JP2024061681A - 半導体製造工程用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供する。【解決手段】基材層と、前記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有し、前記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、前記第１の粘着層の厚みは、２０μｍ未満である半導体製造工程用粘着テープ。【選択図】なし

Description

本発明は、半導体製造工程用粘着テープに関する。

半導体デバイスの製造工程において、粘着層上に配置された多数のチップ部品を駆動回路基板上に転写することがある。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、画素を構成するチップの１つ１つが微細な発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、このＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップ）が自発光して画像を表示する表示装置である。マイクロＬＥＤディスプレイは、コントラストが高く、応答速度が速く、また、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で使用されるカラーフィルターを必要としないこと等により薄型化も可能であることから、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイにおいては、多数のマイクロＬＥＤチップが平面状に高密度で敷き詰められている。

このようなマイクロＬＥＤディスプレイ等の半導体デバイスの製造工程においては、例えば、粘着層上に多数のチップ部品が配置された転写用積層体を、駆動回路基板と対向させ、転写用積層体からチップ部品を剥離させて駆動回路基板と電気的な接続を行う（転写工程）。

転写用積層体からチップ部品を剥離させる方法としては、例えば、転写用積層体の支持体の背面から粘着層に焦点をあててレーザー光を照射する方法が知られている（例えば、特許文献１）。このような方法は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）とも呼ばれる。また、粘着層に熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を配合し、転写用積層体と駆動回路基板との熱圧着により熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を熱膨張させることで、粘着層の変形による接着面積低下によりチップ部品を剥離させる方法も知られている（例えば、特許文献２、３）。

特開２０１９－１３８９４９号公報 特開２０１９－１５８９９号公報 特開２００３－７９８６号公報

しかしながら、チップの厚みが薄い場合、従来のテープでは、チップ部品の剥離不良により、歩留まりよくチップ部品を転写することが難しいという問題があった。

本発明は、チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供することを目的とする。

本開示１は、基材層と、上記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有し、上記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、上記第１の粘着層の厚みは、２０μｍ未満である半導体製造工程用粘着テープである。
本開示２は、上記第１の粘着層のゲル分率が４０質量％以上である本開示１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示３は、上記ブロック共重合体中の上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が３１質量％以下である本開示１又は２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示４は、上記ブロック共重合体が、架橋性官能基を含有する本開示１、２又は３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示５は、上記架橋生成物は、前記ベースポリマーがエポキシ系架橋剤及び／又はイソシアネート系架橋剤で架橋された架橋生成物である本開示１、２、３又は４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示６は、上記第１の粘着層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上である本開示１、２、３、４又は５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示７は、上記紫外線吸収剤は、２０℃以上２５℃以下の温度範囲で液状である本開示１、２、３、４、５又は６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示８は、上記第１の粘着層は、タッキファイヤーを含有する本開示１、２、３、４、５、６又は７の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示９は、上記タッキファイヤーは、上記ベースポリマーを１００質量部に対して、１０質量部以上を含む本開示８の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１０は、上記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率が、０．９ＭＰａ以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１１は、上記基材層は、ポリエステルフィルムを含む本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１２は、上記第１の粘着層と上記基材層との間に更に樹脂層を有し、該樹脂層は極性官能基を有する樹脂を含有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１３は、上記基材層の上記第１の粘着層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着層を有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２の半導体製造工程用粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。

本発明者らは、特定の組成を含有する厚みの薄い粘着層を用いることにより、チップの厚みが薄い場合であっても、レーザーアブレーションによるチップの剥離性能に優れた粘着テープを得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の半導体製造工程用粘着テープは、基材層と、上記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有する半導体製造工程用粘着テープである。
上記第１の粘着層の厚みは２０μｍ未満である。上記第１の粘着層の厚みが２０μｍ未満であれば、半導体製造工程用粘着テープがチップ部品の剥離性能に優れるものとなる。上記第１の粘着層の厚みの好ましい上限は１５μｍ、より好ましい上限は１０μｍ、更に好ましい上限は５μｍである。上記第１の粘着層の厚みの好ましい下限は特にないが、粘着テープの製造の観点から、実質的な下限は２μｍである。

上記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有する。
上記ベースポリマーは、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと上記共役ジエンモノマーに由来するブロックとを有するブロック共重合体の水素添加体である。上記第１の粘着層が上記ベースポリマーを含有することにより、上記第１の粘着層のゲル分率、引張弾性率、破断強度等を後述する範囲に調整しやすく、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。

上記芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、アルファメチルスチレン、パラメチルスチレン、クロロスチレン等が挙げられる。これらの芳香族ビニルモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、スチレンが好ましい。なお、本明細書において芳香族ビニルモノマーに由来するブロックとは、下記一般式（１）又は（２）に示すような構造を有するブロックのことを指す。

一般式（１）又は（２）中、Ｒ^１は芳香環を有する置換基を表す。芳香環を有する置換基Ｒ^１としては、フェニル基、メチルフェニル基、クロロフェニル基等が挙げられる。

上記芳香族ビニルモノマーは、本発明の効果を損なわない範囲で、更に、例えば、環状構造を有する化合物、側鎖置換基が短い化合物等に由来する構造を有していてもよい。

上記ブロック共重合体中、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量は特に限定されないが、好ましい上限は３１質量％である。上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が３１質量％以下であることにより、上記第１の粘着層が柔らかくなり、チップ部品の保持性能がより向上する。上記芳香族ビニルモノマーのより好ましい上限は２０質量％、更に好ましい上限は１５質量％である。
また、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量の好ましい下限は２質量％である。上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が２質量％以上であることにより、上記第１の粘着層が硬くなり、チップ部品の剥離性能がより向上する。上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量のより好ましい下限は５質量％、更に好ましい下限は１０質量％である。

