TWI827719B - 電漿切割用切割片 - Google Patents

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Abstract

一種電漿切割用切割片，其係包括基材與黏著劑層的電漿切割用切割片，其中，該黏著劑層積層在前述基材的單面側，在將前述電漿切割用切割片靜置在氣壓0.1MPa及溫度25℃的環境下60分鐘之情形中，前述電漿切割用切割片的質量減少率為0.4％以下。根據此電漿切割用切割片，在電漿切割之際，可抑制切割片從支持台剝離。

Description

電漿切割用切割片
本發明係關於可較佳地使用於電漿切割的切割片。
矽、砷化鎵等半導體晶圓及各種封裝類（以下有時將此等統一記載為「工件」）被以大直徑的狀態製造，此等在被剪切分離（切割）成元件小片（以下有時記載為「晶片」）且同時被個別分離（拾取（pickup））後，被移至後續步驟，即黏片（mount）步驟。
在進行切割工件的切割步驟中，在包括基材及黏著劑層的切割片上黏貼工件，在該切割片上剪切工件中的既定位置，剪切分離成各個晶片。作為此時的剪切方式，以往常用旋轉的刀片或雷射光，但近年來變得漸漸開始也進行利用電漿的剪切。
相較於以往使用刀片的刀片切割等，此種使用電漿的電漿切割有以下優點：可更縮小切割寬度、因可一次全部切割故可縮短處理時間、不易產生切削片、因不易對工件造成衝撃故可抑制工件、晶片等的破損等。
專利文獻1中揭露電漿切割方法的一例。尤其，在專利文獻1中揭露在藉由靜電吸附而保持工件的狀態下進行電漿切割的方法。又，在專利文獻2中揭露用於電漿切割的切割片。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014－60366號公報 [專利文獻2]日本特開2016－171261號公報
[發明所欲解決的課題]
在電漿切割中，不同於刀片切割或使用雷射光的雷射切割，為了使電漿產生，需要將工件與切割片的積層體放置在真空條件（低壓條件）下。起因於此，在電漿切割中，有切割片從保持其的支持台剝離，結果變得無法進行適當切割之情形。
本發明係有鑑於此種狀況而完成者，其目的在於，提供一種電漿切割用切割片，其在電漿切割之際，可抑制切割片從支持台剝離。 [用於解決課題的手段]
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種電漿切割用切割片，其係包括基材與黏著劑層的電漿切割用切割片，其中，該黏著劑層積層在前述基材之單面側，該電漿切割用切割片的特徵在於，在將前述電漿切割用切割片靜置在氣壓0.1MPa及溫度25℃的環境下60分鐘之情形中，前述電漿切割用切割片的質量減少率為0.4％以下（發明1）。
在上述發明（發明1）之電漿切割用切割片中，藉由上述質量減少率為上述範圍，即使為切割片被放置在真空條件下之情形，亦抑制從切割片釋放揮發性成分。藉此，可抑制起因於揮發性成分累積在切割片與支持台的界面而切割片從支持台非預期地剝離。
上述發明（發明1）中，由前述電漿切割用切割片中之前述基材側的面所測定的表面電阻率較佳為1.0×1015 Ω／sq以上（發明2）。
上述發明（發明1、2）中，前述基材的厚度較佳為50μm以上且200μm以下（發明3）。
上述發明（發明1～3）中，前述黏著劑層的厚度較佳為1μm以上且50μm以下（發明4）。
上述發明（發明1～4）中，前述黏著劑層較佳為由不具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成（發明5）。
上述發明（發明1～4）中，前述黏著劑層較佳為由具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成，前述黏著劑較佳為包含已在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基之丙烯酸系共聚物（發明6）。 [發明效果]
本發明之電漿切割用切割片，在電漿切割之際，可抑制切割片從支持台剝離。
[用於實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施形態進行說明。 本實施形態之電漿切割用切割片（以下有簡稱為「切割片」之情形）包括基材與黏著劑層，其中，該黏著劑層積層在基材之單面側。
1.切割片的物性 （1）質量減少率 本實施形態之切割片中，在將該切割片靜置在氣壓0.1MPa及溫度25℃的環境下60分鐘之情形中，該切割片的質量減少率為0.4％以下，較佳為0.39％以下，特佳為0.38％以下。
若上述質量減少率大於0.4％，則在為了電漿切割而將切割片放置在真空條件下之際，變得會從切割片過度釋放揮發性成分。藉此，該揮發性成分累積在切割片與支持台的界面，發生切割片從支持台剝離，結果成為無法良好地進行電漿切割者。
此外，針對上述質量減少率的下限値，較佳為0％，亦即完全不產生揮發性成分的釋放，但在難以如此之情形中，亦可為例如0.01％以上。又，上述質量減少率的測定方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
（2）表面電阻率 本實施形態之切割片中，從基材側的面所測定的表面電阻率較佳為1.0×1015 Ω／sq以上，特佳為1.2×1015 Ω／sq以上，再佳為1.3×1015 Ω／sq以上。在進行電漿切割之際，有時使用靜電吸盤台（electrostatic chuck table）作為支持台。此情形，使切割片中之基材側的面對靜電吸盤台進行接觸，並藉由靜電吸附該面而保持切割片。於此，藉由上述表面電阻率為1.0×1015 Ω／sq以上，而成為容易良好地將切割片保持在靜電吸盤台者。
另一方面，上述表面電阻率較佳為1.0×1016 Ω／sq以下。藉此，在將所得之晶片從切割片分離之際，變得難以產生過度的剝離帶電，其結果可抑制晶片的介電崩潰等問題。此外，上述表面電阻率的測定方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
2.切割片的構成部件 （1）基材 本實施形態中之基材，只要是可達成前述質量減少率且同時具有用於進行電漿切割的期望性能者，則並未被特別限定。此外，如後述，在黏著劑層係由具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成之情形中，基材較佳為對用於硬化黏著劑層所照射之活性能量線具有良好穿透性者。
基材較佳為將樹脂系的材料作為主要材料的樹脂薄膜，作為此種材料的具體例，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯－降莰烯共聚物、降莰烯樹脂等聚烯烴系樹脂；乙烯－聚丙烯隨機共聚物等丙烯系共聚物；乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯－（甲基）丙烯酸甲基共聚物、其他乙烯－（甲基）丙烯酸酯共聚物等乙烯系共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯（polybutylene terephthalate）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）等聚酯系樹脂；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等聚氯乙烯系樹脂；（甲基）丙烯酸酯共聚物；聚胺甲酸乙酯；聚醯亞胺；聚苯乙烯；聚碳酸酯；氟樹脂等。又，亦可為將交聯此等者、或此等的離子聚合物等作為材料。此外，本說明書中之「（甲基）丙烯酸」意指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。針對其他類似用語亦同樣。
上述材料之中，由所謂容易達成前述質量減少率之觀點而言，較佳為使用聚烯烴系樹脂、丙烯系共聚物、乙烯系共聚物及聚酯系樹脂的至少一種。
基材可為由上述材料的一種所構成的薄膜，亦可為由上述材料的多種所構成的薄膜。再者，基材亦可為積層多層此種薄膜而成的積層薄膜。在此積層薄膜中，構成各層的材料可為同種，亦可為不同種。
又，由所謂容易達成前述質量減少率且同時容易達成優異的擴展性之觀點而言，基材較佳為將上述丙烯系共聚物及乙烯系共聚物作為材料的薄膜，特佳為將乙烯－聚丙烯隨機共聚物與乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物作為材料的薄膜。此情形中，作為丙烯系共聚物與乙烯系共聚物的比例，相對於乙烯系共聚物100質量份，較佳為將丙烯系共聚物設為0.1質量份以上，特佳為設為1質量份以上。又，相對於乙烯系共聚物100質量份，較佳為將丙烯系共聚物設為小於5質量份，特佳為設為4.5質量份以下。
再者，由所謂容易達成更優異的擴展性之觀點而言，對於上述將丙烯系共聚物及乙烯系共聚物作為材料的薄膜，基材較佳為積層將乙烯系共聚物作為材料的薄膜，特佳為積層將乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物作為材料的薄膜而成者。此外，在具有此積層構成的基材中，將由將丙烯系共聚物及乙烯系共聚物作為材料的薄膜所構成的層簡稱為「第一層」，將由將乙烯系共聚物作為材料的薄膜所構成的層簡稱為「第二層」。此外，上述第一層及第二層亦可為包含上述以外的成分作為材料者。
又，由所謂容易達成前述質量減少率且同時容易達成優異的耐熱性之觀點而言，基材亦可為將乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物及環氧化合物作為材料的薄膜。此外，該薄膜亦可為包含乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物及環氧化合物以外的成分作為材料者。
作為上述環氧化合物，只要為在分子內具有環氧基的化合物即可，但較佳為具有一個以上的環氧基的化合物，更佳為具有二個以上的環氧基的化合物，特佳為具有二個環氧基的化合物。
在基材為將乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物及環氧化合物作為材料的薄膜之情形中，作為乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物與環氧化合物的比例，相對於乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物100質量份，較佳為將環氧化合物設為0.05質量份以上。又，相對於乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物100質量份，較佳為將環氧化合物設為小於0.3質量份。
又，基材亦可包含阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等各種添加劑。作為此等添加劑的含量，並未被特別限定，但較佳為設為基材發揮期望功能的範圍。
本實施形態中之基材的製造方法並未被特別限定，可列舉例如T型模（T-DIE）法、圓型模法等熔融擠壓法；壓延機法；乾式法、濕式法等溶液法等。其中，由效率佳地製造基材之觀點而言，較佳為採用熔融擠壓法或壓延機法。藉由熔融擠壓法製造由單層所構成的基材之情形，只要將基材的材料進行混練，由所得之混練物直接或暫時製造顆粒（pellet）後，使用公知的擠壓機進行製膜即可。又，藉由熔融擠壓法製造由多層所構成的基材之情形，只要將構成各層的成分分別進行混練，由所得之混練物直接或暫時製造顆粒後，使用公知的擠壓機，將多層同時進行擠壓而製膜即可。
在基材的積層黏著劑層的面，為了提高與黏著劑層的附著性，亦可施以底漆處理、電暈處理、電漿處理等表面處理。
基材的厚度較佳為50μm以上，特佳為60μm以上，再佳為70μm以上。又，基材的厚度較佳為200μm以下，特佳為180μm以下，再佳為150μm以下。藉由基材的厚度為50μm以上，切割片成為容易具有適當強度者，可有效地抑制使用時的斷裂等。另一方面，藉由基材的厚度為200μm以下，在切割片被放置在真空條件下之情形中，成為容易有效地抑制源自基材的揮發性成分的釋放者。
（2）黏著劑層 本實施形態中之構成黏著劑層的黏著劑，只要為可達成前述質量減少率且同時具有用於進行電漿切割的期望性能者，則未被特別限定。該黏著劑可為不具有活性能量線硬化性的黏著劑（活性能量線非硬化性黏著劑），亦可為具有活性能量線硬化性的黏著劑（活性能量線硬化性黏著劑）。本實施形態之切割片中，由所謂容易達成前述質量減少率之觀點而言，較佳為黏著劑層中的低分子量成分的含量較少。由該觀點而言，黏著劑層較佳為活性能量線非硬化性黏著劑。
（2－1）活性能量線非硬化性黏著劑 作為活性能量線非硬化性黏著劑，較佳為具有期望黏著力及再剝離性者，可使用例如丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽氧(silicone)系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。此等之中，由所謂容易達成期望黏著力之觀點而言，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
作為活性能量線非硬化性黏著劑的丙烯酸系黏著劑，較佳為由丙烯酸系共聚物（a1）及交聯劑（E）所構成者。該丙烯酸系共聚物（a1）較佳為包含由含有官能基的單體所導出的構成單元、與由（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物所導出的構成單元者。
作為丙烯酸系共聚物（a1）的構成單元之含有官能基的單體，較佳為在分子內具有聚合性的雙鍵與羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之單體。
作為上述含有羥基的單體，可列舉例如（甲基）丙烯酸2－羥乙酯、（甲基）丙烯酸2－羥丙酯、（甲基）丙烯酸3－羥丙酯、（甲基）丙烯酸2－羥丁酯、（甲基）丙烯酸3－羥丁酯、（甲基）丙烯酸4－羥丁酯等，此等能單獨或組合二種以上而使用。
作為上述含有羧基的單體，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、伊康酸、檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
作為上述含有胺基的單體或含有取代胺基的單體，可列舉例如（甲基）丙烯酸胺乙酯、（甲基）丙烯酸n－丁基胺乙酯等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
丙烯酸系共聚物（a1）較佳為將上述由含有官能基的單體所導出的構成單元含有1質量％以上，特佳為含有5質量％以上，再佳為含有10質量％以上。又，丙烯酸系共聚物（a1）較佳為將上述由含有官能基的單體所導出的構成單元含有35質量％以下，特佳為含有30質量％以下。
作為構成丙烯酸系共聚物（a1）的（甲基）丙烯酸酯單體，能使用烷基的碳數為1～20之（甲基）丙烯酸烷酯、（甲基）丙烯酸環烷酯、（甲基）丙烯酸苄酯等。此等之中，特佳為烷基的碳數為1～18之（甲基）丙烯酸烷酯，例如能使用（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸n－丁酯、（甲基）丙烯酸2－乙基己酯等。
丙烯酸系共聚物（a1）較佳為將上述由（甲基）丙烯酸酯單體所導出的構成單元含有50質量％以上，特佳為含有60質量％以上，再佳為含有70質量％以上。又，丙烯酸系共聚物（a1）較佳為將上述由（甲基）丙烯酸酯單體所導出的構成單元含有99質量％以下，特佳為含有95質量％以下。
丙烯酸系共聚物（a1）係藉由將如上述般的含有官能基的單體、與（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物利用常法進行共聚合而得，但除了此等單體以外，亦可共聚合二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
丙烯酸系共聚物（a1）的重量平均分子量（Mw）較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量（Mw）較佳為150萬以下，特佳為100萬以下。此外，本說明書中的重量平均分子量（Mw）係藉由凝膠滲透層析法（GPC法）所測定之標準聚苯乙烯換算値。
作為交聯劑（E），可使用多官能性化合物，該多官能性化合物與丙烯酸系共聚物（a1）所具有的官能基具有反應性。作為此種多官能性化合物的例子，可列舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、吖𠰂化合物、肼化合物、醛化合物、㗁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。
相對於丙烯酸系共聚物（a1）100質量份，交聯劑（E）的摻合量較佳為0.01質量份以上，特佳為3質量份以上。又，相對於丙烯酸系共聚物（a1）100質量份，交聯劑（E）的摻合量較佳為20質量份以下，特佳為17質量份以下。
（2－2）活性能量線硬化性黏著劑 作為活性能量線硬化性黏著劑，可為將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分者，亦可為將活性能量線非硬化性聚合物（不具有活性能量線硬化性的聚合物）與具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物作為主成分者。
本實施形態中之黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑所構成者之情形，藉由活性能量線的照射而使黏著劑層硬化，可使切割片對於被黏著物的黏著力降低。藉此，在電漿切割結束後，變得能容易地從切割片分離所得的晶片。
此外，將黏著劑層中的低分子量成分的含量設為較少，藉此，由所謂容易達成前述質量減少率之觀點而言，較佳為構成黏著劑層的活性能量線硬化性黏著劑係將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分者。
首先，針對活性能量線硬化性黏著劑係將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分之情形，進行以下說明。
具有活性能量線硬化性的聚合物較佳為已在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基（活性能量線硬化性基）的（甲基）丙烯酸酯（共）聚合物（A）（以下有時稱為「活性能量線硬化性聚合物（A）」）。此活性能量線硬化性聚合物（A）較佳為使具有含有官能基的單體單元之丙烯酸系共聚物（a1）、與具有與該官能基結合的官能基之含有不飽和基的化合物（a2）進行反應而得者。
作為上述具有含有官能基的單體單元之丙烯酸系共聚物（a1），在作為活性能量線非硬化性黏著劑的材料之前述丙烯酸系共聚物（a1）中，可使用包含作為構成單元之含有官能基的單體者。
含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基，可因應丙烯酸系共聚物（a1）所具有的含有官能基的單體單元之官能基種類而適當選擇。例如，在丙烯酸系共聚物（a1）所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基之情形，作為含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基，在丙烯酸系共聚物（a1）所具有的官能基為環氧基之情形，作為含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基較佳為胺基、羧基或吖丙啶基（aziridinyl）。
又，上述含有不飽和基的化合物（a2）中，較佳為在一分子中包含至少一個活性能量線聚合性的碳－碳雙鍵，特佳為包含1～6個，再佳為包含1～4個。作為此種含有不飽和基的化合物（a2）的具體例，可列舉例如2－甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、甲基－異丙烯基－α,α－二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1－（雙丙烯醯基氧基甲基）乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與（甲基）丙烯酸羥乙酯的反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物、以及（甲基）丙烯酸羥乙酯的反應而得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；（甲基）丙烯酸環氧丙酯；（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2－（1－吖丙啶基）乙酯、2－乙烯基－2－㗁唑啉、2－異丙烯基－2－㗁唑啉等。
上述含有不飽和基的化合物（a2），相對於上述丙烯酸系共聚物（a1）的含有官能基的單體之莫耳數，係以較佳為50莫耳％以上，特佳為60莫耳％以上，再佳為70莫耳％以上的比例使用。又，上述含有不飽和基的化合物（a2），相對於上述丙烯酸系共聚物（a1）的含有官能基的單體之莫耳數，係以較佳為95莫耳％以下，特佳為93莫耳％以下，再佳為90莫耳％以下的比例使用。
在丙烯酸系共聚物（a1）與含有不飽和基的化合物（a2）之反應中，可因應丙烯酸系共聚物（a1）所具有的官能基與含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基之組合，而適當選擇反應的溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒的有無、觸媒的種類。藉此，丙烯酸系共聚物（a1）中存在的官能基與含有不飽和基的化合物（a2）中的官能基進行反應，不飽和基被導入丙烯酸系共聚物（a1）中的側鏈，獲得活性能量線硬化性聚合物（A）。
如此所得之活性能量線硬化性聚合物（A）的重量平均分子量（Mw），較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量（Mw）較佳為150萬以下，特佳為100萬以下。
即使在活性能量線硬化性黏著劑係將活性能量線硬化性聚合物（A）等具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分之情形，活性能量線硬化性黏著劑亦可進一步含有活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）。
作為活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B），可使用例如多元醇與（甲基）丙烯酸的酯等。
作為此活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B），可列舉例如（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰酯等單官能性丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1,4－丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6－己烷二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲基）丙烯酸酯（dimethylol tricyclodecane di （meth） acrylate）等多官能性丙烯酸酯類、聚酯低聚（甲基）丙烯酸酯、聚胺甲酸乙酯低聚（甲基）丙烯酸酯等。
對於活性能量線硬化性聚合物（A）摻合活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形，活性能量線硬化性黏著劑中之活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的含量，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，較佳為超過0質量份，特佳為60質量份以上。又，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，該含量較佳為250質量份以下，特佳為200質量份以下。
於此，在使用紫外線作為用於使活性能量線硬化性黏著劑硬化的活性能量線之情形中，較佳為添加光聚合起始劑（C），藉由使用此光聚合起始劑（C），可減少聚合硬化時間及光線照射量。
作為光聚合起始劑（C）的具體例，可列舉二苯基酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4－二乙基噻噸酮（2,4－diethyl thioxanthone）、1－羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚（benzyl diphenyl polysulphide）、一硫化四甲基秋蘭姆（tetramethylthiuram monosulfide）、偶氮雙異丁腈、二苯乙二酮、聯苄、聯乙醯、β－氯蒽醌、（2,4,6－三甲基苄基二苯基）膦氧化物、2－苯并噻唑－N,N－二乙基二硫代胺甲酸酯、低聚｛2－羥基－2－甲基－1－[4－（1－丙烯基）苯基]丙酮｝、2,2－二甲氧基－1,2－二苯基乙烷－1－酮等。此等可單獨使用，亦可併用二種以上。
相對於活性能量線硬化性聚合物（A）（在摻合活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形中，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）及活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的合計量100質量份）100質量份，光聚合起始劑（C）較佳為以0.1質量份以上，特佳為以0.5質量份以上的量使用。又，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）（在摻合活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形中，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）及活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的合計量100質量份）100質量份，光聚合起始劑（C）較佳為以10質量份以下，特佳為以6質量份以下的量使用。
活性能量線硬化性黏著劑中，除了上述成分以外，亦可摻合適當其他成分。作為其他成分，可列舉例如活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D）、交聯劑（E）等。
作為活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D），可列舉例如聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺甲酸乙酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，較佳為重量平均分子量（Mw）為3000～250萬的聚合物或寡聚物。藉由將該成分（D）摻合至活性能量線硬化性黏著劑，能改善硬化前的黏著性及剝離性、硬化後的強度、與其他層的接著性、保存穩定性等。該成分（D）的摻合量並未被特別限定，係在相對於活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份為超過0質量份且50質量份以下的範圍內適當決定。
作為交聯劑（E），可使用前述作為活性能量線非硬化性黏著劑的材料者。此外，在黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑所構成且該活性能量線硬化性黏著劑係將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分之情形中，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，交聯劑（E）的摻合量較佳為0.01質量份以上，特佳為3質量份以上。又，相對於活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，上述摻合量較佳為20質量份以下，特佳為17質量份以下。
接著，針對活性能量線硬化性黏著劑係將活性能量線非硬化性聚合物成分與具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物作為主成分之情形，進行以下說明。
作為活性能量線非硬化性聚合物成分，例如可使用與前述丙烯酸系共聚物（a1）同樣的成分。
作為具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物，可選擇與前述的成分（B）相同者。活性能量線非硬化性聚合物成分與具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之摻合比，相對於活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，較佳為具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物為1質量份以上，特佳為60質量份以上。又，該摻合比，相對於活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，較佳為具有至少一個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物為200質量份以下，特佳為160質量份以下。
在此情形中，亦與上述同樣地，可適當摻合光聚合起始劑（C）、交聯劑（E）等等。
（2－3）黏著劑層的厚度 黏著劑層的厚度較佳為1μm以上，特佳為3μm以上，再佳為5μm以上。又，黏著劑層的厚度較佳為50μm以下，特佳為40μm以下，再佳為30μm以下。藉由黏著劑層的厚度為1μm以上，切割片成為容易對被黏著物發揮期望黏著力者。又，藉由黏著劑層的厚度為50μm以下，在切割片被放置在真空條件下之情形中，成為容易有效地抑制源自黏著劑層的揮發性成分的釋放者。藉由此等，在電漿切割之際，變得能有效地抑制工件從切割片非預期地剝離。
（3）剝離片 本實施形態之切割片中，在將黏著劑層中與基材為相反側的面（以下有稱為「黏著面」之情形）與工件進行貼附前的期間，以保護該面為目的，亦可在該面積層剝離片。剝離片的構成為任意，例示藉由剝離劑等將塑膠薄膜進行剝離處理者。作為塑膠薄膜的具體例，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜、及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑，可使用矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，此等之中，較佳為便宜且能獲得穩定性能的矽氧系。針對剝離片的厚度並未特別限制，但通常為20μm以上且250μm以下。
（4）其他部件 本實施形態之切割片中，亦可在黏著劑層的黏著面積層接著劑層。此情形，本實施形態之切割片因如上述般包括接著劑層，故可使用作為切割-晶粒接合片（dicing die bonding sheet）。在此種切割片中，在接著劑層中與黏著劑層為相反側的面貼附工件，與該工件一起切割接著劑層，藉此可獲得積層有經個片化的接著劑層之晶片。該晶片係藉由此經個片化的接著劑層而變得容易地對搭載該晶片的對象進行固定。作為構成上述接著劑層的材料，較佳為使用含有熱塑性樹脂與低分子量的熱硬化性接著成分者、含有B階段（半硬化狀）的熱硬化型接著成分者等。
又，本實施形態之切割片中，亦可在黏著劑層中的黏著面積層保護膜形成層。此情形，本實施形態之切割片可使用作為保護膜形成兼切割用薄片。此種薄片中，在保護膜形成層中與黏著劑層為相反側的面貼附工件，與該工件一起切割保護膜形成層，藉此可獲得積層有經個片化的保護膜形成層之晶片。作為該工件，較佳為使用在單面形成有電路者，此情形，通常在與形成有該電路的面為相反側的面積層保護膜形成層。經個片化的保護膜形成層，藉由使其在指定的時機點硬化，而可在晶片上形成具有充分耐久性的保護膜。保護膜形成層較佳為由未硬化的硬化性接著劑所構成。
3.切割片的製造方法 本實施形態之切割片的製造方法並未被特別限定，較佳為藉由在基材的單面側積層黏著劑層而製造。黏著劑層對基材的單面側之積層可藉由公知方法進行。例如，較佳為將形成在剝離片上的黏著劑層轉印至基材的單面側。此情形，製備含有構成黏著劑層的黏著劑組合物、及依據所期望進一步含有溶劑或分散媒的塗布液，在剝離片的經剝離處理面（以下有時稱為「剝離面」）上，藉由模塗布機（die coater）、簾幕式塗布機（curtain coater）、噴霧塗布機、狹缝式塗布機（slit coater）、刀式塗布機等塗布該塗布液而形成塗膜，使該塗膜乾燥，藉此可形成黏著劑層。塗布液只要能進行塗布則其特性並未被特別限定，有將用於形成黏著劑層的成分含有作為溶質之情形，也有含有作為分散質之情形。此積層體中的剝離片可作為步驟材料而剝離，亦可在將切割片貼附至工件前的期間使用於保護黏著劑層的黏著面。
在用於形成黏著劑層的塗布液含有交聯劑之情形中，只要藉由改變上述的乾燥條件（溫度、時間等）或藉由另外設置加熱處理，而使塗膜內的交聯反應進行，在黏著劑層內以期望的存在密度使交聯結構形成即可。為了使此交聯反應充分進行，可在藉由上述方法等使基材積層黏著劑層後，進行將所得的切割片在例如23℃、相對濕度50％的環境中靜置數日等的熟化。
取代如上述般將形成在剝離片上的黏著劑層轉印至基材的單面側，亦可在基材上直接形成黏著劑層。此情形，將前述用於形成黏著劑層的塗布液塗布在基材的單面側而形成塗膜，使該塗膜乾燥，藉此形成黏著劑層。
4.切割片的使用方法 本實施形態之切割片可使用於電漿切割。作為此處的電漿切割的方法，並未被特別限制，可使用公知的電漿切割。
例如，首先，對於成為切割對象的工件，藉由一般的手法積層阻劑(resist)，形成設有切割線的遮罩。然後，對於該工件中與阻劑為相反側的面，貼合本實施形態之切割片中的黏著劑層側的面。此外，亦可在阻劑對於工件的積層前，先進行切割片對於工件的貼附。接著，將如此所得之阻劑與工件與切割片的積層體，載置於電漿切割裝置的真空室內的支持台上。然後，在真空室內使電漿產生，隔著阻劑以電漿處理工件，藉此沿著上述切割線將工件進行個片化。
作為用於使上述電漿產生的氣體種類，可使用公知者，但較佳為使用例如SF6 氣體。又，作為蝕刻速度，較佳為0.05μm／s以上，特佳為0.08μm／s以上。又，作為該蝕刻速度，較佳為0.5μm／s以下，特佳為0.4μm／s以下。作為用於電漿產生的真空條件，較佳為將氣壓設為0.1MPa以下，特佳為設為0.05MPa以下。再者，工作台溫度較佳為15℃以上，特佳為20℃以上。又，工作台溫度較佳為60℃以下，特佳為50℃以下。
將工件進行個片化後，例如藉由使用O2 氣體的電漿處理去除阻劑。然後，將工件進行個片化而成的多個晶片以切割片為單位一個一個地從真空室取出後，從該切割片分別拾取晶片，並在既定的基板等進行黏片。
此外，作為本實施形態之切割片為對象的工件，作為藉由電漿切割而被切割的對象，可使用一般者，可列舉例如半導體晶圓、半導體封裝等半導體部件、玻璃板等玻璃部件。
本實施形態之切割片在電漿切割之際，即使被放置在如上述般的真空條件下之情形，亦可抑制從切割片釋放揮發性成分。藉此可抑制揮發性成分累積在切割片與支持台的界面，結果可抑制切割片從支持台非預期地剝離。藉此，藉由使用本實施形態之切割片，可良好地進行電漿切割。
又，在本實施形態之切割片滿足前述表面電阻率之情形中，成為容易良好地將切割片保持在靜電吸盤台上者。因此，在此情形中，較佳為將切割片使用於將靜電吸盤台使用作為支持台的電漿切割。
又，在本實施形態之切割片中的黏著劑層係由如前述般的活性能量線硬化性黏著劑所構成之情形中，較佳為在工件的個片化結束後，在將所得的晶片從切割片分離前，對切割片中的黏著劑層照射活性能量線。藉此，黏著劑層進行硬化，可使切割片對晶片的黏著力降低，藉此，晶片變得容易從切割片分離。
作為上述活性能量線，可使用例如在電磁波或荷電粒子束之中具有能量量子者，具體而言，可使用紫外線、電子射線等。特佳為容易操作處理的紫外線。紫外線的照射可藉由高壓水銀燈、氙燈、LED等進行，紫外線的照射量較佳為照度為50mW／cm2 以上且1000mW／cm2 以下。又，光量較佳為50mJ／cm2 以上，特佳為80mJ／cm2 以上，再佳為200mJ／cm2 以上。又，光量較佳為10000mJ／cm2 以下，特佳為5000mJ／cm2 以下，再佳為2000mJ／cm2 以下。另一方面，電子射線的照射可藉由電子射線加速器等而進行，電子射線的照射量較佳為10krad以上且1000krad以下。
以上說明的實施形態係為了容易理解本發明而記載，並非為了限定本發明而記載。因此，上述實施形態所揭露的各要素，其要旨亦包含屬於本發明的技術範圍之所有設計變更及均等物。
例如，在基材與黏著劑層之間、或基材中與黏著劑層為相反側的面，亦可設置其他層。 [實施例]
以下藉由實施例等進一步具體地說明本發明，但本發明的範圍並不受限於此等實施例等。
[實施例1] （1）黏著劑組合物的製備 藉由溶液聚合法，使丙烯酸2－乙基己酯90質量份與丙烯酸2－羥乙酯10質量份進行共聚合，製備（甲基）丙烯酸酯聚合物。使用後述的凝膠滲透層析法（GPC）測定此聚合物的分子量，結果重量平均分子量（Mw）為600,000。
將所得之（甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份（固體成分換算値；以下相同）與作為異氰酸酯系交聯劑的三羥甲基丙烷改質二異氰酸甲苯酯（Tosoh公司，製品名「CORONATE L」）5質量份進行混合，以乙酸乙酯進行稀釋，藉此製備黏著性組合物的塗布液。
（2）基材的製作 將乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0908C」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％）利用雙軸混練機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）以210℃進行熔融混練，獲得擠壓用原材料。
藉由小型T型模擠壓機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」），將所得之擠壓用原材料進行擠壓成形，獲得厚度100μm的基材。
（3）切割片的製作 將上述步驟（1）所得之黏著性組合物的塗布液塗布於上述步驟（2）所得之基材中的單面，使所得之塗膜以100℃乾燥1分鐘，藉此形成由不具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成之厚度10μm的黏著劑層。藉此，獲得包括上述基材與上述黏著劑層之切割片。
於此，前述的重量平均分子量（Mw）係使用凝膠滲透層析法（GPC）而測定（GPC測定）之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
[實施例2] 藉由溶液聚合法，使丙烯酸n－丁酯95質量份與丙烯酸5質量份進行共聚合，製備（甲基）丙烯酸酯聚合物。使用後述的凝膠滲透層析法（GPC）測定此聚合物的分子量，結果重量平均分子量（Mw）為500,000。
將所得之（甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份、胺甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物（Mw：8000）120質量份、異氰酸酯系硬化劑（Tosoh公司，製品名「CORONATE L」）5質量份、以及光聚合起始劑（Ciba Specialty Chemicals公司製，製品名「Irgacure 184」）4質量份進行混合，獲得具有活性能量線硬化性的黏著劑組合物。
除了使用該黏著劑組合物以外，與實施例1同樣地進行而獲得切割片。此外，所得之切割片中的黏著劑層成為由具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成者。
[實施例3] （1）用於第一層的擠壓用原材料的製備 將乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0903HC」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％，在23℃的拉伸彈性率：140MPa）、與乙烯－聚丙烯隨機共聚物（Prime Polymer公司製，製品名「PRIME−POLYPRO F227D」，在23℃的拉伸彈性率：950MPa，在230℃、荷重2.16kgf的MFR：7.0g／10min，熔解峰溫度：135℃，熔解熱量：81.9J／g），以97：3的質量比，利用雙軸混練機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）進行熔融混練，獲得用於第一層的擠壓用原材料A。
（2）用於第二層的擠壓用原材料的製備 將乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0903HC」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％，在23℃的拉伸彈性率：140MPa），利用雙軸混練機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）進行熔融混練，獲得用於第二層的擠壓用原材料B。
（3）基材的製作 藉由小型T型模擠壓機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」），將由上述步驟（1）所得的擠壓用原材料A、與由上述步驟（2）所得的擠壓用原材料B進行共擠壓成形，獲得由厚度40μm的第一層與厚度60μm的第二層所構成的二層結構的基材。
（4）切割片的製作 除了在由上述步驟（3）所得的基材中之第一層側的面形成黏著劑層以外，與實施例1同樣地進行而獲得切割片。
[實施例4] 將乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0903H」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％）100質量份、與二官能性雙酚A型環氧樹脂（JAPAN EPOXY RESIN公司製，製品名「jER1055」，數量平均分子量Mn：1600）0.25質量份，利用雙軸混練機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」）以210℃進行熔融混練，獲得擠壓用原材料。藉由小型T型模擠壓機（東洋精機製作所公司製，製品名「LABO PLASTOMILL」），將所得的擠壓用原材料進行擠壓成形，獲得厚度100μm的基材。除了使用該基材以外，與實施例1同樣地進行而獲得切割片。
[實施例5] 除了使用厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜（東洋紡公司製，製品名「COSMOSHINE A4100」）作為基材以外，與實施例1同樣地進行而獲得切割片。
[比較例1] 將聚氯乙烯樹脂（PVC；平均聚合度1050）100質量份、聚酯系塑化劑52質量份、及少量的穩定劑進行混練，使用壓延機裝置成形為薄膜狀，藉此獲得厚度80μm的氯乙烯薄膜。除了將該氯乙烯薄膜使用作為基材以外，與實施例1同樣地進行而獲得切割片。
[比較例2] 除了將與比較例1同樣地進行而製作之厚度80μm的氯乙烯薄膜使用作為基材以外，與實施例2同樣地進行而獲得切割片。
[試驗例1]（質量減少率的測定） 將實施例及比較例所製造之切割片裁切成10cm×10cm的尺寸，作為測定樣本。測定該測定樣本的質量，作為真空條件投入前的質量。
接著，將上述測定樣本投入已設定成氣壓0.1MPa及溫度25℃的真空條件之真空低溫乾燥器（東京理化器械公司製，製品名「VOS－201SD」），在該真空條件下靜置60分鐘。其後，從真空低溫乾燥器取出測定樣本，再度測定質量。將所得之質量作為真空條件投入後的質量。
然後，基於以下公式 質量減少率＝｛（真空條件投入前的質量）－（真空條件投入後的質量）｝／（真空條件投入前的質量）×100 算出質量減少率。將結果揭示於表1。
[試驗例2]（表面電阻率的測定） 遵循JIS K6911，在溫度23℃、相對濕度50％的環境下，使用表面電阻測定機（ADVANTEST公司製，製品名「R8252－TR42」），測定實施例及比較例所製造的切割片中之基材側的面的表面電阻率。此外，針對實施例2之切割片，測定照射活性能量線前的狀態中之表面電阻率。將結果揭示於表1。
[試驗例3]（電漿切割適性的評價） 在單面設置有已圖案化切割線的阻劑且直徑8吋的矽晶圓中，在與該阻劑為相反側的面，貼附實施例及比較例所製造的切割片中之黏著劑層側的面。
接著，在真空室內具備靜電吸盤台之電漿切割裝置中的該靜電吸盤台上，如同上述，以將基材側的面設為下側的狀態，藉由靜電吸附保持已貼附矽晶圓之切割片。
然後，將真空室內設為氣壓0.03MPa及溫度25℃的真空條件，使用SF6 氣體作為電漿產生用氣體，以0.3m／s的蝕刻速度，隔著阻劑而對矽晶圓照射電漿。在此時，確認切割片是否從靜電吸盤台剝離，並基於以下的標準，評價電漿切割適性。將結果揭示於表1。 〇：切割片未從靜電吸盤台剝離，可良好地進行電漿切割。 ×：切割片從靜電吸盤台剝離，無法進行電漿切割。
此外，表1所記載的縮寫等的詳細內容係如下所述。 [基材的材料] EMAA1：乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0908C」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％） EMAA2：乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0903HC」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％，在23℃的拉伸彈性率：140MPa） 丙烯系共聚物：乙烯－聚丙烯隨機共聚物（Prime Polymer公司製，製品名「PRIME−POLYPRO F227D」，在23℃的拉伸彈性率：950MPa，在230℃、荷重2.16kgf的MFR：7.0g／10min，熔解峰溫度：135℃，熔解熱量：81.9J／g） EMAA3：乙烯－甲基丙烯酸共聚物（Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製，製品名「NUCREL N0903H」，源自甲基丙烯酸的構成單元的比例：9質量％） 環氧化合物：二官能性雙酚A型環氧樹脂（JAPAN EPOXY RESIN公司製，製品名「jER1055」，數量平均分子量Mn：1600） PET：聚對苯二甲酸乙二酯 PVC：聚氯乙烯
[表1]
  基材的材料 黏著劑的活性能量線硬化性的有無 質量減少率（％） 表面電阻率 （Ω／sq） 電漿切割適性的評價
實施例1 EMAA1 無 0.342 6.92×1015 〇
實施例2 EMAA1 有 0.380 6.92×1015 〇
實施例3 第一層：EMAA2＋丙烯系共聚物 第二層：EMAA2 無 0.365 1.77×1015 〇
實施例4 EMAA3＋環氧化合物 無 0.351 1.33×1015 〇
實施例5 PET 無 0.338 3.16×1015 〇
比較例1 PVC 無 0.450 1.06×1014 ×
比較例2 PVC 有 0.480 1.49×1014 ×
如由表1可知，由實施例所得之切割片在使用於電漿切割之情形中，可良好地保持工件，因此係能良好電漿切割者。 [產業上的可利用性]
本發明的切割片可較佳地使用於電漿切割。
無。
無。
無。

Claims (6)

  1. 一種電漿切割用切割片，其係包括基材與黏著劑層的電漿切割用切割片，其中，該黏著劑層積層在前述基材之單面側，該電漿切割用切割片的特徵在於，前述基材為烯烴系樹脂、丙烯系共聚物、乙烯系共聚物及聚酯系樹脂的至少1種材料的樹脂薄膜，前述黏著劑層由丙烯酸系黏著劑構成，在將前述電漿切割用切割片靜置在氣壓0.1MPa及溫度25℃的環境下60分鐘之情形中，前述電漿切割用切割片的質量減少率為0.4%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿切割用切割片，其中，由前述電漿切割用切割片中之前述基材側的面所測定的表面電阻率為1.0×1015Ω/sq以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿切割用切割片，其中，前述基材的厚度為50μm以上且200μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿切割用切割片，其中，前述黏著劑層的厚度為1μm以上且50μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿切割用切割片，其中，前述黏著劑層係由不具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿切割用切割片，其中，前述黏著劑層係由具有活性能量線硬化性的黏著劑所構成，前述黏著劑包含已在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基之丙烯酸系共聚物。
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