CN1927978A - 粘合片和使用该粘合片的制品的加工方法 - Google Patents

粘合片和使用该粘合片的制品的加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种粘合片以及粘合片中使用的层压片，该粘合片在加工半导体晶圆等制品时使用，其在加工中不会污染或破坏半导体晶圆等，就可以减小由粘合片的残留应力引起的制品翘曲，为此，本发明的粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，该中间层使用丙烯酸类聚合物而形成，所述丙烯酸类聚合物是混合70重量份～99重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份的不饱和羧酸使其总计成为100重量份的混合物聚合而得到的，并且，基材包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。

Description

粘合片和使用该粘合片的制品的加工方法
技术领域
本发明涉及一种粘合片和使用该粘合片加工制品的方法，尤其涉及在半导体晶圆等半导体制品或光学类制品等的精密加工工序中，用于保护或保持制品的粘合片以及使用该粘合片加工制品的方法。
背景技术
在光学产业或半导体产业等产业中，在精密加工透镜等光学部件或半导体晶圆等半导体制品时，为了保护晶圆等的表面或防止破损而使用粘合片。
例如，在半导体芯片的制造工序中，将高纯度硅单晶等切片而形成晶圆后，对晶圆的表面进行蚀刻形成IC等规定的电路图案而安装上集成电路，然后，通过磨削机磨削晶圆的背面，使得晶圆的厚度减薄至100～600μm左右，最后通过切割进行芯片化而制备。由于半导体晶圆本身薄且脆，并且在电路图案中存在凹凸，因此若在向磨削工序或切割工序搬送时施加外力就容易破损。因此，为了保护电路图案面等、防止半导体晶圆的破损，采用在电路图案面粘贴粘合片来进行操作的作法。
作为在这里所使用的粘合片，已知有例如在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等的基材片上具有粘合剂层的粘合片。
然而，近年来，电路图案面的凹凸的高低差变大，此外，在IC卡、堆栈IC等超薄型芯片中，半导体晶圆的厚度要求低于100μm这样的薄型化。例如，在使用EVA这样的软质基材的粘合片中，不存在对图案面的跟踪性的问题，但由于基材的刚性不足，因此在晶圆磨削后会发生翘曲或产生由晶圆自身重量引起的挠曲。产生翘曲或挠曲的晶圆是无法利用目前的搬送方法搬送的，此外，也无法放入通常使用的专用收容盒中。
于是，设想一种由具有刚性的基材PET与软质的基材EVA贴合而成的基材，但在通过粘合剂机械地粘贴时，贴合时所付与的压力会残留在薄膜内，基材彻底卷曲。此外，在通过T型模头法或压延法等形成层压体的情况下，由于制膜时的热收缩而在薄膜内产生残留应力。使用这样的产生了残留应力的基材的粘合片，存在如下的问题：由于贴合时的拉伸应力、挤压压力等引起的粘合片内的应变，导致在磨削晶圆时晶圆损坏，或者磨削后晶圆产生大的翘曲。
已公开了一种以降低残留应力为目的的粘合片。例如，在日本专利特开2000-150432号公报中公开了一种粘合片，其在拉伸试验中拉伸10％时的应力缓和率为40％/分以上，在日本专利特开2003-261842号公报中公开了一种粘合片，其具有通过粘合剂层将应力缓和性薄膜贴合到刚性薄膜上的基材，在日本专利特开2004-200451号公报和日本专利特开2005-19518号公报中公开了一种粘合片，其在包含具有特定拉伸弹性模量的层的基材上设有粘合剂层，在日本专利特开2002-69396号公报中公开了一种半导体晶圆保护用粘合薄膜，其是由作为两最外层具有低弹性模量薄膜和作为内层具有高弹性模量薄膜的基材膜形成的。
此外，在日本专利特开2004-107644号公报和日本专利特开2004-122758号公报中公开了一种作为中间层具有复合薄膜的粘合片，该复合薄膜作为有效成分含有聚氨酯聚合物和乙烯类聚合物。
然而，上述粘合片存在由污染物引起的问题。如果为了降低残留应力而层压弹性模量不同的薄膜等，则根据层压薄膜的种类，薄膜内的成分通过渗出而通过粘合剂层转移至粘合剂层表面，有时会污染被粘附体表面。此外，由粘合剂带来的有机物或颗粒等有时会污染被粘附体表面。
晶圆在经过切断成各个芯片的切割工序后，实施引线接合以树脂密封等工序。在这样的工序中也被使用的粘合片必需是晶圆等被粘附体不被构成粘合剂层的粘合剂产生的有机物或颗粒等污染的。
已知晶圆表面的污染物对引线接合的抗剪强度产生影响。即，在制造半导体芯片时进行的引线接合中，要求球与焊点之间的粘合强度较高，而在附着在晶圆上的铝表面上的有机物或颗粒等是阻碍金线接合到铝表面上的原因，如果在铝表面附着过量的污染物质，则污染物质成为气空的起点而产生密封树脂被剥离、或在密封树脂中产生裂纹、引线接合抗剪强度降低等问题。
此外，迄今为止，作为粘合剂，使用溶剂型的丙烯酸类粘合剂，但由于溶剂型丙烯酸类粘合剂是在有机溶剂中合成的，因此涂布时的溶剂挥发存在环境问题，需要转换成水分散型丙烯酸类粘合剂。然而，水分散型丙烯酸类粘合剂与溶剂型的丙烯酸类粘合剂相比，由于使用乳化剂因而难以实现低污染性。
特别是近年来，伴随着半导体集成电路的高密度化和高功能化，对半导体晶圆和由其得到的半导体芯片的电路面的污染控制变得严格起来。因此，对晶圆加工用粘合片，要求比以往更高的低污染性。
本发明是为了解决上述问题而进行，本发明的目的在于，提供一种在例如加工半导体晶圆等制品的工序中所使用的粘合片以及使用该粘合片加工制品的方法，该粘合片即使研磨后的半导体晶圆是薄壁的，也不会在磨削工序中使晶圆破损，另外由粘合片的残留应力引起的晶圆的翘曲小，而且与粘合剂层的固着力优异且可以实现低污染性的半导体层等制品的加工工序。
发明内容
本发明的粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，其特征在于，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，该中间层使用丙烯酸类聚合物而形成，所述丙烯酸类聚合物是混合70重量份～99重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份的不饱和羧酸使其合计成为100重量份的混合物聚合而得到的，并且，基材包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。
这里，上述中间层的厚度可以为50μm以上。
在本发明中，上述中间层优选是通过照射辐射线使之固化而形成的。
本发明的制品的加工方法，其特征在于，在将上述任一种粘合片粘贴到欲精密加工的制品上以保持和/或保护制品的状态下进行精密加工。
这里，上述欲精密加工的制品是半导体晶圆，将该半导体晶圆的直径设为a(inch)、磨削后的半导体晶圆的厚度设为b(μm)时，优选可以磨削加工至b/a(μm/inch)在27(μm/inch)以下。
具体实施方式
本发明的粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的层压体，该中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，优选为15MPa以上80MPa以下。如果中间层的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，则可以提高加工制品时在制品表面贴附粘合片的贴附操作性，此外，可以提高制品加工后从制品剥离粘合带的剥离操作性。
在本发明中，所谓中间层“拉伸弹性模量”指的是：将厚度为10μm以上100μm以下的测定对象物(在这里是指中间层、粘合剂层等)切断成宽度为10mm的长条状，制成试验片，在23℃下以1分钟50mm的速度拉伸的长条状试验片(长度为1cm的部分)，由此时得到的S-S曲线求出的初始弹性模量，即为“拉伸弹性模量”。
该中间层通过使用混合70重量份～99重量份(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份不饱和羧酸使其合计成为100重量份的混合物聚合得到的丙烯酸类聚合物而形成的。在本发明中，用于形成中间层的不饱和羧酸的混合量优选为2重量份以上25重量份以下，更优选为3重量份以上20重量份以下。若不饱和羧酸的混合量小于1重量份，则缺乏与粘合剂层的粘附性，若超过30重量份，则中间层的弹性模量急剧升高，无法有效地抑制磨削后的晶圆的翘曲。
另外，优选在将单体混合物进行聚合时添加聚合引发剂，通过照射辐射线而形成中间层。通过使不饱和羧酸发生共聚，借助粘合剂中存在的极性成分与氮的相互作用，可以提高中间层与粘合剂层的粘附性，即提高固着性。
在共聚除不饱和羧酸以外的极性单体、例如共聚含有羟基的单体、丙烯酸酰胺等的极性单体的情况下，可以提高与粘合剂层的粘附性，但在由紫外线照射发生聚合时生成的低分子成分会渗出到粘合剂层表面，成为污染贴附粘合片的晶圆等被粘附体表面的原因。相反，如本发明那样共聚不饱和羧酸而形成的中间层即使在聚合时生成低分子成分，也不会渗出到粘合剂层表面。其理由并不明确，但可以推测可能是不饱和羧酸所具有的羧基极性非常高，因此其被存在于粘合剂层中的极性基团捕获，从而不会渗出到粘合剂层表面。另一方面，可以推测含有羟基的单体或丙烯酸酰胺等不会被粘合剂层中的极性基团捕获，因此会渗出到粘合剂层表面。
在由紫外线照射引起的聚合中，如果加大紫外线照射量或照射时间等，则聚合会较快结束，因此从生产性的观点出发，优选加大紫外线照射量等。然而，若增大紫外线照射量等，则会产生较多的低分子成分，因而从污染的观点出发是不利的。因此，一直期望即使增加紫外线照射量而产生大量的低分子成分，也不会形成污染，根据本发明，可以实现不形成污染的中间层。
作为用于形成中间层的(甲基)丙烯酸酯单体，可以列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯等(甲基)丙烯酸酯等。
作为用于形成中间层的不饱和羧酸，可以列举丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、巴豆酸、马来酸酐等含有羧基的单体或其酸酐等。
在本发明中的中间层的形成中，除了上述丙烯酸酯单体和上述不饱和羧酸以外，优选含有光聚合引发剂。作为本发明中使用的光聚合引发剂，可以列举4-(2-羟乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯乙酮类化合物、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰二甲缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1，1-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰安息香酸、3，3′-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基膦化氧；酰基磷酸酯等。
相对于100重量份的构成中间层的丙烯酸类聚合物等基础聚合物，光聚合引发剂的混合量优选为0.01重量份以上5重量份以下，更优选为0.1重量份以上3重量份以下。
根据需要，可以在不损害本发明效果的范围内，在中间层中添加通常使用的添加剂，例如紫外线吸收剂、抗老化剂、填充剂、颜料、着色剂、阻燃剂、防带电剂等。这些添加剂可以根据其种类，以通常的量使用。
此外，为了调整涂布操作的粘度，还可以添加少量的溶剂。作为溶剂，可以从通常使用的溶剂中适当选择，可以列举例如甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、环戊酮等。
本发明中的中间层还可以通过在基材上涂布包含丙烯酸类单体、不饱和羧酸以及根据需要的光聚合引发剂等的混合物，并相应于光聚合引发剂的种类等照射α射线、β射线、γ射线、中子线、电子线等电离性辐射线或紫外线等辐射线使之固化而形成。此外，在基材上涂布该混合物后，还可以再在其上叠放经剥离处理的隔板等，从该隔板的上方照射辐射线使之固化而形成。
此时，为了避免由氧气引起的阻聚，可以在涂布于基板等上的包含丙烯酸类单体和不饱和羧酸等的混合物之上放置隔板，从而遮断氧气，也可以在填充了惰性气体的容器内放入基材，从而降低氧气浓度。
在本发明中，辐射线等的种类或者用于照射的灯的种类等可以适当选择，例如在紫外线照射中，可以使用高压汞灯、荧光化学灯和黑光灯等的低压灯，准分子激光器，金属卤化物灯等的紫外线源，电子射线源等。
紫外线等的照射量可以根据中间层所要求的特性任意设定，通常，紫外线的照射量优选在200～10000mJ/cm2的范围内进行选择。如果紫外线的照射量在200mJ/cm2以上，则可以获得充分的聚合率，如果在10000mJ/cm2以下，则不会引起劣化。
此外，对于紫外线照射时的温度，没有特别的限定，可以任意地设定，如果温度过高，则容易产生由聚合热引起的终止反应，容易成为特性降低的原因，因此通常为70℃以下，优选为50℃以下，更优选为30℃以下。
本发明粘合片中的中间层的厚度，可以相应于目的进行适当选择。特别是在精密部件的加工用中使用的情况下，中间层的厚度优选为50μm以上，更优选为80μm以上。此外，上限值优选为300μm，更优选为250μm以下，特别优选为200μm以下。
构成本发明粘合片的基材具有至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的层。这是由于在基材的拉伸弹性模量大而且较硬的情况下，可以有效地抑制晶圆的翘曲。从提高贴附操作性或剥离操作性、抑制磨削后的晶圆的翘曲等的观点出发，基材的拉伸弹性模量优选为1GPa以上。此外，如果基材的拉伸弹性模量过大，则其会成为在从晶圆剥离时产生不良的原因，因此拉伸弹性模量优选为10GPa以下，本发明中所谓基材的拉伸弹性模量是指：将厚度为10μm以上100μm以下的基材切断成宽度为10mm的长条状，制成试验片，在23℃下以1分钟100％的比例拉伸长条状试验片(长度为1cm的部分)，由此时得到的S-S曲线求出的初始弹性模量，即为本发明的基材的拉伸弹性模量。
作为本发明中的基材，可以使用在通常的半导体晶圆加工用粘合片等中使用的各种薄膜。另外，在本发明中，称为“薄膜”时包括薄片的概念，称为“薄片”时包括薄膜的概念。
作为构成基材的材料，可以列举例如，低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物，聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚二氯乙烯、氟树脂、纤维素类树脂以及这些物质的交联体等的聚合物。
薄膜材料优选相应于根据用途和需要设定的粘合剂层的种类等进行适当决定，例如，在设置紫外线固化型粘合剂的情况下，优选紫外线透过率高的基材。此外，由这些材料制成的基材可以是无拉伸的，但也可以根据需要进行单向或双向地拉伸处理。
但本发明中的基材必须包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的层。作为该层，可以列举例如，聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等聚酯薄膜；双向拉伸聚丙烯薄膜、高密度聚乙烯薄膜等聚烯烃类薄膜；聚碳酸酯薄膜；拉伸聚酰胺薄膜；聚醚醚酮薄膜；聚苯乙烯薄膜等苯乙烯类聚合物薄膜等。
在基材中，根据需要，还可以在不损害本发明效果的范围内使用通常使用的添加剂。例如，作为添加剂，可以列举抗老化剂、填充剂、颜料、着色剂、阻燃剂、防带电剂、紫外线吸收剂等。
此外，在本发明中，根据需要，还可以对基材的表面施加无光泽处理、电晕放电处理、底漆处理、交联处理(硅烷等的化合物交联处理)等常用的物理处理或化学处理。
为了提高晶圆的刚性，本发明中使用的基材的厚度(在层压体的情况下的总厚度)优选较厚，但如果考虑加工工序中的收容盒的收容空间、加工后剥离时的剥离操作性等，则优选为10μm以上200μm以下的程度，更优选为50μm以上100μm以下的程度。
本发明的粘合片在中间层上具有粘合剂层。
构成本发明粘合片的粘合剂层，优选其拉伸弹性模量为0.1GPa以下。通过适当选择形成粘合剂层的粘合剂的基础树脂的种类或组成、交联剂等的种类、它们的混合比等，可以调整粘合剂层的拉伸弹性模量。例如可以通过控制基础聚合物的玻璃转变温度(Tg)、交联密度来调整粘合剂层的拉伸弹性模量。
作为形成粘合剂层的粘合剂，例如可以使用通常使用的压敏性粘合剂，可以使用丙烯酸类粘合剂、以天然橡胶或苯乙烯类共聚物等橡胶类聚合物作为基础聚合物的橡胶类粘合剂等。在这些物质中，从对半导体晶圆等的粘接性、剥离后半导体晶圆的超纯水或醇等有机溶剂清洁洗净的性能等的观点出发，优选使用以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为丙烯酸类聚合物，可以列举将例如(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子数为1～30，特别是碳原子数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)中的1种或2种以上作为单体成分，将其进行聚合而得到的丙烯酸类聚合物等。
另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯、在本发明中如“(甲基)”这样表示的情况下，全都是同样的意思。
为了改善内聚力、耐热性等，丙烯酸类聚合物可以包含对应于能够与(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其它单体成分的单元。
作为这样的单体成分，可以列举例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、羧甲基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(4-羟甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、芳基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、硫代丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。
这些可共聚的单体成分可以使用1种或2种以上，这些可共聚的单体成分的使用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
此外，在丙烯酸类聚合物中，为了进行交联，可以含有多官能性单体等。作为这样的多官能性单体，可以列举例如，己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(多)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(多)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。
这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等的观点出发，多官能性单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
丙烯酸类单体可以通过将由1种单体、或由2种以上单体组成的混合物聚合而得到。作为形成丙烯酸类单体的聚合方法，可以是溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等中的任一种方法。
粘合剂层优选低分子量物质的含量较小，以使不会污染半导体晶圆等制品的粘附面。从该观点出发，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万～300万左右。
此外，为了提高丙烯酸类单体等的数均分子量，可以适当采用外部交联方法。作为这样的外部交联方法，可以列举添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、蜜胺类交联剂等交联剂进行反应的方法。其使用量根据其与应交联的基础聚合物的平衡，进一步根据作为粘合剂的使用用途而适当决定。通常，相对于100重量份基础聚合物，优选混合1～5重量份左右。此外，根据需要，除了上述成分以外，在粘合剂中还可以使用目前公知的各种赋粘剂、抗老化剂等添加剂。
在本发明中，作为粘合剂优选使用辐射线固化型粘合剂。辐射线固化型粘合剂例如是在粘合性物质中混合可通过照射辐射线等而固化形成低粘合性物质的低聚合物成分而得到的。如果使用辐射线固化型的粘合剂形成粘合剂层，则在贴附薄片时，由于低聚物成分对粘合剂赋予塑性流动性，因此可以容易地贴附；在背面磨削工序后的薄片剥离时，若照射辐射线，则形成低粘合性物质，因此可以从半导体晶圆等制品上容易地剥离。
作为辐射线固化型粘合剂，可以使用在分子内具有碳-碳双键等的辐射线固化性官能团、且显示出粘合性的粘合剂。例如，可以使用在通常的粘合剂中混合了辐射线固化性单体成分或低聚物成分的添加型辐射线固化型粘合剂，或者可以使用基础聚合物在其聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的内在型辐射线固化型粘合剂等。另外，作为用于固化粘合剂层的辐射线，可以列举例如，X射线、电子射线、紫外线等，从操作容易性出发，优选使用紫外线，但对其没有特别的限定。
作为构成添加型辐射线固化型粘合剂的通常的粘合剂，可以使用上述的丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等压敏性粘合剂。
作为具有辐射线固化性官能团的单体，可以列举例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此外，作为辐射线固化性低聚物成分，可以列举聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量适合在100～30000左右的范围内。相对于100重量份构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物，具有辐射线固化性官能团的单体成分或低聚物成分的混合量优选例如为5～500重量份，进一步优选为40～150重量份左右。
内在型的辐射线固化型粘合剂不必含有或不大量含有作为低聚成分的低聚物成分等，因此不会出现低聚物成分等随时间在粘合剂中移动的情况，可以形成稳定层结构的粘合剂层。
在内在型的辐射线固化型粘合剂中，作为基础聚合物可以无特别限制地使用具有碳-碳双键、并且显示出粘合性的聚合物，这样的基础聚合物优选其基本骨架是丙烯酸类聚合物。作为这里使用的丙烯酸类聚合物，可以列举与在丙烯酸类粘合剂的说明中已经例示的丙烯酸类聚合物相同的物质。
向作为基本骨架的丙烯酸类聚合物导入碳-碳双键的方法，没有特别的限制，可以采用各种方法。在本发明中，由于分子设计容易，因此优选通过在丙烯酸类聚合物的侧链导入碳-碳双键而形成具有碳-碳双键的基础聚合物。具体地说，例如可以预先使丙烯酸类聚合物与具有官能团的单体共聚，然后再与具有能与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键辐射线固化性状态下进行缩合或加成反应，从而在丙烯酸类聚合物的侧链导入碳-碳双键。
与丙烯酸类聚合物共聚的单体的官能团和能与该官能团反应的官能团的组合例在以下示出。可以列举例如，羧基和环氧基，羧基和氮丙啶基，羟基和异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应跟踪容易的观点出发，羟基和异氰酸酯基的组合是适合的。
此外，在这些官能团的组合中，任何一个官能团在基本骨架的丙烯酸类聚合物的一侧皆可，但例如在羟基和异氰酸酯基的组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基，含有能与官能团反应的官能团的化合物具有异氰酸酯基。
在这种情况下，作为具有异氰酸酯基的上述化合物，可以列举例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。
此外，作为具有官能团(在这里是羟基)的丙烯酸类聚合物，可以列举将在丙烯酸类粘合剂的说明中例示的含有羟基的单体、2-羟乙基乙烯基醚类化合物、4-羟丁基乙烯基醚类化合物、二乙二醇单乙烯基醚类化合物等与丙烯酸类聚合物共聚而得到的聚合物。
内在型的辐射线固化型粘合剂可以单独使用具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以在不恶化特性的范围内混合上述辐射线固化性的单体成分或低聚物成分。相对于100重量份基础聚合物，辐射线固化性低聚物成分等的混合量通常为30重量份以下，优选在0～10重量份的范围内。
在通过紫外线使之固化的情况下，上述辐射线固化型粘合剂中含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如，4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-醇酮类化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰基二甲缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯酮、苯甲酰安息香酸、3，3′-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基膦化氧；酰基磷酸酯等。
相对于100重量份的构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物，光聚合引发剂的混合量例如为1重量份～10重量份，优选为3重量份～5重量份左右。
作为本发明中的粘合剂，可以使用热发泡型粘合剂。热发泡型粘合剂是指在上述压敏型粘合剂中混合有热膨胀性微粒的粘合剂。热发泡型粘合剂通过由加热引起的热膨胀型微粒的发泡，减少接触面积，以使剥离容易进行，热膨胀性微粒的平均粒径优选为1μm～25μm左右，更优选为5μm～15μm左右，特别优选为10μm左右。
作为热膨胀性微粒，只要是在加热下膨胀的材料就可以没有特别限制地使用，优选使用将丁烷、丙烷、戊烷等这样的低沸点气体发泡性成分在二氯乙烯、丙烯腈等共聚物的壳壁中通过内部聚合法等胶囊化所得到的热膨胀性微胶囊。这样的热膨胀微胶囊还具有与上述粘合剂的分散混合性良好的优点。作为热膨胀性微胶囊，可以购买例如作为市售品的松本油脂(株)制造的商品名マイクロスフエア一等。
热膨胀性微胶囊的混合量优选可以根据粘合剂的种类等选择为适当降低粘合剂层的粘合力的量，通常相对于粘合剂的基础聚合物100重量份，优选为1重量份～100重量份左右，更优选为5重量份～50重量份，特别优选为10重量份～40重量份。
本发明中的粘合剂层可以通过根据需要使用溶剂而将上述粘合剂直接涂布到中间层上而形成，也可以将粘合剂涂布于剥离衬垫等上而预先形成粘合剂层后，将该粘合剂层贴合到中间层上而形成。
对本发明中的粘合剂层的厚度没有特别的限定，可以适当决定，但从与其它特性的关系出发，优选5μm～100μm左右，进一步优选为15μm～50μm左右。
为了保护粘合剂层，本发明的粘合片还可以根据需要设置隔离层。隔离层例如由纸、塑料薄膜等形成，作为形成该塑料薄膜的材料，可以列举聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等。为了提高从粘合剂层的剥离性，根据需要，优选对隔离层的表面施加硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等脱模表面处理。隔离层的厚度通常优选为10μm～200μm，更优选为25μm～100μm左右。
本发明的粘合片例如按照加工半导体等制品时的常规方法使用。在这里给出在对半导体晶圆的背面进行磨削加工时使用的例子。首先，使IC电路等图案面朝上地将半导体晶圆放置到工作台上，在该图案面上叠放本发明的粘合片并以使其与粘合剂层图案面相接触，通过压辊等挤压装置边挤压边进行贴付。或者，还可以在可加压的容器(例如高压釜)内，放置如上述那样叠放的半导体晶圆和粘合片，然后对容器内部加压而粘贴半导体晶圆和粘合片，也可以在其中并用挤压装置。此外，可以在真空室内贴合半导体晶圆和粘合片，也可以通过加热至粘合片基材的熔点以下的温度而进行粘贴。
作为半导体晶圆的背面磨削加工方法，可以采用通常的磨削方法，例如，作为用于磨削的加工机械，可以使用磨削机(背面磨削)、CMP(化学机械研磨)用衬垫等，对如上所述地粘贴了粘合片的半导体晶圆的背面进行磨削直至达到期望的厚度。在使用由辐射线固化型粘合剂形成粘合剂层的粘合片的情况下，在磨削结束时照射辐射线，降低粘合剂层的粘合力之后进行剥离。
在本发明中，将该晶圆的直径设为a(inch)、磨削后的晶圆的厚度设为b(μm)时，晶圆的背面磨削可以进行至b/a(μm/inch)在27(μm/inch)以下。因此，根据本发明，即使将晶圆薄型化，也可以将翘曲抑制到很小。晶圆的翘曲已成为薄型磨削中的问题，但若使用本发明的粘合片进行背面磨削，则可以使b/a的数值在27(μm/inch)以下，因此即使进行薄型化，也可以抑制晶圆的翘曲。例如，如果是直径为8inch的晶圆，即使进行背面磨削到厚度为50μm左右，也可以将翘曲抑制得很小。
根据本发明，拉伸弹性模量高的基材在其间夹着拉伸弹性模量低的中间层而贴付到半导体晶圆上，因此通过半导体晶圆和粘合片的相互作用，晶圆整体成为具有刚性的物体，可以有效地抑制磨削后晶圆的翘曲。此外，由于具有拉伸弹性模量低的中间层，因此粘合片自身是柔软的，可以良好地进行贴合操作和剥离操作。在这里，有意义的是将基材和中间层控制在特定的拉伸弹性模量。
本发明的粘合片，由于中间层是使用丙烯酸类单体和不饱和羧酸而形成的，因而可以实现粘合剂层和中间层的固着力充分的粘合片，即使在对晶圆等制品进行磨削加工时在制品表面粘贴本发明的粘合片，也可以实现低污染。因此，在晶圆加工后，晶圆表面残存的有机成分的量较少，可以实现低污染，不会产生引线接合不佳或密封树脂的破损。
此外，根据本发明，由于不使用M EK等溶剂就可形成粘合片，因此不会产生环境问题。
实施例
以下，使用实施例对本发明进行详细的说明，但本发明并不限定于此。另外，在以下的实施例中，份是指重量份。
实施例1
在具有冷凝管、温度计和搅拌装置的反应容器中，加入25份丙烯酸丁酯、65份丙烯酸叔丁酯和5份丙烯酸，以及作为光聚合引发剂加入0.3份2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(注册商标“イルガキユア651”，チバ·スペシヤルテイ·ケミカルズ(株)制造)，通过对其照射紫外线使之光聚合以使聚合率为10％，从而增粘，制备调整到可涂布的粘度的预聚物。
然后，将所得到的预聚物涂布在厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上，并使固化后的厚度为100μm，叠放剥离处理过的隔离层，使用黑光灯对该表面照射紫外线(照度5mW/cm2，光量300mJ/cm2)使之固化，从而在PET薄膜上形成中间层。其中，该PET薄膜在23℃下的拉伸弹性模量为2GPa。
然后，在甲苯溶液中，使由97份丙烯酸丁酯、3份丙烯酸(AA)、0.1份2，2′-偶氮双异丁腈(AIBN)组成的混合物进行共聚合，得到重均分子量为1.07×106、数均分子量为2.63×105的丙烯酸类共聚物聚合物。相对于100份该丙烯酸类共聚物聚合物溶液的固体成分，进一步混合2份聚异氰酸酯类交联剂(商品名“コロネ一トL”，日本ポリウレタン工业(株)制造)、2份环氧类交联剂(商品名“テトラツドC”，三菱瓦斯化学(株)制造)，调制粘合剂层用涂布液。在剥离处理过的隔离层上涂布该粘合剂层用涂布液，形成厚度为30μm的粘合剂层，然后，在该粘合剂层上叠放上述中间层并使之贴合，从而制备具有基材/中间层/粘合剂层/隔离层的层结构的粘合片。另外，粘合剂层在23℃下的拉伸弹性模量为0.1MPa。
实施例2
除了在通过紫外线照射形成中间层的工序中，使用金属卤化物灯(5mW/cm2，5000mJ/cm2)代替黑光灯以外，与实施例1同样地固化中间层，与实施例1同样地制备粘合片。
实施例3
在实施例1中的中间层的形成中，混合80份丙烯酸丁酯、20份丙烯酸和0.3份作为光聚合物引发剂的イルガキユア651而形成丙烯酸聚合物，并在基材上涂布该丙烯酸聚合物，使用金属卤化物灯(5mW/cm2，5000mJ/cm2)代替黑光灯来照射紫外线以固化中间层，除此之外与实施例1同样地制备粘合片。
比较例1
在实施例1中，将形成中间层的材料的种类和混合量改成30份丙烯酸丁酯、70份丙烯酸叔丁酯、0.3份作为光聚合物引发剂的イルガキユア651，除此之外与实施例1同样地制备粘合片。
比较例2
在实施例1中，将形成中间层的材料和混合量改成25份丙烯酸丁酯、65份丙烯酸叔丁酯、10份丙烯酰基吗啉(ACMO)以及0.3份作为光聚合物引发剂的イルガキユア651，并且将用于形成中间层的紫外线照射用灯改成金属卤化物(5mW/cm2，5000mJ/cm2)，除此之外与实施例1同样地制备粘合片。
比较例3
在实施例1中，将形成中间层用丙烯酸聚合物的材料和混合量改成25份丙烯酸丁酯、65份丙烯酸叔丁酯、10份2-羟乙基丙烯酸酯(HEA)以及0.3份作为光聚合物引发剂的イルガキユア651，并且将用于形成中间层的紫外线照射用灯改成金属卤化物灯(5mW/cm2，5000mJ/cm2)，除此之外与实施例1同样地制备粘合片。
比较例4
在具有冷凝管、温度计和搅拌装置的反应容器中，作为自由基聚合性单体加入10份丙烯酸丁酯、25份丙烯酸叔丁酯、15份丙烯酸(AA)、5份三羟甲基丙烷三醇，以及作为光聚合引发剂加入0.15份2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(注册商标“イルガキユア651”，チバ·スペシヤルテイ·ケミカルズ(株)制造)，作为多元醇加入35份聚氧四亚甲基二醇(分子量650，三菱化学(株)制造)，边搅拌边滴加15份苯二甲基二异氰酸酯(XDI)，在65℃下反应2小时，得到聚氨酯聚合物与丙烯酸类单体的混合物。另外聚异氰酸酯成分与多元醇成分的使用量为NCO/OH(当量比)＝1.10。
将聚氨酯聚合物与丙烯酸类单体的混合物涂布到厚度为75μm的PET薄膜上，并使固化后的厚度为100μm。使用金属卤化物灯从其上方照射紫外线(照度5mW/cm2，光量5000mJ/cm2)使之固化，从而在PET薄膜上形成中间层。另外，PET薄膜在23℃下的拉伸弹性模量为2GPa。
比较例5
除了在实施例1中不形成中间层以外，与实施例1同样地制备粘合片。
比较例6
作为中间层用树脂使用聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)，在作为基材的PET薄膜上挤压并层压(中间层的厚度为100μm，拉伸弹性模量为1.1GPa)PBT以形成层压体，除此之外与实施例1同样地制备粘合片。
《评价试验等》
(1)分子量为10万以下的比例(％)
对于中间层，根据以下的条件，使用凝胶渗透色谱法进行测定。算出“TSK标准聚苯乙烯”换算值，由所得到的微分分子量曲线的面积比，求出中间层中分子量为10万以下的成分的含量。
GPC装置：TOSOH制的HLC-8120GPC
柱：GMH-H(S)/GMH-H(S)
流量：0.5ml/min
检测器：HLC-8120
浓度：0.1wt％
注入量：100μl
洗脱液：THF
(2)拉伸弹性模量
使用隔离层，以隔离层/中间层/隔离层的结构形成分别与实施例1～3、比较例1～6相同组成的中间层，并将其切断成宽1cm×长1cm之后除去隔离层，仅对中间层以拉伸速度50mm/min在长度方向上进行拉伸，由此时的S-S曲线求出的初始弹性模量作为拉伸弹性模量。另外，厚度、UV照射条件等中间层形成中所需的各个条件采用与对应的各个实施例、比较例相同的条件。
(3)翘曲量，裂纹的评价
准备20片厚度为625μm的8inch的硅晶圆，使用日东精机(株)制造的“DR-8500III”，将所得到的粘合片贴合到该硅晶圆上后，用デイスコ(株)制造的硅晶圆磨削机进行磨削至厚度成为50μm。对于其进行以下所示的评价。其结果在表1中示出。
(i)翘曲量
在粘贴着粘合片的状态下，使粘合片面朝上地将磨削后的硅晶圆静置在平板上。测定从平板最凸出的硅晶圆部分(通常是晶圆端部)到平板表面的距离。求得翘曲量的平均值。其中，以20片晶圆的测定值取平均的平均值表示。优选翘曲量的平均值在5mm以下，超过8mm的为不佳。
(ii)裂纹
观察硅晶圆在磨削中是否产生裂纹，即使有1片产生裂纹时也以符号“×”表示，1片都没有产生裂纹时以符号“○”表示。其中，以晶圆的磨削片数5片来进行评价。
(4)剥离性的评价
使用安装剥离机PM-8500(日东电工(株)制造)，从与上述(3)翘曲量的评价同样地进行磨削的磨削后晶圆剥离粘合片，根据下述标准评价剥离性。
评价标准：
○：可以没有问题地剥离粘合片的情况
×：发生剥离失败，由于出错而导致机器停止的情况
(5)污染性的评价
在已处理成清洁的镜面硅片上，使用日东精机(株)制造的带贴合机“DR8500”贴合所得到的粘合片(贴合压力为2MPa，贴合速度为12m/分)，在4O℃中放置24小时之后使用日东精机(株)制造的带剥离机“HR8500”剥离粘合片(剥离速度为12m/分，剥离角度为180度)，使用如下所示的X射线光电子分光分析(XPS)装置测定转移到晶圆上的有机物。对完全没有贴合过粘合片的晶圆也进行同样的分析。根据检测出的碳原子的原子％的增加量来评价有机物的转移量。另外，碳原子的原子％由碳、氮、氧、硅等各元素比例(总量100％)算出，通过与贴合粘合片之前(空白)的状态比较碳的增加量，得到污染性的指标。
另外，碳的增加量(ΔC)由式：ΔC＝(剥离后的晶圆表面的C量)-(空白晶圆表面的C量)求得。另外，如果ΔC为20％以下，则污染性较低，可以称之为良好。
XPS装置：アルバツクフアイ公司制造的ESCA“Quantum2000”
X射线设置：200μm直径[30W(15kV)]的点分析
X射线源：单色Alkα
光电子出射角：45度
真空度：5×10-9托
中和条件：同时使用中和枪和离子枪(中和模式)
另外，对于窄扫描光谱，将由Cls的C-C键引起的峰校正为285.0eV。
(6)固着力
在所得到的粘合片的粘合剂层一面贴合厚度为50μm的PET带，然后在粘合剂层与中间层的界面上进行T剥离(将粘合片与PET带的端部以180度的逆方向拉伸，从而在粘合剂层与中间层的界面上进行剥离，使所剥离的粘合片与PET带之间的夹角为约180度的剥离方法)，测定此时的剥离力。另外，如果考虑实用性，则固着力优选为3N以上。
                                                             表1
                       中间层                          评价
材料(份)   10万以下的分子量的比例 拉伸弹性模量 翘曲量 裂纹 剥离性 污染 固着力
  极性成分   (％)   (MPa)   (mm)   (％)   (N/20mm)
实施例1 丙烯酸   AA(5) 16.4 58 4 ○ ○ 10 3.7
实施例2 丙烯酸   AA(5) 42 38 4 ○ ○ 11 3.9
实施例3 丙烯酸   AA(20) 40 35 4 ○ ○ 11 6
 比较例1   丙烯酸   -   42   37   4   ○   ○   10   2
比较例2 丙烯酸   ACMO(10) 34 20 4 ○ ○ 24 6
比较例3 丙烯酸   HEA(10) 40 63 4 ○ ○ 28 2.4
比较例4   丙烯酸聚氨酯 - - 11 4 ○ ○ 25 3.2
 比较例5   -   -   -   -   6   ○   ○   11   7
 比较例6   PBT   -   -   1100   4   ×   ×   11   7
由表1可知，使用本发明实施例1～3的粘合片进行加工的晶圆，其翘曲量在5mm以下，在搬送到后续工序中时完全没有问题。此外，使用实施例1～3的粘合片，即使对晶圆进行厚度到50μm为止的磨削加工，1片都不会产生裂纹，此外，在磨削后，可以没有问题地从晶圆剥离粘合片。此外，实施例1～3的粘合片在固着力的评价中得到的良好的结果，可知不会发生晶圆等被粘附体上的胶残留。此外，可知实施例1～3的粘合片对晶圆的污染较少，可以实现低污染性。特别是根据本发明，例如如实施例2、3所示可知，即使10万以下分子量的比例较多，也可以实现低污染性。另外，由于可以实现低污染性，也不产生引线接合的不佳和密封树脂的破损。
另一方面，发现未使用极性单体的比较例1固着力差，采用ACMO或HEA作为极性单体的比较例2和3、以及形成含氨基甲酸酯成分的中间层的比较例4的粘合片，对晶圆的污染大。此外，没有设置中间层的比较例5的翘曲量为5mm以上，此外，具有拉伸弹性率为1.1GPa的中间层的比较例6的粘合片，在磨削时产生裂纹，并且在剥离时产生剥离失败。
根据本发明，可以提供一种在加工半导体制品或光学类制品等制品时，可以防止制品的破损等、不会使制品产生大的翘曲，且与粘合剂层的固着性优异、可以实现低污染性的粘合片和使用该粘合片加工制品等的方法。例如在半导体晶圆上粘贴本发明的粘合片并对半导体晶圆进行薄型研磨时，也不会产生破损。此外，由于可以减小由粘合片的残留应力引起的晶圆翘曲，因此也可以放入通常使用的专用收容盒中。
工业实用性
本发明的粘合片可以适合用作在半导体背面磨削时或切割时使用的半导体晶圆加工用粘合片。此外，在制造半导体芯片时进行的引线接合中，不会在铝表面和金线之间产生界面破坏，可维持高的抗剪强度。此外，发挥低污染性的特征，可以在使用时或使用结束后伴随着粘合片剥离的各种用途中、例如在各种工业部件尤其是半导体、电路、各种印刷基板、各种掩模、引线框等微细加工部件的制造时，作为为了表面保护或防止破损使用的粘合片而广泛地使用。

Claims (11)

1.一种粘合片，是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，其特征在于，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，该中间层使用丙烯酸类聚合物而形成，所述丙烯酸类聚合物是混合70重量份～99重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份的不饱和羧酸使其总计成为100重量份的混合物聚合而得到的，并且，基材包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其特征在于，上述中间层的厚度为50μm以上。
3.根据权利要求1所述的粘合片，其特征在于，上述中间层是通过照射辐射线使之固化而形成的。
4.根据权利要求3所述的粘合片，其特征在于，上述辐射线是紫外线，该紫外线的照射量为200mJ/cm2以上10000mJ/cm2以下。
5.根据权利要求1所述的粘合片，其特征在于，上述基材的厚度为10μm以上200μm以下。
6.根据权利要求2所述的粘合片，其特征在于，上述中间层是通过照射辐射线使之固化而形成的。
7.一种制品的加工方法，其特征在于，是在将粘合片粘贴到欲精密加工的制品上以保持和/或保护制品的状态下进行精密加工的方法，所述粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，该中间层使用丙烯酸类聚合物而形成，所述丙烯酸类聚合物是混合70重量份～99重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份的不饱和羧酸使其总计成为100重量份的混合物聚合而得到的，并且基材包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。
8.根据权利要求7所述的制品的加工方法，其特征在于，上述欲精密加工的制品是半导体晶圆，将该半导体晶圆的直径设为a(inch)、磨削后的半导体晶圆的厚度设为b(μm)时，可以磨削加工至b/a(μm/inch)在27(μm/inch)以下。
9.根据权利要求7所述的制品的加工方法，其特征在于，上述中间层的厚度为50μm以上。
10.根据权利要求7所述的制品的加工方法，其特征在于，上述中间层是通过照射辐射线使之固化而形成的。
11.根据权利要求10所述的制品的加工方法，其特征在于，上述辐射线是紫外线，该紫外线的照射量为200mJ/cm2以上10000mJ/cm2以下。
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