KR20200035216A - 반도체 보호용 점착 테이프 - Google Patents

반도체 보호용 점착 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR20200035216A
KR20200035216A KR1020190115758A KR20190115758A KR20200035216A KR 20200035216 A KR20200035216 A KR 20200035216A KR 1020190115758 A KR1020190115758 A KR 1020190115758A KR 20190115758 A KR20190115758 A KR 20190115758A KR 20200035216 A KR20200035216 A KR 20200035216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
meth
pressure
sensitive adhesive
adhesive tape
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020190115758A
Other languages
English (en)
Inventor
다카토시 사사키
고지 미즈노
다카유키 도다
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20200035216A publication Critical patent/KR20200035216A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/50—Adhesives in the form of films or foils characterised by a primer layer between the carrier and the adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C09J2201/622—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/003—Presence of (meth)acrylic polymer in the primer coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

[과제] 요철면을 양호하게 매입하는 것이 가능하고, 또한, 접착제 잔류가 방지된 반도체 보호용 점착 테이프를 제공하는 것.
[해결 수단] 본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프는, 기재와, 해당 기재의 적어도 편측에 배치된 점착제층과, 해당 기재와 해당 점착제층 사이에 배치된 중간층을 구비하고, 점착제층의 저장 탄성률 A(MPa)와, 중간층의 두께 B(μm)와, 점착제층의 두께 C(μm)와, 점착제층의 택값 D(N)가, 하기 식(1)을 만족한다.
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)

Description

반도체 보호용 점착 테이프{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR}
본 발명은, 반도체 보호용 점착 테이프에 관한 것이다.
종래, 반도체 칩을 제조할 때, 원하는 두께까지 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 백그라인딩 공정이 행해진다. 백그라인딩 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼를 고정하고, 또한 연삭면과는 반대측의 면을 보호하기 위해서, 보호용 점착 테이프(백그라인딩 테이프)가 이용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 통상, 백그라인딩 테이프는, 기재와 점착제층으로 구성된다. 이와 같은 백그라인딩 테이프는, 점착제층측을 반도체 웨이퍼의 표면(웨이퍼의 연삭면과는 반대측의 면)에 첩부하여 이용되고, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한 후에 박리된다.
한편, 반도체 칩으로서, 예를 들어, 지문 인증 센서에 이용되는 플립칩형의 반도체 칩과 같이, 그 표면에 전극으로서의 범프를 구비하는 반도체 칩이 알려져 있다. 이와 같은 반도체 칩의 제조에 있어서는, 범프를 구비하는 반도체 웨이퍼의 범프면을 백그라인딩 테이프로 피복하면서, 당해 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것이 행해진다. 이와 같이 하여 이용되는 백그라인딩 테이프로서는, 가열에 의해 범프에 대한 추종성을 높일 수 있으므로, 열가소성 점착제를 이용한 백그라인딩 테이프가 다용되고 있다. 그렇지만, 근년, 반도체 웨이퍼의 박화에 수반하여, 연삭열에 의한 열가소성 점착제의 용융이 문제가 되는 경우가 있다.
내열성이 우수한 점착제로서 아크릴계 점착제가 이용된 백그라인딩 테이프는, 종래부터 알려져 있지만, 범프의 요철을 묻을 정도로 유연하게 조정된 아크릴계 점착제는, 박리 후에 접착제 잔류한다고 하는 문제가 있다.
일본 특허공개 2011-151163호 공보
본 발명의 과제는, 요철면을 양호하게 매입(埋入)하는 것이 가능하고, 또한, 접착제 잔류가 방지된 반도체 보호용 점착 테이프를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프는, 기재와, 해당 기재의 적어도 편측에 배치된 점착제층과, 해당 기재와 해당 점착제층 사이에 배치된 중간층을 구비하고, 점착제층의 저장 탄성률 A(MPa)와, 중간층의 두께 B(μm)와, 점착제층의 두께 C(μm)와, 점착제층의 택값 D(N)가, 하기 식(1)을 만족한다.
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)
하나의 실시형태에 있어서는, 열기계 분석(TMA)에 의해, 압입 깊이를 상기 점착제층과 상기 중간층의 합계 두께의 80%로 하고, 직경 1.0mm의 프로브를 해당 점착제층에 압입하여 하중치를 측정했을 때, 측정 개시부터 1초 후∼300초 후의, 하중의 변화량(μN/(mm2·초))이, 1600(μN/(mm2·초)) 이하이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층의 두께가, 2μm∼50μm이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 중간층의 두께가, 50μm∼500μm이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층의 택값이, 0.05N∼0.5N이다.
본 발명에 의하면, 요철면을 양호하게 매입하는 것이 가능하고, 또한, 접착제 잔류가 방지된 반도체 보호용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 반도체 보호용 점착 테이프의 개략 단면도이다.
A. 반도체 보호용 점착 테이프의 개요
도 1은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 반도체 보호용 점착 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시형태에 의한 반도체 보호용 점착 테이프(100)는, 기재(10)와, 기재(10)의 적어도 편측에 배치된 점착제층(30)과, 기재(10)와 점착제층(30) 사이에 배치된 중간층(20)을 구비한다. 도시하고 있지 않지만, 본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착면을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 설치되어 있어도 된다. 본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프는, 예를 들어, 백그라인딩 테이프로서 적합하게 이용될 수 있다.
본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프에 있어서는, 점착제층의 저장 탄성률 A(MPa)와, 중간층의 두께 B(μm)와, 점착제층의 두께 C(μm)와, 점착제층의 택값 D(N)가, 하기 식(1)을 만족한다.
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)
식(1)을 만족하도록 하여 구성된 반도체 보호용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 범프면으로 대표되는 요철에 대한 추종성이 우수하여 당해 요철을 양호하게 묻는 것이 가능하고, 또한, 박리 시에는 피착체에의 접착제 잔류가 적다고 하는 특징을 갖는다. 종래의 점착 테이프에 있어서는, 점착제층의 경연(硬軟)에 의존하는 추종성(부드러울수록 높다)과 접착제 잔류성(딱딱할수록 접착제 잔류하기 어렵다)은 트레이드 오프의 관계에 있어, 이들을 양립시키는 것이 곤란했지만, 본 발명에 있어서는, 중간층을 구비하면서, 점착제층의 각 특성과 중간층의 두께를 상기와 같이 특정한 관계로 하는 것에 의해, 우수한 추종성과 적은 접착제 잔류를 고도로 양립시키는 것이 가능해진다.
상기 「A×(B/C)×D」는, 바람직하게는 23(MPa·N) 이상이고, 보다 바람직하게는 25(MPa·N) 이상이며, 더 바람직하게는 28(MPa·N) 이상이다. 이와 같은 범위이면, 상기 효과는 보다 현저해진다. 상기 「A×(B/C)×D」의 상한은, 바람직하게는 250(MPa·N) 이하이고, 보다 바람직하게는 135(MPa·N) 이하이며, 더 바람직하게는 80(MPa·N/) 이하이다.
「A×(B/C)」는, 바람직하게는 150MPa∼500MPa이고, 보다 바람직하게는 175MPa∼450MPa이며, 더 바람직하게는 200MPa∼400MPa이다. 이와 같은 범위이면, 상기 효과는 보다 현저해진다.
본 명세서에 있어서, 저장 탄성률이란, 실온하(25℃)에서의 나노인덴테이션법에 의한는 저장 탄성률을 의미한다. 나노인덴테이션법에 의한 저장 탄성률은, 하기 조건에서 측정될 수 있다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: Hysitron Inc.제 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각추형)
측정 방법: 동적 측정
압입 깊이 설정: 500nm
주파수: 100Hz
진폭: 2nm
측정 분위기: 대기 분위기
시료 사이즈: 1cm×1cm
본 명세서에 있어서, 택값이란, 실온하(25℃), 프로브 택법에 의해 측정된 택값을 의미한다. 택값은, 하기의 조건에서 측정될 수 있다.
(측정 장치 및 측정 조건)
측정 모드: Constant Load
프로브 직경: 5.0mm···재질 SUS
접촉 속도: 30mm/min
접촉 하중: 100gf
접촉 시간: 1초
박리 속도: 600mm/min
본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프를 실리콘 웨이퍼에 첩착(貼着)했을 때의 23℃에 있어서의 초기 점착력은, 바람직하게는 1N/20mm 이상이고, 보다 바람직하게는 10N/20mm 이상이며, 더 바람직하게는 15N/20mm 이상이다. 반도체 보호용 점착 테이프를 스테인리스판에 첩착했을 때의 23℃에 있어서의 초기 점착력의 상한은, 예를 들어, 50N/20mm이다. 한편, 점착력은, JIS Z 0237:2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 2kg의 롤러를 1왕복에 의해 반도체 보호용 점착 테이프를 4인치 실리콘 미러 웨이퍼(신에츠 화학사제)에 첩착하고, 23℃하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300mm/min의 조건에서, 반도체 보호용 점착 테이프를 떼어내는 것에 의해 측정된다. 한편, 본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프가 구비하는 점착제층은, 후술대로, 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성되고 활성 에너지선 조사에 의해 점착력이 변화할 수 있는 점착제층이어도 되지만, 본 명세서에 있어서, 「초기 점착력」이란, 활성 에너지선의 조사 전의 점착력을 의미한다.
하나의 실시형태에 있어서, 본 발명의 반도체 보호용 점착 테이프는, 활성 에너지선 조사에 의해, 점착력이 변화할 수 있다. 반도체 보호용 점착 테이프를 스테인리스판에 첩착하고, 적산 광량 300mJ/cm2∼1500mJ/cm2(바람직하게는, 1000mJ/cm2)의 자외선(파장: 365nm를 중심으로 하는 고압 수은 램프 사용)을 조사한 후의 23℃에 있어서의 점착력은, 바람직하게는 0.07N/20mm∼0.5N/20mm이며, 보다 바람직하게는 0.08N/20mm∼0.3N/20mm이다. 이와 같은 범위이면, 소정의 공정(예를 들어, 백그라인딩 공정) 후의 박리성이 우수한 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
반도체 보호용 점착 테이프의 두께는, 바람직하게는 10μm∼700μm이고, 보다 바람직하게는 50μm∼600μm이며, 더 바람직하게는 100μm∼500μm이다.
B. 점착제층
점착제층은, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 점착제로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 점착제층은, 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성된다. 상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴계 폴리머, 바이닐 알킬 에터계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 폴리에스터계 폴리머, 폴리아마이드계 폴리머, 유레테인계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, 이들 폴리머에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입한 폴리머를 이용해도 된다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층은, 아크릴계 폴리머를 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성된다. 대표적으로는, 활성 에너지선 경화형 점착제는, 가교제 및 광중합 개시제를 추가로 포함한다. 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성되는 점착제층은, 활성 에너지선 조사에 의해 그 점착력, 강성 등이 변화될 수 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어, 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라즈마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서, 활성 에너지선의 조사는, 적산 광량 300mJ/cm2∼1500mJ/cm2(바람직하게는, 1000mJ/cm2)의 자외선(파장: 365nm를 중심으로 하는 고압 수은 램프 사용) 조사이다.
활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머는, 대표적으로는, 알킬 (메트)아크릴레이트의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로 하여 형성된 아크릴계 폴리머(호모폴리머 또는 코폴리머)이다. 알킬 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 아이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸 (메트)아크릴레이트, s-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 아이소펜틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 아이소노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트, 트라이데실 (메트)아크릴레이트, 테트라데실 (메트)아크릴레이트, 펜타데실 (메트)아크릴레이트, 헥사데실 (메트)아크릴레이트, 헵타데실 (메트)아크릴레이트, 옥타데실 (메트)아크릴레이트, 노나데실 (메트)아크릴레이트, 에이코실 (메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 C1-20 알킬 에스터를 들 수 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서, 상기 알킬 (메트)아크릴레이트와 공중합 가능한 다른 모노머에 대응하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머로서는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, 아크릴로일모폴린 등의 질소 함유 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; N-사이클로헥실말레이미드, N-아이소프로필말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; 석신이미드계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐, N-바이닐피롤리돈, 메틸바이닐피롤리돈 등의 바이닐계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글라이시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌 글라이콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌 글라이콜 등의 글라이콜계 아크릴 에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 모노머; 바이닐 에터 등의 바이닐 에터계 모노머 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은, 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 이용해도 된다. 다른 모노머에서 유래하는 구성 단위의 함유 비율은, 점착제 중의 (메트)아크릴계 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 5중량부∼50중량부이며, 보다 바람직하게는 10중량부∼40중량부이다. 하나의 실시형태에 있어서는, 카복실기, 하이드록실기 등의 작용기를 갖는 모노머가 이용된다. 카복실기, 하이드록실기 등의 작용기를 갖는 모노머를 이용하면, 중합성 탄소-탄소 이중 결합이 도입되기 쉬운 (메트)아크릴계 폴리머를 얻을 수 있다. 카복실기 또는 하이드록실기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 점착제 중의 (메트)아크릴계 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 1중량부∼50중량부이며, 보다 바람직하게는 3중량부∼20중량부이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 (메트)아크릴계 폴리머는, 측쇄 또는 말단에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는다. 측쇄 또는 말단에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 폴리머는, 예를 들어, 임의의 적절한 작용기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 (메트)아크릴계 폴리머를 중합하고, 해당 (메트)아크릴계 폴리머에, 해당 작용기와 반응할 수 있는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 것에 의해, 얻을 수 있다. 반응시키는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물의 양은, 점착제 중의 (메트)아크릴계 폴리머 100몰에 대해서, 바람직하게는 4몰∼30몰이며, 보다 바람직하게는 4몰∼17몰이다.
상기와 같이 하여 폴리머와 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 경우, 폴리머 및 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 각각, 서로 반응 가능한 작용기를 갖는다. 해당 작용기의 조합으로서는, 예를 들어, 카복실기/에폭시기, 카복실기/아지리딘기, 하이드록실기/아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도, 반응 추적의 용이함에서, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기의 조합이 바람직하다.
상기 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일 아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트), m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만∼200만이며, 보다 바람직하게는 50만∼150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -50℃∼30℃이며, 보다 바람직하게는 -40℃∼20℃이다. 이와 같은 범위이면, 내열성이 우수하여 가열 공정에서 적합하게 사용될 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제는, 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하고 있어도 된다. 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 예를 들어, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 바이닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 중합성 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 작용기를 갖는 광반응성의 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. 작용기를 2 이상 갖는 다작용 아크릴레이트와 같은 다작용 모노머를 이용하면, 상기 알킬 (메트)아크릴레이트와의 결합에 의해, 고분자량의 (메트)아크릴계 폴리머를 얻을 수 있다. 해당 광반응성의 모노머의 구체예로서는, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스터화물; 다작용 유레테인 (메트)아크릴레이트; 에폭시 (메트)아크릴레이트; 올리고 에스터 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 메타크릴로일 아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트), m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등의 모노머를 이용해도 된다. 광반응성의 올리고머의 구체예로서는, 상기 모노머의 2∼5량체 등을 들 수 있다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 에폭시화 뷰타다이엔, 글라이시딜 메타크릴레이트, 아크릴아마이드, 바이닐 실록세인 등의 모노머; 또는 해당 모노머로 구성되는 올리고머를 이용해도 된다.
더욱이, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 오늄염 등의 유기염류와, 분자 내에 복수의 헤테로환을 갖는 화합물의 혼합물을 이용해도 된다. 해당 혼합물은, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선, 전자선)의 조사에 의해 유기염이 개열(開裂)되어 이온을 생성하고, 이것이 개시종(開始種)이 되어 헤테로환의 개환 반응을 야기하여 3차원 그물코 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기염류로서는, 예를 들어, 아이오도늄염, 포스포늄염, 안티모늄염, 설포늄염, 보레이트염 등을 들 수 있다. 상기 분자 내에 복수의 헤테로환을 갖는 화합물에 있어서의 헤테로환으로서는, 옥시레인, 옥세테인, 옥솔레인, 싸이이레인, 아지리딘 등을 들 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제가 활성 에너지선 반응성 화합물을 포함하는 경우, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 점착제 중의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼100중량부이고, 보다 바람직하게는 0.1중량부∼50중량부이며, 더 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 임의의 적절한 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어, IGM Resin사제의 상품명 「옴니라드 184」, 「옴니라드 651」, 「옴니라드 369」, 「옴니라드 379ex」, 「옴니라드 819」, 「옴니라드 OXE2」, 「옴니라드 127」; Lamberti사제의 상품명 「에사큐어 one」, 「에사큐어 1001m」; 아사히 전화공업사제의 상품명 「아데카 옵토머 N-1414」, 「아데카 옵토머 N-1606」, 「아데카 옵토머 N-1717」 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼20중량부이며, 보다 바람직하게는 2중량부∼10중량부이다.
바람직하게는, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 가교제를 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 아이소사이아네이트계 가교제가 바람직하게 이용된다. 아이소사이아네이트계 가교제는, 다종의 작용기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 아이소사이아네이트계 가교제의 구체예로서는, 뷰틸렌 다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 아이소사이아네이트류; 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 아이소사이아네이트류; 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물(닛폰 폴리유레테인 공업사제, 상품명 「코로네이트 L」), 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물(닛폰 폴리유레테인 공업사제, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 아이소사이아누레이트체(닛폰 폴리유레테인 공업사제, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 아이소사이아네이트 부가물; 등을 들 수 있다.
상기 가교제의 함유 비율은, 점착제 중의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.05중량부∼20중량부이며, 보다 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이다. 이와 같은 범위이면, 탄성률이 적절히 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어, 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트라이멜리트산 에스터계 가소제, 피로멜리트산 에스터계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
점착제층의 두께는, 바람직하게는 2μm∼50μm이고, 보다 바람직하게는 5μm∼30μm이며, 더 바람직하게는 5μm∼10μm이다. 이와 같은 범위이면, 백그라인딩 공정에 이용되는 점착 테이프로서 바람직한 점착력을 갖는 점착 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 이와 같은 범위이면, 점착제층의 저장 탄성률이 높아도 요철 추종성이 우수한 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 열기계 분석(TMA)에 의해, 압입 깊이를 점착제층과 중간층의 합계 두께의 80%로 하고, 직경 1.0mm의 프로브를 점착제층에 압입하여 하중치를 측정했을 때, 측정 개시부터 1초 후∼300초 후의, 하중의 변화량(μN/(mm2·초))이, 1600(μN/(mm2·초)) 이하이다. 당해 하중의 변화량은, {(측정 개시부터 300초 후의 하중치(μN/mm2))-(측정 개시부터 1초 후의 하중치(μN/mm2))}/299(초)의 식에 의해 산출할 수 있다. 한편, 상기 하중치는, 23℃의 환경하에서 측정된다. 또한, 점착제층이 활성 에너지선 조사에 의해 강성이 변화할 수 있는 경우, 상기 하중치는, 활성 에너지선 조사 전의 하중치이다. 열기계 분석(TMA)의 조건 등, 상세는 후술한다.
상기 하중의 변화량은, 1초당의 압입 저항력을 나타내는 지표이며, 당해 변화량이 1600(μN/(mm2·초)) 이하인 경우, 점착제층은 완화성이 우수하고, 당해 점착층을 구비하는 점착 테이프는, 요철 추종성이 우수하여, 피착면의 요철을 양호하게 묻을 수 있다. 상기 하중의 변화량은, 바람직하게는 1550(μN/(mm2·초)) 이하이며, 보다 바람직하게는 1500(μN/(mm2·초)) 이하이다. 상기 하중의 변화량의 하한은, 성형성의 관점에서, 예를 들어, 100(μN/(mm2·초))이고, 바람직하게는 300(μN/(mm2·초))이며, 보다 바람직하게는 500(μN/(mm2·초))이고, 더 바람직하게는 800(μN/(mm2·초))이다.
상기 점착제층 단체(單體)의 저장 탄성률(활성 에너지선 조사 전)은, 바람직하게는 0.01MPa∼100MPa이고, 보다 바람직하게는 0.1MPa∼50MPa이며, 더 바람직하게는 1MPa∼30MPa이다. 점착제층의 저장 탄성률은, 베이스 폴리머의 구조(모노머종, 모노머량, 가교제의 종류·양, 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 양 등), 가소제나 자외선 경화형의 UV 올리고머 등의 첨가의 첨가, 베이스 폴리머의 분자량(중합의 방법) 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 점착 테이프를 구성하는 상기 점착제층의 25℃에 있어서의 택값은, 바람직하게는 0.05N∼0.5N이고, 보다 바람직하게는 0.075N∼0.3N이며, 더 바람직하게는 0.1N∼0.2N이다. 이와 같은 범위이면, 접착제 잔류가 방지된 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
C. 중간층
중간층은, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 중간층 형성용 조성물로 구성될 수 있다. 중간층 형성용 조성물은, 예를 들어, (메트)아크릴계 폴리머, 바이닐 알킬 에터계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 폴리에스터계 폴리머, 폴리아마이드계 폴리머, 유레테인계 폴리머 등의 베이스 폴리머를 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 중간층은, (메트)아크릴계 폴리머를 포함하는 중간층 형성용 조성물로 구성된다. 당해 중간층 형성용 조성물은, 활성 에너지선 경화형이어도 된다.
중간층 형성용 조성물에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, 상기 B항에서 설명한 아크릴계 폴리머(호모폴리머 또는 코폴리머)를 들 수 있다. 중간층 형성용 조성물에 있어서, 알킬 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 중의 (메트)아크릴계 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 60중량부∼99.5중량부이고, 보다 바람직하게는 80중량부∼98중량부이며, 더 바람직하게는 90중량부∼98중량부이다.
