JP2015072997A - 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〔1〕基材と、その片面に設けられた粘着剤層とからなり、
基材がポリブチレンテレフタレートフィルムまたはその積層物であり、
粘着剤層が、エネルギー線硬化性重合体を含み、
該エネルギー線硬化性重合体が、その構成する単量体の全質量中、メチル(メタ)アクリレートの質量割合が8質量%以上であるアクリル系重合体にエネルギー線硬化性基を付加したものである、電子部品加工用粘着シート。
その結果、洗浄工程後においても、ダイシング工程やピックアップ工程等を良好に行うことができ、半導体装置の生産効率の向上に寄与しうる。
基材はポリブチレンテレフタレートフィルムまたはその積層物である。ポリブチレンテレフタレートからなる基材は、d−リモネン、1−ドデセンやメンタンなどの低極性溶剤に耐性を有し、低極性溶剤に接触しても溶解、膨潤ないし変形しにくい。そのため、基材の変形に伴う粘着剤層の変形を抑制し、ウエハやチップなどの被着体が脱落することを防止できる。また、ポリブチレンテレフタレートからなる基材を用いることで、基材の剛性が過度に大きくなることを抑制し、被着体のピックアップを行うことが容易になる。
本発明における粘着剤層は、エネルギー線硬化性重合体を含む。エネルギー線硬化性重合体は、重合体の主鎖または側鎖にエネルギー線硬化性基が結合されてなり、粘着性およびエネルギー線照射(たとえば、紫外線照射や電子線照射)により硬化する性質を有する。エネルギー線硬化性重合体は高分子量体であるため、有機溶剤と接触しても有機溶剤中に溶出し難い。そのため、配合することによる粘着剤層の有機溶剤に対する耐性の低下が起こりにくい。
メチル(メタ)アクリレートの質量割合を前記範囲とすることで、粘着剤層の極性が高くなり、低極性溶剤への耐性が向上し、かつ粘着剤層に十分な粘着力が付与される。また、メチル(メタ)アクリレートの質量割合を前記範囲の上限以下とすることで、粘着剤層表面における接触角を後述の範囲に調整することが容易となる。なお、本明細書において、(メタ)アクリルは、アクリルおよびメタクリルの両者を包含した意味で用いる。
このような(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、たとえば、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、ペンタデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。上記の(メタ)アクリル酸アルキルエステルは1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
アクリル系重合体を構成する単量体の全質量中、上記の(メタ)アクリル酸アルキルエステルの質量割合は、好ましくは40〜80質量%、より好ましくは50〜70質量%である。
これらの(メタ)アクリル酸アルキルエステルの中でも、粘着剤層表面における接触角を後述の範囲に調整することが容易になるという観点から、アルキル基の炭素数が12以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを用いることが好ましく、具体的には、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、ペンタデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレートを用いることが好ましく、ドデシル(メタ)アクリレートを用いることがより好ましい。
カルボキシル基含有不飽和化合物のさらに具体的な例としては、(メタ)アクリル酸、イタコン酸等が挙げられる。
上記の官能基含有単量体は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いてもよい。
得られるエネルギー線硬化性重合体には、後述する架橋剤との反応点とするために、未反応の官能基を少量残留させることが好ましい。すなわち、アクリル系重合体の官能基含有単量体から導かれる構成単位100モル中、通常50〜100モル、好ましくは60〜95モル、より好ましくは70〜90モルが重合性基含有化合物により置換される。重合性基含有化合物は、アクリル系重合体の官能基含有単量体から導かれる構成単位100モル当たり、上記範囲で用いることが好ましく、重合性基含有化合物の使用量を上記範囲とすることで、粘着剤層の粘着力を制御することができる。
このような高分子量の光重合開始剤を用いると、光などの放射線を照射して粘着剤層を硬化させる際に、この粘着剤層が発熱したときでも、熱による揮散や分散などに起因した臭気の発生がみられなくなり、また粘着剤層が適度な凝集力を有するものとなって、剥離時にウエハへの糊残りが少なくなり、ウエハ汚染が防がれる。
有機膜としては、ポリイミド膜やエポキシ膜が挙げられる。
粘着剤層表面における接触角は、エネルギー線硬化性重合体を構成する単量体の種類や配合比により制御できる。具体的には、メチル(メタ)アクリレートの配合比を調整する方法や、アルキル基の炭素数の比較的大きな(メタ)アクリル酸アルキルエステル(具体的には、アルキル基の炭素数が12以上)を用いる方法が挙げられる。
本発明に係る電子部品加工用粘着シートは、ウエハを個片化する際にウエハおよび生成するチップを保持するために用いられるダイシングシート、あるいは個片化されたチップ群が転写され、その後にチップをピックアップするために用いられるピックアップシートとして好ましく用いられる。チップはダイシングシートやピックアップシートから剥離された後、常法にしたがって、回路基板等に組み込まれ、半導体装置が得られる。
2μmの厚さのポリイミド膜の形成されたシリコンウエハ(直径12インチ、厚み50μm)と、ポリイミド膜の形成されていないシリコンウエハ(ドライポリッシュ仕上げ、直径8インチ、厚み50μm)を準備した。
各シリコンウエハを実施例および比較例で作成した粘着シートの粘着剤層に貼付した。なお、ポリイミド膜の形成されたシリコンウエハに対しては、ポリイミド膜面に粘着シートの粘着剤層を貼付した。また、粘着シートの外周部をリングフレームに貼付した。
ポリイミド膜の形成されたTSVウエハ(ウエハの厚み:40μm、ウエハ表面からのTSVの高さ:5μm)と、ポリイミド膜の形成されていないTSVウエハ(ウエハの厚み:40μm、ウエハ表面からのTSVの高さ:5μm)を準備した。
各TSVウエハを実施例および比較例で作成した粘着シートの粘着剤層に貼付した。また、粘着シートの外周部をリングフレームに貼付した。その後、各TSVウエハのダイシングを行い、8mm×8mmのチップを得た。
なお、ポリイミド膜の形成されたウエハについては、ポリイミド膜面に粘着剤層を貼付した。
滴下溶剤として水を用い、実施例および比較例で作成した粘着シートの粘着剤層に、2μlの量の水を滴下した。なお、滴下前に粘着剤層に紫外線照射を行った。粘着剤層表面において、25℃における水に対する接触角を、自動接触角計(株式会社アールデック製 Kruss DSA100)を用いて測定した。
実施例および比較例で作成した粘着シートの粘着剤層に、片面がミラー研磨されたシリコンウエハ(直径8インチ、厚み50μm)のミラー面を貼付した(23℃、貼付圧0.3MPa、貼付速度5mm/秒)。また、粘着シートの外周部にリングフレームを同条件で貼付した。
低極性溶剤としてd−リモネン(SP値:8.2(cal/cm3)1/2)を用い、上記のシリコンウエハとリングフレームと粘着シートとの積層体を低極性溶剤に、室温で10分、60分の条件で浸漬した。その後、ウエハと粘着シートの間における低極性溶剤の浸み込み幅を測定し、テープの厚みに関する外観変化の観察を行った。なお、粘着シートのリングフレームに貼付した部分の全部又は一部が剥がれた場合には、「脱落」とした。
〔粘着剤組成物の作製〕
ドデシルアクリレート/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート/アクリル酸=69/10/20/1(質量比)を反応させ、エネルギー線硬化性重合体の前駆体としてアクリル系重合体を得た。
次いで、該アクリル系重合体100g当たり21.4g(アクリル系重合体の2−ヒドロキシエチルアクリレート単位100モル当たり80モル)のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性重合体(重量平均分子量:60万)を得た。
上記で得られたエネルギー線硬化性重合体100質量部に対して、光重合開始剤(α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製 イルガキュア184)3質量部、及び、架橋剤(TDI−TMP トルエンジイソシアネートとトリメチロールプロパントリアクリレートとの付加物)7質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物を得た。
なお、重量平均分子量は、市販の分子量測定機(本体製品名「HLC−8220GPC」、東ソー(株)製;カラム製品名「TSKGel SuperHZM-M」、東ソー(株)製;展開溶媒 テトラヒドロフラン)を用いて得た値である(以下、同様。)。また、質量部数は溶媒希釈された荷姿のものであっても、すべて固形分換算の値である(以下、同様。)。
剥離フィルム(リンテック社製 SP−PET381031)に、上記粘着剤組成物を、乾燥後の厚みが10μmとなるように塗布・乾燥(乾燥条件:100℃、1分間)して、剥離フィルム上に形成された粘着剤層を得た。次いで、粘着剤層と基材(ポリブチレンテレフタレートフィルム、厚さ80μm)とを貼り合せ、剥離フィルムを除去して粘着シートを得た。得られた粘着シートについて、各評価を行った。結果を表1に示す。
粘着剤組成物として、以下の粘着剤組成物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。
〔粘着剤組成物の作製〕
ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート=52/28/20(質量比)を反応させ、エネルギー線硬化性重合体の前駆体としてアクリル系重合体を得た。
次いで、該アクリル系重合体100g当たり21.4g(アクリル系重合体の2−ヒドロキシエチルアクリレート単位100モル当たり80モル)のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性重合体(重量平均分子量:60万)を得た。
上記で得られたエネルギー線硬化性重合体100質量部に対して、光重合開始剤(α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製 イルガキュア184)3質量部、及び、架橋剤(TDI−TMP トルエンジイソシアネートとトリメチロールプロパントリアクリレートとの付加物)1質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物を得た。実施例2の粘着シートは、「ピックアップ力」の評価においてポリイミド膜の形成されたシリコンウエハに対して貼付した場合に「固着」が発生した。「固着」とは、チップのポリイミド膜と粘着シートの粘着剤層が強固に接着して、剥離が不可能となった状態をいう。「固着」が発生すると、チップを粘着シートから剥離することができない。また、実施例2の粘着シートは、「チップ割れ」の評価においても「固着」が生じたため、チップ割れの評価を行うことができなかった。
アクリル系重合体を、ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート/アクリル酸=69/10/20/1(質量比)を反応させて得られたアクリル系重合体に代えた以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。
アクリル系重合体を、ブチルアクリレート/ドデシルアクリレート/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート/アクリル酸=39/30/10/20/1(質量比)を反応させて得られたアクリル系重合体に代えた以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。
基材をポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ50μm)に代えた以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。
基材をエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム(厚さ50μm)に代えた以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。比較例2の粘着シートは、「外観変化」の評価において「たるみ」が発生した。「たるみ」とは、基材のしわに起因して、粘着シートにたるみが発生したことをいう。「たるみ」が発生すると、粘着シートの搬送が困難になることや、硬質支持体を剥離する際にウエハ割れの原因となることがある。
アクリル系重合体を、ドデシルアクリレート/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート/アクリル酸=74/5/20/1(質量比)を反応させて得られたアクリル系重合体に代えた以外は、実施例1と同様にして粘着シートを得、各評価を行った。結果を表1に示す。比較例3の粘着シートは、ウエハと粘着シートの間における低極性溶剤の浸み込み幅が実施例の粘着シートと比較して大きいため、粘着力が失われ、ウエハが粘着シートから脱落することがある。
Claims (6)
- 基材と、その片面に設けられた粘着剤層とからなり、
基材がポリブチレンテレフタレートフィルムまたはその積層物であり、
粘着剤層が、エネルギー線硬化性重合体を含み、
該エネルギー線硬化性重合体が、その構成する単量体の全質量中、メチル(メタ)アクリレートの質量割合が8質量%以上であるアクリル系重合体にエネルギー線硬化性基を付加したものである、電子部品加工用粘着シート。 - 粘着剤層表面において、25℃における水に対する接触角が82.5°以上である請求項1に記載の電子部品加工用粘着シート。
- 請求項1または2に記載の電子部品加工用粘着シート上に半導体ウエハを保持した状態で、該粘着シートとウエハとの積層物を有機溶剤に接触させる工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 有機溶剤のSP値が9 (cal/cm3)1/2以下である請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 接触工程が接着剤、または接着剤および支持体の除去工程である請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体ウエハが、その表面に有機膜が形成されたウエハである請求項3〜5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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