CN110938383A - 半导体保护用粘合带 - Google Patents

半导体保护用粘合带 Download PDF

Info

Publication number
CN110938383A
CN110938383A CN201910906514.6A CN201910906514A CN110938383A CN 110938383 A CN110938383 A CN 110938383A CN 201910906514 A CN201910906514 A CN 201910906514A CN 110938383 A CN110938383 A CN 110938383A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
meth
adhesive tape
adhesive layer
intermediate layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910906514.6A
Other languages
English (en)
Inventor
佐佐木贵俊
水野浩二
户田乔之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN110938383A publication Critical patent/CN110938383A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/50—Adhesives in the form of films or foils characterised by a primer layer between the carrier and the adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/003—Presence of (meth)acrylic polymer in the primer coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)

Description

半导体保护用粘合带
技术领域
本发明涉及半导体保护用粘合带。
背景技术
以往，在制造半导体芯片时，进行磨削半导体晶圆的背面直到变成期望的厚度为止的背面磨削工序。背面磨削工序中，为了将半导体晶圆固定，并且保护与磨削面处于相反侧的面，使用了保护用粘合带(背面磨削带)(例如，专利文献1)。通常，背面磨削带由基材和粘合剂层构成。这样的背面磨削带将粘合剂层侧贴附于半导体晶圆的表面(晶圆的与磨削面处于相反侧的面)而使用，在磨削半导体晶圆的背面后剥离。
另一方面，作为半导体芯片，例如已知有如指纹验证传感器中所用的倒装芯片型的半导体芯片那样在其表面具备作为电极的凸块的半导体芯片。这种半导体芯片的制造中，用背面磨削带覆盖具备凸块的半导体晶圆的凸块面并对该晶圆的背面进行磨削。作为这样利用的背面磨削带，从通过加热可提高对凸块的追随性的方面出发，大多利用使用了热塑性粘合剂的背面磨削带。但是，近年来，随着半导体晶圆的薄化，有时由磨削热引起的热塑性粘合剂的熔融成为问题。
以往，已知的是使用丙烯酸系粘合剂作为耐热性优异的粘合剂的背面磨削带，但调整为能填埋凸块的凹凸的柔软的程度的丙烯酸系粘合剂有在剥离后产生残胶的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-151163号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于，提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。
用于解决问题的方案
本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)
1个实施方式中，利用热机械分析(TMA)，将压痕深度设为前述粘合剂层和前述中间层的合计厚度的80％，将直径1.0mm的探针压入该粘合剂层来测定载荷值时，测定开始1秒后～300秒后的、载荷的变化量(μN/(mm2·秒))为1600(μN/(mm2·秒))以下。
1个实施方式中，上述粘合剂层的厚度为2μm～50μm。
1个实施方式中，上述中间层的厚度为50μm～500μm。
1个实施方式中，上述粘合剂层的粘性值为0.05N～0.5N。
发明的效果
根据本发明，可提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。
附图说明
图1为本发明的1个实施方式的半导体保护用粘合带的示意截面图。
附图标记说明
10 基材
20 中间层
30 粘合剂层
100 半导体保护用粘合带
具体实施方式
A.半导体保护用粘合带的概要
图1为本发明的1个实施方式的半导体保护用粘合带的示意截面图。该实施方式的半导体保护用粘合带100具备：基材10、配置于基材10的至少单侧的粘合剂层30、和配置于基材10与粘合剂层30之间的中间层20。虽然未图示，但本发明的半导体保护用粘合带可以在供于使用之前的期间出于保护粘合面的目的而在粘合剂层的外侧设置有剥离衬垫。本发明的半导体保护用粘合带例如可以适当地用作背面磨削带。
对于本发明的半导体保护用粘合带，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)
以满足式(1)的方式构成的半导体保护用粘合带具有如下特征：对以半导体晶圆的凸块面为代表的凹凸的追随性优异从而能良好地填埋该凹凸，并且剥离时在被粘物上的残胶少。对于以往的粘合带，依赖于粘合剂层的软硬的追随性(越软越高)与残胶性(越硬越不易产生残胶)处于此消彼长(trade-off)的关系，难以兼顾它们，但本发明中，通过具备中间层、并且使粘合剂层的各特性与中间层的厚度满足如上所述的特定的关系，从而能够高度地兼顾优异的追随性和少的残胶。
上述“A×(B/C)×D”优选为23(MPa·N)以上、更优选为25(MPa·N)以上、进一步优选为28(MPa·N)以上。为这样的范围时，上述效果变得更显著。上述“A×(B/C)×D”的上限优选为250(MPa·N)以下、更优选为135(MPa·N)以下、进一步优选为80(MPa·N/)以下。
“A×(B/C)”优选为150MPa～500MPa、更优选为175MPa～450MPa、进一步优选为200MPa～400MPa。为这样的范围时，上述效果变得更显著。
本说明书中，储能模量是指室温下(25℃)的通过纳米压痕法得到的储能模量。通过纳米压痕法得到的储能模量可在下述条件下测定。
(测定装置及测定条件)
装置：Hysitron Inc.制Tribo Indenter
使用压头：Berkovich(三棱锥型)
测定方法：动态测定
压痕深度设定：500nm
频率：100Hz
振幅：2nm
测定气氛：大气气氛
试样尺寸：1cm×1cm
本说明书中，粘性值是指室温下(25℃)通过探针粘性法测得的粘性值。粘性值可在下述的条件下测定。
(测定装置及测定条件)
测定模式：ConstantLoad
探针直径：5.0mm···材质SUS
接触速度：30mm/分钟
接触载荷：100gf
接触时间：1秒
剥离速度：600mm/分钟
将本发明的半导体保护用粘合带贴接于硅晶圆时的23℃下的初始粘合力优选为1N/20mm以上、更优选为10N/20mm以上、进一步优选为15N/20mm以上。将半导体保护用粘合带贴接于不锈钢板时的23℃下的初始粘合力的上限例如为50N/20mm。需要说明的是，粘合力依据JIS Z 0237：2000来测定。具体而言，通过使2kg的辊往返1次，将半导体保护用粘合带贴接于4英寸硅镜面晶圆(信越化学株式会社制)，在23℃下放置30分钟后，在剥离角度180°、剥离速度(拉伸速度)300mm/分钟的条件下剥离半导体保护用粘合带而测定。需要说明的是，本发明的半导体保护用粘合带所具备的粘合剂层如后述可以为由活性能量射线固化型粘合剂构成且粘合力通过活性能量射线照射会变化的粘合剂层，本说明书中，“初始粘合力”是指活性能量射线的照射前的粘合力。
1个实施方式中，对于本发明的半导体保护用粘合带，通过活性能量射线照射，粘合力会变化。将半导体保护用粘合带贴接于不锈钢板、照射累积光量300mJ/cm2～1500mJ/cm2(优选1000mJ/cm2)的紫外线(使用以波长：365nm为中心的高压汞灯)后的23℃下的粘合力优选为0.07N/20mm～0.5N/20mm、更优选为0.08N/20mm～0.3N/20mm。为这样的范围时，能够得到规定的工序(例如背面磨削工序)后的剥离性优异的半导体保护用粘合带。
半导体保护用粘合带的厚度优选为10μm～700μm、更优选为50μm～600μm、进一步优选为100μm～500μm。
B.粘合剂层
粘合剂层只要可获得本发明的效果，可以由任意适当的粘合剂构成。优选粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成。作为构成上述粘合剂的基础聚合物，例如，可列举出(甲基)丙烯酸系聚合物、乙烯基烷基醚系聚合物、有机硅系聚合物、聚酯系聚合物、聚酰胺系聚合物、氨基甲酸酯系聚合物等。另外，可以使用在这些聚合物中导入聚合性碳-碳双键而成的聚合物。
1个实施方式中，上述粘合剂层由包含丙烯酸系聚合物的活性能量射线固化型粘合剂构成。代表性的是，活性能量射线固化型粘合剂还包含交联剂及光聚合引发剂。对于由活性能量射线固化型粘合剂构成的粘合剂层，通过活性能量射线照射，其粘合力、刚性等可发生变化。作为活性能量射线，例如，可列举出γ射线、紫外线、可见光、红外线(热射线)、无线电波、α射线、β射线、电子束、等离子体流、电离线、粒子束等。1个实施方式中，活性能量射线的照射为累积光量300mJ/cm2～1500mJ/cm2(优选1000mJ/cm2)的紫外线(使用以波长：365nm为中心的高压汞灯)照射。
活性能量射线固化型粘合剂中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物代表的为以1种或2种以上(甲基)丙烯酸烷基酯为单体成分而形成的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。
出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的，活性能量射线固化型粘合剂中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物根据需要可以包含跟可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体相对应的结构单元。作为这样的单体，例如，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸等含磺酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、丙烯酰基吗啉等含氮单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；琥珀酰亚胺系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以单独使用或组合使用2种以上。源自其他单体的结构单元的含有比例相对于粘合剂中的(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份优选为5重量份～50重量份、更优选为10重量份～40重量份。1个实施方式中，使用具有羧基、羟基等官能团的单体。使用具有羧基、羟基等官能团的单体时，能够得到容易导入聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物。源自具有羧基或羟基的单体的结构单元的含有比例相对于粘合剂中的(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份优选为1重量份～50重量份、更优选为3重量份～20重量份。
1个实施方式中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物在侧链或末端具有聚合性碳-碳双键。在侧链或末端具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物例如可以如下来获得：使含有源自具有任意适当的官能团的单体的结构单元的(甲基)丙烯酸系聚合物聚合，使该(甲基)丙烯酸系聚合物与可与该官能团反应的具有聚合性碳-碳双键的化合物反应。要进行反应的具有聚合性碳-碳双键的化合物的量相对于粘合剂中的(甲基)丙烯酸系聚合物100摩尔优选为4摩尔～30摩尔、更优选为4摩尔～17摩尔。
如上所述使聚合物与具有聚合性碳-碳双键的化合物反应的情况下，聚合物及具有聚合性碳-碳双键的化合物各自具有彼此能反应的官能团。作为该官能团的组合，例如，可列举出羧基/环氧基、羧基/氮丙啶基、羟基/异氰酸酯基等。这些官能团的组合中，从反应追踪的容易性出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合。
作为上述具有聚合性碳-碳双键的化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。
上述活性能量射线固化型粘合剂中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为30万～200万、更优选为50万～150万。重均分子量可以通过GPC(溶剂：THF)来测定。
上述活性能量射线固化型粘合剂中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度优选为-50℃～30℃、更优选为-40℃～20℃。为这样的范围时，能够得到耐热性优异、可适宜在加热工序中使用的半导体保护用粘合带。
活性能量射线固化型粘合剂可以包含活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)。作为活性能量射线反应性化合物，例如，可列举出含有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有聚合性碳-碳多重键的官能团的光反应性的单体或低聚物。使用具有2个官能团的多官能丙烯酸酯之类的多官能单体时，通过与上述(甲基)丙烯酸烷基酯的键合，能够得到高分子量的(甲基)丙烯酸系聚合物。作为该光反应性的单体的具体例，可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。另外，可以使用甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等单体。作为光反应性的低聚物的具体例，可列举出上述单体的二聚体～五聚体等。
另外，作为上述活性能量射线反应性化合物，可以使用环氧化丁二烯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酰胺、乙烯基硅氧烷等单体；或由该单体构成的低聚物。
进而，作为上述活性能量射线反应性化合物，可以使用鎓盐等有机盐类与分子内具有多个杂环的化合物的混合物。对于该混合物，通过活性能量射线(例如，紫外线、电子束)的照射，有机盐裂解而生成离子，其成为引发种而引起杂环的开环反应，从而可形成三维网络结构。作为上述有机盐类，例如，可列举出碘鎓盐、鏻盐、锑盐、锍盐、硼酸盐等。作为上述分子内具有多个杂环的化合物中的杂环，可列举出环氧乙烷、氧杂环丁烷、氧杂环戊烷、环硫乙烷、氮丙啶等。
上述活性能量射线固化型粘合剂包含活性能量射线反应性化合物的情况下，活性能量射线反应性化合物的含有比例相对于粘合剂中的基础聚合物100重量份优选为0.1重量份～100重量份、更优选为0.1重量份～50重量份、进一步优选为0.1重量份～10重量份。
上述活性能量射线固化型粘合剂可以包含任意适当的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出IGM Resin公司制的商品名“Omnirad 184”、“Omnirad 651”、“Omnirad 369”、“Omnirad 379ex”、“Omnirad 819”、“Omnirad OXE2”、“Omnirad 127”；Lamberti公司制的商品名“Esacure one”、“Esacure 1001m”；旭电化工业株式会社制的商品名“Adekaoptomer N-1414”、“Adekaoptomer N-1606”、“Adekaoptomer N-1717”等。光聚合引发剂的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为0.1重量份～20重量份、更优选为2重量份～10重量份。
优选上述活性能量射线固化型粘合剂包含交联剂。作为交联剂，例如，可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、胺系交联剂等。
1个实施方式中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂从可与多种官能团反应的方面出发是优选的。作为上述异氰酸酯系交联剂的具体例，可列举出亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类；三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制、商品名“CORONATEL”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物(Nippon Polyurethane IndustryCo.,Ltd.制、商品名“CORONATE HL”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制、商品名“CORONATE HX”)等异氰酸酯加成物；等。
上述交联剂的含有比例相对于粘合剂中的基础聚合物100重量份优选为0.05重量份～20重量份、更优选为0.1重量份～10重量份。为这样的范围时，能够形成适当地调整了弹性模量的粘合剂层。
活性能量射线固化型粘合剂根据需要可以还包含任意适当的添加剂。作为添加剂，例如，可列举出活性能量射线聚合促进剂、自由基捕捉剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四甲酸酯系增塑剂等)、颜料、染料、填充剂、防老剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调整剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
粘合剂层的厚度优选为2μm～50μm、更优选为5μm～30μm、进一步优选为5μm～10μm。为这样的范围时，作为背面磨削工序中所用的粘合带，能够得到具有优选的粘合力的粘合带。另外，为这样的范围时，能够得到即使提高粘合剂层的储能模量，凹凸追随性也优异的半导体保护用粘合带。
1个实施方式中，利用热机械分析(TMA)，将压痕深度设为粘合剂层和中间层的合计厚度的80％，将直径1.0mm的探针压入粘合剂层来测定载荷值时，测定开始1秒后～300秒后的、载荷的变化量(μN/(mm2·秒))为1600(μN/(mm2·秒))以下。该载荷的变化量可以通过{(测定开始300秒后的载荷值(μN/mm2))-(测定开始1秒后的载荷值(μN/mm2))}/299(秒)的计算式来算出。需要说明的是，上述载荷值在23℃的环境下来测定。另外，粘合剂层的刚性通过活性能量射线照射可发生变化的情况下，上述载荷值为活性能量射线照射前的载荷值。热机械分析(TMA)的条件等详细情况在后面叙述。
上述载荷的变化量为表示每1秒的压入抵抗力的指标，该变化量为1600(μN/(mm2·秒))以下的情况下，粘合剂层的缓和性优异，具备该粘合层的粘合带的凹凸追随性优异，可良好地填埋被粘面的凹凸。上述载荷的变化量优选为1550(μN/(mm2·秒))以下、更优选为1500(μN/(mm2·秒))以下。对于上述载荷的变化量的下限，从成形性的观点出发，例如为100(μN/(mm2·秒))、优选为300(μN/(mm2·秒))、更优选为500(μN/(mm2·秒))、进一步优选为800(μN/(mm2·秒))。
上述粘合剂层单独的储能模量(活性能量射线照射前)优选为0.01MPa～100MPa、更优选为0.1MPa～50MPa、进一步优选为1MPa～30MPa。粘合剂层的储能模量可以通过基础聚合物的结构(单体种类、单体量、交联剂的种类/量、聚合性碳-碳双键的量等)、增塑剂、紫外线固化型的UV低聚物等的添加、基础聚合物的分子量(聚合的方法)等来调整。
构成本发明的粘合带的上述粘合剂层的25℃下的粘性值优选为0.05N～0.5N、更优选为0.075N～0.3N、进一步优选为0.1N～0.2N。为这样的范围时，能够得到残胶得以防止的半导体保护用粘合带。
C.中间层
中间层只要可获得本发明的效果，则可以由任意适当的中间层形成用组合物构成。中间层形成用组合物例如包含(甲基)丙烯酸系聚合物、乙烯基烷基醚系聚合物、有机硅系聚合物、聚酯系聚合物、聚酰胺系聚合物、氨基甲酸酯系聚合物等基础聚合物。
1个实施方式中，上述中间层由包含(甲基)丙烯酸系聚合物的中间层形成用组合物构成。该中间层形成用组合物可以为活性能量射线固化型。
作为中间层形成用组合物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物，例如，可列举出上述B项中说明的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)。中间层形成用组合物中，源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的含有比例相对于中间层形成用组合物中的(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份优选为60重量份～99.5重量份、更优选为80重量份～98重量份、进一步优选为90重量份～98重量份。
出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的，中间层形成用组合物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物根据需要可以包含与其他单体相对应的结构单元。作为其他单体，例如，可列举出上述B项中说明的单体。中间层形成用组合物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物中，源自其他单体的结构单元的含有比例相对于中间层形成用组合物中的(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份优选为0.5重量份～30重量份、更优选为2重量份～20重量份、进一步优选为4重量份～10重量份。
中间层形成用组合物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为30万～200万、更优选为50万～150万。
中间层形成用组合物中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度优选为-60℃～30℃、更优选为-50℃～20℃。为这样的范围时，能够得到耐热性优异、可在加热工序中适宜使用的半导体保护用粘合带。
中间层形成用组合物可以包含活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)。使用活性能量射线反应性化合物时，能够得到活性能量射线固化型的中间层。作为活性能量射线反应性化合物，可列举出上述B项中说明的单体。中间层形成用组合物包含活性能量射线反应性化合物的情况下，活性能量射线反应性化合物的含有比例相对于中间层形成用组合物中的基础聚合物(例如(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份优选为0.1重量份～100重量份、更优选为0.1重量份～50重量份、进一步优选为0.1重量份～30重量份。
中间层形成用组合物可以包含任意适当的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举出上述B项中说明的光聚合引发剂。中间层形成用组合物中，光聚合引发剂的含有比例相对于中间层形成用组合物中的基础聚合物100重量份优选为0.1重量份～20重量份、更优选为2重量份～10重量份。
中间层形成用组合物可以包含任意适当的交联剂。作为交联剂，可列举出上述B项中说明的交联剂。中间层形成用组合物中，交联剂的含有比例相对于中间层形成用组合物中的基础聚合物100重量份优选为0.1重量份～10重量份、更优选为1重量份～8重量份。
中间层形成用组合物根据需要可以还包含任意适当的添加剂。作为添加剂，例如，可列举出活性能量射线聚合促进剂、自由基捕捉剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四甲酸酯系增塑剂等)、颜料、染料、填充剂、防老剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调整剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
中间层的厚度优选为50μm～500μm、优选为75μm～400μm、进一步优选为100μm～200μm。为这样的范围时，能够得到可良好地嵌入凹凸面的半导体保护用粘合带。中间层过厚的情况下，有产生不需要的成本增加、制成卷状时产生褶皱等问题的担心。
中间层的储能模量(活性能量射线照射前)优选为0.01MPa～50MPa、更优选为0.05MPa～30MPa、进一步优选为0.08MPa～20MPa。为这样的范围时，能够得到可良好地嵌入凹凸面的半导体保护用粘合带。
本发明中，如上所述，通过设置厚且柔软的中间层，能够得到对凹凸面的追随性优异、可良好地嵌入该凹凸面的半导体保护用粘合带。中间层的厚度与中间层的储能模量(活性能量射线照射前)的积优选为100Pa·m～10000Pa·m、为500Pa·m～5000Pa·m。
D.基材
上述基材可以由任意适当的树脂构成。1个实施方式中，基材由热塑性树脂构成。作为上述树脂，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚酮、聚苯乙烯系树脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氟系树脂、硅系树脂、纤维素系树脂等。
构成上述基材的树脂的玻璃化转变温度优选为60℃～500℃、更优选为100℃～500℃。为这样的范围时，能够得到耐热性优异、可在加热状况下适宜使用的半导体保护用粘合带。需要说明的是，“玻璃化转变温度”是指，DMA法(拉伸法)中，在升温速度5℃/分钟、样品宽度5mm、卡盘间距离20mm、频率10Hz的条件下确认的显示损耗角正切(tanδ)的峰的温度。
上述基材的厚度优选为10μm～250μm、更优选为20μm～200μm、进一步优选为30μm～100μm。
上述基材的储能模量优选为50MPa～6000MPa、更优选为80MPa～5000MPa。为这样的范围时，能够得到可适度地追随贴接面的凹凸的半导体保护用粘合带。
对于上述基材的表面，为了提高与邻接的层的密合性及保持性等，可以实施任意表面处理。作为上述表面处理，例如，可列举出铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学或物理处理、涂布处理。
E.半导体保护用粘合带的制造方法
上述半导体保护用粘合带可以通过任意适当的方法来制造。对于半导体保护用粘合带而言，例如在上述基材上涂布上述中间层形成用组合物而形成中间层后，涂布上述粘合剂而形成。另外，可以另行在剥离衬垫上形成粘合剂层后，将其贴合于由基材和中间层形成的层叠体，从而得到半导体保护用粘合带。
作为中间层形成用组合物的涂布方法，可以采用棒涂机涂布、气刀涂布、凹版涂布、凹版逆转涂布、逆转辊涂布、唇式涂布、模涂布、浸渍涂布、胶版印刷、柔性印刷、丝网印刷等各种方法。
作为粘合剂的涂布方法，可以采用作为中间层形成用组合物的涂布方法而例示出的上述涂布方法。
[实施例]
以下，通过实施例具体地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例限定。实施例中的试验及评价方法如下。另外，只要没有特别说明，“份”及“％”就为重量基准。
(1)粘合剂层的储能模量A
对半导体保护用粘合带的粘合剂层的表面在以下的条件下进行压痕试验，根据其结果求出纳米压痕弹性模量。
(测定装置及测定条件)
装置：Hysitron Inc.制Tribo Indenter
使用压头：Berkovich(三棱锥型)
测定方法：动态测定
压痕深度设定：500nm
频率：100Hz
振幅：2nm
测定温度：25℃
测定气氛：大气气氛
试样尺寸：1cm×1cm
(2)热机械分析(TMA)
以下述条件进行粘合剂层的热机械分析(TMA)，对测定开始1秒后～300秒后的载荷的变化量(μN/(mm2·秒))进行测定。
(测定装置及测定条件)
装置：Hitachi High-Tech Science Corporation制TMA/SS7100
测定模式：压缩膨胀法
探针直径：
Figure BDA0002213439120000161
温度程序：23℃恒定
测定气氛：N2(流量200ml/分钟)
压痕量：粘合剂层和中间层的合计厚度的80％
载荷的变化量＝{(测定开始300秒后的载荷值(μN/mm2))-(测定开始1秒后的载荷值(μN/mm2))}/299(秒)
(3)粘性值D
以下述条件测定粘合剂层的粘性值D。
(测定装置及测定条件)
测定模式：Constant Load
探针直径：5.0mm···材质SUS
接触速度：30mm/分钟
接触载荷：100gf
接触时间：1秒
剥离速度：600mm/分钟
(4)粘合力
依据JIS Z 0237：2000测定将半导体保护用粘合带贴接于硅晶圆时的23℃下的初始粘合力。具体而言，通过使2kg的辊往返1次，将半导体保护用粘合带贴接于4英寸硅镜面晶圆(信越化学株式会社制)，在23℃下放置30分钟后，在剥离角度180°、剥离速度(拉伸速度)300mm/分钟的条件下将半导体保护用粘合带剥离，测定粘合力。
(5)残胶性
将8英寸镜面晶圆用磨削机DFG8560(磨石#2000精加工)磨削至500μm厚，在磨削后5分钟以内贴附1根宽度20mm厚度80μm的PET带作为高度差带。以呈直角地横穿该高度差带的方式以20mm宽度贴附(使用2kg辊)制作的半导体保护用粘合带。在高度差处，评价带隆起，粘合剂面的一部分在水平直线与空气接触。
如上所述那样贴附后，将所得样品在60℃下放置3天。
然后，对粘合剂层进行1000mJ的UV照射，以180度剥离、以300mm/分钟的速度进行剥离。
有残胶的情况下，在20mm宽度的接触部分产生线状的残胶，因此通过该残胶的长度来评价残胶性。
残胶评价〇···没有线状的残胶
残胶评价△···相对于20mm的接触宽度，线状的残胶为10～20％
残胶评价×···相对于20mm的接触宽度，线状的残胶为20％以上
(6)凸块嵌入性
使用胶带贴敷机DR-3000II(日东精机株式会社制)，将半导体保护用粘合带贴附于凸块间距为400μm的带凸块的8英寸尺寸的晶圆(贴附条件；速度10mm/s、贴附温度：23℃、贴附压力：0.45MPa、辊硬度：80度)。贴附后，用显微镜确认凸块的嵌入性。评价方法如下。
通过直线将邻近的4个凸块顶部连结，假设成正方形。测定正方形的对角线，由对角线的长度减去凸块的直径，作为凸块间隔。测定对角线上粘合剂层与晶圆表面密合的距离，作为凸块间的嵌入距离。根据凸块间隔和嵌入距离，通过下式评价凸块嵌入性。
凸块嵌入性(％)＝(嵌入距离/凸块间隔)×100
凸块嵌入性为粘合带对凸块间的间隙的密合性的指标，凸块嵌入性越高，是指粘合带与带凸块晶圆越没有间隙地密合。凸块嵌入性低的情况下，是指粘合带在凸块的基部的密合不充分。
表1中，将凸块嵌入性超过80％的情况记为〇、将50％～80％的情况记为△、将不足50％的情况记为×。
[实施例1]
制备包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸(AA)＝50/50/5(重量比)构成的丙烯酸系聚合物100重量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)1重量份、UV低聚物(商品名“ARONIXM321”、东亚合成株式会社制)10重量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad651”、IGM Resin公司制)3重量份、及甲苯的中间层形成用组合物。将该粘合剂涂布于厚度50μm的基材(PET薄膜、Toray Industries,Inc.制、商品名“LumirrorS105”)后，在120℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度150μm的中间层。
另一方面，制备包含将由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯酰基吗啉/丙烯酸羟基乙酯(HEA)＝75/25/22(摩尔比)构成的丙烯酸系聚合物的HEA用11摩尔的量的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(Karenz MOI：昭和电工株式会社制)进行改性而成的聚合物100重量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)4.5重量份、UV低聚物(商品名“ARONIXM321”、东亚合成株式会社制)10重量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad651”、IGMResin公司制)3重量份、及甲苯的粘合剂。将该粘合剂涂布于厚度38μm的聚酯系隔离物(商品名“Diafoil MRF”、三菱树脂株式会社制)的施加了有机硅处理的面后，在140℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度5μm的粘合剂层。
将上述粘合剂层转印到上述中间层，得到包含基材(50μm)/中间层(150μm)/粘合剂层(5μm)的半导体保护用粘合带。
将使得到的半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[实施例2]
制备包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸(AA)＝50/50/5(重量比)构成的丙烯酸系聚合物100重量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad 651”、IGM Resin公司制)3重量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)1重量份、及甲苯的中间层形成用组合物。将该中间层形成用组合物涂布于厚度50μm的基材(PET薄膜、TorayIndustries,Inc.制、商品名“Lumirror S105”)后，在120℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度150μm的中间层。
另一方面，制备包含将由丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)/丙烯酰基吗啉/丙烯酸羟基乙酯(HEA)＝75/25/22(摩尔比)构成的丙烯酸系聚合物的HEA用11摩尔的量的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(Karenz MOI：昭和电工株式会社制)进行改性而成的聚合物100重量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社性)4.5重量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad 651”、IGM Resin公司制)3重量份、及甲苯的粘合剂。将该粘合剂涂布于厚度38μm的聚酯系隔离物(商品名“Diafoil MRF”、三菱树脂株式会社制)的施加了有机硅处理的面后，在140℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度5μm的粘合剂层。
将上述粘合剂层转印到上述中间层，得到包含基材(50μm)/中间层(150μm)/粘合剂层(5μm)的半导体保护用粘合带。
将使得到的半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[比较例1]
制备包含由丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸(AA)＝50/50/5(质量比)构成的丙烯酸系聚合物100质量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad 651”、IGM Resin公司制)3质量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)1质量份、UV低聚物(商品名“ARONIXM321”、东亚合成株式会社制)15质量份、交联剂(商品名“TETRAD C”、三菱瓦斯化学株式会社制)0.05质量份、及甲苯的中间层形成用组合物。将该中间层形成用组合物涂布于厚度115μm的基材(乙烯·乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)薄膜、三井デュポンポリケミカル社制的Evaflex P1007的挤出成形品)后，在120℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度120μm的中间层。
另一方面，制备包含将由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸羟基乙酯(HEA)＝50/50/22(摩尔比)构成的丙烯酸系聚合物的HEA用18摩尔的量的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(Karenz MOI：昭和电工株式会社制)进行改性而成的聚合物100质量份、多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社性)0.07质量份、UV低聚物(商品名“ARONIX M321”、东亚合成株式会社制)15质量份、光聚合引发剂(商品名“Omnirad 651”、IGM Resin公司制)1质量份、及甲苯的粘合剂。将该粘合剂涂布于厚度38μm的聚酯系隔离物(商品名“Diafoil MRF”、三菱树脂株式会社制)的施加了有机硅处理的面后，在140℃下加热120秒钟而进行脱溶剂，形成厚度30μm的粘合剂层。
将上述粘合剂层转印到上述中间层，得到包含基材(115μm)/中间层(120μm)/粘合剂层(30μm)的半导体保护用粘合带。
将使得到的半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[比较例2]
准备依次具有厚度50μm的PET基材、由乙烯·乙酸乙烯酯共聚(EVA)聚合物构成的厚度350μm的中间层、和由丙烯酸系粘合剂构成的厚度40μm的粘合剂层的半导体保护用粘合带，将使该半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[比较例3]
准备依次具有厚度155m的丙烯酸系基材、由丙烯酸系聚合物构成的厚度115μm的中间层、和由丙烯酸系粘合剂构成的厚度40μm的粘合剂层的半导体保护用粘合带，将使该半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[比较例4]
准备依次具有厚度120m的EVA基材、由丙烯酸系聚合物构成的厚度100μm的中间层、和由丙烯酸系粘合剂构成的厚度10μm的粘合剂层的半导体保护用粘合带，将使该半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[比较例5]
准备依次具有厚度50μm的PET基材、由丙烯酸系聚合物构成的厚度100μm的中间层、和由丙烯酸系粘合剂构成的厚度20μm的粘合剂层的半导体保护用粘合带，将使该半导体保护用粘合带供于上述评价所得的结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002213439120000231
根据表1可明确，通过适当地调整粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、和粘合剂层的粘性值D(N)，并使“A×(B/C)×D”的值为20(MPa·N)以上，能够得到能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。

Claims (5)

1.一种半导体保护用粘合带，其具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，
粘合剂层的储能模量A、中间层的厚度B、粘合剂层的厚度C、及粘合剂层的粘性值D满足下述式(1)，其中，所述储能模量A的单位为MPa，所述厚度B的单位为μm，所述厚度C的单位为μm，所述粘性值D的单位为N，
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用粘合带，其中，利用热机械分析TMA，将压痕深度设为所述粘合剂层和所述中间层的合计厚度的80％，将直径1.0mm的探针压入该粘合剂层来测定载荷值时，测定开始1秒后～300秒后的、载荷的变化量为1600μN/(mm2·秒)以下，所述载荷的变化量的单位为μN/(mm2·秒)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带，其中，所述粘合剂层的厚度为2μm～50μm。
4.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带，其中，所述中间层的厚度为50μm～500μm。
5.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带，其中，所述粘合剂层的粘性值为0.05N～0.5N。
CN201910906514.6A 2018-09-25 2019-09-24 半导体保护用粘合带 Pending CN110938383A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-179023 2018-09-25
JP2018179023A JP7152233B2 (ja) 2018-09-25 2018-09-25 半導体保護用粘着テープ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110938383A true CN110938383A (zh) 2020-03-31

Family

ID=69884025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910906514.6A Pending CN110938383A (zh) 2018-09-25 2019-09-24 半导体保护用粘合带

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11254844B2 (zh)
JP (1) JP7152233B2 (zh)
KR (1) KR20200035216A (zh)
CN (1) CN110938383A (zh)
TW (1) TWI809186B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116323194A (zh) * 2021-09-06 2023-06-23 积水化学工业株式会社 半导体装置制造用粘合带

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102521063B1 (ko) * 2021-03-25 2023-04-13 율촌화학 주식회사 내용제성이 우수한 다이싱 테이프
WO2023084359A1 (en) * 2021-11-15 2023-05-19 3M Innovative Properties Company High temperature durable pressure sensitive adhesives
JP7362872B2 (ja) * 2022-03-25 2023-10-17 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シートおよび表示体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1395602A (zh) * 2000-11-22 2003-02-05 三井化学株式会社 晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法
JP2004238464A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
CN1927978A (zh) * 2005-09-06 2007-03-14 日东电工株式会社 粘合片和使用该粘合片的制品的加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP2011151163A (ja) 2010-01-21 2011-08-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ表面保護テープ、樹脂製基材フィルム
JP5242830B1 (ja) * 2012-07-06 2013-07-24 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法
JP2019156967A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 日東電工株式会社 半導体保護用粘着テープ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1395602A (zh) * 2000-11-22 2003-02-05 三井化学株式会社 晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法
JP2004238464A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
CN1927978A (zh) * 2005-09-06 2007-03-14 日东电工株式会社 粘合片和使用该粘合片的制品的加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116323194A (zh) * 2021-09-06 2023-06-23 积水化学工业株式会社 半导体装置制造用粘合带

Also Published As

Publication number Publication date
JP7152233B2 (ja) 2022-10-12
KR20200035216A (ko) 2020-04-02
TW202022071A (zh) 2020-06-16
JP2020050709A (ja) 2020-04-02
US11254844B2 (en) 2022-02-22
TWI809186B (zh) 2023-07-21
US20200095475A1 (en) 2020-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110938383A (zh) 半导体保护用粘合带
CN110272690B (zh) 半导体保护用粘合带
TWI637439B (zh) Protective film forming film
KR102585832B1 (ko) 백그라인드용 점착 테이프
WO2015111310A1 (ja) ウエハ保護用粘着シート
KR101893937B1 (ko) 기재(基材) 필름 및 그 기재 필름을 구비한 점착 시트
JP6424205B2 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
TWI745029B (zh) 保護膜形成用複合片以及附有保護膜之半導體晶片的製造方法
JP6298409B2 (ja) 硬化性樹脂膜形成層付シートおよび該シートを用いた半導体装置の製造方法
TWI794450B (zh) 黏著膠帶及半導體裝置的製造方法
TWI605507B (zh) Semiconductor wafer manufacturing method
JPWO2015133420A6 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
TWI795508B (zh) 電磁波屏蔽形成用遮蔽帶
JP6751312B2 (ja) 真空プロセス用粘着テープ
TW201505832A (zh) 保護膜形成用複合膜片、保護膜形成用複合膜片之製造方法以及具有保護膜之晶片的製造方法
JP6279319B2 (ja) 樹脂膜形成用複合シート
JP7488678B2 (ja) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
CN117355924A (zh) 背面研磨用粘着片及半导体晶圆的制造方法、基材片
CN117378035A (zh) 背面研磨用粘着片及半导体晶圆的制造方法、基材片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination