KR102447761B1 - 다이싱 시트 - Google Patents

다이싱 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR102447761B1
KR102447761B1 KR1020197009560A KR20197009560A KR102447761B1 KR 102447761 B1 KR102447761 B1 KR 102447761B1 KR 1020197009560 A KR1020197009560 A KR 1020197009560A KR 20197009560 A KR20197009560 A KR 20197009560A KR 102447761 B1 KR102447761 B1 KR 102447761B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dicing sheet
dicing
base material
sheet
meth
Prior art date
Application number
KR1020197009560A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190076957A (ko
Inventor
시게유키 야마시타
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20190076957A publication Critical patent/KR20190076957A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102447761B1 publication Critical patent/KR102447761B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)

Abstract

적어도, 기재(基材)(2)와, 기재(2)의 제1면측에 적층된 점착제층(3)을 구비한 다이싱 시트(1)로서, 기재(2)의 제2면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)가, 0.01㎛ 이상, 0.5㎛ 이하이며, 또한, 기재(2)의 제2면에 있어서의 최대 높이 거칠기(Rz)가, 3㎛ 이하인 다이싱 시트(1)이다. 이러한 다이싱 시트(1)는, 워크피스(workpiece)의 고배율 촬상에 적합한 광선 투과성을 갖는다.

Description

다이싱 시트
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 워크피스(workpiece)의 다이싱(특히 스텔스 다이싱(stealth dicing))에 사용할 수 있는 다이싱 시트에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 워크피스로부터 반도체칩 등의 편상체(片狀體)로 이루어지는 가공물을 제조할 때에, 종래는, 워크피스에 세정 등을 목적으로 한 액체를 분사하면서 회전 커터로 워크피스를 절단하여 편상체를 얻는 블레이드 다이싱 가공이 행해지는 것이 일반적이었다. 그러나, 최근에는, 건식으로 편상체에의 분할이 가능한 스텔스 다이싱(등록상표; 이하 같음) 가공이 채용되어지고 있다(특허문헌 1).
예를 들면, 특허문헌 2에는, 적층 점착 시트(기재(基材)와 점착제층으로 이루어지는 점착 시트를 2층 적층한 것)를 극박(極薄)의 반도체 웨이퍼에 첩부(貼付)하고, 적층 점착 시트측으로부터 적층 점착 시트 넘어 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질부(改質部)를 형성한 후, 점착 시트를 익스팬드함으로써, 다이싱 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 분할하고, 반도체칩을 생산하는 스텔스 다이싱법이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에는, 스텔스 다이싱법에 사용되는 다이싱 시트가 개시되어 있다. 이 다이싱 시트의 기재에 있어서는, 레이저광의 투과성을 높이기 위해, 레이저광이 조사되는 면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 0.1㎛ 이하로 설정하고 있다. 그리고, 특허문헌 3에는, 당해 산술 평균 거칠기(Ra)는, 작으면 작을수록 바람직하다고 기재되어 있다.
일본국 특허 제3762409호 공보 일본국 특개2007-123404호 공보 일본국 특허 제5583724호 공보
상기와 같은 스텔스 다이싱법에 있어서는, 반도체 웨이퍼에는 미리 다이싱 라인 및 얼라인먼트 마크가 부착되어 있다. 스텔스 다이싱에 사용되는 레이저 다이서는, 그 얼라인먼트 마크를 카메라(예를 들면 적외선 카메라)에 의해 고배율로 촬상하고, 그 데이터에 의거하여 다이싱 라인을 읽어들이는 얼라인먼트 동작을 행한다. 그리고, 읽어들인 다이싱 라인에 대하여 레이저광을 조사한다. 그 때문에, 다이싱 시트에는, 카메라가 얼라인먼트 마크를 정확하게 촬상할 수 있는 광선 투과성이 요구된다.
그러나, 특허문헌 3의 다이싱 시트와 같이, 기재인 필름의 산술 평균 거칠기(Ra)를 0.1㎛ 이하로 설정했을 경우, 카메라가 얼라인먼트 마크를 고정밀도로 촬상하는 것이 곤란해져(이유는 후술), 그에 따라 얼라인먼트 동작을 정확하게 행하는 것이 어려워져, 스텔스 다이싱의 가공성이 저하하는 경우가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것이며, 워크피스의 고배율 촬상에 적합한 광선 투과성을 갖는 다이싱 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 첫째로 본 발명은, 적어도, 기재와, 상기 기재의 제1면측에 적층된 점착제층을 구비한 다이싱 시트로서, 상기 기재의 제2면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)가, 0.01㎛ 이상, 0.5㎛ 이하이며, 또한, 상기 기재의 제2면에 있어서의 최대 높이 거칠기(Rz)가, 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트를 제공한다(발명 1). 또한, 본 명세서에 있어서, 「시트」는 테이프의 개념을 포함하는 것으로 한다.
상기 발명(발명 1)에 의하면, 기재의 제2면측으로부터 당해 다이싱 시트를 개재하여 카메라로 워크피스를 촬상했을 때에, 광선이 기재의 제2면의 요철에 의해 흐트러지지 않고 다이싱 시트를 투과하기 때문에, 워크피스의 상(像)이 카메라까지 정확하게 닿아, 고배율 촬상을 고정밀도로 행할 수 있다.
상기 발명(발명 1)에 있어서는, 상기 기재의 헤이즈치가, 15％ 이하인 것이 바람직하다(발명 2).
상기 발명(발명 1, 2)에 있어서는, 상기 기재가, 폴리올레핀으로 구성되는 수지 필름인 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1∼3)에 따른 다이싱 시트는, 스텔스 다이싱에 사용되는 것이 바람직하다(발명 4).
상기 발명(발명 1∼4)에 따른 다이싱 시트는, 상기 기재의 제1면측에 위치하는 워크피스를, 상기 기재의 제2면측으로부터 촬상하는 동작을 포함하는 용도로 사용되는 것이 바람직하다(발명 5).
본 발명에 따른 다이싱 시트는, 워크피스의 고배율 촬상에 적합한 광선 투과성을 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 시트의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 시트의 사용예, 구체적으로는 적층 구조체를 나타내는 단면도.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 시트의 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 기재(2)와, 기재(2)의 제1면측(도 1 중, 상측)에 적층된 점착제층(3)과, 점착제층(3) 상에 적층된 박리 시트(6)를 구비하여 구성된다. 박리 시트(6)는, 다이싱 시트(1)의 사용시에 박리 제거되고, 그때까지 점착제층(3)을 보호하는 것이며, 본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)로부터 생략되어도 된다. 여기에서, 기재(2)에 있어서의 점착제층(3)측의 면을 「제1면」, 그 반대측의 면(도 1 중, 하면)을 「제2면」이라고 한다.
본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 일례로서, 워크피스로서의 반도체 웨이퍼나 유리 기판의 다이싱 가공시에 워크피스를 유지하기 위해 사용되지만, 이에 한정되는 것이 아니다.
본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 통상, 장척(長尺)으로 형성되어 롤 형상으로 권취(卷取)되고, 롤·투·롤로 사용된다.
1. 기재
(1) 물성
(1-1) 평균 거칠기
기재(2)의 제2면(이하 「기재(2)의 배면」이라고 할 경우가 있음)에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 0.01㎛ 이상, 0.5㎛ 이하이며, 또한, 최대 높이 거칠기(Rz)는, 3㎛ 이하이다. 이 산술 평균 거칠기(Ra1) 및 최대 높이 거칠기(Rz)는, ANSI／ASME B46.1에 의거하여 측정한 것이며, 측정 방법의 상세는 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.
통상, 산술 평균 거칠기(Ra)가 작아질수록 표면이 평활해지기 때문에, 광선 투과성이 높아진다고 생각된다. 그러나, 산술 평균 거칠기(Ra)를 작게 하고자 하면, 수지 필름의 제막시에 에어(기포)를 권입(卷入)하기 쉬워져, 제막되는 수지 필름에, 부분적으로 기포 흔적이 형성되어 버린다. 그 결과, 산술 평균 거칠기(Ra) 자체는 작아져도, 최대 높이 거칠기(Rz)가 커져 버리는 경향이 강했다. 기재를 구성하는 수지 필름에 상기와 같은 기포 흔적이 있으면, 당해 기포 흔적으로 광선의 투과가 방해된다. 그 때문에, 기재의 배면측으로부터 당해 수지 필름을 개재하여 카메라로 워크피스를 촬상했을 때에, 카메라가 얼라인먼트 마크를 고정밀도로 촬상하는 것이 곤란해진다.
본 실시형태에서는, 기재(2)의 배면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)가, 0.01㎛ 이상, 0.5㎛ 이하이며, 또한, 최대 높이 거칠기(Rz)가, 3㎛ 이하임으로써, 기재(2)의 배면측으로부터 당해 다이싱 시트를 개재하여 카메라로 워크피스를 촬상했을 때에, 광선이 기재(2)의 배면의 요철에 의해 흐트러지지 않고 다이싱 시트(1)를 투과하기 때문에, 워크피스의 상이 카메라까지 정확하게 닿아, 고배율 촬상을 고정밀도로 행할 수 있다. 이에 따라, 얼라인먼트 동작을 정확하게 행하는 것이 가능해져, 다이싱, 특히 스텔스 다이싱의 가공성을 향상시킬 수 있다.
기재(2)의 배면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)의 하한치는, 상기한 바와 같이 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.05㎛ 이상이며, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이다. 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.01㎛ 미만이면, 최대 높이 거칠기(Rz)를 3㎛ 이하로 하는 것이 곤란해진다. 한편, 기재(2)의 배면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)의 상한치는, 상기한 바와 같이 0.5㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.4㎛ 이하이며, 특히 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.5㎛를 초과하면, 기재(2)의 배면의 요철에 의해 광선의 투과가 방해된다.
또한, 기재(2)의 배면에 있어서의 최대 높이 거칠기(Rz)는, 상기한 바와 같이 3㎛ 이하이며, 바람직하게는 2.5㎛ 이하이며, 특히 바람직하게는 2㎛ 이하이다. 최대 높이 거칠기(Rz)가 3㎛를 초과하면, 기재(2)의 배면의 요철에 의해 광선의 투과가 방해된다. 한편, 기재(2)의 배면에 있어서의 최대 높이 거칠기(Rz)의 하한치는, 특별히 한정되지 않지만, 필름의 제막 방법상, 통상은 0.01㎛ 이상이다.
기재(2)의 제1면(이하 「기재(2)의 정면」이라고 할 경우가 있음)에는, 점착제층(3)이 적층되고, 기재(2)의 정면의 요철이 점착제층(3)에 의해 메워지기 때문에, 기재(2)의 정면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz)는, 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 그들의 값이 지나치게 크면, 기재(2)의 정면의 요철이 점착제층(3)에 의해 다 메워지지 않을 경우도 있을 수 있기 때문에, 기재(2)의 정면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 상한치로서, 2.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 기재(2)의 정면의 산술 평균 거칠기(Ra)의 하한치는, 특별히 한정되지 않지만, 필름의 제막 방법상, 통상은 0.01㎛ 이상이다. 또한, 상기의 이유에 의해, 기재(2)의 정면의 최대 높이 거칠기(Rz)는, 상한치로서, 2.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 기재(2)의 정면의 최대 높이 거칠기(Rz)의 하한치는, 특별히 한정되지 않지만, 필름의 제막 방법상, 통상은 0.01㎛ 이상이다.
(1-2) 헤이즈치
기재(2)의 헤이즈치(JIS K7136:2000에 준하여 측정한 값)는, 15％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 13％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 10％ 이하인 것이 바람직하다. 기재(2)의 헤이즈치가 15％ 이하이면, 기재(2)의 배면측으로부터 당해 다이싱 시트를 개재하여 카메라로 워크피스를 촬상했을 때에, 광선이 기재(2)를 양호하게 투과하고, 워크피스의 상이 카메라까지 보다 정확하게 닿아, 고배율 촬상을 보다 고정밀도로 행할 수 있다.
또한, 기재(2)의 헤이즈치의 하한치는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 0.01％ 이상이며, 바람직하게는 0％이다.
(1-3) 두께
기재(2)의 두께는, 다이싱 시트(1)가 사용되는 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않지만, 20∼450㎛인 것이 바람직하고, 특히 25∼400㎛인 것이 바람직하고, 더욱이는 50∼350㎛인 것이 바람직하다.
(2) 재료
기재(2)는, 수지 필름에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 기재(2)를 구성하는 수지 필름의 구체예로서는, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리카보네이트 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 또한 상기 필름의 동종(同種) 또는 이종(異種)을 복수 적층한 적층 필름이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
상기 중에서도, 폴리올레핀계 필름이 바람직하고, 특히, 폴리프로필렌 필름 및 폴리에틸렌 필름이 바람직하다. 폴리프로필렌 필름으로서는, 특히 랜덤 코폴리머폴리프로필렌 필름이 바람직하다. 폴리에틸렌 필름으로서는, 특히 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이 바람직하다. 상기 중에서도, 랜덤 코폴리머폴리프로필렌 필름이 가장 바람직하다. 이들 수지 필름에 의하면, 상술한 물성을 충족시키기 쉽다. 또한, 이들 수지 필름은, 익스팬드성, 워크피스 첩부성, 칩 박리성 등의 관점에서도 바람직하다.
상기 수지 필름은, 그 표면에 적층되는 점착제층(3)과의 밀착성을 향상시키는 목적에서, 원하는 바에 따라 편면 또는 양면에, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시할 수 있다. 상기 산화법으로서는, 예를 들면 코로나 방전 처리, 플라스마 방전 처리, 크롬 산화 처리(습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 또한, 요철화법으로서는, 예를 들면 샌드 블라스트법, 용사(溶射) 처리법 등을 들 수 있다.
또한, 기재(2)는, 상기 수지 필름 중에, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제(滑劑), 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.
(3) 제조 방법
기재(2)를 구성하는 수지 필름은, 수지 필름의 종류에 따른 제조 방법에 의해 제조할 수 있지만, 주로 압출(押出) 성형의 T 다이법에 의해 제조된다. 상술한 산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz)를 갖는 수지 필름을 제조하기 위해서는, 수지 필름의 제막시에 에어(기포)를 권입하지 않도록 할 필요가 있다. 예를 들면, 감압 하, 진공 하 등에서 압출 성형함으로써, 이러한 에어의 권입을 억제하고, 기포 흔적이 없는 수지 필름을 제조할 수 있다. 또한, 제막시의 쿨링 롤 등의 각 공정 롤의 표면 거칠기를 조정하는 것으로도, 기포 흔적이 없는 수지 필름을 제조할 수 있다. 단, 상술한 산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz)를 갖는 수지 필름의 제조 방법은, 이에 한정되는 것이 아니다.
2. 점착제층
본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)가 구비하는 점착제층(3)은, 비(非)에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 되고, 에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 된다. 비에너지선 경화성 점착제로서는, 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 다이싱 공정 등으로 워크피스 또는 가공물의 탈락을 효과적으로 억제할 수 있는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
한편, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하기 때문에, 워크피스 또는 가공물과 다이싱 시트(1)를 분리시키고 싶을 때에, 에너지선 조사함으로써, 용이하게 분리시킬 수 있다.
점착제층(3)을 구성하는 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 하는 것이어도 되고, 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머와 에너지선 경화성의 다관능 모노머 및／또는 올리고머와의 혼합물을 주성분으로 하는 것이어도 된다.
에너지선 경화성 점착제가, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 할 경우에 대해서, 이하 설명한다.
에너지선 경화성을 갖는 폴리머는, 측쇄(側鎖)에 에너지선 경화성을 갖는 관능기(에너지선 경화성기)가 도입된 (메타)아크릴산에스테르 (공)중합체(A)(이하 「에너지선 경화형 중합체(A)」라고 할 경우가 있음)인 것이 바람직하다. 이 에너지선 경화형 중합체(A)는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 (메타)아크릴계 공중합체(a1)와, 그 관능기에 결합하는 치환기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)을 반응시켜 얻어지는 것임이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 관능기 함유 모노머로부터 안내되는 구성 단위와, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 안내되는 구성 단위로 이루어진다.
아크릴계 공중합체(a1)의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과, 히드록실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 분자 내에 갖는 모노머인 것이 바람직하다.
상기 관능기 함유 모노머의 더 구체적인 예로서는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체(a1)를 구성하는 (메타)아크릴산에스테르 모노머로서는, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 알킬(메타)아크릴레이트, 시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트가 사용된다. 이들 중에서도, 특히 바람직하게는 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 예를 들면 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등이 사용된다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 안내되는 구성 단위를 통상 3∼100질량％, 바람직하게는 5∼40질량％의 비율로 함유하고, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 안내되는 구성 단위를 통상 0∼97질량％, 바람직하게는 60∼95질량％의 비율로 함유하여 이루어진다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상기와 같은 관능기 함유 모노머와, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 상법(常法)으로 공중합함으로써 얻어지지만, 이들 모노머 외에도 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 스티렌 등이 공중합되어도 된다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체(a1)를, 그 관능기에 결합하는 치환기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)과 반응시킴으로써, 에너지선 경화형 중합체(A)가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 치환기는, 아크릴계 공중합체(a1)가 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라, 적의(適宜) 선택할 수 있다. 예를 들면, 관능기가 히드록실기, 아미노기 또는 치환 아미노기일 경우, 치환기로서는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 관능기가 에폭시기일 경우, 치환기로서는 아미노기, 카르복실기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
또한 불포화기 함유 화합물(a2)에는, 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합이, 1분자마다 1∼5개, 바람직하게는 1∼2개 포함되어 있다. 이러한 불포화기 함유 화합물(a2)의 구체예로서는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 아릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 글리시딜(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산, 2-(1-아지리디닐)에틸(메타)아크릴레이트, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 아크릴계 공중합체(a1)의 관능기 함유 모노머에 대하여, 통상 10∼100㏖％, 바람직하게는 20∼95㏖％의 비율로 사용된다.
아크릴계 공중합체(a1)와 불포화기 함유 화합물(a2)과의 반응에 있어서는, 관능기와 치환기와의 조합에 따라, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 촉매의 종류를 적의 선택할 수 있다. 이에 따라, 아크릴계 공중합체(a1) 중에 존재하는 관능기와, 불포화기 함유 화합물(a2) 중의 치환기가 반응하고, 불포화기가 아크릴계 공중합체(a1) 중의 측쇄에 도입되어, 에너지선 경화형 중합체(A)가 얻어진다.
이와 같이 하여 얻어지는 에너지선 경화형 중합체(A)의 중량 평균 분자량은, 1만 이상인 것이 바람직하고, 특히 15만∼150만인 것이 바람직하고, 20만∼100만인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다.
에너지선 경화성 점착제가, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 할 경우에도, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)를 더 함유해도 된다.
에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 다가 알코올과 (메타)아크릴산의 에스테르 등을 사용할 수 있다.
이러한 에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 단관능성 아크릴산에스테르류, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트 등의 다관능성 아크릴산에스테르류, 폴리에스테르올리고(메타)아크릴레이트, 폴리우레탄올리고(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)를 배합할 경우, 에너지선 경화성 점착제 중에 있어서의 에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)의 함유량은, 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 특히 20∼60질량％인 것이 바람직하다.
여기에서, 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키기 위한 에너지선으로서 자외선을 사용할 경우에는, 광중합개시제(C)를 첨가하는 것이 바람직하고, 이 광중합개시제(C)의 사용에 의해, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광중합개시제(C)로서는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산손, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로판온}, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
광중합개시제(C)는, 에너지선 경화형 공중합체(A)(에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)를 배합할 경우에는, 에너지선 경화형 공중합체(A) 및 에너지선 경화성의 모노머 및／또는 올리고머(B)의 합계량 100질량부) 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부, 특히는 0.5∼6질량부의 범위의 양으로 사용되는 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 점착제에 있어서는, 상기 성분 이외에도, 적의 다른 성분을 배합해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들면, 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D), 가교제(E) 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D)으로서는, 예를 들면, 폴리아크릴산에스테르, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 중량 평균 분자량(Mw)이 3000∼250만인 폴리머 또는 올리고머가 바람직하다.
가교제(E)로서는, 에너지선 경화형 공중합체(A) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 다관능성 화합물의 예로서는, 이소시아나토 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
이들 외의 성분 (D), (E)를 에너지선 경화성 점착제에 배합함으로써, 경화 전에 있어서의 점착성 및 박리성, 경화 후의 강도, 다른 층과의 접착성, 보존 안정성 등을 개선할 수 있다. 이들 외의 성분의 배합량은 특별히 한정되지 않고, 에너지선 경화형 공중합체(A) 100질량부에 대하여 0∼40질량부의 범위에서 적의 결정된다.
다음으로, 에너지선 경화성 점착제가, 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분과 에너지선 경화성의 다관능 모노머 및／또는 올리고머와의 혼합물을 주성분으로 할 경우에 대해서, 이하 설명한다.
에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분으로서는, 예를 들면, 상술한 아크릴계 공중합체(a1)와 마찬가지의 성분을 사용할 수 있다. 에너지선 경화성 수지 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분의 함유량은, 20∼99.9질량％인 것이 바람직하고, 특히 30∼80질량％인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성의 다관능 모노머 및／또는 올리고머로서는, 상술한 성분(B)과 같은 것이 선택된다. 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머 성분과 에너지선 경화성의 다관능 모노머 및／또는 올리고머와의 배합비는, 폴리머 성분 100질량부에 대하여, 다관능 모노머 및／또는 올리고머 10∼150질량부인 것이 바람직하고, 특히 25∼100질량부인 것이 바람직하다.
이 경우에 있어서도, 상기와 마찬가지로, 광중합개시제(C)나 가교제(E)를 적의 배합할 수 있다.
점착제층(3)의 두께는, 다이싱 시트(1)가 사용되는 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 1∼50㎛인 것이 바람직하고, 특히 2∼30㎛인 것이 바람직하고, 더욱이는 3∼20㎛인 것이 바람직하다.
3. 박리 시트
본 실시형태에 있어서의 박리 시트(6)는, 다이싱 시트(1)가 사용되기까지의 동안, 점착제층(3)을 보호한다. 본 실시형태에 있어서의 박리 시트(6)는, 점착제층(3) 상에 직접 적층되어 있지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 점착제층(3) 상에 다른 층(다이본딩 필름 등)이 적층되고, 당해 다른 층 상에 박리 시트(6)가 적층되어도 된다.
박리 시트(6)의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하며 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20∼250㎛ 정도이다.
4. 다이싱 시트의 제조 방법
다이싱 시트(1)를 제조하려면, 일례로서, 박리 시트(6)의 박리면에, 점착제층(3)을 구성하는 점착제와, 원하는 바에 따라 추가로 용매를 함유하는 점착제층용의 도포제를 도포하고 건조시켜 점착제층(3)을 형성한다. 그 후, 점착제층(3)의 노출면에 기재(2)를 압착하고, 기재(2), 점착제층(3) 및 박리 시트(6)로 이루어지는 다이싱 시트(1)를 얻는다.
본 실시형태에 있어서의 점착제층(3)은, 링 프레임 등의 지그에 첩부 가능한 것이 바람직하다. 이 경우에, 점착제층(3)이 에너지선 경화성 점착제로 이루어질 때, 에너지선 경화성 점착제를 경화시키지 않는 것이 바람직하다. 이에 따라, 링 프레임 등의 지그에 대한 접착력을 높게 유지할 수 있다.
기재(2) 및 점착제층(3)의 적층체는, 원하는 바에 따라 하프커트하여, 원하는 형상, 예를 들면 워크피스(반도체 웨이퍼)에 대응하는 원형 등의 형상으로 해도 된다. 이 경우, 하프커트에 의해 생긴 여분의 부분은, 적의 제거하면 된다.
5. 다이싱 시트의 사용 방법
본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 스텔스 다이싱에 사용되는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 기재(2)의 제1면측에 위치하는 워크피스를, 기재(2)의 제2면측으로부터 촬상하는 동작을 포함하는 용도로 사용되는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 스텔스 다이싱에 있어서, 워크피스의 얼라인먼트 마크 등을, 카메라(예를 들면 적외선 카메라)에 의해 고배율로 촬상하고, 그 데이터에 의거하여 다이싱 라인을 읽어들이는 얼라인먼트 동작을 행할 경우에, 상기 워크피스를 지지하는 다이싱 시트로서 사용되는 것이 바람직하다. 워크피스로서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
본 실시형태에 따른 다이싱 시트(1)를 사용하여, 일례로서 워크피스로서의 반도체 웨이퍼로부터, 스텔스 다이싱에 의해 칩을 제조하는 방법을 이하에 설명한다.
먼저, 권취한 롤 형상의 다이싱 시트(1)를 조출(繰出)하여, 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트(1)의 점착제층(3)에 반도체 웨이퍼(7) 및 링 프레임(8)을 첩부한다. 이에 따라, 다이싱 시트(1)의 점착제층(3)측의 면에 반도체 웨이퍼(7) 및 링 프레임(8)이 적층된 구성을 구비하는 적층 구조체(이하 「적층 구조체(L)」라고 할 경우가 있음)를 얻는다.
그 다음에, 적층 구조체(L)를, 스텔스 다이싱 공정에 부착한다. 구체적으로는, 적층 구조체(L)를 분할 가공용 레이저 조사 장치(레이저 다이서)에 설치하고, 반도체 웨이퍼(7)의 다이싱 시트(1)측 혹은 다이싱 시트(1)의 역측에 부착된 얼라인먼트 마크를, 카메라에 의해 촬상하고, 그 데이터에 의거하여 다이싱 라인을 읽어들이는 얼라인먼트 동작을 행한다. 카메라의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 적외선 카메라, CCD 카메라 등이 일반적으로 사용된다. 이때, 다이싱 시트(1)에 있어서, 기재(2)의 배면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz)가 소정의 범위로 설정되어 있음으로써, 광선이 기재(2)의 배면의 기포 등에 의한 요철에 의해 흐트러지지 않고 다이싱 시트(1)를 투과하기 때문에, 얼라인먼트 마크의 상이 카메라까지 정확하게 닿아, 고배율 촬상을 고정밀도로 행할 수 있고, 따라서 얼라인먼트 동작을 정확하게 행할 수 있다.
레이저 다이서는, 상기 반도체 웨이퍼(7)에 대하여, 읽어들인 다이싱 라인을 따라, 다이싱 시트(1)를 개재하여 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼(7) 내에 개질층을 형성한다. 상기한 바와 같이, 얼라인먼트 동작은 정확하게 행해지고 있기 때문에, 개질층의 형성은, 반도체 웨이퍼(7)에 마련된 소정의 다이싱 라인을 따라 확실하게 행해진다. 또한, 다이싱 시트(1)의 표면 거칠기가 상기한 바와 같이 설정되어 있음으로써, 레이저광의 투과성도 우수하다. 그 후, 다이싱 시트(1)를 신장시키는 익스팬드 공정을 실시함으로써, 반도체 웨이퍼(7)에 힘(주면(主面) 내 방향의 인장력)을 부여한다. 그 결과, 다이싱 시트(1)에 첩착(貼着)하는 반도체 웨이퍼(7)는 분할되어, 칩이 얻어진다. 그 후에는, 픽업 장치를 사용하여, 다이싱 시트(1)로부터 칩을 픽업한다.
상기의 스텔스 다이싱 공정에서는, 개질층의 형성이, 반도체 웨이퍼(7)에 마련된 소정의 다이싱 라인을 따라 확실하게 행해지기 때문에, 반도체 웨이퍼(7)는 양호하게 분할되고, 따라서 스텔스 다이싱의 가공성은 매우 양호한 것으로 되어 있다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것으로, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 다이싱 시트(1)에 있어서의 기재(2)와 점착제층(3)과의 사이에는, 다른 층이 개재되어 있어도 된다. 또한, 다이싱 시트(1)에 있어서의 점착제층(3)과 박리 시트(6)와의 사이에는, 다른 층이 개재되어 있어도 된다. 당해 다른 층으로서는, 예를 들면, 다이본딩 필름을 들 수 있다. 이 경우, 다이싱 시트(1)는, 다이싱 다이본딩 시트로서 사용할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 기재의 제작
랜덤 코폴리머폴리프로필렌 수지로 이루어지는 수지 조성물을, 소형 T 다이 압출기(도요세이키세이사쿠쇼사제, 제품명 「라보플라스토밀」)에 의해 압출 성형하고, 두께 70㎛의 수지 필름으로 이루어지는 기재를 제작했다. 얻어진 기재의 배면의 표면 거칠기(산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz))를 후술하는 방법에 의해 측정한 바, 표 1에 나타내는 바와 같았다.
(2) 점착제층용 도포제의 조제
부틸아크릴레이트 62질량부와, 메틸메타크릴레이트 10질량부와, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 28질량부를 공중합하여 얻은 공중합체에, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를, 공중합체의 HEA에 대하여 80㏖％ 반응시켜, 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화성 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 50만)를 얻었다.
상기의 에너지선 경화성 아크릴계 중합체 100질량부(고형분 농도; 이하 같음)에 대하여, 광중합개시제(BASF사제, 제품명 「이르가큐어 184」) 3.0질량부 및 이소시아네이트 화합물(도소사제, 제품명 「코로네이트 L」) 1.0질량부를 배합함과 함께, 용매로 희석함으로써, 점착제층용 도포제를 얻었다.
(3) 다이싱 시트의 제조
두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리 시트(린텍사제, 제품명 「SP-PET381031」)를 준비하고, 그 박리 시트의 박리면 상에, 상술한 점착제층용 도포제를, 나이프 커터로 도포하고, 건조시켜, 두께 20㎛의 점착제층을 형성했다. 그 점착제층 상에, 상기에서 제작한 기재의 정면을 겹쳐 양자를 첩합(貼合)하고, 기재(70㎛)／점착제층(20㎛)／박리 시트로 이루어지는 적층체를 얻었다.
상기에서 얻어진 적층체에 대하여, 상기 기재측으로부터, 기재 및 점착제층의 적층체를 절단하도록 하프커트를 실시하여, 직경 370㎜의 원형의 다이싱 시트를 형성했다.
〔실시예 2∼3 및 비교예 1∼4〕
기재의 배면의 표면 거칠기(산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz))를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 기재를 제작했다. 당해 기재를 사용하는 것 이외, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2∼3 및 비교예 1∼4의 다이싱 시트를 제조했다.
〔시험예 1〕<기재의 표면 거칠기의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 기재의 배면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 최대 높이 거칠기(Rz)를, 광간섭식 표면 거칠기계(Veeco사제, 제품명 「WYKO NT1100」)를 사용하여, 이하의 측정 조건으로, ANSI／ASME B46.1에 준거하여 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[측정 조건]
·대물 렌즈 배율: 10배
·내부 렌즈 배율: 1배
·모드: VSI
·측정 면적: 0.27㎟
〔시험예 2〕<헤이즈치의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 기재에 대해서, JIS K7136:2000에 준하여, 헤이즈 미터(니혼덴쇼쿠고교사제, 제품명 「NDH-5000」)를 사용하여 헤이즈치(％)를 측정했다. 또한, 이 헤이즈치는, 측정 샘플의 내부에 기인하는 헤이즈(내부 헤이즈)와, 측정 샘플의 표면 상태에 기인하는 헤이즈(외부 헤이즈)와의 합계치를 나타낸다. 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 3〕<얼라인먼트성 평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 시트의 점착제층에, 다이싱 라인이 부착된 실리콘 미러 웨이퍼(직경: 12인치) 및 링 프레임을 첩부하고, 적층 구조체를 얻었다(도 2 참조). 이때, 실리콘 웨이퍼의 다이싱 라인이 다이싱 시트측이 되도록, 실리콘 웨이퍼를 첩부했다.
그 다음에, 상기 적층 구조체를, 레이저 다이서(DISCO사제, 제품명 「DFL7361」)에 세트하고, 다이싱 시트 넘어, 적외선 카메라의 초점을 반도체 웨이퍼의 다이싱 라인에 맞췄다. 적외선 카메라로부터 취득되는 화상이 표시되는 얼라인먼트 화면(고배율 설정)을 볼 때, 다이싱 라인을 문제없이 인식할 수 있었던 것을 ○, 다이싱 라인이 일부 선명하지 않았지만, 인식 가능했던 것을 △, 다이싱 라인이 선명하지 않았던 것을 ×로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 4〕<스텔스 다이싱성 평가>
시험예 3과 마찬가지로, 상기 적층 구조체를 레이저 다이서(DISCO사제, 제품명 「DFL7361」)에 세트한 후, 파장 1342㎚의 레이저광을 조사하고, 실리콘 웨이퍼 내에 일정 간격의 개질층을 형성했다. 그 후, 상기 적층 구조체를 다이 세퍼레이터(디스코사제, 제품명 「DDS2300」)에 설치하고, 0℃에서, 인출 속도 100㎜／초, 익스팬드량 10㎜로 익스팬드를 행하여, 8mm×8mm의 칩을 얻었다.
상기의 스텔스 다이싱에 의해 얻어진 칩의 단면(斷面)을 디지털 현미경(기엔스사제, 제품명 「VHX-1000」)에 의해 배율 500배로, 개질층을 확인했다. 그 결과, 일정 간격의 개질층을 확인할 수 있었던 것을 「○」(스텔스 다이싱성 양호), 개질층의 간격이 일정하지 않거나, 개질층에 결락이 확인된 것을 「×」(스텔스 다이싱성 불량)로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure 112019034117976-pct00001
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서 얻어진 다이싱 시트에 의하면, 얼라인먼트성이 우수하고, 그에 따라 스텔스 다이싱성도 양호했다.
본 발명에 따른 다이싱 시트는, 스텔스 다이싱 등, 기재의 제1면측에 위치하는 워크피스를, 기재의 제2면측으로부터 촬상하는 동작을 포함하는 용도로 호적(好適)하게 사용할 수 있다.
1: 다이싱 시트
2: 기재
3: 점착제층
6: 박리 시트
7: 반도체 웨이퍼
8: 링 프레임

Claims (6)

  1. 적어도, 기재(基材)와, 상기 기재의 제1면측에 적층된 점착제층을 구비한 다이싱 시트로서,
    상기 기재의 제2면에 있어서의 산술 평균 거칠기(Ra)가, 0.01㎛ 이상, 0.5㎛ 이하이며, 또한,
    상기 기재의 제2면에 있어서의 최대 높이 거칠기(Rz)가, 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재의 헤이즈치가, 15％ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기재가, 폴리올레핀으로 구성되는 수지 필름인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    스텔스 다이싱(stealth dicing)에 사용되는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께가, 20㎛ 이상, 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기재의 제1면측에 위치하는 워크피스(workpiece)를, 상기 기재의 제2면측으로부터 촬상하는 동작을 포함하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
KR1020197009560A 2016-11-02 2017-10-24 다이싱 시트 KR102447761B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-215204 2016-11-02
JP2016215204 2016-11-02
PCT/JP2017/038302 WO2018084021A1 (ja) 2016-11-02 2017-10-24 ダイシングシート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190076957A KR20190076957A (ko) 2019-07-02
KR102447761B1 true KR102447761B1 (ko) 2022-09-27

Family

ID=62075806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197009560A KR102447761B1 (ko) 2016-11-02 2017-10-24 다이싱 시트

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6980684B2 (ko)
KR (1) KR102447761B1 (ko)
CN (1) CN110073468B (ko)
TW (1) TWI747985B (ko)
WO (1) WO2018084021A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7400263B2 (ja) * 2018-08-23 2023-12-19 東レ株式会社 フィルム、及びフィルムの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005236082A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nitto Denko Corp レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
WO2013099778A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 三井・デュポンポリケミカル株式会社 レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法
WO2016088677A1 (ja) * 2014-12-02 2016-06-09 リンテック株式会社 粘着シート、および加工物の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2285634T3 (es) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Metodo para dividir un siustrato.
JP2004303654A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4531435B2 (ja) * 2004-04-13 2010-08-25 三菱マテリアル株式会社 シリコン部材およびその製造方法
JP4762671B2 (ja) 2005-10-26 2011-08-31 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
JP5583724B2 (ja) 2012-09-20 2014-09-03 リンテック株式会社 レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005236082A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nitto Denko Corp レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
WO2013099778A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 三井・デュポンポリケミカル株式会社 レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法
WO2016088677A1 (ja) * 2014-12-02 2016-06-09 リンテック株式会社 粘着シート、および加工物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110073468B (zh) 2023-01-10
JPWO2018084021A1 (ja) 2019-09-19
TWI747985B (zh) 2021-12-01
WO2018084021A1 (ja) 2018-05-11
TW201834036A (zh) 2018-09-16
CN110073468A (zh) 2019-07-30
KR20190076957A (ko) 2019-07-02
JP6980684B2 (ja) 2021-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102355108B1 (ko) 다이싱 시트
KR102447759B1 (ko) 점착 시트, 및 가공물의 제조 방법
JP6875865B2 (ja) 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
KR102579064B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
KR102447761B1 (ko) 다이싱 시트
WO2019203021A1 (ja) ワーク加工用シート
KR102579051B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
KR20200026178A (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN113016055A (zh) 工件加工用片
JP6818612B2 (ja) 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
KR102579055B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
JP5253322B2 (ja) 半導体製造工程粘着テープ用フィルム
JP2014189703A (ja) 粘着シート
KR102481281B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트
KR20210143153A (ko) 워크 가공용 점착 시트 및 그 제조 방법
JP4919327B2 (ja) 衝撃吸収粘着剤シート
KR20200026177A (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6661438B2 (ja) ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP7452977B2 (ja) 粘着シート、粘着テープ及び被加工品の加工方法
WO2020195087A1 (ja) ワーク加工用粘着シートおよびその製造方法
KR20210053872A (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
KR20200026179A (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant