KR20210097617A - 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법 - Google Patents

워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210097617A
KR20210097617A KR1020210000228A KR20210000228A KR20210097617A KR 20210097617 A KR20210097617 A KR 20210097617A KR 1020210000228 A KR1020210000228 A KR 1020210000228A KR 20210000228 A KR20210000228 A KR 20210000228A KR 20210097617 A KR20210097617 A KR 20210097617A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sheet
processing
work
workpiece
substrate
Prior art date
Application number
KR1020210000228A
Other languages
English (en)
Inventor
요스케 코마
미사키 사카모토
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20210097617A publication Critical patent/KR20210097617A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255Polyesters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/064Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing anhydride, COOH or COOM groups, with M being metal or onium-cation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00Presence of polyester
    • C09J2467/006Presence of polyester in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

[과제]가열 후에도, 취급성과 확장성을 양호하게 양립할 수 있는 워크 가공용 시트를 제공한다. [해결 수단]제1에, 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서, 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 영률이, 2000 MPa 이하이고, 120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'가, 33 MPa 이상인 워크 가공용 시트. 제2에, 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서, 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 파단신도가, 100% 이상이고, 120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'가, 33 MPa 이상인 워크 가공용 시트.

Description

워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법{SHEET FOR WORKPIECE PROCESSING AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED WORKPIECE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 가공에 적합하게 사용할 수 있는 워크 가공용 시트에 관한 것이고, 특히, 가공 전 또는 가공 후의 워크를 적층한 상태에서 워크 가공용 시트를 가열하는 공정을 포함하는 워크의 가공 방법에 적합하게 사용할 수 있는 워크 가공용 시트에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 방법은, 일반적으로, 워크 가공용 시트 상에서, 워크로서 반도체 웨이퍼를 개편화(다이싱)하고, 복수의 반도체 칩을 얻는 다이싱 공정과 얻어진 반도체 칩을 워크 가공용 시트로부터 개개로 들어올리는(픽업하는) 픽업 공정을 포함한다.
상기 픽업 공정에서는, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해서, 워크 가공용 시트에서의 반도체 칩이 적층된 면과는 반대의 면에서, 반도체 칩을 개개로 밀어 올리는 것을 행하는 경우가 있다. 특히, 상기 픽업 공정에서는, 픽업시의 반도체 칩끼리의 충돌을 억제하는 동시에, 픽업을 용이하게 하기 위해서, 통상, 워크 가공용 시트를 연신(확장)시키고, 반도체 칩끼리 이간시키는 것이 행해진다. 이 때문에, 워크 가공용 시트에는, 양호한 확장을 가능하게 하는 우수한 유연성을 가지는 것이 요구된다.
최근, 개편화된 반도체 칩을 워크 가공용 시트에 적층한 상태에서 가열하는 것이 증가하고 있다. 예를 들면, 워크 가공용 시트 상의 반도체 칩에 대해서, 증착, 스퍼터링, 탈습을 위한 베이킹 등의 처리가 행해지거나 반도체 칩이 고온 환경 하에서 사용되는 경우에는, 고온 환경 하에서의 신뢰성을 확인하기 위한 가열 시험이 행해진다. 이러한 가열을 수반하는 처리에서는, 가열에 의해서 워크 가공용 시트가 장치 등에 융착하는 경우가 있고, 이 경우, 계속해서 공정을 향해서 워크 가공용 시트를 반송할 수 없게 되는 문제가 생긴다. 이 때문에, 가열을 수반하는 공정에 제공되는 워크 가공용 시트에는, 소정의 내열성도 요구된다.
내열성을 가지는 워크 가공용 시트의 예로서 특허문헌 1에는, 유리 전이 온도가 70℃ 이상인 기재의 적어도 한 면에, 승온 속도 2℃/min로 실온으로부터 200℃까지 승온한 경우의 열중량 감소율이 2% 미만인 점착제층을 설치하여 이루어지는 내열 다이싱 테이프 또는 시트이고, 상기 점착제층이, 소정의 조성을 가지는 에너지선 경화형 점착제로 구성되어 있는 동시에, 가열을 포함하는 처리를 행한 후의 점착력이 소정의 값을 나타내는 내열 다이싱 테이프 또는 시트가 개시되어 있다.
또한, 내열성을 가지는 워크 가공용 시트의 다른 예로서 특허문헌 2에는, 소정의 열수축율을 가지는 기재 및 상기 기재 상에 설치되고 소정의 조성을 가지는 점착제층을 구비하는 내열성 점착 시트가 개시되어 있다. 또한 특허문헌 3에는, 소정의 열수축율과 선팽창 계수를 가지는 기재, 및 상기 기재 상에 설치되고 소정의 조성을 가지는 점착제층을 구비하는 내열성 점착 시트가 개시되어 있다.
특허문헌 1:일본 특허 제4781185호 특허문헌 2:국제 공개 제2015/174381호 특허문헌 3:국제 공개 제2014/199993호
그러나, 특허문헌 1 ~ 3에 개시되는 워크 가공용 시트는, 소정의 내열성을 가지지만, 가열 처리를 행한 후에는, 유연성이 불충분하게 되는 것이었다. 특히, 가열 시간이 수시간 단위의 장시간에 이르는 경우에는, 유연성이 크게 손상되는 것이었다. 이와 같이, 종래의 반도체 가공용 시트에서는, 가열 후에 우수한 취급성과 우수한 확장성을 양립시키는 것이 어렵고, 한쪽의 특성을 우선하면, 다른 쪽의 특성이 손상되기 쉬운 것이었다.
본 발명은, 이러한 실상을 감안하여 이루어지는 것으로, 가열 후에도, 취급성과 확장성을 양호하게 양립할 수 있는 워크 가공용 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 제1의 본 발명은, 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서, 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 영률이, 2000 MPa 이하이고, 120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'가, 33 MPa 이상인 것을 특징으로 하는 워크 가공용 시트를 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)과 관련되는 워크 가공용 시트는, 상술한 영률 및 저장탄성률 E'를 만족함으로써 가열 후에도, 취급성이 우수한 동시에, 확장성도 우수하게 되고 있다.
제2의 본 발명은, 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서, 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 파단신도가, 100% 이상이고, 120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'가, 33 MPa 이상인 것을 특징으로 하는 워크 가공용 시트를 제공한다(발명 2).
상기 발명(발명 2)과 관련되는 워크 가공용 시트는, 상술한 판단신도 및 저장탄성률 E'를 만족함으로써 가열 후에도, 취급성이 우수한 동시에, 확장성도 우수하게 되고 있다.
상기 발명(발명 1, 2)에서, 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 영률이, 2000 MPa 이하인 것, 및 120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 파단신도가, 100% 이상인 것을 함께 만족하는 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1 ~ 3)에서, 상기 기재의 두께는, 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다(발명 4).
상기 발명(발명 1 ~ 4)에서, 상기 점착제층은, 활성 에너지선 경화성 점착제로 이루어지는 것이 바람직하다(발명 5).
상기 발명(발명 1 ~ 5)에서, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대의 면 측에, 가공 전 또는 가공 후의 워크를 적층한 상태에서, 상기 워크 가공용 시트를 가열하는 공정을 구비하는 워크 가공 방법에 사용되는 것이 바람직하다(발명 6).
제3의 본 발명은, 상기 워크 가공용 시트(발명 1 ~ 6)의, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면에 워크를 첩합하는 첩합 공정, 상기 워크 가공용 시트 상에서 상기 워크를 다이싱함으로써, 상기 워크가 개편화하여 이루어지는 가공 후의 워크를 얻는 다이싱 공정, 상기 가공 후의 워크를, 상기 워크 가공용 시트 상에 첩합된 상태에서 가열을 수반하는 처리에 제공하는 가열 공정, 및 상기 가공 후의 워크를 상기 워크 가공용 시트로부터 픽업하는 픽업 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 가공된 워크의 제조 방법을 제공한다(발명 7).
본 발명에 따른 워크 가공용 시트는, 가열 후에도, 취급성과 확장성을 양호하게 양립할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 기재 및 상기 기재에서의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 120℃에서의 기재의 저장탄성률 E'가 33 MPa 이상이다. 기재가 이러한 저장탄성률 E'를 나타내는 것으로, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 가열되는 공정에 제공된 경우에도, 장치 등에의 기재의 융착의 발생이 억제된다. 이로 인해, 가열 처리를 행하는 장치 등으로부터, 가열 후의 워크 가공용 시트를 들어올려 다음의 공정에 양호하게 반송할 수 있게 된다. 즉, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 가열된 경우에도, 우수한 취급성을 가지게 된다. 보다 우수한 취급성을 실현하는 관점에서, 상술한 저장탄성률 E'는, 100 MPa 이상인 것이 바람직하고, 특히 110 MPa 이상인 것이 바람직하다.
한편, 상기 저장탄성률 E'의 상한값에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 500 MPa 이하인 것이 바람직하고, 특히 300 MPa 이하인 것이 바람직하고, 또한 200 MPa 이하인 것이 바람직하다. 또한 상술한 저장탄성률 E'란, 기재의 MD 방향(기재의 제조시의 흐름 방향) 및 CD 방향(MD 방향에 직교하는 방향)의 각각에 대해 측정된 저장탄성률 E'의 평균값을 가리키고, 그 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재한 바와 같다. 또한, 상기 저장탄성률 E'는 기재 단체(單體)에 대한 값이지만, 통상은, 상기 기재에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워크 가공용 시트에 대한 저장탄성률 E'도, 기재 단체의 이것과 거의 같은 값이 된다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 120℃에서 4시간 가열한 후에 기재의 23℃에서의 영률이, 2000 MPa 이하인 것이 바람직하다. 기재가 이러한 영률을 나타내는 것으로, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 가열되는 공정에 제공된 경우에도, 양호한 유연성을 발휘할 수 있게 된다. 이로 인해, 가열 처리 후에서, 워크 가공용 시트를 양호하게 확장할 수 있게 된다. 보다 우수한 확장성을 실현하는 관점에서, 상술한 영률은, 1000 MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 600 MPa 이하인 것이 바람직하고, 또한 500 MPa 이하인 것이 바람직하다.
한편, 상기 영률의 하한값에 대해서는, 보다 우수한 유연성을 실현해, 특히 확장 시에, 시트의 찢어짐을 효과적으로 막는 관점에서, 50 MPa 이상인 것이 바람직하고, 특히 300 MPa 이상인 것이 바람직하고, 또한 400 MPa 이상인 것이 바람직하다. 또한 상술한 영률은, 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 각각에 대해 측정된 영률의 평균값을 가리키고, 그 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재한 바와 같다. 또한, 상기 영률은 기재 단체에 대한 값이지만, 통상은, 상기 기재에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워크 가공용 시트에 대한 영률도, 기재 단체의 이것과 거의 같은 값이 된다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 120℃에서 4시간 가열한 후에 기재의 23℃에서의 파단신도가, 100% 이상인 것도 바람직하다. 기재가 이러한 파단신도를 나타내는 것으로, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 가열되는 공정에 제공된 경우에도, 양호한 유연성을 발휘할 수 있게 된다. 이로 인해, 가열 처리 후에, 워크 가공용 시트를 양호하게 확장할 수 있게 된다. 보다 우수한 확장성을 실현하는 관점에서, 상술한 파단신도는, 특히 150% 이상인 것이 바람직하고, 또한 200% 이상인 것이 바람직하다.
한편, 상기 파단신도의 상한값에 대해서는, 750% 이하인 것이 바람직하고, 특히 400% 이하인 것이 바람직하다. 또한 상술한 파단신도는, 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 각각에 대해 측정된 파단신도의 평균값을 가리키고, 그 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재한 바와 같다. 또한, 상기 파단신도는 기재 단체에 대한 값이지만, 통상은, 상기 기재에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워크 가공용 시트에 대한 파단신도도, 기재 단체의 이것과 거의 같은 값이 된다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 기재가 상술한 저장탄성률 E'를 만족하는 동시에, 상술한 영률 및 파단신도의 적어도 한쪽을 만족함으로써 가열 후에 우수한 취급성과 우수한 확장성을 양립할 수 있는 것이다. 그러나, 우수한 취급성과 우수한 확장성을 보다 높은 차원에서 양립하는 관점에서는, 기재가 상술한 저장탄성률 E'를 만족하는 동시에, 상술한 영률 및 파단신도의 양쪽 모두를 만족하는 것이 바람직하다.
1.워크 가공용 시트의 구성
(1) 기재
본 실시형태에서의 기재는, 상술한 저장탄성률 E'를 나타내는 동시에, 상술한 영률 및 파단신도의 적어도 한쪽을 나타내게 되는 한, 그 조성은 한정되지 않는다. 이러한 물성을 달성하기 쉽다는 관점에서는, 기재는, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 및 열가소성 폴리에스테르·엘라스토머의 적어도 일종을 재료로 하는 것이 바람직하다.
또한, 기재의 재료의 상기 이외의 예로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름; 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리에테르이미드필름; 폴리에테르에테르케톤 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또한, 기재는, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름이어도 좋다.
본 실시형태에서의 기재는, 상술한 재료의 1종으로 이루어지는 필름이어도 좋고, 또한 이들을 2 종류 이상 조합한 적층 필름이어도 좋다.
점착제층과의 밀착성을 향상시키는 목적으로, 기재에서의 점착제층을 적층하는 면에는, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시해도 좋다. 상기 산화법으로는, 예를 들면 코로나 방전 처리, 플라스마 방전 처리, 크롬 산화 처리(습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 또한, 요철화법으로는, 예를 들면 샌드 블레스트법, 용사법 처리법 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서의 기재는, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 윤활제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 좋다. 또한, 점착제층이, 활성 에너지선에 의해 경화하는 재료를 포함하는 경우, 기재는 활성 에너지선에 대한 투과성을 가지는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서의 기재의 제조 방법은, 전술한 물성을 달성하는 기재를 제조할 수 있는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, T 다이법, 환 다이법 등의 용융 압출법; 캘린더법; 건식법, 습식법 등의 용액법 등에 의해서, 상술한 재료를 시트 상으로 성형하는 것으로 제조할 수 있다.
본 실시형태에서의 기재의 두께는, 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 기재의 두께가 상기 범위인 것으로, 기재가 전술한 물성을 만족하기 쉬워져, 이로 인해, 우수한 취급성과 우수한 확장성을 보다 높은 차원에서 실현하기 쉬워진다.
(2) 점착제층
본 실시형태에서의 점착제층을 구성하는 점착제로는, 피착체에 대한 충분한 점착력(특히, 워크의 가공을 행하기 위해서 충분하게 되는 상대워크 점착력)을 발휘할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 점착제층을 구성하는 점착제의 예로는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐 에테르계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 소망한 점착력을 발휘하기 쉽다는 관점에서, 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서의 점착제층을 구성하는 점착제는, 활성 에너지선 경화성을 가지지 않는 점착제이어도 좋지만, 활성 에너지선 경화성을 가지는 점착제(이하, 「활성 에너지선 경화성 점착제」라고 하는 경우가 있다.)인 것이 바람직하다. 점착제층이 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있는 것으로, 활성 에너지선의 조사에 의해 점착제층을 경화시켜, 워크 가공용 시트의 피착체에 대한 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 특히, 활성 에너지선의 조사에 의해서, 가공 후의 워크를 상기 워크 가공용 시트로부터 용이하게 분리할 수 있게 된다.
점착제층을 구성하는 활성 에너지선 경화성 점착제로는, 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머를 주성분으로 하는 것이어도 좋고, 활성 에너지선 비경화성 폴리머(활성 에너지선 경화성을 가지지 않는 폴리머)와 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머의 혼합물을 주성분으로 하는 것이어도 좋다. 또한, 활성 에너지선 경화성 점착제는, 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머와 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머의 혼합물이어도 좋다.
상기 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머는, 측쇄에 활성 에너지선 경화성을 가지는 관능기 (활성 에너지선 경화성 기)가 도입된 (메타)아크릴산 에스테르 중합체(이하 「활성 에너지선 경화성 중합체」라고 하는 경우가 있다.)인 것이 바람직하다. 이 활성 에너지선 경화성 중합체는, 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 중합체와, 그 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 것이 바람직하다. 또한 본 명세서에서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽 모두를 의미한다. 다른 유사 용어도 마찬가지이다. 또한 「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 것으로 한다.
상술한 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 중합체는, 관능기 함유 모노머와 함께, 그 외의 모노머를 중합시켜 이루어지는 것이어도 좋다. 이러한 관능기 함유 모노머 및 그 외의 모노머, 및 상술한 불포화기 함유 화합물로는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 국제 공개 제2018/084021호에 개시되는 것을 사용할 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화성 중합체의 중량 평균 분자량은, 1만 이상인 것이 바람직하고, 특히 15만 이상인 것이 바람직하고, 또한 20만 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량 평균 분자량은, 150만 이하인 것이 바람직하고, 특히 100만 이하인 것이 바람직하다. 또한 본 명세서에서의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산값이다.
상술한 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분으로는, 예를 들면, 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 전의 상기 아크릴계 중합체를 사용할 수 있다.
상기 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분으로서 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은, 1만 이상인 것이 바람직하고, 특히 15만 이상인 것이 바람직하고, 또한 20만 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량 평균 분자량은, 150만 이하인 것이 바람직하고, 특히 100만 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상술한 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머로는, 예를 들면, 다가 알코올과 (메타)아크릴산의 에스테르 등을 사용할 수 있다.
또한 활성 에너지선 경화성 점착제를 경화시키기 위한 활성 에너지선으로서 자외선을 이용하는 경우에는, 상기 점착제에 대해서, 광중합개시제를 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 점착제에는, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분이나, 가교제 등을 첨가해도 좋다.
본 실시형태에서의 점착제층 두께는, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층 두께가 상기 범위인 것으로, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트가 소망한 점착성을 발휘하기 쉬워진다. 또한, 활성 에너지선 경화성 점착제로부터 점착제층이 되는 경우에는, 그 두께가 상술한 범위인 것으로, 경화 전에는 워크를 충분히 고정할 수 있게 되는 동시에, 경화 후에는 점착제층으로부터 가공 후의 워크를 분리하기 쉬워진다.
(3) 박리 시트
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서 기재와는 반대측의 면(이하, 「점착면」이라고 하는 경우가 있다.)을 워크에 첩부할 때까지, 상기 면을 보호하는 목적으로, 상기 면에 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다.
상기 박리 시트의 구성은 임의이고, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 상기 플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 상기 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 장쇄알킬계 등을 이용할 수 있고, 이들 중에서도, 염가로 안정한 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다.
상기 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 20㎛ 이상 250㎛ 이하이어도 좋다.
(4) 그 외
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서 기재와는 반대측의 면에 접착제층이 적층되어 있어도 좋다. 이 경우, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 예를 들면 다이싱·다이본딩시트로서 사용할 수 있다. 상기 시트에서는, 접착제층에서의 점착제층과는 반대측의 면에 워크를 첩부하고, 상기 워크와 함께 접착제층을 다이싱함으로써, 개편화된 접착제층이 적층된 칩을 얻을 수 있다. 상기 칩은, 이 개편화된 접착제층에 의해서, 상기 칩이 탑재되는 대상에 대해서 용이하게 고정할 수 있게 된다. 상술한 접착제층을 구성하는 재료로는, 열가소성 수지와 저분자량의 열경화성 접착성분을 함유하는 것이나, B스테이지(반경화상)의 열경화형 접착성분을 함유하는 것 등을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서의 점착면에 보호막 형성층이 적층되어 있어도 좋다. 이 경우, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 예를 들면 보호막 형성겸 다이싱용 시트로서 사용할 수 있다. 이러한 시트에서는, 보호막 형성층에서의 점착제층과는 반대측의 면에 워크를 첩부하고, 상기 워크와 함께 보호막 형성층을 다이싱함으로써, 개편화된 보호막 형성층이 적층된 칩을 얻을 수 있다. 상기 워크로는, 한 면에 회로가 형성된 것이 사용되는 것이 바람직하고, 이 경우, 통상, 상기 회로가 형성된 면과는 반대측의 면에 보호막 형성층이 적층된다. 개편화된 보호막 형성층은, 소정의 타이밍에 경화시킴으로써, 충분한 내구성을 가지는 보호막을 칩에 형성할 수 있다. 보호막 형성층은, 미경화의 경화성 접착제로 이루어지는 것이 바람직하다.
2.워크 가공용 시트의 제조 방법
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 박리 시트 상에 점착제층을 형성한 후, 상기 점착제층에서의 박리 시트와는 반대측의 면에 기재의 한 면을 적층함으로써 워크 가공용 시트를 얻는 것이 바람직하다.
상술한 점착제층의 형성은, 공지의 방법에 따라 행할 수 있다. 예를 들면, 점착제층을 형성하기 위한 점착성 조성물, 및 소망에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도포액을 조제한다. 그리고, 박리 시트의 박리성을 가지는 면(이하, 「박리면」이라고 하는 경우가 있다.)에 상기 도포액을 도포한다. 계속해서, 얻어진 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다.
상술한 도포액의 도포는 공지의 방법에 따라 행할 수 있고, 예를 들면, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이코트법, 그라비아 코트법 등에 의해 행할 수 있다. 또한 도포액은, 도포를 행할 수 있으면 그 성상은 특별히 한정되지 않고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있으면, 분산질로서 함유하는 경우도 있다. 또한, 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 좋고, 피착체에 첩부할 때까지, 점착제층을 보호하고 있어도 좋다.
점착제층을 형성하기 위한 점착성 조성물이 전술한 가교제를 함유하는 경우에는, 상기의 건조의 조건(온도, 시간 등)을 바꾸는 것으로, 또는 가열 처리를 별도 설치하는 것으로, 도막 내의 폴리머 성분과 가교제의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 소망한 존재 밀도로 가교 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 또한 상술한 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 점착제층과 기재를 첩합한 후, 예를 들면 23℃, 상대습도 50%의 환경에 몇일간 정치하는 양생을 행해도 좋다.
3.워크 가공용 시트의 사용 방법
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 가공을 위해서 사용하는 것이 적합하다. 이 경우, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트의 점착면을 워크에 첩부한 후, 워크 가공용 시트 상에서 워크의 가공을 행할 수 있다. 상기 가공에 따라, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 백 그라인드 시트, 다이싱 시트, 확장 시트, 픽업 시트 등으로서 사용할 수 있다. 여기서, 워크의 예로는, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지 등의 반도체 부재, 유리판 등의 유리 부재를 들 수 있다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 전술한 바와 같이, 기재가 전술한 저장탄성률 E'를 만족하는 동시에, 전술한 영률 및 파단신도의 적어도 한쪽을 만족함으로써 가열 후에도, 우수한 취급성과 우수한 확장성을 양립할 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 점착면 측에 가공 전 또는 가공 후의 워크를 적층한 상태에서, 상기 워크 가공용 시트를 가열하는 공정을 구비하는 워크 가공 방법에 사용하는 것이 특히 적합하다.
예를 들면, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 그 점착제층에서 기재와는 반대측의 면에 워크를 첩합하는 첩합 공정, 워크 가공용 시트 상에서 워크를 다이싱함으로써, 상기 워크가 개편화하여 이루어지는 가공 후의 워크를 얻는 다이싱 공정, 상기 가열 후의 워크를, 워크 가공용 시트 상에 첩합된 상태에서, 가열을 수반하는 처리에 제공하는 가열 공정, 및 상기 가공 후의 워크를 워크 가공용 시트로부터 픽업하는 픽업 공정을 구비하는 가공된 워크의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다.
상술한, 첩합 공정, 다이싱 공정, 및 픽업 공정은, 각각 공지의 방법에 따라 행할 수 있다. 또한, 상술한 가열 공정으로는 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 가공 전 또는 가공 후의 워크에 대한, 증착, 스퍼터링, 베이킹 등의 처리나, 고온 환경 하에서의 신뢰성을 확인하기 위한 가열 시험 등을 들 수 있다.
상기 가열 공정에서의 상기 가열의 조건은, 가열이 목적에 따라 적절히 설정할 수 있다. 예를 들면, 상기 가열의 온도에서는, 80℃ 이상이어도 좋고, 특히 100℃ 이상이어도 좋고, 또한 110℃ 이상이어도 좋다. 또한, 상기 온도는, 예를 들면, 300℃ 이하이어도 좋고, 특히 270℃ 이하이어도 좋고, 또한 200℃ 이하이어도 좋다. 상기 가열의 시간으로는, 예를 들면, 10분 이상이어도 좋고, 특히 30분 이상이어도 좋고, 또한 120분 이상이어도 좋다. 또한, 상기 시간은, 예를 들면, 25시간 이하이어도 좋고, 특히 10시간 이하이어도 좋고, 또한 5시간 이하이어도 좋다. 가열을 위한 장치로는, 가열이 목적에 따른 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 오븐, 가열할 수 있는 테이블 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서의 점착제층이, 전술한 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되는 경우에는, 전술한 가공된 워크의 제조 방법에서, 워크 가공용 시트에서의 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사해, 상기 점착제층을 경화시키는 활성 에너지선 조사 공정을 설치하는 것도 바람직하다. 이로 인해, 점착제층이 경화하고, 가공 후의 워크에 대한 워크 가공용 시트의 점착력이 양호하게 저하해, 가공 후의 워크의 분리가 용이해진다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 기재된 것이고, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 기재에서의 점착제층과는 반대의 면 측이나, 기재와 점착제층의 사이에는, 그 외의 층이 설치되어도 좋다.
실시예
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이러한 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 점착성 조성물의 조제
아크릴산 2-에틸헥실 50 질량부와 메타크릴산 40 질량부와 아크릴산 10 질량부를, 용액 중합법에 따라 중합시켜서, 아크릴계 중합체를 얻었다. 이 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)을 후술하는 방법에 따라 측정했는데, 60만이었다.
상기와 같이 얻어진 아크릴계 중합체 100 질량부(고형분 환산, 이하 같다), 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 성분으로서 다관능형 자외선 경화성 수지(Mitsubishi Chemical Corporation 제, 제품명 「자광 UV-5806」, Mw:2000, 8 ~ 10 관능성) 40 질량부, 가교제로서 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd. 제, 제품명 「Coronate HL」) 4.0 질량부, 광중합개시제로서 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온(BASF 사 제, 제품명 「Omnirad 127」) 3.0 질량부를 용매 중에서 혼합해, 점착성 조성물의 도포액을 얻었다.
(2) 점착제층의 형성
상기 공정(1)에서 얻어진 점착성 조성물의 도포액을, 두께 38㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 한 면이 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리된 박리 시트(LINTEC Corporation 제, 제품명 「SP-PET381031」)의 박리 처리면에 도포해, 얻어진 도막을 100℃에서 1분간 건조시켰다. 이로 인해, 박리 시트에서의 박리 면 상에, 두께 10㎛의 점착제층이 형성되어 이루어지는 적층체를 얻었다.
(3) 워크 가공용 시트의 제작
기재로서 폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름(OG CORPORATION 제, 제품명 「PBT-SS80」, 두께:80㎛)의 한 면과 상기 공정(2)에서 얻어진 적층체에서의 점착제층 측의 면을 첩합하는 것으로, 워크 가공용 시트를 얻었다.
여기서, 전술한 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 이하의 조건에서 측정(GPC 측정)한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
<측정 조건>
·측정 장치:TOSOH CORPORATION 제, HLC-8320
·GPC 컬럼(이하의 순서로 통과):TOSOH CORPORATION 제
TSK gel superH-H
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
·측정 용매:테트라히드로푸란
·측정 온도:40℃
〔실시예 2〕
기재로서 폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름(OG CORPORATION 제, 제품명 「BM-140」, 두께:140㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔실시예 3〕
열가소성 폴리에스테르·엘라스토머 수지(Du Pont-Toray Co., Ltd. 제, 제품명 「Hytrel 7247」)의 펠렛을 두께 100㎛로 제막한 필름을 기재로서 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔실시예 4〕
열가소성 폴리에스테르·엘라스토머 수지(Du Pont-Toray Co., Ltd. 제, 제품명 「Hytrel 4767」)의 펠렛을 두께 100㎛으로 제막한 필름을 기재로서 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔비교예 1〕
기재로서 호모폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름(OG CORPORATION 제, 제품명 「PBT-50」, 두께:50㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔비교예 2〕
기재로서 에틸렌-메타크릴산 공중합체 필름(ACHILLES CORPORATION 제, 제품명 「EANU80-AL-ND」, 두께:80㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔비교예 3〕
기재로서 한 면에 이접착층을 가지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(TOYOBO CO., LTD.제, 제품명 「Cosmo Shine A4100」, 두께:100㎛)을 사용해, 상기 기재에서의 이접착층 측의 면에 점착제층을 적층한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔비교예 4〕
기재로서 폴리프로필렌 필름(DiaPlus Film Inc. 제, 제품명 「PL108」, 두께:80㎛, )을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 얻었다.
〔시험예 1〕(기재의 영률 및 파단신도의 측정)
실시예 및 비교예에서 제작·사용한 기재를, 15 mm×150 mm의 시험편으로 재단하였다. 이 때, 시험편의 장변(150 mm의 변)이, 기재의 MD 방향(기재의 제조시의 흐름 방향)과 평행하게 되도록 재단하였다.
얻어진 시험편을 오븐에서 120℃에서 4시간 가열하였다. 그 후, 23℃까지 냉각한 시험편에 대해서, 인장 시험기 (Shimadzu Corporation 제, 제품명 「오토 그래프 AG-IS 500 N」)을 이용하고, 그리퍼의 거리를 100 mm로 한 다음, 200 mm/min의 속도로 인장 시험을 행해, 영률(MPa) 및 파단신도(%)를 측정하였다. 이러한 결과를, MD 방향과 관련되는 영률 및 파단신도로서 표 1에 나타낸다.
또한, 시험편의 장변(150 mm의 변)이, 기재의 CD 방향(상기 MD 방향에 직교하는 방향)과 평행하게 되도록 재단한 시험편도 제작하고, 상기 시험편에 대해서도, 상기와 마찬가지로 영률(MPa) 및 파단신도(%)를 측정하였다. 이러한 결과를, CD 방향과 관련되는 영률 및 파단신도로서 표 1에 나타낸다.
또한 MD 방향과 관련되는 영률과 CD와 관련되는 영률의 평균값(MPa), 및 MD 방향과 관련되는 파단신도와 CD와 관련되는 파단신도의 평균값(%)을 산출하였다. 이들의 결과도, 영률의 평균값 및 파단신도의 평균값으로서 표 1에 나타낸다.
또한 비교예 2에서 사용한 기재에 대해서는, 120℃에서 4시간 가열한 것에 의해 융해해 버려, 시트 형상을 양호하게 유지할 수 없게 되었다. 이 때문에, 비교예 2와 관련되는 기재의 영률 및 파단신도를 측정할 수 없었다.
〔시험예 2〕(기재의 저장탄성률 E'의 측정)
실시예 및 비교예에서 제작·사용한 기재에 대해서, 하기의 조건에서 120℃에서의 저장탄성률 E'(MPa)를 측정하였다. 여기서, 상기 측정은, 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 각각에 대해 측정을 행하였다. 그 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
<측정 조건>
측정 장치:동적 탄성률 측정 장치, ORIENTEC Co.,LTD. 제, 제품명 「Leo Vibron DDV-II-FP」
시험 개시 온도:0℃
시험 종료 온도:120℃
승온 속도:10℃/분
주파수:11Hz
또한 MD 방향과 관련되는 저장탄성률 E'와 CD와 관련되는 저장탄성률 E'의 평균값(MPa)을 산출하였다. 이 결과도, 저장탄성률 E'의 평균값으로서 표 1에 나타낸다.
또한 비교예 2에서 사용한 기재에 대해서는, 120℃에서 4시간 가열한 것에 의해 융해해 버려, 시트 형상을 양호하게 유지할 수 없게 되었다. 이 때문에, 비교예 2와 관련되는 기재의 저장탄성률 E'를 측정할 수 없었다.
〔시험예 3〕(반송성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제작한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리해, 노출한 점착제층 측의 면의 주연부에 대해서, multi-wafer mounter(LINTEC Corporation 제, 제품명 「Adwill  RAD-2700F/12」)을 이용하고, 다이싱용 링 프레임(DISCO Corporation 제, 제품명 「2-8-1」)을 첩부했다.
이어서, 미리 120℃으로 가열되고, 또한 진공이 ON가 되고 있는 상태의 상기 multi-wafer mounter의 마운트 테이블에 대하여, 링 프레임이 첩부된 상태의 워크 가공용 시트를, 상기 첩부된 면과는 반대의 면이 마운트 테이블에 접하도록, 반송 암을 이용하여 정치하였다. 그리고, 워크 가공용 시트를 마운트 테이블 상에서, 120℃에서 4시간 가열하였다.
그 후, 반송 암을 이용하고, 마운트 테이블로부터 워크 가공용 시트를 들어 올려 반송할 수 있는지 아닌지를 확인하였다. 상기 확인은, 링 프레임이 첩부된 상태의 워크 가공용 시트 5 세트에 대해 행했다.
그리고, 이하의 기준에 기초하여, 워크 가공용 시트의 반송성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
◎:5 세트 모두에서, 마운트 테이블에의 워크 가공용 시트의 융착이 생기지 않고, 문제 없이 반송할 수 있었다.
○:마운트 테이블에의 워크 가공용 시트의 융착이 생기지 않고 반송할 수 있던 세트수가, 3 또는 4 세트이었다.
×:마운트 테이블에의 워크 가공용 시트의 융착이 생기지 않고 반송할 수 있던 세트수가, 2 세트 이하이었다.
〔시험예 4〕(확장성의 평가)
(1) 다이싱
실시예 및 비교예에서 제작한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리해, 노출한 점착제층 측의 면에 대해서, multi-wafer mounter(LINTEC Corporation 제, 제품명 「Adwill  RAD-2700F/12」)을 이용하고, 실리콘 웨이퍼(직경:8 인치, 두께:350㎛)를 첩부했다. 그 후, 워크 가공용 시트에서의 점착제층 측의 면의 주연부(실리콘 웨이퍼와는 겹치지 않는 위치)에, 다이싱용 링 프레임(DISCO Corporation 제, 제품명 「2-8-1」)을 첩부했다.
이어서, 하기의 조건에서, 워크 가공용 시트 상에서, 실리콘 웨이퍼를 다이싱 하였다.
<다이싱 조건>
·다이싱 장치:DISCO 사 제, 제품명 「DFD-6362」
·블레이드:DISCO 사 제, 제품명 「NBC-ZH2050-27 HECC」
·블레이드 회전수:30000rpm
·절삭 속도:50mm/분
·노치 깊이:기재에서의 깊이 20㎛의 위치에 도달할 때까지
·다이싱사이즈:3mm×3mm
(2) 가열
계속해서, 얻어진 칩 및 링 프레임이 적층된 상태에서, 워크 가공용 시트를 오븐에 의해 120℃에서 4시간 가열하였다.
(3) 확장
계속해서, 워크 가공용 시트를 확장 장치(MITSUBISHI ELECTRIC Corporation 제, 제품명 「MELSEC-G0T F930G0T」)을 이용하여 확장하였다. 이 때, 링 프레임을 3 mm/s의 속도로 10 mm 당기는 것으로 확장을 행하였다. 그리고, 이하에 기준에 기초하여, 워크 가공용 시트의 확장성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
○:워크 가공용 시트의 파단이나, 링 프레임으로부터의 워크 가공용 시트의 박리가 생기지 않고, 양호하게 확장할 수 있었다.
×:워크 가공용 시트의 파단, 또는 링 프레임으로부터의 워크 가공용 시트의 박리가 생겨 확장을 행할 수 없었다.
또한 비교예 2와 관련되는 워크 가공용 시트에 대해서는, 상기 공정(2)에서의 가열 시에 기재가 융해해, 시트 형상을 양호하게 유지할 수 없게 되어, 그 결과, 확장의 처리를 행할 수 없었다. 이 때문에, 상기 비교예 2에 대해서는, 확장성을 「×」이라고 평가하였다.
Figure pat00001
표 1로부터 분명한 바와 같이, 실시예에서 제조한 워크 가공용 시트는, 120℃에서 4시간 가열된 후에도, 우수한 반송성(취급성)을 가짐과 동시에, 우수한 확장성을 가지는 것이었다.
본 발명의 워크 가공용 시트는, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 가공에 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서,
    120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 영률은 2000 MPa 이하이고,
    120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'은 33 MPa 이상인 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  2. 기재, 및 상기 기재의 한 면 측에 적층된 점착제층을 구비한 워크 가공용 시트로서,
    120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 파단신도는 100% 이상이고,
    120℃에서의 상기 기재의 저장탄성률 E'은 33 MPa 이상인 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 영률은 2000 MPa 이하인 것, 및
    120℃에서 4시간 가열한 후에 상기 기재의 23℃에서의 파단신도는 100% 이상인 것, 을 함께 만족하는 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기재의 두께는 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층은 활성 에너지선 경화성 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대의 면 측에, 가공 전 또는 가공 후의 워크를 적층한 상태에서, 상기 워크 가공용 시트를 가열하는 공정을 구비하는 워크 가공 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 워크 가공용 시트의, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면에 워크를 첩합하는 첩합 공정,
    상기 워크 가공용 시트 상에서 상기 워크를 다이싱함으로써, 상기 워크가 개편화하여 이루어지는 가공 후의 워크를 얻는 다이싱 공정,
    상기 가공 후의 워크를, 상기 워크 가공용 시트 상에 첩합된 상태로, 가열을 수반하는 처리에 제공하는 가열 공정, 및
    상기 가공 후의 워크를 상기 워크 가공용 시트로부터 픽업하는 픽업 공정,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는, 가공된 워크의 제조 방법.
KR1020210000228A 2020-01-30 2021-01-04 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법 KR20210097617A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020013365A JP2021119592A (ja) 2020-01-30 2020-01-30 ワーク加工用シートおよび加工済みワークの製造方法
JPJP-P-2020-013365 2020-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210097617A true KR20210097617A (ko) 2021-08-09

Family

ID=77025164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210000228A KR20210097617A (ko) 2020-01-30 2021-01-04 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2021119592A (ko)
KR (1) KR20210097617A (ko)
CN (1) CN113201290A (ko)
TW (1) TW202130761A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023144840A (ja) 2022-03-28 2023-10-11 リンテック株式会社 支持シート、及びワーク加工物の製造方法
JP2023144842A (ja) 2022-03-28 2023-10-11 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート、キット、及び、樹脂膜付きワーク加工物の製造方法
JP2023144841A (ja) 2022-03-28 2023-10-11 リンテック株式会社 支持シート、ワーク加工物の製造方法、及び支持シートの再生方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4781185B2 (ja) 2006-07-18 2011-09-28 日東電工株式会社 耐熱ダイシングテープ又はシート
WO2014199993A1 (ja) 2013-06-14 2014-12-18 電気化学工業株式会社 半導体検査用の耐熱性粘着シート
WO2015174381A1 (ja) 2014-05-12 2015-11-19 電気化学工業株式会社 半導体検査用の耐熱性粘着シート、及び半導体検査方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4314554B2 (ja) * 2002-07-04 2009-08-19 日立化成工業株式会社 接着シート及び半導体装置の製造方法
JP5548109B2 (ja) * 2010-11-30 2014-07-16 リンテック株式会社 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート
WO2016151913A1 (ja) * 2015-03-26 2016-09-29 リンテック株式会社 ダイシングシート、ダイシングシートの製造方法、およびモールドチップの製造方法
KR20230066116A (ko) * 2016-06-30 2023-05-12 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4781185B2 (ja) 2006-07-18 2011-09-28 日東電工株式会社 耐熱ダイシングテープ又はシート
WO2014199993A1 (ja) 2013-06-14 2014-12-18 電気化学工業株式会社 半導体検査用の耐熱性粘着シート
WO2015174381A1 (ja) 2014-05-12 2015-11-19 電気化学工業株式会社 半導体検査用の耐熱性粘着シート、及び半導体検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202130761A (zh) 2021-08-16
JP2021119592A (ja) 2021-08-12
CN113201290A (zh) 2021-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1820834B1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape
KR101274862B1 (ko) 제거가능한 감압성 접착제 조성물 및 감압성 접착 테이프또는 시트
KR20210097617A (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조 방법
KR101022077B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
KR101169525B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
KR102544301B1 (ko) 수지막 형성용 시트 적층체
JP2008060151A (ja) 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート
KR20120030964A (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
CN110211912B (zh) 切割片
JP6317744B2 (ja) ダイシングシート
KR20170091578A (ko) 점착 시트, 및 가공물의 제조 방법
JP2020038985A (ja) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
KR102478993B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6129705B2 (ja) 半導体加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
KR102382843B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 이를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법
JP7325403B2 (ja) ワーク加工用シート
JP6818612B2 (ja) 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4452127B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
KR102481244B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI747985B (zh) 切割片
KR102481281B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트
KR20230160228A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조방법
KR20230159372A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조방법
KR20230159373A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조방법
KR20220136091A (ko) 워크 가공용 시트