KR20170091578A

KR20170091578A - 점착 시트, 및 가공물의 제조 방법

Info

Publication number: KR20170091578A
Application number: KR1020177005685A
Authority: KR
Inventors: 시게유키 야마시타; 마사토모 나카무라
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2014-12-02
Filing date: 2015-11-27
Publication date: 2017-08-09
Also published as: JP6731852B2; TW202014490A; WO2016088677A1; TW202144516A; TW201629171A; KR102447759B1; CN106795396B; CN106795396A; SG11201704347YA; TWI811763B; TWI738633B; JPWO2016088677A1

Abstract

판상(板狀) 부재에 레이저광을 조사하여 개질부(改質部)를 형성하고, 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서, 기재(基材)와, 기재의 한쪽 면에 마련된 점착제층을 구비하고, 기재는, 한쪽 면 및 한쪽 면과 반대측 면의 쌍방에 대해서, JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)에 규정되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.01㎛ 이상 0.2㎛ 이하이며, 점착제층의 두께가 2㎛ 이상 12㎛ 이하인 점착 시트이다. 이러한 점착 시트는, 다이싱 공정에 있어서 레이저광을 사용할 경우에 사용되었을 때에 결점이 생기기 어렵고, 우수한 픽업성을 갖는다.

Description

점착 시트, 및 가공물의 제조 방법{ADHESIVE SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING PROCESSED ARTICLE}

본 발명은 판상(板狀) 부재에 레이저광을 조사하여 개질부(改質部)를 형성하고, 그 판상 부재를 개편화(個片化)하여 칩 형상의 가공물을 얻는 점착 시트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 점착 시트를 사용하여 칩 등의 가공물을 제조하는 방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼는 표면에 회로가 형성된 후, 웨이퍼의 이면측에 연삭 가공을 시행하고, 웨이퍼의 두께를 조정하는 이면 연삭 공정 및 웨이퍼를 소정의 칩 사이즈로 개편화하는 다이싱 공정이 행해진다.

최근 전자 기기 케이싱의 사이즈 다운이나 다적층칩을 사용한 반도체 장치의 수요의 증가에 수반하여, 그 구성 부재인 반도체칩의 박형화(薄型化)가 진행되고 있다. 이 때문에, 종래 350㎛ 정도의 두께였던 웨이퍼를, 50∼100㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 하는 것이 요구되어지게 되었다.

취질(脆質) 부재인 웨이퍼는, 얇아짐에 따라, 가공이나 운반시, 파손될 위험성이 높아진다. 이와 같은 극박(極薄) 웨이퍼는, 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의해 절단되면, 반도체 웨이퍼의 특히 이면측에 치핑(chipping) 등이 생겨, 칩의 항절(抗折) 강도가 현저하게 저하된다.

이 때문에, 레이저광을 반도체 웨이퍼의 내부에 조사하여 선택적으로 개질부를 형성시키면서 다이싱 라인을 형성하여 개질부를 기점으로 해서 반도체 웨이퍼를 절단하는, 소위 스텔스 다이싱(stealth dicing)법이 제안되고 있다(특허문헌 1). 스텔스 다이싱법에 의하면, 레이저광을 반도체 웨이퍼의 내부에 조사하여 개질부를 형성 후, 극박의 반도체 웨이퍼를 기재(基材)와 점착제층으로 이루어지는 점착 시트(다이싱 시트)에 첩부(貼付)하고, 다이싱 시트를 확장함으로써, 다이싱 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 분할(다이싱)하고, 반도체칩을 수율 좋게 생산할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼를 다이싱 시트에 첩부한 후에, 레이저광의 조사에 의해 개질부를 형성하는 것도 제안되고 있다. 이와 같은 프로세스를 채용함으로써, 개질부가 형성되어 취약해진 웨이퍼에 다이싱 테이프를 부착하는 공정이 없기 때문에, 취약화한 웨이퍼가 파손될 리스크를 저감할 수 있다. 이 경우에 있어서, 레이저는 통상 웨이퍼의 회로 비(非)형성면으로부터 조사되기 때문에, 다이싱 시트를 통과시켜 레이저를 조사할 필요가 생긴다.

상기와 같은 다이싱 공정에 있어서 가공 수단으로서 레이저가 사용될 경우 도 있다면, 다이싱 공정시에 반도체 웨이퍼 등의 판상 부재를 정확하게 얼라인먼트 하기 위한 툴로서도 레이저가 사용될 경우도 있다. 이들 경우와 같은 다이싱 공정에 있어서 레이저광을 사용할 경우에 사용되는 점착 시트(본 명세서에 있어서, 이 점착 시트를 「레이저 다이싱 시트」라고도 함)는, 그 사용에 있어서 이 레이저 다이싱 시트를 레이저가 투과할 경우에는, 레이저광에 대한 우수한 투과성을 갖고 있지 않으면 안된다.

이러한 요구에 응하기 위해, 예를 들면 특허문헌 2에는, 기재와, 그 편면(片面)에 형성된 점착제층으로 이루어지는 레이저 다이싱 시트로서, 300∼400㎚의 파장 영역에 있어서의 전(全)광선 투과율이 60％ 이상이며, 헤이즈가 20％ 이하이며, 광학 빗살폭이 0.25㎜에 있어서의 투과 선명도가 30 이상인 레이저 다이싱 시트가 개시되어 있다.

일본국 특개2005-229040호 공보 일본국 특허 제5124778호 공보

특허문헌 2에는, 상기 레이저 다이싱 시트로서, 당해 기재의 편면의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 타면(他面)의 중심선 평균 거칠기(Ra)보다도 크고, 중심선 평균 거칠기(Ra)의 큰 면에 점착제층이 형성되어 이루어지는 것으로서, 중심선 평균 거칠기(Ra)가 0.3∼0.7㎛인 면을 점착제층 형성면으로 하고, 기재에 있어서의 당해 면과 반대측 면의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 0.14㎛인 레이저 다이싱 시트가 개시되어 있다(특허문헌 2 실시예).

이와 같은 레이저 다이싱 시트는, 레이저가 입사(入射)하는 측의 면인, 기재에 있어서의 점착제층 형성면과 반대측 면이 평활면으로 되어 있기 때문에, 기재 표면에서의 레이저광의 산란이 방지되어, 레이저광의 유효 이용이 도모되고 있다.

그런데, 레이저 다이싱 시트를 사용하여 반도체 웨이퍼 등의 판상 부재로부터 제조되는 반도체칩 등의 가공물은, 그 두께가 더 얇아지는 경향이 있다. 또한, 최근, 실장(實裝)의 고밀도화가 진행되어, 실리콘 웨이퍼를 기판 대신으로 하고, 그 위에 Si 관통 전극(TSV, Through-Silicon Via)을 사용하여 칩을 적층할 경우가 있다. 이와 같이 가공물이 얇거나, 가공물이 TSV에 의거하는 구조를 갖고 있을 경우에는, 레이저 다이싱 시트의 점착제층은, 그 점착제층에 부착되어 있는 가공물로부터 용이하게 박리(剝離)할 수 있는(픽업성이 우수한) 것이 바람직하다.

한편으로, 특허문헌 2에 기재된 레이저 다이싱 시트에서는, 점착제층이 기재상에 적절하게 형성되지 않은 부분이 생길 경우가 있었다. 이와 같은 부분은, 레이저 다이싱 시트의 평면에서 볼 때 결점으로서 관측되어, 판상 부재를 가공하기 위해 입사한 레이저의 판상 부재의 도달광(到達光)에 불균일성을 초래할 우려가 있다.

본 발명은 다이싱 공정에 있어서 레이저광을 사용할 경우에 사용되는 점착 시트로서, 결점이 생기기 어렵고, 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트를 제공하는 것, 및 이러한 점착 시트를 사용하여, 판상 부재로부터 가공물을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명자들이 검토한 바, 점착제층의 두께를 2㎛ 이상 12㎛ 이하로 하고, 기재의 쌍방의 면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 0.2㎛ 이하로 함으로써, 결점이 발생할 가능성을 안정적으로 저감하면서, 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트를 얻을 수 있다는 새로운 지견을 얻었다.

상기 지견에 의거하여 완성된 본 발명은 다음과 같다.

(1) 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 마련된 점착제층을 구비하고, 상기 기재는, 상기 한쪽 면 및 상기 한쪽 면과 반대측 면의 쌍방에 대해서, JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)에 규정되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.01㎛ 이상 0.2㎛ 이하이며, 상기 점착제층의 두께가 2㎛ 이상 12㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 점착 시트.

(2) 상기 점착 시트는, JIS K7136:2000(ISO 14782:1999)에 규정되는 헤이즈가, 기재측을 입사측으로 했을 때에 0.01％ 이상 10％ 이하인, 상기 (1)에 기재된 점착 시트.

(3) 상기 점착제층은 아크릴계 중합체를 함유하고, 상기 아크릴계 중합체는 유리 전이 온도(Tg)가 -40℃ 이상 -10℃ 이하인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 점착 시트.

(4) 상기 아크릴계 중합체는 메틸메타크릴레이트에 유래하는 구성 단위를 포함하고, 상기 아크릴계 중합체를 부여하는 단량체 전체에 대한 메틸메타크릴레이트의 질량 비율은 5질량％ 이상 20질량％ 이하인, 상기 (3)에 기재된 점착 시트.

(5) 상기 아크릴계 중합체는, 에너지선 중합성기를 갖는, 상기 (3) 또는 (4)에 기재된 점착 시트.

(6) 상기 기재는 폴리올레핀계 재료를 함유하는, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(7) 상기 기재의 상기 산술 평균 거칠기(Ra)는 상기 기재를 롤 가압하는 것을 포함하여 설정된 것인, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(8) 상기 롤 가압에 사용된 롤은 금속 재료로 이루어지는 표면을 갖는 롤인, 상기 (7)에 기재된 점착 시트.

(9) 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재되는 점착 시트의 상기 기재(基材)보다도 상기 점착제층에 근위(近位)한 면을, 판상 부재를 포함하는 피착체의 한쪽 면에 첩부하여, 상기 점착 시트 및 상기 판상 부재를 구비하는 제1 적층체를 얻는 첩부 공정; 상기 제1 적층체가 구비하는 상기 기재를 신장(伸長)함으로써, 상기 점착 시트상의 상기 판상 부재를 분할하여, 상기 판상 부재의 분할체를 구비하는 칩의 복수가 상기 점착 시트상에 배치되어 이루어지는 제2 적층체를 얻는 분할 공정; 및 상기 제2 적층체가 구비하는 상기 복수의 칩의 각각을 상기 점착 시트로부터 분리하여, 상기 칩을 가공물로서 얻는 픽업 공정을 구비하고, 상기 분할 공정이 개시되기까지, 상기 판상 부재의 내부에 설정된 초점에 집속(集束)되도록 레이저광을 조사하여, 상기 판상 부재의 내부에 개질부를 형성하는 개질부 형성 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 가공물의 제조 방법.

(10) 상기 분할 공정에 제공되는 상기 제1 적층체는, 상기 점착제층과 상기 판상 부재 사이에 부가층을 구비하고, 상기 분할 공정에 의해 상기 부가층도 분할되고, 상기 픽업 공정에 의해 상기 점착 시트로부터 분리하는 칩은, 상기 판상 부재의 분할체 및 당해 판상 부재의 분할체의 상기 점착 시트에 근위한 면상에 형성된 상기 부가층의 분할체를 구비하는, 상기 (9)에 기재된 가공물의 제조 방법.

(11) 상기 부가층은 보호층을 구비하는, 상기 (10)에 기재된 가공물의 제조 방법.

(12) 상기 분할 공정이 개시되기까지, 상기 제1 적층체가 구비하는, 상기 보호층을 보호막 형성 필름으로부터 형성하는 보호막 형성 공정을 구비하는, 상기 (11)에 기재된 가공물의 제조 방법.

(13) 상기 부가층은 다이본딩층을 구비하는, 상기 (10)에 기재된 가공물의 제조 방법.

본 발명에 의하면, 결점이 생기기 어렵고, 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트가 제공된다. 또한, 이러한 점착 시트를 사용함으로써, 판상 부재로부터 가공물을 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.

1. 점착 시트

본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, 기재 및 점착제층을 구비한다.

(1) 기재

본 실시형태에 따른 점착 시트의 기재는, 점착제층에 대향(對向)하는 측의 면(본 명세서에 있어서 「점착제 가공면」이라고도 함) 및 점착제 가공면과 반대측 면(본 명세서에 있어서 「레이저 입사면」이라고도 함)의 쌍방에 대해서, JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)에 규정되는 산술 평균 거칠기(Ra)(이하, 언급하지 않은 「산술 평균 거칠기(Ra)」는 이 의미로 사용됨)가 0.2㎛ 이하이다. 이들 면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎛ 이하임으로써, 점착 시트의 평면에서 볼 때 결점이 관측되기 어렵다. 이 때문에, 점착 시트의 기재측으로부터 입사된 레이저광이, 점착 시트가 첩부된 판상 부재에 균일하게 도달하기 쉽다. 이러한 레이저광이 판상 부재에 불균일하게 도달할 경우에는, 예를 들면 판상 부재 내에 적절하게 개질부가 형성되어 있지 않은 부분이 생겨, 이 부분에서 판상 부재의 개편화가 적절하게 행해지지 않는 것과 같은 불량이 생길 가능성이 높아진다. 상기 입사 레이저광의 균일성을 높이는 관점에서, 점착제 가공면 및 레이저 입사면의 쌍방에 대해서, 산술 평균 거칠기(Ra)는 0.18㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.16㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.14㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 0.12㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 평면에서 볼 때 결점이 생기기 어려운 점착 시트를 얻는 관점에서는, 점착제 가공면에 대해서, 산술 평균 거칠기(Ra)의 하한은 한정되지 않는다. 제조 안정성을 유지하는 관점 등에서, 점착제 가공면 및 레이저 입사면의 쌍방에 대해서, 산술 평균 거칠기(Ra)는 0.01㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 기재의 구성 재료는, 상기 산술 평균 거칠기(Ra)에 관한 조건을 충족시킬 수 있고, 레이저 다이싱 시트의 기재로서 사용할 수 있는, 즉, 원하는 파장의 레이저광을 실용적인 범위의 투과율로 투과하는 것이 가능하며, 면 내 방향으로 신장되거나, 국소적으로 두께 방향으로 돌출했을 경우에도 파단하기 어렵다는 요청을 충족시키는 한, 특히 한정은 되지 않는다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 기재는, 통상, 수지계 재료를 주재(主材)로 하는 필름으로 구성된다. 이 필름은 단층이어도 되고, 적층체여도 된다.

이러한 필름에 함유되는 수지계 재료의 구체예로서, 랜덤 코폴리머 폴리프로필렌, 블록 코폴리머 폴리프로필렌 등의 폴리프로필렌, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체, 노르보넨 수지 등의 시클로올레핀폴리머(COP)폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 재료; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 폴리염화비닐계 재료; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 재료; 폴리우레탄계 재료; 폴리이미드계 재료; 아이오노머 수지계 재료; 알킬(메타)아크릴레이트의 단독 중합체, 알킬(메타)아크릴레이트의 공중합체 등의 폴리아크릴계 재료; 폴리스티렌계 재료; 폴리카보네이트계 재료; 불소 수지계 재료; 그리고 이들 수지계 재료의 수첨가물 및 변성물을 주재로 하는 수지계 재료 등을 들 수 있다. 수지계 재료는 상기 재료와 가교제와의 가교물이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다. 상기 기재를 부여하는 수지계 재료는 1종 단독이어도 되고 2종 이상의 혼합물이어도 된다. 높은 레이저 투과성, 면 내 방향의 신장이나 두께 방향의 국소적인 변형의 용이함, 낮은 환경 부하 등의 관점에서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기재는, 폴리올레핀계 재료를 함유하는 것이 바람직하고, 폴리올레핀계 재료 중에서도, 랜덤 코폴리머 폴리프로필렌 등의 폴리프로필렌을 함유하는 것이 보다 바람직하다.

기재에 함유되는 수지계 재료가 폴리올레핀계 재료일 경우에는, 일반적으로, 기재의 쌍방의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)의 제어는, 2개의 롤을 사용하여 기재를 끼워넣는 롤 가압에 의해 행해진다. 이들 롤의 표면을 구성하는 재료나 그 표면의 거칠기를 조정함으로써, 기재의 쌍방의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)는 설정된다. 종래에는, 이들 롤의 표면은, 한쪽이 금속으로 이루어지고, 다른쪽이 고무와 같은 탄성 재료로 이루어지는 경우가 일반적이었다. 이 때문에, 금속의 면으로 이루어지는 롤에 접한 기재의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)는 비교적 용이하게 낮은 값으로 하는 것이 가능했지만, 탄성 재료로 이루어지는 롤에 접한 기재의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 낮은 값으로 하는 것이 곤란했다. 그래서, 본 실시형태에 따른 기재와 같이, 기재의 쌍방의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 저하시키려는 경우에는, 롤 가압에 요구되는 롤의 쌍방에 대해서, 금속으로 이루어지는 면으로 하는 것이 바람직하다. 단, 이 경우에는, 한쪽 롤의 표면이 탄성 재료로 이루어질 경우에 비해, 쌍방의 롤 및 기재의 상대 배치를 보다 엄밀하게 제어하는 것이 필요해진다. 기재에 함유되는 수지계 재료가 폴리염화비닐계 재료일 경우에는, 인플레이션 성형에 의해 기재를 제조하는 것이 가능하기 때문에, 기재의 쌍방의 면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 낮은 값으로 설정하는 것은 용이하다. 그러나, 폴리염화비닐계 재료는 할로겐 원소를 함유하기 때문에, 환경 부하의 저감이 요구될 경우에는, 기재의 재료로서 사용하지 않는 편이 바람직하다.

기재는, 상기 수지계 재료를 주재로 하는 필름 내에, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 윤활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 착색제로서는, 예를 들면 이산화티탄, 카본블랙 등의 안료나, 각종 염료 등을 들 수 있다. 또한, 필러로서, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 흄드실리카와 같은 무기계 재료 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능, 특히 레이저를 투과하는 기능을 발휘하여, 원하는 평활성이나 유연성을 잃어버리지 않는 범위에 그쳐야 한다.

점착제층을 경화하기 위해 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 기재는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 사용할 경우에는 기재는 전자선의 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다.

기재의 두께는 점착 시트가 전술한 각 공정에 있어서 적절하게 기능할 수 있는 한 한정되지 않는다. 바람직하게는 20∼450㎛, 보다 바람직하게는 25∼200㎛, 특히 바람직하게는 50∼150㎛의 범위에 있다.

기재는, 영률이 50∼500㎫인 것이 바람직하다. 영률을 이 범위로 함으로써, 양호한 신장성을 유지하면서, 기재의 기계 강도를 향상시켜, 점착제층을 형성할 때의 공정 적성을 양호하게 할 수 있다. 예를 들면 기재가 되는 폴리올레핀계 수지를 함유하는 필름을 코터(coater)에 세트시, 장력을 걸었을 경우의 기재의 의도하지 않은 신장을 방지할 수 있다.

상기 영률은, 블로킹 등을 발생하기 어렵게 하고, 또한, 기계 강도를 향상시키면서 확장성을 보다 양호하게 하는 관점에서 60∼450㎫인 것이 보다 바람직하고, 100∼420㎫인 것이 더 바람직하고, 150∼300㎫인 것이 보다 더 바람직하다.

(2) 점착제층

본 실시형태에 따른 점착 시트가 구비하는 점착제층은, 그 두께가 2㎛ 이상 12㎛ 이하이다. 점착제층의 두께가 상기 범위 내에 있고, 기재의 쌍방의 면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 전술한 범위 내에 있음으로써, 평면에서 볼 때 결점이 생기기 어렵고, 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트를 얻을 수 있다. 상기 결점이 생길 가능성을 보다 안정적으로 저감시키는 관점에서, 점착제층의 두께는 3㎛ 이상인 것이 바람직하고, 4㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트를 얻는 것을 보다 안정적으로 실현하는 관점에서, 점착제층의 두께는 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 8㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 6㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착 시트가 구비하는 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물은 한정되지 않는다. 이러한 점착제 조성물에 함유되는 점착제로서, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 예시된다. 이하, 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물이 아크릴계의 점착제를 함유할 경우를 예로서 설명한다. 아크릴계의 점착제는 투명성이 우수하기 때문에, 레이저광선을 투과하기 쉽다.

아크릴계의 점착제는, 아크릴계 중합체를 함유한다. 아크릴계 중합체는, 아크릴계 화합물에 의거하는 구성 단위를 그 골격을 구성하는 단위로서 포함하는 중합체이다. 아크릴계 중합체는, 1종류의 단량체가 중합하여 이루어지는 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 단량체가 중합하여 이루어지는 공중합체여도 된다. 중합체의 물리적 특성이나 화학적 특성을 제어하기 쉬운 관점에서, 아크릴계 중합체는 공중합체인 것이 바람직하다.

아크릴계 중합체는, 유리 전이 온도(Tg)가 -40℃ 이상 -10℃ 이하인 것이 바람직하다. 유리 전이 온도(Tg)가 -40℃ 이상인 아크릴계 중합체를 점착제 조성물이 함유함으로써, 점착제층의 점착성이 저하되고, 픽업성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다. 이러한 픽업성을 향상시키는 효과를 보다 안정적으로 얻는 관점에서, 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 -35℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼의 칩에의 분할 후에, 칩을 유지하는 성능을 유지하는 것이 용이해지는 관점에서, 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 -20℃ 이하인 것이 바람직하다.

아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 한정되지 않는다. 통상, 10만∼200만인 것이 바람직하고, 30만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn, Mn은 수평균 분자량)도 한정되지 않는다. 통상, 1.0∼10인 것이 바람직하고, 1.0∼3.0인 것이 보다 바람직하다.

아크릴계 중합체를 부여하는 단량체의 구체적인 종류는 한정되지 않는다. 이러한 단량체로서, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르, 아크릴로니트릴 등이 예시된다. (메타)아크릴산에스테르의 구체예로서, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트 등의 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트; 시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 환상(環狀) 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트; 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등의 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

아크릴계 중합체는, 그 유리 전이 온도(Tg)를 상승시키는 관점에서, 메틸메타크릴레이트를 함유하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체가 메틸메타크릴레이트를 함유함으로써 초래되는 효과를 보다 안정적으로 향수(享受)하는 관점에서, 아크릴계 중합체를 부여하는 단량체 전체에 대한 메틸메타크릴레이트의 질량 비율은 5질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 7질량％ 이상 15질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

아크릴계 중합체는, 아세트산비닐, 스티렌, 비닐아세테이트 등을 단량체로서 포함하는 공중합체여도 된다.

아크릴계 중합체는, 에너지선 중합성기와, 가교제와 반응할 수 있는 반응성 관능기(이하, 「반응성 관능기」라고 약기함)의 적어도 한쪽을 갖고 있어도 된다.

아크릴계 중합체가 에너지선 중합성기를 함유할 경우에는, 점착제층에 에너지선을 조사함으로써, 피착체에 대한 점착성을 저하시킬 수 있어, 우수한 픽업성을 갖는 점착 시트를 얻는 것이 용이해진다. 에너지선 중합성기로서는, 중합성 이중 결합을 포함하는 기가 예시된다. 에너지선 중합성기를 갖는 아크릴계 중합체의 조제 방법은 한정되지 않는다. 이러한 조제 방법의 일례로서, 수산기, 카르복시산기, 아미노기 등의 활성 수소를 갖는 관능기를 갖는 아크릴계 중합체에 대하여, 이소시아네이트기 등 상기 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 에너지선 중합성기를 갖는 물질(구체예로서, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 들 수 있음)을 반응시키는 것을 들 수 있다. 또한, 아크릴계의 점착제가, 이와 같은 조정 방법에 의해 에너지선 중합성기를 함유하는 아크릴계 중합체를 함유할 경우에는, 상술한 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는, 상기 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 에너지선 중합성기를 갖는 물질을 반응시키기 전의 Tg를 가리킨다.

아크릴계 중합체가 반응성 관능기를 가질 경우에는, 이 반응성 관능기와 가교제를 반응시킴으로써, 점착제층의 응집성을 조정하여, 점착 시트의 박리 후에 피착체에 잔사(殘渣)가 발생하는 것을 억제하거나, 점착제층의 점착성을 저하시켜, 픽업성을 더 향상시키거나 하는 것이 용이해진다. 반응성 관능기와 가교제의 조합은 한정되지 않는다. 반응성 관능기로서, 수산기, 카르복시산기, 아미노기 등의 활성 수소를 갖는 기 등이 예시된다. 가교제로서, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등이 예시된다.

이소시아네이트계 가교제는, 복수의 이소시아네이트기를 갖는 폴리이소시아네이트 화합물을 적어도 함유한다. 폴리이소시아네이트 화합물의 구체예로서, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 비시클로헵탄트리이소시아네이트, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌디이소시아네이트, 수첨(水添) 자일릴렌디이소시아네이트 등의 지환식 이소시아네이트 화합물; 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트 등의 비(非)환식 지방족 이소시아네이트 및 그 뷰렛체나 이소시아누레이트체, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 에틸렌글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 비(非)방향족성 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등의 변성체 등을 들 수 있다.

에폭시계 가교제로서는, 예를 들면 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다.

아지리딘계 가교제로서는, 예를 들면 디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리메틸올프로판트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리에틸렌멜라민, 비스이소프탈로일-1-(2-메틸아지리딘), 트리스-1-(2-메틸아지리딘)포스핀, 트리메틸올프로판트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등을 들 수 있다.

금속 킬레이트계 가교제에는, 금속 원자가 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연, 철, 주석 등의 킬레이트 화합물이 있다. 이들 중에서도, 알루미늄 킬레이트 화합물이 성능이 우수하기 때문에 바람직하다. 알루미늄 킬레이트 화합물로서는, 예를 들면 디이소프로폭시알루미늄모노올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄비스올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노올레에이트모노에틸아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노라우릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노스테아릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노이소스테아릴아세토아세테이트 등을 들 수 있다.

점착제 조성물이 아크릴계 중합체를 함유할 경우에 있어서, 점착제 조성물은 아크릴계 중합체 이외의 성분을 함유해도 된다. 그러한 재료의 예로서, 에너지선 중합성 화합물을 들 수 있다. 에너지선 중합성 화합물은, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합하는 화합물이다. 이 에너지선 중합성 화합물의 예로서는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물(단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머)을 들 수 있고, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다. 이와 같은 화합물은, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖고, 통상은, 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 점착제 조성물이, 아크릴계의 점착제이며, 에너지선 중합성기를 함유하는 아크릴계 중합체를 함유할 경우에는, 점착제 조성물이 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물을 함유하지 않아도, 또는 소량밖에 함유하지 않아도, 점착제층에 에너지선을 조사함으로써, 피착체에 대한 점착성을 저하시킬 수 있다. 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물의 함유량이 많을 경우에는, 픽업성이 저하하는 경향이 있다. 그 때문에, 점착제 조성물이 아크릴계 점착제이며, 에너지선 중합성기를 함유하는 아크릴계 중합체를 함유함으로써, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물의 사용량을 저감하여, 픽업성을 더 향상시킬 수 있다. 점착제 조성물이 아크릴계의 점착제일 경우에는, 점착제 조성물은, 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여, 에너지선 중합성 화합물을 0∼30질량부 함유하는 것이 바람직하고, 0∼15질량부 함유하는 것이 보다 바람직하고, 0∼10질량부 함유하는 것이 더 바람직하다.

점착제 조성물이, 에너지선 중합성기를 갖는 아크릴계 중합체를 함유하고 있거나, 에너지선 중합성 화합물을 함유할 경우에는, 광중합 개시제도 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오잔톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광개시제, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 예시할 수 있다. 광중합 개시제를 함유시킴으로써, 에너지선으로서 자외선을 사용할 경우에, 그 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.

에너지선 중합성기나 에너지선 중합성 화합물을 반응시키기 위한 에너지선으로서는, 전리(電離) 방사선, 즉, X선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.

전리 방사선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 취급의 용이함으로부터 파장 200∼380㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 사용하면 된다. 자외선의 광량으로서는, 점착제층에 함유되는 에너지선 중합성기나 에너지선 중합성 화합물의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적의(適宜) 선택하면 되고, 통상 50∼500mJ/㎠ 정도이며, 100∼450mJ/㎠가 바람직하고, 150∼400mJ/㎠가 보다 바람직하다. 또한, 자외선 조도(照度)는 통상 50∼500mW/㎠ 정도이며, 100∼450mW/㎠가 바람직하고, 150∼400mW/㎠가 보다 바람직하다. 자외선원으로서는 특히 제한은 없고, 예를 들면 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등이 사용된다.

전리 방사선으로서 전자선을 사용할 경우에는, 그 가속 전압에 대해서는, 점착제층에 함유되는 에너지선 중합성기나 에너지선 중합성 화합물의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적의 선정하면 되고, 통상 가속 전압 10∼1000kV 정도인 것이 바람직하다. 또한, 조사선량은, 점착제층에 함유되는 에너지선 중합성기나 에너지선 중합성 화합물의 반응이 적절하게 진행되는 범위로 설정하면 되고, 통상 10∼1000krad의 범위에서 선정된다. 전자선원으로서는, 특히 제한은 없고, 예를 들면 코크로프트-월턴형, 반데그라프형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 혹은 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 사용할 수 있다.

(3) 광학 특성

본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, JIS K7136:2000(ISO 14782:1999)에 규정되는 헤이즈가, 점착제층보다도 기재에 근위한 면을 입사면으로 했을 때에 0.01％ 이상 10％ 이하인 것이 바람직하다. 당해 헤이즈가 10％ 이하임으로써, 점착 시트에 입사된 레이저광의 유효 활용이 가능해진다. 점착 시트에 입사된 레이저광을 보다 안정적으로 유효하게 활용하는 것을 가능하게 하는 관점에서, 상기 헤이즈는 5％ 이하인 것이 바람직하고, 2.5％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 점착 시트에 입사된 레이저광의 유효 활용의 관점에서는, 상기 헤이즈의 하한은 설정되지 않는다. 제조 안정성을 높이는 관점 등에서, 상기 헤이즈는 0.01％ 이상 정도로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, JIS K7375:2000에 규정되는 전광선 투과율이, 점착제층보다도 기재에 근위한 면을 입사면으로 했을 때에, 85％ 이상인 것이 바람직하다. 당해 전광선 투과율이 85％ 이상임으로써, 점착 시트에 입사된 레이저광의 유효 활용이 가능해진다. 점착 시트에 입사된 레이저광을 보다 안정적으로 유효하게 활용하는 것을 가능하게 하는 관점에서, 상기 전광선 투과율은 90％ 이상인 것이 바람직하다. 점착 시트에 입사된 레이저광의 유효 활용의 관점에서는, 상기 전광선 투과율의 상한은 설정되지 않는다. 제조 안정성을 높이는 관점 등에서, 상기 전광선 투과율은 99.99％ 이하 정도로 하는 것이 바람직하다.

(4) 부가층

본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, 점착제층측의 면에 부가층이 마련되어 있어, 점착 시트의 사용시에는, 점착 시트의 피착체인 판상 부재에 상기 부가층이 첩부되어도 된다. 부가층의 구성은 한정되지 않는다. 부가층의 구체예로서, 부가층이 보호막 형성 필름을 구비할 경우나, 부가층이 다이본딩층을 구비할 경우를 들 수 있다.

보호막 형성 필름은, 열 등의 외부 에너지에 의해 경화하여, 보호막이 형성 가능한 재료로 구성된다. 보호막 형성 필름 또는 보호막은, 그 분할체가, 판상 부재가 개편화되어 이루어지는 칩 형상 부재에 부착된 상태에서 점착제층으로부터 분리된다. 따라서, 부가층이 보호막 형성 필름일 경우에는, 칩 형상 부재의 한쪽 면에 보호막 형성 필름 또는 보호막의 분할체가 적층되어 이루어지는 가공물을 얻을 수 있다.

부가층이 다이본딩층일 경우에도, 판상 부재가 개편화되어 이루어지는 칩 형상 부재에 다이본딩층의 분할체가 부착된 상태에서 점착제층으로부터 분리된다. 따라서, 부가층이 다이본딩층일 경우에는, 칩 형상 부재의 한쪽 면에 다이본딩층의 분할체가 적층되어 이루어지는 가공물을 얻을 수 있다.

(5) 박리 시트

본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, 점착제층 또는 부가층을 피착체인 판상 부재에 첩부하기까지의 동안에 있어서 점착제층 또는 부가층을 보호할 목적으로, 점착 시트의 기재보다도 점착제층에 근위한 면, 구체적으로는 점착제층의 면 또는 부가층의 면에, 박리 시트의 박리면이 첩합(貼合)되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름에 박리제를 도포한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하고 안정된 성능을 얻을 수 있는 실리콘계가 바람직하다. 상기 박리 시트의 플라스틱 필름을 대신하여, 글라신지, 코팅지, 상질지(上質紙) 등의 종이 기재 또는 종이 기재에 폴리에틸렌 등의 열가소성 수지를 라미네이트한 라미네이트지를 사용해도 된다. 당해 박리 시트의 두께에 대해서는 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상 250㎛ 이하 정도이다.

2. 가공물의 제조 방법

상기 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트를 사용함으로써, 다음에 설명하는 바와 같이, 판상 부재로부터 가공물을 제조하는 것이 가능하다.

(1) 부착 공정

우선, 상기 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트에 있어서의, 기재보다 점착제층에 근위한 면, 구체적으로는, 점착제층의 면 또는 부가층의 면을, 판상 부재를 포함하는 피착체의 한쪽 면에 첩부하여, 점착 시트 및 판상 부재를 구비하는 제1 적층체를 얻는다. 판상 부재는 한정되지 않는다. 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼, TSV에 의거하는 구조를 갖는 적층체 등이 예시된다. 판상 부재의 두께도 한정되지 않는다. 수 십 ㎛∼수 백 ㎛의 범위가 예시된다.

제1 적층체는 부가층을 구비하고 있어도 된다. 부가층으로서, 보호막 형성 필름, 보호막 형성 필름으로부터 형성된 보호막, 다이본딩층 등이 예시된다. 부가층은, 점착 시트의 일부로서 판상 부재에 첩부되어도 되고, 판상 부재의 한쪽 면에 미리 부가층이 적층되어 있어도 된다. 후자의 경우에는, 부가층의 판상 부재에 대향하는 면과 반대측 면이, 판상 부재를 포함하는 피착체의 한쪽 면으로서, 점착 시트가 첩부되는 면이 된다.

(2) 분할 공정

제1 적층체가 구비하는 기재를 신장함으로써, 점착 시트상의 판상 부재를 분할하여, 판상 부재의 분할체를 구비하는 칩의 복수가 점착 시트상에 배치되어 이루어지는 제2 적층체를 얻는다. 제1 적층체가 부가층을 구비할 경우에는, 기재를 신장함으로써 부가층도 분할된다. 분할 공정이 행해진 후에, 기재에 있어서의 신장의 정도가 큰 부분에 대해서, 가열 등의 수단에 의해 수축시켜, 점착 시트에 과도한 쳐짐이 생기는 것을 해소해도 된다.

(3) 개질부 형성 공정

상기 분할 공정이 개시되기까지, 판상 부재의 내부에 설정된 초점에 집속되도록 레이저광을 조사하여, 판상 부재의 내부에 개질부를 형성한다. 이 레이저광의 파장이나 조사 방법은, 판상 부재의 조성, 두께 등의 구조 등에 따라 적의 설정된다. 상기 첩부 공정이 행해진 후에 개질부 형성 공정이 행해질 경우에는, 레이저광의 판상 부재에의 조사가, 점착 시트를 통하여 행해질 경우도 있다. 그러한 경우에도, 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는 평면에서 볼 때 결점이 생기기 어렵기 때문에, 결점 및 그 근방에서 레이저광의 조사의 정도가 변동하여, 결과적으로, 판상 부재 내에 있어서의 개질부의 생성이 국소적으로 부적절해져 버릴 문제가 생기기 어렵다. 이와 같이, 판상 부재 내에 개질물이 국소적으로 부적절하게 형성되면, 상기 분할 공정에 있어서, 판상 부재의 분할이 적절하게 행해지지 않게 될 우려가 있다. 판상 부재의 분할이 부적절하게 행해지면, 가공물의 품질이 저하될 가능성이 높아진다.

(4) 픽업 공정

제2 적층체가 구비하는 복수의 칩의 각각을 점착 시트로부터 분리함으로써, 칩을 가공물로서 얻을 수 있다. 분리 방법은 한정되지 않는다. 통상, 점착 시트에 있어서의 칩에 대향하는 측과 반대측 면으로부터, 핀 등을 밀어올려 국소적으로 점착 시트를 변형시킴으로써, 분리 예정의 칩에 대한 점착제층의 점착성을 저감시킨다. 그 다음에, 진공 콜렛 등을 사용하여, 분리 예정의 칩을 점착 시트로부터 박리함으로써, 칩의 점착 시트로부터의 분리는 행해진다. 이 경우에는, 핀을 밀어올렸을 때나, 진공 콜렛으로 칩을 끌어올렸을 때에, 칩으로부터 점착제층을 떼려고 하는 힘이 부여되게 된다. 칩이 얇거나, TSV에 의거하는 구조를 갖고 있거나 할 경우에는, 이 박리시에 칩에 깨짐이 생길 우려가 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는, 점착제층의 두께가 적절하게 제어되고 있기 때문에, 이 박리시에 칩이 깨질 가능성이 적절하게 저감되고 있다. 즉, 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트는 픽업성이 우수하다.

제1 적층체가 부가층을 구비할 경우에는, 이 픽업 공정에 의해 점착 시트로부터 분리하는 칩은, 판상 부재의 분할체 및 이 판상 부재의 분할체의 점착 시트에 근위한 면상에 형성된 부가층의 분할체를 구비한다. 즉, 픽업 공정에서는, 점착제층과 부가층의 분할체 사이에서 박리가 생겨, 가공물이 점착 시트로부터 분리된다.

부가층의 분할체를 부여하는 부가층이 보호막일 경우에는, 보호막이 보호막 형성 필름으로부터 형성되는 시기는 한정되지 않는다. 제1 적층체가 구비하는 부가층은 보호막 형성 필름으로서, 분리 공정의 개시까지 보호막 형성 필름으로부터 보호막을 형성하는 작업이 행해져도 된다. 부가층의 분할체를 부여하는 부가층은 보호막 형성 필름으로서, 가공물이 구비하는 보호막 형성 필름의 분할체로부터 보호막을 형성해도 된다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

[실시예]

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.

〔실시예 1〕

(1) 기재의 제작

소형 T 다이 압출기(도요세이키세이사쿠쇼사제 「라보플라스토밀」)에 의해, 랜덤 코폴리머 폴리프로필렌 수지로 이루어지는 수지 조성물을 사용하여 압출 성형을 행하고, 한쪽 면(점착제 가공면에 상당함)의 산술 표면 거칠기(Ra)가 0.03㎛, 다른쪽 면(레이저 입사면에 상당함)의 산술 표면 거칠기(Ra)가 0.03㎛인 필름을 제작하여, 기재로 했다. 또한, 기재의 표면 거칠기는, 표면 거칠기 측정기(미쯔토요사제 「SV-3000」)를 사용하여 측정했다.

(2) 점착제 조성물의 조제

62질량부의 부틸아크레이트와 10질량부의 메틸메타크릴레이트와 28질량부의 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 공중합하여 얻은 공중합체(유리 전이 온도(Tg) -34℃)에, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를, 공중합체의 HEA에 대하여 80㏖％ 반응시켜, 에너지선 중합성기를 갖는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 50만)를 얻었다.

상기 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여, 광중합 개시제(BASF사제 「이르가큐어 184」, 농도:100％) 3.0질량부, 이소시아네이트 화합물(도요잉키사제 「BHS-8515」) 1.0질량부를 배합하고, 용매로 희석된 점착제 조성물을 얻었다.

(3) 점착 시트의 제작

박리 시트의 박리면상에, 상기 점착제 조성물을 도포했다. 얻어진 도막(塗膜)을 박리 시트마다 80℃의 환경을 1분간 경과시킴으로써, 박리 시트와 점착제층(측정한 두께는 10㎛였음)으로 이루어지는 적층체를 얻었다.

전술한 기재의 점착제 가공면에, 상기 적층체의 점착제층측의 면을 첩부하여, 기재와 점착제층으로 이루어지는 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 더 적층된 상태에서 얻었다.

〔실시예 2〕

점착제층의 두께를 5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서 얻었다.

〔실시예 3〕

다음 변경점 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서 얻었다.

(변경점) 기재의 성형 조건을 변경하여, 기재의 점착제 가공면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 0.16㎛, 레이저 입사면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 0.03㎛로 했다.

〔비교예 1〕

점착제층의 두께를 15㎛로 한 것 이외는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서 얻었다.

〔비교예 2〕

다음 변경점 1 및 2 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서 얻었다.

(변경점 1) 기재의 성형 조건을 변경하여, 기재의 점착제 가공면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 1.3㎛, 레이저 입사면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 0.04㎛로 했다.

(변경점 2) 점착제층의 두께를 15㎛로 했다.

〔비교예 3〕

점착제층의 두께를 10㎛로 한 것 이외는, 비교예 2와 마찬가지로 하여, 점착 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태에서 얻었다.

〔비교예 4〕

(변경점) 기재의 성형 조건을 변경하여, 기재의 점착제 가공면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 0.04㎛, 레이저 입사면의 산술 표면 거칠기(Ra)를 1.3㎛로 했다.

〔시험예 1〕 <헤이즈의 측정>

실시예 및 비교예에 의해 제조된 점착 시트로부터 박리 시트를 벗겨, 적절한 크기로 절단하여 얻어진 시험편의 헤이즈를, JIS K7136:2000에 준거하여, HAZE METER(니혼덴쇼쿠고교사제 「NDH-5000」)를 사용하여 측정했다. 측정광은 점착 시트의 기재측의 면으로부터 입사했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

〔시험예 2〕 <결점의 관찰>

실시예 및 비교예에 의해 제조된 점착 시트로부터 박리 시트를 벗겨, 각각의 점착 시트의 점착제층측의 면의 임의의 100㎜×100㎜의 범위를 관찰 범위로 했다. 이들 관찰 범위의 각각에 대해서, 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 결점의 존재의 정도에 의거하여 다음의 기준으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

A: 관찰 범위에 있어서 결점은 인정되지 않았다.

B: 관찰 범위 내에 5개 이하의 결점이 관찰되었다.

C: 관찰 범위 내에 6개 이하의 결점이 관찰되었다.

〔시험예 3〕 <픽업성 평가>

실시예 및 비교예에 의해 제조된 점착 시트를 평면에서 볼 때 원형으로 절단하고, 박리 시트를 벗겨, 실리콘 웨이퍼(두께: 100㎛) 및 링 플레임에 점착 시트의 점착제층의 면을 첩부했다.

레이저 조사 장치를 사용하여, 실리콘 웨이퍼의 점착제층에 대향하고 있는 면측으로부터 점착 시트 넘어로, 웨이퍼 내부에서 집광하는 레이저를, 8㎜×8㎜의 칩이 형성되도록 설정된 절단 예정 라인을 따라 주사시키면서 조사했다. 모든 절단 예정 라인에 레이저를 조사한 후, 확장 장치를 사용하여 속도 10㎜/초로 10㎜ 점착 시트를 잡아당겨 떨어뜨리고, 점착 시트의 점착제층측의 면에 있어서의 실리콘 웨이퍼가 첩부된 영역을 주면(主面) 내외 방향으로 신장시켰다.

이 상태에서, 자외선을 다음의 조사 조건으로 점착 시트에 조사했다.

조도: 220mW/㎠

광량: 190mJ/㎠

계속해서, 아이코엔지니어링사제 푸쉬풀 게이지(밀어올림 지그: 1핀)에 의해 픽업시의 하중을 측정했다. 밀어올림에 필요한 하중을 측정하고, 이 측정치에 의거하여 다음의 기준에 의해 픽업성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

A: 1.7N 이하

B: 1.7N보다 큼

[표 1]

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 조건을 충족시키는 실시예의 점착 시트는, 헤이즈가 낮고, 또한 결점이 생기기 어려우며, 또한 픽업성이 우수하고, 레이저 다이싱 시트로서 호적(好適)한 것이었다.

본 발명에 따른 점착 시트는, 레이저 다이싱 시트로서 호적하게 사용된다.

Claims

판상(板狀) 부재에 레이저광을 조사하여 개질부(改質部)를 형성하고, 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서,
기재(基材)와, 상기 기재의 한쪽 면에 마련된 점착제층을 구비하고,
상기 기재는, 상기 한쪽 면 및 상기 한쪽 면과 반대측 면의 쌍방에 대해서, JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)에 규정되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.01㎛ 이상 0.2㎛ 이하이며,
상기 점착제층의 두께가 2㎛ 이상 12㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 점착 시트.
제1항에 있어서,
상기 점착 시트는, JIS K7136:2000(ISO 14782:1999)에 규정되는 헤이즈가, 기재측을 입사측으로 했을 때에 0.01％ 이상 10％ 이하인 점착 시트.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층은 아크릴계 중합체를 함유하고, 상기 아크릴계 중합체는 유리 전이 온도(Tg)가 -40℃ 이상 -10℃ 이하인 점착 시트.
제3항에 있어서,
상기 아크릴계 중합체는 메틸메타크릴레이트에 유래하는 구성 단위를 포함하고, 상기 아크릴계 중합체를 부여하는 단량체 전체에 대한 메틸메타크릴레이트의 질량 비율은 5질량％ 이상 20질량％ 이하인 점착 시트.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 아크릴계 중합체는, 에너지선 중합성기를 갖는 점착 시트.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재는 폴리올레핀계 재료를 함유하는 점착 시트.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재의 상기 산술 평균 거칠기(Ra)는 상기 기재를 롤 가압하는 것을 포함하여 설정된 것인 점착 시트.
제7항에 있어서,
상기 롤 가압에 사용된 롤은 금속 재료로 이루어지는 표면을 갖는 롤인 점착 시트.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재되는 점착 시트의 상기 기재(基材)보다도 상기 점착제층에 근위(近位)한 면을, 판상 부재를 포함하는 피착체의 한쪽 면에 첩부(貼付)하여, 상기 점착 시트 및 상기 판상 부재를 구비하는 제1 적층체를 얻는 첩부 공정;
상기 제1 적층체가 구비하는 상기 기재를 신장(伸長)함으로써, 상기 점착 시트상의 상기 판상 부재를 분할하여, 상기 판상 부재의 분할체를 구비하는 칩의 복수가 상기 점착 시트상에 배치되어 이루어지는 제2 적층체를 얻는 분할 공정; 및
상기 제2 적층체가 구비하는 상기 복수의 칩의 각각을 상기 점착 시트로부터 분리하여, 상기 칩을 가공물로서 얻는 픽업 공정을 구비하고,
상기 분할 공정이 개시되기까지, 상기 판상 부재의 내부에 설정된 초점에 집속(集束)되도록 레이저광을 조사하여, 상기 판상 부재의 내부에 개질부를 형성하는 개질부 형성 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 가공물의 제조 방법.
제9항에 있어서,
상기 분할 공정에 제공되는 상기 제1 적층체는, 상기 점착제층과 상기 판상 부재 사이에 부가층을 구비하고, 상기 분할 공정에 의해 상기 부가층도 분할되고, 상기 픽업 공정에 의해 상기 점착 시트로부터 분리하는 칩은, 상기 판상 부재의 분할체 및 당해 판상 부재의 분할체의 상기 점착 시트에 근위한 면상에 형성된 상기 부가층의 분할체를 구비하는, 가공물의 제조 방법.
제10항에 있어서,
상기 부가층은 보호층을 구비하는, 가공물의 제조 방법.
제11항에 있어서,
상기 분할 공정이 개시되기까지, 상기 제1 적층체가 구비하는 상기 보호층을 보호막 형성 필름으로부터 형성하는 보호막 형성 공정을 구비하는, 가공물의 제조 방법.
제10항에 있어서,
상기 부가층은 다이본딩층을 구비하는, 가공물의 제조 방법.