CN105102565B - 粘合片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能防止在对电子部件等微小部件进行切断加时产生不良情况的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和配置在该粘合剂层的单侧的树脂层,从该粘合剂层侧以贯穿该粘合剂层的方式形成切断槽时,在形成切断槽后经过1小时后切断槽不消失。在优选的实施方式中,上述粘合剂层的厚度为50μm以下。
Description
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
在硅晶圆、叠片电容器、透明电极等电子部件的制造中,将大面积且一并赋予了必需功能而得到的基板通过切断加工而微小化为目标大小。切断加工时,使用用于防止因加工时的应力及振动导致的切断精度降低的被加工物(基板)固定用的粘合片。该粘合片要求加工时对被加工物的充分的粘合力、并要求加工后能够使切断的被加工物(电子部件)容易地剥离。
近年来,随着电子部件的轻量化、小型化及柔软化,切断加工时的不良情况导致的成品率降低成为问题。具体而言,将进行了切断加工的被加工物(切断片)从粘合片取出时,存在产生如下不良情况的问题:在被加工物端面产生缺口、以该缺口为起点被加工物产生破裂等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-121510号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请发明人发现,因切断而产生的切断片的间隔在切断后变窄、或者消失(即切断片接触或者再附着)是导致上述不良情况的原因。本发明是为了解决上述问题而做出的发明,其目的在于,提供能够防止在对电子部件等微小部件进行切断加工时产生不良情况的粘合片,更详细而言,提供能够抑制进行了切断加工的被加工物的间隔减少的粘合片。
用于解决问题的方案
本发明的粘合片具备粘合剂层和配置在该粘合剂层的单侧的树脂层,从该粘合剂层侧以贯穿该粘合剂层的方式形成切断槽时,在形成切断槽之后,在25℃下经过1小时后切断槽不消失。
在优选的实施方式中,上述粘合剂层的厚度为50μm以下。
在优选的实施方式中,上述树脂层在25℃下的利用纳米压痕法测得的弹性模量为1MPa以上。
在优选的实施方式中,本发明的粘合片通过加热而粘合力降低。
在优选的实施方式中,上述粘合剂层包含热膨胀性微球。
在优选的实施方式中,本发明的粘合片的加热后的粘合力(a2)与加热前的粘合力(a1)之比(a2/a1)为0.0001~0.5。
在优选的实施方式中,通过加热使上述热膨胀性微球膨胀或发泡时的、上述粘合剂层的与前述树脂层处于相反侧的面的表面粗糙度Ra为3μm以上。
在优选的实施方式中,本发明的粘合片在前述树脂层的与前述粘合剂层相反的一侧还具备基材。
根据本发明的其它方式,还提供一种电子部件的制造方法。该制造方法包括:在上述粘合片上贴附电子部件材料后,对该电子部件材料进行切断加工。
发明的效果
根据本发明,通过具备粘合剂层和配置在该粘合剂层的单侧的树脂层,并且在形成切断槽时该切断槽不易随着时间流逝而变窄,由此,能够提供能防止在对电子部件等微小部件进行切断加工时切断片接触或再附着、从而防止不良情况产生的粘合片。
附图说明
图1是本发明的优选的实施方式的粘合片的截面示意图。
图2的(a)~(d)是示意性表示粘合片上形成的切断槽的截面示意图。
图3是本发明的一个实施方式的粘合片的截面示意图。
图4是本发明的其它优选的实施方式的粘合片的截面示意图。
图5是表示实施例3的通过厚度测定得到的拉曼显微成像(Raman mapping)的图。
图6是表示实施例11的粘合片的截面的SEM图像的图。
具体实施方式
A.粘合片的整体构成
图1是本发明的优选的实施方式的粘合片的截面示意图。粘合片100具备粘合剂层10和配置在粘合剂层10的单侧的树脂层20。虽然未图示,但可以在粘合剂层10上配置剥离纸来保护粘合剂层10直至粘合片被供给到实际应用。此外,在图示例中,虽然明确示出了粘合剂层10和树脂层20的界面1,但界面也可以为通过目视、显微镜等难以辨别的界面。通过目视、显微镜等难以辨别的界面例如可以分析各层的组成来辨别(详细情况将在后面叙述)。
图2的(a)是示意性表示形成有切断槽的本发明的粘合片的截面示意图。本发明的粘合片在从粘合剂层10侧以贯穿粘合剂层10的方式形成切断槽2时,在形成切断槽2后,在25℃下经过1小时后,切断槽不消失。本说明书中,“切断槽”是指,假定将本发明的粘合片作为对电子部件等进行切断加工时的临时固定用片使用时,在粘合片上形成的槽。在一个实施方式中,以贯穿粘合剂层10的方式形成的切断槽为在粘合剂层中线宽方向的剖视图形状为矩形或梯形的切断槽。作为用于形成切断槽的方法,可以采用任意适合的方法。例如可以列举出:使用旋转刀、平面刀等刀具来形成的方法,使用激光来形成的方法等。
本说明书中,“切断槽不消失”是指,对于粘合剂层中的与切断槽的线宽方向的剖视图形状对应的假想面A,切断槽形成后在25℃下经过1小时后的假想面A的面积S2与切断槽刚形成后的假想面A的面积S1之比(S2/S1)大于0.1。(S2/S1)优选大于0.5。需要说明的是,图2中,假想面A由粘合剂层中限定切断槽的剖视图形状的实线和虚线a、b来限定。此外,假想面A及后述的假想面B的面积例如可以通过目视、或SEM等显微镜观察截面来求出。图2的(b)及(c)中示出了在本发明的粘合片上形成切断槽并在25℃下经过1小时后的切断槽的剖视图形状的例子。此外,图2的(d)中示出了切断槽消失的情况的例子。优选的是,形成切断槽后在25℃经过1小时后的粘合剂层中的切断槽的深度h相对于粘合剂层的厚度,优选为10%以上,更优选为50%以上,进一步优选为80%以上,特别优选为100%。
对于树脂层中的与切断面的线宽方向的剖视图形状对应的假想面B,切断槽形成后在25℃下经过1小时后的假想面B的面积S4与切断槽形成时的假想面B的面积S3之比(S4/S3)优选大于0.3,更优选大于0.7。
上述切断槽在俯视长度方向(图2中为与纸面垂直的方向)上其至少一部分不消失即可。优选的是,切断槽形成后在25℃下经过1小时后未消失的切断槽的长度相对于刚形成后的切断槽的长度(即消失的切断槽与未消失的切断槽的总和),优选为10%以上,更优选为40%以上,进一步优选为70%以上,更优选为80%以上,特别优选为100%。
根据本发明,粘合剂层在室温下也具有些许的流动性从而具有切断槽变窄的性质时,通过恰当地控制该性质,能够得到切断槽不消失的粘合片。切断槽不消失的粘合片能够防止对电子部件等微小部件进行切断加工时被切断的被加工物(以下也称为切断片)接触或再附着,从而防止不良情况的产生。这样的粘合片例如可以通过具备上述树脂层、恰当地设定上述树脂层的弹性模量、使上述树脂层的厚度较薄等来得到。
在一个实施方式中,本发明的粘合片为粘合力通过加热而降低的粘合片。图3是本发明的一个实施方式的粘合片的截面示意图,表示粘合力通过加热而降低的粘合片的一例。粘合片200中,粘合剂层10包含热膨胀性微球11。粘合片200中,在粘合剂层10存在热膨胀性微球11,因此,在将被粘物(例如切断片)从粘合片剥离时,通过以热膨胀性微球11能膨胀或发泡的程度的温度进行加热,在粘合面产生凹凸,从而能够使该粘合面的粘合力降低或消失。实际应用中,粘合剂层10还包含粘合剂12。热膨胀性微球11可以从粘合剂层10向树脂层20突出。从粘合剂层10突出的热膨胀性微球11可以被树脂层20被覆。其结果,贴附时(即加热前)能够不受热膨胀性微球11带来的凹凸的影响。
图4是本发明的其它优选的实施方式的粘合片的截面示意图。粘合片300在树脂层20的与粘合剂层10相反的一侧还具备基材30。需要说明的是,虽然未图示,但在基材30的与树脂层20相反的一侧还可以设置任意适合的其它粘合剂层或粘接剂层。此外,本发明的粘合片可以在基材30的外侧配置剥离纸直至被供给到实际应用。在基材30的外侧配置剥离纸时,该剥离纸可以介由任意适合的粘合剂贴附于基材。图4中示出了在基材30的单侧形成有粘合剂层10及树脂层20的形态,但也可以在基材30的两侧形成粘合剂层10及树脂层20,例如可以为粘合剂层/树脂层/基材/树脂层/粘合剂层的构成。
如上所述,本发明的粘合片具备树脂层。本发明中,通过具备树脂层,能够获得以下的效果。即,第1,通过具备树脂层,能够使粘合片整体的厚度在切断加工时为充分的厚度,同时能够使粘合剂层的厚度较薄。粘合片整体的厚度充分的话,在被粘物的切断加工时,不需要严格的控制就能够防止将粘合片完全切断的情况。像这样将粘合片完全切断的危险性低时,容易使切断刀到达直至粘合片为止。使切断刀到达直至粘合片为止的话,能够扩大刚切断后的切断片间隔。另一方面,粘合片中的粘合剂层较薄时,能够防止随着切断后的时间流逝而切断片相互接触或再附着。这被认为是由于,通过使表现出流动性的粘合剂层的量较少,能够防止粘合剂层中产生的切断槽变窄。此外,粘合剂层薄的话,能够获得作为对电子部件等进行切断加工时的临时固定用片有助于实现优异的切断精度的粘合片。更具体而言,粘合剂层薄的话,粘合片的变形少,因此能够防止切断面倾斜或变成S字而不稳定、切断时产生芯片缺口等。此外,使用粘合剂层薄的粘合片作为对电子部件等进行切断加工时的临时固定用片时,还能够抑制切削屑的产生。本发明的粘合片能在利用切割工序中常用的旋转刀进行的切断中发挥上述效果自不必说,其在利用为了减少切削损耗而采用的平面刀的按压切割的切断中,也能发挥上述效果而特别有用。此外,即使在加热下(例如30℃~150℃)进行切断时,也能如上所述精度良好地进行切断。
第2,通过具备树脂层,在如图3所示粘合剂层包含热膨胀性微球时也能容许热膨胀性微球从粘合剂层突出从而能够使粘合剂层较薄,能够获得上述的效果。如上所述包含热膨胀性微球时也能获得能够防止切断片的接触或再附着从而精度良好地将被加工物切断的粘合片是本发明的成果之一。
将本发明的粘合片的粘合面(即粘合剂层的与树脂层处于相反侧的面)贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(例如厚度25μm)时的粘合力优选为0.2N/20mm以上、更优选为0.2N/20mm~20N/20mm、进一步优选为2N/20mm~10N/20mm。在这样的范围时,能够获得作为对电子部件等进行切断加工时的临时固定用片有用的粘合片。本说明书中,粘合力是指利用基于JIS Z 0237:2000的方法(测定温度:23℃、贴合条件:2kg辊1个来回、剥离速度:300mm/min、剥离角度180°)测得的粘合力。
本发明的粘合片通过加热而粘合力降低的情况下,将本发明的粘合片的粘合面贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(例如厚度25μm)并进行加热后的粘合力优选为0.2N/20mm以下,更优选为0.1N/20mm以下。本说明书中,对粘合片的加热是指以热膨胀性微球膨胀或发泡而粘合力降低的温度/时间进行的加热。该加热例如为在70℃~270℃下1分钟~10分钟的加热。
本发明的粘合片通过加热而粘合力降低的情况下,将本发明的粘合片的粘合面贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(例如厚度25μm)时的粘合力(即加热前的粘合力(a1))与加热后的粘合力(a2)之比(a2/a1)优选为0.5以下,更优选为0.1以下。(a2/a1)的下限优选为0.0001、更优选为0.0005。
本发明的粘合片通过加热而粘合力降低的情况下,该粘合片通过如上所述在规定的温度下进行加热,在粘合面产生凹凸。对该粘合片进行加热后的粘合面的表面粗糙度Ra优选为3μm以上、更优选为5μm以上。在这样的范围时,能够获得在加热后粘合力降低或消失而能使被粘物容易地剥离的粘合片。需要说明的是,粘合面的表面粗糙度Ra是指在没有被粘物的状态下进行加热后的粘合片的粘合面的表面粗糙度Ra。表面粗糙度Ra可以基于JISB 0601:1994来测定。
本发明的粘合片的厚度优选为5μm以上、更优选为10μm以上、进一步优选为15μm~500μm。在这样的范围时,在被粘物的切断加工时不需要进行严格的控制就能防止将粘合片完全切断的情况。
B.树脂层
上述树脂层在25℃下利用纳米压痕法测得的弹性模量优选为1MPa以上、更优选为1MPa~5000MPa、进一步优选为1MPa~3500MPa、特别优选为1MPa~1000MPa、最优选为50MPa~600MPa。具有表现出这样的弹性模量的层的粘合片例如可以通过形成由与粘合剂层不同的材料形成的树脂层来得到。利用纳米压痕法测得的弹性模量是指,遍及负载时、卸载时地连续测定将压头压入试样(例如粘合面)时的对压头的负载载荷和压入深度,由得到的负载载荷-压入深度曲线求出的弹性模量。本说明书中,利用纳米压痕法测得的弹性模量是指将测定条件设为载荷:1mN、负载/卸载速度:0.1mN/s、保持时间:1s如上所述进行测定得到的弹性模量。
通过具备如上所述利用纳米压痕法测得的弹性模量为1MPa以上的树脂层,能够获得切断槽不易消失、能够防止切断加工时切断片接触或再附着的粘合片。此外,能够提供有助于实现优异的切断精度的粘合片。进而,通过使树脂层的利用纳米压痕法测得的弹性模量为5000MPa以下,该树脂层不会有损粘合片整体所必需的柔软性(例如能够追随被粘物的程度的柔软性),能够提供有助于实现优异的切断精度的粘合片。此外,能够防止切断加工时的切断刀的损伤或劣化。
上述树脂层在25℃下的拉伸模量优选为1MPa以上、更优选为1MPa~5000MPa、进一步优选为1MPa~1000MPa。在这样的范围时,能够获得与关于利用纳米压痕法测得的弹性模量的上述说明的效果同样的效果。需要说明的是,拉伸模量可以基于JIS K 7161:2008进行测定。
上述树脂层在25℃下的弯曲模量优选为1MPa以上、更优选为1MPa~5000MPa、进一步优选为1MPa~1000MPa。在这样的范围时,能够获得与关于利用纳米压痕法测得的弹性模量的上述说明的效果同样的效果。需要说明的是,弯曲模量可以基于JIS K 7171:2008进行测定。
上述树脂层的厚度可以设定为任意适合的值。粘合剂层包含热膨胀性微球时,树脂层的厚度优选为能将从粘合剂层突出的热膨胀性微球完全被覆的厚度。树脂层的厚度例如为0.1μm~200μm、优选为0.1μm~100μm、更优选为0.1μm~45μm。需要说明的是,本说明书中,树脂层的厚度是指从构成树脂层20的材料和构成粘合剂层10的粘合剂12的界面到树脂层的与该界面处于相反侧的面为止的距离。即,粘合剂层包含热膨胀性微球的情况下,如图3所示,对于热膨胀性微球11从粘合剂层10突出的部分,不作为树脂层的厚度的评价对象。需要说明的是,割断粘合片并目视观察割断面时,构成树脂层20的材料和构成粘合剂层10的粘合剂12的界面明确的情况下,树脂层的厚度可以使用尺子、游标卡尺、测微计来测定。此外,也可以使用电子显微镜、光学显微镜、原子力显微镜等显微镜来测定树脂层的厚度。进而,还可以通过树脂层与粘合剂层的组成的差异来辨别界面并测定树脂层的厚度。例如,可以通过拉曼光谱分析、红外光谱分析、X射线电子光谱分析等光谱分析;基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-TOFMS)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)等质谱等分析构成树脂层的材料及构成粘合剂层的粘合剂的组成,根据该组成的差异来辨别界面并测定树脂层的厚度。像这样通过光谱分析或质谱来辨别界面的方法在目视或使用显微镜观察时难以辨别界面的情况下是有用的。
作为构成上述树脂层的材料,例如可以列举出:有机硅系聚合物、环氧系聚合物、聚碳酸酯系聚合物、乙烯基系聚合物、丙烯酸类聚合物、氨基甲酸酯系聚合物、聚酯系聚合物(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚烯烃系聚合物、聚酰胺系聚合物、聚酰亚胺系聚合物、不饱和烃系聚合物等聚合物材料。使用这些聚合物材料时,适当选择单体种类、交联剂、聚合度等,从而能够容易地形成具有上述弹性模量的树脂层。此外,上述聚合物材料与热膨胀性微球、构成树脂层的粘合剂及基材的亲和性优异。上述聚合物材料可以单独使用或组合使用2种以上。
作为构成上述树脂层的材料,也可以使用通过活性能量射线的照射能够固化(高弹性模量化)的树脂材料。利用这样的材料形成树脂层时,能够获得能如下的粘合片,即,所述粘合片在粘合片的贴附时为低弹性且柔软性高,操作性优异,在贴附后,通过照射活性能量射线,能调节为上述范围的弹性模量。作为活性能量射线,例如可以列举出:伽马射线、紫外线、可见光线、红外线(热射线)、无线电波、α射线、β射线、电子射线、等离子体流、电离射线、粒子射线等。由通过活性能量射线的照射能够固化的树脂材料构成的树脂层的活性能量射线照射后的利用上述纳米压痕法测得的弹性模量在上述范围内。此外,由通过活性能量射线的照射能够固化的树脂材料构成的树脂层优选活性能量射线照射后的上述拉伸模量和/或弯曲模量在上述范围。
作为通过活性能量射线的照射能够固化(高弹性模量化)的树脂材料,例如可以列举出紫外線硬化システム(加藤清視著、総合技術センター発行、(1989))、光硬化技術(技術情報協会編(2000))、日本特开2003-292916号公报、日本特许4151850号等中记载的树脂材料。更具体而言,可以列举出包含作为主剂的聚合物和活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)的树脂材料(R1)、包含活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(R2)等。
作为上述为主剂的聚合物,例如可以列举出天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯·丁二烯橡胶、苯乙烯·异戊二烯·苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、丁腈橡胶(NBR)等橡胶系聚合物;有机硅系聚合物;丙烯酸类聚合物等。这些聚合物可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述活性能量射线反应性化合物,例如可以列举出具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多键的官能团的光反应性的单体或低聚物。作为该光反应性的单体或低聚物的具体例,可以列举出:三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等含(甲基)丙烯酰基化合物;该含(甲基)丙烯酰基化合物的2~5聚体;等。
此外,作为上述活性能量射线反应性化合物,可以使用环氧化丁二烯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酰胺、乙烯基硅氧烷等单体;或由该单体构成的低聚物。包含这些化合物的树脂材料(R1)可以利用紫外线、电子射线等高能量射线进行固化。
进而,作为上述活性能量射线反应性化合物,可以使用鎓盐等有机盐类与分子内具有多个杂环的化合物的混合物。该混合物通过活性能量射线(例如紫外线、电子射线)的照射,有机盐裂解而生成离子,该离子成为引发种子而引发杂环的开环反应,从而能够形成3维网状结构。作为上述有机盐类,例如可以列举出:碘鎓盐、鏻盐、锑鎓盐、锍盐、硼酸盐等。作为上述分子内具有多个杂环的化合物中的杂环,可以列举出环氧乙烷、氧杂环丁烷、四氢呋喃、环硫乙烷、氮杂环丙烷等。
上述包含作为主剂的聚合物和活性能量射线反应性化合物的树脂材料(R1)中,活性能量射线反应性化合物的含有比例相对于作为主剂的聚合物100重量份优选为0.1重量份~500重量份,更优选为1重量份~300重量份,进一步优选为10重量份~200重量份。
上述包含作为主剂的聚合物和活性能量射线反应性化合物的树脂材料(R1)根据需要可以包含任意适合的添加剂。作为添加剂,例如可以列举出活性能量射线聚合引发剂、活性能量射线聚合促进剂、交联剂、增塑剂、硫化剂等。作为活性能量射线聚合引发剂,根据所使用的活性能量射线的种类,可以使用任意适合的引发剂。活性能量射线聚合引发剂可以单独使用或组合使用2种以上。包含作为主剂的聚合物和活性能量射线反应性化合物的树脂材料(R1)中,活性能量射线聚合引发剂的含有比例相对于作为主剂的聚合物100重量份优选为0.1重量份~10重量份,更优选为1重量份~5重量份。
作为上述活性能量射线反应性聚合物,例如可以列举出具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多键的官能团的聚合物。作为具有活性能量射线反应性官能团的聚合物的具体例,可以列举出:由多官能(甲基)丙烯酸酯构成的聚合物;光阳离子聚合型聚合物;聚乙烯基肉桂酸酯等含肉桂酰基聚合物;重氮化的氨基酚醛清漆树脂;聚丙烯酰胺;等。此外,作为包含活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(R2),也可以使用具有烯丙基的活性能量射线反应性聚合物和具有硫醇基的化合物的混合物。需要说明的是,只要在通过活性能量射线照射进行固化之前(例如贴附粘合片时)能够形成具有能实际应用的硬度(粘度)的树脂层前体,除具有活性能量射线反应性官能团的聚合物以外,还可以使用具有活性能量射线反应性官能团的低聚物。
上述包含活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(R2)还可以包含上述活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)。此外,上述包含活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(R2)根据需要可以包含任意适合的添加剂。添加剂的具体例与包含作为主剂的聚合物和活性能量射线反应性化合物的树脂材料(R1)中可以含有的添加剂同样。包含活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(R2)中,活性能量射线聚合引发剂的含有比例相对于活性能量射线反应性聚合物100重量份优选为0.1重量份~10重量份,更优选为1重量份~5重量份。
构成上述树脂层的树脂的凝胶率优选为40%以上、更优选为50%以上、进一步优选为55%以上。在这样的范围时,树脂层的流动性变少,能够防止随着切断后的时间流逝切断槽接触或再附着。
上述树脂层还可以包含微珠。作为该微珠,例如可以列举出玻璃微珠、树脂微珠等。在树脂层添加这样的微珠时,能够提高树脂层的弹性模量,能够获得能精度更好地对被加工物进行加工的粘合片。微珠的平均粒径例如为0.01μm~50μm。微珠的添加量相对于树脂层整体100重量份例如为10重量份~200重量份、优选为20重量份~100重量份。
C.粘合剂层
上述粘合剂层优选包含粘合剂,更优选包含粘合剂和热膨胀性微球。
上述粘合剂层的厚度优选为50μm以下、更优选为0.1μm~50μm、进一步优选为0.2μm~25μm、特别优选为0.5μm~15μm。通过使粘合剂层的厚度为50μm以下,能够防止形成有切断槽的情况下该切断槽变窄,能够防止切断加工时因切断片再附着和接触导致切断片产生缺口。此外,还能够防止切断加工时切断面变得不稳定、产生切削屑等不良情况。另一方面,粘合剂层的厚度小于0.1μm时,有不能获得充分的粘合力的担心。需要说明的是,本说明书中,粘合剂层的厚度是指从构成树脂层20的材料和构成粘合剂层10的粘合剂12的界面到粘合剂层的与该界面处于相反侧的面为止的距离。即,粘合剂层包含热膨胀性微球的情况下,如图3所示,对于热膨胀性微球11从粘合剂层10突出的部分,不作为粘合剂层的厚度的评价对象。需要说明的是,作为构成树脂层20的材料和构成粘合剂层10的粘合剂12的界面的辨别方法,如上述B项中所说明。
贴附本发明的粘合片时的温度下的、上述粘合剂层的利用纳米压痕法测得的弹性模量优选小于100MPa,更优选为0.1MPa~50MPa,进一步优选为0.1MPa~10MPa。上述粘合剂层的利用纳米压痕法测得的弹性模量与粘合面的利用纳米压痕法测得的弹性模量相当。粘合面的利用纳米压痕法测得的弹性模量是指选择不存在热膨胀性微球的部分并利用上述B项中说明的测定方法测得的弹性模量、即粘合剂的弹性模量。上述贴附粘合片时的温度例如在使用丙烯酸类粘合剂作为粘合剂的情况下为10℃~80℃,在使用苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂作为粘合剂的情况下为40℃~120℃。
上述粘合剂层的凝胶率优选为40%以上、更优选为50%以上、进一步优选为55%以上。在这样的范围时,粘合剂层的流动性变少,能够防止随着切断后的时间流逝而切断槽接触或再附着。
(粘合剂)
作为上述粘合剂,优选在加热时不限制热膨胀性微球的膨胀或发泡的粘合剂。作为该粘合剂,例如可以列举出:丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂、辐射线固化型、在这些粘合剂中配混熔点为约200℃以下的热熔融性树脂而得到的蠕变特性改良型粘合剂等(例如参考日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭63-17981号公报等)。其中优选为丙烯酸类粘合剂或橡胶系粘合剂。需要说明的是,上述粘合剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述丙烯酸类粘合剂,例如可以列举出以使用(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例,可以列举出:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。其中,优选使用具有碳数4~18的直链状或者支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的,上述丙烯酸类聚合物根据需要还可以包含与能与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分,例如可以列举出:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体;马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体;(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体;(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体;N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体;N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体;N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体;醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸类单体;(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体;己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等多官能单体;异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体;乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述橡胶系粘合剂,可以列举出具有例如下述橡胶作为基础聚合物的橡胶系粘合剂,所述橡胶为:天然橡胶;聚异戊二烯橡胶、苯乙烯·丁二烯(SB)橡胶、苯乙烯·异戊二烯(SI)橡胶、苯乙烯·异戊二烯·苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡胶、苯乙烯·丁二烯·苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丁烯·苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丙烯·苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丙烯嵌段共聚物(SEP)橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯、它们的改性体等合成橡胶;等。
上述粘合剂根据需要可以包含任意适合的添加剂。作为该添加剂,例如可以列举出:交联剂、增粘剂(例如松香系增粘剂、萜烯系增粘剂、烃系增粘剂等)、增塑剂(例如偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四酸酯系增塑剂)、颜料、染料、填充剂、防老剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
作为上述交联剂,例如可以列举出:异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合剂系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺系交联剂等。其中优选为异氰酸酯系交联剂或环氧系交联剂。
作为上述异氰酸酯系交联剂的具体例,可以列举出:亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类;亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类;2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类;三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯3聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE L”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯3聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE HL”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE HX”)等异氰酸酯加成物;等。异氰酸酯系交联剂的含量可以根据目标粘合力设定成任意适合的量,相对于基础聚合物100重量份,代表性的为0.1重量份~20重量份,更优选为0.5重量份~10重量份。
作为前述环氧系交联剂,例如可以列举出:N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷(三菱瓦斯化学株式会社制造、商品名“TETRAD C”)、1,6-己二醇二缩水甘油醚(共荣社化学社制造、商品名“Epolight 1600”)、新戊二醇二缩水甘油醚(共荣社化学社制造、商品名“Epolight1500NP”)、乙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学社制造、商品名“Epolight 40E”)、丙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学社制造、商品名“Epolight 70P”)、聚乙二醇二缩水甘油醚(日本油脂株式会社制造、商品名“EPIOL E-400”)、聚丙二醇二缩水甘油醚(日本油脂株式会社制造、商品名“EPIOL P-200”)、山梨糖醇聚缩水甘油醚(Nagase ChemteX Corporation制造、商品名“Denacol EX-611”)、甘油聚缩水甘油醚(Nagase ChemteX Corporation制造、商品名“Denacol EX-314”)、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚(Nagase ChemteXCorporation制造、商品名“Denacol EX-512”)、山梨糖醇酐聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚、分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。环氧系交联剂的含量可以根据目标粘合力设定为任意适合的量,代表性的是,相对于基础聚合物100重量份,为0.01重量份~10重量份,更优选为0.03重量份~5重量份。
(热膨胀性微球)
作为上述热膨胀性微球,只要是通过加热能膨胀或发泡的微球,就可以使用任意适合的热膨胀性微球。作为上述热膨胀性微球,例如可以使用使通过加热容易膨胀的物质内含于具有弹性的壳内而得到的微球。这样的热膨胀性微球可以利用任意适合的方法、例如凝聚法、界面聚合法等来制造。
作为通过加热容易膨胀的物质,例如可以列举出:丙烷、丙烯、丁烯、正丁烷、异丁烷、异戊烷、新戊烷、正戊烷、正己烷、异己烷、庚烷、辛烷、石油醚、甲烷的卤化物、四烷基硅烷等低沸点液体;通过热解而气化的偶氮二甲酰胺;等。
作为构成上述壳的物质,例如可以列举出由下述物质构成的聚合物,所述物质为:丙烯腈、甲基丙烯腈、α-氯丙烯腈、α-乙氧基丙烯腈、富马腈等腈单体;丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、柠康酸等羧酸单体;偏氯乙烯;醋酸乙烯酯;(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸β-羧乙酯等(甲基)丙烯酸酯;苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯等苯乙烯单体;丙烯酰胺、取代丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、取代甲基丙烯酰胺等酰胺单体;等。由这些单体构成的聚合物可以为均聚物,也可以为共聚物。作为该共聚物,例如可以列举出:偏氯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈-甲基丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-甲基丙烯腈-衣康酸共聚物等。
作为上述热膨胀性微球,可以使用无机系发泡剂或有机系发泡剂。作为无机系发泡剂,例如可以列举出:碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、各种叠氮化物类等。此外,作为有机系发泡剂,例如可以列举出:三氯一氟甲烷、二氯一氟甲烷等氯氟化烷烃系化合物;偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物;对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双苯磺酰肼、烯丙基双磺酰肼等肼系化合物;对甲苯磺酰基氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰基氨基脲)等氨基脲系化合物;5-吗啉基-1,2,3,4-硫代三唑等三唑系化合物;N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺;等N-亚硝基系化合物等。
上述热膨胀性微球也可以使用市售品。作为市售品的热膨胀性微球的具体例,可以列举出:松本油脂制药株式会社制造的商品名“Matsumoto Microsphere”(型号:F-30、F-30D、F-36D、F-36LV、F-50、F-50D、F-65、F-65D、FN-100SS、FN-100SSD、FN-180SS、FN-180SSD、F-190D、F-260D、F-2800D)、Japan Fillite Co.,Ltd.制造的商品名“Expancel”(型号:053-40、031-40、920-40、909-80、930-120)、吴羽化学工业株式会社制造的“DAIFOAM”(型号:H750、H850、H1100、S2320D、S2640D、M330、M430、M520)、积水化学工业株式会社制造的“ADVANCELL”(型号:EML101、EMH204、EHM301、EHM302、EHM303、EM304、EHM401、EM403、EM501)等。
上述热膨胀性微球的加热前的粒径优选为0.5μm~80μm、更优选为5μm~45μm、进一步优选为10μm~20μm、特别优选为10μm~15μm。因此,以平均粒径来说明上述热膨胀性微球的加热前的颗粒尺寸时,优选为6μm~45μm、更优选为15μm~35μm。上述粒径和平均粒径是利用激光散射法中的粒度分布测定法求出的值。
上述热膨胀性微球优选的是具有直至体积膨胀率达到优选5倍以上、更优选7倍以上、进一步优选10倍以上才破裂的适合的强度。使用这样的热膨胀性微球时,能够通过加热处理有效地降低粘合力。
上述粘合剂层的热膨胀性微球的含有比例可以根据目标粘合力的降低性等来适当设定。热膨胀性微球的含有比例相对于形成粘合剂层的基础聚合物100重量份,例如为1重量份~150重量份、优选为10重量份~130重量份、更优选为25重量份~100重量份。
D.基材
作为上述基材,例如可以列举出:树脂片、无纺布、纸、金属箔、织布、橡胶片、发泡片、它们的层叠体(尤其是包含树脂片的层叠体)等。作为构成树脂片的树脂,例如可以列举出:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯硫醚(PPS)、氟系树脂、聚醚醚酮(PEEK)等。作为无纺布,可以列举出:包含马尼拉麻的无纺布等由具有耐热性的天然纤维形成的无纺布;聚丙烯树脂无纺布、聚乙烯树脂无纺布、酯系树脂无纺布等合成树脂无纺布等。
上述基材的厚度可以根据目标强度或柔软性、以及使用目的等设定为任意适合的厚度。基材的厚度优选为1000μm以下、更优选为1μm~1000μm、进一步优选为1μm~500μm、特别优选为3μm~300μm、最优选为5μm~250μm。
上述基材可以实施表面处理。作为表面处理,例如可以列举出:电晕处理、铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理、利用底涂剂的涂布处理等。进行这样的表面处理的话,能够提高树脂层与基材的密合性。尤其是利用有机涂布材料的涂布处理能够提高密合性、并且在加热剥离时树脂层不易发生锚固破坏,故而优选。
作为上述有机涂布材料,例如可以列举出プラスチックハードコート材料II(CMC出版、(2004))中记载的材料。优选使用氨基甲酸酯系聚合物,更优选使用聚丙烯酸氨基甲酸酯、聚酯氨基甲酸酯或它们的前体。这是由于,对基材的涂覆/涂布简便、并且工业上可以选择多种物质而能够廉价地获得。该氨基甲酸酯系聚合物例如为由异氰酸酯单体与含醇性羟基单体(例如含羟基丙烯酸类化合物或含羟基酯化合物)的反应混合物形成的聚合物。有机涂布材料可以包含多胺等扩链剂、防老剂、氧化稳定剂等作为任意添加剂。有机涂布层的厚度没有特别限定,例如为0.1μm~10μm左右是适合的,优选为0.1μm~5μm左右,更优选为0.5μm~5μm左右。
E.粘合片的制造方法
作为本发明的粘合片的制造方法,例如可以列举出:(1)在脱模薄膜(剥离纸)上涂布上述粘合剂而形成粘合剂涂布层后,根据需要在该粘合剂涂布层中通过压制等嵌入上述热膨胀性微球,形成粘合剂层,并在该粘合剂层上形成(层叠)树脂层的方法;(2)在脱模薄膜上涂布包含上述粘合剂(根据需要还包含热膨胀性微球)的粘合剂层形成用组合物而形成粘合剂涂布层,并在该粘合剂涂布层上形成(层叠)树脂层的方法等。此外,粘合剂层包含热膨胀性微球的情况下,还可以采用:(3)在脱模薄膜上涂布上述粘合剂而形成粘合剂涂布层后,在该粘合剂涂布层上形成(层叠)树脂层,然后将脱模薄膜剥离,从粘合剂涂布层的与树脂层处于相反侧的面(粘合面)侧通过压制等嵌入上述热膨胀性微球的方法。上述(1)~(3)的方法中,通过将粘合剂涂布层干燥,可以形成粘合剂层,该干燥可以在任意适合的时机进行。该干燥可以在嵌入热膨胀性微球之前进行,也可以在嵌入热膨胀性微球之后进行。此外,可以在形成树脂层之前进行,也可以在形成树脂层之后进行。嵌入热膨胀性微球后进行干燥时,优选以热膨胀性微球不易膨胀或发泡的温度进行干燥。上述(1)及(2)所示的操作之后,可以将脱模薄膜剥离,也可以保留脱模薄膜来保护粘合面直至将粘合片供给到实际应用为止。
本发明的粘合片具备基材时,该粘合片可以在上述(1)~(3)的操作后在树脂层的与粘合剂层处于相反侧的面,介由任意适合的粘接剂或粘合剂贴附基材。此外,也可以分别制作基材与树脂层的层叠体、和脱模薄膜与粘合剂层(或粘合剂涂布层)的层叠体,将它们的层叠体贴合。
作为形成上述树脂层的方法,可以列举出:(i)使上述B项中说明的聚合物材料或树脂材料热熔融并通过挤出成形,得到薄膜状成形体,将该成形体层叠于上述粘合剂层(或粘合剂涂布层)或者基材的方法;(ii)将包含上述聚合物材料或树脂材料的树脂溶液涂布于上述粘合剂层(或粘合剂涂布层)或者基材,其后使其干燥的方法;(iii)将包含能够形成上述聚合物材料或树脂材料的单体、低聚物或大分子单体的树脂层形成用组合物涂布于上述粘合剂层(或粘合剂涂布层)或者基材,使树脂层形成用组合物聚合的(例如通过加热、活性能量射线照射等进行聚合)方法等。利用该(iii)的方法,能够减少溶剂、和/或热能的使用量。需要说明的是,(ii)的方法中,也可以将树脂溶液涂布在其它的脱模薄膜上,其后使其干燥而得到薄膜状的成形体,之后,将该成形体层叠于上述粘合剂层(或粘合剂涂布层)或者基材。此外,(iii)的方法中,也可以将树脂层形成用组合物涂布在其它的脱模薄膜上,其后使其干燥而形成树脂层前体,将该前体层叠于上述粘合剂层(或粘合剂涂布层)或者基材,其后使其聚合。
例如,在上述(iii)的方法中,形成由环氧系聚合物构成的树脂层时,可以采用如下的方法:涂布包含2,2-(4-羟基苯基)丙烷二缩水甘油醚、双(4-羟基苯基)甲烷等环氧化合物和任意适合的固化剂的树脂层形成用组合物后,进行加热(例如60℃~120℃)的方法。
例如,在上述(iii)的方法中,形成由氨基甲酸酯系聚合物构成的树脂层时,可以采用如下的方法:涂布包含甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等异氰酸酯化合物、和聚醚多元醇、聚酯多元醇等多元醇化合物的树脂层形成用组合物后,进行加热(例如60℃~120℃)的方法。
例如,在上述(iii)的方法中,形成由乙烯基系聚合物构成的树脂层时,可以使用包含氯乙烯、苯乙烯等乙烯基化合物和任意适合的引发剂的树脂层形成用组合物。
上述树脂层形成用组合物可以根据需要包含引发剂、催化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂等添加剂。此外,还可以包含上述微珠。
上述树脂层由通过活性能量射线的照射能够固化的树脂材料构成时,在任意适合的时机进行活性能量射线的照射,能够得到粘合片。活性能量射线的照射例如可以在贴附被粘物(被加工物)之后进行。活性能量射线的照射也可以阶段性地进行。例如,在被粘物的贴附前使其半固化,在贴附后使其完全固化。活性能量射线的种类及照射量可以根据构成树脂层的树脂材料的种类设定为任意适合的种类及量。
根据上述制造方法,粘合剂层的脱模薄膜侧(树脂层的相反侧)的面成为粘合面。粘合面以与脱模薄膜相接的状态形成,因此,在粘合剂层包含热膨胀性微球的情况下,也没有热膨胀性微球的突出而平坦。另一方面,在粘合剂层的与粘合面处于相反侧的面,热膨胀性微球突出。本发明中,利用上述树脂层被覆该突出的热膨胀性微球,因此,粘合片的两面平坦,因而能够使粘合剂层的厚度较薄。这样的本发明的粘合片作为对电子部件等进行切断加工时的临时固定用片能够有助于获得优异的切断精度、及减少切削屑。
F.粘合片的使用方法(电子部件的制造方法)
根据本发明的其它实施方式,提供一种电子部件的制造方法。本发明的电子部件的制造方法包括:在上述粘合片上以大面积贴附得到的电子部件材料(基板),对该电子部件材料进行切断加工。
作为上述电子部件,例如可以列举出硅晶圆等半导体装置用的部件;叠片电容器:透明电极;等。
在上述制造方法中,首先,在加工台上载置上述粘合片,在该粘合片上以大面积贴附得到的电子部件材料。
其后,利用任意适合的方法切断上述电子部件材料,能够得到电子部件。作为上述切断加工的方法,例如可以列举出使用旋转刀、平面刀等刀具的方法,使用激光的方法等。通过使用平面刀的按压切割来切断电子部件材料时,切削屑的产生得到抑制,成品率提高。本发明中,能够使粘合剂层较薄,因此,即使通过利用平面刀的按压切割来切断电子部件材料,也能够防止:切断片接触或再附着、切断面倾斜或变成S字而不稳定、切断时产生芯片缺口等。此外,本发明中,使用薄的刀进行切断时,也能够获得上述效果,能够减少因刀的厚度而产生的制造损失(切断后的芯片间产生的间隙带来的损失)。在更小型化的电子部件的制造中,由于切断面的数目多,因此,能够减少上述那样的制造损失的本发明特别有用。需要说明的是,切断加工时,切断刀可以到达本发明的粘合片的树脂层为止,也可以不到达。优选切断刀到达树脂层为止。这样的话,切断片的再附着(接触)防止效果变显著。
在上述切断加工中,可以在加热下进行切断。例如,可以将上述加工台加热至30℃~150℃而进行切断加工。
实施例
以下,利用实施例对本发明进行具体说明,但本发明并不限定于这些实施例。实施例中的评价方法如下所述。此外,实施例中,只要没有特别说明,则“份”及“%”为重量基准。
(1)拉曼显微成像中的粘合剂层及树脂层的厚度的测定
将实施例1~3、5、6及12~15中得到的粘合片用切片机(microtome)切片化,准备测定试样。对该测定试样的截面,使用WITec公司制造的alpha300RSA进行基于拉曼光谱的光谱分析,基于来自于仅添加在树脂层的成分的峰(例如实施例3中为活性能量射线反应性低聚物(UV1700B)的1640cm-1的峰)的峰强度,测定树脂层及粘合剂层的厚度。以实施例3为代表例,将该测定中的拉曼显微成像示于图5。以仅添加在树脂层中的成分的存在量明确不同的面作为界面1,将从界面1到粘合剂层的与该界面1处于相反侧的面为止的距离作为粘合剂层的厚度、将从该界面1到树脂层的与该界面处于相反侧的面为止的距离作为树脂层的厚度。
需要说明的是,拉曼显微成像测定的测定条件如下所述。
(2)利用SEM的粘合剂层及树脂层的厚度的测定
将实施例4、7~11、16、17及比较例1中得到的粘合片用裁边刀具沿厚度方向切断,实施Pt-Pd溅射处理后,使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的S3400N低真空扫描电子显微镜(SEM)观察切断面,辨别界面1,将从界面1到粘合剂层的与该界面1处于相反侧的面为止的距离作为粘合剂层的厚度、将从该界面1到树脂层的与该界面处于相反侧的面为止的距离作为树脂层的厚度。以实施例11为代表例,将粘合片的截面的SEM图像示于图6。
需要说明的是,SEM观察的测定条件如下所述。
·观察图像:ESED像
·加速电压:10kV
·倍率:600倍
(3)弹性模量测定
将实施例以及比较例中得到的粘合片用切片机沿厚度方向切断,对该切断面,用纳米压痕仪测定弹性模量。
更详细而言,对于树脂层,将与切断面几乎垂直的树脂层的表面(与粘合面处于相反侧的面)、及距该表面3μm左右的切断面表面作为测定对象。将对测定对象压入探针(压头)而得到的位移-载荷滞回曲线用测定装置附带的软件(triboscan)进行数值处理,由此得到弹性模量。需要说明的是,表1中示出了在距表面3μm左右的切断面表面测得的弹性模量(3次测定的平均值)。
纳米压痕仪装置以及测定条件如下所述。
装置及测定条件
·装置:纳米压痕仪;Hysitron Inc公司制造的Triboindenter
·测定方法:单一压入法
·测定温度:25℃
·压入速度:约1000nm/秒
·压入深度:约800nm
·探针:金刚石制造、Berkovich型(三角锥型)
(4)粘合力测定
(加热前(使热膨胀性微球膨胀前)的粘合力)
将实施例以及比较例中得到的粘合片切断为宽:20mm、长:140mm的尺寸,以作为被粘物的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(商品名“lumirror S-10”东丽株式会社制造;厚:25μm、宽:30mm)在宽度方向左右各突出5mm的状态,基于JIS Z 0237:2009,使2kg的辊往复1次,将该被粘物贴合在粘合面上,准备测定试样。将该测定试样安装于带恒温槽的拉伸试验机(商品名“岛津Autograph AG-120kN”岛津制作所株式会社制造),放置30分钟。其后,测定将被粘物以剥离角度:180°、剥离速度(拉伸速度):300mm/min的条件沿长度方向从粘合片剥离时的载荷,求出此时的最大载荷(测定初期的峰顶除外的载荷的最大值),将该最大载荷除以带宽而得到的值作为粘合力(N/20mm宽)。需要说明的是,上述操作在温度:23±3℃及湿度:65±5%RH的气氛下进行。
(加热后(使热膨胀性微球膨胀或发泡后)的粘合力)
与上述同样地准备测定试样,将该测定试样投入热风干燥器。在热风干燥器中,在热膨胀性微球的最大膨胀温度(后述)下静置1分钟,然后,与上述同样地将被粘物剥离,测定粘合力。需要说明的是,投入热风干燥器前后的操作在温度:23±3℃及湿度:65±5%RH的气氛下进行。
(5)表面粗糙度测定
对于实施例以及比较例中得到的粘合片,使热膨胀性微球膨胀或发泡后,测定粘合面的表面粗糙度Ra。热膨胀性微球的膨胀或发泡在热风干燥器中在热膨胀性微球的最大膨胀温度(后述)下静置1分钟来进行。需要说明的是,表面粗糙度的测定使用奥林巴斯株式会社制造的激光显微镜“OLS4000”来进行。
(6)切断后小片分离性评价
在实施例以及比较例中得到的粘合片上贴合40mm×50mm(厚度500μm)的层叠陶瓷片。用UHT株式会社制造的切断装置“G-CUT8AA”将粘合片上的层叠陶瓷片以成为1mm×0.5mm的小片的方式切断成骰子状。将粘合片上的层叠陶瓷片沿直径30mm的圆柱的侧面设置。以设置于圆柱的状态在规定的温度(热膨胀性微球的最大膨胀温度(后述))下进行加热处理,使热膨胀性微球膨胀,由此将小片从粘合片剥离,计数切断处的芯片间未分离的芯片个数。将未分离的芯片个数除以100%完全分离时的芯片个数而得到的数作为分离性的指标。将指标小于2%的设为◎、指标为2%以上且小于5%的设为○、指标为5%以上且小于15%的设为△、指标为15%以上的设为×。
层叠陶瓷片的组成以及切断装置的切断条件的详细内容如下所述。
(层叠陶瓷片)
在甲苯溶剂中加入钛酸钡粉末100份、聚乙烯基丁缩醛树脂15份、邻苯二甲酸双(2-乙基己酯)6份和二甘油硬脂酸酯2份,在球磨分散机中进行混合及分散,由此得到电介质的甲苯溶液。将该溶液以溶剂挥发后的厚度为50μm的方式使用涂抹器涂布在带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱聚酯薄膜株式会社制造、商品名“MRF38”、厚度:38μm)的有机硅脱模剂处理面,进行干燥,得到陶瓷片。将得到的陶瓷片以厚度为500μm的方式层叠多层,得到层叠陶瓷片。
(切断条件)
·切断温度:60℃、切断深度(距台面的残留量):约20μm
·切断刀:UHT株式会社制造的“U-BLADE2”、刀厚:50μm、刀尖角度:15°
(7)切断面切割性评价
与上述(6)同样操作,将层叠陶瓷片以成为1mm×0.5mm的小片的方式切断为骰子状。从切断的小片中选出任意10个,用50倍的放大镜观察切断面,确认有无破片(因切断加工而产生的层叠陶瓷片的缺口),将10个小片中产生的破片总数的平均值作为指标。将指标为0~小于10处的设为◎、为10以上且小于20处的设为○、为20以上且小于40处的设为△、为40处以上的设为×。
(8)切断槽消失度评价
将实施例及比较例中得到的粘合片使用UHT株式会社制造的切断装置“G-CUT8AA”以从粘合剂层侧贯穿粘合剂层的方式形成切断槽,对粘合剂层中的与切断槽的线宽方向的剖视图形状对应的假想面A,求出切断槽形成后在25℃下经过1小时后的假想面A的面积S2、和切断槽刚形成后的假想面A的面积S1之比(S2/S1)。假想面A的面积如下来测定:将粘合片用裁边刀具沿厚度方向切断,使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的S3400N低真空扫描电子显微镜(SEM)对其切断面进行观察,由此测定。
(切断槽形成条件)
·切断温度:60℃、切断深度(距台面的残留量):约15μm
·切断刀:UHT株式会社制造的“U-BLADE2”、刀厚:50μm、刀尖角度:15°
以下记载聚合物制备法。需要说明的是,此处,份在没有特别说明的情况下为重量份。
[制造例1]聚合物1的制备
在甲苯中加入丙烯酸丁酯100份、丙烯酸5份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2份后,进行加热,得到丙烯酸类共聚物(聚合物1)的甲苯溶液。
[制造例2]聚合物2的制备
在甲苯中加入丙烯酸2-乙基己酯30份、丙烯酸乙酯70份、丙烯酸2-羟基乙酯4份、N-苯基马来酰亚胺5份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2份后,进行加热,得到丙烯酸类共聚物(聚合物2)的甲苯溶液。
[制造例3]聚合物3的制备
在甲苯中加入丙烯酸2-乙基己酯30份、丙烯酸乙酯70份、丙烯酸2-羟基乙酯4份、甲基丙烯酸甲酯5份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2份后,进行加热,得到丙烯酸类共聚物(聚合物3)的甲苯溶液。
[制造例4]聚合物4的制备
在甲苯中加入丙烯酸丁酯50份、丙烯酸乙酯50份、丙烯酸5份、丙烯酸2-羟基乙酯0.1份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2份后,进行加热,得到丙烯酸类共聚物(聚合物4)的甲苯溶液。
[制造例5]聚合物5的制备
在醋酸乙酯中加入丙烯酸甲酯70份、丙烯酸2-乙基己酯30份、丙烯酸10份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2份后,进行加热,得到丙烯酸类共聚物(聚合物5)的醋酸乙酯溶液。
[制造例6]聚合物6的制备
在甲苯中加入丙烯酸丁酯50摩尔、丙烯酸乙酯50摩尔、丙烯酸2-羟基乙酯22摩尔、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰(相对于丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯及丙烯酸2-羟基乙酯的总和100份为0.2份)后,进行加热,得到共聚物溶液。在该共聚物溶液中加入与来自该溶液中的丙烯酸2-羟基乙酯的羟基的80摩尔%相当的量的丙烯酸2-异氰酸根合乙酯后,进行加热,对该来自丙烯酸2-羟基乙酯的羟基加成甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯,由此得到在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类共聚物(聚合物6)的甲苯溶液。
[制造例7]聚合物7的制备
在甲苯中加入丙烯酸丁酯80摩尔、丙烯酰基吗啉30摩尔、丙烯酸2-羟基乙酯20摩尔、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰(相对于丙烯酸丁酯、丙烯酰基吗啉及丙烯酸2-羟基乙酯的总和100份为0.2份)后,进行加热,得到共聚物溶液。在该共聚物溶液中加入与来自该溶液中的丙烯酸2-羟基乙酯的羟基的50摩尔%相当的量的丙烯酸2-异氰酸根合乙酯后,进行加热,对该来自丙烯酸2-羟基乙酯的羟基加成甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯,由此得到在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类共聚物(聚合物7)的甲苯溶液。
[实施例1]
(粘合剂层前体层的形成)
将制造例2中制得的聚合物2的甲苯溶液(聚合物2:100份)、异氰酸酯系交联剂(日本聚氨酯株式会社制造、商品名“CORONATE L”)1份、作为增粘剂的萜烯酚系树脂(住友电木株式会社制造、商品名“SUMILITERESIN PR12603”)5份、和热膨胀性微球(松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-50D”、发泡(膨胀)起始温度:95℃~105℃、最大膨胀温度:125℃~135℃、平均粒径10μm~18μm)40份混合,制备混合液。在该混合液中进一步加入与该混合液中的溶剂相同的溶剂(甲苯),进行粘度调节直至成为容易涂布的粘度。将该混合液以溶剂挥发(干燥)后的厚度为10μm的方式使用涂抹器涂布于带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化学聚酯薄膜株式会社制造、商品名“MRF38”、厚度:38μm),其后,进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层。
(树脂层前体层的形成)
将制造例1中制得的上述聚合物1的甲苯溶液(聚合物1:100份)、作为活性能量射线反应性低聚物的二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物(东亚合成株式会社制造、商品名“Aronix M404”)20份、异氰酸酯系交联剂(日本聚氨酯株式会社制造、商品名“CORONATE L”)2份、和能量射线聚合引发剂(BASF日本公司制造、商品名“Irgacure651”)3重量份混合,制备混合液。在该混合液中进一步加入与该混合液中的溶剂相同的溶剂(甲苯),进行粘度调节直至成为容易涂布的粘度。以溶剂挥发(干燥)后的厚度为20μm的方式使用涂抹器将其涂布于带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化学聚酯薄膜株式会社制造、商品名“MRF38”、厚度:38μm),其后,进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成树脂层前体层。
(粘合片1的形成)
将上述粘合剂层前体层和树脂层前体层贴合。接着,使用紫外线照射机“UM810(高压水银灯光源)”(日东精机株式会社制造),从树脂层前体层侧进行累积光量300mJ/cm2的紫外线照射。其后,将带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜剥离,得到粘合片1(粘合剂层的厚度:10μm、树脂层的厚度:25μm)。
[实施例2~15、比较例1]
如表1所示来设定形成粘合剂层前体层时的聚合物、交联剂、增粘剂及热膨胀性微球的种类及配混量,并且如表1所示来设定形成树脂层前体层时的聚合物、活性能量射线反应性低聚物、交联剂及能量射线聚合引发剂的种类及配混量,除此以外,与实施例1同样地得到粘合片。
需要说明的是,在实施例2~5、8、10、13~15及比较例1中,形成树脂层前体层时,代替带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜而在PET薄膜(厚度:100μm)上涂布混合液,得到该PET薄膜未剥离而具有PET薄膜(基材)的粘合片。此外,在实施例4及比较例1中,不进行紫外线照射地得到粘合片。
表1中记载的交联剂、增粘剂、热膨胀性微球、活性能量射线反应性低聚物、能量射线聚合引发剂的详细内容如下所述。
<交联剂>
TETRAD C:三菱瓦斯化学株式会社制造、商品名“TETRAD C”、环氧系交联剂
<增粘剂>
PR51732:住友电木株式会社制造、商品名“SUMILITERESIN PR51732”
S145:YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制造、商品名“YS polystar S145”
U130:YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制造、商品名“YS polystar U130”
T160:YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制造、商品名“YS polystar T160”
<热膨胀性微球>
F-30D:松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-30D”、发泡(膨胀)起始温度:70℃~80℃、最大膨胀温度:110℃~120℃、平均粒径10μm~18μm
F-65D:松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-65D”、发泡(膨胀)起始温度:105℃~115℃、最大膨胀温度:145℃~155℃、平均粒径12μm~18μm
FN-180SSD:松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere FN-180SSD”、发泡(膨胀)起始温度:135℃~150℃、最大膨胀温度:165℃~180℃、平均粒径15μm~25μm
F-260D:松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-260D”、发泡(膨胀)起始温度:190℃~200℃、最大膨胀温度:250℃~260℃、平均粒径20μm~35μm
<活性能量射线反应性低聚物>
UV1700B:日本合成化学株式会社制造、商品名“紫光UV-1700B”、紫外线固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯
UV7620EA:日本合成化学株式会社制造、商品名“紫光UV-7620EA”、紫外线固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯
UV3000B:日本合成化学株式会社制造、商品名“紫光UV-3000B”、紫外线固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯
M321:东亚合成株式会社制造、商品名“Aronix M321”、三羟甲基丙烷PO改性三丙烯酸酯(环氧丙烷(PO)的平均加成摩尔数:2摩尔)
UV7630B:日本合成化学株式会社制造、商品名“紫光UV-7630B”、紫外线固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯
<能量射线聚合引发剂>
I184:BASF公司制造、商品名“Irgacure 184”
I2959:BASF公司制造、商品名“Irgacure 2959”
I651:BASF公司制造、商品名“Irgacure 651”
[实施例16]
将制造例1中制得的聚合物1的甲苯溶液(聚合物1:100份)、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学株式会社制造、商品名“TETRAD C”)0.8份、作为增粘剂的萜烯酚系树脂(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制造、商品名“YS polystar S145”)30份、和热膨胀性微球(松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-50D”、发泡(膨胀)起始温度:95℃~105℃、最大膨胀温度:125℃~135℃、平均粒径10μm~18μm)30份混合,制备混合液。在该混合液中进一步加入与该混合液中的溶剂相同的溶剂(甲苯),进行粘度调节直至成为容易涂布的粘度。将该混合液以溶剂挥发(干燥)后的厚度为30μm的方式使用涂抹器涂布于带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化学聚酯薄膜株式会社制造、商品名“MRF38”、厚度:38μm),其后,进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层。
在作为树脂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制造、商品名“lumirror type X42”、厚度:50μm)的无光泽处理面,通过手压辊贴合前述粘合剂层前体层的粘合面。进行高压釜处理(40℃、5Kgf/cm2、10分钟),得到粘合片(粘合剂层(厚度:30μm)/树脂层(聚对苯二甲酸乙二醇酯、厚度:50μm))。
[实施例17]
将制造例4中制得的聚合物4的甲苯溶液(聚合物4:100份)、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学株式会社制造、商品名“TETRAD C”)0.8份、作为增粘剂的萜烯酚系树脂(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制造、商品名“YS polystar S145”)5份、和热膨胀性微球(松本油脂制药株式会社制造、商品名“Matsumoto Microsphere F-50D”、发泡(膨胀)起始温度:95℃~105℃、最大膨胀温度:125℃~135℃、平均粒径10μm~18μm)30份混合,制备混合液。在该混合液中进一步加入与该混合液中的溶剂相同的溶剂(甲苯),进行粘度调节直至成为容易涂布的粘度。将该混合液以溶剂挥发(干燥)后的厚度为40μm的方式使用涂抹器涂布于带有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化学聚酯薄膜株式会社制造、商品名“MRF38”、厚度:38μm),其后,进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层。
在作为树脂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱树脂株式会社制造的DIAFIX(PG-CHI(FG、厚度200μm))的一面,使用绕线棒(10号)涂布醋酸乙酯和二甲基甲酰胺的混合溶剂(醋酸乙酯:二甲基甲酰胺=1:10(体积%)),在其涂布面使用手压辊贴合前述粘合剂层前体层的粘合面。在80℃下用热风干燥机干燥3分钟,得到粘合片(粘合剂层(厚度:40μm)/树脂层(聚对苯二甲酸乙二醇酯、厚度:200μm))。
表1
产业上的可利用性
本发明的制造方法及粘合片可以优选用于半导体芯片等芯片状电子部件的制造。
附图标记说明
10 粘合剂层
11 热膨胀性微球
12 粘合剂
20 树脂层
30 基材
100、200、300 粘合片
Claims (6)
1.一种粘合片,其具备粘合剂层和配置在该粘合剂层的单侧的树脂层,
该粘合剂层包含热膨胀性微球,通过加热使该热膨胀性微球膨胀或发泡时的、该粘合剂层的与该树脂层处于相反侧的面的表面粗糙度Ra为3μm以上,
该树脂层在25℃下利用纳米压痕法测得的弹性模量为34MPa~1000MPa,
从该粘合剂层侧以贯穿该粘合剂层的方式形成切断槽时,在形成切断槽之后,在25℃下经过1小时后切断槽不消失,
所述树脂层的厚度为0.1μm~45μm,
所述粘合剂层的凝胶率为40%以上。
2.根据权利要求1所述的粘合片,其中,所述粘合剂层的厚度为50μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片,其中,通过加热,粘合力降低。
4.根据权利要求1或2所述的粘合片,其中,加热后的粘合力a2与加热前的粘合力a1之比a2/a1为0.0001~0.5。
5.根据权利要求1或2所述的粘合片,其中,在所述树脂层的与所述粘合剂层相反的一侧还具备基材。
6.一种电子部件的制造方法,其包括:在权利要求1~5中任一项所述的粘合片上贴附电子部件材料后,
对该电子部件材料进行切断加工。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013053850 | 2013-03-15 | ||
JP2013-053850 | 2013-03-15 | ||
PCT/JP2014/056550 WO2014142194A1 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-12 | 粘着シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105102565A CN105102565A (zh) | 2015-11-25 |
CN105102565B true CN105102565B (zh) | 2018-03-06 |
Family
ID=51536845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480016192.3A Active CN105102565B (zh) | 2013-03-15 | 2014-03-12 | 粘合片 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5801010B2 (zh) |
KR (1) | KR101637862B1 (zh) |
CN (1) | CN105102565B (zh) |
TW (1) | TWI557206B (zh) |
WO (1) | WO2014142194A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014142194A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
JP6783570B2 (ja) * | 2016-07-11 | 2020-11-11 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
JP6712916B2 (ja) * | 2016-07-11 | 2020-06-24 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
WO2018066408A1 (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 |
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WO2014142194A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
-
2014
- 2014-03-12 WO PCT/JP2014/056550 patent/WO2014142194A1/ja active Application Filing
- 2014-03-12 KR KR1020157024753A patent/KR101637862B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-12 JP JP2015505528A patent/JP5801010B2/ja active Active
- 2014-03-12 CN CN201480016192.3A patent/CN105102565B/zh active Active
- 2014-03-14 TW TW103109763A patent/TWI557206B/zh active
-
2015
- 2015-07-14 JP JP2015140131A patent/JP6525779B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014142194A1 (ja) | 2014-09-18 |
JPWO2014142194A1 (ja) | 2017-02-16 |
KR20150127089A (ko) | 2015-11-16 |
TW201441334A (zh) | 2014-11-01 |
JP2016029161A (ja) | 2016-03-03 |
CN105102565A (zh) | 2015-11-25 |
JP5801010B2 (ja) | 2015-10-28 |
TWI557206B (zh) | 2016-11-11 |
KR101637862B1 (ko) | 2016-07-07 |
JP6525779B2 (ja) | 2019-06-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |