KR102521063B1

KR102521063B1 - 내용제성이 우수한 다이싱 테이프

Info

Publication number: KR102521063B1
Application number: KR1020210039171A
Authority: KR
Inventors: 임유승; 장영훈; 이지문; 이승면; 배종우
Original assignee: 율촌화학 주식회사
Priority date: 2021-03-25
Filing date: 2021-03-25
Publication date: 2023-04-13
Also published as: KR20220133709A

Abstract

본 명세서에는 반도체 웨이퍼 가공시 사용되는 내용제성이 우수한 다이싱 테이프가 개시된다.

Description

내용제성이 우수한 다이싱 테이프 {DICING TAPE WITH EXCELLENT SOLVENT RESISTANCE}

본 명세서는 반도체 웨이퍼 가공시 사용되는 다이싱 테이프에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼는, 반도체 회로면에 접착층을 통해서 지지체가 접합되어, 반도체 회로면이 보호된 상태로 다른 쪽의 면으로부터 가공된다.

그 후, 반도체 웨이퍼의 가공된 면에는, 마운트 테이프가 합지되고, 지지체가 제거되고, 쏘잉(Sawing)이 진행된다. 이 때, 쏘잉(Sawing)시에 반도체 회로면을 보호하는 방법으로서는 지지체 대신에 보호 테이프를 사용할 수 있다.

특히, 최근 TSV(Thorough Silicon Via), 즉 관통 전극이라고 불리는 반도체 웨이퍼의 상하 방향에 전기적 접속부를 형성하는 공정을 포함하는 경우, 반도체 웨이퍼가 박막이며 가공시 용제 세척을 통해 관통부를 세척하기에, 지지하고 있는 용제 세척시 필름의 변화가 없어야 한다.

현재 출시된 다이싱(Dicing) 테이프의 경우, 일반적으로 용제가 사용되는 공정이 없기에, 도막 균일성, 쏘잉(Sawing) 후 칩(chip) 안정성, UV 조사 후 칩핑(Chipping) 성 및 반도체 칩의 픽업(Pick up) 성을 위주로 개발되었고, 내용제성이 우수한 다이싱 테이프를 찾아보기 어렵다.

따라서, 현재 출시된 다이싱 테이프의 경우, 기본적으로 세척용 용제에 닿을 경우 점착제가 스웰링(Swelling)되어 용해 되거나, 세척용 용제가 침투되어 접착성, 형상 유지성 등의 물성을 저하시켜 반도체 작업에 큰 지장을 초래 한다.

KR10-0838461B1

본 명세서에서는 TSV 공정시 반도체 웨이퍼 보호에 적합한 다이싱 테이프를 제공하고자 한다.

본 명세서에서는 TSV 공정시 내용제성이 양호한 반도체 웨이퍼 보호용 다이싱 테이프을 제공하고자 한다.

본 명세서에서는 중간층 및 점착층의 성분을 특정한 함량으로 포함하여, 내용제성이 우수한 다이싱 테이프를 제공하고자 한다.

본 명세서에서는 내용제성이 우수한 다이싱 테이프를 안정적으로 제조할 수 있는, 다이싱 테이프 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 예시적인 구현예들에서는, 기재층; 상기 기재층 상에 위치하고, 아크릴계 중합제, 고무계 중합제, 실리콘계 중합제, 폴리에스테르계 중합제, 폴리아미드계 중합제, 우레탄계 중합제, 불소계 중합제, 및 스티렌-디엔 블록 공중합체계 중합제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 중합제를 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 위치하고, 아크릴계 점착제 및 고무계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 UV 점착제를 포함하는 점착층;을 포함하며, 상기 중합제의 함량은 상기 중간층 총 중량을 기준으로 80 내지 95 중량% 이상이고, 상기 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 총 중량을 기준으로 70 내지 85 중량%인, 다이싱 테이프을 제공한다.

본 발명의 또다른 예시적인 구현예들에서는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 중간층 조성물을 코팅하여 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 점착층 조성물을 코팅하여 점착층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 중간층 조성물은 아크릴계 중합제, 고무계 중합제, 실리콘계 중합제, 폴리에스테르계 중합제, 폴리아미드계 중합제, 우레탄계 중합제, 불소계 중합제, 및 스티렌-디엔 블록 공중합체계 중합제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 중합제를 포함하고, 상기 점착층 조성물은 아크릴계 점착제 및 고무계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 UV 점착제를 포함하며, 상기 중합제의 함량은 상기 중간층 조성물 총 중량을 기준으로 75 내지 95 중량% 이상이고, 상기 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 조성물 총 중량을 기준으로 65 내지 85 중량%인, 다이싱 테이프 제조방법을 제공한다.

본 발명의 일 측면에서, TSV 공정시 사용되는 반도체 웨이퍼를 보호하는 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 측면에서, UV 조사 전 반도체 웨이퍼와 부착성이 우수하고, 내 용제성이 우수하며, UV 조사 후 웨이퍼 픽업(Pick up) 성능이 안정적인 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 구현에 따른 다이싱 테이프의 단면도이다.

본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 본 명세서의 예시적인 구현예들을 상세히 설명한다.

본 명세서의 예시적인 구현예들에서는, 기재층(10); 상기 기재층 상에 위치하고, 아크릴계 중합제, 고무계 중합제, 실리콘계 중합제, 폴리에스테르계 중합제, 폴리아미드계 중합제, 우레탄계 중합제, 불소계 중합제, 및 스티렌-디엔 블록 공중합체계 중합제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 중합제를 포함하는 중간층(20); 및 상기 중간층 상에 위치하고, 아크릴계 점착제 및 고무계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 UV 점착제를 포함하는 점착층(30);을 포함하며, 상기 중합제의 함량은 상기 중간층 총 중량을 기준으로 80 내지 95 중량% 이상이고, 상기 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 총 중량을 기준으로 70 내지 85 중량%인, 다이싱 테이프을 제공한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른, 다이싱 테이프는 투명한 표면 보호 필름(테이프)로, UV 조사 전 반도체 웨이퍼(40)를 공정에서 보호하며, UV 조사 후 잔사가 남지 않는 특징을 가질 수 있다.

또한, TSV 공정시, 용제에 의해 지지체를 웨이퍼로부터 박리하는 공정을 행할 때, 시트형 수지 조성물의 측면을 통해 용제가 침투되어 점착제 또는 원단 변형을 시킬 수 있다.

구체적으로, 중간층에 상온 또는 고온에서 경화한 아크릴계 원료를 포함하고, 점착층에도 역시 아크릴계 원료를 사용하여, 웨이퍼 합지 후 용제에 30분 이상 침적한 경우, 외관 변형, 용제 침투 등을 방지하고, 나아가 공정시 반도체 수율에 영향을 미치지 않게 할 수 있다.

일 구현예에서, 상기 중합제의 함량은 상기 중간층 총 중량을 기준으로 80중량% 이상, 82중량% 이상, 84중량% 이상, 86중량% 이상, 88중량% 이상, 90중량% 이상, 92중량% 이상, 또는 94중량% 이상일 수 있고, 95 중량% 이하, 93중량% 이하, 91중량% 이하, 89중량% 이하, 87중량% 이하, 85중량% 이하, 83중량% 이하, 또는 81중량% 이하일 수 있다.

일 구현예에서, 상기 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 총 중량을 기준으로 70중량% 이상, 72중량% 이상, 74중량% 이상, 76중량% 이상, 78중량% 이상, 80중량% 이상, 82중량% 이상, 또는 84중량% 이상일 수 있고, 85중량% 이하, 83중량% 이하, 81중량% 이하, 79중량% 이하, 77중량% 이하, 75중량% 이하, 73중량% 이하, 또는 71중량% 이하일 수 있다.

일 구현예에서, 상기 기재는 점착제층 등의 지지 모체로서 이용할 수 있다. 예컨대, 종이 등의 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트, 네트 등의 섬유계 기재; 금속박, 금속판 등의 금속계 기재; 플라스틱 필름 등의 플라스틱계 기재; 고무 시트 등의 고무계 기재;발포 시트 등의 발포체; 이들의 적층체(예컨대, 플라스틱계 기재와 다른 기재의 적층체나, 플라스틱 필름끼리의(적층체) 등을 적용할 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 기재는 올레핀계 수지, 에틸렌계 공중합체, 폴리에스테르, 아크릴계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌술피드(PPS), 아미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리염화비닐리덴, ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체), 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 및 불소 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다.

예컨대, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교호) 공중합체 등의 에틸렌을 모노머 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 아크릴계 수지; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 폴리아미드(나일론), 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 아미드계 수지; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스계 수지; 실리콘 수지; 불소 수지 등을 들 수 있다.

상기 기재에 있어서, 플라스틱 필름의 경우, 무연신으로 이용할 수 있고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 이용할 수 있다. 상기 기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 화학적 또는 물리적 처리 또는 프라이머 코팅 처리를 할 수 있다.

상기 기재의 두께는, 특별히 제한되지 않고 강도나 유연성, 사용 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 기재층의 두께는 20 내지 200 μm일 수 있다. 20 μm 미만일 경우는 작업시 필름이 얇아 꺽임이 생겨 보호 필름의 역할을 수행하기 어려우며, 200 μm 초과인 경우 반도체 가공시 쏘잉(Sawing) 성, 픽업(Pick up) 성, 두께 균일도 등의 문제점을 유발할 수 있다.

상기 중간층은 중합제(또는 점착제)에 의해 형성되어 있고, 단차 흡수층으로서 소프트하게 설계할 필요가 있다. 이러한 중합제로는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 중합제 중에서 적절히 선택할 수 있다.

예컨대, 상기 중간층은 중합제 또는 점착제를 더 포함할 수 있고, 방사선경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)의 일종인 아크릴 중합제, 점착제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 중간층은 경화제, 폴리에스터계 첨가제, 반응 지연제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 반응 지연제는 아세틸 아세톤일 수 있고, 상기 촉매는 주석 촉매일 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 경화제는 이소시아네이트계 경화제, 에폭시계 경화제, 멜라민계 경화제, 과산화물계 경화제, 우레아계 경화제, 금속 알콕시드계 경화제, 금속 킬레이트계 경화제, 금속염계 경화제, 카르보디이미드계 경화제, 옥사졸린계 경화제, 아지리딘계 경화제, 및 아민계 경화제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 중간층은 점착층의 UV 점착제와 부착성이 중요하며, 단차 흡수가 우수하고, 내용제성이 우수하다.

예시적인 구현예에서, 상기 중간층의 두께는 10 내지 100 μm일 수 있다. 10㎛미만일 경우 중간층과 점착층의 부착성이 나오지 않아 층간 박리가 일어날 우려가 있으며, 100㎛초과일 경우 내 용제 침투시 용제에 의해 중간층의 결합력이 약해져 보호 필름 본래의 역할을 수행할 수 없게 된다.

예시적인 구현예에서, 상기 중간층의 점착력은 100 내지 1,000 gf/in일 수 있다. 100gf/in 이하일 경우 중간층이 너무 하드해 UV 점착증 합지시 층 분리가 쉽게 일어나며, 1,000gf/in 이상일 경우 중간층이 너무 소프트해 작업시 웨이퍼 Chipping 현상을 일으킬 수 있다.

상기 점착층에서는 UV 점착제를 포함하여, UV 조사 전에는 반도체 웨이퍼를 공정에서 보호하며, UV 조사 후에는 점착력을 저하시켜 잔사가 남지 않게 다이싱 테이프를 제거할 수 있다.

예컨대, 상기 접착제층의 아크릴계 점착제로는, 아크릴산알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 중합체(단독 중합체 또는 공중합체)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 점착층은 경화제, 개시제, 반응 지연제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 개시제는 IR-184일 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 점착층의 두께는 5 내지 50 μm일 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 점착층의 UV 조사 전 점착력은 100 내지 1,500 gf/in이고, UV 조사 후 점착력은 5 내지 50 gf/in일 수 있다.

UV 조사 전 점착력이 100gf/in 이하일 경우 반도체 이송시 박리 되어 반도체 손상이 발생 할 수 있고, 또한 용제 침투가 발생 할 수 있고, 1,500gf/in 이상일 경우 UV 조사 후 잔사가 남을 수 있다.

UV 조사 후 점착력이 5gf/in 이하일 경우 붙어 있는 반도체 칩이 이송이 탈락 되거나 이송시 칩끼리 마찰 되어 손상 될 수 있고, 50gf/in 이상일 경우 반도체 칩 Pick up 이 이루어지지 않아 불량이 발생하여, 보호 필름 본래 역할을 수행 할 수 없다.

예컨대, 상기 점착층은 UV 조사 전 500gf/in 이상, UV 조사 후 30gf/in 미만의 점착력을 나타낼 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 다이싱 테이프는 TSV(Thorough Silicon Via) 반도체 웨이퍼 보호용일 수 있다.

본 명세서의 예시적인 구현예들에서는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 중간층 조성물을 코팅하여 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 점착층 조성물을 코팅하여 점착층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 중간층 조성물은 아크릴계 중합제, 고무계 중합제, 실리콘계 중합제, 폴리에스테르계 중합제, 폴리아미드계 중합제, 우레탄계 중합제, 불소계 중합제, 및 스티렌-디엔 블록 공중합체계 중합제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 중합제를 포함하고, 상기 점착층 조성물은 아크릴계 점착제 및 고무계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 UV 점착제를 포함하며, 상기 중합제의 함량은 상기 중간층 조성물 총 중량을 기준으로 75 내지 95 중량% 이상이고, 상기 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 조성물 총 중량을 기준으로 65 내지 85 중량%인, 다이싱 테이프 제조방법을 제공한다.

중간층 및 점착층은 당업계에 널리 알려진 제조 방법으로 적절히 코팅할 수 있다. 기재층에 직접 코팅하는 방법 및 이형 필름에 코팅 후 기재 필름에 전사하는 방법으로 점착층 형성이 가능하며, 도막이 두꺼울 경우 이형 필름에 각각 코팅 후 합지하는 방법으로도 제조할 수 있다. 코팅 방법으로는 콤마 코터, 그라비아 코터, 리버스 그라비아 코터, 다이 코터 등이 있다.

또한, 각 층의 코팅 후 경화 및 건조 과정을 추가로 거칠 수 있고, 경화 후 건조 방법은 상온 건조, 항온 항습 건조 방법이 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 중간층 조성물은 경화제, 폴리에스터계 첨가제, 반응 지연제 및 용제로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.

예시적인 구현예에서, 상기 점착층 조성물은 경화제, 개시제, 반응 지연제, 용제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 용제는 에틸 아세테이트(EA)일 수 있다.

이하, 본 발명의 예시적인 구현예들에 따른 구체적인 실시예를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니며 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예들이 구현될 수 있고, 단지 하기 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 동시에 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 실시를 용이하게 하고자 하는 것임이 이해될 것이다.

실시예

[실시예 1]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 혼합된 조성물의 총 중량을 기준으로 주석 촉매 0.5% 를 추가하여 20분 동안 상온 분산 후, 1시간 상온 탈포하였다. 그 후 이형 필름 기재에 코팅하여 120℃에서 3분 경화 후, 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일 후 UV 아크릴계 점착제 75%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 5%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5%를 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃에서 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여, 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[실시예 2]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 70%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 10%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[실시예 3]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 70%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 10%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 5%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 1]

우레탄계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산 후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 2]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 10㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 70%, 이소시아네이 트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 10%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 90㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 100㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 3]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 5%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산하였다. 그 후 1시간 상온 탈포 후 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 70%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 10% 지연제 5% 개시제 1% 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 4]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 0.2%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9.8%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 70%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 5%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 19%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 후, 이형 필름 기재에 코팅하였다. 그 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 5]

아크릴계 중합제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 벤조계 폴리에스터 5%, 지연제 5%, 용제 9%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 두께 80㎛ PE 기재에 전사하여 두께 50㎛ 아크릴 중간층 필름을 형성 하였다. 중간층 형성 완료 후 40℃ 오븐에 4일 방치하여 Aging을 진행 하였다.

4일후 UV 아크릴계 점착제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 지연제 5% 개시제 1% 용제 13%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포 하였다. 그 후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

[비교예 6]

4일후 UV 아크릴계 점착제 80%, 이소시아네이트 경화제 HDI (헥사 디 이소시아네이트) 1%, 이소시아네이트 경화제 TDI (톨루엔 디 이소시아네이트) 1% 지연제 5% 개시제 1% 용제 12%를 혼합하여 30분 상온 분산하였다. 이후 주석 촉매 0.5% 추가 하여 20분 상온 분산 후 1시간 상온 탈포하였다. 그 후, 이형 필름 기재에 코팅 후 120℃ 3분 경화 후 총 두께 130㎛ PE 기재에 전사하여 총 두께 140㎛ UV 아크릴 점착 필름을 형성 하였다.

상기 실시예 1-3 및 비교예 1-6의 조성은 하기 표 1과 같다.

구분		실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3	비교예 4	비교예 5	비교예 6
중간층	아크릴계 중합제	80	80	80		80	80	80	80	80
	우레탄계 중합제				80
	이소시아네이트 경화제(HDI)	1	1	1	1	1	5	0.2	1	1
	폴리에스터	5	5	5	5	5	5	5	5	5
	지연제	5	5	5	5	5	5	5	5	5
	용제	9	9	9	9	9	5	9.8	9	9
	Total	100	100	100	100	100	100	100	100	100
	촉매	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
	두께(㎛)	50	50	50	50	10	50	50	50	50
	점착력 (gf/in)	550	550	550	500	380	10	1500	550	550
UV 점착층	UV 아크릴계 점착제	75	70	70	70	70	70	70	80	80
	이소시아네이트 경화제(HDI)	5	5	10	5	5	5	5	1	1
	이소시아네이트 경화제(TDI)	5	10	5	10	10	10			1
	지연제	5	5	5	5	5	5	5	5	5
	개시제	1	1	1	1	1	1	1	1	1
	용제	9	9	9	9	9	9	19	13	12
	Total	100	100	100	100	100	100	100	100	100
	촉매	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5

실험예

측정 방법

<박리 속도 300mm/분에 있어서의 대 Wafer 점착력(23℃×30분 후의 박리력 및 특정 온도 방치후 박리력)>

이형 필름을 박리한 다이싱 테이프(폭 50mm×길이 150mm)를 반도체 Wafer에 기포 없이 2kg 핸드 롤러를 사용하여 접착하였다. (온도: 23℃, 습도: 65％, 2kg 롤러 1왕복)

상기와 같이 하여 얻어진 평가용 시료를, 점착력 시험에서 측정하였다. 점착 시험기로서는 켐 인스트루먼트사의 AR-1000 사용 하였다.

<박리 속도 300mm/분에 있어서의 대 Wafer 점착력(23℃×30분 후의 박리력 및 특정 온도 방치 후 박리력)>

이형 필름을 박리한 다이싱 테이프 (폭 50mm×길이 150mm)의 반도체 Wafer에 기포 없이 2kg 핸드 롤러를 사용하여 접착하였다. (온도: 23℃, 습도: 65％, 2kg 롤러 1왕복).

메탈할라이드 UV 조사기를(Hearus 社) 통해 500Mj로 에너지를 조사한다.

<부착성>

표면이 경면상인 8인치 웨이퍼와 링 프레임을 준비한 후 다음으로, 웨이퍼와 링 프레임의 이면에 23℃, 습도 55％ RH의 분위기 하에서 보호 필름을 핸드 롤러에 의해 전체면에 접합하고, 용제를 충분히 적신후 1시간 방치후 UV 조사 후 중간층과 UV 점착층간 계면 박리 확인하였다.

○ : UV 점착층과 중간층 박리 없고, 중간층과 기재층 박리 없을 것

X : UV 점착층과 중간층 박리 발견 또는 중간층과 기재층 박리 발견

<내 용제성>

표면이 경면상인 8인치 웨이퍼와 링 프레임을 준비한 후 다음으로, 웨이퍼와 링 프레임의 이면에 23℃, 습도 55％ RH의 분위기 하에서 보호 필름을 핸드 롤러에 의해 전체 면에 접합하고, 용제를 충분히 적신 후 1시간 방치후 기재 변화 및 UV 조사 후 외관 변화 또는 Wafer에 잔류물을 확인 하였다.

○ : 필름의 외관이 변화되지 않고, Wafer에 잔류 없음

X : 필름의 외관이 크게 변화되고, Wafer에 미세 잔류 발견

상기 실험 결과는 하기 표 2와 같다.

구분		실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3	비교예 4	비교예 5	비교예 6
점착력	UV 전 (gf/in)	650	550	540	640	190	230	1,720	1,930	1,830
점착력	UV 후 (gf/in)	19	17	16	26	9	15	29	33	52
부착성	용제 X 1hr	O	O	O	X	O	X	O	O	O
내 용제성	용제 X 1hr	O	O	O	X	X	X	X	X	X

Claims

기재층;
상기 기재층 상에 위치하고, 아크릴계 중합제 및 경화제를 포함하고, 상기 경화제는 헥사메틸렌 디 이소시아네이트(HDI)인 중간층; 및
상기 중간층 상에 위치하고, 아크릴계 UV 점착제 및 경화제를 포함하고, 상기 경화제는 헥사메틸렌 디 이소시아네이트(HDI) 및 톨루엔 디 이소시아네이트(TDI)의 혼합물인 점착층;을 포함하며,
상기 아크릴계 중합제의 함량은 상기 중간층의 총 중량을 기준으로 80 내지 95 중량%이고, 상기 아크릴계 중합제 및 상기 중간층의 경화제의 함량비는 중량을 기준으로 80 : 0.2 초과 내지 5 미만이며,
상기 아크릴계 UV 점착제의 함량은 상기 점착층의 총 중량을 기준으로 70 내지 85 중량%이며,
상기 중간층의 두께는 10 μm 초과 내지 100 μm 이하인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 기재는 올레핀계 수지, 에틸렌계 공중합체, 폴리에스테르, 아크릴계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌술피드(PPS), 아미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리염화비닐리덴, ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체), 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 및 불소 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 기재층의 두께는 20 내지 200 μm인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 중간층은 폴리에스터계 첨가제, 반응 지연제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 중간층의 점착력은 100 내지 1,000 gf/in인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 점착층은 개시제, 반응 지연제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 점착층의 두께는 5 내지 50 μm인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 점착층의 UV 조사 전 점착력은 100 내지 1,500 gf/in이고, UV 조사 후 점착력은 5 내지 50 gf/in인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 다이싱 테이프는 TSV(Thorough Silicon Via) 반도체 웨이퍼 보호용인, 다이싱 테이프.
기재를 준비하는 단계;
상기 기재 상에 중간층 조성물을 코팅하여 중간층을 형성하는 단계; 및
상기 중간층 상에 점착층 조성물을 코팅하여 점착층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 중간층 조성물은 아크릴계 중합제 및 경화제를 포함하고, 상기 경화제는 헥사메틸렌 디 이소시아네이트(HDI)이고,
상기 점착층 조성물은 아크릴계 UV 점착제 및 경화제를 포함하고, 상기 경화제는 헥사메틸렌 디 이소시아네이트(HDI) 및 톨루엔 디 이소시아네이트(TDI)의 혼합물이며,
상기 아크릴계 중합제의 함량은 상기 중간층 조성물의 총 중량을 기준으로 75 내지 95 중량%이고,
상기 아크릴계 UV 점착제의 함량은 상기 점착층 조성물의 총 중량을 기준으로 65 내지 85 중량%인, 제1항 내지 제9항 중 한 항의 다이싱 테이프 제조방법.
제10항에 있어서,
상기 중간층 조성물은 폴리에스터계 첨가제, 반응 지연제, 용제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는, 다이싱 테이프 제조방법.
제10항에 있어서,
상기 점착층 조성물은 개시제, 반응 지연제, 용제 및 촉매로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는, 다이싱 테이프 제조방법.
제10항에 있어서,
상기 다이싱 테이프는 TSV(Thorough Silicon Via) 반도체 웨이퍼 보호용인, 다이싱 테이프 제조방법.
삭제
삭제
삭제
삭제