上記共役ジエンモノマーとしては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－オクタジエン、１，３－ヘキサジエン、１，３－シクロヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン、ミルセン、クロロプレン等が挙げられる。これらの共役ジエンモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、重合反応性が高く、工業的に入手しやすいことから、１，３－ブタジエン、イソプレンが好ましい。

上記ブロック共重合体中、上記共役ジエンモノマーに由来するブロックの含有量は特に限定されず、本発明の効果が発揮されればよいが、好ましい下限は７０質量％、より好ましい下限は８０質量％であり、好ましい上限は９８質量％、より好ましい上限は８５質量％である。

上記ブロック共重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、架橋性官能基を含有していてもよい。上記ブロック共重合体が架橋性官能基を含有することにより、架橋性官能基の架橋によって上記第１の粘着層の凝集力が高まることから、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。

上記架橋性官能基としては、例えば、カルボキシ基、酸無水物基、水酸基、エポキシ基、二重結合、三重結合、アミノ基、アミド基、ニトリル基等が挙げられる。
上記ブロック共重合体は、これらの上記架橋性官能基のうち、１種の上記架橋性官能基のみを含有してもよく、２種以上の上記架橋性官能基を含有してもよい。なかでも、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、上記ブロック共重合体は、カルボキシ基、酸無水物基、水酸基、エポキシ基、二重結合、三重結合、及び、アミド基からなる群から選択される架橋性官能基のうち、少なくとも１種を含有することが好ましい。そのなかでも、上記ブロック共重合体は、カルボキシ基及び／又は酸無水物基を含有することがより好ましい。

なお、上記ブロック共重合体において、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロック及び上記共役ジエンモノマーに由来するブロックが、上記架橋性官能基を含有することが好ましい。

上記ブロック共重合体中、上記架橋性官能基に由来する構造の含有量（例えば、無水マレイン酸由来の酸無水物基を含有するブロック共重合体の場合、上記ブロック共重合体に結合する無水マレイン酸由来の構造の含有量）は特に限定されないが、好ましい下限は０．５質量％、好ましい上限は４質量％である。上記架橋性官能基に由来する構造の含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着層の凝集力がより高まり、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋性官能基に由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．７質量％、更に好ましい下限は０．８質量％であり、より好ましい上限は２質量％、更に好ましい上限は１．５質量％である。

上記ブロック共重合体を得るには、上記芳香族ビニルモノマー及び上記共役ジエンモノマーを、重合開始剤の存在下にてそれぞれラジカル反応させて上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロック及び上記共役ジエンモノマーに由来するブロックを得た後、両者を反応させる又は共重合すればよい。また、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックを得た後、続けて上記共役ジエンモノマーを投入し、共重合してもよい。
上記ラジカル反応をさせる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。

上記ブロック共重合体が上記架橋性官能基を含有する場合は、例えば、上述した方法で得られたブロック共重合体と上記架橋性官能基を含有する化合物とをグラフト重合することにより、上記架橋性官能基を含有する上記ブロック共重合体が得られる。より具体的には、有機過酸、過酸化物等のラジカル発生剤の存在下で、上記ブロック共重合体と上記架橋性官能基を含有する上記化合物とを溶融混練する方法等により、グラフト重合し調製することができる。
また、上記架橋性官能基を含有する上記ブロック共重合体は、上述した上記ブロック共重合体の合成方法において、更に、上記架橋性官能基を含有するモノマーを加えて共重合しても得ることができる。より具体的には、上述した上記ブロック共重合体の合成方法において、上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロック及び上記共役ジエンモノマーに由来するブロックを得た後、更に、上記架橋性官能基を含有するモノマーを加えて共重合すること等により、上記架橋性官能基を含有する上記ブロック共重合体を得ることができる。
カルボキシ基を含有する上記ブロック共重合体を製造する場合、上記架橋性官能基を含有する上記化合物としては、例えば、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等の不飽和カルボン酸が挙げられる。
酸無水物基を含有する上記ブロック共重合体を製造する場合、上記架橋性官能基を含有する上記化合物としては、例えば、マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、シトラコン酸無水物等の酸無水物が挙げられる。

上記ベースポリマーは、上記ブロック共重合体中の二重結合（不飽和結合）が水素添加により飽和結合に変換された上記ブロック共重合体の水素添加体である。例えば、上記ブロック共重合体中の上記共役ジエンモノマーに由来する構造としての１，３－ブタジエンに由来する構造の二重結合（不飽和結合）が水素添加されると、エチレン－ブチレン構造に変換される。
上記ベースポリマーを得る方法としては、例えば、以下に示す方法等が挙げられる。
即ち、上記ブロック共重合体を重合体濃度５質量％になるよう精製乾燥したシクロヘキサンに溶解した後、撹拌下で水素ガス供給圧０．７ＭＰａ－Ｇａｕｇｅ、反応温度８０℃で水素添加反応を開始し、水素の吸収が終了した時点で、反応溶液を常温、常圧に戻し、反応容器から抜き出すことで上記ベースポリマーを得る方法等が挙げられる。
上記水素添加の比率（水素添加率）は特に限定されないが、部分的に水素添加されていてもよく、大部分が水素添加されていてもよい。
なお、水素添加の比率（水素添加率）は、重水素化クロロホルムを溶媒として用い、２０Ｈｚでの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定して算出することができる。

上記ベースポリマーは市販品を用いてもよく、市販品としては、例えば、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）の市販品が挙げられる。より具体的には、ＦＧ１９２４、ＦＧ１９０１、Ｇ１６７５、Ｇ１６５２（いずれもクレイトンポリマー社製）、Ｍ１９４３、Ｍ１９１３、Ｍ１９１１、Ｃ５０２５、Ｈ１２２１（いずれも旭化成社製）、ＤＹＮＡＲＯＮ８３００Ｐ、ＤＹＮＡＲＯＮ８６００Ｐ（いずれもＥＮＥＯＳマテリアル社製）等が挙げられる。

上記第１の粘着層は、上記ベースポリマーが架橋された架橋生成物を含有する。上記ベースポリマーが架橋されることで、上記第１の粘着層の凝集力を高めることができ、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。
上記ベースポリマーの架橋方法は特に限定されないが、例えば、架橋剤や電子線（ＥＢ）照射による架橋等が挙げられる。なかでも、架橋剤による架橋が好ましい。

上記架橋剤は特に限定されないが、上記ベースポリマー中の上記架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記ベースポリマー中の上記架橋性官能基がカルボキシ基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、上記第１の粘着層のゲル分率、引張弾性率、破断強度等を後述する範囲に調整しやすいことから、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤が好ましい。更にチップ部品の剥離性能がより向上する観点から、エポキシ系架橋剤がより好ましい。

上記ベースポリマーを電子線照射により架橋する場合、例えば、以下の方法により行うことができる。
即ち、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの離型処理面上に、粘着剤溶液を塗工し乾燥させて第１の粘着層を形成した後、第１の粘着層に電子線照射装置（ＮＨＶコーポレーション社製、「ＥＢＣ－２００」）等を用いて電子線照射を行うことにより、上記ベースポリマーを架橋することができる。

上記第１の粘着層は、レーザー光を照射することでアブレーションによる変形を生じる観点からは、適度な紫外線吸収率を有することが好ましい。上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率（以下、単に「第１の粘着層の紫外線吸収率」と示すこともある。）は特に限定されないが、好ましい下限が９０％である。上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上であれば、上記第１の粘着層においてレーザー光の刺激が効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形が起こりやすくなり、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率のより好ましい下限は９９％である。上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの好ましい紫外線吸収率の上限は特にないが、実質的には９９．９％程度が上限である。
なお、上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率は、例えば、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。

上記紫外線吸収剤は、上記第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率を上記範囲に調整できれば特に限定されず、常温で固体状の紫外線吸収剤でもよいが、常温で液状の紫外線吸収剤が好ましい。上記第１の粘着層が常温で液状の紫外線吸収剤を含有することで、上記第１の粘着層の引張弾性率、破断強度等を後述する範囲に調整しやすいことから、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。また、上記紫外線吸収剤が常温で液状であれば、上記紫外線吸収剤が析出しにくくなり、半導体製造工程用粘着テープの保持性能がより向上する。
なお、本明細書において常温とは、２０℃以上２５℃以下の温度範囲を意味する。

上記紫外線吸収剤は特に限定されないが、例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤等が挙げられる。また、例えば、メトキシケイヒ酸エチルヘキシル、メトキシケイヒ酸オクチル、パラメトキシ桂皮酸エチルヘキシル、ジエチルアミノヒドロキシベンゾイル安息香酸ヘキシル、ビスエチルヘキシルオキシフェノールメトキシフェニルトリアジン、ｔ－ブチルメトキシジベンゾイルメタン等が挙げられる。なかでも、上記第１の粘着層において他の成分との相溶性に優れる観点から、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤が好ましい。これらの紫外線吸収剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記紫外線吸収剤の含有量は特に限定されないが、上記第１の粘着層に含まれるベースポリマーと後述するタッキファイヤーの混合物１００質量部に対して、好ましい下限は４質量部、好ましい上限は４０質量部である。上記紫外線吸収剤の含有量が４質量部以上であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量が４０質量部以下であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の保持性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量のより好ましい下限は８質量部、更に好ましい下限は１５質量部であり、より好ましい上限は３５質量部、更に好ましい上限は３０質量部である。

上記第１の粘着層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは特に限定されないが、常温で固体状のタッキファイヤーであってもよく、常温で液状のタッキファイヤーであってもよい。上記第１の粘着層が上記タッキファイヤーを含有することで、上記第１の粘着層のゲル分率、引張弾性率、破断強度等を後述する範囲に調整しやすく、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の保持性能がより向上する。

上記常温で固体状のタッキファイヤーは特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、石油樹脂等が挙げられる。
上記常温で液状のタッキファイヤーは特に限定されないが、例えば、液状ロジンエステル、液状テルペンフェノール等が挙げられる。

上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されないが、上記第１の粘着層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して、好ましい下限が１０質量部である。上記タッキファイヤーの含有量が１０質量部以上であることで、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の保持性能がより向上する。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい下限は１５質量部、更に好ましい下限は２０質量部である。
また、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能の観点から、上記タッキファイヤーの含有量の好ましい上限は３０質量部である。

上記第１の粘着層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第１の粘着層の凝集力を高めることができ、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。

上記第１の粘着層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第１の粘着層は特に限定されないが、感圧粘着層であることが好ましい。また、上記第１の粘着層は、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点からは、熱硬化型、光硬化型等の硬化型粘着層であってもよい。

上記第１の粘着層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限は４０質量％である。上記ゲル分率が４０質量％以上であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上する。上記第１の粘着層のゲル分率のより好ましい下限は５０質量％、更に好ましい下限は６０質量％である。
また、上記第１の粘着層のゲル分率の好ましい上限は９５質量％である。上記ゲル分率が９５質量％以下であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の保持性能がより向上する。上記第１の粘着層のゲル分率のより好ましい上限は９０質量％、更に好ましい上限は８０質量％である。
なお、上記第１の粘着層のゲル分率は、以下の方法により測定することができる。
半導体製造工程用粘着テープから粘着層（粘着剤）のみをＷ_０（ｇ）取り出し、トルエン５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、トルエンとトルエンを吸収し膨潤した粘着剤を分離する。分離後の粘着剤を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤の質量Ｗ_１（ｇ）を測定し、下記式を用いて上記第１の粘着層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期粘着剤質量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤質量、Ｗ_２：金属メッシュの初期質量）

上記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率（以下、単に「第１の粘着層の引張弾性率」と示すこともある。）は特に限定されないが、好ましい下限は０．９ＭＰａである。上記第１の粘着層の引張弾性率が０．９ＭＰａ以上であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上する。上記第１の粘着層の引張弾性率のより好ましい下限は０．９５ＭＰａ、更に好ましい下限は１．０ＭＰａである。
また、上記第１の粘着層の引張弾性率の好ましい上限は２ＭＰａである。上記第１の粘着層の引張弾性率が２ＭＰａ以下であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の保持性能がより向上する。上記第１の粘着層の引張弾性率のより好ましい上限は１．５ＭＰａである。
なお、上記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率は、例えば、以下の方法により算出できる。
即ち、打ち抜き刃（高分子計器社製、「引張３号形ダンベル状」）等を用いて、上記第１の粘着層をダンベル上に打ち抜いて試験片を作製する。得られた試験片を、例えば、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」）等を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で掴み具間距離２５ｍｍに固定し、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで測定し試験片を引っ張る。掴み具間距離が２５ｍｍを０％、５０ｍｍを１００％とし、０％から１００％の歪みと０％から１００％の応力のデータの回帰直線の傾きから引張弾性率を算出することができる。

上記第１の粘着層の破断強度は特に限定されないが、好ましい下限が３ＭＰａである。上記第１の粘着層の破断強度が３ＭＰａ以上であれば、レーザーアブレーションによりチップ部品が剥離する際に上記第１の粘着層がよりちぎれにくくなり、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記第１の粘着層の破断強度のより好ましい下限は４ＭＰａ、更に好ましい下限は５ＭＰａである。
上記第１の粘着層の破断強度の上限は特に限定されないが、上記第１の粘着層の破断強度が高すぎると半導体製造工程用粘着テープのチップ部品の剥離性能が低下することから、好ましい上限は２０ＭＰａ、より好ましい上限は１５ＭＰａ、更に好ましい上限は１０ＭＰａである。
なお、上記第１の粘着層の破断強度は、例えば、以下の方法により算出できる。
即ち、打ち抜き刃（高分子計器社製、「引張３号形ダンベル状」）等を用いて、上記第１の粘着層をダンベル上に打ち抜いて試験片を作製する。得られた試験片を、例えば、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」）等を用いて温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で掴み具間距離２５ｍｍに固定し、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで試験片を引っ張った際の破断時の応力から算出することができる。

なお、上記第１の粘着層の引張弾性率、及び、上記第１の粘着層の破断強度の算出においては、基材層を取り除き、第１の粘着層のみを分離した後に、第１の粘着層の試験片を作製し、測定を行う。基材層を取り除く方法としては、粘着層の変性を避けるため、溶剤を用いた処理、化学反応を伴う処理、高温での処理等を避ける限りにおいて特に限定されない。具体的な方法としては、第１の粘着層同士を貼り合わせた後、適切な温度及び剥離速度を選択し、引き剥がすことによって基材層と第１の粘着層とを剥離し、基材層を取り除く方法、又は、基材層を物理的に研削する方法を選択することができる。また、別途作製した第１の粘着層のみからなる厚み０．５ｍｍ程度のシートを用いて試験片を作製してもよい。

上記第１の粘着層のゲル分率、引張弾性率、破断強度等を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記第１の粘着層に含まれる上記ベースポリマーの組成及び重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類及び量、上記紫外線吸収剤の種類及び量、並びに、上記タッキファイヤーの種類及び量を上述したように調整する方法等が挙げられる。

本発明の半導体製造工程用粘着テープは、基材層を有する。
上記基材層を有することにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープは、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとなる。
上記基材層は特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記基材層の紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限は１％、より好ましい下限は５０％、更に好ましい下限は８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい上限は特にないが、実質的には９５％程度が上限である。
なお、基材層の波長３６５ｎｍでの紫外線透過率は、例えば、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。

上記基材層は、上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率を上記範囲に調整する観点からは、樹脂フィルムであることが好ましい。
上記樹脂フィルムは特に限定されないが、耐熱性に優れることから、ポリエステルフィルムが好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等からなるフィルムが挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。また、上記樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、アクリル樹脂フィルムであることが好ましい。上記アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートからなるフィルム等が挙げられる。また、上記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等からなるフィルムも挙げられる。

上記基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１８８μｍである。上記基材層の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとすることができる。上記基材層の厚みのより好ましい下限は１２μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。

上記基材層のヘイズは特に限定されないが、レーザー光を効率よく透過させ、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記基材層のヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は１％である。上記基材層のヘイズの好ましい下限は特になく、小さいほど好ましいが、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、上記基材層のヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」）等を用いて測定することができる。

本発明の半導体製造工程用粘着テープは、上述したような基材層、及び、第１の粘着層を有していればよいが、本発明の効果を損なわない範囲で、更に他の層を有していてもよい。

本発明の半導体製造工程用粘着テープは、上記基材層と上記第１の粘着層との間に更に樹脂層を有することが好ましく、上記樹脂層は、極性官能基を有する樹脂を含有することが好ましい。
本発明の半導体製造工程用粘着テープが上記極性官能基を含有する樹脂層を有することにより、上記基材層と上記第１の粘着層との間のアンカー性が増すことから、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。

上記極性官能基は特に限定されないが、ＰＥＴフィルム等の上記基材層への密着性に優れることから、ニトリル基、カルボニル基、カルボキシ基、及び、アミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１つが好ましい。なかでも、ニトリル基、カルボニル基がより好ましい。

上記極性官能基を有する樹脂として、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、無水マレイン酸由来の酸無水物基を含有するＳＥＢＳ、アミノ基を含有するＳＥＢＳ等が挙げられる。なかでも、ＰＥＴフィルム等の上記基材層との密着性に優れ、かつ、上記第１の粘着層との密着性にも優れることから、ＮＢＲ、無水マレイン酸の酸無水物基を含有するＳＥＢＳが好ましい。

上記樹脂層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は３μｍである。上記樹脂層の厚みが上記範囲内であれば、半導体製造工程用粘着テープはチップ部品の剥離性能がより向上する。上記樹脂層の厚みのより好ましい下限は０．５μｍ、より好ましい上限は２μｍである。

上記樹脂層は、必要に応じて、可塑剤、乳化剤、軟化剤、充填剤、顔料、染料等の添加剤、その他の樹脂等を含有していてもよい。

本発明の半導体製造工程用粘着テープは、上記基材層の上記第１の粘着層を有する面と反対の面に、第２の粘着層を有していても良い。上記第２の粘着層を有すると、本発明の半導体製造工程用粘着テープをガラス基板等の支持体に容易に貼り付けることができる。

上記第２の粘着層は、上記第１の粘着層と同じ粘着層であってもよいし、異なる粘着層であってもよい。

上記第２の粘着層が上記第１の粘着層と異なる粘着層である場合、上記第２の粘着層は特に限定されないが、感圧粘着層であることが好ましい。
上記第２の粘着層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープをガラス基板等の支持体へ強く貼りつけることができるようになり、かつ、糊残りなく再剥離できるようになる観点から、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体が好ましい。
上記第２の粘着層の相分離構造は特に限定されないが、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、相分離構造はスフィア状の相分離構造が好ましい。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、ブロックＢは（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましく、なかでもブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートを含有することがより好ましい。
なお、本明細書において（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのことを意味する。

上記第２の粘着層に含まれるベースポリマーとしての上記アクリル共重合体は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を有する共重合体である。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートがより好ましい。

上記アクリル共重合体は、糊残りなく再剥離する観点から更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。

上記アクリル共重合体中、上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されないが、０．１質量％以上、３０質量％以下であることが好ましい。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５質量％、更に好ましい下限は１質量％、より好ましい上限は２５質量％、更に好ましい上限は２０質量％である。

上記アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、２０万以上、２００万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は４０万、より好ましい上限は１５０万である。

上記第２の粘着層は、更に、架橋剤を含有することが好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基がカルボキシ基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、強粘着性と再剥離性との両立の観点から、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤が好ましい。

上記架橋剤の含有量は特に限定されず、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の量、及び、上記架橋剤の含有量を調整することで、上記第２の粘着層の架橋度（ゲル分率）を調整することができる。上記架橋剤の含有量は、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して０．０１質量部以上、１０質量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１質量部、より好ましい上限は５質量部であり、更に好ましい下限は０．１５質量部、更に好ましい上限は３質量部である。

上記第２の粘着層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは特に限定されないが、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記タッキファイヤーの紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。紫外線透過率が高い観点から、水素添加されたタッキファイヤーが好ましい。

上記タッキファイヤーは特に限定されず、例えば、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。なかでも水素添加ロジンエステル、水素添加テルペンフェノール、水素添加テルペン樹脂が好ましい。

上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されないが、再剥離性の観点から、上記第２の粘着層に含有されないことが好ましい。上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して１０質量部以下であることが好ましい。上記常温で固体状のタッキファイヤーの含有量が上記範囲であると再剥離時に糊残りしにくい。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい上限は５質量部、更に好ましい上限は３質量部である。

上記第２の粘着層は、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。

上記第２の粘着層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第２の粘着剤の凝集力が向上し、強粘着性と再剥離性との両立がしやすくなる。

上記第２の粘着層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第２の粘着層の粘着力は特に限定されないが、好ましい下限が０．８Ｎ／２５ｍｍである。上記第２の粘着層の粘着力が０．８Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記第２の粘着層の粘着力のより好ましい下限は２Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい下限は６Ｎ／２５ｍｍ、更により好ましい下限は１２Ｎ／２５ｍｍである。
また、上記第２の粘着層の粘着力の上限は特に限定されないが、再剥離性の観点から、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は１８Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい上限は１６Ｎ／２５ｍｍである。
なお、上記第２の粘着層の粘着力は、例えば、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付け、３０分間静置した後、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－５００ＮＸ」）等を用いて、粘着テープを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き剥がして１８０°剥離強度を測定することで得られる。

上記第２の粘着層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が３０質量％、好ましい上限が９０重量％である。上記第２の粘着層のゲル分率が３０質量％以上であれば、再剥離時に糊残りが生じにくい。上記第２の粘着層のゲル分率が９０質量％以下であれば、粘着力を高く調整しやすい。上記第２の粘着層のゲル分率のより好ましい下限は４０質量％、より好ましい上限は８０質量％である。
なお、上記第２の粘着層のゲル分率は、以下の方法により測定することができる。
半導体製造工程用粘着テープから上記第２の粘着層（粘着剤）のみを０．１ｇ取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した粘着剤を分離する。分離後の粘着剤を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤の質量を測定し、下記式を用いて上記第２の粘着層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期粘着剤質量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤質量、Ｗ_２：金属メッシュの初期質量）
ただし、上記第２の粘着剤が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的には上記第２の粘着剤が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。

上記第２の粘着層の粘着力、ゲル分率等を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記第２の粘着層に含まれるベースポリマーの組成又は重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類又は量を上述したように調整する方法等が挙げられる。

上記第２の粘着層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が３０μｍである。上記第２の粘着層の厚みが３μｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記第２の粘着層の厚みが３０μｍ以下であれば、再剥離しやすくすることができる。上記第２の粘着層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は２０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は１２μｍである。

本発明の半導体製造工程用粘着テープの可視光線透過率は特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、適度な可視光線透過率を有することが好ましい。上記可視光線透過率の好ましい下限は５０％、より好ましい下限は８０％である。上記可視光線透過率の好ましい上限は特にないが、実質的な上限は９５％程度である。
本発明の半導体製造工程用粘着テープのヘイズは特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記ヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は３％である。上記ヘイズの好ましい下限は特にないが、小さいほど好ましく、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、半導体製造工程用粘着テープの可視光線透過率及びヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」）等を用いて測定することができる。

本発明の半導体製造工程用粘着テープの用途は特に限定されないが、レーザー光を照射する工程を有する半導体の製造に好適に用いられる。本発明の半導体製造工程用粘着テープは、厚みの薄いチップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができることから、チップ部品の転写に更に好適に用いられる。上記厚みの薄いチップ部品は特に限定されないが、例えば、ＭｉｎｉＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤチップ、イメージセンサーの光学チップ等が挙げられ、特にマイクロＬＥＤチップが好ましい。

本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いたチップ部品の転写方法は特に限定されず、例えば、本発明の半導体製造工程用粘着テープの粘着層上にチップ部品を配置する工程と、レーザー光を照射し、上記チップ部品を剥離させる工程とを含む、チップ部品の転写方法等が挙げられる。
また、本発明の粘着テープを用いたレーザー光を照射する工程を有する半導体の製造方法も特に限定されず、例えば、上記のようなチップ部品の転写方法を含む、半導体等の電子機器部品の製造方法等が挙げられる。これらの方法によれば、チップ部品を歩留まりよく転写することができ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。

本発明によれば、チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供することができる。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（粘着剤Ａ）
ベースポリマーとして無水マレイン酸由来の酸無水物基を含有するスチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（無水マレイン酸由来の酸無水物基を含有するＳＥＢＳ）であるＦＧ１９２４（クレイトンポリマー社製）を固形分率が１５質量％になるようトルエンに溶解させた。ベースポリマー１００質量部に対して、タッキファイヤーとしてアルコンＰ－１２５（水素化石油樹脂、荒川化学工業社製）２０質量部、紫外線吸収剤として常温で粉末状のＴｉｎｕｖｉｎ ９２８（２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－（１－メチル－１－フェニルエチル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、ＢＡＳＦジャパン社製）９．６質量部を加えて充分に撹拌した後、架橋剤としてテトラッドＣ（１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、三菱ガス化学社製）１質量部を加えて更に充分に撹拌し、粘着剤Ａの粘着剤溶液を得た。

（粘着剤Ｂ～Ｑ）
ベースポリマーの組成、タッキファイヤーの種類又は量、紫外線吸収剤の種類又は量、及び、架橋剤の種類又は量を表１～２に示すように変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして、粘着剤溶液を得た。
なお、ベースポリマーとして用いたＣ５０２５（旭化成社製）は無水マレイン酸由来の酸無水物基を含有するＳＥＢＳであり、ＤＹＮＡＲＯＮ ８３００Ｐ（ＥＮＥＯＳマテリアル社製）は、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）である。
タッキファイヤーとして用いたＹＳレジンＰＸ１２５０（ヤスハラケミカル社製）は、テルペン樹脂である。
Ｔｉｎｕｖｉｎ ４００（ＢＡＳＦジャパン社製）は、常温で液状の、主成分が２－［４，６－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジン－２－イル］－５－［３－（ドデシルオキシ）－２－ヒドロキシプロポキシ］フェノールの紫外線吸収剤であり、Ｔｉｎｕｖｉｎ ４６０（ＢＡＳＦジャパン社製）は、常温で粉末の、主成分が２－［４，６－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジン－２－イル］－５－［３－（ドデシルオキシ）－２－ヒドロキシプロポキシ］フェノールの紫外線吸収剤であり、ＲＩＡＳＯＲＢ ＵＶ３８４－２（リャンロン社製）は、常温で液状の、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤である。
架橋剤として用いたタケネートＤ１０１Ｅ（三井化学社製）は、イソシアネート系架橋剤である。

（粘着剤Ｒ）
（１）アクリル共重合体（１）の調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２質量部を入れて、窒素置換した後、反応器を加熱して還流を開始した。酢酸エチルが沸騰してから、３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０８質量部を投入した。ここにｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）９８質量部、アクリル酸（ＡＡｃ）２質量部からなるモノマー混合物を１時間３０分かけて、均等かつ徐々に滴下し反応させた。滴下終了３０分後にアゾビスイソブチロニトリル０．１重量部を添加し、更に５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、固形分率３０質量％のアクリル共重合体（１）の溶液を得た。
得られたアクリル共重合体（１）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。

（２）粘着剤溶液の調製
得られたアクリル共重合体（１）を固形分率が１５質量％になるよう酢酸エチルに溶解させた。アクリル共重合体（１）１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤としてコロネートＬ（東ソー社製）３．６質量部を加えて更に充分に撹拌し、粘着剤Ｒの粘着剤溶液を得た。

（粘着剤Ｓ）
アクリル共重合体の組成、及び、架橋剤の種類又は量を表３に示すように変更したこと以外は粘着剤Ｒと同様にして、アクリル共重合体（２）を含む粘着剤Ｓの粘着剤溶液を得た。

なお、表３に示す（メタ）アクリル系モノマー、架橋性官能基含有モノマーは以下のものを示す。
・ＢＡ：ｎ－ブチルアクリレート
・２－ＥＨＡ：２－エチルヘキシルアクリレート
・ＭＡ：メチルアクリレート
・ＡＡｃ：アクリル酸

（実施例１）
（１）粘着テープの製造
得られた粘着剤Ａの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚みが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工した後、１１０℃で３分間乾燥させて、第１の粘着層を形成することにより、第１の粘着層と基材層とを有する粘着テープを得た。

（２）第１の粘着層のゲル分率の測定
粘着テープから第１の粘着層（粘着剤）のみをＷ_０（ｇ）取り出し、トルエン５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうした。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、トルエンとトルエンを吸収し膨潤した粘着剤を分離した。分離後の粘着剤を１１０℃の条件下で１時間乾燥させた。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤の質量Ｗ_１（ｇ）を測定し、下記式を用いて第１の粘着層のゲル分率（質量％）を算出した。結果を表４に示した。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期粘着剤質量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤質量、Ｗ_２：金属メッシュの初期質量）

（３）第１の粘着層の２３℃における引張弾性率の測定
第１の粘着層のみからなる厚み０．５ｍｍのシートを別途作製した。打ち抜き刃（高分子計器社製、「引張３号形ダンベル状」）を用いて、上記第１の粘着層のシートをダンベル上に打ち抜いて試験片を作製した。得られた試験片を、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」）を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で掴み具間距離２５ｍｍに固定し、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで試験片を引っ張り、掴み具間距離が２５ｍｍを０％、５０ｍｍを１００％とし、０％から１００％の歪みと０％から１００％の応力のデータの回帰直線の傾きから引張弾性率（ＭＰａ）を算出した。結果を表４に示した。

（４）第１の粘着層の破断強度の測定
第１の粘着層のみからなる厚み０．５ｍｍのシートを別途作製した。打ち抜き刃（高分子計器社製、「引張３号形ダンベル状」）を用いて、上記第１の粘着層のシートをダンベル上に打ち抜いて試験片を作製した。得られた試験片を、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」）を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で掴み具間距離２５ｍｍに固定し、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで試験片を引っ張った際の破断時の応力から破断強度（ＭＰａ）を算出した。結果を表４に示した。

（５）第１の粘着層の紫外線吸収率の測定
分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて第１の粘着層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率（％）を測定した。結果を表４に示した。

（実施例２）
基材層としてコロナ処理がなされた厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）であるＮｉｐｏｌ１０４２（日本ゼオン社製）をメチルエチルケトンに溶液濃度が５質量％となるように加えて攪拌し調整した樹脂溶液を、乾燥皮膜の厚みが２μｍとなるように上記基材層の一方の面に塗工して１１０℃で３分間乾燥することにより、基材層と樹脂層からなる積層体を作製した。
次いで、厚み５０μｍの離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの離型処理面上に、得られた粘着剤Ａの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚みが５０μｍとなるようにアプリケーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥させて、第１の粘着層を形成することにより、粘着シートを作製した。
そして、得られた粘着シートを第１の粘着層が樹脂層に対向した状態となるように基材層と樹脂層からなる積層体に積層することにより、樹脂層を介して第１の粘着層を基材層に転写及び積層一体化させ、基材層と樹脂層と第１の粘着層とを有する粘着テープを得た。
なお、第１の粘着層のゲル分率、第１の粘着層の２３℃における引張弾性率、第１の粘着層の破断強度、及び、第１の粘着層の紫外線吸収率は、実施例１と同様の方法で測定した。結果を表４に示した。

（実施例３～１２、１４～１８、比較例１～３）
各層について表４～５、７に示したとおりに変更したこと以外は実施例１と同様にして、粘着テープを得て測定を行なった。結果を表４～５、７に示した。

（実施例１３）
得られた粘着剤Ｋの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚みが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工した。次いで、電子線照射装置（ＮＨＶコーポレーション社製、「ＥＢＣ－２００」）を用いて、加速電圧は１５０ｋＶ、電子線照射強度は３００ｋＧｙの条件で電子線を照射してベースポリマーの架橋を進行させ、第１の粘着層を形成することで、第１の粘着層と基材層とを有する粘着テープを得た。
また、第１の粘着層のゲル分率、第１の粘着層の２３℃における引張弾性率、第１の粘着層の破断強度、及び、第１の粘着層の紫外線吸収率は、実施例１と同様の方法で測定した。結果を表５に示した。

（実施例１９）
（１）両面粘着テープの製造
一面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面上に得られた粘着剤Ｒの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃で３分間乾燥させて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面に第２の粘着層を有する積層フィルム（ｒ）を作製した。
実施例１と同様にして粘着テープを作製し、得られた粘着テープにおける基材の第１の粘着層を有する面と反対側の表面に、作製した積層フィルム（ｒ）の第２の粘着層をラミネートすることで、基材層と、基材層の一方の面に第１の粘着層と、基材層の第１の粘着層を有する反対の面に第２の粘着層とを有する両面粘着テープを得た。
なお、第１の粘着層のゲル分率、第１の粘着層の２３℃における引張弾性率、第１の粘着層の破断強度、及び、第１の粘着層の紫外線吸収率については、実施例１と同様の方法で測定した。結果を表６に示した。
また、第２の粘着層のゲル分率を、溶媒をトルエンから酢酸エチルに変更した以外は上述した「（２）第１の粘着層のゲル分率の測定」と同様の方法で測定した。結果を表６に示した。

（２）第２の粘着層の粘着力
上記の方法で得られた両面粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、両面粘着テープの第１の粘着層の表面に３０ｍｍ幅に裁断した厚み２５μｍのＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、第２の粘着層の表面を、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付けた。その後、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－５００ＮＸ」）を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、両面粘着テープの第２の粘着層を３００ｍｍ／ｍｉｎの速度でガラス板から１８０°方向に引き剥がし、１８０°粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。結果を表６に示した。

（実施例２０）
各層について、表６に示したとおりに変更したこと以外は実施例１９と同様にして、粘着テープを得て、測定を行なった。結果を表６に示した。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた粘着テープ、両面粘着テープについて以下の評価を行った。結果を表４～７に示した。

（１）レーザーアブレーション評価
（１－１）チップ部品の保持性能及び剥離性能
Ｓｉチップ（２０μｍ×４０μｍ角、厚み８μｍ）が１０個配列されたウエハのＳｉチップ側の面に、得られた粘着テープの第１の粘着層を貼り合わせた。その後、ウエハを剥離することで、Ｓｉチップを粘着テープ上へ配置した。半導体固体レーザーを用いて、出力４Ｗ、４ＫＨｚの３６５ｎｍのレーザー光を粘着テープの基材層側から各Ｓｉチップに照射して、Ｓｉチップを粘着テープから剥離した。
ウエハから粘着テープ上にＳｉチップがすべて配置できた場合を「◎」、８～９個のＳｉチップを粘着テープ上に配置できた場合を「○」、粘着テープ上に配置できたＳｉチップが７個以下であった場合を「△」としてチップ部品の保持性能を評価した。
粘着テープから１０個のＳｉチップをすべて剥離できた場合を「◎」、８～９個のＳｉチップを粘着テープから剥離できた場合を「○」、７個のＳｉチップを粘着テープから剥離できた場合を「△」、粘着テープから剥離できたＳｉチップが６個以下であった場合を「×」としてチップ部品の剥離性能を評価した。
なお、粘着テープが第２の粘着層を有する実施例１９、２０の両面粘着テープの場合は、第２の粘着層を厚み２ｍｍのガラス支持体に貼り合わせた後、ガラス支持体を貼り合わせた粘着テープの第１の粘着層をＳｉチップが配列されたウエハに貼り合わせ、評価を行った。

（１－２）残渣
チップ部品の保持性能及び剥離性能を評価した後、粘着テープから剥離したすべてのＳｉチップの表面を顕微鏡にて観察し、残渣（糊残り）の有無を確認した。残渣が全くなかった場合を「◎」、剥離したすべてのＳｉチップの表面の面積の合計２０％未満に残渣があった場合を「〇」、剥離したすべてのＳｉチップの表面の面積の合計２０％以上に残渣があった場合を「×」として残渣を評価した。

（１－３）ガラス支持体からの剥離
実施例１９～２０について、チップ部品の保持性能及び剥離性能を評価した後、粘着テープとガラス支持体との界面を顕微鏡（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」、倍率１００倍）にて観察し、第２の粘着層のガラス支持体からの剥離の有無を確認した。剥離がなかった場合を「〇」、剥離があった場合を「×」としてガラス支持体からの剥離を評価した。
なお、当該評価が「×」であっても、本発明の半導体製造工程用粘着テープは用途によっては問題なく使用することができる。

本発明によれば、チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供することができる。

Claims (13)

1. 基材層と、前記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有し、
   前記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、
   前記第１の粘着層の厚みは、２０μｍ未満である
   半導体製造工程用粘着テープ。
2. 前記第１の粘着層のゲル分率が４０質量％以上である請求項１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
3. 前記ブロック共重合体中の前記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が３１質量％以下である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
4. 前記ブロック共重合体が、架橋性官能基を含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
5. 前記架橋生成物は、前記ベースポリマーがエポキシ系架橋剤及び／又はイソシアネート系架橋剤で架橋された架橋生成物である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
6. 前記第１の粘着層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
7. 前記紫外線吸収剤は、２０℃以上２５℃以下の温度範囲で液状である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
8. 前記第１の粘着層は、タッキファイヤーを含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
9. 前記タッキファイヤーは、前記ベースポリマーを１００質量部に対して、１０質量部以上含む請求項８記載の半導体製造工程用粘着テープ。
10. 前記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率が、０．９ＭＰａ以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
11. 前記基材層は、ポリエステルフィルムを含む請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
12. 前記第１の粘着層と前記基材層との間に更に樹脂層を有し、該樹脂層は極性官能基を有する樹脂を含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
13. 前記基材層の前記第１の粘着層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着層を有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。