KR102481281B1 - 스텔스 다이싱용 점착 시트 - Google Patents

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Abstract

기재와, 상기 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 스텔스 다이싱(stealth dicing)용 점착 시트로서, 상기 기재가, 열기계 분석 장치를 사용해서, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 상기 기재를 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 상기 기재의 60℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃로 하고, 상기 기재의 90℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃로 했을 때에, 하기 식(1)
ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
의 관계를 충족시키는 스텔스 다이싱용 점착 시트. 이러한 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 히트슈링크(heat shrink)성이 우수하다.

Description

스텔스 다이싱용 점착 시트
본 발명은, 스텔스 다이싱(stealth dicing)(등록상표)용 점착 시트에 관한 것이고, 바람직하게는 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼를 워크피스(workpiece)로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다.
전자 회로의 대용량화, 고기능화에 대응해서, 복수의 반도체칩을 입체적으로 적층한 적층 회로의 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 적층 회로에 있어서는, 종래는 반도체칩의 도전 접속을 와이어 본딩에 의해 행하는 것이 일반적이었지만, 최근의 소형화·고기능화의 필요성에 따라, 와이어 본딩을 하지 않고, 반도체칩에 회로 형성면으로부터 이면에 관통하는 전극(TSV)을 마련해서, 직접 상하의 칩 간을 도전 접속하는 방법이 효과적인 방법으로서 개발되어 있다. 관통 전극 부착 칩의 제조 방법으로서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 소정의 위치에 플라스마 등에 의해 관통 구멍을 마련하고, 이 관통 구멍에 구리 등의 도전체를 유입(流入)한 후, 에칭 등을 실시해서 반도체 웨이퍼의 표면에 회로와 관통 전극을 마련하는 방법 등을 들 수 있다. 이때, 웨이퍼는 가열되게 된다.
이와 같은 극박 웨이퍼나, TSV 웨이퍼는, 극히 깨지기 쉽기 때문에, 이면 연삭(백그라인드) 공정이나, 그 후의 가공 공정이나 이송 공정에서 파손하는 경우가 있다. 이 때문에, 이들 공정 중, 웨이퍼는 유리 등의 경질 지지체 상에 접착제를 개재해서 유지된다.
웨이퍼의 이면 연삭 및 가공의 종료 후, 웨이퍼는 경질 지지체로부터, 다이싱 시트 상에 전착(轉着)되고, 다이싱 시트의 주연부를 링 프레임에 의해 고정한 후, 웨이퍼를 다이싱해서 복수의 칩으로 개편화(個片化)하고, 그 후 다이싱 시트로부터 칩이 픽업된다.
상기 다이싱에 의해서 얻어진 칩을 픽업하는 경우에는, 당해 칩이 첩부된 다이싱 시트를 익스팬딩하는 것이 행해진다. 이것에 의해, 칩끼리가 이간해서, 칩을 개별로 픽업하는 것이 용이하게 된다. 이와 같은 익스팬딩은, 다이싱 시트에 있어서의 칩이 첩부된 영역을, 그 칩이 첩부된 면과는 반대의 면으로부터 스 테이지에서 지탱하고, 당해 스테이지의 높이에 대해서, 다이싱 시트의 주연부에 첩부된 링 프레임의 높이를 상대적으로 낮춤으로써 행해진다.
또한, 상기 익스팬딩을 행할 때에는, 익스팬딩한 상태를 유지한 채 다이싱 시트를 흡착 테이블에서 흡착한 후, 다이싱 시트에 있어서의 링 프레임이 첩부된 영역과 칩이 첩부된 영역과의 사이의 영역을 가열해서 수축시키는 처리(히트슈링크(heat shrink))가 행해지는 경우도 있다. 당해 수축에 기인해서, 다이싱 시트에서는, 칩이 첩부된 영역을 주연부 방향으로 잡아 늘이는 힘이 발생하고, 그 결과, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 다이싱 시트를 해방한 후에 있어서도, 칩끼리가 이간한 상태를 유지할 수 있다.
특허문헌 1에는, 가열 수축 공정에 있어서 충분한 수축성을 나타내고, 가열 수축 공정 후에 늘어짐에 의한 불량을 일으키는 경우가 없는 것을 과제의 하나로 해서, 소정의 기재 필름을 구비하고, 소정의 시험에 의한 최대 열수축 응력이 소정의 값으로 되는 웨이퍼 가공용 테이프가 개시되어 있다.
일본 특허 제5554118호
그런데, 다이싱의 방법에는, 다이싱 블레이드를 사용한 다이싱 방법이나, 레이저광의 조사에 의해서 웨이퍼 내부에 개질부(改質部)를 형성하고, 당해 개질부에서 분할하는 것을 포함하는 다이싱 방법(스텔스 다이싱) 등이 존재한다. 이 중, 다이싱 블레이드를 사용하는 방법에서는, 웨이퍼에 있어서의 다이싱 블레이드가 접촉하는 부분이 절삭되기 때문에, 얻어지는 칩끼리는, 익스팬딩을 행하지 않는 상태에 있어서도, 그 절삭된 폭만큼만 이간하게 된다. 한편, 스텔스 다이싱에서는, 레이저광의 조사에 의해 웨이퍼 내에 개질부를 형성하고, 당해 개질부에 있어서 웨이퍼를 분할함으로써, 복수의 칩을 얻는다. 그 때문에, 웨이퍼에 있어서 상술한 바와 같은 절삭되는 부분이 발생하는 경우는 없고, 얻어지는 칩끼리는, 익스팬딩을 행하지 않는 상태에 있어서 거의 접촉하는 것으로 된다.
따라서, 다이싱 블레이드를 사용하는 다이싱을 행한 경우보다도, 스텔스 다이싱을 행한 경우의 편이, 상술한 히트슈링크를 행할 때에, 칩끼리를 넓게 이간한 상태로 유지하는 것이 곤란하게 되어, 픽업 불량과 같은 문제가 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 스텔스 다이싱에도 사용되는 점착 시트에서는, 히트슈링크에 의해서 점착 시트가 양호하게 수축하고, 칩끼리를 양호하게 이간한 상태로 유지할 수 있는(이하 「히트슈링크성이 우수하다」라고 하는 경우가 있다) 것이 특히 요구된다.
그러나, 특허문헌 1에 개시되는 웨이퍼 가공용 테이프와 같은 종래의 점착 시트는 히트슈링크성이 충분하지는 않고, 특히 스텔스 다이싱을 행할 경우에, 칩끼리를 넓게 이간한 상태로 유지하는 것이 불충분하게 되는 결과, 픽업 불량과 같은 문제가 발생하기 쉽다.
본 발명은, 이와 같은 실상에 감안해서 이루어진 것이며, 히트슈링크성이 우수한 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 기재와, 상기 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 스텔스 다이싱용 점착 시트로서, 상기 기재가, 열기계 분석 장치를 사용해서, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 상기 기재를 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 상기 기재의 60℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃로 하고, 상기 기재의 90℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃로 했을 때에, 하기 식(1)
ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 열기계 분석 장치를 사용해서 측정되는 기재의 길이의 변화량 ΔL90℃ 및 ΔL60℃이, 상기 식(1)의 관계를 충족시킴에 의해, 우수한 히트슈링크성을 발휘할 수 있고, 그것에 의해, 칩끼리가 이간한 상태를 양호하게 유지할 수 있는 결과, 픽업 불량과 같은 문제를 억제할 수 있다.
상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H30℃-100℃로 하고, 25℃일 때의 측정값을 H25℃로 했을 때에, 하기 식(2)
H30℃ -100℃/H25℃≤4.0 …(2)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다(발명 2).
상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H105℃-200℃로 하고, 25℃일 때의 측정값을 H25℃로 했을 때에, 하기 식(3)
H105℃ -200℃/H25℃≥1.0 …(3)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H30℃ -100℃로 하고, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H105℃-200℃로 했을 때에, 하기 식(4)
H105℃-200℃/H30℃-100℃≥0.1 …(4)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다(발명 4).
상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 기재는, 23℃에 있어서의 인장 탄성률이 50MPa 이상, 450MPa 이하인 것이 바람직하다(발명 5).
상기 발명(발명 1∼5)에 있어서는, 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼를 워크피스로 하는 것이 바람직하다(발명 6).
상기 발명(발명 1∼6)에 있어서는, 워크피스가 적층된 상기 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의, 상기 워크피스가 적층되어 있지 않은 영역을, 가열에 의해 수축하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것이 바람직하다(발명 7).
본 발명에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 히트슈링크성이 우수하다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 기재와, 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한다.
1. 스텔스 다이싱용 점착 시트의 구성 부재
(1) 기재
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 열기계 분석 장치를 사용해서, 기재를 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 기재의 60℃일 때의 길이로부터 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃(㎛)로 하고, 기재의 90℃일 때의 길이로부터 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃(㎛)로 했을 때에, 기재가, 하기 식(1)
ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
의 관계를 충족시킨다.
기재가 상기 식(1)의 관계를 충족시킬 경우, 기재에서는, 90℃일 때의 길이가, 60℃일 때의 길이보다도 짧게 되어 있는 것을 의미한다. 그 때문에, 히트슈링크 시에, 기재를 예를 들면 90℃ 이상, 200℃ 이하와 같은 온도로 가열했을 때에, 기재가 양호하게 수축할 수 있다. 이것에 의해, 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 우수한 히트슈링크성을 갖는 것으로 되고, 히트슈링크 후에 있어서, 칩끼리가 이간한 상태를 양호하게 유지할 수 있고, 칩끼리의 충돌이 억제된 양호한 픽업을 행하는 것이 가능하게 된다. 또, 상기 변화량 ΔL90℃ 및 ΔL60℃의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재하는 바와 같다.
또한, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 더 우수한 히트슈링크성을 발휘한다는 관점에서, ΔL90℃-ΔL60℃의 값은, 특히 -10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, ΔL90℃-ΔL60℃의 값의 하한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 -3000㎛ 이상이고, -2000㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다.
또, 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트가 사용되는 워크피스로서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지 등의 반도체 부재, 유리판 등의 유리 부재 등을 들 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼는, 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼(TSV 웨이퍼)여도 된다. 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 상기한 바와 같이, 히트슈링크 후에 있어서의 칩끼리의 충돌을 억제할 수 있기 때문에, 두께가 얇고, 그것에 의해 상기 충돌에 의한 칩의 파손이 발생하기 쉬운 워크피스를 사용하는 경우여도, 당해 파손을 효과적으로 억제할 수 있다. 그 때문에 스텔스 다이싱용 점착 시트가 사용되는 워크피스로서는, 일반적으로 매우 얇은 두께를 갖는, 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼가 호적하다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H30℃ -100℃로 하고, 25℃일 때의 측정값(mW)을 H25℃로 했을 때에, 기재가, 하기 식(2)
H30℃-100℃/H25℃≤4.0 …(2)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다. 기재가 상기 식(2)을 충족시킬 경우, 기재가, 30℃로부터 100℃라는 온도 범위에 흡열 피크를 갖지 않는 경향이 높아지고, 기재의 융점은 비교적 높은 것으로 된다. 그 때문에, 기재, 및 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트가 우수한 내열성을 갖는 것으로 된다. 특히, 스텔스 다이싱용 점착 시트를, 가열된 흡착 테이블 상에 재치(載置)하는 경우여도, 기재의 연화(軟化)에 의한 흡착 테이블에의 밀착이 억제되어, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블로부터 양호하게 분리할 수 있다. 또, 상기 시차 주사 열량계를 사용한 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
스텔스 다이싱용 점착 시트가 더 우수한 내열성을 나타낸다는 관점에서, H30℃ -100℃/H25℃의 값은, 3.0 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, H30℃ -100℃/H25℃의 값의 하한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 0.1 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H105℃ -200℃로 하고, 25℃일 때의 측정값(mW)을 H25℃로 했을 때에, 기재가, 하기 식(3)
H105℃-200℃/H25℃≥1.0 …(3)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다. 기재가 상기 식(3)을 충족시킬 경우, 기재가, 상술한 식(1)의 관계를 충족시키기 쉬워지고, 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 우수한 히트슈링크성을 효과적으로 발휘하는 것으로 된다. 그 결과, 히트슈링크 후에 있어서, 칩끼리가 이간한 상태를 보다 양호하게 유지할 수 있고, 칩끼리의 충돌이 억제된 양호한 픽업을 효과적으로 행할 수 있다. 또, 상기 시차 주사 열량계를 사용한 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
또, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 더 우수한 내열성을 나타낸다는 관점에서, H105℃ -200℃/H25℃의 값은, 1.1 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, H105℃ -200℃/H25℃의 값의 상한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 20 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H30℃ -100℃로 하고, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H105℃-200℃로 했을 때에, 기재가, 하기 식(4)
H105℃-200℃/H30℃-100℃≥0.1 …(4)
의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다. 기재가 상기 식(4)을 충족시킬 경우, 기재가, 상술한 식(1)의 관계를 충족시키기 쉬워지고, 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 우수한 히트슈링크성을 효과적으로 발휘하는 것으로 된다. 그 결과, 히트슈링크 후에 있어서, 칩끼리가 이간한 상태를 보다 양호하게 유지할 수 있고, 칩끼리의 충돌이 억제된 양호한 픽업을 효과적으로 행할 수 있다. 또한, 기재가 상기 식(4)을 충족시킬 경우, 기재가, 30℃로부터 100℃라는 온도 범위에 흡열 피크를 갖지 않는 경향이 높아짐과 함께, 105℃로부터 200℃라는 온도 범위에 흡열 피크를 갖는 경향이 높아지고, 기재의 융점은 비교적 높은 것으로 된다. 그 결과, 기재, 및 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트가 우수한 내열성을 갖는 것으로 된다. 특히, 스텔스 다이싱용 점착 시트를, 가열된 흡착 테이블 상에 재치하는 경우여도, 기재의 연화에 의한 흡착 테이블에의 밀착이 억제되어, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블로부터 양호하게 분리할 수 있다. 또, 상기 시차 주사 열량계를 사용한 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
또, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 더 우수한 내열성을 나타낸다는 관점에서, H105℃ -200℃/H30℃ -100℃의 값은, 0.7 이상인 것이 특히 바람직하고, 1.5 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, H105℃ -200℃/H30℃ -100℃의 값의 상한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 20 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률이, 450MPa 이하인 것이 바람직하고, 400MPa 이하인 것이 특히 바람직하고, 300MPa 이하인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 인장 탄성률은, 50MPa 이상인 것이 바람직하고, 70MPa 이상인 것이 특히 바람직하고, 100MPa 이상인 것이 더 바람직하다. 당해 인장 탄성률이 450MPa 이하임으로써, 기재는 가열에 의해 수축하기 쉬운 것으로 되고, 그 때문에, 히트슈링크 후에 있어서, 반도체칩이나 유리칩 간을 이간한 상태로 효과적으로 유지하는 것이 가능하게 된다. 한편, 당해 인장 탄성률이 50MPa 이상임으로써, 기재가 충분한 강성을 갖는 것으로 되고, 당해 기재를 구비하는 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 가공성이나 핸들링성이 우수한 것으로 된다. 또, 상기 인장 탄성률의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
기재의 재료로서는, 열기계 분석 장치에 의한 측정에 관한 상기 식(1)의 관계를 충족시킴과 함께, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 사용 공정에 있어서의 원하는 기능을 발휘하는 것인 한, 특히 한정되지 않는다. 또한, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 구성되는 경우에는, 기재의 재료가, 점착제층의 경화를 위하여 조사되는 에너지선에 대해서 양호한 투과성을 발휘할 수 있는 것이 바람직하다.
기재는, 수지계의 재료를 주재로 하는 수지 필름인 것이 바람직하고, 그 구체예로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산메틸 공중합체 필름, 그 밖의 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; (메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리스티렌 필름; 불소 수지 필름; 폴리이미드 필름; 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있다. 폴리올레핀계 필름에 있어서, 폴리올레핀은 블록 코폴리머 또는 랜덤 코폴리머여도 된다. 폴리에틸렌 필름의 예로서는, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 또한, 기재는, 상술한 필름이 복수 적층되어 이루어지는 적층 필름이어도 된다. 이 적층 필름에 있어서, 각층을 구성하는 재료는 동종이어도 되고, 이종(異種)이어도 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
기재로서는, 상기 필름 중에서도, 열기계 분석 장치에 의한 측정에 관한 상기 식(1)의 관계를 충족시키기 쉽다는 관점에서, 저밀도 폴리에틸렌 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌 필름, 랜덤 코폴리머의 폴리프로필렌 필름(랜덤 폴리프로필렌 필름) 또는 에틸렌-메타크릴산 공중합체 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
기재는, 난연제, 가소제, 대전방지제, 활제, 산화방지제, 착색제, 적외선 흡수제, 이온포착제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 이들 첨가제의 함유량으로서는, 특히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘하는 범위로 하는 것이 바람직하다.
기재의 점착제층이 적층되는 면에는, 점착제층과의 밀착성을 높이기 위해서, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리 등의 표면 처리가 실시되어도 된다.
기재의 두께는, 450㎛ 이하인 것이 바람직하고, 400㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 350㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 20㎛ 이상인 것이 바람직하고, 25㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 50㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 기재의 두께가 450㎛ 이하임으로써, 기재가 히트슈링크하기 쉬운 것으로 되고, 반도체칩이나 유리칩 간을 양호하게 이간해서 유지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기재의 두께가 20㎛ 이상임으로써, 기재가 양호한 강성을 갖는 것으로 되고, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 워크피스를 효과적으로 지지하는 것이 가능하게 된다.
(2) 점착제층
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 사용 공정에 있어서의 원하는 기능을 발휘하는 것인 한, 특히 한정되지 않는다. 스텔스 다이싱용 점착 시트가 점착제층을 구비함으로써, 당해 점착제층측의 면에 대해서 워크피스를 양호하게 첩부하기 쉬워진다.
점착제층은, 비에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 되고, 에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 된다. 비에너지선 경화성 점착제로서는, 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하며, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 연신했을 때에 반도체칩 등의 탈락을 효과적으로 억제할 수 있는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
한편, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 조사에 의해 경화해서 점착력이 저하하기 때문에, 반도체칩과 스텔스 다이싱용 점착 시트를 분리시키고 싶을 때에, 에너지선 조사함에 의해, 용이하게 분리시킬 수 있다.
점착제층을 구성하는 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 하는 것이어도 되고, 비에너지선 경화성 폴리머(에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머)와 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머와의 혼합물을 주성분으로 하는 것이어도 된다. 또한, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머와 비에너지선 경화성 폴리머와의 혼합물이어도 되고, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머와 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머와의 혼합물이어도 되고, 그들 3종의 혼합물이어도 된다.
최초로, 에너지선 경화성 점착제가, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 하는 경우에 대하여, 이하 설명한다.
에너지선 경화성을 갖는 폴리머는, 측쇄에 에너지선 경화성을 갖는 관능기(에너지선 경화성기)가 도입된 (메타)아크릴산에스테르 (공)중합체(A)(이하 「에너지선 경화형 중합체(A)」라 하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다. 이 에너지선 경화형 중합체(A)는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체(a1)와, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)을 반응시켜서 얻어지는 것인 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 분자 내에 갖는 모노머인 것이 바람직하다.
히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용된다.
카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복시산을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 아미노에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
아크릴계 공중합체(a1)를 구성하는 (메타)아크릴산에스테르 모노머로서는, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 알킬(메타)아크릴레이트 외에, 예를 들면, 분자 내에 지환식 구조를 갖는 모노머(지환식 구조 함유 모노머)가 바람직하게 사용된다.
알킬(메타)아크릴레이트로서는, 특히 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등이 바람직하게 사용된다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
지환식 구조 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산시클로헥실, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산아다만틸, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸 등이 바람직하게 사용된다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상, 더 바람직하게는 10질량% 이상의 비율로 함유한다. 또한, 아크릴계 공중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 바람직하게는 35질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하, 더 바람직하게는 25질량% 이하의 비율로 함유한다.
또한, 아크릴계 공중합체(a1)는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 바람직하게는 50질량% 이상, 특히 바람직하게는 60질량% 이상, 더 바람직하게는 70질량% 이상의 비율로 함유한다. 또한, 아크릴계 공중합체(a1)는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 바람직하게는 99질량% 이하, 특히 바람직하게는 95질량% 이하, 더 바람직하게는 90질량% 이하의 비율로 함유한다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상기와 같은 관능기 함유 모노머와, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 통상의 방법으로 공중합함에 의해 얻어지지만, 이들 모노머 외에도 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 스티렌 등이 공중합되어도 된다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체(a1)를, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)과 반응시킴에 의해, 에너지선 경화형 중합체(A)가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기는, 아크릴계 공중합체(a1)가 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라서, 적의(適宜) 선택할 수 있다. 예를 들면, 아크릴계 공중합체(a1)가 갖는 관능기가 히드록시기, 아미노기 또는 치환 아미노기일 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기로서는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 아크릴계 공중합체(a1)가 갖는 관능기가 에폭시기일 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기로서는 아미노기, 카르복시기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
또한 상기 불포화기 함유 화합물(a2)에는, 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합이, 1분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1∼6개, 더 바람직하게는 1∼4개 포함되어 있다. 이와 같은 불포화기 함유 화합물(a2)의 구체예로서는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 글리시딜(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산, 2-(1-아지리디닐)에틸(메타)아크릴레이트, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 아크릴계 공중합체(a1)의 관능기 함유 모노머 몰수에 대해서, 바람직하게는 50몰% 이상, 특히 바람직하게는 60몰% 이상, 더 바람직하게는 70몰% 이상의 비율로 사용된다. 또한, 상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 아크릴계 공중합체(a1)의 관능기 함유 모노머 몰수에 대해서, 바람직하게는 95몰% 이하, 특히 바람직하게는 93몰% 이하, 더 바람직하게는 90몰% 이하의 비율로 사용된다.
아크릴계 공중합체(a1)와 불포화기 함유 화합물(a2)과의 반응에 있어서는, 아크릴계 공중합체(a1)가 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기와의 조합에 따라서, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 촉매의 종류를 적의 선택할 수 있다. 이것에 의해, 아크릴계 공중합체(a1) 중에 존재하는 관능기와, 불포화기 함유 화합물(a2) 중의 관능기가 반응하고, 불포화기가 아크릴계 공중합체(a1) 중의 측쇄에 도입되어, 에너지선 경화형 중합체(A)가 얻어진다.
이와 같이 해서 얻어지는 에너지선 경화형 중합체(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1만 이상인 것이 바람직하고, 15만 이상인 것이 특히 바람직하고, 20만 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 중량 평균 분자량(Mw)은, 150만 이하인 것이 바람직하고, 100만 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
에너지선 경화성 점착제가, 에너지선 경화형 중합체(A)와 같은 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 하는 경우여도, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 더 함유해도 된다.
에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 다가 알코올과 (메타)아크릴산과의 에스테르 등을 사용할 수 있다.
이러한 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 단관능성 아크릴산에스테르류, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트 등의 다관능성 아크릴산에스테르류, 폴리에스테르올리고(메타)아크릴레이트, 폴리우레탄올리고(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화형 중합체(A)에 대하여, 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합할 경우, 에너지선 경화성 점착제 중에 있어서의 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 함유량은, 에너지선 경화형 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0질량부 초과인 것이 바람직하고, 60질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 에너지선 경화형 중합체(A) 100질량부에 대해서, 250질량부 이하인 것이 바람직하고, 200질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
여기에서, 에너지선 경화성 점착제를 경화시키기 위한 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 광중합개시제(C)를 첨가하는 것이 바람직하고, 이 광중합개시제(C)의 사용에 의해, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광중합개시제(C)로서는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오잔톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로판온}, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
광중합개시제(C)는, 에너지선 경화형 공중합체(A)(에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 에너지선 경화형 공중합체(A) 및 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100질량부) 100질량부에 대해서 0.1질량부 이상, 특히 0.5질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 바람직하다. 또한, 광중합개시제(C)는, 에너지선 경화형 공중합체(A)(에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 에너지선 경화형 공중합체(A) 및 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100질량부) 100질량부에 대해서 10질량부 이하, 특히 6질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 점착제에 있어서는, 상기 성분 이외에도, 적의 다른 성분을 배합해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들면, 비에너지선 경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D), 가교제(E) 등을 들 수 있다.
비에너지선 경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D)으로서는, 예를 들면, 폴리아크릴산에스테르, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 중량 평균 분자량(Mw)이 3000∼250만인 폴리머 또는 올리고머가 바람직하다. 당해 성분(D)을 에너지선 경화성 점착제에 배합함에 의해, 경화 전에 있어서의 점착성 및 박리성, 경화 후의 강도, 다른 층과의 접착성, 보존안정성 등을 개선할 수 있다. 당해 성분(D)의 배합량은 특히 한정되지 않으며, 에너지선 경화형 공중합체(A) 100질량부에 대해서 0질량부 초과, 50질량부 이하의 범위에서 적의 결정된다.
가교제(E)로서는, 에너지선 경화형 공중합체(A) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로서는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제(E)의 배합량은, 에너지선 경화형 공중합체(A) 100질량부에 대해서, 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.03질량부 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.04질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 가교제(E)의 배합량은, 에너지선 경화형 공중합체(A) 100질량부에 대해서, 8질량부 이하인 것이 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 특히 바람직하고, 3.5질량부 이하인 것이 더 바람직하다.
다음으로, 에너지선 경화성 점착제가, 비에너지선 경화성 폴리머 성분과 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머와의 혼합물을 주성분으로 하는 경우에 대하여, 이하 설명한다.
비에너지선 경화성 폴리머 성분으로서는, 예를 들면, 상술한 아크릴계 공중합체(a1)와 마찬가지의 성분을 사용할 수 있다.
적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머로서는, 상술의 성분(B)과 같은 것을 선택할 수 있다. 비에너지선 경화성 폴리머 성분과 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머와의 배합비는, 비에너지선 경화성 폴리머 성분 100질량부에 대해서, 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머 1질량부 이상인 것이 바람직하고, 60질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 배합비는, 비에너지선 경화성 폴리머 성분 100질량부에 대해서, 적어도 하나 이상의 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머 200질량부 이하인 것이 바람직하고, 160질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
이 경우에 있어서도, 상기와 마찬가지로, 광중합개시제(C)나 가교제(E)를 적의 배합할 수 있다.
점착제층의 두께는, 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 3㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 30㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 20㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 점착제층의 두께가 1㎛ 이상임으로써, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 워크피스에 대해서 양호한 점착력을 발휘하는 것으로 되고, 의도하지 않는 단계에 있어서의 워크피스의 벗겨짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 점착제층의 두께가 50㎛ 이하임으로써, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 점착력이 과도하게 높아지는 것이 억제되고, 픽업 불량의 발생 등을 효과적으로 억제할 수 있다.
(3) 박리 시트
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 점착제층에 있어서의 점착면을 워크피스에 첩부하기 전까지, 당해 면을 보호할 목적으로, 당해 면에 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있고, 이들 중에서, 안가(安價)이며 안정한 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서는 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.
2. 스텔스 다이싱용 점착 시트의 제조 방법
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서, 기재의 제조 방법은, 얻어지는 기재가 열기계 분석 장치에 의한 측정에 관한 상기 식(1)의 관계를 충족시키는 한, 특히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상술한 재료를 사용해서, T다이법, 둥근다이법 등의 용융 압출법; 캘린더법; 건식법, 습식법 등의 용액법 등에 의해서 기재를 제조할 수 있다. 이들 제조 방법 중에서도, T다이법을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제층의 형성 방법은, 특히 한정되지 않는다. 예를 들면, 박리 시트 상에 있어서 형성한 점착제층을, 상기와 같이 제조한 기재의 편면측에 전사함으로써, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻을 수 있다. 이 경우, 점착제층을 구성하는 점착성 조성물, 및 소망에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도공액을 조제하고, 박리 시트의 박리 처리된 면(이하 「박리면」이라 하는 경우가 있다) 상에, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등에 의해 그 도공액을 도포해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 행하는 것이 가능하면 그 성상은 특히 한정되지 않으며, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있으며, 분산질로서 함유하는 경우도 있다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 되고, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 워크피스에 첩부하기 전까지, 점착제층의 점착면을 보호하기 위하여 사용해도 된다.
점착제층을 형성하기 위한 도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 상기한 건조의 조건(온도, 시간 등)을 바꿈에 의해, 또는 가열 처리를 별도 마련함에 의해, 도막 내의 에너지선 경화형 중합체(A) 또는 비에너지선 경화성 폴리머 성분과 가교제(E)와의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기한 방법 등에 의해서 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 스텔스 다이싱용 점착 시트를, 예를 들면 23℃, 상대 습도 50%의 환경에 수일간 정치하는 것과 같은 양생을 행해도 된다.
상술과 같이 박리 시트 상에서 형성한 점착제층을 기재의 편면측에 전사하는 대신에, 기재 상에서 직접 점착제층을 형성해도 된다. 이 경우, 상술한 점착제층을 형성하기 위한 도공액을 기재의 편면측에 도포해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해, 점착제층을 형성한다.
3. 스텔스 다이싱용 점착 시트의 사용 방법
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 스텔스 다이싱에 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 스텔스 다이싱의 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용할 수 있다.
본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 상술한 바와 같이, 히트슈링크 후에 있어서의 칩끼리의 충돌을 억제할 수 있기 때문에, 두께가 얇고, 그것에 의해 칩의 파손이 발생하기 쉬운 워크피스에 호적하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼(TSV)에 호적하게 사용할 수 있다.
이하에, 스텔스 다이싱의 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 설명한다. 최초로, 경질 지지체에 고정된 워크피스(반도체 웨이퍼)의 편면을 연삭하는(백그라인드) 공정이 행해진다. 반도체 웨이퍼는, 경질 지지체에 대해서, 예를 들면 접착제에 의해 고정되어 있다. 경질 지지체로서는, 예를 들면 유리 등이 사용된다. 백그라인드는, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다.
계속해서, 백그라인드가 완료한 반도체 웨이퍼를, 경질 지지체로부터 스텔스 다이싱용 점착 시트에 전사한다. 이때, 반도체 웨이퍼의 백그라인드한 면에 대해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 점착제층측의 면을 첩부한 후, 경질 지지체를 반도체 웨이퍼로부터 분리한다. 경질 지지체의 반도체 웨이퍼로부터의 분리는, 경질 지지체와 반도체 웨이퍼와의 고정에 사용하고 있던 접착제의 종류에 따른 방법에 의해 행할 수 있으며, 예를 들면, 가열에 의해 접착제를 연화시킨 후, 경질 지지체를 반도체 웨이퍼로부터 슬라이딩시키는 방법, 레이저광 조사에 의해 접착제를 분해하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 반도체 웨이퍼로부터 경질 지지체가 분리된 후, 링 프레임에 대해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 주연부를 첩부한다.
계속해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트 상에 적층된 반도체 웨이퍼를, 용제를 사용해서 세정하는 공정이 행해진다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼에 잔존하는 접착제를 제거할 수 있다. 당해 세정은, 일반적인 방법으로 행할 수 있으며, 예를 들면, 스텔스 다이싱용 점착 시트와 반도체 웨이퍼와의 적층체를 용제 중에 침지하는 방법, 반도체 웨이퍼보다 약간 큰 프레임을, 웨이퍼를 위요(圍繞)하도록 스텔스 다이싱용 점착 시트 상에 배치하고, 프레임 내에 용제를 투입하는 방법 등을 들 수 있다.
계속해서, 필요에 따라서, 스텔스 다이싱용 점착 시트 상에 적층된 반도체 웨이퍼에 대해서, 다른 반도체 웨이퍼를 적층해도 된다. 이때, 반도체끼리는, 접착제 등을 사용해서 고정할 수 있으며, 예를 들면 비도전성 접착 필름(Nonconductive film; NCF)에 의해 고정할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 적층은, 필요한 적층수로 될 때까지 반복해도 된다. 이와 같은 반도체 웨이퍼의 적층은, 특히, 반도체 웨이퍼로서 TSV 웨이퍼를 사용하고, 적층 회로를 제조할 때에 호적하게 행해진다.
계속해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼의 적층체(이하에 있어서 「반도체 웨이퍼」라고 할 경우, 특히 언급하지 않는 한, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼의 적층체를 말하는 것으로 한다)의 스텔스 다이싱이 행해진다. 이 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 대해서 레이저광을 조사해서, 반도체 웨이퍼 내에 개질부를 형성한다. 레이저광의 조사는, 스텔스 다이싱에 있어서 일반적으로 사용되는 장치 및 조건을 사용해서 행할 수 있다.
계속해서, 반도체 웨이퍼를, 스텔스 다이싱에 의해 형성된 개질부에 있어서 분할하여, 복수의 반도체칩을 얻는다. 당해 분할은, 예를 들면, 스텔스 다이싱용 점착 시트와 반도체 웨이퍼와의 적층물을 익스팬딩 장치에 설치하고, 0℃∼실온 환경 하에서 익스팬딩함으로써 행할 수 있다.
계속해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 다시 익스팬딩한다. 당해 익스팬딩은, 얻어진 반도체칩끼리를 이간시키는 것을 주된 목적으로 해서 행해진다. 또한, 익스팬딩한 상태를 유지한 채 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블에서 흡착한다. 여기에서의 익스팬딩은, 상온 또는 가열한 상태에서 행할 수 있다. 또한, 익스팬딩은, 일반적인 장치를 사용해서 일반적인 방법에 의해 행할 수 있고, 또한, 사용되는 흡착 테이블도 일반적인 것을 사용해서 행할 수 있다.
계속해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블에서 흡착한 채, 얻어진 반도체칩이 적층된 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의, 반도체칩이 적층되어 있지 않은 영역을, 가열에 의해 수축(히트슈링크)한다. 구체적으로는, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 반도체칩이 적층된 영역과, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 링 프레임이 첩부된 영역과의 사이에 있어서의 영역을 가열하여, 당해 영역을 수축시킨다. 이때의 가열 조건으로서는, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 온도를, 90℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 온도를, 200℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 열기계 분석 장치를 사용해서 측정되는 기재의 길이의 변화량 ΔL90℃ 및 ΔL60℃이 상술한 식(1)의 관계를 충족시킴에 의해, 기재가 가열에 의해 양호하게 수축할 수 있다. 그것에 의해, 후술하는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 해방한 후에 있어서도, 반도체칩끼리가 이간한 상태를 양호하게 유지할 수 있고, 반도체칩의 픽업을 양호하게 행할 수 있다.
계속해서, 상술한 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 스텔스 다이싱용 점착 시트를 해방한다. 상기 히트슈링크 공정에 있어서, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 반도체칩이 적층된 영역과, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 링 프레임이 첩부된 영역과의 사이에 있어서의 영역이 수축함에 의해, 스텔스 다이싱용 점착 시트에서는, 반도체칩이 첩부된 영역을 주연부 방향으로 잡아 늘이는 힘이 발생하여 있다. 그 결과, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 해방한 후에 있어서도, 반도체칩끼리가 이간한 상태를 유지할 수 있다.
그 후, 개개의 반도체칩을, 인접하는 반도체칩으로부터 이간한 상태에서, 스텔스 다이싱용 점착 시트로부터 픽업한다. 이 픽업은, 일반적인 장치를 사용해서, 일반적인 방법으로 행할 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 우수한 히트슈링크성을 발휘하는 결과, 반도체칩끼리를 양호하게 이간한 상태로 유지할 수 있고, 그것에 의해, 픽업을 양호하게 행할 수 있다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 기재와 점착제층과의 사이, 또는 기재에 있어서의 점착제층과는 반대측의 면에는, 그 밖의 층이 마련되어도 된다.
(실시예)
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등으로 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 기재의 작성
저밀도 폴리에틸렌을 함유하는 수지 조성물(스미토코가가쿠샤제, 제품명 「스미카센F-412-1」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형하여, 두께 70㎛의 기재를 얻었다.
(2) 점착제 조성물의 조제
아크릴산n-부틸(BA) 62질량부와, 메타크릴산메틸(MMA) 10질량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 28질량부를 반응시켜서 얻어진 아크릴계 공중합체(a1)와, 당해 아크릴계 공중합체(a1)의 HEA에 대해서 80mol%의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를 반응시켜서, 에너지선 경화형 중합체(A)를 얻었다. 이 에너지선 경화형 중합체(A)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정했더니, 중량 평균 분자량(Mw)은, 50만이었다.
얻어진 에너지선 경화형 중합체 100질량부(고형분 환산, 이하 같다)와, 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF샤제, 제품명 「이르가큐어184」) 3.0질량부와, 가교제로서의 톨릴렌디이소시아네이트(도소샤제, 제품명 「코로네이트L」) 1.0질량부를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물을 얻었다.
(3) 점착제층의 형성
두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리 시트(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」)의 박리면에 대해서, 상기 점착제 조성물을 도포하고, 가열에 의해 건조시킴으로써, 박리 시트 상에, 두께 20㎛의 점착제층을 형성했다.
(4) 스텔스 다이싱용 점착 시트의 제작
상기 공정(3)에서 형성한 점착제층의 박리 시트와는 반대측의 면과, 상기 공정(1)에서 제작한 기재의 편면을 첩합함으로써, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻었다.
〔실시예 2〕
기재로서, 저밀도 폴리에틸렌을 함유하는 수지 조성물(스미토코가가쿠샤제, 제품명 「스미카센F-723P」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형해서 얻어진, 두께 70㎛의 기재를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
〔실시예 3〕
기재로서, 저밀도 폴리에틸렌을 함유하는 수지 조성물(스미토코가가쿠샤제, 제품명 「스미카센CE3506」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형해서 얻어진, 두께 70㎛의 기재를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
〔실시예 4〕
기재로서, 랜덤 폴리프로필렌을 함유하는 수지 조성물(프라임폴리머사제, 제품명 「프라임TPO J-5710」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형해서 얻어진, 두께 70㎛의 기재를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
〔실시예 5〕
기재로서, 랜덤 폴리프로필렌을 함유하는 수지 조성물(프라임폴리머사제, 제품명 「프라임TPO F-3740」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형해서 얻어진, 두께 70㎛의 기재를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
〔실시예 6〕
기재로서, 에틸렌-메타크릴산 공중합체를 함유하는 수지 조성물(미쓰이듀퐁폴리케미컬샤제, 제품명 「뉴크레르NH903C」)을, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠죠샤제, 제품명 「라보플라스트밀」)에 의해서 압출 성형해서 얻어진, 두께 70㎛의 기재를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
〔비교예 1〕
기재로서, 두께 80㎛의 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스텔스 다이싱용 점착 시트를 제조했다.
여기에서, 상술한 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 사용해서 이하의 조건에서 측정(GPC 측정)한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
<측정 조건>
·GPC 측정 장치 : 도소샤제, HLC-8020
·GPC 칼럼(이하의 순으로 통과) : 도소샤제
TSK guard column HXL-H
TSK gel GMHXL(×2)
TSK gel G2000HXL
·측정 용매 : 테트라히드로퓨란
·측정 온도 : 40℃
〔시험예 1〕(기재의 인장 탄성률의 측정)
실시예 및 비교예에서 제작한 기재를 15㎜×140㎜의 시험편으로 재단하고, JIS K7161:2014에 준거해서, 온도 23℃ 및 상대 습도 50%에 있어서의 인장 탄성률을 측정했다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장 시험기(오리엔텍샤제, 제품명 「텐시론RTA-T-2M」)에서, 척 간 거리 100㎜로 설정한 후, 200㎜/min의 속도로 인장 시험을 행하여, 인장 탄성률(MPa)을 측정했다. 또, 측정은, 기재의 성형 시의 압출 방향(MD) 및 이것에 직각의 방향(CD)의 쌍방으로 행하고, 이들 측정 결과의 평균값을 인장 탄성률 파단 신도로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 2〕(시차 주사 열량계에 의한 측정)
실시예 및 비교예에서 제작한 기재로부터 4.0mg분을 잘라내서, 측정 샘플로 했다. 당해 측정 샘플을, 시차 주사 열량계(TA인스트루먼트샤제, 제품명 「Q2000」)를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열해서, DSC 곡선을 얻었다.
얻어진 DSC 곡선에 있어서의, 25℃일 때의 측정값(mW)을 H25℃로 하고, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H30℃ -100℃로 하고, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값(mW)의 최소값을 H105℃ -200℃로 했다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, H25℃에 대한 H30℃ -100℃의 비(H30℃ -100℃/H25℃), H25℃에 대한 H105℃ -200℃의 비(H105℃ -200℃/H25℃), 및 H30℃ -100℃에 대한 H105℃ -200℃의 비(H105℃ -200℃/H30℃ -100℃)를 산출했다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 3〕(열기계 분석 장치에 의한 측정)
실시예 및 비교예에서 제작한 기재를 4.5㎜×20㎜의 사이즈로 컷하여, 측정 샘플로 했다. 당해 측정 샘플을, 열기계 분석 장치(BRUKER사제, 제품명 「TMA4000SA」)에, 척 간 거리를 15㎜로 해서 설치한 후, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 0.2g의 하중에서 장축 방향으로 인장했다. 그리고, 60℃ 및 90℃에 있어서의 측정 샘플의 척 간 거리를 각각 측정했다.
그리고, 60℃에 있어서의 측정 샘플의 척 간 거리로부터 초기의 척 간 거리를 뺌으로써, 측정 샘플의 척 간 거리의 변화량 ΔL60℃(㎛)을 산출했다. 또한, 90℃에 있어서의 측정 샘플의 척 간 거리로부터 초기의 척 간 거리를 뺌으로써, 측정 샘플의 척 간 거리의 변화량 ΔL90℃(㎛)을 산출했다. 또한, ΔL90℃로부터 ΔL60℃을 빼서 얻어지는 값(ΔL90℃-ΔL60℃)(㎛)을 산출했다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 4〕(내열성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 스텔스 다이싱용 점착 시트로부터 박리 시트를 박리한 후, 당해 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의 기재측의 면을, 멀티 웨이퍼 마운터(린텍샤제, 제품명 「RAD-2700 F/12」)가 구비하는 흡착 테이블에 2분간 흡착시켰다. 당해 흡착 동안에, 흡착 테이블을 70℃로 가열했다.
2분이 경과 후, 흡착 테이블에 의한 흡착을 정지한 후, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 흡착 테이블로부터 분리하도록, 상기 멀티 웨이퍼 마운터가 구비하는 반송 수단을 구동시켰다. 이때, 당해 분리가 양호하게 행해지고, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 문제없이 반송할 수 있었던 것을 「○」, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 포러스 테이블에의 밀착이 조금 발생했지만, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 반송할 수 있었던 것을 「△」, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 포러스 테이블에 완전하게 밀착해서, 반송할 수 없었던 것을 「×」로 해서, 스텔스 다이싱용 점착 시트의 내열성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
이상의 내열성의 평가를, 상기 흡착 테이블을 90℃로 가열한 경우에 대해서도 행했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 5〕(히트슈링크성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 스텔스 다이싱용 점착 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 점착면에 대해서, 멀티 웨이퍼 마운터(린텍샤제, 제품명 「RAD-2700 F/12」)를 사용해서, 실리콘 웨이퍼(외경 : 8인치, 두께 : 100㎛) 및 링 프레임(스테인리스제)에 첩부했다.
다음으로, 스텔스 다이싱용 점착 시트 상에 첩부된 상기 실리콘 웨이퍼에 대해서, 레이저소우(디스코샤제, 제품명 「DFL7361」)를 사용해서 파장 1342㎚의 레이저광을 조사하여, 얻어지는 칩 사이즈가 8㎜×8㎜로 되도록, 실리콘 웨이퍼 내에 개질부를 형성했다.
다음으로, 스텔스 다이싱용 점착 시트가 첩부된, 레이저광 조사 후의 실리콘 웨이퍼 및 링 프레임을, 다이세퍼레이터(디스코샤제, 제품명 「DDS2300」)에 설치하고, 0℃에서, 떨어뜨리는 속도 100㎜/초, 익스팬딩양 10㎜로 익스팬딩(쿨익스팬딩)했다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼는 개질부에 있어서 분할되어, 각각의 칩 사이즈가 8㎜×8㎜인 복수의 반도체칩이 얻어졌다.
계속해서, 떨어뜨리는 속도 1㎜/초, 익스팬딩양 7㎜로, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 익스팬딩했다. 또한, 익스팬딩한 상태인 채로, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 흡착 테이블에서 흡착한 후, 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의, 반도체칩이 첩부된 영역과 링 프레임이 첩부된 영역과의 사이를 가열했다. 이때의 가열 조건으로서는, IR 히터의 설정 온도를 600℃, 회전 속도를 1deg/sec, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 지지하는 흡착 테이블과 히터와의 거리를 13㎜로 설정했다. 이것에 의해, 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 약 180℃로 가열되었다.
그 후, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 스텔스 다이싱용 점착 시트를 해방하고, 이웃하는 반도체칩 간의 거리를 5점 측정하고, 그 평균값을 산출했다. 그리고, 당해 평균값이 20㎛ 이상인 경우를 「○」, 20㎛ 미만인 경우를 「×」로 해서, 히트슈링크성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure 112019034768642-pct00001
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서 얻어진 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 히트슈링크성이 우수했다. 또한, 실시예 1∼3에서 얻어진 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 내열성도 우수했다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 점착 시트는, 관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼를 스텔스 다이싱할 때에 호적하게 사용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 기재와, 상기 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 스텔스 다이싱(stealth dicing)용 점착 시트로서,
    상기 기재가, 열기계 분석 장치를 사용해서, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 상기 기재를 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 상기 기재의 60℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃로 하고, 상기 기재의 90℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃로 했을 때에, 하기 식(1)
    ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
    의 관계를 충족시키고,
    상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H30℃-100℃로 하고, 25℃일 때의 측정값을 H25℃로 했을 때에, 하기 식(2)
    H30℃-100℃/H25℃≤4.0 …(2)
    의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  3. 기재와, 상기 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 스텔스 다이싱용 점착 시트로서,
    상기 기재가, 열기계 분석 장치를 사용해서, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 상기 기재를 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 상기 기재의 60℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃로 하고, 상기 기재의 90℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃로 했을 때에, 하기 식(1)
    ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
    의 관계를 충족시키고,
    상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H105℃-200℃로 하고, 25℃일 때의 측정값을 H25℃로 했을 때에, 하기 식(3)
    H105℃-200℃/H25℃≥1.0 …(3)
    의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  4. 기재와, 상기 기재에 있어서의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 스텔스 다이싱용 점착 시트로서,
    상기 기재가, 열기계 분석 장치를 사용해서, 승온 속도 20℃/분으로 25℃로부터 120℃까지 가열하면서, 상기 기재를 0.2g의 하중으로 인장하는 경우에 있어서, 상기 기재의 60℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL60℃로 하고, 상기 기재의 90℃일 때의 길이로부터 상기 기재의 초기의 길이를 빼서 얻어지는 상기 기재의 길이의 변화량을 ΔL90℃로 했을 때에, 하기 식(1)
    ΔL90℃-ΔL60℃<0㎛ …(1)
    의 관계를 충족시키고,
    상기 기재는, 시차 주사 열량계를 사용해서, 승온 속도 10℃/분으로 0℃로부터 200℃까지 가열함으로써 얻어지는 상기 기재에 대한 DSC 곡선에 있어서, 30℃로부터 100℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H30℃-100℃로 하고, 105℃로부터 200℃의 범위에 있어서의 측정값의 최소값을 H105℃-200℃로 했을 때에, 하기 식(4)
    H105℃-200℃/H30℃-100℃≥0.1 …(4)
    의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재는, 23℃에 있어서의 인장 탄성률이 50MPa 이상, 450MPa 이하인 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    관통 전극을 갖는 반도체 웨이퍼를 워크피스(workpiece)로 하는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  7. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    워크피스가 적층된 상기 스텔스 다이싱용 점착 시트에 있어서의, 상기 워크피스가 적층되어 있지 않은 영역을, 가열에 의해 수축하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
  8. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층에 있어서의 상기 기재와는 반대측의 면이 워크피스에 대해서 직접 첩부되는 것을 특징으로 하는 스텔스 다이싱용 점착 시트.
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