KR20240057380A - 반도체 장치 제조용 점착 테이프 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 칩 부품의 박리 성능이 우수하고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 발명은, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
Description
본 발명은 반도체 장치 제조용 점착 테이프에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 점착제층 상에 배치된 다수의 칩 부품을 구동 회로 기판 상에 전사하는 경우가 있다.
예를 들어, 마이크로 LED 디스플레이는, 화소를 구성하는 칩의 하나 하나가 미세한 발광 다이오드 (LED, Light Emitting Diode) 칩이고, 이 마이크로 LED 칩이 자발광하여 화상을 표시하는 표시 장치이다. 마이크로 LED 디스플레이는, 콘트라스트가 높고, 응답 속도가 빠르고, 또, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등에서 사용되는 컬러 필터를 필요로 하지 않는 것 등에 의해 박형화도 가능하므로, 차세대의 표시 장치로서 주목받고 있다. 마이크로 LED 디스플레이에 있어서는, 다수의 마이크로 LED 칩이 평면상으로 고밀도로 빈틈없이 깔려있다.
이와 같은 마이크로 LED 디스플레이 등의 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어, 점착제층 상에 다수의 칩 부품이 배치된 전사용 적층체를, 구동 회로 기판과 대향시키고, 전사용 적층체로부터 칩 부품을 박리시켜 구동 회로 기판과 전기적인 접속을 실시한다 (전사 공정).
전사용 적층체로부터 칩 부품을 박리시키는 방법으로는, 예를 들어, 전사용 적층체의 지지체의 배면으로부터 점착제층에 초점을 맞추어 레이저광을 조사하는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1). 이와 같은 방법은, 레이저 어블레이션 (laser ablation) 이라고도 불린다. 또, 점착제층에 열팽창성 입자, 열팽창성 마이크로 캡슐 등을 배합하고, 전사용 적층체와 구동 회로 기판의 열압착에 의해 열팽창성 입자, 열팽창성 마이크로 캡슐 등을 열팽창시킴으로써, 점착제층의 변형에 의한 접착 면적 저하에 의해 칩 부품을 박리시키는 방법도 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 2, 3).
그러나, 종래의 칩 부품을 박리시키는 방법에서는, 칩 부품의 박리 불량에 의해, 양호한 수율로 칩 부품을 전사하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.
또, 종래의 점착제층을 사용하여 레이저 어블레이션을 실시했을 경우, 칩 부품에 점착제층의 잔류물이 부착된다는 문제도 있었다. 즉, 예를 들어, 레이저광의 출력을 높이는 등에 의해 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품을 박리시키는 것 자체는 할 수 있었다고 해도, 칩 부품이 박리될 때에 점착제층이 찢어져, 칩 부품에 점착제층의 잔류물이 부착되는 경우가 있었다.
본 발명은, 칩 부품의 박리 성능이 우수하고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시 1 은, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 2 는, 상기 기재는, 수지 필름인 본 개시 1 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 3 은, 상기 수지 필름은, 폴리에스테르 필름인 본 개시 2 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 4 는, 상기 어블레이션층은, 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율이 90 ％ 이상인 본 개시 1, 2 또는 3 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 5 는, 상기 어블레이션층은, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 Pa 이상, 2 × 105 Pa 이하인 본 개시 1, 2, 3 또는 4 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 6 은, 상기 배리어층은, 두께가 25 ㎛ 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4 또는 5 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 7 은, 상기 배리어층은, 두께가 6 ㎛ 이하인 본 개시 6 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 8 은, 상기 배리어층은, 폴리에스테르 필름인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6 또는 7 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 9 는, 상기 배리어층은, 상기 제 1 점착제층과 접하는 면에 접착 용이 수지층을 갖는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 10 은, 상기 제 1 점착제층은, 파단 강도가 1 ㎫ 이상인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 11 은, 상기 제 1 점착제층은, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 Pa 이상, 2 × 105 Pa 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 10 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 12 는, 상기 제 1 점착제층은, A-B-A 형 블록 코폴리머를 함유하는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 또는 11 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 13 은, 상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, 블록 A 가 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조를 함유하고, 블록 B 가 (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 본 개시 12 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 14 는, 상기 블록 B 는, 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 갖는 본 개시 12 또는 13 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 15 는, 상기 제 1 점착제층은, 겔 분율이 70 중량％ 이상, 95 중량％ 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 또는 14 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 16 은, 상기 제 1 점착제층은, 두께가 5 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 또는 15 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 17 은, 상기 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 볼텍이 No.5 이상인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 또는 16 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 18 은, 상기 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 상기 제 1 점착제층의 면 박리력이 1 ㎫ 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 또는 17 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 19 는, 상기 기재와 상기 어블레이션층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 또는 18 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 20 은, 상기 어블레이션층과 상기 배리어층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 본 개시 1, 2, 3, 4,5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 또는 19 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 21 은, 상기 제 1 점착제층은, 경화형 점착제층인 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 또는 20 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 22 는, 추가로 제 2 점착제층을 갖고, 그 제 2 점착제층, 상기 기재, 상기 어블레이션층, 상기 배리어층, 및 상기 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20 또는 21 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
본 개시 23 은, 레이저광을 조사하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조에 사용되는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21 또는 22 의 반도체 장치 제조용 점착 테이프이다.
이하에 본 발명을 상세히 서술한다.
본 발명자들은, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 반도체 장치 제조용 점착 테이프에 의하면, 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품을 박리시키는 경우에도, 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용함으로써, 상기 어블레이션층에 레이저광을 조사함으로써, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분에 어블레이션에 의한 변형을 발생시킬 수 있다. 또, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분의 변형이 상기 배리어층 및 상기 제 1 점착제층에 전해지기 때문에, 상기 제 1 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 박리시킬 수 있다. 또, 이 때, 어블레이션에 의한 상기 어블레이션층의 비산은, 상기 배리어층에 의해 억제된다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프에 의하면, 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품이 박리될 때에 상기 제 1 점착제층이 찢어져, 칩 부품에 상기 제 1 점착제층의 잔류물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 에, 종래의 점착 테이프를 사용하여, 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도를 나타낸다. 도 1 에 나타내는 공정에 있어서는, 기재 (5) 상에 적층된 점착제층 (4) 상에 칩 부품 (1) 이 배치되어 있고, 레이저광 조사 장치 (8) 로부터 조사되는 레이저광 (8a) 에 의해 칩 부품 (1) 을 박리시켜, 칩 부품 (1) 과 구동 회로 기판 (7) 의 전기적인 접속을 실시한다 (전사 공정). 기재 (5) 와 점착제층 (4) 의 적층체 (9) 는, 예를 들어, 기재 (5) 가 수지 필름 등의 기재이고, 점착제층 (4) 이 점착제층만으로 이루어지는 종래의 편면 점착 테이프여도 되고, 기재 (5) 가 유리 기판 등의 지지체이고, 점착제층 (4) 이 종래의 양면 점착 테이프 (기재를 가지고 있어도 된다) 인, 지지체와 양면 점착 테이프의 적층체여도 된다.
도 1 에 나타내는 공정에 있어서, 레이저광 (8a) 을 점착제층 (4) 에 조사하면, 점착제층 (4) 의 레이저광 (8a) 을 조사한 부분이 어블레이션에 의해 변형된다. 보다 상세하게는, 레이저광 (8a) 을 점착제층 (4) 에 조사하면, 열에 의해 점착제층 (4) 의 분자가 끊어져 저분자화되어, 순간적으로 증발하거나, 고온이 됨으로써 승화되거나 하기 (분해 증산) 때문에, 점착제층 (4) 의 레이저광 (8a) 을 조사한 부분이 변형된다. 이로써, 칩 부품 (1) 을 박리시킬 수 있다. 레이저광 (8a) 을 사용함으로써, 극히 작은 범위에 대해 칩 부품 (1) 의 박리를 일으키게 할 수 있기 때문에, 예를 들어, 마이크로 LED 칩 등의 극소의 칩 부품이 배열되어 있는 경우에도, 칩 부품 (1) 을 개별적이고 또한 높은 박리 성능으로 박리시킬 수 있다. 그러나, 도 1 에 나타내는 공정에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이, 칩 부품 (1) 의 박리 불량이 발생하거나, 칩 부품 (1) 이 박리될 때에 점착제층 (4) 이 찢어져, 칩 부품 (1) 에 점착제층 (4) 의 잔류물이 부착되거나 하는 문제가 있었다.
도 2 에, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도를 나타낸다. 도 2 에 나타내는 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프 (12) 에 있어서는, 기재 (5), 어블레이션층 (10), 배리어층 (11), 및 제 1 점착제층 (4a) 이 이 순서로 적층되어 있다.
도 3 에, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용하여, 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도를 나타낸다. 도 3 에 나타내는 공정에 있어서도, 도 1 에 나타내는 공정과 동일하게, 제 1 점착제층 (4a) 상에 칩 부품 (1) 이 배치되어 있고, 레이저광 조사 장치 (8) 로부터 조사되는 레이저광 (8a) 에 의해 칩 부품 (1) 을 박리시킨다. 단, 도 3 에 나타내는 공정에 있어서는, 어블레이션층 (10) 에 레이저광 (8a) 을 조사함으로써, 어블레이션층 (10) 의 레이저광 (8a) 을 조사한 부분에 어블레이션에 의한 변형을 발생시킬 수 있다. 또, 어블레이션층 (10) 의 레이저광 (8a) 을 조사한 부분의 변형이 배리어층 (11) 및 제 1 점착제층 (4a) 에 전해지기 때문에, 제 1 점착제층 (4a) 상에 배치된 칩 부품 (1) 을 박리시킬 수 있다. 또, 이 때, 어블레이션에 의한 어블레이션층 (10) 의 비산은, 배리어층 (11) 에 의해 억제된다.
상기 기재를 가짐으로써, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 적당한 탄력이 있어, 취급성이 우수한 점착 테이프가 된다.
상기 기재는 특별히 한정되지 않지만, 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품을 박리시키는 관점에서는, 적당한 자외선 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 상기 기재의 자외선 투과율은 특별히 한정되지 않지만, 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 바람직한 하한이 1 ％, 보다 바람직한 하한이 50 ％, 더욱 바람직한 하한이 80 ％ 이다. 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로는 95 ％ 정도가 상한이다.
또한, 상기 기재의 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율은, 예를 들어, 분광 광도계 (UV-2600i, 시마즈 제작소사 제조, 또는 그 동등품) 등을 사용하여, JIS L1925 에 준하여 측정할 수 있다.
상기 기재는, 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율을 상기 범위로 조정하는 관점에서는, 수지 필름인 것이 바람직하다.
상기 수지 필름은 특별히 한정되지 않지만, 내열성이 우수한 점에서, 폴리에스테르 필름이 바람직하다. 상기 폴리에스테르 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등으로 이루어지는 필름을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 바람직하다. 또, 상기 수지 필름은, 자외선 투과성이 우수한 관점에서는, 아크릴 수지 필름인 것이 바람직하다. 상기 아크릴 수지 필름으로는, 예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어지는 필름 등을 들 수 있다. 또, 상기 수지 필름으로는, 예를 들어, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌에테르, 초고분자량 폴리에틸렌, 신디오택틱 폴리스티렌, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 불소 수지, 액정 폴리머 등으로 이루어지는 필름도 들 수 있다.
상기 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 5 ㎛, 바람직한 상한은 188 ㎛ 이다. 상기 기재의 두께가 상기 범위 내임으로써, 적당한 탄력이 있어, 취급성이 우수한 점착 테이프로 할 수 있다. 상기 기재의 두께의 보다 바람직한 하한은 12 ㎛, 보다 바람직한 상한은 100 ㎛ 이다.
상기 기재의 헤이즈는 특별히 한정되지 않지만, 레이저광을 효율적으로 투과시켜, 칩 부품의 박리 성능을 보다 향상시키는 관점에서는, 헤이즈가 작은 것이 바람직하다. 상기 기재의 헤이즈의 바람직한 상한은 10 ％, 보다 바람직한 상한은 5 ％, 더욱 바람직한 상한은 1 ％ 이다. 상기 기재의 헤이즈의 하한은 특별히 한정되지 않고, 작을수록 바람직하지만, 실질적인 하한은 0.1 ％ 정도이다.
또한, 상기 기재의 헤이즈는, 예를 들어, 헤이즈미터 (닛폰 전색 공업사 제조, NDH4000) 등을 사용하여 측정할 수 있다.
상기 어블레이션층은 특별히 한정되지 않고, 레이저광을 조사함으로써 어블레이션에 의한 변형을 발생시키는 층이면 되고, 점착성을 가지고 있어도 되고 가지고 있지 않아도 된다.
상기 어블레이션층은, 레이저광을 조사함으로써 어블레이션에 의한 변형을 발생시키는 관점에서는, 적당한 자외선 흡수율을 갖는 것이 바람직하다. 상기 어블레이션층의 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 90 ％, 보다 바람직한 하한이 99 ％ 이다. 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율이 상기 범위 내이면, 상기 어블레이션층에 있어서 레이저광의 자극이 효율적으로 열 또는 진동으로 바뀌기 때문에, 어블레이션에 의한 변형이 일어나기 쉬워져, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로는 99.9 ％ 정도가 상한이다.
또한, 상기 어블레이션층의 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율은, 예를 들어, 분광 광도계 (UV-2600i, 시마즈 제작소사 제조, 또는 그 동등품) 등을 사용하여, JIS L1925 에 준하여 측정할 수 있다.
상기 어블레이션층은, 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율을 상기 범위로 조정하는 관점에서는, 자외선 흡수제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 자외선 흡수제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 하이드록실페닐트리아진계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어, 메톡시신남산에틸헥실, 메톡시신남산옥틸, 파라메톡시신남산에틸헥실, 디에틸아미노하이드록시벤조일벤조산헥실, 비스에틸헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진, t-부틸메톡시디벤조일메탄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 어블레이션층에 있어서 다른 성분과의 상용성이 우수한 관점에서, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 및 하이드록실페닐트리아진계 자외선 흡수제가 바람직하다. 이들 자외선 흡수제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 자외선 흡수제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 어블레이션층에 포함되는 베이스 폴리머 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 4 중량부이다. 상기 자외선 흡수제의 함유량이 4 중량부 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 자외선 흡수제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 6 중량부, 더욱 바람직한 하한은 8 중량부, 더욱 더 바람직한 하한은 10 중량부, 한층 바람직한 하한은 15 중량부이다.
상기 자외선 흡수제의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 상기 어블레이션층과 상기 기재 또는 상기 배리어층의 접착성을 확보하는 관점에서, 바람직한 상한은 30 중량부이다. 또한, 상기 어블레이션층과 상기 기재 또는 상기 배리어층의 접착성이 불충분하면, 예를 들어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 원하는 테이프폭으로 절단했을 때에 절단 후의 단부에 있어서 들뜸이 발생하는 (단부 들뜸) 등의 문제가 생기는 경우가 있다.
상기 어블레이션층의 23 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 1 × 104 Pa, 바람직한 상한은 2 × 105 Pa 이다. 상기 저장 탄성률 G' 가 상기 범위 내이면, 레이저광을 조사함으로써 어블레이션에 의해 상기 어블레이션층이 적당히 변형될 수 있어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 의 보다 바람직한 하한은 1.5 × 104 Pa, 보다 바람직한 상한은 1.5 × 105 Pa 이고, 더욱 바람직한 하한은 2.0 × 104 Pa, 더욱 바람직한 상한은 1.0 × 105 Pa 이다.
또한, 상기 어블레이션층의 23 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 G' 는, 예를 들어, 점탄성 스펙트로미터 (아이티 계측 제어사 제조, DVA-200, 또는 그 동등품) 등을 사용하여, 단순 승온 모드의 승온 속도 5 ℃/분, 1 Hz 의 조건으로 -40 ∼ 140 ℃ 의 동적 점탄성 스펙트럼을 측정했을 때의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률로서 얻을 수 있다.
상기 어블레이션층은, 점착성을 가지고 있어도 되고 가지지 있지 않아도 되지만, 상기 어블레이션층과 상기 기재의 접착성을 확보하여, 예를 들어, 상기 단부 들뜸 등의 문제를 억제하는 관점에서, 상기 기재와 상기 어블레이션층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 10 N/25 ㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 기재와 상기 어블레이션층 사이의 점착력의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 상한은 50 N/25 ㎜ 이다.
또, 상기 어블레이션층과 상기 배리어층의 접착성을 확보하여, 예를 들어, 상기 단부 들뜸 등의 문제를 억제하는 관점에서, 상기 어블레이션층과 상기 배리어층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 10 N/25 ㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 어블레이션층과 상기 배리어층 사이의 점착력의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 상한은 50 N/25 ㎜ 이다.
또한, 여기서 말하는 점착력은, 예를 들어, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 등을 사용하여, JIS Z0237 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 300 ㎜/min 의 인장 속도로 180°방향으로 샘플을 박리하는 박리 시험을 실시하여, 180°점착력 (N/25 ㎜) 을 측정함으로써 구할 수 있다.
상기 어블레이션층에 포함되는 베이스 폴리머로는, 예를 들어, A-B-A 형 블록 코폴리머, 아크릴 공중합체, 우레탄 공중합체, 실리콘 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 어블레이션층의 저장 탄성률 G' 를 상기 범위로 조정하기 쉽고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되는 점에서, A-B-A 형 블록 코폴리머, 및 아크릴 공중합체가 바람직하다. 상기 어블레이션층에 레이저광을 조사했을 때, 조사 지점에 발생하는 어블레이션이 지나치게 커지지 않는 관점에서는, A-B-A 형 블록 코폴리머가 보다 바람직하다. 또, 상기 어블레이션층과 상기 기재 또는 상기 배리어층의 접착성을 확보하여, 예를 들어, 상기 단부 들뜸 등의 문제를 억제하는 관점에서는, 아크릴 공중합체가 보다 바람직하다.
상기 어블레이션층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 상기 A-B-A 형 블록 코폴리머, 및 상기 아크릴 공중합체로는, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 후술하는 바와 같은 A-B-A 형 블록 코폴리머, 및 아크릴 공중합체와 동일한 폴리머를 사용할 수 있다.
상기 어블레이션층에 포함되는 베이스 폴리머가 A-B-A 형 블록 코폴리머인 경우, B 블록의 코폴리머의 SP 값은 특별히 한정되지 않지만, 9.5 이상인 것이 바람직하다. 상기 SP 값이 9.5 이상임으로써, 상기 기재나 상기 배리어층과의 밀착성이 양호해지고, 어블레이션 발생시에 상기 어블레이션층의 박리가 잘 발생하지 않아, 칩 부품의 박리 성능을 보다 향상시킬 수 있다. 상기 SP 값은, 9.6 이상인 것이 보다 바람직하고, 9.8 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 SP 값의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 합성이 곤란한 점에서, 실질적으로는 14 정도가 상한이다.
또한, SP 값은 용해성 파라미터 (Solubility Parameter) 라고 불리고, 극성의 지표로서 사용되는 파라미터이다. 본 명세서에 있어서 SP 값의 산출에는 Fedors 법 (R. F. Fedors, Polym. Eng. Sci., 14(2), 147 - 154 (1974)) 이 사용된다. 또, A-B-A 형 블록 코폴리머의 B 블록의 코폴리머의 SP 값은, B 블록의 공중합체 중의 각각의 반복 단위 단독으로의 SP 값을 기초로, 그 배합비 (몰비) 를 사용하여 산출할 수 있다.
상기 어블레이션층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 3 ㎛, 바람직한 상한이 50 ㎛ 이다. 상기 어블레이션층의 두께가 상기 범위 내이면, 레이저광을 조사함으로써 어블레이션에 의해 상기 어블레이션층이 적당히 변형될 수 있어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 어블레이션층의 두께의 보다 바람직한 하한은 5 ㎛, 보다 바람직한 상한은 30 ㎛ 이고, 더욱 바람직한 하한은 8 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 20 ㎛ 이다.
상기 어블레이션층의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 70 중량％, 바람직한 상한이 95 중량％ 이다. 상기 겔 분율이 70 중량％ 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 겔 분율이 95 중량％ 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 겔 분율의 보다 바람직한 하한은 80 중량％, 보다 바람직한 상한은 90 중량％ 이다.
또한, 상기 어블레이션층의 겔 분율은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.
반도체 장치 제조용 점착 테이프로부터 상기 어블레이션층 (어블레이션층 조성물) 만을 0.1 g 취출하고, 아세트산에틸 50 mL 중에 침지시키고, 진탕기로 온도 23 ℃, 200 rpm 의 조건으로 24 시간 진탕한다. 진탕 후, 금속 메시 (눈금 간격 ＃200 메시) 를 사용하여, 아세트산에틸과 아세트산에틸을 흡수하여 팽윤된 어블레이션층 조성물을 분리한다. 분리 후의 어블레이션층 조성물을 110 ℃ 의 조건하에서 1 시간 건조시킨다. 건조 후의 금속 메시를 포함하는 어블레이션층 조성물의 중량을 측정하고, 하기 식을 사용하여 상기 어블레이션층의 겔 분율을 산출한다.
겔 분율 (중량％) = 100 × (W1 - W2)/W0
(W0 : 초기 어블레이션층 조성물 중량, W1 : 건조 후의 금속 메시를 포함하는 어블레이션층 조성물 중량, W2 : 금속 메시의 초기 중량)
단, 상기 어블레이션층 조성물이 아세트산에틸로 완전히 용해되지 않는 경우에는, 아세트산에틸 대신에 톨루엔이나 헥산, 물 등의 용매를 사용한다. 구체적으로는 어블레이션층 조성물이, 예를 들어, 스티렌계 엘라스토머를 함유하는 경우에는 톨루엔이나 헥산을 사용하고, 폴리비닐알코올을 함유하는 경우에는 90 ℃ 의 열수를 사용한다.
상기 배리어층은 특별히 한정되지 않고, 상기 어블레이션층의 비산을 억제하면서, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분의 변형에 따라 변형시킬 수 있는 층이면 된다. 상기 배리어층은, 상기 어블레이션층의 비산을 억제하면서, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분의 변형에 따라 변형시킬 수 있는 관점에서, 수지 필름인 것이 바람직하다.
상기 수지 필름은 특별히 한정되지 않지만, 상기 어블레이션층의 비산을 억제하면서, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분의 변형에 따라 변형시킬 수 있는 관점에서, 폴리에스테르 필름, 및 폴리올레핀 필름이 바람직하고, 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하다. 상기 폴리에스테르 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등으로 이루어지는 필름을 들 수 있다. 상기 폴리올레핀 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 무연신 폴리프로필렌, 2 축 연신 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머, 시클로올레핀 코폴리머 등으로 이루어지는 필름을 들 수 있다.
또, 상기 수지 필름으로는, 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌에테르, 신디오택틱 폴리스티렌, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 불소 수지, 액정 폴리머 등으로 이루어지는 필름도 들 수 있다.
상기 배리어층은, 상기 제 1 점착제층과 접하는 측의 표면에, 접착 용이 처리층을 갖는 것이 바람직하다. 상기 접착 용이 처리층을 가짐으로써, 상기 배리어층과 상기 제 1 점착제층의 접착성이 보다 향상된다. 상기 접착 용이 처리층은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 코로나 처리층, 프라이머 처리층 등을 들 수 있다.
상기 배리어층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 1 ㎛, 바람직한 상한은 25 ㎛ 이다. 상기 배리어층의 두께가 1 ㎛ 이상이면, 상기 어블레이션층의 비산을 충분히 억제할 수 있다. 상기 배리어층의 두께가 25 ㎛ 이하이면, 상기 어블레이션층의 레이저광을 조사한 부분의 변형에 따라 충분히 변형될 수 있어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 두께의 보다 바람직한 하한은 2 ㎛, 보다 바람직한 상한은 10 ㎛ 이고, 더욱 바람직한 상한은 6 ㎛ 이다.
상기 배리어층의 헤이즈는 특별히 한정되지 않지만, 시인성이 양호해지고, 칩의 정확한 장소에 레이저광을 조사하기 쉬움으로써, 칩 부품의 박리 성능을 보다 향상시키는 관점에서는, 헤이즈가 작은 것이 바람직하다. 상기 배리어층의 헤이즈의 바람직한 상한은 10 ％, 보다 바람직한 상한은 5 ％, 더욱 바람직한 상한은 1 ％ 이다. 상기 헤이즈의 하한은 특별히 한정되지 않고, 작을수록 바람직하지만, 실질적인 하한은 0.1 ％ 정도이다.
또한, 상기 배리어층의 헤이즈는, 예를 들어, 헤이즈미터 (닛폰 전색 공업사 제조, NDH4000) 등을 사용하여 측정할 수 있다.
상기 배리어층은, 상기 제 1 점착제층과 접하는 면에 접착 용이 수지층을 가지고 있어도 된다. 상기 접착 용이 수지층을 가지면, 상기 배리어층과 상기 제 1 점착제층의 밀착성이 높아져, 칩을 전사했을 때에 상기 배리어층으로부터 상기 제 1 점착제층이 잘 박리되지 않아, 칩 상에 풀 잔존이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기 접착 용이 수지층을 형성하는 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 니트릴 고무 등을 들 수 있다.
상기 접착 용이 수지층은, 추가로, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 함유해도 된다. 이들 첨가제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 접착 용이 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 (㎫) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 4000 ㎫, 바람직한 상한이 10000 ㎫ 이다. 또한, 상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 예를 들어, 나노인덴터 (Hysitron Inc 사 제조, Triboindenter TI-950) 를 사용하여, 소정 온도 (25 ℃) 에 있어서의 단일 압입법에 의해, 압입 속도 400 ㎚/sec, 인발 속도 400 ㎚/sec, 압입 깊이 100 ㎚ 의 측정 조건으로 다이아몬드제의 Berkovich 형 (삼각뿔형) 탐침을 측정 대상층에 수직으로 갖다 댐으로써 얻어지는 변위-하중 히스테리시스 곡선을, 측정 장치 부대의 소프트웨어 (triboscan) 로 수치 처리함으로써 얻을 수 있다.
상기 접착 용이 수지층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 0.05 ㎛, 바람직한 상한이 0.3 ㎛ 이다. 상기 접착 용이 수지층의 두께가 0.05 ㎛ 이상이면, 상기 제 1 점착제층과의 밀착성이 높아진다. 상기 접착 수지층의 두께가 0.3 ㎛ 이하이면, 어블레이션시에 변형되기 쉬워, 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 접착 용이 수지층의 두께의 보다 바람직한 하한은 0.08 ㎛, 보다 바람직한 상한은 0.2 ㎛ 이고, 더욱 바람직한 하한은 0.1 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 0.18 ㎛ 이다.
상기 제 1 점착제층은 특별히 한정되지 않지만, 감압 점착제층인 것이 바람직하다. 또, 상기 제 1 점착제층은, 칩 부품의 박리 성능을 보다 향상시키는 관점에서는, 열 경화형, 광 경화형 등의 경화형 점착제층이어도 된다.
상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로는, 예를 들어, A-B-A 형 블록 코폴리머, 아크릴 공중합체, 우레탄 공중합체, 실리콘 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉽고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있는 점에서, A-B-A 형 블록 코폴리머, 및 아크릴 공중합체가 바람직하다. 동일한 관점에서, A-B-A 형 블록 코폴리머가 보다 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, 강직한 구조인 블록 A (이하, 「하드 세그먼트」 라고도 한다) 와, 유연한 구조인 블록 B (이하, 「소프트 세그먼트」 라고도 한다) 를 포함하는 공중합체이다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, 2 개의 블록이 상용되기 어렵고, 블록 B 의 해 (海) 중에 블록 A 가 응집되어 생긴 구상의 도 (島) 가 점재되는 불균일한 상분리 구조나, 상기 블록 B 의 해 중에 상기 블록 A 가 응집되어 생긴 원통상의 구조가 점재되는 불균일한 상분리 구조를 취하는 경우가 있다. 이와 같은 구상의 도가 점재되는 상분리 구조를, 스피어상의 상분리 구조, 원통상의 구조가 점재되는 상분리 구조를 실린더상의 상분리 구조라고도 한다. 그리고, 상기 상분리 구조의 도가 의사 (疑似) 가교점이 되므로, 상기 A-B-A 형 블록 코폴리머에 고무 탄성을 부여할 수 있는 점에서, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉽고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, A-B-A 형 트리블록 코폴리머인 것이 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서, 블록 A 는, 강직한 구조를 가지고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 블록 A 는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조에 더하여 추가로, 예를 들어, 고리형 구조를 갖는 화합물, 측사슬 치환기가 짧은 화합물 등에서 유래하는 구조를 가지고 있어도 된다.
상기 방향족 비닐 모노머로는, 예를 들어, 스티렌, 알파 메틸스티렌, 파라메틸스치렌, 클로로스티렌 등을 들 수 있다. 이들 방향족 비닐 모노머는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 그 중에서도, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있는 점에서, 스티렌이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조란, 하기 일반식 (1) 또는 (2) 에 나타내는 바와 같은 구조를 가리킨다.
[화학식 1]
일반식 (1) 및 (2) 중, R1 은 방향 고리를 갖는 치환기를 나타낸다. 방향 고리를 갖는 치환기 R1 로는, 페닐기, 메틸페닐기, 클로로페닐기 등을 들 수 있다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 1 중량％ 이상, 30 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도가 높아져, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 보다 바람직한 하한은 5 중량％, 더욱 바람직한 하한은 8 중량％, 특히 바람직한 하한은 10 중량％, 보다 바람직한 상한은 28 중량％, 더욱 바람직한 상한은 25 중량％, 특히 바람직한 상한은 20 중량％ 이다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서, 블록 B 는, 유연한 구조를 가지고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉬운 점에서, 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조, 또는 (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 제 1 점착제층이 보다 적절한 택을 가질 수 있고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상되는 점에서, 블록 B 는, (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
상기 블록 B 는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 공액 디엔 모노머 및 상기 (메트)아크릴계 모노머 이외의 모노머에서 유래하는 구조를 가지고 있어도 된다.
상기 공액 디엔 모노머로는, 예를 들어, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 1,3-펜타디엔, 2-메틸-1,3-옥타디엔, 1,3-헥사디엔, 1,3-시클로헥사디엔, 4,5-디에틸-1,3-옥타디엔, 3-부틸-1,3-옥타디엔, 미르센, 클로로프렌 등을 들 수 있다. 이들 공액 디엔 모노머는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 그 중에서도, 중합 반응성이 높고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 1,3-부타디엔, 이소프렌이 바람직하다.
상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조는, 이중 결합 (불포화 결합) 이 수소 첨가에 의해 포화 결합으로 변환되어 있어도 된다. 또한, 예를 들어, 상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조로서의 1,3-부타디엔에서 유래하는 구조의 이중 결합 (불포화 결합) 이 수소 첨가되면, 에틸렌-부틸렌 구조로 변환된다. 상기 수소 첨가의 비율 (수소 첨가율) 은 특별히 한정되지 않고, 부분적으로 수소 첨가되어 있어도 되고, 대부분이 수소 첨가되어 있어도 된다.
또한, 수소 첨가의 비율 (수소 첨가율) 은, 중수소화 클로로포름을 용매로서 사용하여, 20 Hz 에서의 1H-NMR 스펙트럼을 측정하여 산출할 수 있다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 본 발명의 효과가 발휘되면 되지만, 0 중량％ 이상, 99 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은, 30 중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 40 중량％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 70 중량％ 이상인 것이 더욱 더 바람직하고, 80 중량％ 이상인 것이 한층 바람직하다. 또, 상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은, 95 중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 90 중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 공액 디엔 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은, 70 중량％ 이상, 95 중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 80 중량％ 이상, 90 중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 (메트)아크릴계 모노머는, 단일의 것이어도 되고, 복수의 모노머를 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조란, 하기 일반식 (5) 또는 (6) 에 나타내는 바와 같은 구조를 가리킨다.
[화학식 2]
일반식 (5) 및 (6) 중, R3 은 측사슬을 나타낸다. 측사슬 R3 으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 라우릴기, 스테아릴기, 이소스테아릴기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.
상기 (메트)아크릴계 모노머로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴계 모노머는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 그 중에서도, 칩 부품의 박리 성능과, 칩 부품에 대한 풀 잔존 억제 효과의 밸런스를 취하는 관점에서, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 및 라우릴(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제하는 관점에서, 부틸(메트)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다. 또, 이들 아크릴레이트가 더욱 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 블록 B 의 유리 전이 온도는 특별히 한정되지 않지만, -30 ℃ 이상, 0 ℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 블록 B 의 유리 전이 온도가 상기 범위임으로써, 돌기를 갖는 칩 부품, 또는 작은 사이즈의 칩 부품을 전사하는 경우에도 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 블록 B 의 유리 전이 온도의 보다 바람직한 하한은 -28 ℃, 더욱 바람직한 하한은 -25 ℃ 이고, 보다 바람직한 상한은 -5 ℃, 더욱 바람직한 상한은 -10 ℃ 이다.
또한, 상기 블록 B 의 유리 전이 온도는, 예를 들어, 시차 주사 열량계 (티·에이·인스트루먼트사 제조, 히타치 하이텍 사이언스사 제조 등) 등을 사용하여 측정함으로써 구할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시차 주사 열량계 (히타치 하이텍 사이언스사 제조, SII Exstar 6000/DSC 6220) 를 사용하여, 질소 분위기하, 승온 속도 10 ℃/min 의 조건으로 A-B-A 형 블록 코폴리머의 측정을 실시했을 때에 2nd run 으로 얻어지는 값을 사용할 수 있다. 또한, 상기 블록 A 에서 유래하는 피크와 상기 블록 B 에서 유래하는 피크가 얻어지지만, 저온측의 피크를 상기 블록 B 에서 유래하는 피크로 하여, 상기 블록 B 의 유리 전이 온도를 결정한다.
상기 블록 B 의 유리 전이 온도를 상기 범위로 조정하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 상기 블록 B 의 유리 전이 온도를 상기 범위로 조정하기 위해서는, 상기 (메트)아크릴계 모노머가, 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 (메트)아크릴계 모노머가 상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머를 함유함으로써, 상기 제 1 점착제층의 저장 탄성률을 보다 바람직한 범위로 조정할 수 있다. 상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 노르말부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 터셔리부틸아크릴레이트, 터셔리부틸메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트를 들 수 있다. 특히, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트가 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 0 중량％ 여도 되지만, 바람직한 하한은 35 중량％ 이다. 상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머에서 유래하는 구조의 함유량이 35 중량％ 이상이면, 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 보다 바람직한 하한은 40 중량％ 이다.
상기 호모폴리머로 했을 때의 유리 전이 온도가 0 ℃ 이상인 (메트)아크릴산에스테르 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 칩 부품을 가고정시키는 관점에서, 바람직한 상한은 60 중량％, 보다 바람직한 상한은 50 중량％ 이다.
상기 블록 B 는, 추가로, 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 블록 B 가 상기 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유함으로써, 가교성 관능기의 가교에 의해 상기 제 1 점착제층의 응집력이 높아지므로, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있다. 상기 가교성 관능기는 가교되어 있어도 되고 가교되어 있지 않아도 되지만, 가교되어 있는 것이 보다 바람직하다. 단, 가교되어 있지 않은 구조인 채였다고 해도, 관능기간의 상호 작용에 의해 상기 제 1 점착제층의 응집력이 높아져, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조란, 하기 일반식 (3) 또는 (4) 에 나타내는 바와 같은 구조를 가리킨다.
[화학식 3]
일반식 (3) 및 (4) 중, R2 는 적어도 1 개의 가교성 관능기를 포함하는 치환기를 나타낸다. 가교성 관능기로는, 예를 들어, 카르복실기, 수산기, 에폭시기, 이중 결합, 삼중 결합, 아미노기, 아미드기, 니트릴기 등을 들 수 있다. 또한, 적어도 1 개의 가교성 관능기를 포함하는 치환기 R2 는, 그 구성 요소로서, 알킬기, 에테르기, 카르보닐기, 에스테르기, 카보네이트기, 아미드기, 우레탄기 등을 포함하고 있어도 된다.
상기 가교성 관능기를 갖는 모노머는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 카르복실기 함유 모노머, 수산기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 이중 결합 함유 모노머, 삼중 결합 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 아미드기 함유 모노머, 니트릴기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 가교성 관능기를 갖는 모노머는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 그 중에서도, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있는 점에서, 카르복실기 함유 모노머, 수산기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 이중 결합 함유 모노머, 삼중 결합 함유 모노머 및 아미드기 함유 모노머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
상기 카르복실기 함유 모노머로는, (메트)아크릴산 등의 (메트)아크릴산계 모노머를 들 수 있다. 상기 수산기 함유 모노머로는, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬아크릴레이트 또는 하이드록시알킬메타크릴레이트를 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 모노머로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 이중 결합 함유 모노머로는, 알릴(메트)아크릴레이트, 헥산디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 삼중 결합 함유 모노머로는, 프로파르길(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 아미드기 함유 모노머로는, (메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있는 점에서, 카르복실기 함유 모노머 및 수산기 함유 모노머가 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산계 모노머 및 하이드록시알킬아크릴레이트가 보다 바람직하고, 아크릴산, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 및 4-하이드록시부틸아크릴레이트가 더욱 바람직하다.
또한, 상기 블록 B 에 더하여, 상기 블록 A 도, 상기 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량 (상기 블록 A 중의 함유량과 상기 블록 B 중의 함유량의 합계) 은 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량％ 이상, 30 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 응집력이 보다 높아져, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량％, 더욱 바람직한 하한은 1 중량％, 보다 바람직한 상한은 25 중량％, 더욱 바람직한 상한은 20 중량％ 이다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머 중, 상기 블록 A (하드 세그먼트) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 1 중량％ 이상, 40 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 블록 A 의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도가 높아져, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 블록 A 의 함유량의 보다 바람직한 하한은 2 중량％, 더욱 바람직한 하한은 5 중량％, 특히 바람직한 하한은 10 중량％ 이다. 상기 블록 A 의 함유량의 보다 바람직한 상한은 35 중량％, 더욱 바람직한 상한은 30 중량％, 더욱 바람직한 상한은 25 중량％, 더욱 더 바람직한 상한은 22 중량％, 특히 바람직한 상한은 20 중량％ 이다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 5 만 이상, 80 만 이하인 것이 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉽고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 중량 평균 분자량의 보다 바람직한 하한은 75000, 더욱 바람직한 하한은 10 만, 더욱 더 바람직한 하한은 20 만이다. 상기 중량 평균 분자량의 보다 바람직한 상한은 60 만이다.
또한, 상기 중량 평균 분자량은, 예를 들어, GPC (Gel Permeation Chromatography : 겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 법에 의해 표준 폴리스티렌 환산으로 구할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 측정 기기로서 Waters 사 제조 「2690 Separations Module」, 칼럼으로서 쇼와 전공사 제조 「GPC KF-806L」, 용매로서 아세트산에틸을 사용하고, 샘플 유량 1 mL/min, 칼럼 온도 40 ℃ 의 조건으로 측정할 수 있다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머의 SP 값은 특별히 한정되지 않지만, 10 이하인 것이 바람직하다. 상기 SP 값이 10 이하임으로써, 칩 부품과의 밀착을 억제하여, 박리 성능을 보다 향상시킬 수 있다. 상기 SP 값은, 9.98 이하인 것이 보다 바람직하고, 9.95 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 SP 값의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 합성이 곤란한 점에서, 실질적으로는 8 정도가 하한이다.
또한, 상기 SP 값은 용해성 파라미터 (Solubility Parameter) 라고 불리고, 극성의 지표로서 사용되는 파라미터이다. 본 명세서에 있어서 상기 SP 값의 산출에는 Fedors 법 (R. F. Fedors, Polym. Eng. Sci., 14(2), 147 - 154 (1974)) 이 사용된다. 또, A-B-A 형 블록 코폴리머의 SP 값은, 공중합체 중의 각각의 반복 단위 단독으로의 SP 값을 기초로, 그 배합비 (몰비) 를 사용하여 산출할 수 있다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머를 얻기 위해서는, 상기 블록 A 및 상기 블록 B 의 원료 모노머를, 중합 개시제의 존재하에서 각각 라디칼 반응시켜 상기 블록 A 및 상기 블록 B 를 얻은 후, 양자를 반응시키거나 또는 공중합하면 된다. 또, 상기 블록 A 를 얻은 후, 계속해서 상기 블록 B 의 원료 모노머를 투입하여, 공중합해도 된다.
상기 라디칼 반응을 시키는 방법, 즉, 중합 방법으로는, 종래 공지된 방법이 사용되고, 예를 들어, 용액 중합 (비점 중합 또는 정온 중합), 유화 중합, 현탁 중합, 괴상 중합 등을 들 수 있다.
상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 상기 아크릴 공중합체는, (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 갖는 공중합체이다.
상기 (메트)아크릴계 모노머로는, 예를 들어, 상기 서술한 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서의 (메트)아크릴계 모노머와 동일한 모노머를 들 수 있다. 그 중에서도, 칩 부품의 박리 성능과, 칩 부품에 대한 풀 잔존 억제 효과의 밸런스를 취하는 관점에서, 부틸(메트)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸아크릴레이트, 및 2-에틸헥실아크릴레이트가 보다 바람직하다.
상기 아크릴 공중합체는, 추가로, 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 아크릴 공중합체가 상기 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유함으로써, 가교성 관능기의 가교에 의해 상기 제 1 점착제층의 응집력이 높아지므로, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있다. 상기 가교성 관능기는 가교되어 있어도 되고 가교되어 있지 않아도 되지만, 가교되어 있는 것이 보다 바람직하다. 단, 가교되어 있지 않은 구조인 채였다고 해도, 관능기간의 상호 작용에 의해 상기 제 1 점착제층의 응집력이 높아져, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있다.
상기 가교성 관능기를 갖는 모노머로는, 예를 들어, 상기 서술한 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서의 가교성 관능기를 갖는 모노머와 동일한 모노머를 들 수 있다.
상기 아크릴 공중합체 중, 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량％ 이상, 30 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 응집력이 보다 높아져, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량％, 더욱 바람직한 하한은 1 중량％, 보다 바람직한 상한은 25 중량％, 더욱 바람직한 상한은 20 중량％ 이다.
상기 아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 20 만 이상, 200 만 이하인 것이 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉽고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 중량 평균 분자량의 보다 바람직한 하한은 40 만, 보다 바람직한 상한은 150 만이다.
상기 아크릴 공중합체의 SP 값은 특별히 한정되지 않지만, 10 이하인 것이 바람직하다. 상기 SP 값이 10 이하임으로써, 칩 부품과의 밀착을 억제하여, 박리 성능을 보다 향상시킬 수 있다. 상기 SP 값은, 9.98 이하인 것이 보다 바람직하고, 9.95 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 SP 값의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 합성이 곤란한 점에서, 실질적으로는 8 정도가 하한이다.
또한, 상기 SP 값은 용해성 파라미터 (Solubility Parameter) 라고 불리고, 극성의 지표로서 사용되는 파라미터이다. 본 명세서에 있어서 상기 SP 값의 산출에는 Fedors 법 (R. F. Fedors, Polym. Eng. Sci., 14(2), 147 - 154 (1974)) 이 사용된다. 또, 아크릴 공중합체의 SP 값은, 공중합체 중의 각각의 반복 단위 단독으로의 SP 값을 기초로, 그 배합비 (몰비) 를 사용하여 산출할 수 있다.
상기 제 1 점착제층은, 추가로, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교제는 특별히 한정되지 않고, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기의 종류에 따라 선택되고, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기가 카르복실기인 경우, 상기 가교제로서 예를 들어, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 후술하는 범위로 조정하기 쉬운 점에서, 에폭시계 가교제 및 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
상기 가교제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기의 양, 및 상기 가교제의 함유량을 조정함으로써, 상기 제 1 점착제층의 가교도 (겔 분율) 를 조정할 수 있다.
상기 가교제의 함유량은, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상, 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 가교제의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머를 적당히 가교하여 상기 제 1 점착제층의 응집력을 높일 수 있어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 가교제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이고, 더욱 바람직한 하한은 0.15 중량부, 더욱 바람직한 상한은 3 중량부이다.
상기 제 1 점착제층은, 추가로, 태키파이어 (점착 부여제) 를 함유해도 된다.
상기 태키파이어는, 상온에서 고체상의 태키파이어여도 되고, 상온에서 액상의 태키파이어여도 된다. 또한, 상온이란, 20 ∼ 25 ℃ 를 의미하고, 액상이란 유동성을 갖는 것을 의미한다.
상기 태키파이어는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 로진에스테르 수지, 테르펜페놀 수지, 테르펜 수지, 쿠마론 수지 등을 들 수 있다.
상기 태키파이어의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능의 관점에서, 상기 제 1 점착제층에 함유되지 않는 것이 바람직하다. 상기 태키파이어를 함유하는 경우에는, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 태키파이어의 함유량이 상기 범위임으로써, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 태키파이어의 함유량의 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
상기 제 1 점착제층은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 추가로, 상기 어블레이션층에 포함되는 상기 자외선 흡수제와 동일한 자외선 흡수제를 함유해도 된다. 상기 제 1 점착제층의 자외선 흡수율은, 상기 어블레이션층의 자외선 흡수율과 동일한 정도여도 되지만, 특별히 한정되지 않는다.
상기 제 1 점착제층은, 추가로 흄드 실리카 등의 무기 필러를 함유해도 된다.
상기 무기 필러를 배합함으로써, 상기 제 1 점착제층의 응집력을 높일 수 있어, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다.
상기 제 1 점착제층은, 추가로, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 함유해도 된다. 이들 첨가제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 제 1 점착제층의 파단 강도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 1 ㎫ 이다. 상기 파단 강도가 1 ㎫ 이상이면, 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품이 박리될 때에 상기 제 1 점착제층이 보다 찢어지기 어려워져, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 파단 강도의 보다 바람직한 하한은 1.3 ㎫, 더욱 바람직한 하한은 1.4 ㎫ 이다.
상기 파단 강도의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 상기 파단 강도가 지나치게 높으면 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 저하되므로, 바람직한 상한은 10 ㎫, 보다 바람직한 상한은 8 ㎫, 더욱 바람직한 상한은 7 ㎫, 더욱 더 바람직한 상한은 6 ㎫ 이다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 파단 강도는, 예를 들어, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 등을 사용하여, JIS K7161 : 2014 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 인장 속도 500 ㎜/min 으로 점착제층을 인장했을 때의 파단시의 응력으로부터 산출할 수 있다. 또한, 측정시는 상기 기재 등 상기 제 1 점착제층 이외를 제거하고, 상기 제 1 점착제층만의 샘플을 제조한 후에 파단 강도의 측정을 실시한다. 상기 기재 등을 제거하는 방법으로는, 상기 제 1 점착제층의 변성을 피하기 위해, 용제를 사용한 처리, 화학 반응을 수반하는 처리, 고온에서의 처리 등을 피하는 한 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 방법으로는, 상기 제 1 점착제층끼리를 첩합 (貼合) 한 후, 적절한 온도 및 박리 속도를 선택하고, 박리함으로써 상기 기재 등과 상기 제 1 점착제층을 박리하여, 상기 기재 등을 제거하는 방법, 또는, 상기 기재 등을 물리적으로 연삭하는 방법을 선택할 수 있다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 두께가 100 ㎛ 미만인 경우에는, 상기 제 1 점착제층을 중첩함으로써, 두께가 100 ㎛ 이상이 되도록 측정용의 점착제층을 형성한다. 얻어진 측정용의 점착제층에 대해, 상기와 같이 파단 강도의 측정을 실시한다.
상기 제 1 점착제층의 23 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 1 × 104 Pa, 바람직한 상한은 2 × 106 Pa 이다. 상기 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 Pa 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 가 2 × 106 Pa 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 의 보다 바람직한 하한은 2 × 104 Pa, 보다 바람직한 상한은 1.5 × 106 Pa 이고, 더욱 바람직한 하한은 3 × 104 Pa, 더욱 바람직한 상한은 1.2 × 106 Pa 이다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 23 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 G' 는, 예를 들어, 점탄성 스펙트로미터 (아이티 계측 제어사 제조, DVA-200, 또는 그 동등품) 등을 사용하여, 단순 승온 모드의 승온 속도 5 ℃/분, 1 Hz 의 조건으로 -40 ∼ 140 ℃ 의 동적 점탄성 스펙트럼을 측정했을 때의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률로서 얻을 수 있다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 두께가 100 ㎛ 미만인 경우에는, 상기 제 1 점착제층을 중첩함으로써, 두께가 100 ㎛ 이상이 되도록 측정용의 점착제층을 형성한다. 얻어진 측정용의 점착제층에 대해, 상기와 같이 저장 탄성률 G' 의 측정을 실시한다.
상기 제 1 점착제층의 -20 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 3 × 105 Pa, 바람직한 상한은 1 × 108 Pa 이다. 상기 저장 탄성률 G' 가 3 × 105 Pa 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 가 1 × 108 Pa 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 의 보다 바람직한 하한은 5 × 106 Pa, 보다 바람직한 상한은 5 × 107 Pa 이고, 더욱 바람직한 하한은 1 × 107 Pa, 더욱 바람직한 상한은 3 × 107 Pa 이다.
상기 제 1 점착제층의 140 ℃, 1 Hz 에서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 3 × 104 Pa, 바람직한 상한은 3 × 105 Pa 이다. 상기 저장 탄성률 G' 가 3 × 104 Pa 이상이면, 돌기를 갖는 칩 부품, 또는 작은 사이즈의 칩 부품을 전사하는 경우에도 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 가 3 × 105 Pa 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 돌기를 갖는 칩 부품, 또는 작은 사이즈의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 저장 탄성률 G' 의 보다 바람직한 하한은 5 × 104 Pa, 보다 바람직한 상한은 2.5 × 105 Pa 이고, 더욱 바람직한 하한은 9 × 104 Pa, 더욱 바람직한 상한은 2 × 105 Pa 이다.
상기 제 1 점착제층의 -20 ℃, 1 Hz, 140 ℃, 1 Hz 에서의 각각의 저장 탄성률 G' 는, 예를 들어, 점탄성 스펙트로미터 (아이티 계측 제어사 제조, DVA-200, 또는 그 동등품) 등을 사용하여, 단순 승온 모드의 승온 속도 5 ℃/분, 1 Hz 의 조건으로 -40 ∼ 160 ℃ 의 동적 점탄성 스펙트럼을 측정했을 때의 -20 ℃, 140 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률로서 얻을 수 있다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 두께가 100 ㎛ 미만인 경우에는, 상기 제 1 점착제층을 중첩함으로써, 두께가 100 ㎛ 이상이 되도록 측정용의 점착제층을 형성한다. 얻어진 측정용의 점착제층에 대해, 상기와 같이 저장 탄성률 G' 의 측정을 실시한다.
상기 제 1 점착제층의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 70 중량％, 바람직한 상한이 95 중량％ 이다. 상기 겔 분율이 70 중량％ 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 겔 분율이 95 중량％ 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 겔 분율의 보다 바람직한 하한은 80 중량％, 보다 바람직한 상한은 90 중량％ 이다.
또한, 상기 제 1 점착제층의 겔 분율은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.
반도체 장치 제조용 점착 테이프로부터 상기 제 1 점착제층 (점착제 조성물) 만을 0.1 g 취출하고, 아세트산에틸 50 mL 중에 침지시키고, 진탕기로 온도 23 ℃, 200 rpm 의 조건으로 24 시간 진탕한다. 진탕 후, 금속 메시 (눈금 간격 ＃200 메시) 를 사용하여, 아세트산에틸과 아세트산에틸을 흡수하여 팽윤된 점착제 조성물을 분리한다. 분리 후의 점착제 조성물을 110 ℃ 의 조건하에서 1 시간 건조시킨다. 건조 후의 금속 메시를 포함하는 점착제 조성물의 중량을 측정하고, 하기 식을 사용하여 상기 제 1 점착제층의 겔 분율을 산출한다.
겔 분율 (중량％) = 100 × (W1 - W2)/W0
(W0 : 초기 점착제 조성물 중량, W1 : 건조 후의 금속 메시를 포함하는 점착제 조성물 중량, W2 : 금속 메시의 초기 중량)
단, 상기 제 1 점착제 조성물이 아세트산에틸로 완전히 용해되지 않는 경우에는, 아세트산에틸 대신에 톨루엔이나 헥산, 물 등의 용매를 사용한다. 구체적으로는 제 1 점착제 조성물이, 예를 들어, 스티렌계 엘라스토머를 함유하는 경우에는 톨루엔이나 헥산을 사용하고, 폴리비닐알코올을 함유하는 경우에는 90 ℃ 의 열수를 사용한다.
상기 제 1 점착제층의 파단 강도, 저장 탄성률 G', 겔 분율 등을 상기 범위로 조정하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 제 1 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머의 조성 또는 중량 평균 분자량 (Mw), 상기 가교제의 종류 또는 양을 상기 서술한 바와 같이 조정하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 제 1 점착제층의 상분리 구조는 특별히 한정되지 않지만, 스피어상의 상분리 구조를 갖는 것이 바람직하다. 상기 제 1 점착제층이 스피어상의 상분리 구조를 가짐으로써, 상기 제 1 점착제층의 저장 탄성률, 파단 강도, 겔 분율 등이 상기의 범위로 조정되기 쉬워져, 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 상기 제 1 점착제층의 상분리 구조는, 예를 들어, 상기 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서의 각 블록의 비를 조정함으로써 제어할 수 있다.
상기 제 1 점착제층은, 실린더상의 상분리 구조를 가지고 있어도 된다. 상기 제 1 점착제층이 실린더상의 상분리 구조를 가짐으로써, 상기 제 1 점착제층의 저장 탄성률, 파단 강도, 겔 분율 등이 상기의 범위로 조정되기 쉬워져, 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 특히, 상기 제 1 점착제층이 실린더상의 상분리 구조를 갖는 경우, 상기 제 1 점착제층의 저장 탄성률, 파단 강도 등을 비교적 큰 범위로 조정하기 쉬워져, 돌기를 갖는 칩 부품, 또는 작은 사이즈의 칩 부품을 전사하는 경우에도 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다.
또한, 상기 점착제층의 상분리 구조는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 관찰을 실시함으로써 확인할 수 있고, 스피어상이란, 미크로 상분리 구조가 구 (球) 구조인 것을 의미하고, 실린더상이란, 미크로 상분리 구조가 원통 구조인 것을 의미한다.
상기 제 1 점착제층이 스피어상의 상분리 구조를 갖는 경우, 스피어상의 상분리 구조에 있어서의 도 구조의 사이즈는 특별히 한정되지 않지만, 도 구조의 평균 장경의 바람직한 하한이 5 ㎚, 바람직한 상한이 100 ㎚ 이고, 보다 바람직한 하한이 10 ㎚, 보다 바람직한 상한이 50 ㎚ 이다. 상기 평균 장경이 상기 범위 내임으로써, 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다.
또한, 상기 스피어상의 상분리 구조에 있어서의 도 구조의 평균 장경은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.
배율 5000 배로 상기 제 1 점착제층의 투과형 전자 현미경 (TEM) 관찰을 실시하여, 4.3 ㎛ × 4.3 ㎛ 의 영역에 대한 관찰 화상을 취득한다. 취득한 화상에 대해, 화상 해석 소프트웨어 (예를 들어, Avizo, ver2019. 4, Thermo Fisher Scientific 사 제조 등) 를 사용하여 자동 2 치화를 실시한다. 2 치화된 화상으로부터, 각각의 도 구조 (암부) 의 장경을 계측하고, 이들의 산술 평균값을 평균 장경으로 한다. 또한, 자동 2 치화 수법의 자세한 것은, 이미 알려진 문헌 (「판별 및 최소 2 승 규준에 기초하는 자동 임계값 선정법」, 오오츠 노부유키, 전자 정보 통신 학회 논문지 D, Vol.J63-D, No.4, pp.349 - 356) 에 기초한다.
상기 제 1 점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 3 ㎛, 바람직한 상한이 50 ㎛ 이다. 상기 제 1 점착제층의 두께가 3 ㎛ 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 제 1 점착제층의 두께가 50 ㎛ 이하이면, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있다. 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능이 보다 향상되고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 보다 억제할 수 있는 점에서, 상기 제 1 점착제층의 두께의 보다 바람직한 하한은 5 ㎛, 보다 바람직한 상한은 30 ㎛ 이고, 더욱 바람직한 하한은 8 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 20 ㎛ 이다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 상기 기재의 상기 어블레이션층, 상기 배리어층, 상기 제 1 점착제층이 이 순서로 적층되어 있는 면과는 반대의 면에, 제 2 점착제층을 가지고 있어도 된다.
즉, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 추가로 제 2 점착제층을 갖고, 그 제 2 점착제층, 상기 기재, 상기 어블레이션층, 상기 배리어층, 및 상기 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 것이어도 된다. 상기 제 2 점착제층을 가지고 있으면, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 유리 지지체 등에 용이하게 첩부 (貼付) 할 수 있다.
도 4 에, 상기 제 2 점착제층을 갖는 경우에 있어서의 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도를 나타낸다. 도 4 에 나타내는 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프 (12) 에 있어서는, 제 2 점착제층 (4b), 기재 (5), 어블레이션층 (10), 배리어층 (11), 및 제 1 점착제층 (4a) 이 이 순서로 적층되어 있다.
상기 제 2 점착제층은 특별히 한정되지 않지만, 감압 점착제층인 것이 바람직하다.
상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로는, 예를 들어, A-B-A 형 블록 코폴리머, 아크릴 공중합체, 우레탄 공중합체, 실리콘 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 유리 기판 등의 지지체에 강하게 첩부될 수 있고, 또한 풀 잔존 없이 재박리할 수 있는 관점에서, A-B-A 형 블록 코폴리머, 아크릴 공중합체가 바람직하다.
상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, 상기 서술한 상기 제 1 점착제층에 사용되는 A-B-A 형 블록 코폴리머와 동일한 폴리머를 사용할 수 있다.
상기 제 2 점착제층의 상분리 구조는 특별히 한정되지 않지만, 강점착성과 재박리성의 양립을 시키기 쉬운 관점에서, 상분리 구조는 스피어상의 상분리 구조가 바람직하다.
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서, 블록 B 는, 유연한 구조를 가지고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 블록 B 는 (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 상기 아크릴 공중합체는, 상기 서술한 상기 제 1 점착제층에 사용되는 아크릴 공중합체와 동일한 폴리머를 사용할 수 있다.
상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머로서의 상기 아크릴 공중합체는, (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 갖는 공중합체이다.
상기 (메트)아크릴계 모노머로는, 예를 들어, 상기 서술한 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서의 (메트)아크릴계 모노머와 동일한 모노머를 들 수 있다. 그 중에서도, 강점착성과 재박리성의 양립을 시키기 쉬운 관점에서, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트가 보다 바람직하다.
상기 아크릴 공중합체는, 풀 잔존 없이 재박리하는 관점에서 추가로, 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교성 관능기를 갖는 모노머로는, 예를 들어, 상기 서술한 A-B-A 형 블록 코폴리머에 있어서의 가교성 관능기를 갖는 모노머와 동일한 모노머를 들 수 있다.
상기 아크릴 공중합체 중, 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량％ 이상, 30 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량이 상기 범위임으로써, 강점착성과 재박리성을 양립할 수 있다. 상기 가교성 관능기를 갖는 모노머에서 유래하는 구조의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량％, 더욱 바람직한 하한은 1 중량％, 보다 바람직한 상한은 25 중량％, 더욱 바람직한 상한은 20 중량％ 이다.
상기 아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 20 만 이상, 200 만 이하인 것이 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위임으로써, 강점착성과 재박리성을 양립할 수 있다. 상기 중량 평균 분자량의 보다 바람직한 하한은 40 만, 보다 바람직한 상한은 150 만이다.
상기 제 2 점착제층은, 추가로, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교제는 특별히 한정되지 않고, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기의 종류에 따라 선택되고, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기가 카르복실기인 경우, 상기 가교제로서 예를 들어, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 강점착성과 재박리성의 양립의 관점에서, 에폭시계 가교제 및 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
상기 가교제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 중의 가교성 관능기의 양, 및 상기 가교제의 함유량을 조정함으로써, 상기 제 2 점착제층의 가교도 (겔 분율) 를 조정할 수 있다.
상기 가교제의 함유량은, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상, 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 가교제의 함유량이 상기 범위임으로써, 강점착성과 재박리성을 양립할 수 있다. 상기 가교제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이고, 더욱 바람직한 하한은 0.15 중량부, 더욱 바람직한 상한은 3 중량부이다.
상기 제 2 점착제층은, 추가로, 태키파이어 (점착 부여제) 를 함유해도 된다.
상기 태키파이어는 특별히 한정되지 않지만, 적당한 자외선 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 상기 태키파이어의 자외선 투과율은 특별히 한정되지 않지만, 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 바람직한 하한이 1 ％, 보다 바람직한 하한이 50 ％, 더욱 바람직한 하한이 80 ％ 이다. 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로는 95 ％ 정도가 상한이다. 자외선 투과율이 높은 관점에서, 수소 첨가된 태키파이어가 바람직하다.
상기 태키파이어는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 로진에스테르 수지, 테르펜페놀 수지, 테르펜 수지, 쿠마론 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수소 첨가 로진에스테르, 수소 첨가 테르펜페놀, 수소 첨가 테르펜 수지 등이 바람직하다.
상기 태키파이어의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 재박리성의 관점에서, 상기 제 2 점착제층에 함유되지 않는 것이 바람직하다. 상기 태키파이어를 함유하는 경우에는, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 상온에서 고체상의 태키파이어의 함유량이 상기 범위이면 재박리시에 풀이 잔존하기 어렵다. 상기 태키파이어의 함유량의 보다 바람직한 상한은 5 중량부, 더욱 바람직한 상한은 3 중량부이다.
상기 제 2 점착제층은, 적당한 자외선 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 자외선 투과율은 특별히 한정되지 않지만, 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 바람직한 하한이 1 ％, 보다 바람직한 하한이 50 ％, 더욱 바람직한 하한이 80 ％ 이다. 상기 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로는 95 ％ 정도가 상한이다.
상기 제 2 점착제층은, 추가로, 흄드 실리카 등의 무기 필러를 함유해도 된다.
상기 무기 필러를 배합함으로써, 상기 제 2 점착제층의 응집력이 향상되어, 강점착성과 재박리성의 양립을 하기 쉬워진다.
상기 제 2 점착제층은, 추가로, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 함유해도 된다. 이들 첨가제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 제 2 점착제층의 점착력은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 0.8 N/25 ㎜ 이다. 상기 점착력이 0.8 N/25 ㎜ 이상이면, 칩 부품의 박리시에 유리 기판 등의 지지체로부터 테이프가 박리되는 것을 방지할 수 있다. 상기 점착력의 보다 바람직한 하한은 2 N/25 ㎜, 더욱 바람직한 하한은 6 N/25 ㎜, 더욱 더 바람직한 하한은 12 N/25 ㎜ 이다.
상기 점착력의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 재박리성의 관점에서, 바람직한 상한은 20 N/25 ㎜, 보다 바람직한 상한은 18 N/25 ㎜, 더욱 바람직한 상한은 16 N/25 ㎜ 이다.
또한, 상기 제 2 점착제층의 점착력은, 예를 들어, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 등을 사용하여, JIS Z0237 : 2009 에 준하여, 점착 테이프를 25 ㎜ 폭으로 재단하고, 유리판에, 실온 23 ℃, 상대습도 50 ％ 에서, 2 ㎏ 의 압착 고무 롤러를 사용하여 300 ㎜/min 의 속도로 첩부하고, 30 분간 방치한 후, 점착 테이프를 300 ㎜/min 의 속도로 박리하여 180°박리 강도를 측정함으로써 얻어진다.
상기 제 2 점착제층의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 30 중량％, 바람직한 상한이 90 중량％ 이다. 상기 겔 분율이 30 중량％ 이상이면, 재박리시에 풀 잔존이 잘 발생하지 않는다. 상기 겔 분율이 90 중량％ 이하이면, 점착력을 높게 조정하기 쉽다. 상기 겔 분율의 보다 바람직한 하한은 40 중량％, 보다 바람직한 상한은 80 중량％ 이다.
또한, 상기 제 2 점착제층의 겔 분율은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.
반도체 장치 제조용 점착 테이프로부터 상기 제 2 점착제층 (점착제 조성물) 만을 0.1 g 취출하고, 아세트산에틸 50 mL 중에 침지시키고, 진탕기로 온도 23 ℃, 200 rpm 의 조건으로 24 시간 진탕한다. 진탕 후, 금속 메시 (눈금 간격 ＃200 메시) 를 사용하여, 아세트산에틸과 아세트산에틸을 흡수하여 팽윤된 점착제 조성물을 분리한다. 분리 후의 점착제 조성물을 110 ℃ 의 조건하에서 1 시간 건조시킨다. 건조 후의 금속 메시를 포함하는 점착제 조성물의 중량을 측정하고, 하기 식을 사용하여 상기 제 2 점착제층의 겔 분율을 산출한다.
겔 분율 (중량％) = 100 × (W1 - W2)/W0
(W0 : 초기 점착제 조성물 중량, W1 : 건조 후의 금속 메시를 포함하는 점착제 조성물 중량, W2 : 금속 메시의 초기 중량)
단, 상기 제 2 점착제 조성물이 아세트산에틸로 완전히 용해되지 않는 경우에는, 아세트산에틸 대신에 톨루엔이나 헥산, 물 등의 용매를 사용한다. 구체적으로는 상기 제 2 점착제 조성물이, 예를 들어, 스티렌계 엘라스토머를 함유하는 경우에는 톨루엔이나 헥산을 사용하고, 폴리비닐알코올을 함유하는 경우에는 90 ℃ 의 열수를 사용한다.
상기 제 2 점착제층의 점착력, 겔 분율 등을 상기 범위로 조정하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 제 2 점착제층에 포함되는 베이스 폴리머의 조성 또는 중량 평균 분자량 (Mw), 상기 가교제의 종류 또는 양을 상기 서술한 바와 같이 조정하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 제 2 점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 3 ㎛, 바람직한 상한이 30 ㎛ 이다. 상기 제 2 점착제층의 두께가 3 ㎛ 이상이면, 칩 부품의 박리시에 유리 기판 등의 지지체로부터 테이프가 박리되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제 2 점착제층의 두께가 30 ㎛ 이하이면, 재박리되기 쉽게 할 수 있다. 상기 제 2 점착제층의 두께의 보다 바람직한 하한은 5 ㎛, 보다 바람직한 상한은 20 ㎛ 이고, 더욱 바람직한 하한은 8 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 12 ㎛ 이다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 상기 서술한 바와 같은 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 가지고 있으면 되고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 추가로 다른 층을 가지고 있어도 된다. 상기 배리어층이 상기 제 1 점착제층과 접하는 면에 접착 용이 수지층을 갖는 경우에는, 상기 서술한 바와 같은 기재, 어블레이션층, 배리어층 (제 1 점착제층과 접하는 면에 접착 용이 수지층을 갖는다), 및 제 1 점착제층을 이 순서로 가지고 있으면 되고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 추가로 다른 층을 가지고 있어도 된다. 상기 제 2 점착제층을 갖는 경우에는, 상기 서술한 바와 같은 제 2 점착제층, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 가지고 있으면 되고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 추가로 다른 층을 가지고 있어도 된다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 제 1 점착제층의 볼텍은 특별히 한정되지 않지만, No.5 이상인 것이 바람직하다. 상기 볼텍이 No.5 이상이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 유지 성능이 보다 향상된다. 상기 볼텍은 No.6 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 볼텍의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 칩 부품의 박리 성능을 보다 향상시키는 관점에서, No.12 이하인 것이 바람직하다.
또한, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 볼텍은, 예를 들어, 볼텍 테스터 (야스다 정기 제작소사 제조) 등을 사용하여, JIS Z0237 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 측정하여, 산출할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 제 1 점착제층의 면 박리력은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 상한이 1 ㎫ 이다. 상기 면 박리력이 1 ㎫ 이하이면, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 칩 부품의 박리 성능이 보다 향상된다. 상기 면 박리력의 보다 바람직한 상한은 0.8 ㎫ 이다. 상기 면 박리력의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 칩 부품의 유지 성능을 보다 향상시키는 관점에서, 바람직한 하한은 0.65 ㎫ 이다.
또한, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 제 1 점착제층의 면 박리력은, 예를 들어, 다음과 같이 하여 구할 수 있다. 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 제 1 점착제층의 표면에, 한 변이 10 ㎜ 인 SUS 제의 입방체의 일면을 첩합하고, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하, 0.3 ㎫ 로 10 초 압착한다. 그 후, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 등을 사용하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 기재면을 고정시킨 상태에서 SUS 제의 입방체를 인장 속도 1000 ㎜/min 으로 인장하여, 박리시킨다. 박리시의 최대 응력을 면 박리력으로 한다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 가시광선 투과율은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품을 박리시키는 관점에서는, 적당한 가시광선 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 상기 가시광선 투과율의 바람직한 하한은 50 ％, 보다 바람직한 하한은 80 ％ 이다. 상기 가시광선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로는 95 ％ 정도가 상한이다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 헤이즈는 특별히 한정되지 않지만, 레이저 어블레이션에 의해 칩 부품을 박리시키는 관점에서는, 헤이즈가 작은 것이 바람직하다. 상기 헤이즈의 바람직한 상한은 10 ％, 보다 바람직한 상한은 5 ％, 더욱 바람직한 상한은 3 ％ 이다. 상기 헤이즈의 하한은 특별히 한정되지 않고, 작을수록 바람직하고, 실질적인 하한은 0.1 ％ 정도이다.
또한, 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 가시광선 투과율 및 헤이즈는, 예를 들어, 헤이즈미터 (닛폰 전색 공업사 제조, NDH4000) 등을 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 용도는 특별히 한정되지 않지만, 레이저광을 조사하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조에 바람직하게 사용된다. 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프는, 칩 부품의 박리 성능이 우수하고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 점에서, 도 3 에 나타내는 바와 같은 제 1 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정에 더욱 바람직하게 사용된다.
상기 칩 부품은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, MiniLED 칩, 마이크로 LED 칩, 이미지 센서의 광학 칩 등을 들 수 있고, 특히 마이크로 LED 칩이 바람직하다.
본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용한 칩 부품의 전사 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 제 1 점착제층 상에 칩 부품을 배치하는 공정과, 레이저광을 조사하여, 상기 칩 부품을 박리시키는 공정을 포함하는, 칩 부품의 전사 방법 등을 들 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용한 전자 기기 부품의 제조 방법도 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기와 같은 칩 부품의 전사 방법을 포함하는, 전자 기기 부품의 제조 방법 등을 들 수 있다. 이들 방법에 의하면, 칩 부품을 양호한 수율로 전사할 수 있고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있다.
본 발명에 의하면, 칩 부품의 박리 성능이 우수하고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1 은, 종래의 점착 테이프를 사용하여, 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용하여, 제 1 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 제 2 점착제층을 갖는 경우에 있어서의 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 사용하여, 제 1 점착제층 상에 배치된 칩 부품을 레이저 어블레이션에 의해 박리시키는 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 제 2 점착제층을 갖는 경우에 있어서의 본 발명의 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.
(점착제 A)
(1) 아크릴 공중합체 (1) 의 조제
온도계, 교반기, 냉각관을 구비한 반응기에 아세트산에틸 52 중량부를 넣고, 질소 치환한 후, 반응기를 가열하여 환류를 개시하였다. 아세트산에틸이 비등하고 나서, 30 분 후에 중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴 0.08 중량부를 투입하였다. 여기에 부틸아크릴레이트 (BA) 98 중량부, 아크릴산 (AAc) 2 중량부로 이루어지는 모노머 혼합물을 1 시간 30 분에 걸쳐, 균등하고 또한 서서히 적하하여 반응시켰다. 적하 종료 30 분 후에 아조비스이소부티로니트릴 0.1 중량부를 첨가하고, 추가로 5 시간 중합 반응시키고, 반응기 내에 아세트산에틸을 첨가하여 희석시키면서 냉각시킴으로써, 고형분율 30 중량％ 의 아크릴 공중합체 (1) 의 용액을 얻었다.
얻어진 아크릴 공중합체 (1) 에 대해, GPC 법에 의해 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또한, 측정 기기로서 Waters 사 제조 「2690 Separations Module」, 칼럼으로서 쇼와 전공사 제조 「GPC KF-806L」, 용매로서 아세트산에틸을 사용하고, 샘플 유량 1 mL/min, 칼럼 온도 40 ℃ 의 조건으로 측정하였다.
또, 얻어진 아크릴 공중합체 (1) 에 대해, Fedors 법에 의해 폴리머 전체의 SP 값을 산출하였다.
(2) 점착제 용액의 조제
얻어진 아크릴 공중합체 (1) 를 고형분율이 15 중량％ 가 되도록 아세트산에틸에 용해시켰다. 아크릴 공중합체 (1) 100 중량부에 대하여, 이소시아네이트계 가교제로서 콜로네이트 L (토소사 제조) 3.6 중량부, 자외선 흡수제로서 Tinuvin 928 (BASF 재팬사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제) 8 중량부를 첨가하고 추가로 충분히 교반하여, 점착제 A 의 점착제 용액을 얻었다.
(점착제 B)
(1) A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 의 조제
오토클레이브 중에 탈기, 탈수된 시클로헥산 500 중량부, n-부틸리튬 (n-BuLi) 0.13 중량부 및 테트라하이드로푸란 (THF) 을 몰비로 n-BuLi/THF = 40 의 비율로 첨가하였다. 이어서, 스티렌 모노머 4.5 중량부를 첨가하고 40 ℃ 에서 중합을 실시하여, 공중합체 (블록 A) 를 얻었다. 스티렌 모노머의 중합 전화율이 약 100 ％ 에 이른 후, 1,3-부타디엔 모노머 91 중량부를 첨가하여 중합을 실시하여 A-B 형 블록 코폴리머를 얻었다. 중합 전화율이 거의 100 ％ 에 이른 후, 추가로 스티렌 모노머 4.5 중량부를 첨가하고 40 ℃ 에서 중합 전화율이 약 100 ％ 에 이를 때까지 중합을 실시하여, A-B-A 형 블록 코폴리머 (수소 첨가 전) 를 얻었다.
이 A-B-A 형 블록 코폴리머를 정제 건조시킨 시클로헥산으로 희석시키고, 중합체 농도 5 중량％ 로 조정하여 수소 첨가 반응에 제공하였다. 수소 첨가 반응에서는, 교반하에서 수소 가스 공급압 0.7 ㎫ - Gauge, 반응 온도 80 ℃ 에서 수소 첨가 반응을 개시하고, 수소의 흡수가 종료된 시점에서, 반응 용액을 상온, 상압으로 되돌리고, 반응 용기로부터 발출함으로써, A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 를 얻었다.
얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 에 대해, GPC 법에 의해 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또한, 측정 기기로서 Waters 사 제조 「2690 Separations Module」, 칼럼으로서 쇼와 전공사 제조 「GPC KF-806L」, 용매로서 아세트산에틸을 사용하고, 샘플 유량 1 mL/min, 칼럼 온도 40 ℃ 의 조건으로 측정하였다.
또, 얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 에 대해, 시차 주사 열량계 (히타치 하이텍 사이언스사 제조, SII Exstar 6000/DSC6220) 를 사용하여, 질소 분위기하, 승온 속도 10 ℃/min 의 조건으로 측정을 실시했을 때에 2nd run 으로 얻어진 값을 사용하여, 블록 B 의 유리 전이 온도를 구하였다. 또한, 블록 A 에서 유래하는 피크와 블록 B 에서 유래하는 피크가 얻어졌지만, 저온측의 피크를 블록 B 에서 유래하는 피크로 하여, 블록 B 의 유리 전이 온도를 결정하였다.
또, 얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 에 대해, 1H-NMR 에 의해 측정되는 에틸렌과 부틸렌의 성분의 피크 면적비로부터 에틸렌과 부틸렌의 비율을 산출하고, Fedors 법에 의해 폴리머 전체 및 블록 B 의 SP 값을 산출하였다.
(2) 점착제 용액의 조제
얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 를 고형분율이 20 중량％ 가 되도록 톨루엔에 용해시켰다. A-B-A 형 블록 코폴리머 (1) 100 중량부에 대하여, 자외선 흡수제로서 Tinuvin 928 (BASF 재팬사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제) 8 중량부를 첨가하고 추가로 충분히 교반하여, 점착제 B 의 점착제 용액을 얻었다.
(3) 상분리 구조의 확인
후술하는 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 점착제층만을 제조하였다. 점착제층을 트리밍한 소편을 2 ％ 오스뮴산 수용액으로 60 ℃, 12 시간 염색한 후, 세정하였다. 크라이오 마이크로톰 (LEICA 사 제조, ULTRACUT FC7) 을 사용하여 점착제층의 두께 방향으로 소편 온도 -100 ℃ 에서 절단하고, 두께 100 ㎚ 미만의 절편을 잘라내었다. 잘라낸 절편을, 지지막을 친 시트 메시 상에 얹고, 측정 샘플로 하였다. 얻어진 측정 샘플을, 투과형 전자 현미경 (JEOL 사 제조, JEM-2100) 을 사용하여 배율 5000 배로 관찰하여 상분리 구조를 확인한 결과, 스피어상의 상분리 구조를 가지고 있었다.
(점착제 C)
(1) A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 의 조제
1,6-헥산디티올 0.902 g 과, 이황화탄소 1.83 g 과, 디메틸포름아미드 11 mL 를 2 구 플라스크에 투입하고, 25 ℃ 에서 교반하였다. 이것에, 트리에틸아민 2.49 g 을 15 분에 걸쳐 적하하고, 25 ℃ 에서 3 시간 교반하였다. 이어서, 메틸-α-브로모페닐아세트산 2.75 g 을 15 분에 걸쳐 적하하고, 25 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 그 후, 반응액에 추출 용매 (n-헥산 : 아세트산에틸 = 50 : 50) 100 mL 와 물 50 mL 를 첨가하고 분액 추출하였다. 1 회째와 2 회째의 분액 추출로 얻어진 유기층을 혼합하고, 1 M 염산 50 mL, 물 50 mL, 포화 식염수 50 mL 로 순서대로 세정하였다. 세정 후의 유기층에 황산나트륨을 첨가하여 건조시킨 후, 황산나트륨을 여과하고, 여과액을 이배퍼레이터로 농축하고, 유기 용매를 제거하였다. 얻어진 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제함으로써 RAFT 제를 얻었다.
스티렌 (St) 15 중량부와, 아크릴산 (AAc) 2 중량부와, RAFT 제 1.9 중량부와, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴) (ABN-E) 을 2 구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내를 질소 가스로 치환하면서 85 ℃ 로 승온시켰다. 그 후, 85 ℃ 에서 6 시간 교반하여 중합 반응을 실시하였다 (제 1 단계 반응).
반응 종료 후, 플라스크 내에 n-헥산 4000 중량부를 투입하고, 교반하여 반응물을 침전시킨 후, 미반응의 모노머 및 RAFT 제를 여과하고, 반응물을 70 ℃ 에서 감압 건조시켜 공중합체 (블록 A) 를 얻었다.
부틸아크릴레이트 (BA) 81 중량부, 아크릴산 (AAc) 2 중량부, ABN-E 0.058 중량부 및 아세트산에틸 50 중량부를 포함하는 혼합물과, 상기에서 얻어진 공중합체 (블록 A) 를 2 구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내를 질소 가스로 치환하면서 85 ℃ 로 승온시켰다. 그 후, 85 ℃ 에서 6 시간 교반하여 중합 반응을 실시하여 (제 2 단계 반응), 블록 A 와 블록 B 로 형성되는 블록 공중합체를 포함하는 반응액을 얻었다.
반응액의 일부를 채취하고, 이것에 n-헥산 4000 중량부를 투입하고, 교반하여 반응물을 침전시킨 후, 미반응의 모노머 및 용매를 여과하고, 반응물을 70 ℃ 에서 감압 건조시켜 A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 를 얻었다.
얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 에 대해, GPC 법에 의해 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또한, 측정 기기로서 Waters 사 제조 「2690 Separations Module」, 칼럼으로서 쇼와 전공사 제조 「GPC KF-806L」, 용매로서 아세트산에틸을 사용하고, 샘플 유량 1 mL/min, 칼럼 온도 40 ℃ 의 조건으로 측정하였다.
또, 얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 에 대해, 시차 주사 열량계 (히타치 하이텍 사이언스사 제조, SII Exstar 6000/DSC6220) 를 사용하여, 질소 분위기하, 승온 속도 10 ℃/min 의 조건으로 측정을 실시했을 때에 2nd run 으로 얻어진 값을 사용하여, 블록 B 의 유리 전이 온도를 구하였다. 또한, 블록 A 에서 유래하는 피크와 블록 B 에서 유래하는 피크가 얻어졌지만, 저온측의 피크를 블록 B 에서 유래하는 피크로 하여, 블록 B 의 유리 전이 온도를 결정하였다.
또, 얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 에 대해, Fedors 법에 의해 폴리머 전체 및 블록 B 의 SP 값을 산출하였다.
(2) 점착제 용액의 조제
얻어진 A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 를 고형분율이 15 중량％ 가 되도록 아세트산에틸에 용해시켰다. A-B-A 형 블록 코폴리머 (2) 100 중량부에 대하여, 에폭시계 가교제로서 테트라드 C (미츠비시 화학사 제조) 1 중량부, 자외선 흡수제로서 Tinuvin 928 (BASF 재팬사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제) 8 중량부를 첨가하고 추가로 충분히 교반하여, 점착제 C 의 점착제 용액을 얻었다.
(3) 상분리 구조의 확인
후술하는 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 점착제층만을 제조하였다. 점착제층을 트리밍한 소편을 2 ％ 오스뮴산 수용액으로 60 ℃ 12 시간 염색한 후, 세정하였다. 크라이오 마이크로톰 (LEICA 사 제조, ULTRACUT FC7) 을 사용하여 점착제층의 두께 방향으로 소편 온도 -100 ℃ 에서 절단하고, 두께 100 ㎚ 미만의 절편을 잘라내었다. 잘라낸 절편을, 지지막을 친 시트 메시 상에 얹고, 측정 샘플로 하였다. 얻어진 측정 샘플을, 투과형 전자 현미경 (JEOL 사 제조, JEM-2100) 을 사용하여 배율 5000 배로 관찰하여 상분리 구조를 확인한 결과, 스피어상의 상분리 구조를 가지고 있었다.
(점착제 D ∼ E, J ∼ O, 및 R)
A-B-A 형 블록 코폴리머의 조성, 자외선 흡수제의 종류 또는 양, 및 가교제의 종류 또는 양을 표 1, 2 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 점착제 C 와 동일하게 하여, 점착제 용액을 얻었다.
(점착제 F ∼ I, P, 및 Q)
아크릴 공중합체의 조성, 자외선 흡수제의 종류 또는 양, 및 가교제의 종류 또는 양을 표 1, 2 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 점착제 A 와 동일하게 하여 점착제 용액을 얻었다. 또한, 점착제 H 에서는, 자외선 흡수제로서, Tinuvin460 (BASF 재팬사 제조, 하이드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제) 을 사용하였다.
표 중의 알파벳 기호는 각각 하기의 약칭이다.
St : 스티렌
AAc : 아크릴산
BA : 부틸아크릴레이트
2-EHA : 2-에틸헥실아크릴레이트
LA : 라우릴아크릴레이트
MA : 메틸아크릴레이트
MOEA : 메톡시에틸아크릴레이트
2-HEA : 2-하이드록시에틸아크릴레이트
(실시예 1)
(1) 점착 테이프의 제조
얻어진 점착제 A 의 점착제 용액을, 건조 피막의 두께가 16 ㎛ 가 되도록 어플리케이터를 사용하여 기재로서의 코로나 처리가 이루어진 두께 50 ㎛, 헤이즈 3.8 ％ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 상에 도공하고, 110 ℃ 에서 3 분간 건조시켜, 어블레이션층을 형성하였다. 이것을 적층 필름 (a) 로 하였다. 이어서, 적층 필름 (a) 의 어블레이션층측과 배리어층으로서의 코로나 처리가 이루어진 두께 4 ㎛ 의 PET 필름을 중첩하였다. 이것을 적층 필름 (b) 로 하였다.
한편, 얻어진 점착제 A 의 점착제 용액을, 건조 피막의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 어플리케이터를 사용하여 이형 처리된 75 ㎛ 의 이형 PET 필름의 이형 처리면에 도공하고, 110 ℃ 에서 3 분간 건조시켜, 점착제층을 형성하였다. 이 점착제층을 적층 필름 (b) 의 배리어층측에 첩합하였다. 그 후, 40 ℃ 에서 48 시간 가열 양생하여, 기재, 어블레이션층, 배리어층, 제 1 점착제층, 및 이형 PET 필름을 이 순서로 갖는 점착 테이프를 얻었다.
(2) 제 1 점착제층의 파단 강도의 측정
제 1 점착제층만으로 이루어지는 두께 500 ㎛ 의 시트를 별도로 제조하였다. 이 점착제층에 대해, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 를 사용하여, JIS K7161 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 인장 속도 500 ㎜/min 으로 인장했을 때의 파단시의 응력으로부터 파단 강도를 산출하였다.
(3) 제 1 점착제층, 어블레이션층의 겔 분율의 측정
점착 테이프로부터 제 1 점착제층 (점착제 조성물) 만, 어블레이션층 (어블레이션층 조성물) 만을 각각 0.1 g 취출하고, 아세트산에틸 50 mL 중에 각각 침지시키고, 진탕기로 온도 23 ℃, 200 rpm 의 조건으로 24 시간 진탕하였다. 진탕 후, 금속 메시 (눈금 간격 ＃200 메시) 를 사용하여, 아세트산에틸과 아세트산에틸을 흡수하여 팽윤된 조성물을 각각 분리하였다. 분리 후의 조성물을 110 ℃ 의 조건하에서 1 시간 건조시켰다. 건조 후의 금속 메시를 포함하는 조성물의 중량을 각각 측정하고, 하기 식을 사용하여 제 1 점착제층, 어블레이션층의 겔 분율을 산출하였다.
겔 분율 (중량％) = 100 × (W1 - W2)/W0
(W0 : 초기 조성물 중량, W1 : 건조 후의 금속 메시를 포함하는 조성물 중량, W2 : 금속 메시의 초기 중량)
단 실시예 3 의 어블레이션층, 실시예 4 의 제 1 점착제층에 대해서는 아세트산에틸 대신에 톨루엔을 사용하여 겔 분율을 각각 측정하였다.
(4) 어블레이션층의 23 ℃, 1 Hz 에 있어서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 및 제 1 점착제층의 -20 ℃·23 ℃·140 ℃, 1 Hz 에 있어서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 의 측정
어블레이션층, 또는 제 1 점착제층만으로 이루어지는 두께 1 ㎜ 의 시트를 별도로 제조하였다. 이 어블레이션층, 및 제 1 점착제층에 대해, 점탄성 스펙트로미터 DVA-200 (아이티 계측 제어사 제조) 을 사용하여, 단순 승온 모드의 승온 속도 5 ℃/분, 1 Hz 의 조건으로 -40 ∼ 160 ℃ 의 동적 점탄성 스펙트럼을 측정했을 때 -20 ℃·23 ℃·140 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 구하였다.
(5) 어블레이션층 및 제 1 점착제층의 자외선 흡수율의 측정
분광 광도계 (시마즈 제작소사 제조, UV-2600i) 를 사용하여, JIS L1925 에 준하여 어블레이션층 및 제 1 점착제층의 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율을 측정하였다.
(6) 점착 테이프의 볼텍의 측정
점착 테이프에 대해, 볼텍 테스터 (야스다 정밀 기계 제작소사 제조) 를 사용하여, JIS Z0237 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 점착 테이프의 볼텍을 측정하였다.
(7) 점착 테이프의 제 1 점착제층의 면 박리력
점착 테이프에 대해, 점착 테이프의 제 1 점착제층의 표면에, 한 변이 10 ㎜ 인 SUS 제의 입방체의 일면을 첩합하고, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하, 0.3 ㎫ 로 10 초 압착하였다. 그 후, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 를 사용하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서, 점착 테이프의 기재면을 고정시킨 상태에서 SUS 제의 입방체를 인장 속도 1000 ㎜/min 으로 인장하여, 박리시켰다. 박리시의 최대 응력을 면 박리력으로서 측정하였다.
(실시예 2 ∼ 18, 22 ∼ 24, 비교예 1 ∼ 4)
각 층에 대해 표 3, 4, 및 5 에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 점착 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 15 ∼ 18, 22 ∼ 24 에는 기재로서 두께 50 ㎛, 헤이즈 0.3 ％ 의 PET 필름을 사용하고, 배리어층으로서 두께 5.5 ㎛ 의 접착 용이 수지층이 부착된 PET 필름 (접착 용이 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 5850 ㎫) 을 사용하였다.
(실시예 19)
(1) 양면 점착 테이프의 제조
일면이 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 얻어진 점착제 P 의 점착제 용액을, 건조 피막의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 어플리케이터를 사용하여 도포하고, 110 ℃ 에서 3 분간 건조시켜, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 이형 처리면에 점착제층을 갖는 적층 필름 (p) 를 제조하였다.
다음으로, 각 층에 대해, 표 4 에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 점착 테이프를 제조하고, 얻어진 점착 테이프의 기재의 어블레이션층, 배리어층, 제 1 점착제층, 및 이형 PET 필름이 순서대로 적층되어 있는 면과는 반대의 면에, 적층 필름 (p) 를 점착제층면으로부터 적층하여 점착제층을 기재에 전사 및 적층 일체화시켰다. 이로써, 표 4 에 나타낸 두께, 겔 분율을 갖는 제 2 점착제층이 형성된 양면 점착 테이프를 얻었다.
제 1 점착제층의 파단 강도, 제 1 점착제층, 어블레이션층의 겔 분율, 어블레이션층의 23 ℃, 1 Hz 에 있어서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G' 및 제 1 점착제층의 -20 ℃·23 ℃·140 ℃, 1 Hz 에 있어서의 저장 탄성률 (전단 저장 탄성률) G', 어블레이션층 및 제 1 점착제층의 자외선 흡수율, 점착 테이프의 볼텍, 그리고, 점착 테이프의 제 1 점착제층의 면 박리력을, 실시예 1 과 동일한 방법으로 측정하였다.
또, 제 2 점착제층의 겔 분율을, 상기 「(3) 제 1 점착제층, 어블레이션층의 겔 분율의 측정」 과 동일한 방법으로 측정하였다.
(실시예 20, 21)
각 층에 대해, 표 4 에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 19 와 동일하게 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(2) 점착 테이프의 제 2 점착제층의 점착력
상기의 방법으로 얻어진 양면 점착 테이프를 25 ㎜ 폭으로 재단하고, 양면 점착 테이프의 제 1 점착제층의 표면에 30 ㎜ 폭으로 재단한 두께 25 ㎛ 의 PET 필름을 첩부하였다. 그 후, 제 2 점착제층의 표면을, 유리판에, 실온 23 ℃, 상대습도 50 ％ 에서, 2 ㎏ 의 압착 고무 롤러를 사용하여 300 ㎜/min 의 속도로 첩부하였다. 그 후, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 를 사용하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서, 양면 점착 테이프의 제 2 점착제층측을 300 ㎜/min 의 속도로 180°방향으로 박리하여, 180°점착력을 측정하였다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 3, 4, 및 5 에 나타냈다.
(1) 레이저 어블레이션 평가
(1-1-1) 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능
Si 칩 (가로세로 500 ㎛ × 500 ㎛, 두께 50 ㎛) 이 10 개 배열된 웨이퍼의 Si 칩측의 면에, 얻어진 점착 테이프를 첩합하였다. 그 후, 웨이퍼를 박리함으로써, Si 칩을 점착 테이프 상에 배치하였다. 반도체 고체 레이저를 사용하여, 출력 4 W, 4 KHz 의 365 ㎚ 의 레이저광을 점착 테이프의 기재측으로부터 각 Si 칩에 조사하여, Si 칩을 점착 테이프로부터 박리하였다.
웨이퍼로부터 점착 테이프 상에 Si 칩을 모두 배치할 수 있었던 경우를 「○」, 8 ∼ 9 개의 Si 칩을 점착 테이프 상에 배치할 수 있었던 경우를 「△」, 점착 테이프 상에 배치할 수 있었던 Si 칩이 7 개 이하였을 경우를 「×」 로 하여 칩 부품의 유지 성능을 평가하였다.
점착 테이프로부터 10 개의 Si 칩을 모두 박리할 수 있었던 경우를 「◎」, 8 ∼ 9 개의 Si 칩을 점착 테이프로부터 박리할 수 있었던 경우를 「○」, 7 개의 Si 칩을 점착 테이프로부터 박리할 수 있었던 경우를 「△」, 점착 테이프로부터 박리할 수 있었던 Si 칩이 6 개 이하였을 경우를 「×」 로 하여 칩 부품의 박리 성능을 평가하였다. 점착 테이프가 제 2 점착제층을 갖는 경우에는, 제 2 점착제층을 두께 2 ㎜ 의 유리 지지체에 첩합한 상태로 평가하였다.
(1-1-2) 풀 잔존
칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능을 평가한 후, 점착 테이프로부터 박리한 Si 칩의 표면을 현미경으로 관찰하여, 풀 잔존의 유무를 확인하였다. 풀 잔존이 전혀 없었던 경우를 「◎」, 칩 부품의 표면의 면적의 20 ％ 미만으로 풀 잔존이 있었던 경우를 「○」, 칩 부품의 표면의 면적의 20 ％ 이상으로 풀 잔존이 있었던 경우를 「×」 로 하여 풀 잔존을 평가하였다.
(1-2-1) 작은 사이즈의 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능
실시예 1, 15 ∼ 23 에서 얻어진 점착 테이프에 대해, 작은 사이즈의 Si 칩 (가로세로 30 ㎛ × 40 ㎛, 두께 10 ㎛) 이 10 개 배열된 웨이퍼의 Si 칩측의 면에, 얻어진 점착 테이프를 첩합하였다. 그 후, 웨이퍼를 박리함으로써, Si 칩을 점착 테이프 상에 배치하였다. 반도체 고체 레이저를 사용하여, 출력 4 W, 4 KHz 의 365 ㎚ 의 레이저광을 점착 테이프의 기재측으로부터 각 Si 칩에 조사하여, Si 칩을 점착 테이프로부터 박리하였다.
웨이퍼로부터 점착 테이프 상에 Si 칩을 모두 배치할 수 있었던 경우를 「○」, 8 ∼ 9 개의 Si 칩을 점착 테이프 상에 배치할 수 있었던 경우를 「△」, 점착 테이프 상에 배치할 수 있었던 Si 칩이 7 개 이하였을 경우를 「×」 로 하여 칩 부품의 유지 성능을 평가하였다.
10 개의 Si 칩을 모두 박리할 수 있었던 경우를 「◎」, 8 ∼ 9 개 박리할 수 있었던 경우를 「○」, 박리할 수 있었던 Si 칩이 7 개 이하였을 경우를 「×」 로 하여 칩 부품의 박리 성능 (소칩) 을 평가하였다. 점착 테이프가 제 2 점착제층을 갖는 경우에는, 제 2 점착제층을 두께 2 ㎜ 의 유리 지지체에 첩합 상태로 평가하였다.
(1-2-2) 작은 사이즈의 칩 부품의 풀 잔존
작은 사이즈의 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능을 평가한 후, 점착 테이프로부터 박리한 Si 칩의 표면을 현미경으로 관찰하여, 풀 잔존의 유무를 확인하였다. 풀 잔존이 전혀 없었던 경우를 「◎」, 칩 부품의 표면의 면적의 20 ％ 미만으로 풀 잔존이 있었던 경우를 「○」, 칩 부품의 표면의 면적의 20 ％ 이상으로 풀 잔존이 있었던 경우를 「×」 로 하여 풀 잔존을 평가하였다.
(1-2-3) 유리 지지체로부터의 박리
실시예 19 ∼ 21 에 대해, 작은 사이즈의 칩 부품의 유지 성능 및 박리 성능을 평가한 후, 점착 테이프와 유리 지지체의 계면을 현미경으로 관찰하여, 제 2 점착제층의 지지체로부터의 박리의 유무를 확인하였다. 박리가 없었던 경우를 「○」, 박리가 있었던 경우를 「×」 로 하여 지지체로부터의 박리를 평가하였다.
(2) 180°점착력의 측정 및 단부 들뜸 평가
이 평가는, 실시예 5, 6, 8, 12, 13 및 14 에서 얻어진 점착 테이프에 대해서만 실시하였다.
오토그래프 (시마즈 제작소사 제조) 를 사용하여, JIS Z0237 에 준하여, 온도 23 ℃, 상대습도 50 ％ 의 환경하에서 300 ㎜/min 의 인장 속도로 180°방향으로 기재층을 배리어층으로부터 박리하는 박리 시험을 실시하여, 180°점착력 (N/25 ㎜) 을 측정하였다. 기재-어블레이션층간의 180°점착력, 및 어블레이션층-배리어층간의 180°점착력을 측정하였다.
또, 각 실시예와 동일하게 하여 폭 1000 ㎜, 길이 20 m 의 점착 테이프 원단 (原反) 을 제조하였다. 원단을 300 ㎜ 의 테이프폭이 되도록 길이 방향으로 절단 (슬릿) 하였다. 절단 후의 점착 테이프의 단부 (절단면) 에 있어서의 기재와 배리어층간의 들뜸 (단부 들뜸) 을 광학 현미경 (키엔스사 제조) 에 의해 관찰하였다. 단부 들뜸을 볼 수 없었던 경우를 「○」, 단부 들뜸이 1 개 지점 이상 볼 수 있었던 경우를 「×」 로 하여 단부 들뜸을 평가하였다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 칩 부품의 박리 성능이 우수하고, 또한, 칩 부품에 대한 풀 잔존을 억제할 수 있는 반도체 장치 제조용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
1 : 칩 부품
1a : 전극
4 : 점착제층
4a : 제 1 점착제층
4b : 제 2 점착제층
5 : 기재
7 : 구동 회로 기판
7a : 전극
8 : 레이저광 조사 장치
8a : 레이저광
9 : 기재와 점착제층의 적층체
10 : 어블레이션층
11 : 배리어층
12 : 반도체 장치 제조용 점착 테이프
1a : 전극
4 : 점착제층
4a : 제 1 점착제층
4b : 제 2 점착제층
5 : 기재
7 : 구동 회로 기판
7a : 전극
8 : 레이저광 조사 장치
8a : 레이저광
9 : 기재와 점착제층의 적층체
10 : 어블레이션층
11 : 배리어층
12 : 반도체 장치 제조용 점착 테이프
Claims (23)
- 기재, 어블레이션층, 배리어층, 및 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기재는, 수지 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 2 항에 있어서,
상기 수지 필름은, 폴리에스테르 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 어블레이션층은, 파장 365 ㎚ 에서의 자외선 흡수율이 90 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 어블레이션층은, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 Pa 이상, 2 × 105 Pa 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 배리어층은, 두께가 25 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 6 항에 있어서,
상기 배리어층은, 두께가 6 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 배리어층은, 폴리에스테르 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 배리어층은, 상기 제 1 점착제층과 접하는 면에 접착 용이 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, 파단 강도가 1 ㎫ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 Pa 이상, 2 × 105 Pa 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, A-B-A 형 블록 코폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 12 항에 있어서,
상기 A-B-A 형 블록 코폴리머는, 블록 A 가 방향족 비닐 모노머에서 유래하는 구조를 함유하고, 블록 B 가 (메트)아크릴계 모노머에서 유래하는 구조를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 블록 B 는, 가교성 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, 겔 분율이 70 중량％ 이상, 95 중량％ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, 두께가 5 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
상기 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 볼텍이 No.5 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 반도체 장치 제조용 점착 테이프의 상기 제 1 점착제층의 면 박리력이 1 ㎫ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
상기 기재와 상기 어블레이션층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 어블레이션층과 상기 배리어층 사이의 점착력이 6 N/25 ㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 제 1 점착제층은, 경화형 점착제층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항, 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
추가로 제 2 점착제층을 갖고, 그 제 2 점착제층, 상기 기재, 상기 어블레이션층, 상기 배리어층, 및 상기 제 1 점착제층을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프. - 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항, 제 20 항, 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
레이저광을 조사하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 점착 테이프.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2021-144763 | 2021-09-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240057380A true KR20240057380A (ko) | 2024-05-02 |
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