중간층 형성용 조성물에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서, 다른 모노머에 대응하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 다른 모노머로서는, 예를 들어, 상기 B항에서 설명한 모노머를 들 수 있다. 중간층 형성용 조성물에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머에 있어서, 그 외의 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 중의 (메트)아크릴계 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.5중량부∼30중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부∼20중량부이며, 더 바람직하게는 4중량부∼10중량부이다.
중간층 형성용 조성물에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만∼200만이며, 보다 바람직하게는 50만∼150만이다.
중간층 형성용 조성물에 포함되는 (메트)아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -60℃∼30℃이며, 보다 바람직하게는 -50℃∼20℃이다. 이와 같은 범위이면, 내열성이 우수하여, 가열 공정에서 적합하게 사용될 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
중간층 형성용 조성물은, 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하고 있어도 된다. 활성 에너지선 반응성 화합물을 이용하면, 활성 에너지선 경화형의 중간층을 얻을 수 있다. 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 상기 B항에서 설명한 모노머를 들 수 있다. 중간층 형성용 조성물이 활성 에너지선 반응성 화합물을 포함하는 경우, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 중의 베이스 폴리머(예를 들어, (메트)아크릴계 폴리머) 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼100중량부이고, 보다 바람직하게는 0.1중량부∼50중량부이며, 더 바람직하게는 0.1중량부∼30중량부이다.
중간층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 광중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 광중합 개시제로서는, 상기 B항에서 설명한 광중합 개시제를 들 수 있다. 중간층 형성용 조성물에 있어서, 광중합 개시제의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 중의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼20중량부이며, 보다 바람직하게는 2중량부∼10중량부이다.
중간층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 가교제를 포함하고 있어도 된다. 가교제로서는, 상기 B항에서 설명한 가교제를 들 수 있다. 중간층 형성용 조성물에 있어서, 가교제의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 중의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이며, 보다 바람직하게는 1중량부∼8중량부이다.
중간층 형성용 조성물은, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어, 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트라이멜리트산 에스터계 가소제, 피로멜리트산 에스터계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
중간층의 두께는, 바람직하게는 50μm∼500μm이고, 바람직하게는 75μm∼400μm이며, 더 바람직하게는 100μm∼200μm이다. 이와 같은 범위이면, 요철면을 양호하게 매입할 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다. 중간층이 지나치게 두꺼운 경우, 불필요한 비용 증가, 롤상으로 했을 때의 주름 발생 등의 문제가 생길 우려가 있다.
중간층의 저장 탄성률(활성 에너지선 조사 전)은, 바람직하게는 0.01MPa∼50MPa이고, 보다 바람직하게는 0.05MPa∼30MPa이며, 더 바람직하게는 0.08MPa∼20MPa이다. 이와 같은 범위이면, 요철면을 양호하게 매입할 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기와 같이, 두껍고, 또한 유연한 중간층을 마련하는 것에 의해, 요철면에 대한 추종성이 우수하여, 당해 요철면을 양호하게 매입할 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다. 중간층의 두께와 중간층의 저장 탄성률(활성 에너지선 조사 전)의 곱은, 바람직하게는 100Pa·m∼10000Pa·m이며, 500Pa·m∼5000Pa·m이다.
D. 기재
상기 기재는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 기재는, 열가소성 수지로 구성된다. 상기 수지로서는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-뷰텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리유레테인계 수지, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에터 케톤, 폴리스타이렌계 수지, 폴리염화 바이닐, 폴리염화 바이닐리덴, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로스계 수지 등을 들 수 있다.
상기 기재를 구성하는 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 60℃∼500℃이며, 보다 바람직하게는 100℃∼500℃이다. 이와 같은 범위이면, 내열성이 우수하여 가열 상황하에서 적합하게 사용될 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다. 한편, 「유리 전이 온도」란, DMA법(인장법)에 있어서, 승온 속도 5℃/min, 샘플 폭 5mm, 척간 거리 20mm, 주파수 10Hz의 조건에 있어서 확인되는 손실 정접(tanδ)의 피크를 나타내는 온도를 의미한다.
상기 기재의 두께는, 바람직하게는 10μm∼250μm이고, 보다 바람직하게는 20μm∼200μm이며, 더 바람직하게는 30μm∼100μm이다.
상기 기재의 저장 탄성률은, 바람직하게는 50MPa∼6000MPa이며, 보다 바람직하게는 80MPa∼5000MPa이다. 이와 같은 범위이면, 첩착면의 요철에 적당히 추종 할 수 있는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
상기 기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 및 유지성 등을 향상시키기 위해, 임의의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들어, 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 코팅 처리를 들 수 있다.
E. 반도체 보호용 점착 테이프의 제조 방법
상기 반도체 보호용 점착 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 반도체 보호용 점착 테이프는, 예를 들어, 상기 기재 상에 상기 중간층 형성용 조성물을 도공하여 중간층을 형성한 후에, 상기 점착제를 도포하여 형성된다. 또한, 별도, 박리 라이너에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재와 중간층으로 이루어지는 적층체에 첩합하여, 반도체 보호용 점착 테이프를 얻어도 된다.
중간층 형성용 조성물의 도포 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비어 도공, 그라비어 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 옵셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 여러 가지 방법을 채용할 수 있다.
점착제의 도포 방법으로서는, 중간층 형성용 조성물의 도포 방법으로서 예시한 상기 도포 방법이 채용될 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가방법은 이하대로이다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.
(1) 점착제층의 저장 탄성률 A
반도체 보호용 점착 테이프의 점착제층의 표면에 대해서 이하의 조건에서 압입 시험을 행하고, 그 결과로부터, 나노인덴테이션 탄성률을 구했다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: Hysitron Inc.제 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각추형)
측정 방법: 동적 측정
압입 깊이 설정: 500nm
주파수: 100Hz
진폭: 2nm
측정 온도: 25℃
측정 분위기: 대기 분위기
시료 사이즈: 1cm×1cm
(2) 열기계 분석(TMA)
하기 조건에서, 점착제층의 열기계 분석(TMA)을 행하여, 측정 개시부터 1초 후∼300초 후의, 하중의 변화량(μN/(mm2·초))을 측정했다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: 히타치 하이테크 사이언스제 TMA/SS7100
측정 모드: 압축 팽창법
프로브 직경: 1.0mmφ
온도 프로그램: 23℃ 일정
측정 분위기: N2(유량 200ml/min)
압입량: 점착제층과 중간층의 합계 두께의 80%
하중의 변화량={(측정 개시부터 300초 후의 하중치(μN/mm2))-(측정 개시부터 1초 후의 하중치(μN/mm2))}/299(초)
(3) 택값 D
하기 조건에서, 점착제층의 택값 D를 측정했다.
(측정 장치 및 측정 조건)
측정 모드: Constant Load
프로브 직경: 5.0mm···재질 SUS
접촉 속도: 30mm/min
접촉 하중: 100gf
접촉 시간: 1초
박리 속도: 600mm/min
(4) 점착력
반도체 보호용 점착 테이프를 실리콘 웨이퍼에 첩착했을 때의 23℃에 있어서의 초기 점착력을, JIS Z 0237:2000에 준하여 측정했다. 구체적으로는, 2kg의 롤러를 1왕복에 의해 반도체 보호용 점착 테이프를 4인치 실리콘 미러 웨이퍼(신에츠 화학제)에 첩착하고, 23℃하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300mm/min의 조건에서, 반도체 보호용 점착 테이프를 떼어내어, 점착력을 측정했다.
(5) 접착제 잔류성
8인치 미러 웨이퍼를 연삭기 DFG8560(지석 ＃2000 마무리)으로 500μm 두께까지 연삭하고, 연삭 후 5분 이내에, 단차 테이프로서, 폭 20mm 두께 80μm의 PET 테이프를 1개 첩부했다. 그 단차 테이프를 직각으로 횡단하도록, 제작한 반도체 보호용 점착 테이프를 폭 20mm로 첩부한다(2kg 롤러 사용). 단차에서는, 평가 테이프가 솟아올라, 점착제면의 일부가 횡일직선으로 공기에 접하게 된다.
상기와 같이 첩부한 후, 얻어진 샘플을 60℃에서 3일 방치했다.
그 후, 점착제층에 1000mJ의 UV 조사를 행하고, 180도 박리로 300mm/min의 속도로 박리를 행했다.
접착제 잔류가 있는 경우는, 20mm 폭의 접촉 부분에 있어서, 선상의 접착제 잔류가 생기기 때문에, 당해 접착제 잔류의 길이에 의해, 접착제 잔류성을 평가했다.
접착제 잔류 평가 ○···선상의 접착제 잔류가 없다
접착제 잔류 평가 △···20mm의 접촉 폭에 대해서, 선상의 접착제 잔류가 10∼20%
접착제 잔류 평가 ×···20mm의 접촉 폭에 대해서, 선상의 접착제 잔류가 20% 이상
(6) 범프 매입성
범프 피치가 400μm인 범프 부착 8인치 사이즈의 웨이퍼에, 테이프 첩부기 DR-3000II(닛토세이키사제)를 이용하여, 반도체 보호용 점착 테이프를 첩부했다(첩부 조건; 속도 10mm/s, 첩부 온도: 23℃, 첩부 압력: 0.45MPa, 롤러 경도: 80도). 첩부 후, 현미경으로 범프의 매입성을 확인했다. 평가 방법은, 이하와 같이 했다.
근접하는 4개의 범프 정부를 직선에 의해 맺어 정방형을 가상한다. 정방형의 대각선을 측정하여, 대각선의 길이로부터 범프의 직경을 빼서, 범프 간격으로 했다. 대각선 상에 있어서 점착제층과 웨이퍼 표면이 밀착하고 있는 거리를 측정하여, 범프간의 매입 거리로 했다. 범프 간격과 매입 거리로부터, 하기 식에 의해 범프 매입성을 평가했다.
범프 매입성(%)=(매입 거리/범프 간격)×100
범프 매입성은, 범프간의 간극에 대한 점착 테이프의 밀착성의 지표이며, 범프 매입성이 높을수록, 점착 테이프와 범프부 웨이퍼가 간극 없이 밀착하고 있음을 의미한다. 범프 매입성이 낮은 경우에는, 범프의 근본 부분에 있어서 점착 테이프의 밀착이 불충분하게 되어 있음을 의미한다.
표 1 중, 범프 매입성이 80%를 초과하는 경우를 ○, 50%∼80%인 경우를 △, 50% 미만인 경우를 ×로 했다.
［실시예 1］
아크릴산 에틸(EA)/아크릴산 뷰틸(BA)/아크릴산(AA)=50/50/5(중량비)로 구성되는 아크릴계 폴리머 100중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 주식회사제) 1중량부, UV 올리고머(상품명 「아로닉스 M321」, 도아 합성 주식회사제) 10중량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 3중량부, 및 톨루엔을 포함하는 중간층 형성용 조성물을 조제했다. 이 점착제를, 두께 50μm의 기재(PET 필름, 도레이사제, 상품명 「루미러 S105」)에 도포한 후, 120℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 150μm의 중간층을 형성했다.
다른 한편, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA)/아크릴로일모폴린/아크릴산 하이드록시에틸(HEA)=75/25/22(몰비)로 구성되는 아크릴계 폴리머의 HEA를 11몰분 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트(카렌즈 MOI: 쇼와전공사제)로 변성한 폴리머 100중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 주식회사제) 4.5중량부, UV 올리고머(상품명 「아로닉스 M321」, 도아 합성 주식회사제) 10중량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 3중량부, 및 톨루엔을 포함하는 점착제를 조제했다. 이 점착제를, 두께 38μm의 폴리에스터계 세퍼레이터(상품명 「다이아포일 MRF」, 미쓰비시 수지 주식회사제)의 실리콘 처리를 실시한 면에 도포한 후, 140℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 5μm의 점착제층을 형성했다.
상기 점착제층을, 상기 중간층에 전사하여, 기재(50μm)/중간층(150μm)/점착제층(5μm)을 포함하는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻었다.
얻어진 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［실시예 2］
아크릴산 에틸(EA)/아크릴산 뷰틸(BA)/아크릴산(AA)=50/50/5(중량비)로 구성되는 아크릴계 폴리머 100중량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 3중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소사제) 1중량부, 및 톨루엔을 포함하는 중간층 형성용 조성물을 조제했다. 이 중간층 형성용 조성물을, 두께 50μm의 기재(PET 필름, 도레이사제, 상품명 「루미러 S105」)에 도포한 후, 120℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 150μm의 중간층을 형성했다.
다른 한편, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA)/아크릴로일모폴린/아크릴산 하이드록시에틸(HEA)=75/25/22(몰비)로 구성되는 아크릴계 폴리머의 HEA를 11몰분 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트(카렌즈 MOI: 쇼와전공사제)로 변성한 폴리머 100중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 주식회사성) 4.5중량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 3중량부, 및 톨루엔을 포함하는 점착제를 조제했다. 이 점착제를, 두께 38μm의 폴리에스터계 세퍼레이터(상품명 「다이아포일 MRF」, 미쓰비시 수지 주식회사제)의 실리콘 처리를 실시한 면에 도포한 후, 140℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 5μm의 점착제층을 형성했다.
상기 점착제층을, 상기 중간층에 전사하여, 기재(50μm)/중간층(150μm)/점착제층(5μm)을 포함하는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻었다.
얻어진 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［비교예 1］
아크릴산 에틸(EA)/아크릴산 뷰틸(BA)/아크릴산(AA)=50/50/5(질량비)로 구성되는 아크릴계 폴리머 100질량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 3질량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 주식회사제) 1질량부, UV 올리고머(상품명 「아로닉스 M321」, 도아 합성 주식회사제) 15질량부, 가교제(상품명 「테트라드 C」, 미쓰비시 가스 화학사제) 0.05질량부, 및 톨루엔을 포함하는 중간층 형성용 조성물을 조제했다. 이 중간층 형성용 조성물을, 두께 115μm의 기재(에틸렌·아세트산 바이닐 공중합 수지(EVA) 필름, 미쓰이 듀퐁 폴리케미컬사제의 이브플렉스 P1007의 압출 성형품)에 도포한 후, 120℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 120μm의 중간층을 형성했다.
다른 한편, 아크릴산 뷰틸(BA)/아크릴산 에틸(EA)/아크릴산 하이드록시에틸(HEA)=50/50/22(몰비)로 구성되는 아크릴계 폴리머의 HEA를 18몰분 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트(카렌즈 MOI: 쇼와전공사제)로 변성한 폴리머 100질량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 주식회사제) 0.07질량부, UV 올리고머(상품명 「아로닉스 M321」, 도아 합성 주식회사제) 15질량부, 광중합 개시제(상품명 「옴니라드 651」, IGM Resin사제) 1질량부, 및 톨루엔을 포함하는 점착제를 조제했다. 이 점착제를, 두께 38μm의 폴리에스터계 세퍼레이터(상품명 「다이아포일 MRF」, 미쓰비시 수지 주식회사제)의 실리콘 처리를 실시한 면에 도포한 후, 140℃에서 120초간 가열하여 탈용매하여, 두께 30μm의 점착제층을 형성했다.
상기 점착제층을, 상기 중간층에 전사하여, 기재(115μm)/중간층(120μm)/점착제층(30μm)을 포함하는 반도체 보호용 점착 테이프를 얻었다.
얻어진 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［비교예 2］
두께 50μm의 PET 기재와, 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합(EVA) 폴리머로 구성된 두께 350μm의 중간층과, 아크릴계 점착제로 구성된 두께 40μm의 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 보호용 점착 테이프를 준비하고, 이 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［비교예 3］
두께 155m의 아크릴계 기재와, 아크릴계 폴리머로 구성된 두께 115μm의 중간층과, 아크릴계 점착제로 구성된 두께 40μm의 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 보호용 점착 테이프를 준비하고, 이 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［비교예 4］
두께 120m의 EVA 기재와, 아크릴계 폴리머로 구성된 두께 100μm의 중간층과, 아크릴계 점착제로 구성된 두께 10μm의 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 보호용 점착 테이프를 준비하고, 이 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
［비교예 5］
두께 50μm의 PET 기재와, 아크릴계 폴리머로 구성된 두께 100μm의 중간층과, 아크릴계 점착제로 구성된 두께 20μm의 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 보호용 점착 테이프를 준비하고, 이 반도체 보호용 점착 테이프를 상기 평가에 제공한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
표 1로부터 분명한 바와 같이, 점착제층의 저장 탄성률 A(MPa)와, 중간층의 두께 B(μm)와, 점착제층의 두께 C(μm)와, 점착제층의 택값 D(N)를 적절히 조정하여, 「A×(B/C)×D」의 값을 20(MPa·N)으로 하는 것에 의해, 요철면을 양호하게 매입하는 것이 가능하고, 또한, 접착제 잔류가 방지된 반도체 보호용 점착 테이프를 얻을 수 있다.
10 기재
20 중간층
30 점착제층
100 반도체 보호용 점착 테이프

Claims (5)

  1. 기재와, 해당 기재의 적어도 편측에 배치된 점착제층과, 해당 기재와 해당 점착제층 사이에 배치된 중간층을 구비하고,
    점착제층의 저장 탄성률 A(MPa)와, 중간층의 두께 B(μm)와, 점착제층의 두께 C(μm)와, 점착제층의 택값 D(N)가, 하기 식(1)을 만족하는, 반도체 보호용 점착 테이프.
    A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)
  2. 제 1 항에 있어서,
    열기계 분석(TMA)에 의해, 압입 깊이를 상기 점착제층과 상기 중간층의 합계 두께의 80%로 하고, 직경 1.0mm의 프로브를 해당 점착제층에 압입하여 하중치를 측정했을 때, 측정 개시부터 1초 후∼300초 후의, 하중의 변화량(μN/(mm2·초))이, 1600(μN/(mm2·초)) 이하인, 반도체 보호용 점착 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께가, 2μm∼50μm인, 반도체 보호용 점착 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 중간층의 두께가, 50μm∼500μm인, 반도체 보호용 점착 테이프.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착제층의 택값이, 0.05N∼0.5N인, 반도체 보호용 점착 테이프.
KR1020190115758A 2018-09-25 2019-09-20 반도체 보호용 점착 테이프 KR20200035216A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-179023 2018-09-25
JP2018179023A JP7152233B2 (ja) 2018-09-25 2018-09-25 半導体保護用粘着テープ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200035216A true KR20200035216A (ko) 2020-04-02

Family

ID=69884025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190115758A KR20200035216A (ko) 2018-09-25 2019-09-20 반도체 보호용 점착 테이프

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11254844B2 (ko)
JP (1) JP7152233B2 (ko)
KR (1) KR20200035216A (ko)
CN (1) CN110938383A (ko)
TW (1) TWI809186B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133709A (ko) * 2021-03-25 2022-10-05 율촌화학 주식회사 내용제성이 우수한 다이싱 테이프

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240057380A (ko) * 2021-09-06 2024-05-02 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 점착 테이프
WO2023084359A1 (en) * 2021-11-15 2023-05-19 3M Innovative Properties Company High temperature durable pressure sensitive adhesives
JP7362872B2 (ja) * 2022-03-25 2023-10-17 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シートおよび表示体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151163A (ja) 2010-01-21 2011-08-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ表面保護テープ、樹脂製基材フィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP4645004B2 (ja) * 2003-02-05 2011-03-09 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2007070432A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Nitto Denko Corp 粘着シート及びこの粘着シートを用いた製品の加工方法
JP5242830B1 (ja) * 2012-07-06 2013-07-24 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法
JP2019156967A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 日東電工株式会社 半導体保護用粘着テープ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151163A (ja) 2010-01-21 2011-08-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ表面保護テープ、樹脂製基材フィルム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133709A (ko) * 2021-03-25 2022-10-05 율촌화학 주식회사 내용제성이 우수한 다이싱 테이프

Also Published As

Publication number Publication date
JP7152233B2 (ja) 2022-10-12
TW202022071A (zh) 2020-06-16
JP2020050709A (ja) 2020-04-02
US11254844B2 (en) 2022-02-22
TWI809186B (zh) 2023-07-21
CN110938383A (zh) 2020-03-31
US20200095475A1 (en) 2020-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200035216A (ko) 반도체 보호용 점착 테이프
KR101708909B1 (ko) 점착시트 및 반도체 웨이퍼의 가공방법, 반도체 칩의 제조방법
CN110272690B (zh) 半导体保护用粘合带
KR102585832B1 (ko) 백그라인드용 점착 테이프
JP5282113B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
TWI625376B (zh) 黏著片
TWI794450B (zh) 黏著膠帶及半導體裝置的製造方法
CN107236473B (zh) 玻璃切割用粘着片材及其制造方法
US20210269682A1 (en) Masking tape for forming electromagnetic wave shield
KR20190084972A (ko) 반도체 가공용 점착 시트
TW201811947A (zh) 黏著片
TW201936830A (zh) 遮蔽材
JP7381448B2 (ja) 粘着テープおよび半導体装置の製造方法
TW201811952A (zh) 真空製程用黏著帶
JP7488678B2 (ja) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
TW201918537A (zh) 半導體加工用黏著帶以及半導體裝置的製造方法
CN107236474B (zh) 玻璃切割用粘着片材及其制造方法
CN107236475B (zh) 玻璃切割用粘着片材及其制造方法
KR20190089725A (ko) 백 그라인딩 테이프
JP2013199565A (ja) 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
US20240218213A1 (en) Masking tape for forming electromagnetic wave shield
TW202323036A (zh) 半導體加工用黏著薄片及其製造方法以及半導體裝置之製造方法
KR20240013217A (ko) 이면 연삭용 점착 시트 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법, 기재 시트
KR20220169929A (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트
KR20210097028A (ko) 마스킹재

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal