에 의해, 반도체 칩(5)과 피착체(6)의 전기적 도통을 확보하고, 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 고정시킬 수 있다(플립칩 본딩 공정). 이때, 반도체 칩(5)과 피착체(6) 사이에는 공극이 형성되어 있고, 그 공극간 거리는 일반적으로 30μm∼300μm 정도이다. 한편, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 플립칩 본딩(플립칩 접속)한 후에는, 반도체 칩(5)과 피착체(6)의 대향면이나 간극을 세정하고, 해당 간극에 봉지재(봉지 수지 등)를 충전시켜 봉지할 수 있다.
피착체(6)로서는, 리드 프레임이나 회로 기판(배선 회로 기판 등) 등의 각종 기판을 이용할 수 있다. 이와 같은 기판의 재질로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 세라믹 기판이나 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면, 에폭시 기판, 비스말레이미드 트라이아진 기판, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다.
플립칩 본딩 공정에 있어서, 범프나 도전재의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다.
한편, 플립칩 본딩 공정에서는, 도전재를 용융시켜, 반도체 칩(5)의 회로면측의 범프와 피착체(6)의 표면의 도전재를 접속시키고 있는데, 이 도전재의 용융 시의 온도로서는, 통상, 260℃ 정도(예를 들면, 250℃∼300℃)가 되고 있다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은 반도체 이면용 필름을 에폭시 수지 등에 의해 형성하는 것에 의해, 이 플립칩 본딩 공정에 있어서의 고온에도 견디는 내열성을 갖는 것으로 할 수 있다.
본 공정에서는, 반도체 칩(5)과 피착체(6)의 대향면(전극 형성면)이나 간극의 세정을 행하는 것이 바람직하다. 당해 세정에 이용되는 세정액으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 유기계의 세정액이나 수계의 세정액을 들 수 있다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 반도체 이면용 필름은 세정액에 대한 내용제성을 갖고 있어, 이들 세정액에 대해서 실질적으로 용해성을 갖고 있지 않다. 그 때문에, 전술과 같이, 세정액으로서는, 각종 세정액을 이용할 수 있으며, 특별한 세정액을 필요로 하지 않고, 종래의 방법에 의해 세정시킬 수 있다.
다음으로, 필요에 따라서, 플립칩 본딩된 반도체 칩(5)과 피착체(6) 사이의 간극을 봉지하기 위한 봉지 공정을 행한다. 봉지 공정은 봉지 수지를 이용하여 행해진다. 이때의 봉지 조건으로서는 특별히 한정되지 않지만, 통상, 175℃에서 60초간∼90초간의 가열을 행하는 것에 의해 봉지 수지의 열경화(리플로)가 행해지는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면 165℃∼185℃에서, 수분간 큐어할 수 있다. 당해 공정에 있어서의 열처리에 있어서는, 봉지 수지뿐만 아니라 반도체 이면용 필름(40)의 열경화도 동시에 행해도 된다. 이 경우, 반도체 이면용 필름(40)을 열경화시키기 위한 공정을 새롭게 추가할 필요가 없다. 단, 본 발명에 있어서는 이 예로 한정되지 않고, 봉지 수지의 열경화보다도 전에, 별도로 반도체 이면용 필름(40)을 열경화시키는 공정을 행해도 된다.
상기 봉지 수지로서는, 절연성을 갖는 수지(절연 수지)이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 봉지 수지 등의 봉지재로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있지만, 탄성을 갖는 절연 수지가 보다 바람직하다. 봉지 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물 등을 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 상기에 예시된 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 의한 봉지 수지로서는, 수지 성분으로서, 에폭시 수지 이외에, 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지(페놀 수지 등)나, 열가소성 수지 등이 포함되어 있어도 된다. 한편, 페놀 수지로서는, 에폭시 수지의 경화제로서도 이용할 수 있고, 이와 같은 페놀 수지로서는, 상기에 예시된 페놀 수지 등을 들 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 반도체 칩(5)과 피착체(6) 사이의 공극을, 액상의 봉지재(봉지 수지 등)를 충전시켜 봉지하는 경우에 대해 설명했지만 본 발명은 이 예로 한정되지 않고, 시트상 수지 조성물을 이용해도 된다. 시트상 수지 조성물을 이용하여 반도체 칩과 피착체 사이의 공극을 봉지하는 방법에 대해서는, 예를 들면, 일본 특허공개 2001-332520호 공보 등, 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 따라서, 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.
한편, 상기 봉지 공정 후, 필요에 따라서, 열처리(레이저 마킹한 후에 행해지는 리플로 공정)를 행해도 된다. 이 열처리 조건으로서는 특별히 한정되지 않지만, 반도체기술협회(JEDEC)에 의한 규격에 준하여 행할 수 있다. 예를 들면, 온도(상한)가 210∼270℃의 범위에서, 그 시간이 5∼50초로 행할 수 있다. 당해 공정에 의해, 반도체 패키지를 기판(머더보드 등)에 실장할 수 있다.
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용하여 제조된 반도체 장치는, 플립칩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치이므로, 다이본딩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치보다도 박형화, 소형화된 형상이 되고 있다. 이 때문에, 각종의 전자 기기·전자 부품 또는 그들의 재료·부재로서 적합하게 이용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 플립칩 실장의 반도체 장치가 이용되는 전자 기기로서는, 이른바 「휴대 전화」나 「PHS」, 소형의 컴퓨터(예를 들면, 이른바 「PDA」(휴대 정보 단말), 이른바 「노트북 컴퓨터」, 이른바 「넷북(상표)」, 이른바 「웨어러블 컴퓨터」 등), 「휴대 전화」 및 컴퓨터가 일체화된 소형의 전자 기기, 이른바 「디지털 카메라(상표)」, 이른바 「디지털 비디오 카메라」, 소형의 텔레비전, 소형의 게임 기기, 소형의 디지털 오디오 플레이어, 이른바 「전자 수첩」, 이른바 「전자 사전」, 이른바 「전자 서적」용 전자 기기 단말, 소형의 디지털 타입의 시계 등의 모바일형의 전자 기기(운반 가능한 전자 기기) 등을 들 수 있지만, 물론 모바일형 이외(설치형 등)의 전자 기기(예를 들면, 이른바 「데스크톱 컴퓨터」, 박형 텔레비전, 녹화·재생용 전자 기기(하드 디스크 리코더, DVD 플레이어 등), 프로젝터, 마이크로머신 등) 등이어도 된다. 또한, 전자 부품, 또는 전자 기기·전자 부품의 재료·부재로서는, 예를 들면, 이른바 「CPU」의 부재, 각종 기억 장치(이른바 「메모리」, 하드 디스크 등)의 부재 등을 들 수 있다.
이상, 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명했다.
[제 2 실시형태]
제 2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 제 3 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 공정 B를 먼저 행하고, 그 후, 공정 A를 행하는 경우이다.
제 2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록, 상기 점착제층에 자외선을 조사하는 공정 B와,
상기 공정 B 후, 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정 A와,
상기 공정 A 및 상기 공정 B 후에, 상기 반도체 웨이퍼를 블레이드 다이싱하여 반도체 소자를 형성하는 공정 C와,
상기 반도체 소자를 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정 D를 적어도 갖는다.
제 2 실시형태에서는, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 상기 (1)의 경우의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 이용한다. 즉, 제 2 실시형태의 점착제층(22)은 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이다.
[자외선 조사 공정]
우선, 점착제층(22)에 자외선을 조사한다(공정 B). 자외선의 조사는 자외선 조사 후의 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록 행한다. 구체적인 자외선의 조사량이나 자외선의 조사 방향은 제 1 실시형태와 마찬가지로 할 수 있다.
[마운트 공정]
다음으로, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(40) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 첩착하여, 이것을 접착 보유시키고 고정한다(공정 A).
다음으로, 필요에 따라서, 반도체 이면용 필름(40)의 반도체 웨이퍼(4)에 대한 고정을 강고하게 하기 위해서, 베이킹(가열)을 행한다. 이에 의해, 반도체 이면용 필름(40)은 경화된다. 이 베이킹은, 예를 들면 80∼150℃, 0.1∼24시간의 조건에서 행한다.
[레이저 마킹 공정]
다음으로, 필요에 따라서, 다이싱 테이프(2)측으로부터 레이저 마킹용의 레이저(36)를 이용하여 반도체 이면용 필름(40)에 레이저 마킹을 행한다. 레이저 마킹의 조건으로서는, 제 1 실시형태와 마찬가지로 할 수 있다.
[다이싱 공정]
다음으로, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이 공정은 제 1 실시형태와 마찬가지로 할 수 있다.
점착제층(22)은, 공정 B에 의해 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되어 있다. 그 때문에, 어느 정도의 경도를 갖고 있다. 그리고, 점착제층(22)이 어느 정도의 경도를 갖는 상태에서 블레이드 다이싱을 행하기 때문에, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
또한, 점착제층(22)은, 공정 B에 의해, 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 200MPa 이하가 되어 있기 때문에, 다이싱 시에 다이 플라이해 버리는 것을 억제할 수 있다.
한편, 다이싱 공정 이후는 제 1 실시형태와 마찬가지이기 때문에 여기에서의 설명은 생략한다.
제 2 실시형태에서는, 점착제층(22)에 자외선을 조사한 후에 가열 공정을 행하면, 그 열로, 링 프레임으로 고정되어 있지 않는 부분(다이싱 테이프(2)의 중앙 부분)이 웨이퍼와 함께 아래로 처지는 경우가 있다. 그러나, 다이싱 테이프(2)를 익스팬드하면 이 휨은 해소할 수 있기 때문에, 큰 문제는 생기지 않는다. 한편으로, 다이싱 공정 시에는, 자외선 조사필(畢)이어서, 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되어 있기 때문에, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
[제 3 실시형태]
제 3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
기재, 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고, 상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 준비하는 공정 X와,
상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정 A와,
상기 공정 A 후에, 상기 반도체 웨이퍼를 블레이드 다이싱하여 반도체 소자를 형성하는 공정 C를 적어도 갖는다.
제 3 실시형태에서는, 상기 (2)의 경우의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 이용한다. 즉, 제 3 실시형태의 점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이다.
[준비 공정]
우선, 상기 (2)의 경우의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 준비한다(공정 X).
[마운트 공정]
다음으로, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(40) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 첩착하여, 이것을 접착 보유시키고 고정한다(공정 A).
다음으로, 필요에 따라서, 반도체 이면용 필름(40)의 반도체 웨이퍼(4)에 대한 고정을 강고하게 하기 위해서, 베이킹(가열)을 행한다. 이에 의해, 반도체 이면용 필름(40)은 경화된다. 이 베이킹은, 예를 들면 80∼150℃, 0.1∼24시간의 조건에서 행한다.
[레이저 마킹 공정]
다음으로, 필요에 따라서, 다이싱 테이프(2)측으로부터 레이저 마킹용의 레이저(36)를 이용하여 반도체 이면용 필름(40)에 레이저 마킹을 행한다. 레이저 마킹의 조건으로서는, 제 1 실시형태와 마찬가지로 할 수 있다.
[다이싱 공정]
다음으로, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이 공정은 제 1 실시형태와 마찬가지로 할 수 있다.
점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이다. 그 때문에, 어느 정도의 경도를 갖고 있다. 그리고, 점착제층(22)이 어느 정도의 경도를 갖는 상태에서 블레이드 다이싱을 행하기 때문에, 블레이드 다이싱 시의 마찰이나 충격을 억제할 수 있어, 칩 측면에 생기는 균열을 저감할 수 있다.
또한, 점착제층(22)은 23℃에서의 인장 탄성률이 200MPa 이하이기 때문에, 다이싱 시에 다이 플라이해 버리는 것을 억제할 수 있다.
[픽업 공정]
다음으로, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 회수하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행하여, 반도체 칩(5)을 반도체 이면용 필름(40)과 함께 다이싱 테이프(2)로부터 박리시킨다. 한편, 점착제층(22)을 구성하는 점착제로서 자외선 경화형 점착제를 이용하는 경우, 자외선을 조사하고 나서 픽업을 행해도 된다. 이에 의해 용이하게 픽업을 행하는 것이 가능해진다.
한편, 픽업 공정 이후는 제 1 실시형태와 마찬가지이기 때문에 여기에서의 설명은 생략한다.
이상, 제 3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명했다.
실시예
이하에, 이 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 이 발명의 요지를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 한편, 이하에 있어서, 부라는 것은 중량부를 의미한다.
우선, 실시예, 비교예에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법에 대해 이하에 설명한다.
한편, 실시예 1∼3, 실시예 5의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은 전술한 제 1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 상정하고 있고, 실시예 6은 제 2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 상정하고 있으며, 실시예 4는 제 3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 상정하고 있다.
(실시예 1)
<반도체 이면용 필름의 제작>
아크릴산 에스터 공중합체(나가세켐텍스사제, SG70L)의 고형분 100부에 대해서, 에폭시 수지(미쓰비시화학 주식회사제, JER YL980) 20부, 에폭시 수지(도토화성사제, KI-3000) 50부, 페놀 수지(메이와화성사제, MEH7851-SS) 75부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」, 주식회사 아드마텍스제, 평균 입경 0.5μm) 180부, 염료(오리엔트화학공업사제 OILBKACK BS) 10부, 및 열경화 촉진 촉매(시코쿠화성사제, 2PHZ) 20부를 메틸 에틸 케톤에 용해하여, 고형분 농도가 23.6중량%가 되도록 수지 조성물의 용액을 조제했다.
이 수지 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50μm인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(미쓰비시수지제, 다이아호일 MRA50)으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시키는 것에 의해, 두께(평균 두께) 20μm의 반도체 이면용 필름 A를 제작했다.
<다이싱 테이프의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계, 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산-2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고도 한다) 100부, 아크릴산-2-하이드록시에틸(이하, 「HEA」라고도 한다) 19부, 과산화 벤조일 0.4부, 및 톨루엔 80부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.
아크릴계 폴리머 A에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(이하, 「MOI」라고도 한다) 12부를 가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.
다음으로, 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부, 자외선 반응형 가교제(닛폰공업화학(주)제, 자광 UV1700TL) 20부, 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 지바 스페셜티 케미컬즈사제) 2부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 A」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 A를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 A를 형성했다. 이어서, 점착제층 A의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 A를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 A의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 실시예 1에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 A를 제작했다.
(실시예 2)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부, 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 지바 스페셜티 케미컬즈사제) 2부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 B」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 B를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 B를 형성했다. 이어서, 점착제층 B의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 B를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 B의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 실시예 2에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 B를 제작했다.
(실시예 3)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부, 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 지바 스페셜티 케미컬즈사제) 0.06부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 C」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 C를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 C를 형성했다. 이어서, 점착제층 C의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 C를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 C의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 실시예 3에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 C를 제작했다.
(실시예 4)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 8부, 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 지바 스페셜티 케미컬즈사제) 2부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 D」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 D를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 D를 형성했다. 이어서, 점착제층 D의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 D를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 D의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 실시예 4에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 D를 제작했다.
(실시예 5)
<반도체 이면용 필름의 제작>
아크릴산 에스터 공중합체(나가세켐텍스사제, SG70L)의 고형분 100부에 대해서, 에폭시 수지(미쓰비시화학 주식회사제, JER YL980) 140부, 에폭시 수지(도토화성사제, KI-3000) 140부, 페놀 수지(메이와화성사제, MEH7851-SS) 290부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」, 주식회사 아드마텍스제, 평균 입경 0.5μm) 470부, 염료(오리엔트화학공업사제 OILBKACK BS) 10부, 및 열경화 촉진 촉매(시코쿠화성사제, 2PHZ) 20부를 메틸 에틸 케톤에 용해하여, 고형분 농도가 23.6중량%가 되도록 수지 조성물의 용액을 조제했다.
이 수지 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50μm인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(미쓰비시수지제, 다이아호일 MRA50)으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시키는 것에 의해, 두께(평균 두께) 20μm의 반도체 이면용 필름 B를 제작했다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 B를, 실시예 2에서 제작한 다이싱 테이프 B의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 실시예 5에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 E를 제작했다.
(실시예 6)
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
실시예 1에서 제작한 반도체 이면용 필름 A를, 실시예 2에서 제작한 다이싱 테이프 B의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합했다. 다음으로, 자외선 조사 장치(고압 수은등)를 이용해서 다이싱 테이프측으로부터 다이싱 테이프 표면에 300mJ/cm2가 되도록 자외선을 조사하여, 점착제를 경화시켰다. 이상에 의해, 실시예 6에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 F를 제작했다.
(비교예 1)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 4부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 G」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 G를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 G를 형성했다. 이어서, 점착제층 G의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 G를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 G의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 비교예 1에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 G를 제작했다.
(비교예 2)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 H」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 H를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 H를 형성했다. 이어서, 점착제층 H의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 H를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 B를, 제작한 다이싱 테이프 H의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 비교예 2에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 H를 제작했다.
(비교예 3)
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에서 제작한 아크릴계 폴리머 A' 100부(고형분)에 대해, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부, 및 아크릴산-2-하이드록시에틸 10부를 톨루엔에 가하여, 고형분 농도가 28%가 되도록 점착제 용액(「점착제 용액 I」라고도 한다)을 제작했다.
상기에서 조제한 점착제 용액 I를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층 I를 형성했다. 이어서, 점착제층 I의 노출면에 두께 80μm의 폴리프로필렌 필름을 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 I를 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름>
반도체 이면용 필름 A를, 제작한 다이싱 테이프 I의 점착제층 상에, 핸드 롤러를 이용해서 첩합하여, 비교예 3에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 I를 제작했다.
[자외선 조사 전의 점착제층의 탄성률, 및 자외선 조사 후의 점착제층의 탄성률의 측정]
인장 시험의 샘플 사이즈로서 초기 길이(척간 거리) 10mm, 단면적 0.1∼0.5mm2가 되도록 시험편을 조제하고, 측정 온도 23℃하, 인장 속도 50mm/분으로 인장 시험을 행하여, 샘플 신장의 변화량(mm)을 측정했다. 그 결과, 얻어진 S-S 곡선의 초기의 상승 부분에 접선을 그어, 그 접선이 100% 신장에 상당할 때의 인장 강도를 기재의 단면적으로 나누어, 자외선 조사 전의 인장 탄성률로 했다. 한편, UV 조사 후의 인장 탄성률의 측정에 대해서는, UV 조사 장치(닛토세이키(상품명 UM-810))를 이용하여 UV 조사 적산 광량 300mJ/cm2가 되도록 자외선을 다이싱 테이프의 기재측으로부터 조사한 후에 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[열경화 후의 반도체 이면용 필름의 탄성률의 측정]
120℃에서 2시간 반도체 이면용 필름을 가열하고, 그 후, 박리 라이너를 제거했다. 다음으로, 가열 후의 반도체 이면용 필름으로부터, 폭 10mm, 길이 22.5mm, 두께 0.02mm의 샘플을 잘라냈다. 다음으로, 레오메트릭사제의 동적 점탄성 측정 장치 「Solid Analyzer RS A2」를 이용하여, 인장 모드, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/분, 질소 분위기하, 0℃ 내지 100℃에서 동적 점탄성 측정을 행했다.
이때의 23℃에서의 값을 읽어냈다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[박리력의 측정]
실시예 1∼3, 실시예 5, 실시예 6에 대해서는, 제작한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에, UV 조사 장치(닛토세이키(상품명 UM-810))를 이용하여 UV 조사 적산 광량 300mJ/cm2가 되도록 자외선을 다이싱 테이프의 기재측으로부터 조사했다. 다음으로, 반도체 이면용 필름측에 테이프(닛토덴코(주)제, 상품명; BT-315)를 상온에서 첩합하여 보강했다. 커터 나이프로 20mm 폭×120mm 길이로 절단했다. 그 후, 다이싱 테이프의 점착제층과 반도체 이면용 필름을 처킹하고, 23℃에서 인장 시험기((주)시마즈제작소제, 상품명; AGS-J)를 이용하여, 박리 속도 300mm/min, T형 박리 시험으로 점착제층과 반도체 이면용 필름을 당겨 벗겼을 때의 힘(최대 하중, 단위: N/20mm)을 읽어냈다.
실시예 4, 비교예 1∼3에 대해서는, 제작한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 반도체 이면용 필름측에 테이프(닛토덴코(주)제, 상품명; BT-315)를 상온에서 첩합하여 보강했다. 커터 나이프로 20mm 폭×120mm 길이로 절단했다. 그 후, 다이싱 테이프의 점착제층과 반도체 이면용 필름을 처킹하고, 23℃에서 인장 시험기((주)시마즈제작소제, 상품명; AGS-J)를 이용하여, 박리 속도 300mm/min, T형 박리 시험으로 점착제층과 반도체 이면용 필름을 당겨 벗겼을 때의 힘(최대 하중, 단위: N/20mm)을 읽어냈다. 결과를 표 1에 나타낸다.
한편, 이 박리력 측정은 다이싱 시(픽업 시)의 박리력을 상정한 것이다.
[다이싱 시의 점착제층의 탄성률과 반도체 이면용 필름의 탄성률의 비]
실시예 1∼3, 실시예 5, 실시예 6의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 다이싱 시에는, 점착제층은 자외선 조사된 후이고, 반도체 이면용 필름은 열경화되어 있다. 따라서, 실시예 1∼3, 실시예 5, 실시예 6에 관해서는, 자외선 조사 후의 점착제층의 탄성률과 열경화 후의 반도체 이면용 필름의 탄성률의 비를 표 1에 나타냈다.
또한, 실시예 4, 비교예 1∼3의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 다이싱 시에는, 점착제는 자외선 조사되어 있지 않고, 반도체 이면용 필름은 열경화되어 있다. 따라서, 실시예 4, 비교예 1∼3에 관해서는, 자외선 조사 전의 점착제층의 탄성률과 열경화 후의 반도체 이면용 필름의 탄성률의 비를 표 1에 나타냈다.
한편, 다이싱 시의 점착제층의 탄성률과 반도체 이면용 필름의 탄성률의 비는 이하의 식으로 구했다.
[다이싱 시의 점착제층의 탄성률과 반도체 이면용 필름의 탄성률의 비]=(반도체 이면용 필름의 탄성률/점착제층의 탄성률)
[치핑 평가]
우선, 반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6mm; 실리콘 베어 웨이퍼)를 이면 연삭하여, 두께 0.2mm의 미러 웨이퍼를 준비했다.
<실시예 1∼3, 실시예 5에 대해>
다음으로, 실시예 1∼3, 실시예 5에 대해서는, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 그 반도체 이면용 필름 상에 상기 미러 웨이퍼를 70℃에서 롤 압착해서 첩합하여, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 부착 반도체 웨이퍼로 했다. 다음으로, 120℃에서 2시간 가열했다. 다음으로, UV 조사 장치(닛토세이키(상품명 UM-810))를 이용하여 UV 조사 적산 광량 300mJ/cm2가 되도록 자외선을 다이싱 테이프의 기재측으로부터 조사했다. 다음으로, 웨이퍼를 다이싱하여, 실리콘 칩을 얻었다. 웨이퍼 연삭 조건, 첩합 조건, 다이싱 조건은 하기와 같이 했다.
한편, 절입 깊이 Z1은 실리콘 칩 표면으로부터의 깊이가 45μm가 되도록 조정했다. 또한, 절입 깊이 Z2는 다이싱 테이프의 점착제층 두께의 1/2까지가 되도록 조정했다.
(웨이퍼 연삭 조건)
연삭 장치: 상품명 「DFG-8560」 디스코사제
(첩합 조건)
첩부 장치: 상품명 「MA-3000III」 닛토세이키사제
첩부 속도계: 10mm/min
첩부 압력: 0.15MPa
첩부 시의 스테이지 온도: 70℃
(다이싱 조건)
다이싱 장치: 상품명 「DFD-6361」 디스코사제
다이싱 링: 「2-8-1」(디스코사제)
다이싱 속도: 30mm/sec
다이싱 블레이드:
Z1; 디스코사제 「203O-SE 27HCDD」
Z2; 디스코사제 「203O-SE 27HCBB」
다이싱 블레이드 회전수:
Z1; 40,000r/min
Z2; 45,000r/min
컷 방식: 스텝 컷
칩 사이즈: 2.0mm각
다음으로, 실리콘 칩을 반도체 이면용 필름과 함께 박리(픽업)했다. 마이크로스코프(Keyence사제 VHX500)로 실리콘 칩의 절단면(4개의 절단면 중 마지막으로 절단된 면)을 관찰하여, 금의 깊이를 측정했다. 금의 깊이란, 반도체 이면용 필름과 실리콘 칩의 계면으로부터의 깊이를 말한다. 실리콘 칩의 두께를 100%로 했을 때, 금의 깊이가 10% 미만일 때를 ◎로 판정했다. 10% 이상 12% 미만인 경우를 ○로 판정했다. 12% 이상인 경우를 ×로 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 6에 대해>
실시예 6에 대해서는, 우선, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에, UV 조사 장치(닛토세이키(상품명 UM-810))를 이용하여 UV 조사 적산 광량 300mJ/cm2가 되도록 자외선을 다이싱 테이프의 기재측으로부터 조사했다. 다음으로, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 그 반도체 이면용 필름 상에 상기 미러 웨이퍼를 70℃에서 롤 압착해서 첩합하여, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 부착 반도체 웨이퍼로 했다. 다음으로, 120℃에서 2시간 가열했다. 다음으로, 웨이퍼를 다이싱하여, 실리콘 칩을 얻었다. 웨이퍼 연삭 조건, 첩합 조건, 다이싱 조건은 상기 실시예 1∼3, 실시예 5와 마찬가지로 했다.
다음으로, 실리콘 칩을 반도체 이면용 필름과 함께 박리(픽업)했다. 마이크로스코프(Keyence사제 VHX500)로 실리콘 칩의 절단면(4개의 절단면 중 마지막으로 절단된 면)을 관찰하여, 금의 깊이를 측정했다. 실리콘 칩의 두께를 100%로 했을 때, 금의 깊이가 10% 미만일 때를 ◎로 판정했다. 10% 이상 12% 미만인 경우를 ○로 판정했다. 12% 이상인 경우를 ×로 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 4, 비교예 1∼3에 대해>
실시예 4, 비교예 1∼3에 대해서는, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 그 반도체 이면용 필름 상에 상기 미러 웨이퍼를 70℃에서 롤 압착해서 첩합하여, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 부착 반도체 웨이퍼로 했다. 다음으로, 웨이퍼를 다이싱하여, 실리콘 칩을 얻었다. 웨이퍼 연삭 조건, 첩합 조건, 다이싱 조건은 상기 실시예 1∼3, 실시예 5와 마찬가지로 했다.
다음으로, 실리콘 칩을 반도체 이면용 필름과 함께 박리(픽업)했다. 마이크로스코프(Keyence사제 VHX500)로 실리콘 칩의 절단면(4개의 절단면 중 마지막으로 절단된 면)을 관찰하여, 금의 깊이를 측정했다. 실리콘 칩의 두께를 100%로 했을 때, 금의 깊이가 10% 미만일 때를 ◎로 판정했다. 10% 이상 12% 미만인 경우를 ○로 판정했다. 12% 이상인 경우를 ×로 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
1: 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
2: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
23: 반도체 웨이퍼의 첩착 부분에 대응하는 부분
40: 반도체 이면용 필름(플립칩형 반도체 이면용 필름)
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
51: 반도체 칩(5)의 회로면측에 형성되어 있는 범프
6: 피착체
61: 피착체(6)의 접속 패드에 피착된 접합용의 도전재

Claims (7)

  1. 기재, 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고,
    상기 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    적어도, 상기 점착제층은 웨이퍼 첩부부(貼付部)의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층에 자외선 조사한 후의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  4. 기재, 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 형성된 플립칩형 반도체 이면용 필름을 갖고,
    상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    적어도, 상기 점착제층은 웨이퍼 첩부부의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 상기 점착제층 사이의 23℃에서의 박리력이 0.01N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착(貼着)하는 공정 A와,
    상기 점착제층의 23℃에서의 인장 탄성률이 1MPa∼200MPa이 되도록, 상기 점착제층에 자외선을 조사하는 공정 B와,
    상기 공정 A 및 상기 공정 B 후에, 상기 반도체 웨이퍼를 블레이드 다이싱하여 반도체 소자를 형성하는 공정 C와,
    상기 반도체 소자를 상기 플립칩형 반도체 이면용 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정 D를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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