CN113201290A - 工件加工用片及经加工工件的制造方法 - Google Patents
工件加工用片及经加工工件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113201290A CN113201290A CN202011624811.0A CN202011624811A CN113201290A CN 113201290 A CN113201290 A CN 113201290A CN 202011624811 A CN202011624811 A CN 202011624811A CN 113201290 A CN113201290 A CN 113201290A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- workpiece
- sheet
- base material
- processing
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 45
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 17
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 4
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920006346 thermoplastic polyester elastomer Polymers 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
- C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J7/255—Polyesters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
- C09J133/064—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing anhydride, COOH or COOM groups, with M being metal or onium-cation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
- C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2467/00—Presence of polyester
- C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明的技术问题在于提供一种即使在加热后,也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。作为解决手段,第一,本发明提供一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下,120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。第二,本发明提供一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上,120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种能够适宜地使用于半导体晶圆等工件的加工的工件加工用片,尤其涉及一种能够适宜地使用于包括将工件加工用片以层叠有加工前或加工后的工件的状态加热的工序的工件加工方法的工件加工用片。
背景技术
半导体装置的制造方法通常包括:在工件加工用片上,将作为工件的半导体晶圆单颗化(切割),得到多个半导体芯片的切割工序;及将得到的半导体芯片从工件加工用片上逐个取下(拾取)的拾取工序。
上述拾取工序中,为了容易进行半导体芯片的拾取,有时进行下述操作:从工件加工用片的与层叠有半导体芯片的面相反的面,将半导体芯片逐个往上推。特别是在上述拾取工序中,为了抑制拾取时半导体芯片彼此冲突并使拾取容易,通常进行下述操作:拉伸(扩展)工件加工用片,从而使半导体芯片彼此分开。因此,要求工件加工用片具有使良好的扩展成为可能的优异的柔软性。
近年来,将工件加工用片以层叠有经单颗化的半导体芯片的状态进行加热的情况不断增多。例如,对工件加工用片上的半导体芯片进行蒸镀、溅镀、用于脱湿的焙烤等处理,或者在高温环境下使用半导体芯片时,进行用于确认高温环境下的可靠性的加热试验。在这种伴有加热的处理中,工件加工用片有时会因加热而熔接于装置等,此时,存在无法将工件加工用片搬送到下一个工序的问题。因此,还要求供于伴有加热的工序的工件加工用片具有规定的耐热性。
作为具有耐热性的工件加工用片的例子,专利文献1中公开了一种耐热切割胶带或片,其通过在玻璃化转变温度为70℃以上的基材的至少一个面上设置以2℃/分钟的升温速度从室温升温至200℃时的热重量减少率小于2%的粘着剂层而成,该粘着剂层由具有规定组成的能量射线固化型粘着剂构成,同时进行包含加热的处理后的粘着力显示规定的值。
此外,作为具有耐热性的工件加工用片的另一个例子,专利文献2中公开了一种耐热性粘着片,其具备:具有规定的热收缩率的基材;及设置在该基材上的具有规定组成的粘着剂层。进一步,专利文献3中公开了一种耐热性粘着片,其具备:具有规定的热收缩率及线膨胀系数的基材;及设置在该基材上的具有规定组成的粘着剂层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4781185号
专利文献2:国际公开第2015/174381号
专利文献3:国际公开第2014/199993号
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,专利文献1~3中公开的工件加工用片虽然具有规定的耐热性,但在进行加热处理后,柔软性并不充分。特别是在加热时间为诸如数小时的长时间的情况下,柔软性严重受损。如此,以往的半导体加工用片难以兼顾加热后的优异的操作性与优异的扩展性,若使一个特性优先,则另一个特性容易受损。
本发明鉴于上述实际情况而完成,其目的在于提供一种即使在加热后,也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的,第一,本发明提供一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下,120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上(发明1)。
通过使上述发明(发明1)的工件加工用片满足上述的杨氏模量及储能模量E’,即使在加热后,操作性也优异,同时扩展性也优异。
第二,本发明提供一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上,120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上(发明2)。
通过使上述发明(发明2)的工件加工用片满足上述的断裂伸长率及储能模量E’,即使在加热后,操作性也优异,同时扩展性也优异。
在上述发明(发明1、2)中,优选同时满足:于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下;及于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上(发明3)。
在上述发明(发明1~3)中,优选所述基材的厚度为50μm以上、200μm以下(发明4)。
在上述发明(发明1~4)中,优选所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂形成(发明5)。
在上述发明(发明1~5)中,优选:将所述工件加工用片,以在所述粘着剂层的与所述基材相反的面侧层叠有加工前或加工后的工件的状态,使用于具备加热工序的工件加工方法(发明6)。
第三,本发明提供一种经加工工件的制造方法,其特征在于,其具备:将工件贴合于所述工件加工用片(发明1~6)的所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的贴合工序;通过在所述工件加工用片上对所述工件进行切割,得到由所述工件单颗化而成的加工后的工件的切割工序;将所述加工后的工件,以贴合在所述工件加工用片上的状态,供于伴有加热的处理的加热工序;及从所述工件加工用片上拾取所述加工后的工件的拾取工序(发明7)。
发明效果
本发明的工件加工用片即使在加热后,也能够良好地兼顾操作性与扩展性。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。
本实施方式的工件加工用片具备基材与层叠于该基材的单面侧的粘着剂层。
本实施方式的工件加工用片中,120℃下的基材的储能模量E’为33MPa以上。通过使基材显示这样的储能模量E’,即使在将本实施方式的工件加工用片供于加热工序时,也可抑制基材熔接于装置等。由此,可从进行加热处理的装置等上取下加热后的工件加工用片,并良好地搬送到下一个工序。即,本实施方式的工件加工用片即使在被加热的情况下,也具有优异的操作性。从实现更优异的操作性的角度出发,上述储能模量E’优选为100MPa以上,特别优选为110MPa以上。
另一方面,对于上述储能模量E’的上限值,虽然没有特别限定,但例如优选为500MPa以下,特别优选为300MPa以下,进一步优选为200MPa以下。另外,上述的储能模量E’是指,分别对基材的MD方向(制造基材时的传送方向)及CD方向(与MD方向正交的方向)进行测定而得到的储能模量E’的平均值,其测定方法的详细情况如后述的试验例所示。此外,虽然上述储能模量E’为基材自身的值,但通常在该基材上层叠粘着剂层而成的工件加工用片的储能模量E’也为与基材自身的储能模量E’几乎相同的值。
此外,本实施方式的工件加工用片中,优选:于120℃加热4小时后的基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下。通过使基材显示这样的杨氏模量,即使在将本实施方式的工件加工用片供于加热工序时,也可发挥良好的柔软性。由此,在加热处理后,可良好地扩展工件加工用片。从实现更优异的扩展性的角度出发,上述的杨氏模量更优选为1000MPa以下,特别优选为600MPa以下,进一步优选为500MPa以下。
另一方面,对于上述杨氏模量的下限值,从实现更优异的柔软性,尤其是有效防止扩展时的片的撕裂的角度出发,优选为50MPa以上,特别优选为300MPa以上,进一步优选为400MPa以上。另外,上述的杨氏模量是指,分别对基材的MD方向及CD方向进行测定而得到的杨氏模量的平均值,其测定方法的详细情况如后述的试验例所示。此外,虽然上述杨氏模量为基材自身的值,但通常在该基材上层叠粘着剂层而成的工件加工用片的杨氏模量也为与基材自身的杨氏模量几乎相同的值。
此外,在本实施方式的工件加工用片中,还优选:于120℃加热4小时后的基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上。通过使基材显示这样的断裂伸长率,即使在将本实施方式的工件加工用片供于加热工序时,也可发挥良好的柔软性。由此,在加热处理后,可良好地扩展工件加工用片。从实现更优异的扩展性的角度出发,上述的断裂伸长率特别优选为150%以上,进一步优选为200%以上。
另一方面,上述断裂伸长率的上限值优选为750%以下,特别优选为400%以下。另外,上述的断裂伸长率是指,分别对基材的MD方向及CD方向进行测定而得到的断裂伸长率的平均值,其测定方法的详细情况如后述的试验例所示。此外,虽然上述断裂伸长率为基材自身的值,但通常在该基材上层叠粘着剂层而成的工件加工用片的断裂伸长率也为与基材自身的断裂伸长率几乎相同的值。
在本实施方式的工件加工用片中,通过使基材满足上述的储能模量E’,并同时满足上述的杨氏模量及断裂伸长率中的至少一者,能够兼顾加热后的优异的操作性与优异的扩展性。然而,从以更高的维度兼顾优异的操作性与优异的扩展性的角度出发,优选基材满足上述的储能模量E’,并同时满足上述的杨氏模量及断裂伸长率。
1.工件加工用片的构成
(1)基材
本实施方式的基材只要显示上述的储能模量E’,并同时显示上述的杨氏模量及断裂伸长率中的至少一者,则其组成没有限定。从易于达成这些物性的角度出发,优选基材以聚对苯二甲酸丁二醇酯及热塑性聚酯弹性体中的至少一种为材料。
此外,作为除上述以外的基材的材料的实例,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯类膜;低密度聚乙烯(LDPE)膜、线性低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜;乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚膜;聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜;聚苯乙烯膜;聚醚酰亚胺膜;聚醚醚酮膜;氟树脂膜等。此外,基材可以为上述膜的交联膜、离聚物膜那样的改性膜。
本实施方式的基材可以为由上述材料中的一种形成的膜,进一步也可以为组合两种以上的上述材料而成的层叠膜。
出于提高与粘着剂层的密合性的目的,可对基材的层叠粘着剂层的面实施基于氧化法或凹凸化法等的表面处理、或者底漆处理。作为上述氧化法,例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等,此外,作为凹凸化法,例如可列举出喷砂法、热喷涂处理法等。
本实施方式的基材可以含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。此外,当粘着剂层包含利用活性能量射线而固化的材料时,优选基材对活性能量射线具有透射性。
只要能够制造达成上述物性的基材,则对本实施方式的基材的制造方法没有特别限定,例如可利用T型模具法、圆形模具法等熔融挤出法;压延法;干法、湿法等溶液法等,通过将上述材料成型为片状而制造。
本实施方式的基材的厚度优选为50μm以上、200μm以下。通过使基材的厚度为该范围,基材易于满足上述的物性,由此,易于以更高的维度实现优异的操作性与优异的扩展性。
(2)粘着剂层
作为构成本实施方式的粘着剂层的粘着剂,只要能够发挥对被粘物的充分的粘着力(尤其是对工件加工而言充分的对工件粘着力),则没有特别限定。作为构成粘着剂层的粘着剂的实例,可列举出丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。其中,从容易发挥所需的粘着力的角度出发,优选使用丙烯酸类粘着剂。
构成本实施方式的粘着剂层的粘着剂虽然可以为不具有活性能量射线固化性的粘着剂,但优选为具有活性能量射线固化性的粘着剂(以下,有时称为“活性能量射线固化性粘着剂”)。通过使粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成,由此能够利用活性能量射线的照射而使粘着剂层固化,容易降低工件加工用片对被粘物的粘着力。特别是能够通过活性能量射线的照射,容易地将加工后的工件从该工件加工用片上分离。
作为构成粘着剂层的活性能量射线固化性粘着剂,其可以将具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分,也可以将非活性能量射线固化性聚合物(不具有活性能量射线固化性的聚合物)与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物作为主要成分。此外,活性能量射线固化性粘着剂也可以为具有活性能量射线固化性的聚合物与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物。
优选上述具有活性能量射线固化性的聚合物为在侧链引入了具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下有时称作“活性能量射线固化性聚合物”)。该活性能量射线固化性聚合物优选通过使具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物与含不饱和基团化合物反应而得到,该含不饱和基团化合物具有与丙烯酸类聚合物的官能团键合的官能团。另外,在本说明书中,(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸。其他的类似用语也相同。进一步,“聚合物”中也包含“共聚物”的概念。
上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物可以为将其他单体与含官能团单体一起聚合而成的聚合物。作为这样的含官能团单体及其他单体、以及上述的含不饱和基团化合物,可使用公知的化合物,例如可使用国际公开第2018/084021号中公开的化合物。
上述活性能量射线固化性聚合物的重均分子量优选为1万以上,特别优选为15万以上,进一步优选为20万以上。此外,该重均分子量优选为150万以下,特别优选为100万以下。另外,本说明书中的重均分子量(Mw)为利用凝胶渗透色谱法(GPC法)测定的标准聚苯乙烯换算的值。
作为上述的非活性能量射线固化性聚合物成分,例如可使用与含不饱和基团化合物反应前的上述丙烯酸类聚合物。
作为上述非活性能量射线固化性聚合物成分的丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为1万以上,特别优选为15万以上,进一步优选为20万以上。此外,该重均分子量优选为150万以下,特别优选为100万以下。
此外,作为上述的具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物,例如可使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
另外,使用紫外线作为用于使活性能量射线固化性粘着剂固化的活性能量射线时,优选向该粘着剂中添加光聚合引发剂。此外,可向该粘着剂中添加非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分、交联剂等。
本实施方式的粘着剂层的厚度优选为5μm以上、30μm以下。通过使粘着剂层的厚度为该范围,本实施方式的工件加工用片易于发挥所需的粘着性。此外,由活性能量射线固化性粘着剂形成粘着剂层时,通过使其厚度为上述范围,可在固化前充分地固定工件,同时在固化后容易从粘着剂层上分离加工后的工件。
(3)剥离片
本实施方式的工件加工用片中,在将工件贴附于粘着剂层的与基材为相反侧的面(以下,有时称为“粘着面”)之前,出于保护该面的目的,可以在该面上层叠剥离片。
上述剥离片的构成为任意,可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行了剥离处理的剥离片。作为该塑料膜的具体例,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜;及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为上述剥离剂,可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等,其中,优选廉价且可获得稳定性能的硅酮类。
对上述剥离片的厚度没有特别限制,例如可以为20μm以上、250μm以下。
(4)其他
本实施方式的工件加工用片中,也可以在粘着剂层的与基材为相反侧的面上层叠粘合剂层。此时,能够将本实施方式的工件加工用片例如用作切割-固晶(die bonding)片。该片中,通过将工件贴附在粘合剂层的与粘着剂层为相反侧的面上,并将粘合剂层与该工件一起切割,可得到层叠有被单颗化的粘合剂层的芯片。可利用该被单颗化的粘合剂层而将该芯片容易地固定于搭载该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料,优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料或含有B阶段(半固化状)的热固化型粘合成分的材料等。
此外,本实施方式的工件加工用片中,也可以在粘着剂层的粘着面上层叠保护膜形成层。此时,能够将本实施方式的工件加工用片例如用作保护膜形成兼切割用片。这样的片中,通过将工件贴附在保护膜形成层的与粘着剂层为相反侧的面上,并将保护膜形成层与该工件一起切割,可得到层叠有被单颗化的保护膜形成层的芯片。作为该工件,优选使用在单面形成有电路的工件,此时,通常在与该形成有电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过在规定的时间点使被单颗化的保护膜形成层固化,可在芯片上形成具有充分的耐久性的保护膜。优选保护膜形成层由未固化的固化性粘合剂形成。
2.工件加工用片的制造方法
本实施方式的工件加工用片的制造方法没有特别限定。例如,优选在剥离片上形成粘着剂层,然后在该粘着剂层的与剥离片为相反侧的面上层叠基材的单面,由此得到工件加工用片。
上述粘着剂层的形成可利用公知的方法进行。例如,制备含有用于形成粘着剂层的粘着性组合物、且根据所需进一步含有溶剂或分散介质的涂布液。然后,在剥离片的具有剥离性的面(以下,有时称为“剥离面”)上涂布上述涂布液。接着,使得到的涂膜干燥,由此可形成粘着剂层。
上述涂布液的涂布可利用公知的方法进行,例如可利用刮棒涂布法、刮刀涂布法(knife coating method)、辊涂法、刮板涂布法(blade coating method)、模具涂布法(diecoating method)、凹版涂布法等进行。另外,涂布液只要能够进行涂布,则对其性状没有特别限定,有含有用于形成粘着剂层的成分作为溶质的情况,也有含有用于形成粘着剂层的成分作为分散体的情况。此外,剥离片可作为工序材料而被剥离,也可保护粘着剂层直到将其贴附于被粘物为止。
当用于形成粘着剂层的粘着性组合物含有上述交联剂时,优选通过改变上述的干燥的条件(温度、时间等)、或者通过另行设置加热处理,使涂膜内的聚合物成分与交联剂的交联反应进行,以所需的存在密度在粘着剂层内形成交联结构。进一步,为了使上述交联反应充分进行,在将粘着剂层与基材贴合后,例如可进行在23℃、相对湿度为50%的环境下静置数天等的熟化。
3.工件加工用片的使用方法
本实施方式的工件加工用片适合使用于半导体晶圆等工件的加工。此时,将本实施方式的工件加工用片的粘着面贴附于工件后,可在工件加工用片上进行工件的加工。能够根据该加工,将本实施方式的工件加工用片用作背磨片、切割片、扩展片、拾取片等。此处,作为工件的实例,可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件;玻璃板等玻璃构件。
如上所述,通过使本实施方式的工件加工用片的基材满足上述的储能模量E’,并同时满足上述的杨氏模量及断裂伸长率中的至少一者,即使在加热后,也能够兼顾优异的操作性与优异的扩展性。因此,本实施方式的工件加工用片特别适合使用于具备将该工件加工用片以在粘着面侧层叠有加工前或加工后的工件的状态进行加热的工序的工件加工方法。
例如,本实施方式的工件加工用片能够适宜地使用于具备下述工序的经加工工件的制造方法:将工件贴合于工件加工用片的粘着剂层的与基材为相反侧的面的贴合工序;通过在工件加工用片上对工件进行切割,得到由该工件单颗化而成的加工后的工件的切割工序;将该加热后的工件,以贴合在工件加工用片上的状态,供于伴有加热的处理的加热工序;及从工件加工用片上拾取该加工后的工件的拾取工序。
上述的贴合工序、切割工序及拾取工序可分别利用公知的方法进行。此外,作为上述的加热工序,没有特别限定,例如可列举出对加工前或加工后的工件的蒸镀、溅镀、焙烤等处理,或用于确认高温环境下的可靠性的加热试验等。
上述加热工序中的上述加热的条件可根据加热的目的适当设定。例如,作为上述加热的温度,可以为80℃以上,尤其可以为100℃以上,进一步可以为110℃以上。此外,该温度例如可以为300℃以下,尤其可以为270℃以下,进一步可以为200℃以下。作为上述加热的时间,例如可以为10分钟以上,尤其可以为30分钟以上,进一步可以为120分钟以上。此外,该时间例如可以为25小时以下,尤其可以为10小时以下,进一步可以为5小时以下。作为用于加热的装置,可使用与加热目的相应的装置,例如可使用烘箱、可加热的工作台等。
此外,当本实施方式的工件加工用片的粘着剂层由上述活性能量射线固化性粘着剂构成时,在上述经加工工件的制造方法中,优选设置对工件加工用片的粘着剂层照射活性能量射线,并使该粘着剂层固化的活性能量射线照射工序。由此,粘着剂层固化,工件加工用片对加工后的工件的粘着力良好地降低,加工后的工件的分离变得容易。
以上所说明的实施方式是为了易于理解本发明而记载的,并非是为了限定本发明而记载。因此,上述实施方式所公开的各要件也包含属于本发明的保护范围内的所有设计变更和均等物。
例如,可在基材的与粘着剂层相反的面侧或基材与粘着剂层之间设置其他层。
实施例
以下,通过实施例等对本发明进行进一步具体的说明,但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
(1)粘着性组合物的制备
通过溶液聚合法使丙烯酸2-乙基己酯50质量份、甲基丙烯酸40质量份、丙烯酸10质量份进行聚合,得到丙烯酸类聚合物。利用后述方法测定该丙烯酸类聚合物的重均分子量(Mw),结果为60万。
在溶剂中混合如上所述地得到的丙烯酸类聚合物100质量份(固体成分换算,以下相同)、作为具有活性能量射线固化性基团的成分的多官能度型紫外线固化性树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造,产品名称“紫光UV-5806”,Mw:2000,8~10官能度)40质量份、作为交联剂的六亚甲基二异氰酸酯(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造,产品名称“CORONATE HL”)4.0质量份、作为光聚合引发剂的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(巴斯夫公司制造,产品名称“Omnirad127”)3.0质量份,得到粘着性组合物的涂布液。
(2)粘着剂层的形成
将上述工序(1)中得到的粘着性组合物的涂布液涂布在厚度为38μm的使用硅酮类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面进行了剥离处理的剥离片(LINTEC CORPORATION制造,产品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面上,以100℃对得到的涂膜进行1分钟干燥。由此,得到在剥离片的剥离面上形成有厚度为10μm的粘着剂层的层叠体。
(3)工件加工用片的制作
将作为基材的聚对苯二甲酸丁二醇酯膜(OG CORPORATION制造,产品名称“PBT-SS80”,厚度:80μm)的单面与上述工序(2)中得到的层叠体的粘着剂层侧的面贴合,由此得到工件加工用片。
其中,上述重均分子量(Mw)为使用凝胶渗透色谱(GPC),在以下的条件下测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
<测定条件>
·测定装置:TOSOH CORPORATION制造,HLC-8320
·GPC色谱柱(依照以下顺序通过):TOSOH CORPORATION制造
TSK gel superH-H
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
·测定溶剂:四氢呋喃
·测定温度:40℃
[实施例2]
除了使用聚对苯二甲酸丁二醇酯膜(OG CORPORATION制造,产品名称“BM-140”,厚度:140μm)作为基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[实施例3]
除了将对热塑性聚酯弹性体树脂(DU PONT-TORAY Co.,Ltd.制造,产品名称“Hytrel 7247”)的丸(pellet)进行制膜而得到的厚度为100μm的膜用作基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[实施例4]
除了将对热塑性聚酯弹性体树脂(DU PONT-TORAY Co.,Ltd.制造,产品名称“Hytrel 4767”)的丸进行制膜而得到的厚度为100μm的膜用作基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[比较例1]
除了使用均聚对苯二甲酸丁二醇酯膜(OG CORPORATION制造,产品名称“PBT-50”,厚度:50μm)作为基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[比较例2]
除了使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜(Achilles Corporation制造,产品名称“EANU80-AL-ND”,厚度:80μm)作为基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[比较例3]
除了使用在单面具有易粘合层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(TOYOBO Co.,Ltd.制造,产品名称“COSMOSHINE A4100”,厚度:100μm)作为基材,并在该基材的易粘合层侧的面上层叠粘着剂层以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[比较例4]
除了使用聚丙烯膜(DiaPlus Film Inc.制造,产品名称“PL108”,厚度:80μm)作为基材以外,以与实施例1相同的方式得到工件加工用片。
[试验例1](基材的杨氏模量及断裂伸长率的测定)
将实施例及比较例中制作或使用的基材裁切成15mm×150mm的试验片。此时,以使试验片的长边(150mm的边)与基材的MD方向(制造基材时的传送方向)平行的方式进行裁切。
利用烘箱将得到的试验片于120℃加热4小时。然后,对于冷却至23℃的试验片,使用拉伸试验机(Shimadzu Corporation制造,产品名称“AUTOGRAPH AG-IS 500N”),将夹具间距离设定为100mm,并以200mm/分钟的速度进行拉伸试验,测定杨氏模量(MPa)及断裂伸长率(%)。将这些结果作为MD方向的杨氏模量及断裂伸长率示于表1。
此外,还制作以使试验片的长边(150mm的边)与基材的CD方向(与上述MD方向正交的方向)平行的方式裁切的试验片,对于该试验片,也以与上述相同的方式测定杨氏模量(MPa)及断裂伸长率(%)。将这些结果作为CD方向的杨氏模量及断裂伸长率示于表1。
另外,计算MD方向的杨氏模量与CD方向的杨氏模量的平均值(MPa)、及MD方向的断裂伸长率与CD方向的断裂伸长率的平均值(%)。将这些结果作为杨氏模量的平均值及断裂伸长率的平均值也示于表1。
另外,对于比较例2中使用的基材,由于在120℃下加热4小时而发生熔解,无法良好地维持片形状。因此,未能测定比较例2的基材的杨氏模量及断裂伸长率。
[试验例2](基材的储能模量E’的测定)
对于实施例及比较例中制作或使用的基材,在下述条件下测定120℃下的储能模量E’(MPa)。此处,分别对基材的MD方向及CD方向进行该测定。将其测定结果示于表1。
<测定条件>
测定装置:动态弹性模量测定装置,ORIENTEC CORPORATION制造,产品名称“RHEOVIBRON DDV-II-FP”
试验开始温度:0℃
试验结束温度:120℃
升温速度:10℃/分钟
频率:11Hz
进一步,计算MD方向的储能模量E’与CD方向的储能模量E’的平均值(MPa)。将该结果作为储能模量E’的平均值也示于表1。
另外,对于比较例2中使用的基材,由于在120℃下加热4小时而发生熔解,无法良好地维持片形状。因此,未能测定比较例2的基材的储能模量E’。
[试验例3](搬送性的评价)
从实施例及比较例中制作的工件加工用片上剥离剥离片,使用多晶圆贴片机(multiwafer mounter)(LINTEC CORPORATION制造,产品名称“Adwill RAD-2700F/12”),将切割用环形框架(DISCO Corporation制造,产品名称“2-8-1”)贴附于露出的粘着剂层侧的面的周缘部。
接着,以使处在贴附有环形框架的状态的工件加工用片的与该贴附面相反的面与安装台(mounting table)接触的方式,使用搬送臂将该工件加工用片静置在预先加热至120℃且真空为ON的状态的上述多晶圆贴片机的安装台上。然后,将工件加工用片在安装台上于120℃加热4小时。
然后,确认是否能够使用搬送臂,将工件加工用片从安装台上提起并搬送。对处在贴附有环形框架的状态的5组工件加工用片进行该确认。
然后,基于以下的基准,对工件加工用片的搬送性进行评价。将结果示于表1。
◎:所有5组均可没有问题地搬送,且工件加工用片未熔接于安装台。
〇:能够搬送且工件加工用片未熔接于安装台的组数为3或4组。
×:能够搬送且工件加工用片未熔接于安装台的组数为2组以下。
[试验例4](扩展性的评价)
(1)切割
从实施例及比较例中制作的工件加工用片上剥离剥离片,使用多晶圆贴片机(LINTEC CORPORATION制造,产品名称“Adwill RAD-2700F/12”),将硅晶圆(直径:8英寸,厚度:350μm)贴附于露出的粘着剂层侧的面。然后,将切割用环形框架(DISCO Corporation制造,产品名称“2-8-1”)贴附于工件加工用片的粘着剂层侧的面的周缘部(不与硅晶圆重叠的位置)。
接着,在下述条件下,在工件加工用片上切割硅晶圆。
<切割条件>
·切割装置:DISCO Corporation制造,产品名称“DFD-6362”
·刀片:DISCO Corporation制造,产品名称“NBC-ZH2050-27HECC”
·刀片转速:30000rpm
·切削速度:50mm/分钟
·切入深度:基材中的达到深度20μm的位置为止
·切割尺寸:3mm×3mm
(2)加热
接着,以层叠有得到的芯片及环形框架的状态,利用烘箱将工件加工用片于120℃加热4小时。
(3)扩展
接着,使用扩展装置(Mitsubishi Electric Corporation.制造,产品名称“MELSEC-G0T F930G0T”)扩展工件加工用片。此时,通过以3mm/s的速度将环形框架下拉10mm而进行扩展。然后,基于以下的基准,对工件加工用片的扩展性进行评价。将结果示于表1。
○:能够良好地扩展,且不发生工件加工用片的断裂、工件加工用片从环形框架上的剥落。
×:发生工件加工用片的断裂或工件加工用片从环形框架上的剥落,未能进行扩展。
另外,对于比较例2的工件加工用片,在上述工序(2)中进行加热时基材熔解,无法良好地维持片形状,其结果,未能进行扩展的处理。因此,对于该比较例2,将扩展性评价为“×”。
[表1]
根据表1可知,实施例中制造的工件加工用片即使在于120℃加热4小时后,也具有优异的搬送性(操作性),同时具有优异的扩展性。
工业实用性
本发明的工件加工用片能够适宜地使用于半导体晶圆等工件的加工。
Claims (7)
1.一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,
于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下,
120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。
2.一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,
于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上,
120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的工件加工用片,其特征在于,同时满足:
于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下,及
于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100%以上。
4.根据权利要求1或2所述的工件加工用片,其特征在于,所述基材的厚度为50μm以上、200μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的工件加工用片,其特征在于,所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂形成。
6.根据权利要求1或2所述的工件加工用片,其特征在于,将所述工件加工用片,以在所述粘着剂层的与所述基材相反的面侧层叠有加工前或加工后的工件的状态,使用于具备加热工序的工件加工方法。
7.一种经加工工件的制造方法,其特征在于,其具备:
将工件贴合于权利要求1或2所述的工件加工用片的所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的贴合工序;
通过在所述工件加工用片上对所述工件进行切割,得到由所述工件单颗化而成的加工后的工件的切割工序;
将所述加工后的工件,以贴合在所述工件加工用片上的状态,供于伴有加热的处理的加热工序;及
从所述工件加工用片上拾取所述加工后的工件的拾取工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020013365A JP2021119592A (ja) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | ワーク加工用シートおよび加工済みワークの製造方法 |
JP2020-013365 | 2020-01-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113201290A true CN113201290A (zh) | 2021-08-03 |
Family
ID=77025164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011624811.0A Pending CN113201290A (zh) | 2020-01-30 | 2020-12-31 | 工件加工用片及经加工工件的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021119592A (zh) |
KR (1) | KR20210097617A (zh) |
CN (1) | CN113201290A (zh) |
TW (1) | TW202130761A (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023144840A (ja) | 2022-03-28 | 2023-10-11 | リンテック株式会社 | 支持シート、及びワーク加工物の製造方法 |
JP2023144841A (ja) | 2022-03-28 | 2023-10-11 | リンテック株式会社 | 支持シート、ワーク加工物の製造方法、及び支持シートの再生方法 |
JP2023144842A (ja) | 2022-03-28 | 2023-10-11 | リンテック株式会社 | 樹脂膜形成用複合シート、キット、及び、樹脂膜付きワーク加工物の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004035777A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2012116932A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Lintec Corp | 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート |
CN107078038A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-08-18 | 琳得科株式会社 | 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法 |
CN109075048A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-12-21 | 琳得科株式会社 | 半导体加工用片 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4781185B2 (ja) | 2006-07-18 | 2011-09-28 | 日東電工株式会社 | 耐熱ダイシングテープ又はシート |
MY181765A (en) | 2013-06-14 | 2021-01-06 | Denka Company Ltd | Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor testing |
US9676968B1 (en) | 2014-05-12 | 2017-06-13 | Denka Company Limited | Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor inspection and semiconductor inspection method |
-
2020
- 2020-01-30 JP JP2020013365A patent/JP2021119592A/ja active Pending
- 2020-12-07 TW TW109143019A patent/TW202130761A/zh unknown
- 2020-12-31 CN CN202011624811.0A patent/CN113201290A/zh active Pending
-
2021
- 2021-01-04 KR KR1020210000228A patent/KR20210097617A/ko unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004035777A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2012116932A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Lintec Corp | 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート |
CN107078038A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-08-18 | 琳得科株式会社 | 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法 |
CN109075048A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-12-21 | 琳得科株式会社 | 半导体加工用片 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
李建军等: "《聚合物流变实验与应用》", vol. 1, 上海交通大学出版社, pages: 128 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202130761A (zh) | 2021-08-16 |
JP2021119592A (ja) | 2021-08-12 |
KR20210097617A (ko) | 2021-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108701601B (zh) | 半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法 | |
CN113201290A (zh) | 工件加工用片及经加工工件的制造方法 | |
US20100255299A1 (en) | Method of applying pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer protection and pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer protection for use in the application method | |
JP7326270B2 (ja) | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 | |
KR20170091578A (ko) | 점착 시트, 및 가공물의 제조 방법 | |
TW202016234A (zh) | 半導體加工用黏著帶及半導體裝置的製造方法 | |
JP2015151453A (ja) | 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法 | |
KR20140138738A (ko) | 필름, 워크 가공용 시트 기재 및 워크 가공용 시트 | |
CN107236473B (zh) | 玻璃切割用粘着片材及其制造方法 | |
TWI759345B (zh) | 隱形切割用黏著板片及半導體裝置之製造方法 | |
JP6129705B2 (ja) | 半導体加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
CN111149191A (zh) | 工件加工用片及已加工工件的制造方法 | |
CN113016055A (zh) | 工件加工用片 | |
JP6818612B2 (ja) | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
TWI827719B (zh) | 電漿切割用切割片 | |
CN109906504B (zh) | 隐形切割用粘着片 | |
CN107236475B (zh) | 玻璃切割用粘着片材及其制造方法 | |
CN107236474B (zh) | 玻璃切割用粘着片材及其制造方法 | |
KR102521063B1 (ko) | 내용제성이 우수한 다이싱 테이프 | |
WO2023068088A1 (ja) | 凸部を有する半導体ウエハの加工用粘着シートに用いられる基材 | |
WO2022209119A1 (ja) | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2023093908A (ja) | ワーク加工用シート、ワーク加工方法、および、ワーク加工用シートの使用 | |
JP2022151239A (ja) | ワーク処理用シートおよび処理済みワーク製造方法 | |
TW202101550A (zh) | 工件加工用片材 | |
KR20230160228A (ko) | 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |