KR20210053872A - 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법 - Google Patents

워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210053872A
KR20210053872A KR1020217000674A KR20217000674A KR20210053872A KR 20210053872 A KR20210053872 A KR 20210053872A KR 1020217000674 A KR1020217000674 A KR 1020217000674A KR 20217000674 A KR20217000674 A KR 20217000674A KR 20210053872 A KR20210053872 A KR 20210053872A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
work
sensitive adhesive
sheet
pressure
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020217000674A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102511369B1 (ko
Inventor
타카후미 오가사와라
미사키 사카모토
나오야 사이키
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20210053872A publication Critical patent/KR20210053872A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102511369B1 publication Critical patent/KR102511369B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Packaging For Recording Disks (AREA)

Abstract

기재와 점착제층을 구비하는 워크 가공용 시트로서, 상기 점착제층이 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있고, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면의 물 접촉각이 80°초과이고, 상기 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 5000 mN/25 mm 이하이고, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면 상에 메틸 에틸 케톤을 포함하는 부직포를 적층하여, 23℃ 상대습도 50%의 환경 하에서 15분간 정치한 후, 상기 부직포로 상기 면을 닦아내고, 23℃ 상대습도 50%의 환경 하에서 1시간 정치하고 건조시킨 상기 면에서 측정되는 물 접촉각이 50° 이상 80° 이하인 워크 가공용 시트. 이러한 워크 가공용 시트는, 가공 후의 워크에 부착한 점착제층로부터 유래하는 점착제를 흐르는 물에 의해서 양호하게 제거할 수 있는 동시에, 가공 후의 워크를 양호하게 분리할 수 있다.

Description

워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
본 발명은, 다이싱에 적합하게 사용할 수 있는 워크 가공용 시트, 및 상기 워크 가공용 시트를 이용한 가공된 워크의 제조방법에 관한 것이다.
실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체 웨이퍼 및 각종 패키지류(이하, 이것들을 종합해 「피절단물」이라고 기재하는 경우가 있다.)는, 대경(大徑) 상태로 제조되고, 이들은 소자 소편(小片)(이하, 「칩」이라고 기재하는 경우가 있다.)으로 절단(다이싱)되는 동시에 개개로 분리(픽업)된 후에, 다음의 공정인 마운트 공정으로 옮겨진다. 이 때, 반도체 웨이퍼 등의 피절단물은, 기재 및 점착제층을 구비하는 워크 가공용 시트에 첩착(貼着)된 상태로, 다이싱, 세정, 건조, 익스펜딩, 픽업 및 마운팅의 각 공정에 제공된다.
상술한 다이싱 공정에서는, 회전하는 다이싱 블레이드와 피절단물이나 워크 가공용 시트의 사이에 생기는 마찰열에 의해, 다이싱 블레이드, 피절단물 및 워크 가공용 시트가 가열된다. 또한, 다이싱 공정에서는, 피절단물이나 워크 가공용 시트로부터 절삭편이 생겨 이것이 칩에 부착하는 경우가 있다.
이 때문에, 다이싱 공정을 행할 때, 통상, 절단 부분에 흐르는 물을 공급하여, 다이싱 블레이드 등을 냉각하는 동시에, 생긴 절삭편을 칩으로부터 제거하는 것이 행해진다.
특허문헌 1에는, 이러한 흐르는 물에 의한 절삭편의 제거를 촉진하는 목적으로, 자외선 조사 전의 점착제층에서의 기재와 반대측의 면의, 순수에 대한 접촉각이 82° ~ 114°이고, 또한, 요오드화 메틸렌에 대한 접촉각이 44° ~ 64°인 동시에, 자외선 조사 전의 점착제층에서의, 프로브 택 시험의 피크값이 294 ~ 578 kPa인 워크 가공용 시트가 개시되어 있다.
특허문헌 1:일본 특허 제5019657호
그렇지만, 특허문헌 1에 개시되는 종래의 워크 가공용 시트를 사용하여 다이싱 공정을 행하는 경우, 워크 가공용 시트의 점착제층으로부터 유래하는 점착제를, 가공 후 워크로부터 충분히 제거할 수 없었다.
또한, 일반적으로, 픽업 공정에서 칩을 워크 가공용 시트로부터 분리할 때, 과도한 힘을 필요로 하지 않고 분리할 수 있고, 이로 인해 칩의 파손 등의 결함이 생기지 않는 것이 요구된다.
본 발명은, 이러한 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 가공 후의 워크에 부착한 점착제층으로부터 유래하는 점착제를, 흐르는 물에 의해서 양호하게 제거할 수 있는 동시에, 가공 후의 워크를 양호하게 분리할 수 있는 워크 가공용 시트, 및 상기 워크 가공용 시트를 이용한 가공된 워크의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 제1의 본 발명은, 기재, 및 상기 기재의 한쪽면 측에 적층된 점착제층을 구비하는 워크 가공용 시트로서, 상기 점착제층이, 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있고, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면의 물 접촉각이 80°초과이고, 상기 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 5000 mN/25 mm 이하이고, 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면 상에, 메틸 에틸 케톤을 포함하는 부직포를 적층하고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 15분간 정치한 후, 상기 부직포로 상기 면을 닦아내고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 1시간 정치하고 건조시킨 상기 면에서 측정되는 물 접촉각이, 50° 이상 80° 이하인 것을 특징으로 하는 워크 가공용 시트를 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서 기재와는 반대측의 면(이하 「점착면」이라고 하는 경우가 있다.)의 상술한 닦아냄 전의 물 접촉각이 상기 범위인 것으로, 점착면이 적절한 소수성을 가지게 되어, 가공 후의 워크를 양호하게 분리하기 쉬워진다. 또한, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 상기 범위인 동시에, 상술한 닦아냄 후의 물 접촉각이 상기 범위인 것으로, 가공 후의 워크에 부착한 점착제의 점착력이 물과의 접촉에 의해서 적절히 저감하게 되어, 가공 후의 워크에 부착한 점착제를 흐르는 물에 의해서 양호하게 제거할 수 있게 된다.
상기 발명(발명 1)에서, 상기 활성 에너지선 경화성 점착제는, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 점착제인 것이 바람직하다(발명 2).
상기 발명(발명 1, 2)에서, 상기 점착제 조성물은, 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 공중합체와, 상기 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 활성 에너지선 경화성 중합체를 함유하는 것이고, 상기 아크릴계 공중합체는, 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산메틸, (메타)아크릴산 2－메톡시에틸, (메타)아크릴산에틸 카비톨 및 (메타)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1 ~ 3)에서는, 다이싱 시트인 것이 바람직하다(발명 4).
제2의 본 발명은, 상기 워크 가공용 시트(발명 1 ~ 4)의 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면과 워크를 첩합(貼合)하는 첩합 공정, 상기 워크 가공용 시트 상에서 상기 워크를 가공하여, 상기 워크 가공용 시트 상에 적층된 가공된 워크를 얻는 가공 공정, 상기 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하여, 상기 점착제층을 경화시켜, 상기 가공된 워크에 대한 상기 워크 가공용 시트의 점착력을 저하시키는 조사 공정, 및 활성 에너지선 조사 후의 상기 워크 가공용 시트로부터, 상기 가공된 워크를 분리하는 분리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 가공된 워크의 제조방법을 제공한다(발명 5).
본 발명과 관련되는 워크 가공용 시트는, 가공 후의 워크에 부착한, 점착제층으로부터 유래하는 점착제를, 흐르는 물에 의해서 양호하게 제거할 수 있는 동시에 가공 후의 워크를 양호하게 분리할 수 있다. 또한, 본 발명과 관련되는 가공된 워크의 제조방법에 따르면, 가공된 워크를 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
〔워크 가공용 시트〕
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 기재, 및 기재의 한쪽면 측에 적층된 점착제층을 구비한다.
1.워크 가공용 시트의 물성
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서 기재와는 반대측의 면(점착면)의 물 접촉각이, 80°초과이다. 이 물 접촉각이 상기 범위인 것으로, 점착면이 적절한 소수성을 가지게 되어, 워크 가공용 시트의 가공 후의 워크에 대한 점착력이 과도하게 높아지는 것이 억제된다. 이로 인해, 워크 가공용 시트로부터 가공 후의 워크를 양호하게 분리할 수 있게 된다. 특히, 워크로서 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우, 실리콘 웨이퍼의 표면에는 비교적 친수성의 기가 많이 존재하고 있고, 이 면에 대해서, 적절한 소수성을 가지는 점착면이 접하게 됨으로써, 가공 후의 워크를 용이하게 분리하기 쉬워진다. 또한 상술한 물 접촉각의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재하는 바와 같다.
또한 본 명세서에서는, 후술한 바와 같이, 메틸 에틸 케톤을 포함하는 걸레에 의해 닦아낸 후에 점착면의 물 접촉각에 대해서도 규정되어 있지만, 이러한 닦아냄에 관해서 언급되지 않고 「물 접촉각」의 어구가 사용되고 있는 경우, 상기 어구는, 상술한 닦아냄을 행하지 않고 측정된 물 접촉각을 의미하는 것으로 한다. 또한, 본 실시형태에서의 점착제층은 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성된 것이지만, 본 명세서에서의 물 접촉각은, 상술한 닦아냄을 행하기 전 및 상기 닦아냄을 행한 후의 어느 경우에서도, 워크 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하지 않고 측정된 물 접촉각을 말하는 것으로 한다.
상술한 물 접촉각이 80° 이하이면, 점착면이 비교적 높은 친수성을 가지게 되어, 워크 가공용 시트의 가공 후의 워크에 대한 점착력이 과도하게 높아진다. 이 경우, 워크 가공용 시트로부터 가공 후의 워크를 떼어낼 때에 과도한 힘을 필요로 하게 되어, 가공 후의 워크의 파손이라고 하는 결함이 생길 가능성이 있다. 이 관점에서, 상기 물 접촉각은, 85° 이상인 것이 바람직하고, 특히 90° 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 물 접촉각은, 120° 이하인 것이 바람직하고, 특히 110° 이하인 것이 바람직하다. 상기 물 접촉각이 120° 이하인 것으로, 점착면이 과도한 소수성을 가지게 되는 것이 회피되어 워크 가공용 시트가 워크에 대해서 양호한 점착력을 발휘하기 쉬워진다. 이로 인해, 워크의 가공시나, 워크 가공용 시트 상에 워크 또는 가공 후의 워크를 적층한 상태로 반송할 때 등에서, 가공 전 또는 후의 워크가 의도하지 않고 워크 가공용 시트로부터 박리되는 것이 효과적으로 억제된다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착면 상에, 메틸 에틸 케톤을 포함하는 부직포를 적층하고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 15분간 정치한 후, 상기 부직포로 상기 점착면을 닦아내고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 1시간 정치하고 건조시킨 상기 점착면에서 측정되는 물 접촉각이, 50° 이상 80° 이하이다. 위에서 설명한 바와 같이 점착면의 표면을 닦아낸 후에 물 접촉각이 상술의 범위인 것으로, 가공 후의 워크에 부착한 점착제층 유래의 점착제를, 흐르는 물에 의해서 양호하게 제거할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 점착면을 닦아낸 후의 물 접촉각이 50° 이상 80° 이하인 것으로, 가공 후의 워크에 부착한 점착제를 흐르는 물에 의한 제거가 용이해지는 이유로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 다음의 것이 생각된다. 상술한 닦아냄을 행하면, 점착면의 표면에서의 소정의 성분이 제거되든가, 혹은 상기 표면으로부터 소정의 두께 분만큼 점착제층을 구성하는 점착제가 제거되는 것으로 생각된다. 이로 인해, 본래이면 점착제층의 내부를 구성하고 있던 부분이 표면에 노출하게 된다. 그리고, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 이 노출한 면의 물 접촉각이 50° 이상 80° 이하로 되고 있다. 한편, 워크 가공용 시트 상에서 워크를 가공하고, 이에 따라 점착제층을 구성하는 점착제가 절삭편으로서 가공 후의 워크에 부착한 경우, 그 부착한 점착제에서의, 가공 후의 워크와 접하는 면은, 확률적으로, 점착제층의 표면을 구성하고 있던 면보다도, 점착제층의 내부를 구성하고 있던 면이 되는 경우가 많다. 즉, 가공 후의 워크에 부착한 점착제는, 대부분의 경우, 물 접촉각이 50° 이상 80° 이하인 면이 가공 후의 워크에 접하게 된다. 그리고, 이러한 물 접촉각을 가지는 면은, 물에 대해서 적절한 친화성을 나타내는 것이기 때문에, 흐르는 물을 사용함으로써, 상술한 점착제를 가공 후의 워크로부터 양호하게 제거할 수 있게 된다.
상술한 바와 같은 닦아냄 후의 물 접촉각이, 50°미만이면, 점착제층이 물에 대해서 과도하게 친화성을 나타내게 되어, 물의 침입을 억제할 수 없고, 이것에 따라 다이싱시에 칩 날림이나 칩 흠이 생긴다. 또한, 상기 물 접촉각이 80°을 초과하면, 절삭편으로서의 점착제가, 물에 대해서 적절한 친화성을 가지지 않게 되어, 가공 후의 워크에 부착한 점착제를 흐르는 물에 의해서 충분히 제거하는 것이 곤란해진다.
이상의 관점에서, 상술한 닦아냄 후의 물 접촉각은, 55° 이상인 것이 바람직하고, 특히 60° 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상술한 닦아냄 후의 물 접촉각은, 75° 이하인 것이 바람직하고, 특히 70° 이하인 것이 바람직하다. 또한 상술한 닦아냄 후의 물 접촉각의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재하는 바와 같다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이, 5000 mN/25 mm 이하이다. 여기에서의 점착력은, 워크 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하지 않아, 점착제층의 경화가 생기지 않은 상태에서의 점착력을 말하는 것으로 한다. 또한, 본 명세서 전체에서, 활성 에너지선의 조사의 유무에 대해 언급하지 않고 기술된 「점착력」에 대해서도, 워크 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하지 않아, 점착제층의 경화가 생기지 않은 상태에서의 점착력을 말하는 것으로 한다. 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재하는 바와 같다.
워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 5000 mN/25 mm 이하인 것으로, 가공 후의 워크에 절삭편으로서 부착한 점착제의 점착력이, 과도하게 높아지지 않고, 이로 인해, 상기 점착제를 흐르는 물에 의해서 용이하게 제거할 수 있게 된다. 한편, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 5000 mN/25 mm 초과하면, 절삭편으로서의 점착제가 가공 후의 워크에 대해서 강고하게 부착해 버려, 흐르는 물을 사용한다고 해도 상기 점착제를 충분히 제거하는 것이 곤란해진다. 이 관점에서, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력은, 4500 mN/25 mm 이하인 것이 바람직하고, 특히 3000 mN/25 mm 이하인 것이 바람직하다.
또한, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력은, 1000 mN/25 mm 이상인 것이 바람직하고, 특히 1200 mN/25 mm 이상인 것이 바람직하고, 또한 1500 mN/25 mm 이상인 것이 바람직하다. 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이, 1000 mN/25 mm 이상인 것으로, 가공의 대상이 되는 워크를 워크 가공용 시트 상에 양호하게 유지하는 것이 가능해져, 가공시나, 워크 또는 가공 후의 워크를 워크 가공용 시트 상에 적층한 상태로 반송할 때 등에서, 가공 전 또는 후의 워크가 박리를 양호하게 억제할 수 있다. 특히, 가공 후의 워크가 칩인 경우에는, 상기 칩이 워크 가공용 시트로부터 비산하는 것을 양호하게 억제할 수 있다.
또한 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 워크 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사한 후에 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이, 65 mN/25 mm 이하인 것이 바람직하다. 상기 점착력이 65 mN/25 mm 이하인 것으로, 워크의 가공이 완료한 후에, 워크 가공용 시트에 대한 활성 에너지선의 조사에 의해, 가공 후의 워크를 워크 가공용 시트로부터 분리하는 것이 보다 용이해진다.
2.워크 가공용 시트의 구성 부재
(1) 기재
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서, 기재는, 워크 가공용 시트의 사용 공정에서의 소망한 기능을 발휘하고, 바람직하게는, 점착제층의 경화를 위해서 조사되는 활성 에너지선에 대해서 양호한 투과성을 발휘하는 것인 한, 특별히 한정되지 않는다.
예를 들면, 기재는, 수지계의 재료를 주재(主材)로 하는 수지 필름인 것이 바람직하고, 그 구체예로는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름; 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산메틸 공중합체 필름, 그 외의 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 필름; (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리카르보네이트 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌 필름의 예로는, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름이라고 하는 변성 필름도 이용된다. 또한, 기재는, 상술한 필름이 복수 적층되어 이루어지는 적층 필름이어도 좋다. 이 적층 필름에서, 각 층을 구성하는 재료는 동종이어도 좋고, 이종이어도 좋다. 기재로는, 상기 필름 중에서도, 유연성이 우수한 관점에서, 에틸렌-메타크릴산메틸 공중합체 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 본 명세서에서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽 모두를 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
기재는, 난연제, 가소제, 대전방지제, 윤활제, 산화방지제, 착색제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 이온 포착제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제의 함유량으로는, 특별히 한정되지 않지만, 기재가 소망한 기능을 발휘하는 범위로 하는 것이 바람직하다.
기재의 점착제층이 적층되는 면에는, 점착제층과의 밀착성을 높이기 위해서, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등의 표면 처리가 실시되어도 좋다.
기재의 두께는, 워크 가공용 시트가 사용되는 방법에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상, 20μm 이상인 것이 바람직하고, 특히 25μm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 두께는, 통상, 450μm 이하인 것이 바람직하고, 특히 300μm 이하인 것이 바람직하다.
(2) 점착제층
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서, 점착제층은, 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되는 동시에, 전술한 점착력을 달성할 수 있고, 또한 전술한 닦아냄 전 및 후의 물접촉각을 달성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 점착제층이 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있는 것으로, 점착제층의 점착면에 첩착된 가공 후의 워크와 상기 점착면을 분리할 때에, 활성 에너지선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜, 워크 가공용 시트의 가공 후의 워크에 대한 점착력을 저하시킬 수 있다. 이로 인해, 점착제층의 점착면과 가공 후의 워크의 분리가 용이해진다.
본 실시형태에서의 점착제층은, 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 것이어도 좋고, 활성 에너지선 비경화성 폴리머(활성 에너지선 경화성을 가지지 않는 폴리머), 및 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 것이어도 좋다.
최초로, 본 실시형태에서의 점착제층이, 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 것인 경우에 대해서, 이하 설명한다.
활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머는, 측쇄에 활성 에너지선 경화성을 가지는 관능기(활성 에너지선 경화성 기)가 도입된 (메타)아크릴산 에스테르 (공)중합체(A)(이하 「활성 에너지선 경화성 중합체(A)」라고 하는 경우가 있다.)인 것이 바람직하다. 이 활성 에너지선 경화성 중합체(A)는, 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 공중합체(a1)와 그 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물(a2)을 반응시켜 얻어지는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴계 공중합체(a1)의 친수성을 조정하기 위한 모노머(이하에서는, 「친수성 조정 모노머」라고 하는 경우가 있다.)을 포함하는 것이 바람직하고, 특히, 그 구체예로서 아크릴산메틸, (메타)아크릴산 2-메톡시에틸, (메타)아크릴산에틸 카비톨((메타)아크릴산 에톡시에톡시에틸) 및 (메타)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 모노머는, 아크릴계 공중합체(a1)의 친수성을 향상시킬 수 있고, 이것에 의해, 형성되는 점착제층에서의 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 각각 전술한 범위로 조정하기 쉬워진다. 이러한 효과를 얻기 쉬운 관점에서, 아크릴계 공중합체(a1)는, 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 상술한 모노머 중에서도, 아크릴산메틸, 아크릴산 2-메톡시에틸 및 아크릴산 메톡시에틸렌글리콜의 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)가 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산메틸을 포함하는 경우, 아크릴산메틸의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 또한 30질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴산메틸의 함유량은, 85질량% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 함유량인 것으로, 형성되는 점착제층에서 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 각각 전술한 범위로 조정하기 더 쉬워진다. 또한 본 명세서에서, 상술한 아크릴산메틸의 함유량(질량%)은, 아크릴계 공중합체(a1)를 구성하는 전체 모노머에 대한 함유량을 의미한다. 또한, 후술하는 그 외의 모노머의 함유량(질량%)에 대해서도, 아크릴계 공중합체(a1)를 구성하는 전체 모노머에 대한 함유량을 의미하는 것으로 한다.
또한, 아크릴계 공중합체(a1)가 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산 2-메톡시에틸을 포함하는 경우, 아크릴산 2-메톡시에틸의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 또한 30질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴산 2-메톡시에틸의 함유량은, 85질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 80질량% 이하인 것이 바람직하고, 또한 70질량% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 함유량인 것으로, 형성되는 점착제층에서 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 각각 전술한 범위로 조정하기 더 쉬워진다.
또한, 아크릴계 공중합체(a1)가 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산메틸 및 아크릴산 2-메톡시에틸의 양쪽 모두를 포함하는 경우, 아크릴산메틸 및 아크릴산 2-메톡시에틸의 함유량의 합계값은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 30질량% 이상인 것이 바람직하고, 또한 50질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 합계값은, 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 85질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 합계값이 이러한 범위인 것으로, 형성되는 점착제층에서 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 각각 전술한 범위로 조정하기 더 쉬워진다.
또한 아크릴계 공중합체(a1)가 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산 메톡시에틸렌글리콜을 포함하는 경우, 아크릴산 메톡시에틸렌글리콜의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 특히 30질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴산 메톡시에틸렌글리콜의 함유량은, 85질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 80질량% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 함유량인 것으로, 형성되는 점착제층에서 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 각각 전술한 범위로 조정하기 더 쉬워진다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상술한 친수성 조정 모노머 이외에, 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위, 및 (메타)아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과 히드록시기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 분자 내에 가지는 모노머를 들 수 있고, 이들 중에서, 히드록실기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머 및 치환 아미노기 함유 모노머의 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 히드록시기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시부틸, (메타)아크릴산 3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 이용된다.
상기 아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산아미노에틸, (메타)아크릴산 n-부틸아미노에틸 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
또한 카르복실기 함유 모노머의 예로는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레인산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복실산을 들 수 있고, 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 그러나, 아크릴계 공중합체(a1)는, 카르복실기 함유 모노머를 포함하지 않은 것이 바람직하다. 아크릴계 공중합체(a1)가 카르복실기 함유 모노머를 포함하지 않은 것에 의해, 물 접촉각의 조정이 더 용이해진다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 1질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히 5질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 또한 10질량% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 공중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 35질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 특히 30질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)를 구성하는 (메타)아크릴산 에스테르 모노머로는, 알킬기의 탄소수가 1 ~ 20인 (메타)아크릴산알킬 에스테르 외에, 예를 들면, 분자 내에 지환식 구조를 가지는 모노머(지환식 구조 함유 모노머)가 바람직하게 이용된다.
(메타)아크릴산알킬 에스테르로는, 특히 알킬기의 탄소수가 1 ~ 18인 (메타)아크릴산알킬 에스테르, 예를 들면, 메타크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실 등이 바람직하게 이용된다. 이들은, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
지환식 구조 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산시클로헥실, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산아다만틸, (메타)아크릴산이소보닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸 등이 바람직하게 이용된다. 이들은, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
또한 아크릴계 공중합체(a1)는, (메타)아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 50질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히 60질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 또한 70질량% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 공중합체(a1)는, (메타)아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 99질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 특히 95질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 또한 90질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체(a1)는, 바람직하게는, 상술한 친수성 조정 모노머와 관능기 함유 모노머와 (메타)아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체를 상법(常法)으로 공중합하여 얻을 수 있지만, 이러한 모노머 외에도 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 스티렌 등이 공중합되어도 좋다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 공중합체(a1)를, 그 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물(a2)과 반응시킴으로써, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물(a2)이 가지는 관능기는, 아크릴계 공중합체(a1)가 가지는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 아크릴계 공중합체(a1)가 가지는 관능기가 히드록시기, 아미노기 또는 치환 아미노기인 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 가지는 관능기로는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 아크릴계 공중합체(a1)가 가지는 관능기가 에폭시기인 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 가지는 관능기로는 아미노기, 카르복실기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
또한 상기 불포화기 함유 화합물(a2)에는, 활성 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합이, 1분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1 ~ 6개, 더 바람직하게는 1 ~ 4개 포함되어 있다. 이러한 불포화기 함유 화합물(a2)의 구체예로는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트, 메타크릴로일 이소시아네이트, 알릴 이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과 (메타)아크릴산히드록시에틸의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물과 (메타)아크릴산히드록시에틸의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; (메타)아크릴산글리시딜; (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 2-(1-아지리디닐) 에틸, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 아크릴계 공중합체(a1)의 관능기 함유 모노머의 몰 수에 대해서, 바람직하게는 50몰% 이상 특히 바람직하게는 60몰% 이상 더 바람직하게는 70몰% 이상의 비율로 이용된다. 또한, 상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 아크릴계 공중합체(a1)의 관능기 함유 모노머의 몰 수에 대해서, 바람직하게는 95몰% 이하, 특히 바람직하게는 93몰% 이하, 더 바람직하게는 90몰% 이하의 비율로 이용된다.
아크릴계 공중합체(a1)와 불포화기 함유 화합물(a2)의 반응에서는, 아크릴계 공중합체(a1)가 가지는 관능기와 불포화기 함유 화합물(a2)이 가지는 관능기의 조합에 따라, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 촉매의 종류를 적절히 선택할 수 있다. 이것에 의해, 아크릴계 공중합체(a1) 중에 존재하는 관능기와 불포화기 함유 화합물(a2) 중의 관능기가 반응해, 불포화기가 아크릴계 공중합체(a1) 중의 측쇄에 도입되어 활성 에너지선 경화성 중합체(A)가 얻어진다.
이와 같이 하여 얻어지는 활성 에너지선 경화성 중합체(A)의 중량평균분자량(Mw)은, 1만 이상인 것이 바람직하고, 특히 15만 이상인 것이 바람직하고, 또한 20만 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량평균분자량(Mw)은, 150만 이하인 것이 바람직하고, 특히 100만 이하인 것이 바람직하다. 또한 본 명세서에서의 중량평균분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피 법(GPC법)에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산값이다.
본 실시형태에서의 점착제 조성물이, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)라고 하는 활성 에너지선 경화성을 가지는 폴리머를 함유하는 경우에도 상기 점착제 조성물은, 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 더 함유해도 좋다.
활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로는, 예를 들면, 다가알코올과 (메타)아크릴산의 에스테르 등을 사용할 수 있다.
이러한 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로는, 예를 들면, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 등의 단관능성 아크릴산 에스테르류, 트리메티롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디메티롤트리시클로데칸 디(메타)아크릴레이트 등의 다관능성 아크릴산 에스테르류, 폴리에스테르 올리고(메타)아크릴레이트, 폴리우레탄 올리고(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 중합체(A)와 함께, 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우, 점착제 조성물 중에서의 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0질량부 초과인 것이 바람직하고, 특히 60질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 250질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 200질량부 이하인 것이 바람직하다.
여기서, 활성 에너지선 경화성 점착제를 경화시키기 위한 활성 에너지선으로서 자외선을 이용하는 경우에는, 본 실시형태에서의 점착제 조성물이 광중합개시제(C)를 함유하는 것이 바람직하다. 이 광중합개시제(C)의 사용에 의해, 중합 경화시간 및 광선 조사량을 줄일 수 있다.
광중합개시제(C)로는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인 안식향산, 벤조인 안식향산메틸, 벤조인 디메틸 케탈, 2,4-디에틸 티옥산손, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안스라퀴논, (2,4,6-트리메틸 벤질 디페닐) 포스핀 옥시드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고｛2-히드록시-2-메틸-1-［4-(1-프로페닐) 페닐］프로파논｝, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
점착제 조성물 중에서의 광중합개시제(C)의 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100 질량부) 100 질량부에 대해서, 0.1 질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 0.5 질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100 질량부) 100 질량부에 대해서, 10 질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 6 질량부 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태에서의 점착제 조성물은, 점착제층의 표면에서의 물 접촉각을 조정하기 위한 첨가제(D)를 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 첨가제의 예로는, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체, 분기 중합체, 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 점착제층의 표면에서의 물 접촉각을 전술한 범위로 조정하기 쉽다는 관점에서, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
활성 에너지선 중합성 분기 중합체란, 활성 에너지선 중합성 화합물의 일종이고, 활성 에너지선 중합성기 및 분기 구조를 가지는 중합체를 의미한다. 본 실시형태에서의 점착제층이, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 함유하는 점착제 조성물로 형성되어 있는 것으로, 점착제층의 표면에서의 물 접촉각(전술한 닦아냄 전의 물 접촉각)을 80°초과 하는 것, 및 전술한 닦아냄 후의 물 접촉각을 50° 이상 80° 이하로 하는 것의 양립이 용이해진다. 이 이유로는, 이것에 한정되지 않지만, 다음 것이 생각된다. 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 함유하는 점착제 조성물을 이용하여 점착제층을 형성할 때, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체는, 점착제층 중의 표면 측에 편재하기 쉽다. 이 때문에, 형성된 점착제층에서는, 내부와 비교하여 표면에 가까운 부분일수록, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체의 함유량이 많이 존재하게 된다. 여기서, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체 자체는, 소수성의 경향이 높은 성분이기 때문에, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체가 보다 많이 존재하는 점착제층의 표면에서는 80°초과의 물 접촉각을 달성하기 쉬워진다. 그 한편, 전술한 닦아냄에 의해서 표면에 존재하는 활성 에너지선 중합성 분기 중합체가 제거된 후에는, 50° 이상 80° 이하의 물 접촉각을 달성하기 쉬워진다. 이상에 의해, 전술한 닦아냄 전후에 다른 물 접촉각을 양립하는 것이 용이해진다.
또한, 본 실시형태에서의 점착제층이, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 함유하는 점착제 조성물로 형성되어 있는 것으로, 점착제층의 표면이 비교적 소수성을 가지게 되어, 이로 인해, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력을 전술한 범위로 조정하기 쉬워져, 가공 후의 워크를 워크 가공용 시트로부터 분리하기 쉬워진다. 또한 활성 에너지선 중합성 분기 중합체는 활성 에너지선 중합성기를 가지는 점에서, 워크 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사한 경우에는, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체끼리 또는 활성 에너지선 중합성 분기 중합체와 활성 에너지선 경화성기를 가지는 성분의 사이에서 중합 반응할 수 있고, 이로 인해, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체가 가공 후의 워크로 이행하는 것이 억제되는 동시에, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층이 더 경화하게 되어, 가공 후의 워크의 워크 가공용 시트로부터의 분리를 효과적으로 행하기 쉬워진다.
활성 에너지선 중합성 분기 중합체는, 상술한 바와 같이, 활성 에너지선 중합성기 및 분기 구조를 가지는 중합체인 한, 구체적인 구조(예를 들면, 분기 구조의 정도, 1분자 중에 가지는 활성 에너지선 중합성기의 수)는 특별히 한정되지 않는다. 이러한 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 얻는 방법으로는, 예를 들면, 2개 이상의 라디칼 중합성 이중 결합을 분자 내에 가지는 모노머와, 활성 수소기 및 1개의 라디칼 중합성 이중 결합을 분자 내에 가지는 모노머와, 1개의 라디칼 중합성 이중 결합을 분자 내에 가지는 모노머를 중합시킴으로써 얻어지는, 분기 구조를 가지는 중합체와, 활성 수소기와 반응해 결합을 형성할 수 있는 관능기 및 적어도 1개의 라디칼 중합성 이중 결합을 분자 내에 가지는 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 상술한 3종의 모노머는, 각각(메타)아크릴산 에스테르나 (메타)아크릴산이어도 좋고, 이 경우, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체는 아크릴계 중합체가 된다.
활성 에너지선 중합성 분기 중합체의 중량평균분자량은, 1000 이상인 것이 바람직하고, 특히 3000 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량평균분자량은, 100000 이하인 것이 바람직하고, 특히 30000 이하인 것이 바람직하다. 중량평균분자량이 상술한 범위인 것으로, 점착제층의 표면에서의 물 접촉각을 전술한 범위로 조정하기 쉬워진다.
점착제 조성물 중에서의 첨가제(D)의 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100 질량부(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100 질량부)에 대해서, 0.05 질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 0.1 질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100 질량부(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100 질량부)에 대해서, 1 질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 0.5 질량부 이하인 것이 바람직하다. 첨가제(D)의 함유량이 상술한 범위인 것으로, 점착제층의 표면에서의 물 접촉각을 전술한 범위로 조정하기 쉬워진다.
본 실시형태에서의 점착제 조성물은 이상 설명한 성분 이외에 적절히 다른 성분을 배합해도 좋다. 다른 성분으로는, 예를 들면, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(E), 가교제(F) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(E)으로는, 예를 들면, 폴리아크릴산 에스테르, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 중량평균분자량(Mw)이 3000 ~ 250만의 폴리머 또는 올리고머가 바람직하다. 상기 성분(E)을 활성 에너지선 경화성 점착제에 배합함으로써, 경화 전의 점착성 및 박리성, 경화 후의 강도, 다른 층과의 접착성, 보존 안정성 등을 개선할 수 있다. 상기 성분(E)의 배합량은 특별히 한정되지 않고, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서 0질량부 초과 50질량부 이하의 범위로 적절히 결정된다.
가교제(F)로는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 등이 가지는 관능기와의 반응성을 가지는 다관능성 화합물을 이용할 수 있다. 이러한 다관능성 화합물의 예로는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속알콕시드 화합물, 금속킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제(F)의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 3질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 가교제(F)의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 17질량부 이하인 것이 바람직하다.
다음에, 본 실시형태에서의 점착제층이, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분과 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 경우에 대해서, 이하 설명한다.
활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분으로는, 예를 들면, 전술한 아크릴계 공중합체(a1)와 마찬가지의 성분을 사용할 수 있다.
적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머로는, 전술의 성분(B)과 같은 것을 선택할 수 있다. 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분과 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머의 배합비는, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 100질량부에 대해서, 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머 1질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 60질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 배합비는, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 100질량부에 대해서, 적어도 1개 이상의 활성 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머 200질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 160질량부 이하인 것이 바람직하다.
이 경우에도, 상기와 마찬가지로, 광중합개시제(C), 첨가제(D)나 가교제(F)를 적절히 배합할 수 있다.
점착제층의 두께는, 1μm 이상인 것이 바람직하고, 또한 5μm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 두께는, 50μm 이하인 것이 바람직하고, 또한 40μm 이하인 것이 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기 범위인 것으로, 전술한 점착력을 달성하기 쉬워진다.
(3) 박리 시트
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서의 점착면을 워크에 첩부(貼付)할 때까지, 상기 면을 보호하는 목적으로, 상기 면에 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다. 박리 시트의 구성은 임의이고, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 이용할 수 있고, 이들 중에서, 염가로 안정한 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20μm 이상 250μm 이하이다.
(4) 그 외의 부재
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서의 점착면에 접착제층이 적층되어 있어도 좋다. 이 경우, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 상술한 바와 같이 접착제층을 구비하는 것으로, 다이싱·다이본딩 시트로서 사용할 수 있다. 이러한 워크 가공용 시트에서는, 접착제층에서의 점착제층과는 반대측의 면에 워크를 첩부하고, 상기 워크와 함께 접착제층을 다이싱함으로써, 개편화된 접착제층이 적층된 칩을 얻을 수 있다. 상기 칩은, 이 개편화된 접착제층에 의해서, 상기 칩이 탑재되는 대상에 대해서 용이하게 고정할 수 있게 된다. 상술한 접착제층을 구성하는 재료로는, 열가소성 수지와 저분자량의 열경화성 접착 성분을 함유하는 것이나, B 스테이지(반경화상)의 열 경화형 접착 성분을 함유하는 것 등을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 점착제층에서의 점착면에 보호막 형성층이 적층되어 있어도 좋다. 이 경우, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 보호막 형성 겸 다이싱용 시트로서 사용할 수 있다. 이러한 워크 가공용 시트에서는, 보호막 형성층에서의 점착제층과는 반대측의 면에 워크를 첩부하고, 상기 워크와 함께 보호막 형성층을 다이싱함으로써, 개편화된 보호막 형성층이 적층된 칩을 얻을 수 있다. 상기 워크로는, 한쪽면에 회로가 형성된 것이 사용되는 것이 바람직하고, 이 경우, 통상, 상기 회로가 형성된 면과는 반대측의 면에 보호막 형성층이 적층된다. 개편화된 보호막 형성층은, 소정의 타이밍에 경화시킴으로써, 충분한 내구성을 가지는 보호막을 칩으로 형성할 수 있다. 보호막 형성층은, 미경화의 경화성 접착제로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 본원 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 만족하는 것이지만, 점착제층에 대해서 상술한 접착제층 또는 보호막 형성층이 적층되는 경우에는, 이러한 층이 적층되기 전의 점착제층에 대해, 전술한 닦아냄 전후의 물 접촉각 및 점착력을 만족하게 하면 좋다.
3.워크 가공용 시트의 제조방법
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트의 제조방법은 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 기재의 한쪽면 측에 점착제층을 적층함으로써 제조된다.
기재의 한쪽면 측에의 점착제층의 적층은, 공지 방법에 따라 행할 수 있다. 예를 들면, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을, 기재의 한쪽면 측에 전사하는 것이 바람직하다. 이 경우, 점착제층을 구성하는 점착제 조성물, 및 소망에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도공액을 조제하고, 박리 시트의 박리 처리된 면(이하 「박리면」이라고 하는 경우가 있다.) 상에, 다이 코터, 커텐 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등에 의해 그 도공액을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 행할 수 있으면 그 성상은 특별히 한정되지 않고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 분산질로서 함유하는 경우도 있다. 이 적층체에서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 좋고, 워크 가공용 시트를 워크에 첩부할 때까지, 점착제층의 점착면을 보호하기 위해서 이용해도 좋다.
점착제층을 형성하기 위한 도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 상기의 건조의 조건(온도, 시간 등)을 바꾸는 것으로, 또는 가열 처리를 별도 설치하는 것으로, 도막 내의 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 또는 활성 에너지선 비경화성 폴리머와 가교제의 가교반응을 진행시켜, 점착제층 내에 소망한 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 좋다. 이 가교반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기의 방법 등에 의해 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 워크 가공용 시트를, 예를 들면 23℃, 상대습도 50%의 환경에 수일간 정치하는 것과 같은 양생을 행해도 좋다.
상술한 바와 같이 박리 시트 상에서 형성한 점착제층을 기재의 한쪽면 측에 전사하는 대신에, 기재 상에서 직접 점착제층을 형성해도 좋다. 이 경우, 전술한 점착제층을 형성하기 위한 도공액을 기재의 한쪽면 측에 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성한다.
4.워크 가공용 시트의 사용 방법
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 워크의 가공을 위해서 사용할 수 있다. 즉, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트의 점착면을 워크에 첩부한 후, 워크 가공용 시트 상에서 워크의 가공을 행할 수 있다. 상기 가공에 따라, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 백 그라인드 시트, 다이싱 시트, 익스팬드 시트, 픽업 시트 등으로서 사용할 수 있다. 여기서, 워크의 예로는, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지 등의 반도체 부재, 유리판 등의 유리 부재를 들 수 있다.
또한, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트가, 전술한 접착제층을 구비하는 경우에는, 상기 워크 가공용 시트는, 다이싱·다이본딩 시트로서 사용할 수 있다. 또한 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트가, 전술한 보호막 형성층을 구비하는 경우에는, 상기 워크 가공용 시트는, 보호막 형성 겸 다이싱용 시트로서 사용할 수 있다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트에서는, 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이 전술한 범위인 동시에, 전술한 닦아냄 후의 물 접촉각이 전술한 범위인 것으로, 점착제층을 구성하는 점착제가 가공 후의 워크에 부착한 경우에도, 흐르는 물에 의해 상기 점착제를 양호하게 제거할 수 있다. 또한 점착면에서의 전술한 닦아냄 전의 물 접촉각이 전술한 범위인 것으로, 가공 후의 워크를 양호하게 분리하기 쉬워진다. 이 때문에, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 흐르는 물이 사용되는 가공에 사용하는 것이 적합하고, 특히, 절단 부분에 흐르는 물을 공급하는 것을 수반하는 다이싱에 사용하는 것이 적합하다. 즉, 본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트는, 다이싱 시트로서 사용하는 것이 적합하다.
본 실시형태와 관련되는 워크 가공용 시트를 다이싱 시트로서 사용하는 경우, 다이싱의 조건 및 흐르는 물의 공급 조건으로는, 일반적인 조건을 사용할 수 있다. 특히 흐르는 물의 공급 조건에 관해서, 사용되는 물로는, 순수 등을 사용하는 것이 바람직하다. 물의 공급량으로는, 0.5L/min 이상인 것이 바람직하고, 특히 1 L/min 이상인 것이 바람직하다. 또한, 물의 공급량으로는, 2.5L/min 이하인 것이 바람직하고, 특히 2 L/min 이하인 것이 바람직하다. 또한 물의 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 실온 정도로 하는 것이 바람직하다.
〔가공된 워크의 제조방법〕
본 발명의 일 실시형태와 관련되는 가공된 워크의 제조방법은, 전술한 워크 가공용 시트의 점착제층에서 기재와는 반대측의 면과 워크를 첩합하는 첩합 공정, 워크 가공용 시트 상에서 워크를 가공하여, 워크 가공용 시트 상에 적층된 가공된 워크를 얻는 가공 공정, 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시켜, 가공된 워크에 대한 워크 가공용 시트의 점착력을 저하시키는 조사 공정, 및 활성 에너지선 조사 후의 워크 가공용 시트로부터, 가공된 워크를 분리하는 분리 공정을 구비한다.
본 실시형태의 가공된 워크의 제조 방법으로 사용되는 워크 가공용 시트는, 점착제층을 구성하는 점착제가 가공 후의 워크에 부착한 경우에도, 흐르는 물에 의해 상기 점착제를 양호하게 제거할 수 있는 동시에, 가공된 워크를 양호하게 분리하기 쉬운 것이다. 이 때문에, 본 실시형태의 가공된 워크의 제조 방법에 따르면, 효율적으로 가공된 워크를 제조할 수 있게 된다.
이하, 본 실시형태의 가공된 워크의 제조방법에서의 각 공정에 대해서 설명한다.
(1) 첩합 공정
첩합 공정에서의 워크와 워크 가공용 시트의 첩합은, 종래 공지의 수법에 따라 행할 수 있다. 또한 계속해서 가공 공정에서 워크의 다이싱을 행하는 경우에는, 워크 가공용 시트의 점착제층 측의 면에서의, 워크를 첩합하는 영역의 외주 측의 영역에, 링 프레임을 첩합하는 것이 바람직하다. 또한, 사용하는 워크는, 제조하려고 하는 가공된 워크에 따라 소망하는 것이어도 좋고, 구체예로는, 전술한 것을 사용할 수 있다.
(2) 가공 공정
가공 공정에서는, 워크에 대해서 소망한 가공을 행할 수 있고, 예를 들면 백 그라인드, 다이싱 등을 행할 수 있다. 이러한 가공은, 종래 공지의 수법에 따라 행할 수 있다.
또한 상기 가공으로서 회전하는 블레이드를 이용한 블레이드 다이싱을 행하는 경우, 일반적으로, 워크와 함께, 워크 가공용 시트에서의 점착제층의 일부가 절단되게 된다. 이 때, 점착제층을 구성하는 점착제가 블레이드에 의해서 말려 올라가서 가공된 워크에 부착하는 경우가 있다. 그렇지만, 본 실시형태의 가공된 워크의 제조방법에 사용되는 워크 가공용 시트에서는, 전술한 바와 같이, 부착한 점착제를 흐르는 물에 의해 양호하게 제거할 수 있다. 이 관점에서, 본 실시형태에서의 가공은, 다이싱인 것이 적합하고, 특히 회전하는 블레이드를 이용한 블레이드 다이싱인 것이 적합하다.
(3) 조사 공정
조사 공정에서는, 가공된 워크에 대한 워크 가공용 시트의 점착력을 소망한 정도 저하시킬 수 있는 한, 활성 에너지선의 조사의 조건은 한정되지 않고, 종래 공지의 수법에 기초해 행할 수 있다. 사용하는 활성 에너지선의 종류로는, 예를 들면, 전리방사선, 즉, X선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.
(4) 분리 공정
분리 공정에서는, 가공의 종류나 얻어진 가공된 워크에 따른 방법에 따라, 분리를 행한다. 예를 들면, 가공으로서 다이싱을 행하고, 상기 다이싱에 의해서, 워크가 개편화되어 이루어지는 칩이 얻어지는 경우에는, 종래 공지의 픽업 장치를 이용하여, 얻어진 칩을 개개로 워크 가공용 시트로부터 픽업한다. 또한, 상기 픽업을 용이하게 하기 위해서, 워크 가공용 시트를 익스팬드하여, 가공된 워크끼리 이간시켜도 좋다.
(5) 그 외
본 실시형태의 가공된 워크의 제조방법에서는, 상술한 공정 이외의 공정을 설치해도 좋다. 예를 들면, 첩합 공정 후에, 얻어진 워크와 워크 가공용 시트의 적층체를 소정의 위치에 반송하는 반송 공정이나, 상기 적층체를 소정의 기간 보관하는 보관 공정 등을 설치해도 좋다. 또한, 분리 공정 후에, 얻어진 가공된 워크를, 소정의 기반 등에 마운트하는 마운트 공정 등을 설치해도 좋다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 기재된 것으로, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 기재와 점착제층의 사이, 또는 기재에서의 점착제층과는 반대측의 면에는, 그 외의 층이 설치되어도 좋다.
실시예
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 한층 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이러한 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 점착제 조성물의 조제
아크릴산메틸 40질량부와 아크릴산 2-메톡시에틸 40질량부와 아크릴산 2-히드록시에틸 20질량부를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체와, 상기 아크릴계 공중합체 100 g에 대해서 21.4 g(아크릴산 2-히드록시에틸의 몰 수에 대해서 80몰%에 상당한다.)의 메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI)를 반응시켜, 활성 에너지선 경화성 중합체를 얻었다. 이 활성 에너지선 경화성 중합체의 중량평균분자량(Mw)을 후술하는 방법으로 측정했는데, 60만이었다.
얻어진 활성 에너지선 경화성 중합체 100질량부(고형분 환산, 이하 동일)와 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF 사 제, 제품명 「IRGACURE 184」) 3질량부와, 가교제로서의 톨루엔 디이소시아네이트(TOSOH CORPORATION 제, 제품명 「Coronate L」) 4.97 질량부와 첨가제로서 활성 에너지선 중합성 분기 중합체(Nissan Chemical Industries, Ltd. 제, 제품명 「OD－007」, 중량평균분자량：14000) 0.18 질량부를 용매 중에서 혼합하여 점착제 조성물을 얻었다.
(2) 점착제층의 형성
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리 시트(LINTEC Corporation 제, 제품명 「SP-PET381031」)의 박리면에 대해서, 상기 점착제 조성물을 도포하고, 가열에 의해 건조시킨 후, 23℃, 50%RH의 조건 하에서 7일간 양생함으로써, 박리 시트 상에 두께 5μm의 점착제층을 형성했다.
(3) 워크 가공용 시트의 제작
상기 공정(2)에서 형성한 점착제층의 박리 시트와는 반대측의 면과 기재로서의 두께 80μm의 에틸렌-메타크릴산 공중합체(EMAA) 필름의 한쪽면을 첩합하여, 워크 가공용 시트를 얻었다.
여기서, 전술한 중량평균분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 측정(GPC 측정)한 표준 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량이다.
〔실시예 2 ~ 7 및 비교예 1 ~ 3〕
아크릴계 공중합체의 조성, 가교제의 함유량 및 첨가제의 함유량을 표 1에 나타낸 바와 같이 변경하는 이외에, 실시예 1과 마찬가지로 하여 워크 가공용 시트를 제조했다.
〔시험예 1〕(물 접촉각의 측정)
실시예 및 비교예에서 제조한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 노출면에서의 물 접촉각(°)을, 전자동식 접촉각 측정계(Kyowa Interface Science Co., Ltd. 제, 제품명 「DM-701」)를 사용하여 이하의 조건에서 측정했다. 그 결과를 닦아냄 전의 물 접촉각으로서 표 1에 나타낸다.
·정제수의 액적량：2μl
·측정시간：적하 3초 후
·화상 해석법：θ／2법
또한 실시예 및 비교예에서 제조한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리해, 점착제층을 노출시켰다. 계속해서, 부직포(Asahi Kasei 사 제, 제품명 「BEMCOT」, 사이즈：250mm×210 mm)를 62.5mm×52.5 mm의 사이즈로 접은 동시에, 메틸 에틸 케톤 15 mL를 포함하는 상태로, 상기 점착제층의 노출면에 적층하고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 15분간 정치하였다. 정치 후, 상술한 바와 같이 접은 부직포로 점착제층의 노출면을 닦아내고, 상기와 마찬가지의 환경 하에서 1시간 정치하고, 상기 노출면을 건조시켰다. 이러한 닦아냄 처리를 실시한 점착제층에서 기재와는 반대측의 면에 대하여, 상기와 마찬가지의 조건에서 물 접촉각을 측정하였다. 그 결과를, 닦아냄 후의 물 접촉각으로서 표 1에 나타낸다.
〔시험예 2〕(점착력의 측정)
실시예 및 비교예에서 제조한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 노출면을 경면 가공한 6인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 적층하고, 2 kg의 롤러를 1회 왕복시킴으로써 하중을 가해 첩합하고, 20분 방치함으로써 점착력 측정용 샘플을 얻었다
상기 점착력 샘플에 대해서 실리콘 웨이퍼로부터, 박리 속도 300 mm/min, 박리 각도 180°로 워크 가공용 시트를 박리하고, JIS　Z0237：2009에 준한 180°박리법에 따라, 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력 (mN/25 mm)를 측정했다. 그 결과를 자외선 조사 전(UV 전)의 점착력으로서 표 1에 나타낸다.
〔시험예 3〕(점착제의 제거성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 워크 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 노출면에, 테이프 마운터(LINTEC Corporation 제, 제품명 「Adwill RAD2500m/12」)를 이용하고, ＃2000 연마한 6인치 실리콘 웨이퍼(두께：150μm)의 연마면을 첩부했다. 계속해서, 다이싱 장치(DISCO Corporation 제, 제품명 「DFD-6361」)를 이용하고, 이하의 다이싱 조건에서 절단부에 흐르는 물을 공급하면서 6인치 실리콘 웨이퍼측에서 절단하는 다이싱을 행했다.
＜다이싱 조건＞
·다이싱 장치：DISCO Corporation 제　DFD-6361
·블레이드　　　：DISCO Corporation 제　NBC-2H　2050　27HECC
·블레이드 폭　　：0.025 ~ 0.030mm
·칼끝 돌출량　　：0.640 ~ 0.760mm
·블레이드 회전수：50000rpm
·절삭속도　　　：20mm/sec
·노치 깊이　：워크 가공용 시트에서의 점착제층 측의 면으로부터 15μm
·흐르는 물 공급량　　：1.0L/min
·흐르는 물 온도　　　：실온
·컷팅 사이즈　：10mm×10mm
상기 다이싱에 의해 얻어진 칩을, 워크 가공용 시트로부터 20개 분리하고, 이것들에 점착제가 부착되어 있는지를 육안으로 확인하였다. 그리고, 이하의 기준에 기초하여, 점착제의 제거성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
○：점착제가 부착되어 있는 칩이 0개이었다.
×：점착제가 부착되어 있는 칩이 1개 이상이었다.
〔시험예 4〕(분리성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 워크 가공용 시트를 이용하고, 시험예 3과 마찬가지로 다이싱을 행하였다. 다이싱의 완료 후, 워크 가공용 시트 측의 면에, 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation 제, 제품명 「RAD－2000」)를 이용하여 자외선(UV)을 조사해 (조도：230mW/㎠, 광량：190mJ/㎠), 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 얻어진 모든 칩을 워크 가공용 시트로부터 픽업하였다. 이 때, 워크 가공용 시트에서의 유리 칩이 첩부된 면과는 반대측의 면에서, 니들로 밀어올렸다(니들수：4개, 밀어올린 속도：50mm/초, 밀어올린 높이：0.5 mm). 이 때의 픽업의 상황에 기초하여, 이하의 기준으로, 칩을 워크 가공용 시트로부터 분리할 때의 분리성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
○：아무 문제도 없이 픽업할 수 있었다.
×：칩의 분리를 할 수 없거나, 칩의 파손이 생긴 것에 의해, 양호하게 픽업할 수 없었다.
또한 표 1에 기재된 약호 등의 상세는 이하와 같다.
BA：아크릴산부틸
MMA：메타크릴산메틸
MA：아크릴산메틸
2MEA：아크릴산 2-메톡시에틸
AA：아크릴산
HEA：아크릴산 2-히드록시에틸
Figure pct00001
표 1로부터 알 수 있듯이, 실시예에서 얻어진 워크 가공용 시트에 따르면, 흐르는 물에 의해서 점착제를 양호하게 제거할 수 있는 동시에, 가공 후의 워크를 양호하게 분리할 수 있었다.
본 발명의 워크 가공용 시트는, 다이싱에 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (5)

  1. 기재, 및 상기 기재의 한쪽면 측에 적층된 점착제층을 구비하는 워크 가공용 시트로서,
    상기 점착제층은, 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있고,
    상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면의 물 접촉각은, 80°초과이고,
    상기 워크 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력은, 5000 mN/25 mm 이하이고,
    상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면 상에, 메틸 에틸 케톤을 포함하는 부직포를 적층하고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 15분간 정치한 후, 상기 부직포로 상기 면을 닦아내고, 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 1시간 정치하고 건조시킨 상기 면에서 측정되는 물 접촉각은, 50° 이상 80° 이하인 것을 특징으로 하는 워크 가공용 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성 에너지선 경화성 점착제는, 활성 에너지선 중합성 분기 중합체를 함유하는 점착제 조성물로 형성된 점착제인 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제 조성물은, 관능기 함유 모노머 단위를 가지는 아크릴계 공중합체와, 상기 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 활성 에너지선 경화성 중합체를 함유하는 것이고,
    상기 아크릴계 공중합체는, 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 아크릴산메틸, (메타)아크릴산 2-메톡시에틸, (메타)아크릴산에틸 카비톨 및 (메타)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    다이싱 시트인 것을 특징으로 하는, 워크 가공용 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 워크 가공용 시트의 상기 점착제층에서 상기 기재와는 반대측의 면과 워크를 첩합하는 첩합 공정,
    상기 워크 가공용 시트 상에서 상기 워크를 가공하여, 상기 워크 가공용 시트 상에 적층된 가공된 워크를 얻는 가공 공정,
    상기 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하여, 상기 점착제층을 경화시켜, 상기 가공된 워크에 대한 상기 워크 가공용 시트의 점착력을 저하시키는 조사 공정, 및
    활성 에너지선 조사 후의 상기 워크 가공용 시트로부터, 상기 가공된 워크를 분리하는 분리 공정,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는, 가공된 워크의 제조방법.
KR1020217000674A 2018-09-12 2018-09-12 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법 KR102511369B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/033766 WO2020053981A1 (ja) 2018-09-12 2018-09-12 ワーク加工用シートおよび加工済みワークの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210053872A true KR20210053872A (ko) 2021-05-12
KR102511369B1 KR102511369B1 (ko) 2023-03-17

Family

ID=69776663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217000674A KR102511369B1 (ko) 2018-09-12 2018-09-12 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7200260B2 (ko)
KR (1) KR102511369B1 (ko)
CN (1) CN112335022A (ko)
TW (1) TWI809031B (ko)
WO (1) WO2020053981A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5019657B2 (ko) 1972-02-08 1975-07-09
KR20150087222A (ko) * 2012-11-20 2015-07-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 칩의 제조방법 및 이것에 이용되는 박막 연삭용 표면 보호 테이프
KR20150130245A (ko) * 2014-05-13 2015-11-23 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20150132004A (ko) * 2014-05-16 2015-11-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP5583099B2 (ja) * 2011-09-28 2014-09-03 古河電気工業株式会社 脆性ウェハ加工用粘着テープ
JP5019657B1 (ja) 2011-10-27 2012-09-05 古河電気工業株式会社 半導体デバイス加工用粘着テープ
JP6328397B2 (ja) 2013-10-02 2018-05-23 リンテック株式会社 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6424205B2 (ja) * 2014-03-03 2018-11-14 リンテック株式会社 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
JP5855299B1 (ja) * 2015-03-02 2016-02-09 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
KR102594220B1 (ko) 2016-02-29 2023-10-25 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공 시트

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5019657B2 (ko) 1972-02-08 1975-07-09
KR20150087222A (ko) * 2012-11-20 2015-07-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 칩의 제조방법 및 이것에 이용되는 박막 연삭용 표면 보호 테이프
KR20150130245A (ko) * 2014-05-13 2015-11-23 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20150132004A (ko) * 2014-05-16 2015-11-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020053981A1 (ja) 2021-08-30
JP7200260B2 (ja) 2023-01-06
CN112335022A (zh) 2021-02-05
TWI809031B (zh) 2023-07-21
TW202010811A (zh) 2020-03-16
KR102511369B1 (ko) 2023-03-17
WO2020053981A1 (ja) 2020-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI809030B (zh) 工件加工用片材及加工完成的工件的製造方法
WO2018083987A1 (ja) ステルスダイシング用粘着シート
KR20210088525A (ko) 워크 가공용 시트
KR102579051B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
KR102579055B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
KR102511369B1 (ko) 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법
JP6980680B2 (ja) ステルスダイシング用粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant